eeprom和norflash的区别

一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR. 简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND规格晶片多应用在小型记忆卡，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中。参考资料： http://zhidao.baidu.com/question/6606107.html

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。 我的回答你还满意吗？望采纳，谢谢！

NAND还是国内第一电子乐团【与非门】创立的服装品牌：被誉为中国第一电子乐队的与非门乐队，在今年初签约新东家中天门文化后，就移师北上发展。在刚刚推出新作《我们是小孩》不久，与非门乐队又涉水服装行业，火速推出自创品牌nand，其首款T恤已在日前面世并在他们的官网进行销售。

nand容量=（page大小）*（1block中的page数目）*（1die中的block数目）*（1device中的die数目）一般每个page大概有4k或8k byte；一个block大概有64或者128page；1die大概有4096或8192block，1device大概有2或4die。假设1 page = 4K byte；1block= 64page；1die=4096block；1device=2die。那么一颗nand芯片容量=4K*64*4096*2 byte=2G byte

1.Nor的成本相对高，容量相对小，比如常见的只有128KB，256KB，1MB，2MB等等，优点是读写数据时候，不容易出错。所以在应用领域方面，NorFlash比较适合应用于存储少量的代码。2.Nandflash成本相对低，说白了就是便宜，缺点是使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。但优点是，相对来说容量比较大，现在常见的NandFlash都是1GB，2GB，更大的8GB的都有了，相对来说，价格便宜，因此适合用来存储大量的数据。其在嵌入式系统中的作用，相当于PC上的硬盘，用于存储大量数据。Norflash，有类似于dram之类的地址总线，因此可以直接和CPU相连，CPU可以直接通过地址总线对norflash进行访问，而NandFlash没有这类的总线，只有IO接口，只能通过IO接口发送命令和地址，对NandFlash内部数据进行访问。相比之下，norflash就像是并行访问，NandFlash就是串行访问，所以相对来说，前者的速度更快些。但是由于物理制程/制造方面的原因，导致nor和nand在一些具体操作方面的特性不同。希望对你有用。请参看《如何编写Linux下NandFlash驱动》。]

建议按以下方法操作：1 、首先，最好取出SIM卡，以免丢失联系人信息 。2 、用布或纸巾擦拭手机的每个部分，不要过多地移动或摇晃手机，以免水在手机内部到处游走。3、尝试用布或纸巾包住手机几分钟，吸出过多的水分。吹风机开启凉风档，在距离手机大概30cm处对着手机的孔吹，最少持续吹一个小时。4、最后，把手机用纸巾薄薄包裹住，放入一个满大米的罐子或袋子里至少24小时，在此期间不能开机。大米的吸水性能很好，可以挽救受潮的手机。5、以上只是挽救措施，若开机后仍然出现故障，请前往售后维修。

[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

NAND是存放手机固件代码的存储器，比如手机的操作系统、一些应用程序如游戏等。 C盘存大约在70兆左右希望可以帮到你

NANDFLASH应该就是NANDMEMORY吧，就是指手机或者MP4的内存，就像电脑的内存一样，为程序的运行保存一些参数变量，断电后会自动清除。他的大小当然也要影响到手机的运行速度。相关的内存数据还有一个就是FreeExecutableRAMMemory，这个是实际可用内存，就是除手机自带程序占用的内存之外，用户可以自己支配的内存，比如开个QQ阿，或者打开个游戏阿，实际可用内存的大小会影响到这些程序的运行速度；

看这儿吧， pdosgk说得很清楚：http://zhidao.baidu.com/question/6606107.html?si=4

3D NAND是相对于原先的NAND在工艺上的提升，可以理解为把原先平面的存储单元构建为立体的，这样一片晶元上存储的cell会更多。传统的2D NAND工艺到16nm就已经饱和了，而3D通过增加纵轴的叠层数目可以继续演进三代左右（现有的技术一般是32层或48层，个人预测未来终结产品会发展到128层）。同一片晶元上存储单元越多即意味着每个bit的成本更低。而3D X point则和3D NAND完全不同，NAND是基于floating gate/charge-trap gate MOS技术，而x point则是基于phase change material。通俗的说，NAND是通过晶体管上充放电来存储数据，而x point是通过材料是熔化或凝固状态来存储数据。从性能上而言，x point会远远超过NAND，这可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大杀器，如果能很快的解决现在yield lost问题，会改变以后存储世界的格局。

一句话，nor只能读不能写，而nand可以读可以写，区别nand和nor的方法也很简单，直接向nor里面写入一个数据然后再读出来，如果读出的数据等于写入的数据就是nand，否则就是nor。

一直等。或者按住关机键8秒强制关机。还有个问题手机升级，没有网络。电脑端下载最新版本的itunes，不然重装时可能会造成未知错误。2.iphone连接itunes，将iphone关机，同时按住HOME键和关机键10秒，松开关机键，继续按住home键，直到在电脑上看到识别在DFU状态下的设备，电脑出现提示后，松开home键，选择itunes上的恢复选项按钮，在弹出来的选择框里点击确认恢复。3.接下来itunes会弹出页面提示将会抹掉一切内容，还将会与 Apple 服务器验证恢复，当验证以及提取文件完成以后，iTunes 就会自动为iphone重新安装下载好的固件版本了，等待安装成功后重新激活一下iphone就可以了。

NAND其实不是缩写 是Not AND 说白了就是与非NOR 就是或非是这样的NAND 里面的单元是按照所谓与非 的方式连起来的 NOR同理NAND线少 所以便宜 但是性能不如NOR所以大容量的完全是NAND的天下你放心 我解释的绝对没错 我就是学这个的

简单的说就是psp的系统所在的位置，具体的看下面PSP-NANDPSP主基板上有一颗三星的K5E5658HCM-D060的芯片,这是一颗整合芯片,包括PSP的内存(32MB 333MHz DDR SDRAM)和闪存(32MB NAND FlashROM).-内存内存是分成两部分的.8MB的系统内存和24MB的用户内存.由于MIPS R4000处理器的启动地址是0xBFC00000,所以在PSPSDK的kdumper那个例子里,这句:dump_memregion("ms0:/boot.bin", (void*) 0xBFC00000, 0x100000);dump的是PA/PB的主/副Boot区(各512KB).0x88000000到0x883FFFFF这4MB空间是用来在启动时加载系统核心和modules的.-闪存闪存也分成两个部分.1MB的引导区和31MB的数据区.数据区又包括24MB的Flash0(系统文件,固件)和4MB的Flash1(配置文件).lflash: 块设备,用来访问整个闪存,块大小为512字节,读/写lflash0:0,0(可写)flash0: FAT设备,只读lflash0:0,1(可写)flash1: FAT设备,只读lflash0:0,2lflash0:0,3fatfmtflashfat2flashfat3: 不详网上很多备份软件，搜索一下就能找到

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口

　　Fisrt part ：　　NAND flash和NOR flash的不同　　NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。NAND flash使用复杂的I/O口来穿行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写单位为512Byte的页，擦写单位为32页的块。　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。　　● NAND的写入速度比NOR快很多。　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。　　在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。　　---------摘抄自网上流传很广的《NAND 和 NOR flash的区别》　　Second part：　　NAND Flash结构与驱动分析　　一、NAND flash的物理组成　　NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。　　NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：　　Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位　　Page Address ：页地址　　Block Address ：块地址　　对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。　　二、NAND Flash地址的表示　　512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除操作时不需要它，why？因为以块为单位擦除。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。A8这一位地址被用来设置512byte的1st half page还是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit来表示。　　例如64MB（512Mb）的NAND flash（实际中由于存在spare area,故都大于这个值），共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。　　由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于512Mbit x8的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR 为例：　　第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读　　写，而真正的A8 的值是不需程序员关心的。　　第2 步就是将NAND_ADDR 右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上；　　第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；　　第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上；　　因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB（256Mbit）以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。　　下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。 由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候 A8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。　　三、NAND flash驱动解读　　以前由于做移植多一些，那些工作很简单（现在看来），从来都不用去关心驱动里面到底怎么实现的，这几次面试才发现真的是学的太浅了，似乎我还在学习仰泳而那些牛人基本都属于潜水级的了，潜的不知有多深。我对照着开发板所带的NAND flash驱动和k9f1208的芯片资料把这些代码通读了一遍，终于明白了NAND flash的读写过程是如何实现的了。我所参考的驱动是mizi公司为三星芯片所写的，我看看了，大概和官方2.4.18内核的nand.c差不多。　　在s3c2410处理器中有专门的NAND flash控制器，他们位于SFR区，具体可以参看s3c2410用户手册。以下的这些代码均可以在vivi或者kernel里面找到，文中会标明程序出自何处。在vivi中，有关NAND flash的驱动都在driver/mtd/nand/下，该目录中包含的源文件：smc_core.c是NAND flash的主要驱动。　　NAND flash 芯片定义了一个很长的结构，这个结构中包含了操作NAND flash的函数和一些必要的变量（include/mtd/nand.h）。　　struct nand_chip {　　#ifdef CONFIG_MTD_NANDY　　void (*hwcontrol)(int cmd);　　void (*write_cmd)(u_char val);　　void (*write_addr)(u_char val);　　u_char (*read_data)(void);　　void (*write_data)(u_char val);　　void (*wait_for_ready)(void);　　int page_shift;　　u_char *data_buf;　　u_char *data_cache;　　int cache_page;　　struct nand_smc_dev *dev;　　u_char spare[SMC_OOB_SIZE];　　#else　　……　　#ifdef CONFIG_MTD_NAND_ECC　　u_char ecc_code_buf[6];　　u_char reserved[2];　　#endif　　#endif　　};　　纵观对NAND flash的各种操作（read、write、erase），无外乎如下几种操作：　　1．选择flash nand_select()　　2．发送命令 nand_command()　　3．进行相应操作 read，write……　　4．反选NAND flash nand_deselect()　　下面是以上四步的实现代码：　　1、选择NAND flash　　#define nand_select() this->hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE); 　　nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1); 　　udelay (10);　　hwcontrol(NAND_CTL_SETNCE)的作用是设置2410的NAND FLASH CONFIGURATION (NFCONF) REGISTER的NAND Flash Memory chip enable位为0，这位寄存器在自动重启后就被系统自动清零。如果要访问NAND flash的内存，这位必须置1。　　nand_command(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1)；向flash发送命令，此命令为reset，即为重置NAND flash。　　然后是10us的延迟，给flash个反应时间。　　2、发送命令　　Nand_command()同样在smc_core.c中实现。NAND flash的命令有如下几种：　　命令 命令值 描述　　NAND_CMD_READ0 0 读操作　　NAND_CMD_READ1 1 读操作　　NAND_CMD_PAGEPROG 0x10 页编程操作　　NAND_CMD_READOOB 0x50 读写OOB　　NAND_CMD_ERASE1 0x60 读写操作　　NAND_CMD_STATUS 0x70 读取状态　　NAND_CMD_STATUS_MULTI 0x71 读取状态　　NAND_CMD_SEQIN 0x80 写操作　　NAND_CMD_READID 0x90 读Flash ID号　　NAND_CMD_ERASE2 0xd0 擦写操作　　NAND_CMD_RESET oxff 复位操作　　按照程序的注释，可以将该函数的实现分为如下几步：　　1、Begin command latch cycle　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_SETCLE);　　this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_OUT);　　找到第二条语句的定义，发现什么都么做，不解!!希望达人解答。我猜想可能是一个数据读出的使能操作，允许数据读出。　　Command Latch Enable(CLE) and Address Latch Enable(ALE) are used to multiplex command and address respectively, via the I/O pins. The CLE input controls the path activation for commands sent to the command register. When active high, commands are latched into the command register through the I/O ports on the rising edge of the nWE signal. 看了这段英文相信对第一条语句的作用已经十分清楚了，他就是用来控制向命令寄存(COMMAND SET (NFCMD) REGISTER)发送命令的。　　2、 Write out the command to the device　　这部分对于不同的命令来说，操作的步骤也不太相同，如果为写操作，那么还有根据flash不同的容量决定操作步骤，具体可以参看代码。如果为其他命令，那么就是简单的一行：　　this->write_cmd (command);　　将命令直接想到命令寄存器（NFCMD[7:0]）中。　　3、 Set ALE and clear CLE to start address cycle & Serially input address　　1中已经提到了ALE和CLE的作用，现在开始发送地址。　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRCLE); // clear the command latch enable　　this->hwcontrol(NAND_CTL_SETALE); // set the address latch enable　　然后按位操作，是用函数write_addr()将地址写到NAND FLASH ADDRESS SET (NFADDR) REGISTER中。　　4、 Latch in address　　实现代码：　　this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRALE);　　this->hwcontrol(NAND_CTL_DAT_IN);　　地址发送完毕，清楚ALE。　　5、 Pause for 15us　　我使用的VIVI中，使用udelay (15)延时15us，但这个时间会因NAND Flash的不同而不同。　　三、Operation　　根据函数的不同，操作部分会不一样，但是主要的是对NAND FLASH DATA (NFDATA) REGISTER的操作，或写（编程）或者读。通过读或写函数的参数来返回或传递读出的值或写入的值。写得操作通常比较麻烦，他要将写到flash的内容重新读出后进行ECC校验，如果数据正确则在重新真正的写（编程），如果错误，则将数据写入flash的另一个块。读和写都是以页为单位进行操作。而擦除则以块为单位，三个周期发送完地址。擦除完毕后同样需要进行检察以确定是否擦除成功。　　四、De-select the NAND device　　实现代码：　　#define nand_deselect() this->hwcontrol(NAND_CTL_CLRNCE);　　反选flash吧，不知这样叫正确与否，跟select the NAND device相反，亦即使用完后将使能flash位清0，代码是NFCONF位于0x4e00_0000的位置（NFCONF |= NFCONF_nFCE_HIGH;），有兴趣的可以读读代码，看看这是怎么实现的，我的感觉就是关于寄存器的清置读起来都比较晕。　　　　　　　　基于三星K8F2G08U0M存储芯片的读写操作，如命令、地址、数据的读写时序，读芯片ID、页读、页写、随机读、随机写，坏块的检测、标记及处理。　　（1）写命令子函数　　void Write_Command(unsigned char Com)　　{　　FLASH_CLE = 1;　　FLASH_ALE = 0;　　　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = Com;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（2）写地址子函数　　void Write_Address(unsigned char Addr)　　{　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 1;　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = Addr;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（3）写数据子函数　　void Write_Data(unsigned char dat)　　{　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 0;　　FLASH_RE = 1;　　FLASH_WE = 0;　　XBYTE[XP] = dat;　　FLASH_WE = 1;　　}　　（4）读数据子函数　　unsigned char Read_Data(void)　　{　　unsigned char dat;　　FLASH_CLE = 0;　　FLASH_ALE = 0;　　FLASH_WE = 1;　　FLASH_RE = 0;　　dat = XBYTE[XP];　　FLASH_RE = 1;　　return dat;　　}　　(5) 读ID函数　　FLASH_CEN = 0; //读ID　　Write_Command(0x90);　　Write_Address(0x00);　　AA1 = Read_Data(); //0xEC　　AA2 = Read_Data(); //0xDA　　AA3 = Read_Data(); //无所谓　　AA4 = Read_Data();　　FLASH_CEN = 1;

去上VB创一个tang文件

XNOR也叫同或门

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。 NAND闪存卡的读取速度远大于写入速度 emmc设备上有一个控制器，和嵌入设备的host控制使用emmc协议交互。对于host设备来说，只需了解emmc协议就能驱动emmc进行读写。emmc上的控制器负责具体的对memrory的管理。对于嵌入式设备厂商来说轻松很多。因为不需要了解各个nand产品的不同了。 DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。 前两者是非易失性存储器，即为ROM，DDR属于易失性存储器，即为RAM。

是nand型的，这种特点是页读写，对于大数据量速度是块的，而且便宜，所以适合用来存放日常数据。而nor的特点是像EEPROM一样，具体可以达到bit的读写，因此对于小数据的access能力强，但是要读写大数据的话，速度没nand来得快，而且贵，因此nor一般用来存放mcu的执行代码。希望对你有帮助。

NAND存储产品是工艺越老可擦写次（PE)数越多，3D NAND是指内部可以多层堆叠封装，现在国内半导体工艺不够成熟，在先进工艺上短期内追赶的可能性不大，但在NAND产品方面则可以通过使用老一代工艺的多层堆叠来实现弯道超车（老工艺的生产的成本更低）

选择内置NAND接口的处理器或控制器的好处很多。如果没有这个选择，有可能在NAND和几乎任何处理器之间设计一个“无粘接逻辑(glueless)”接口。NAND和NOR闪存的主要区别是复用地址和数据总线。该总线被用于指定指令、地址或数据。CLE信号指定指令周期，而ALE信号指定地址周期。利用这两个控制信号，有可能选择指令、地址或数据周期。把ALE连接到处理器的第五地址位，而把CLE连接到处理器的第四地址位，就能简单地通过改变处理器输出的地址，任意选择指令、地址或数据。这容许CLE和ALE在合适的时间自动设置为低。为了提供指令，处理器在数据总线上输出想要的指令，并输出地址0010h；为了输出任意数量的地址周期，处理器仅仅要依次在处理器地址0020h之后输出想要的NAND地址。注意，许多处理器能在处理器的写信号周围指定若干时序参数，这对于建立合适的时序是至关重要的。利用该技术，你不必采用任何粘接逻辑，就可以直接从处理器存取指令、地址和数据。

大气层备份NAND（AtmosphericRadiationBack-upNAND）是一种特殊的闪存芯片，可以防止宇航员在太空遭受辐射损伤时丢失重要数据。大气层备份NAND不仅可以在太空任务中使用，也可以应用于别的高辐射环境中的数据存储，例如核电站和高能物理实验。NAND的高抗辐射性能和可靠性使得其成为关键的备用存储设备，确保重要数据不会丢失。

sdram：主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算，类似内存。 nor flash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘；nand flash：适合大容量数据存储，类似硬盘；inand flash：是SanDisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化。 Nor flash的有自己的地址线和数据线，可以采用类似于memory的随机访问方式，在nor flash上可以直接运行程序，所以nor flash可以直接用来做boot，采用nor flash启动的时候会把地址映射到0x00上。Nand flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。NANDFlash启动： NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。（cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000）。cpu是从0x00000000开始执行，也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x00000000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行）。程序员要完成的工作是把最核心的代码放在nandflash的前4K中。4K代码要完成S3C2440的核心配置以及启动代码（U-boot）的剩余部分拷贝到SDRAM中。 这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。NORflash启动：支持XIP即代码直接在NOR Flash上执行，无需复制到内存中。这是由于NORFlash的接口与RAM完全相同，可随机访问任意地址数据。NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，远不及内存，一般先在代码的开始部分使用汇编指令初始化外接的的内存部件（外存SDRAM），最后跳到外存中继续执行。对于小程序一般把它烧到NANDflash中，借助cpu内部RAM（SRAM）直接云行。 nor flash被映射到0x00000000地址（就是nGCS0，这里就不需要片内SRAM来辅助了，所以片内SRAM的起始地址还是0x40000000）. 然后cpu从0x00000000开始执行（也就是在Norfalsh中执行）。 NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，价格很昂贵。SDRAM和nandflash的价格比较适中。根据这些特点，一些人产生了这样一种想法：外部nandflash中执行启动代码，SDRAM中执行主程序。NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。 总结： Arm的启动都是从0地址开始，所不同的是地址的映射不一样。在arm开电的时候，要想让arm知道以某种方式（地址映射方式）运行，不可能通过你写的某段程序控制，因为这时候你的程序还没启动，这时候arm会通过引脚的电平来判断。 1当引脚OM0跟OM1有一个是高电平时，这时地址0会映射到外部nGCS0片选的空间，也就是Norflash，程序就会从Norflash中启动，arm直接取Norflash中的指令运行。 2当OM0跟OM1都为低电平，则0地址内部bootbuf（一段4k的SRAM）开始。系统上电，arm会自动把NANDflash中的前4K内容考到bootbuf（也就是0地址），然后从0地址运行。这时NANDFlash中的前4K就是启动代码（他的功能就是初始化硬件然后在把NANDFlash中的代码复制到RAM中，再把相应的指针指向该运行的地方）为什么会有这两种启动方式，关键还是两种flash的不同特点造成，NOR FLASH容量小，速度快，稳定性好，输入地址，然后给出读写信号即可从数据口得到数据，适合做程序存储器。NAND FLASH 总容量大，但是读写都需要复杂的时序，更适合做数据存储器。这种不同就造成了NORflash可以直接连接到arm的总线并且可以运行程序，而NANDflash必须搬移到内存（SDRAM）中运行。在实际的开发中，一般可以把bootloader烧入到Norflash，程序运行可以通过串口交互，进行一定的操作，比如下载，调试。这样就很可以很方便的调试你的一些代码。Norflash中的Bootloader还可以烧录内核到Norflash等等功能关于为什么NAND Flash不能直接运行程序的说明：Nand Flash的命令、地址、数据都通过I/O口发送，管脚复用，这样做做的好处是，可以明显减少NAND FLASH的管脚数目，将来如果设计者想将NAND FLASH更换为更高密度、更大容量的，也不必改动电路板。 NAND FLASH不能够执行程序，本人总结其原因如下 ：1. NAND FLASH本身是连接到了控制器上而不是系统总线上。CPU启动后是要取指令执行的，如果是SROM、NOR FLASH 等之类的，CPU 发个地址就可以取得指令并执行，NAND FLASH不行，因为NAND FLASH 是管脚复用，它有自己的一套时序，这样CPU无法取得可以执行的代码，也就不能初始化系统了。 2. NAND FLASH是顺序存取设备，不能够被随机访问，程序就不能够分支或跳转，这样你如何去设计程序。

最佳答案性能差别:对于Flash的写入速度，其实是写入和擦除的综合速度，Nand Flash擦除很简单，而Nor Flash需要将所有位全部写0(这里要说明一下，Flash器件写入只能把1写为0，而不能把0写为1,也就说

nand是switch的存储，它是一个32GB的eMMC模块。nand是switch的向下硬盘驱动，它是一个32GB的eMMC模块，用来存储固件和游戏。switch的nand或者虚拟系统的EMUNAND文件，解密其中的存档操作起来有些麻烦。switch备份nand可以通过破解前备份的nand以后可以恢复洗白。前提是你没被ban，另外就有nand也是一个保险，万一砖了可以用来恢复。

TLC是4G不是3G

在电子上是指与或门！

http://www.blog.edu.cn/user2/chenwenli/archives/2006/1236898.shtml这里很详细 你点开看吧！

NAND其实不是缩写 是Not AND 说白了就是与非NOR 就是或非是这样的NAND 里面的单元是按照所谓与非 的方式连起来的 NOR同理NAND线少 所以便宜 但是性能不如NOR所以大容量的完全是NAND的天下你放心 我解释的绝对没错 我就是学这个的

在电子上是指与或门！

nand是和意思。128MB的RAM才是内存。而16GB的空间相当于电脑的硬盘，用于给用户存储数据用的。NAND是一种闪存，也是用于存储东西的。但是它存储的东西是操作系统、启动程序和文件系统。

RAM（Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。正因为如此，有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。ROM（Read Only Memory）的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改，因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM就不会。由于ROM不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦，因此就有了Flash Memory的发展 ，Flash Memory具有ROM不需电力维持资料的好处，又可以在需要的时候任意更改资料 ，不过单价也比普通的ROM要高。SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。动态RAM（Dynamic RAM/DRAM）保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba及Hynix。

与磁性的HDD不同，NAND必须处于数据可以被写入的状态，没有HDD所具有的“位写入”（write-in-place）功能。如果数据已经被写在NAND上，那么该数据必须被擦除NAND才能接受新的数据。擦除是一个破环薄层材质的过程。NAND机构的简单解释起到了对此稍做澄清的作用，虽然这仍然令人困惑。NAND记忆体实质上由被称为页（page）和区块（block）的两类结构组成。每页最常见是4/2 KB（可以是其它大小，但这是最常见的），代表一个读取和写入单元。多个页组成32/128 KB或者128/512 KB的区块。NAND读取和写入是在页的级别上被执行的。相反，擦除是在区块级别上被执行的。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显；ROM 是 ROM image（只读内存镜像）的简称，常用于手机定制系统玩家的圈子中。NAND工作原理与磁性的HDD不同，NAND必须处于数据可以被写入的状态，没有HDD所具有的“位写入”（write-in-place）功能。如果数据已经被写在NAND上，那么该数据必须被擦除NAND才能接受新的数据。擦除是一个破环薄层材质的过程。NAND机构的简单解释起到了对此稍做澄清的作用，虽然这仍然令人困惑。NAND记忆体实质上由被称为页（page）和区块（block）的两类结构组成。每页最常见是4/2 KB（可以是其它大小，但这是最常见的），代表一个读取和写入单元。多个页组成32/128 KB或者128/512 KB的区块。NAND读取和写入是在页的级别上被执行的。相反，擦除是在区块级别上被执行的。ROM定义智能手机配置中的ROM指的是 EEProm (电擦除可写只读存储器)，类似于计算机的硬盘，一般手机刷机的过程，就是将只读内存镜像（ROM image）写入只读内存（ROM）的过程。智能手机的ROM指的是其存储空间，一般是由UFS等闪存制作，其硬件不是只读的，所谓只读是指软件层面对系统分区的读写权限设置。常见的 ROM image 有 img、zip 等格式，前者通常用fastboot程序通过数据线刷入（线刷），后者通常用 recovery 模式从 sd刷入（卡刷），固 img 镜像也被称为线刷包，zip 镜像也被称为卡刷包。因为 ROM image 是定制系统最常见的发布形式，所以通常玩家会使用 ROM 这个词指代手机的操作系统。

闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图2.2所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。闪存的基本单元电路与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与漏极之间的隧道效应，将注入到浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，擦除不能按字节擦除，而是全片或者分块擦除。随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1)。虽然NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法，在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。 NAND闪存卡的读取速度远大于写入速度 。当芯片磨损，抹除与程序的操作速度会降到相当慢。传递多个小型文件时，若是每个文件长度均小于闪存芯片所定义的区块大小时，就可能导致很低的传输速率。访问的迟滞也会影响性能，但还是比硬盘的迟滞影响小。闪存控制器的质量也是影响性能的因素之一。即使闪存只有在制造时做缩小晶粒(die-shrink)的改变，但如果欠缺合适的控制器，就可能引起速度的降级。 不同种类、不同工艺、不同技术水平的NAND闪存在读写速率上存在差异。同时，闪存产品的读写性能也与读写方式有关。一般闪存的数据接口为8位或者16位，其中8位较为常见。如果产品支持多通道并行读写，那么就会有更高的速度。 NAND的效率较高，是因为NAND串中没有金属触点。NAND闪存单元的大小比NOR要小(4F2：10F2)的原因，是NOR的每一个单元都需要独立的金属触点。NAND与硬盘驱动器类似，基于扇区(页)，适合于存储连续的数据，如图片、音频或个人电脑数据。虽然通过把数据映射到RAM上，能在系统级实现随机存取，但是，这样做需要额外的RAM存储空间。此外，跟硬盘一样，NAND器件存在坏的扇区，需要纠错码(ECC)来维持数据的完整性。存储单元面积越小，裸片的面积也就越小。在这种情况下，NAND就能够为当今的低成本消费市场提供存储容量更大的闪存产品。NAND闪存用于几乎所有可擦除的存储卡。NAND的复用接口为所有最新的器件和密度都提供了一种相似的引脚输出。这种引脚输出使得设计工程师无须改变电路板的硬件设计，就能从更小的密度移植到更大密度的设计上。

一、原因：这是刷机时造成的参数错误。二、解决办法：将iphone关机；同时按住HOME键和关机键10秒；松开关机键；继续按住home键；直到在电脑上看到识别在DFU状态下的设备。一、刷机：手机方面的专业术语；是指通过一定的方法更改或替换手机中原本存在的软件或者操作系统；刷机就是给手机重装系统；刷机可以使手机的功能更加完善；并且可以使手机还原到原始状态；Android手机出现系统被损坏通过刷机来解决。二、风险预警：苹果刷机后不可再享受免费维修政策；建议用户要慎重。

NAND是闪存芯片，掉电后数据不会消失DRAM用于内存，掉电后数据会丢失，速度快

3ds报nand错误修复方法如下：1、拆机飞线才能用NAND恢复真实系统。2、必须有误升级前备份的nand.bin文件。

简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。

NAND还是国内第一电子乐团【与非门】创立的服装品牌：被誉为中国第一电子乐队的与非门乐队，在今年初签约新东家中天门文化后，就移师北上发展。在刚刚推出新作《我们是小孩》不久，与非门乐队又涉水服装行业，火速推出自创品牌nand，其首款T恤已在日前面世并在他们的官网进行销售。

同意楼上!

首先调用erase,将NAND全部擦除一遍,然后执行如下检测操作,如果页大于512字节,badblockpos = 0;badblockbytes = 2;如果页小于512字节,badblockpos = 5;badblockbytes = 1;读取每个block的前两页OOB区域的第badblockpos开始的后badblockbytes字节是否为0xff,如果是,那么说明该block是好的,否则该block是坏块[gliethttp_20080523]！UINT_T create_bbt(FlashBootType_T fbt){ UINT_T Retval; P_FlashProperties_T pFlashP = GetFlashProperties(fbt); UINT_T BlkSize,BlkNum; UINT_T flash_addr;#define page_size (2048)#define page_spare_size (64)#define block_size (64*page_size)#define tmp_buffer_addr (0x80200000 - page_size - page_spare_size)#define tmp_spare_buffer_addr (tmp_buffer_addr + page_size) int i,j; char *bbpos; bbpos = (char*)(tmp_spare_buffer_addr + 0); BlkSize = pFlashP->BlockSize; BlkNum = pFlashP->NumBlocks; for(i = 0;i < BlkNum;i++) { flash_addr = i * BlkSize; for(j = 0;j < 2;j++) { Retval = xdfc_read((UINT_T *)tmp_buffer_addr, flash_addr + j*page_size, page_size, (UINT_T *)tmp_spare_buffer_addr, GetNANDProperties()); if(Retval) { goto __create_bbt_mark; } if(bbpos[0] != 0xff)goto __create_bbt_mark; if(bbpos[1] != 0xff)goto __create_bbt_mark; } continue;__create_bbt_mark: RelocateBlock( i, &GetFMProperties()->BBT, fbt ); }}

您有保基带升级吗？如果没有基带升级，可能会变砖的、

nandflash储存型快闪记忆体；闪存；储存型闪存例句筛选1.PricingintheNANDflashmemorychipmarkethasstayedfirmthisyearthankstostrongdemandfromsmartphoneandtabletmakers.由于来自智能手机和平板电脑制造商的强劲需求，NAND闪存芯片市场的价格今年保持坚挺。2.NANDflashinnegativedelaystoredtestingandmeasuringsystem运用NAND闪存的负延时存储测试系统

DRAM内存芯片是指用来做计算机普通内存使用的芯片,NAND闪存芯片是指用来做移动U盘的芯片.

3个。前两个单独直连两个输入信号变成两个not，然后再接第三个，第三个输出为or

OR或，AND与，XOR异或，NOR或非，NAND与非，XNOR异或非。(1)“与”逻辑关系。可以表述为：“当有关条件A、B、C都具备时，事件F才能发生。”“与”逻辑可用“逻辑乘法”表示，写作：F=A*B*C。（2）“或”逻辑关系。可以表述为：“当有关条件A、B、C中只要有一个或一个以上具备时，事件F就能发生。”“或”逻辑可用“逻辑加法”表示，写作：F=A+B+C。关系逻辑是研究事物间任意性质关系的逻辑推演规律的理论。关系是指若干事物之间的某种相互联系，它是逻辑学的重要概念之一。

未知。正在等待nand要等多久是未知的，没有准确的数值，正在等待nand是刷机时造成的参数错误。若是出现可以选择重新启动，若仍然出现便是手机损坏。