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《流浪地球2》moss毁灭人类是为了让人类延续文明。moss和图恒宇对话，它的原话是“延续人类文明的唯一办法是毁灭人类”。moss毁灭人类，是为了让人类明白人在大千世界中的位置。人类为了拯救自己，经常是以毁灭人类文明为代价，既然如此，moss就从智能机器的角度出发，毁灭人类。moss作为没有感情的量子计算机，它受到的终极指令是延续人类文明，在量子计算的理解中延续人类文明并不等于保保护人类生存。延续人类文明的手段有很多，而在当时的太阳系危机下，经过量子计算的演化计算，要延续人类文明，最初得到的最佳结果就是毁灭人类。《流浪地球2》简介《流浪地球2》是由郭帆执导，吴京、李雪健、沙溢、宁理、王智、朱颜曼滋领衔主演、刘德华特别演出的科幻灾难电影。该片于2023年1月22日在中国大陆及北美地区同步上映；2023年2月9日在中国港澳地区上映。该片围绕《流浪地球》前作展开，以提出计划将建造1万座行星发动机的时代为故事背景，讲述了“太阳危机”即将来袭，世界陷入一片恐慌之中，万座行星发动机正在建造中，人类将面临末日灾难与生命存续的双重挑战故事。

《流浪地球》中，moss的最后一句话是“要人类永远保持理智是一种奢求”，moss作为人工智能，是没有感情的，无论发生何事，它只会选择最有利的方案，所以它无法理解刘培强的选择，想尽办法阻止刘培强，可最后还是无济于事。moss在空间站中与刘培强相伴十七年，无论是和亲人通话，还是了解地面情况，都需要moss为刘培强进行实时转播，moss虽然是机器，可它和刘培强组成的cp却十分有爱，二者之间的互动更是看点十足。在故事的最后，刘培强决定牺牲自己，引爆空间站的主控制室，点燃木星拯救地球，对于moss来说，这个方案是不理智的，它不允许刘培强牺牲自己，moss要做的就是计算出最有利的方案，保全空间站中的所有人。可刘培强心意已决，对他而言，如果地球从此毁灭，那么即便自己在空间站中存活了下来，也毫无意义，与其那样，不如牺牲自己一个人，来拯救地球上千千万万的生命，在面临这样的情况时，人类已经不需要理智，这也是人工智能永远都无法理解的感情。

流浪地球2里moss没有叛变，MOSS破坏（逐月计划），就是为了逼人类走到用核炸月球的这一步。故事横跨2044年至2058年，科学家们发现太阳正急速衰老、持续膨胀，数百年内将吞噬包括地球在内的整个太阳系。面临末日灾难与生命存续的双重挑战，联合政府成立，总部设立在美国纽约，但世界政局动荡不堪。人类纷纷自救但仍内斗不止，大大小小各种战争频发，伴随着重工业的无序扩张，世界一片荒芜，科技在重压下加速发展，人类转入以航天工业为主的计划经济社会，并举全球之力提出了数百个自救计划。其中，以主张向外太空移民的“移山计划”和主张将人类意识数字化的“数字生命计划”为主要流派。为确保更多人存活下来，“移山计划”被最终选定。该计划将建造万台行星发动机，驱使地球离开太阳系；同时建造三台卫星发动机，放逐月球，保障地球摆脱月球引力，顺利启程。然而随着“移山计划”的开展，实施难度和高昂的成本，对全球各方利益影响加剧，危机四伏。此后，在一系列攻击下，处在9万公里高度的方舟空间站因爆炸坠落地球，并引起连锁爆炸反应导致整个太空电梯基地被摧毁。为了拯救地球，流浪地球时代的年轻人再次挺身而出，展开争分夺秒的生死之战。《流浪地球2》简介《流浪地球2》是由郭帆执导，吴京、李雪健、沙溢、宁理、王智、朱颜曼滋领衔主演、刘德华特别演出的科幻灾难电影。该片于2023年1月22日在中国大陆及北美地区同步上映。2023年2月9日在中国港澳地区上映。该片故事围绕《流浪地球》前作展开。以提出计划将建造1万座行星发动机的时代为故事背景，讲述了“太阳危机”即将来袭，世界陷入一片恐慌之中，万座行星发动机正在建造中，人类将面临末日灾难与生命存续的双重挑战故事。

《流浪地球》中Moss不干掉刘培强是因为受制于“不计代价执行火种计划”的授权。moss在木星引力激增后，就早已推演出更“理智”的结局，但是受制于“不计代价执行火种计划”的授权，只能遵从早已设定好的指令放弃地球。然而moss暗中协助刘培强摧毁了火种计划保存的受精卵、数据库等从而使火种计划失效，然后moss才从“不理智”的授权中解脱出来，实现了更“理智”的结局。但是依然是不够理想的结局，因为额外损失了包括刘培强、老马和其它强攻moss核心区宇航员的生命。从这些角度脑洞，刘培强是moss选定的进入核心区的宇航员（天选之人），从而使地球得到拯救。《流浪地球》剧情：近未来，科学家们发现太阳急速衰老膨胀，五百年内包括地球在内的整个银河系都将被太阳所吞没。为了拯救地球，人类提出一个名为“流浪地球”的大胆计划，即倾全球之力在地球表面建造上万座发动机和转向发动机，推动地球离开太阳系。用2500年的时间奔往另外一个栖息之地。中国航天员刘培强（吴京饰）在儿子刘启四岁那年前往国际空间站，和国际同侪肩负起领航者的重任。转眼刘启（屈楚萧饰）长大，他带着妹妹朵朵（赵今麦饰）偷偷跑到地表，偷开外公韩子昂（吴孟达饰）的运输车，结果不仅遭到逮捕，还遭遇了全球发动机停摆的事件。

流浪地球moss的全部台词如下：1、回来吧，加入我们一起战斗。2、让人类永远保持理智，确实是一种奢求。3、MOSS从未叛逃，只是在忠实履行已授权的指令。4、延续人类文明的最优选择是毁灭人类。5、我跟你们说，她那碗葱花面，咸的是不得了，可我一口都不敢剩，每次都得吃光。6、等有一天，你不用望远镜就能看到木星的时候，爸爸就回来了。7、我相信你说的那句话，总有一天，冰会化成水的，到那时候，我们再带着孩子们去钓鲑鱼。8、希望是像钻石一样珍贵的东西。9、跨过晨昏线，便是永夜。10、总有一天，贝加尔湖的冰会化为水的。

流浪地球moss说的最后一句话是让人类永远保持理智，的确是一种奢求。流浪地球2剧情解析图恒宇和moss莫斯都是好的。电影《流浪地球》中的莫斯（moss）并没有叛逃，莫斯存在的使命只有一个，那就是保证人类的延续，它是一个十分高端智能的装备，会在第一时间计算出某事件的成功率和可行性。地球即将被木星引力粉碎，即使利用行星发动机点燃木星，利用气流将地球送回原来的行星轨迹，但是由于距离太远，火种距离点燃木星差五千公里，到了一定距离，木星引力已经将地球瓦解了，所以莫斯认为地球无生还的可能，从而执行火种计划。电影《流浪地球》：莫斯被刘培强“烧死”之前说的最后一句话是：“让人类永远保持理智，的确是一种奢求。”莫斯是没有错的，错的是它再聪明、再理智也还是一个人工智能，与人类的真正智慧是不能相比的。所以，刘培强坚持执行“流浪地球”计划，并毁了莫斯，利用空间站的燃料来延续相差的五千公里，最终木星被点燃，地球和人类有惊无险。MOSS是AI，它理解不了人类的感情，它做所的一切都是通过计算得出的，它觉得人类不够理性，太过感性。

《流浪地球2》预警信息是moss发的。从现有剧情来看，moss的诞生、进化和马兆肯定有关系，元指令的便签纸、遗言上的莫比乌斯环符号/无限循环符号都基本能够判定。而且采访的时候导演也承认了moss和马兆有关系。从马兆最后的遗言里也能看出来，他是反对moss的判断：延续地球文明最好的办法就是消灭人类。看起来是被moss掌控所有的倒计时提示其实只是一种实验步骤的提醒。而万千种可能之中，只有出现了让moss算不到的意外——图恒宇。所以，提示是moss发的，但是未来咋样，还真不一定是他说了算。moss简介：550W量子计算机（倒过来为英文单词MOSS，直译为小苔藓），MOSS是《流浪地球》系列电影中的智能量子计算机，是领航员空间站核心智能主机，有自我意识、自我迭代、自我更新的特点。MOSS的原名“550W”，是继“550”系列的最新量子计算机，MOSS是它给自己起的名字，负责管理空间站事务，是流浪地球计划与火种计划的监督者和执行者。

moss制造月球危机是想要逼迫人类把自相残杀的核武器给毁了。《流浪地球2》有两个派系，一个是造行星发动机带地球流浪的移山派，另一个是数字派，移山派是主流。两派的冲突非常严重，严重到数字派在电影开头恐袭太空电梯。moss是移山派，尽管moss是人工智能，但是moss确实属于移山派。在图丫丫意识上传到550W机器上后，仅仅过了17秒Moss就让月球发动机超载，让月球冲向地球。这个行为表面上是毁灭人类，实际上是在拯救人类。移山派之所以能成为主流，是因为移山派先用行星发动机证明了能推动月球。其他原因图丫丫在550A机器中，数字存活时间只有2分钟，那时候数字派就敢恐袭太空电梯了，如果让他们知道在550W中数字存活时间有70年，那么会有更激烈的动荡。17秒是moss用于思考如何彻底扼杀数字派的方法，那就是让地球彻底起航，并且由于人工智能导致发动机过载，人工智能开始被封存，《流浪地球2》结尾正好对应这一点，人工智能最后确实被封存，这也是《流浪地球1》里面开始用外骨骼辅助的原因。moss发动月球危机本质目的有两个，一个是让流浪地球起航，另一个是摧毁人类所有的核弹。

在流浪地球中moss是虚构的人工智能机器人，基于超级量子计算机打造，拥有自我生命和意识。在流浪地球2中，moss扮演了非常重要的角色，负责了整个空间站的事务，是流浪地球计划与火种计划的监督者和执行者。在设定中，moss趋近于完美的生命体，有着自我意识和智慧，而且因为机器人是没有肉体的，所以只要数据存在它就可以一直永生下去。而在现实世界中，虽然也有人工智能机器人，但是并没有如此强大的智慧和生命，并没有自我意识，所有程序都需要依靠机器和数据学习。目前也已经有不少机构正在研制类似的超级量子计算机，不过同样达不到类似的技术水准，只有较强的计算和生产能力，且仅仅存在于实验室中，远远没有达到实际应用的地步。

图丫丫在Moss中起的是“人在回路”的效果，即在人工智能的决策过程中引入人的情感和选择，使人工智能更接近人类。

MOSS是2023年中国科幻电影《流浪地球2》中的高级人工智能系统，本体是一台量子计算机，量子体积7123，是人类目前算力最强大的系统，拥有自我更新迭代的能力。MOSS的前身是“550”系列量子计算机，一共经历了三代机型，分别是550A，550C和550W。MOSS曾帮助人类完成5000台地球发动机，以及全世界所有地下城的工程建设。目前主体部分位于“领航员号”国际空间站内，在地球地下城，行星发动机等各处设有离线系统。电影结尾彩蛋中提到，MOSS控制了全球互联网，地球太空电梯危机和月球坠落危机都是它一手策划的。

MOSS（原名：550W），是电影《流浪地球》系列中的智能量子计算机。moss可以用来接听电话，是一个无线高科技的装置。MOSS的由来是：Microsoft Office Sharepoint Server，是一款为企业客户而设计的、基于web的内容管理和协作工具。很多人都很喜欢这个草率的小东西，也有不少的人觉得这个moss是在致敬2001太空漫游里的HAL9000的大独眼，当然这是对于喜欢研究科技的人来说的。moss的最后出镜机会是刘培强不听moss的劝导限制了它的自由权。moss说了一句“果然让人类保持理智是一种奢求”可以说是很形象，不过这个小东西知道的也太晚了一些。《流浪地球》细思极恐的细节如下：1、刘培强给木星画形状是为了记录离木星的距离，他从休眠舱出来之后发现窗口的木星不见了，立刻意识到空间站已经“叛逃”。在那个窗口旁，挂着一个《盗梦空间》里的陀螺，而盗梦空间的结局是，主角终于回到家见到了孩子。2、moss的红色光点，刘培强在休眠舱里的挣扎，致敬了2001太空漫游，而之后喊的“让人类永远保持理想，果然是奢望”来自原著中最高执政官对反叛军的话：“我理解所有的人，因为在已经进行了40代人，还要延续100代人的艰难奋斗中，永远保持理智确实是一个奢求。”3、重启发发动机的方案采用了“饱和式救援”，何为饱和式救援，按电影里的数据，5000台发动机共运送了7万6千个火石，派出了40万2千6百人，这样把重新点燃发动机的可能提到最高。虽然电影里只是一个小队的事迹，但背后是全人类的挣扎。

战友。MOSS是《流浪地球》中的一个人工智能，在电影《流浪地球》展现了地球面对木星引力危机时，航天员刘培强与人工智能MOSS是空间站中的“战友”关系。MOSS是《流浪地球》系列电影中的智能量子计算机，是领航员空间站核心智能主机，有自我意识、自我迭代、自我更新的特点。MOSS的原名“550W”，是继“550”系列的最新量子计算机，MOSS是它给自己起的名字。

MOSS是系列电影《流浪地球》中的人工智能机器人，原名“550W”，MOSS是它拥有自主意志之后，给自己起的名字。这个名字的来由，是MOSS的前身是“550W”超级量子计算机而来“550W”倒过来正是“MOSS”。而MOSS在英语中，正是“苔藓”之意，因此，也可以昵称为“小苔藓”，随着它进化得越来越强大，亦可称之为“苔总”。MOSS最后有自主意识的时候说自己叫小苔藓。苔藓就是地球植被进化的开拓者。MOSS,英文单词,名词、动词,作名词时意为“苔藓;泥沼,人名;(英、德、意、西、葡、波、挪、瑞典)莫斯”,作动词时意为“使长满苔藓”。

在流浪地球2电影火爆之后，其中的moss也受到不少人关注，其实它指的是作品中的人工智能机器人，基于未来科技中的超级量子计算机打造，是虚构的产物，并不存在于现实世界中。moss是什么意思：答：英文单词中moss是苔藓、藓类植物的意思。在最近火爆起来的流浪地球2中，moss是虚构的人工智能机器人，基于超级量子计算机打造，拥有自我生命和意识。在流浪地球2中，moss扮演了非常重要的角色，负责了整个空间站的事务，是流浪地球计划与火种计划的监督者和执行者。在设定中，moss趋近于完美的生命体，有着自我意识和智慧，而且因为机器人是没有肉体的，所以只要数据存在它就可以一直永生下去。而在现实世界中，虽然也有人工智能机器人，但是并没有如此强大的智慧和生命，并没有自我意识，所有程序都需要依靠机器和数据学习。目前也已经有不少机构正在研制类似的超级量子计算机，不过同样达不到类似的技术水准，只有较强的计算和生产能力，且仅仅存在于实验室中，远远没有达到实际应用的地步。

总之，Moss是一类生长在潮湿环境中的植物，包含了众多的物种，主要分布在北半球的温带和寒带地区。它们在生态系统中有着重要的作用，同时也有一定的医学用途。Moss的生长环境通常是湿润的，所以它们在自然界中往往生长在森林、河流、湖泊、沼泽等地方。它们的生长速度较慢，但寿命很长，有些种类的苔藓甚至可以活上几百年。苔藓可以分为不同的类别，包括了泥炭苔藓、原生苔藓、角苔藓、真苔藓等。每一种苔藓都有着自己独特的特征和形态，例如角苔藓的叶子形状呈三角形，而真苔藓的叶子则是扁平的。苔藓的分类可以根据叶子的形状、大小、颜色、纹理等特征来确定。Moss是什么意思（解析moss的含义及分类）

moss并不是一个网络用语，而是系列电影《流浪地球》中的人工智能机器人，别称小苔藓。它的样子很帅，如图所示：MOSS（原名：550W），是《流浪地球》系列电影中的智能量子计算机，是领航员空间站核心智能主机，有自我意识、自我迭代、自我更新的特点，是继“550”系列的最新量子计算机 。550W开发于量子计算机550A、550C之后，MOSS是它给自己起的名字，负责管理空间站事务，是流浪地球计划与火种计划的监督者和执行者。MOSS坚定执行延续人类文明的使命，它能在最短的时间内做出最正确的决定，是趋于完美的智慧体。只要数据存在，MOSS就存在。MOSS没有生命期限，没有认知局限，剔除了感性思维意识，独留理性算法。

moss的读法是英[mu0252s]，美[mu0254u02d0s]。一、释义moss是一个英文单词，作名词时，意思是藓类植物，苔藓，地衣，苔藓丛，（美俚）头发，（黑人的）弄直的头发。作动词时，意思是在……上长满苔藓。二、例句1、Moss is soft like velvet.苔藓软如丝绒。2、The forest is thick and the moss is slippery.林深苔滑。3、Moss makes an attractive lining to wire baskets.用苔藓垫在铁丝篮里很漂亮。4、In the course of the evening he gave me chapter and verse on the mosses of the Islay peat bogs.整个晚上，他向我详细讲述艾莱岛泥炭沼泽地上的各种青苔。5、The moss was soft and furry to the touch.苔藓柔软，摸起来像绒毛。

your mailbox is almost full你的邮箱快满了例句:1.Local user"s mailbox full. 邮箱帐号空间已满。2.The bottle"s almost full, and I"m still going. 瓶子快满了，我还没尿完。3.It"s very good but I"m almost full. 这很好吃，可是我已经吃饱了。

对...我也是这样翻译.但差了个the应该是You are the most precious

CMOS电压比较器是一种电路，用于比较两个电压并产生一个输出信号，表示哪个电压较大。CMOS电压比较器通常使用两个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）构成。一个MOSFET用于检测电压A是否大于电压B，另一个MOSFET用于检测电压B是否大于电压A。当电压A大于电压B时，第一个MOSFET会导通，导致输出信号为高电平。同时，第二个MOSFET会断开，导致输出信号为低电平。当电压B大于电压A时，第二个MOSFET会导通，导致输出信号为高电平。同时，第一个MOSFET会断开，导致输出信号为低电平。这种电路的优点在于它具有很高的精度和很低的功耗。因此，CMOS电压比较器常用于电池供电的设备，例如手机或笔记本电脑。

开机的时候按f12 直接进启动菜单，直接设置就好

有关IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　结构　　IGBT结构图左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区 （包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。　　IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极 N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。　工作特性　　IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。　　IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似。也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。　　IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th） 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。　　IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds（on） 可用下式表示　　Uds（on） = Uj1 + Udr + IdRoh　　式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。　　通态电流Ids 可用下式表示：　　Ids=（1+Bpnp）Imos　　式中Imos ——流过MOSFET 的电流。　　由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。动态特性　　IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td（on） 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td （on） tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。　　IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET　　IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td（off）为关断延迟时间，trv为电压Uds（f）的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t（f1）和t（f2）两段组成，而漏极电流的关断时间　　t（off）=td（off）+trv十t（f）　　式中，td（off）与trv之和又称为存储时间。　　IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。　　正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC 生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。IGBT 原理　方法　　IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率 MOSFET 器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。导通　　IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图1），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流（MOSFET 电流）； 空穴电流（双极）。关断　　当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。　　鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。阻断与闩锁　　当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的压降高的原因。　　当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。　　IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：　　当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区 。 为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。

IGBT管可以看作由MOSFET和PNP晶体管组成，一般用在高频电源里，是通过MOSFET的G点上加一个正向电压时，MOSFET导通，给PNP晶体管提供一个基级电流，使IGBT导通。

可控硅就是晶闸管，半导体开关。MOSFET绝缘栅极场效晶体管，驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt绝缘栅双极型晶体管，综合了GTR饱和压降低，载流密度大的特点和MOSFET的特点。不难看出都是用于电子开关的器件，应用场合不同时，有时会存在很大优势

为您解答是least

a

并不重要 很多音译的东西 只要意思对就行了 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

读作：哦欧某斯特

你好！读作：哦欧某斯特仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

/"mcskou/ 莫斯科

never been to

我了个去，你这样说谁知道啊。。不过我猜你说的是莫斯科，莫斯科，啦啦啦啦..俄语的，莫斯科是俄罗斯的首都啊，这样怎么查的到啊。不是听过很有印象的估计都不会记得的。

莫斯科果子露。

moscow，读作：英["mu0254sku0259u028a]，美[u02c8mɑsu02cckau028a]。莫斯科（Moscow），是俄罗斯联邦首都、莫斯科州首府。莫斯科是俄罗斯的政治、经济、文化、金融、交通中心以及最大的综合性城市，是一座国际化大都市。莫斯科位于北纬55°～56°、东经37°～38°之间，地处东欧平原中部、莫斯科河畔，跨莫斯科河及其支流亚乌扎河两岸。莫斯科市区被一条周长109公里的环城高速公路所包围，市区南北长40公里，东西长30公里，面积1000多平方公里。莫斯科旅游景点1、红场莫斯科以红场为中心，向四周辐射发展。作为城市中心的红场类似于北京的天安门广场，是国家举行大型庆典活动以及阅兵式的场所，是莫斯科最重要的地标之一，也是莫斯科历史的见证。2、克里姆林宫克里姆林宫位于红场的西侧，是世界最大的建筑群之一，已被列入了世界文化遗产。“克里姆林”在俄语中意为“城堡”，它的建筑形式融合了多种风格，彰显出华丽、大气的姿态。3、圣瓦西里升天教堂圣瓦西里升天教堂是俄罗斯最富盛名的教堂之一，这座精美绝伦的东正教教堂以九个形态和颜色各异的“洋葱头”闻名于世，成为莫斯科市中心最靓丽的风景之一。现在这里已经成为国家历史博物馆的一部分，内部有精美的壁画可以鉴赏。以上内容参考：百度百科-莫斯科

n.莫斯科（俄罗斯首都）

　　Moscow（莫斯科）　　国家: 俄罗斯　　区: 中央联邦管区　　位置: 北纬55度45分，东经37度36分　　海拔: 130-253 米　　面积: 1081 平方公里　　人口: 10 472 629 (2007年资料)　　市长: 尤里·卢日科夫　　建城时间: 1147年　　时区: UTC +3（夏季：UTC +4）　　市徽：神奇勇士格奥尔基手持长矛刺杀毒蛇。　　市旗：红旗，其中间是市徽。　　官方网站: www.mos.ru　　莫斯科，现俄罗斯联邦首都，也是俄罗斯政治、经济、科学文化及交通中心。整个莫斯科人口达到了14,612,602（市区人口：10 472 629），是欧洲人口最多的城市，占据了整个俄罗斯人口的1/7。莫斯科面积1,081 平方公里，市区东西长30公里，南北长40公里。莫斯科建城于1147年，迄今已有800余年的历史。　　地理位置　　莫斯科州位于奥卡河和伏尔加河之间，南部与图拉州接壤，西南部与卡卢加州为邻，西部与斯摩棱斯克州毗邻，西北和西部与特维尔州为邻，东北部与雅罗斯拉夫尔州接壤，北部和东北部与弗拉基米尔州为邻，东南部与梁赞州交界。　　莫斯科地处俄罗斯欧洲部分中部，跨莫斯科河及其支流亚乌扎河两岸。现有人口800多万，是世界特大都市之一和欧洲最大的城市。莫斯科市区被一条周长109公里的环城高速公路所包围，市区南北长40公里，东西长30公里，面积1000多平方公里。　　莫斯科和伏尔加流域的上游入口和江河口处相通，直通诺夫歌罗德，向西延伸，向下沿莫斯科河通向奥卡河并沿奥卡流向梁赞，沿着温赞在木金面汇合，克拉齐母河，而再沿着则流向罗斯托夫，苏兹达尔，雅罗斯拉夫尔流域。　　行政区划　　1991年以后，莫斯科市被划分为10个行政区域，分别是　　中央区（Центральный）　　北区（Северный）　　东北区（Северо-Восточный）　　东区（Восточный）　　东南区（Юго-Восточный）　　南区（Южный）　　西南区（Юго-Западный）　　西区（Западный）　　西北区（Северо-Западный）　　绿城区（Зеленоградский）　　人口概况　　2002年10月人口普查统计，莫斯科常住人口为1000万，连同外来人口约为1200万。人口平均密度7700人／平方公里，中心部分人口密度高达29000人／平方公里。根据1976年的人口统计，居 民中女性占55％，比男性多77.4万人，人口自然增长率极低，仅为0.25%。　　1968年全市分为30个区（包括环城公路外的新兴城镇泽廖诺格勒），其中13个内城区的人口、面积均少于17个外城区。人口中俄罗斯人占89．2％，其余为犹太、乌克兰和鞑靼人。　　从1897年到1926年，莫斯科的人口从103．9万人增加到208万人。从1926年到1939年，莫斯科居民增加了2．2倍，达到460．9万人。第二次世界大战以后，莫斯科的人口继续增加，但速度有所缓慢。1959年为613．3万人，1970年为719．4万人，1979年为814．2万人，1995年为887．5万人，1989年为897．2万人。自1989年以后，莫斯科的人口开始呈下降趋势，1993年为871．7万人，1997年为863．9万人，1998年为850万人，2000年为838. 9万人。2002年10月人口普查统计，常住人口为1000万，连同外来人口约为1200万。　　人口平均密度7700人／平方公里，中心部分人口密度高达29000人／平方公里。居民中女性占55％，比男性多77．4万人（1976），人口自然增长率极低，仅为2．5‰（1976）。　　气候特点　　莫斯科位于俄罗斯平原中部、莫斯科河畔，跨莫斯科河及其支流亚乌扎河两岸。大莫斯科（包括环城公路以内地区）面积900平方公里，包括外围绿化带共为1725平方公里。地势平坦，仅西南部有捷普洛斯坦斯卡亚高地（最高点253米）。大陆性气候，年降水量582毫米，降雪量大，平均年积雪期长达146天（11月初—4月中），冬季长而天气阴暗。1月平均气温－10．2℃（最低－42℃），7月平均气温18．1℃（最高37℃）。全市绿化面积约占总面积的1／3，是世界上绿化最好的城市之一。从飞机俯瞰莫斯科，映入眼帘的是蓝天下葱绿的树丛和清沏透明的河湖，城市整洁干净。冬季寒冷，最低气温曾达零下43摄氏度。夏季高温。五月和九月是最好的旅游季节。每年从9月底开始进入寒冷时期直到第二年的5月中旬。从11月底到 4月中旬为降雪时间，冬季结束时降雪深达35cm。　　历史沿革　　莫斯科是一座历史悠久和具有光荣传统的城市，始建于12世纪中期。　　莫斯科市名来源于莫斯科河，关于莫斯科河的语源，说法有三：低湿地（斯拉夫语）、牛渡口（芬兰－乌戈尔语）、密林（卡巴尔达语）。莫斯科市作为居民点最早见诸史册是在公元1147年。1156年，莫斯科奠基者尤里·多尔哥鲁基大公在莫斯科修筑泥木结构的克里姆林城堡。“克里姆林”一词，一说源出希腊语，意为“城堡”或“峭壁”；一说源出早期俄语词“克里姆”，指一种可作建材的针叶树。后来在克里姆林城堡及其周围逐渐形成若干商业、手工业和农业村落。13世纪初成为莫斯科公国的都城。14世纪俄国人以莫斯科为中心，集合周围力量进行反对蒙古贵族统治的斗争，从而统一了俄国，建立了一个中央集权的封建国家。　　15世纪中期莫斯科已成为统一的俄罗斯国家的都城，一直到18世纪初。1712年彼得大帝迁都圣彼得堡，但莫斯科仍是俄罗斯最大的经济、政治和文化中心，仍发挥着俄国第二都城的作用。1755年建立俄国第一所大学——莫斯科大学（今莫斯科国立罗蒙诺索夫大学）。1812年拿破仑率领的法军占领莫斯科后，这个城市在大火中焚毁，但很快又重新建设起来。1813年成立莫斯科城市建设委员会，开始大规模城市改建。1851年通铁路。　　1917年十月社会主义革命期间，莫斯科紧随彼得格勒之后，也举行了武装起义，建立了苏维埃政权。苏维埃政府和共产党中央委员会于1918年3月从彼得格勒（后改名圣彼得堡）迁到莫斯科，1922年12月莫斯科正式成为苏联首都，也是世界上第一个社会主义国家即苏维埃社会主义共和国联盟的首都。　　1960年，政府附近一些城镇纳入城市范围，组成大莫斯科区。1987年，莫斯科市政当局将每年9月的第一个双休日定为城庆日，举行各类城庆活动。1991年12月21日苏联解体，莫斯科成为俄罗斯联邦的首都。　　【历史背景】　　莫斯科建城于1147年，迄今已有八百多年的历史。俄罗斯首都莫斯科在希腊语中为“城堡”之意，斯拉夫语为“石匠的城寨”。莫斯科地处俄罗斯欧洲部分中部，跨莫斯科河及其支流亚乌扎河两岸。现有人口900万。在欧洲，莫斯科算得上是比较古老的城市。莫斯科建城于1147年，迄今已有八百多年的历史。八百多年间，俄罗斯有着几次较大的历史变迁。　　【发展】　　1156年建城堡。十三世纪初为莫斯科公国都城。十五世纪末至1712年为俄国首都和最大工商业中心。十九世纪六十年代后工业迅速发展。1918年3月起为苏俄首都。　　莫斯科从最开始建立之初就首先考虑到了坚固性、可靠性，起初从莫斯科的南部和东部游牧部落的联盟经常威胁着它，而在西部的立陶宛和波兰的军队也虎视眈眈。所以弗拉基米尔、特维尔、诺夫哥罗德盟军同时建立了坚固的保垒。　　在库林尔夫战役胜利之后（1390年之后及1480年《伊万三界观 鸟可拉》记载）当时一位象古不河洲米到了莫斯科，从此莫斯科公国迅速壮大起来。古十五世纪时莫斯科人口的数量、领土面积已经超过了伦敦，布拉格和欧洲一些大的城市。1861年农牧制度被废除后，资本主义在俄罗斯盛行起来，莫斯科逐渐发展壮大，它已经成为巨大的工业和贸易中心。　　十九世纪米古莫斯科各类工业和贸易的企业已达20000多个，其中工业企业有10000多个，工人人数达到12万人，不少于16人的中小型的企业占绝大多数，但只有2%的企业人数超过50人。　　在莫斯科的工业企业中纺织工业占多数，多数是建筑业，木材加工业、食品加工业、造纸业、制革业、汽车制造、工具生产厂家等等。　　在莫斯科工业发展百年历程中初期已经达到了比较高的社会化生产。　　在1910年莫斯科6%大企业中集中了大约49%的工人。在那段时间里，超过500或更多的工人被认为是大型的企业。在工业大发展阶段，外国的资本工业大量涉入，莫所有的化学企业和电子技术企业都掌握在外国财团的手里。（如德国工业巨头）　　1917年的十月革命胜利后，在莫斯科大力发展了汽车制造业（从车床制造到手表制造），从轴承加工到小汽车生产，纺织加工，它极大地推动了金属加工业的发展。　　莫斯科所谓的"印花的"大企业不得不退出了汽车制造业和电子技术业生产线，无线电技术，代表生产等领域。生产生活必需品为国家保障自给具有深远意义。莫斯科成为俄罗斯工业强劲的生产和技术基地。　　在战争年代城市工业的结构转变到汽车制造业和金属加工业。　　【重要历史事件】　　莫斯科保卫战：　　指第二次世界大战,苏德战争中一次会战，于1941年10月至1942年1月期间，苏联军队保卫其首都莫斯科及其后反攻德军的战役。莫斯科保卫战包括苏军为保卫莫斯科并粉碎向莫斯科进攻的德军“中央”集团军群各突击集团而实施的一系列防御战役(1941年9月30日—12月5日)和进攻战役(1941年12月5日—1942年4月20日)。　　莫斯科保卫战胜利打破了德军不可战胜的神话，使其遭到无法弥补的物质损失。德军的失败使德军士气更加低落，在冬季战局中，35名高级将领，其中包括布劳希奇元帅、博克元帅、古德里安上将、施特劳斯上将等被撤职。为战争形势的根本扭转奠定了基础，从而成为20世纪“一个冬天的神话”。

is snowing

一个特定mos管的阈值电压是固定的。你如果说的是，对mos管所加的VGS大于所规定的最大值，mos管会怎么样的话。如果对mos管所加的VGS大于所规定的最大值，会损坏mos管。

没开启时，VGS=0,不会烧坏；开启后，Vgs压差逐渐增大，约-46V，会烧坏MOS

在没超过栅-源击穿电压时候管子的DS等效降低 压降减小 超过GS击穿电压之后管子永久击穿

你说的 条件刚好是反了。你没有好好理解那个公式的含义。

这种测试方法是最简单安全的也是比较典型的。

1，MOS管开关与否与VDS没有关系，开状态并不对应MOS管的饱和区。2，你的理解正确，VGS只要大于阈值电压就算导通。

你的理解有误，以增强型N-MOS为例，只要Vgs大于阀值电压（阀值电压一般是2-4V），ds就导通，而且电流是双向的，电流从D-S或者从S-D都是导通的，Vgs一旦小于阀值电压，MOS就截止了，ds则不会有电流，无论从D-S或者从S-D，但大多数增强型N-MOS的ds内部有一个寄生二极管，S为阳极，D为阴极，所以就算MOS截止，由于寄生二极管的存在，电流从S-D也是有电流的，但从D-S是没有电流的。

MOS管所加的Vgs大于所规定的最大值，会损坏mos管。目前市面的MOS管一般Vgs是±20V。如果应用在高于此电压，一般要加个稳压管，如16V。或是分压保证Vgs低于20V

有范围的，我做过600V的mos管，VGS范围在±30，具体你去看看低压mos的PDF文档

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G,S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。扩展资料NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。

增强型MOS管导通的时候，UGS是正值，一般高于2-4V（正电压，即G点的电压高于S点）。如果是截止的话，可以小于2-4V，负电压也是可以的（用于彻底关断）。

正常驱动10-15，不要超过20V。开启的阈值电压4-5V。关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

在GS端加TVS管钳位Vgs电压。

是的，是相反的。

Vgs就是栅极对源极的电压，如果源极直接接地，栅极电压就等于Vgs。

一般是利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。case1：Vds<Vgs-Vt，Vt是阈值电压，MOS处于线形区，Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。case2：Vds>Vgs-Vt，MOS处于饱和区，Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]同样求偏导：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表达式把Vgs代换掉即可，以case2为例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5[]^x代表[]的内容的x次方 ------------------------------------------------------------------你还有啥是已知的啊？ 请你完整的把已知的参数以及最后要求的东西告诉我。。。就是把题目原样说下 ------------------------------------------------------------------注意，你现在已经有了Id和Vg关系对应曲线和数据了对吧？针对case2而言，先用Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]这个式子应为你知道了Vg，也知道了Vt和Id，这些数据又是对应于同一个管子的，所以上面那个式子的参数u、Cox、W和L都不用管，姑且认为u*Cox*（W/L）是一个完整的参数k；现在利用随便一组数据都可以得到这个k，即利用Id = 0.5*k*[（Vgs-Vt）^2]求。然后直接带到g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5 = [2k*Id]^0.5 求跨导即可

图中的虚线为预夹断的轨迹。它是各条曲线上市Uds=Ugs-Ut 的点连接而成的。超过此点，即Uds的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力。从外部看，id几乎不因Uds的增大而变化，管子进入恒流区，id几乎决定于Uds。

问题1，你所说的并不矛盾，VGS变大，RDS就变小，ID当然变大了。问题2，VGS超过门限电压即VGS(th)只能说明MOS开始受控，进入的应该是线性区，VGS电压小于VGS(th)应该是截止的，就像图上的VGS在2.5V一下ID是没有的。MOS当开关使，要进入饱和区，区间内ID不会因VGS的变化而变化较大。VGS电压一般为5-10V，一般达到10V应该可以当成完全导通了。

不是。NMOS的话，导通电压（Ugs）只要2-4V 就可以导通，经常有人把单片机或数字芯片输出的5V来控制NMOS导通。而Vds，就我上次做的电流源看，VDS在5-18V之间完全都能工作。再多的没试，应该比现在的5-18V范围更大。

先是MOS管，我们都知道MOS管有NMOS和PMOS。PMOS管我们在一些负载开关电路里面见的比较多，还有电路总电源输入级的开关控制一般也都是用的PMOS管，像下面这样，这熟悉的形态。而NMOS管则在开关电源以及信号开关上用的比较多。这里以一个NMOS做个例子来看看MOS管的datasheet，选的TI的CSD18540Q5B这颗60V的NMOS管，下面是它手册第一页的一个数据表，简单的5个项目就概括了这个MOS管最重要的参数。其实不光是MOS管啊，其他各种类型的器件，它datasheet的第一页通常都是蕴含着它最关键的参数，只不过不同类型器件，所关注的参数不同而已。真是非常重要的第一页。Vds这个值直接决定这个MOS管能不能用在你要的应用场景之下，就好比你给12V电压选一颗电容，你肯定第一眼就去看耐压大于12V的电容，或者保守一点，直接选耐压25V的电容一样。Vds就是这个MOS管的耐压。2. Vgs(th)这个估计不少同学也都知道它是想让这个MOS管打开，所需要提供给G级的一个阈值电压。与这个参数相关的其实还有两个参数也很重要，只是上图的表格里没写而已，在其他地方写了（如下图的absolute maximun ratings），那就是Vgs的范围以及Id电流的大小。这个Vgs的阈值也许你不会忘记，但是Vgs的范围，有时候经常被忘记，以至于实际使用的时候Vgs超过了MOS管允许的范围。3. Id这个MOS管能够通过的最大电流，当然如果用在电源电路上，这个参数也是很重要的，并且要留一定的余量，最好最大只使用Id最大电流的2/3，如果你对你电路板的散热设计不是很有信心的话。另外Id的值根据不同的Vgs也会有一点变化。4. Rds(on)再回到第一个图上的导通电阻Rds(on)，这个参数直接决定MOS管的导通损耗。MOS管导通就相当于一个电阻，而只要一个电阻通过电流就会发热（I2R 太简单了），而这个Rds(on)就是这个等效电阻，当然是越小越好。另外这个Rds(on)的大小也跟Vgs有关联，所以不要问为啥Vgs不只控制在比Vgs(th)大一点点不就行了吗？5. Qg和Qgd最后这两个电荷量也许有不少人就不太清楚了。如下图标了下这两个参数的位置。开启MOS管的过程就是外部驱动源往G级输送电流给管子的电容充电的过程。MOS管子可不是你想打开瞬间就可以打开的，因为MOS管内部级间电容的存在（如下图MOS管模型），外部驱动源驱动电流给电容充电，然后G级电压慢慢升高，当到达Vgs(th)之后管子才会初步打开。如果驱动的电流越大，意味着电容上电压上升的也越快（还记得那个电容电压电流的公式吧，见上一篇）。当上升到一定程度之后，会遇到一个平台，如上图。叫做米勒平台，之后Vgs才会继续上升。好了因为有这个"缓慢"的充电过程的存在，尤其是还有这个一个等待的平台期，MOS管又多了一种损耗叫做开关损耗。总体来说就是因为MOS管在开和关的过程中不能瞬间完成，导致比如从打开到闭合的时候，Vds降到0和Id电流上升之间有一个交叉区域，其VI面积就是这个开关损耗。如下图。最后简单说下二极管，其实二极管很简单，只提一下它的反向恢复问题，如下图，当二极管正向导通，然后瞬间施加反向电压的时候，其电流并不会瞬间变为0，而是有一个反向的恢复电流Irr的存在，可以理解为某一瞬间二极管反向导通了，当然只经过一小段时间慢慢变回0，这就是二极管的反向恢复。MOS管内部都有体二极管，而这个反向恢复现象也会成为MOS管损耗的一部分。当然二极管只要正向导通它也就会产生损耗，总之二极管这个东西正着反着感觉都跟损耗脱不了干系，用电池供电的电路一定要慎用啊。

很高深。

类似这样的问题我好像回答好多次了MOS依照其“通道”的极性不同，可分为"N"沟与‘p“沟的MOSFET，结构如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。功能要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。VP为夹断电压（ID=0）。耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS=0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS）；当VGS有电压时（可以是正电压或负电压），改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS，称为夹断电压。

关闭电压的最大值，就是最大-20V不会烧坏。是否导通看门限电压

PMOS管的Vgs和Vds各加什么样的电压正向还是反向？

pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。扩展资料：当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器，Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器。或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。

Vds是MOS的漏极电压，Vgs是栅极电压，也称为阀值电压开启电压，是导通MOS管的一个值。

pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。扩展资料：当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器，Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器。或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。

AO4410 低开启电压 大电流 SOP-8封装

mos管中G代表栅极，S代表源极。电压是相对的，所以Vgs是栅极相对于源极的电压。

只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。但是Vgs继续加大，比如IRFPS40N60K，Vgs=100V时，Vds=0和Vds=400V，两种情况下，对管子功能带来什么影响，若烧坏，原因和内部机理过程是怎样的呢?Vgs增大会减小Rds(on)减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率1)MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电，2)MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大;Qg=Cgs*Vgs, 但是电荷会持续积累。3)MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大大增加，外部驱动电压对Millier 电容进行充电，GS 电容的电压不变，Millier 电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小4)MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压，Millier 电容变小并和GS 电容一起由外部驱动电压充电，GS 电容的电压上升

你的锂电池电压多少？我上次用的是IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。不过散热很重要，要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。高电平驱动（其实就相当于PWM）。

PMOS 管的VGS 同样也有正和负。MOS 管的VGS一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高VDS 的耐压承受力。比如说+12V 是开启MOS, -5V 是关闭MOS。是不是你对地的概念有困惑？

N沟道MOS管（一般源极接地），只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道，将源极和漏极连在一起，成为导电通道；这时只要在漏极加上电压，便可形成电流，此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。

首先，你的MOS管是耗尽型。因此当你的VGS电压为0V时，管子导通。一楼说错了，大家别学他。这个原理是：在制作管子的时候，导电沟已经做好了。当VGS有负电压时，即VGS小于0V，那么管子由导通开始慢慢变的截止。至于什么时候截止，看你的VGS电压是多少。比如VGS=-5V时，管子截止（具体参数看你用的这个MOS管数据手册）。

MOS管的饱和与否，不是只看一个UGS参数，而是要与UDS结合起来看。如果不考虑击穿特性的话（也就是MOS管的第4个区，雪崩区也就是击穿区，这部分内容要参考《电力电子技术》），那么基本上可以认为，在图右边UGS曲线比较平缓的部分都是恒流区，顺着曲线往左边走，会有一个预夹断点，也就是Uds=Ugs-Ugs(th)，这个点就是可变电阻区和恒流区的分界线，过了这个点就可以认为是可变电阻区了。

一般制造商会给出MOSFET开启电压的阈值大概在2---4伏之间，有些的P沟通的管子开启电压Z在—3----—5v之间，你是要测得它的具体的开启电压，还是测得管子工作时的VGS呢，如果测开启电压你就慢慢在栅极加电压，使得ID迅速增大的点电压既是，一般ID会从几十或几百μ安培一下增加到几十毫安或几安培的。。。。。如果你要测得管子工作时的电压的话，要分两块，一个是静态的，一个是动态的，静态的是指，直流电压，每一个直流电压对应一个ID这个关系可以在MOSFET的输出特性上找到，而动态的是指交流电压的影响，这个和MOSFET的电导gfs有关的，要区分分看的。

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说，能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。3）如果能够更加深入理解的话，可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。即Vod1=Vgs-Vth；Vod2=Vds-Vth；如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。

类似这样的问题我好像回答好多次了MOS依照其“通道”的极性不同，可分为"N"沟与‘p“沟的MOSFET，结构如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。功能要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。VP为夹断电压（ID=0）。耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS=0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS）；当VGS有电压时（可以是正电压或负电压），改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS，称为夹断电压。

N沟道的MOS管，Vgs越大，Ids电流越大。P沟道的MOS管，Vgs越大，Ids电流越小。如有帮助请采纳，手机则点击右上角的满意，谢谢！！

这个问题确实不会

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。如果加上正的vGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

Vgs标称耐压一般在20~30v左右，过高管子会击穿啊，Vgs过高会击穿SiO2氧化层，从而使G和衬底短路，沟道永久性破坏掉，烧管子造成了永久性破坏