nand

1. 了解硬件的nand flash的各个参数和工作原理具体参考nand flash的datasheet，主要包括，自己nand flash的厂商，型号等。Nand flash的页大小，oob大小，块大小，位宽8bit还是16bit。工作原理，上面已经做了一定描述，不清楚的，可以参考datasheet，多看看，就会明白很多。2. 按照linux下驱动编写规范编写nand flash驱动，可以参考其他已经有的驱动，比如内核源码中已经有的drivers/mtd/nand/s3c2410.c就是个很好的例子。自己以其为模板，实现自己板子的nand flash驱动。其实主要工作就是，实现static struct platform_driver s3c2410_nand_driver = { .probe = s3c2410_nand_probe, .remove = s3c2410_nand_remove, .suspend = s3c24xx_nand_suspend, .resume = s3c24xx_nand_resume, .driver = { .name = "s3c2410-nand", .owner = THIS_MODULE, },};中的XXX_nand_probe函数XXX_nand_remove函数XXX_nand_enable_hwecc，如果支持硬件ecc的话。对nand flash的读写，这两个函数，实现了对nand的具体操作。【Linux下Nand Flash驱动编写简单步骤】软件和硬件知识，都已经了解的话，由于上层的linux的 mtd框架中，已经完全封装好了，对nand flash的write page，write oob等相关函数的实现，那么剩下的只是相对来说已经是很少量的，关于nand 驱动具体内部操作方面的工作：1.初始化先是在nand 芯片初始化的时候，对其XXX_nand_init_chip（）给对应的芯片chip赋给对应的XXX_nand_read_buf和XXX_nand_write_buf等函数： chip->cmd_ctrl = XXX_nand_hwcontrol; chip->dev_ready = XXX_nand_devready; chip->read_buf = XXX_nand_read_buf; chip->write_buf = XXX_nand_write_buf;以实现后续的对nand芯片的操作。然后根据ecc类型，赋给对应的ecc的校验与纠错函数： chip->ecc.hwctl = XXX_nand_enable_hwecc; chip->ecc.calculate = XXX _nand_calculate_ecc;3. 实现上面提到的对应的各个函数，关于如何实现，参考一下其他nand驱动，就会理解很多了。4. 驱动测试，参考具体的 ldd3（Linux Device Driver version 3）的测试相关部分内容。

NANDFLASH一般是指未加入其他控制器的芯片IC，一般电子产品（MP3，导航仪，电脑，手机，智能穿戴等...）出厂前，厂商直接用机器贴片在主板上，主要用于电子产品内置储存文档，照片，音乐，影片用，即使没电储存在里面的资料还是存在的；而一般的DRAM内存条是电脑在开机后，用来运行程序的运行内存记忆体，没电时储存在里面的资料也就消失了。SD卡，T卡，U盘一般是电子产品（MP3，导航仪，电脑，手机，智能穿戴等...）须要扩容增加储存容量，或是为了方便携带拷贝文档，照片，音乐，影片，由产品外部接口（SD、T卡，USB接口）来扩充外部容量。SD卡，T卡，U盘是NANDFlash加了控制器的产品。现在电脑的SSD硬盘也是由NANDFLASH+SSD的控制器做成的。另外NANDFlash加了控制器的产品，封装成芯片IC样式的产品还有SPINAND,eMMC，SDNAND（贴片式T卡）等产品，主要品牌有三星，东芝，金士顿，米客方德，MakerFounder等,这类产品也是一般电子产品在出厂前，厂商直接用机器贴片在主板上。现在电脑的SSD硬盘也是由NANDFLASH+SSD的控制器做成的。

可以看看这个，写得很清楚，http://wenku.baidu.com/view/4784877201f69e3143329482.html]

这个应该是手机/相机/PDA上的说明。。。NandFlash是一种存储介质。相当于电脑的硬盘。是用来存储东西的。电脑上可存储的东西，在这里也都能存储。而1G2G4G8G16G是这种存储介质的大小容量。和电脑硬盘的多少G单位是一样的。这里为什么会有多种选择呢？因为同一款手机/相机/PDA在推出时，会考虑不同人的需求。而这种不同配置，相当与PC上硬盘大小的不同配置。有些人喜欢大容量的，有些人感觉小点就够用。当然，容量越小，价格越便宜。自己选择时，应考虑自己的实际情况和价格，来选取一个最优的。

Flash名称的由来Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位，Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB。全部擦除为1，也就是里面的内容全部都是0xFF了，由于是一下子就擦除了，相对来说，擦除用的时间很短，可以用一闪而过来形容，所以，叫做Flash Memory。中文有的翻译为（快速）闪存。

Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

nandflash和norflash的区别如下：1、开发的公司不同：NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteInPlace）。Nandflash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。2、存储单元关系的不同：两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。3、擦除操作的不同：NANDFLASH执行擦除操作是十分简单的，而NORFLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NORFLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NANDFLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。参考资料来源：百度百科-Nandflash参考资料来源：百度百科-NORFlash

高温会导致nandflash数据保存失败。根据中关村在线资料，nanadflash为SSD内部担任储存数据的组件，一般来说，影响nanadflash数据保存，除了抹写次数，温度也是另一个因素。高温会导致nandflash数据保存失败。nanadflash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式。

【答案】：DNOR Flash和NAND Flash是市场上两种主要的闪存技术；NOR Flash ROM的特点是以字节为单位随机存取，但NOR Flash ROM写入和擦除速度较慢，影响了它的性能。NAND Flash ROM以页(行)为单位随机存取，在容量、使用寿命和成本方面有较大优势。但是它的读出速度稍慢，编程较为复杂，因此大多作为数据存储器使用。数码相机存储卡和u盘中的Flash均采用NANDFlash。D选项错误，故本题选择D。

闪存是主要用于在不断的创例更新和系统变化的情况下，保留数据的存储设备，而nandflash和norflash是目前流行的闪存种类。它们有一些类似的特性，但也有重要的区别。NAND和NORFlash的最显著的不同之处是它们的存储结构和读取/写入性能。NANDFlash通常具有更大的存储容量，因此可以存储更多的数据，而且具有更快的读取/写入速度，适合写入大块数据。而NORFlash强调它们更高的可靠性和随机读取时间，更适合存储小型程序，运行时使用程序代码。此外，NANDFlash构造更加紧凑，可以提供更高的容量，可以节省更多的空间，而NORFlash则不同，其空间浪费更多。因此，NORFlash与NANDFlash之间的区别在于它们的存储结构、读取/写入性能及空间占用率。根据实际需求，用户可以根据具体需求来选择合适的闪存，以实现最好的效果。

1、写入/擦除操作的时间不同【nand flash】：擦除NAND器件以8～32KB的块进行，执行同一写入/擦除的操作时间为4ms【nor flash】：擦除NOR器件是以64～128KB的块进行，执行同一个写入/擦除操作的时间为5s2、接口不同【nand flash】：nand flash使用较为复杂的I/O口来串行地存取数据，并且各个产品或厂商的方法可能各不相同。【nor flash】：nor flash为SRAM接口，拥有足够的地址引脚用于寻址。3、容量成本不同【nand flash】：NAND flash的单元尺寸大约为NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，因此价格较低。【nor flash】：NOR flash单元尺寸较大，生产过程也较为复杂，因此价格较高。4、耐用性不同【nand flash】：NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次。【nor flash】：NOR闪存中每个块的最大擦写次数是十万次。参考资料：百度百科-Nand flash

说道NAND flash，首先提一下发明时间比较早的Nor-flash，Nor-flash相对于Nand-flash的特点是提供地址和数据引脚，可以像内存一样进行数据访问。 两种flash的主要差别： 从上图的比较可以看出，nand可以做更大的容量，同时擦写速度高于nor,随着nand的可靠性增加，越来越大的容量，后面的flash存储都是以nand为主。Nor-flash由于可以像内存一样读，可以将相关地址映射到CPU的地址空间进行XIP，由于物理特性Nor-flash存储程序比nand-flash更可靠，所以早期的嵌入式设备大部分使用Nor-flash作为程序存储和执行开启点。 从外部引脚看，主要差异emmc使用并行接口，ufs使用高效的串行接口，并且可以同时支持读和写。 从两者的读写速度看，ufs更快。 由于nand flash的特点，块擦写，page读，有循环回收算法，因此早期的nand flash驱动上面有MTD层，向上提供的是raw flash不带flash管理的，因此在上面挂在的文件系统需要进行坏块管理以及循环使用算法等，比较常见的有yaffs2 jffs2 ubifs等。 FTL原名“Flash Translation Layer”，工作在nand-flash和文件系统中间，模拟nand-flash为普通的块设备，文件系统挂在同硬盘一样，无需担心底层是什么硬件介质。因此，对于FTL一般集成了坏块管理，动态均衡算法，线性地址映射等算法。FTL一般作为software运行在cpu侧，随着mmc emmc ufs SD等标准的出现，硬件存储设备集成FTL算法，因此操作系统可以直接挂在ext4 ext3 FAT32等PC的文件系统。 像ext3 ext4 fat32等是给硬盘设计的文件系统，对flash的特性没有考虑。f2fs就是基于给nand-flash特性设计的，减少ftl的负担，对于nand-falsh来说优先选择。

一次又一次，再三地，反复地；连声；累次；三番两次。againafteragain意思是一次又一次，againandagain意思是再三地，反复地；连声；累次；三番两次。

根据词义。oldmenandwomen是那对老夫妇的意思，则根据词义可划分为the/old/man/and/woman。英语是一种西日耳曼语支，最早被中世纪的英国使用，并因其广阔的殖民地而成为世界使用面积最广的语言。

《Origin and Development of Form and Ornament in Ceramic Art》（Holmes, William Henry）电子书网盘下载免费在线阅读链接: https://pan.baidu.com/s/1Lx0f6A1njMZFQG1p8LQOtg 提取码: zzzc书名：Origin and Development of Form and Ornament in Ceramic Art作者：Holmes, William Henry出版年份：2010-5页数：32内容简介：The article presents a study conducted by researchers regarding the etiology of rosacea in San Diego, California. According to University of California professor Richard Gallo, they are exploring the cause of the face disease to determine the occurrence of the abnormal high levels of cathelicidin. The scheme of uncovering the root of the disease can help in developing more effective ways of treating rosacea.

复数。chickenandrice的汉语意思是鸡精，此单词由chicken和andrice两部分组成，chicken是鸡肉的意思，chickenandrice是复数。复数表示某些语言中由词的形态变化等表示的属于两个或两个以上的数量。

胆牙，或共，见梅之 的佳汤简人精渐鬼 无。好“率传舒，娄

李森安得泼音特

以下仅仅列出部分型号，实际支持的型号会多得多：1,SAMSUNG:K9F6408U0*,K9F2808U0*,K9F5608U0*,K9F1208U0*,K9F1G08U0*,K9F2G08U0*, K9K2G08U0*,K9F4G08U0*,K9G4G08U0*,K9K4G08U0*,K9F8G08U0*,K9K8G08U0*,K9G8G08U0*,K9WAG08U0*,K9GAG08U0*,K9GBG08U0*,K9LAG08U0*,K9W8G08U0*,K9LBG08U0*,K9HCG08U0,……..2,HYNIX:HY27US0856*,HY27US08121*,HY27UA081G*,HY27UF081G*,HY27UF082G*,HY27UF084G*,HY27US081G*,HY27UVB081G2*,HY27UVB084G2*,HY27UVB084G1*,HY27UVB082G1*,HY27UF081G2*,HY27VB082G4*,HY27UA081G1*,HY27UU088G5*,HY27UT084G2*,HY27UF084G2*,HY27UF088G*,HY27UU08AG2*,H27UAG8T2*,HY27UF088G*,HY27UBG8U*,HY27UBG8T2,…….3,TOSHIBA：TC58V64BFT*,TC58128*,TC58256* ,TC58512FT* ,TC58DVG02A1FT* ,TC58NVG0S3* ,TC58NVG0D3BTG*,TC58NVG0S3ETA*,TC58NVG1S3ETA00* ,TC58NVG1S3ETA*,TC58NVG1S3BFT*,TC58DVG14B1FT00*,TC58NVG1D4BTG00*,TC58NVG2D4BFT00*,TH58NVG2S3BFT*,TC58NVG3S0ETA*,TC58NVG3D1DTG00*,TC58NVG3D1DTG00*,TH58NVG3D4BTG00*,TH58NVG3D4BTG01*,TC58NVG4D1DTG00*,TH58NVG5D1DTG20*,TC58NVG4D2ETA00*,TC58NVG4D2FTA*,TC58NVG4D2FTA*,TH58NVG5D2ETA20*,TH58NVG7D2ELA89*,TH58NVG4D4CTG00*,TH58NVG5D4CTG20*,TC58NVG5D1DTG00*,TH58NVG6D1DT*,TC58NVG5D1DTG00*,TH58NVG6D2ETA*,TH58NVG7D2ELA*,TH58NVG7D2ELA*,4,ST:NAND128W3A2A*,NAND253W3ABN*,NAND512W3A2C*,NAND01GW3A*,NAND01GW3B*,NAND02GW3B*,NAND04GW3B2B*,NAND04GW3C2A* …NAND04GW3B2D*,NAND08GW3B2C*,NAND16GW3D2A*,NAND32GW3D2A*……..5,MICRON:MT29F1G08AB*,MT29F2G08AA*,MT29F2G08AAC*,MT29F4G08*,MT29F8G08MAA*,MT29F8G08AAA*,MT29F8G08AB*,MT29F8G08AB*,MT29F16G08FAA*,MT29F16G08MAA*,MT29F32G08QAA*,MT29F16G08CBA*,MT29F16G08CBACA*,MT29F16G08CBB*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CBABA*,29F64G08CJA*,29F128G08CJA*,MT29F4G08CF*,MT29F4G08CF*,MT29F64G08CJ*,MT29F128G08CJ*,MT29F256G08CJ*,MT29F64G08CB*……..6,INTEL:JS29F02G08AANA2,JS29F04G08BANA2,JS29F08G08FANA2,JS29F02G08AANB3,JS29F04G08BANB3,JS29F08G08FANB3,JS29F04G08AANB1,JS29F08G08CANB1,JS29F16G08FANB1……7,(FBGA107、FBGA63、8BIT、3.3V/2.5V/1.8V)H8ACU0CE0BBR,HYD0SEE0MF2P,K5D12571CM......8,LGA封装：K9LCG08U1A、K9PFG08U5A、K9PFG08U5M、K9HDG08U5M、K9HDG08U5A、TH58NVG8D2ELA89、TH58NVG8D2FLA89、TH58NVG7D2ELA89、TH58NVG7D2FLA89、SanDisk_05000-016G、SanDisk_05105-032G....等等...注：和这些NAND Flash兼容的其他Flash也可使用，如Micron，Intel，Spectek，ST，Toshiba，Infineon，Scandisk，Actrans，Renesas，型号太多，未能一一列出，艾普科技将会不间断增加支持的Flash型号，其它封装的Flash可定做转换座。

《蚁人与黄蜂女：量子狂潮》简介如下：

fernandafranklin是一个来自美国的速溶白咖啡粉品牌，该品牌的产品包括咖啡和咖啡代用品，因此，fernandafranklin鞋子的档次可能是比较高的，因为该品牌的产品定位比较高端，而且鞋子材料和工艺都比较讲究，但具体档次还要根据鞋子的品质、设计和价格来综合评估。

BenAnderson外文名：BenAnderson职业：编剧制作人代表作品：《HBO:马尔亚之战》合作人物：AnthonyWonke

MarilynAnderson外文名：MarilynAnderson职业：演员代表作品：KissItUptoGod合作人物：CaranHartsfield

RonAndersonRonAnderson是一名演员，其代表作品有《幽草》。外文名：RonAnderson职业：演员代表作品：《幽草》合作人物：KenMcMullen电影作品

1、洛杉矶市的码头车辆交易任务地点前有一个大棚，大棚里面有一个FCR900 不过骑上去会提示任务 不用管它 这是个小游戏，10秒后不开始就任务失败，不影响个人数据，档案。直接开走。2、CJ老家旁的海边，巴拉斯的地界，有一个盘旋的停车场，顶部有一辆。纯手打，纯靠记忆，求采纳，谢谢。

是英文歌《bleeding love》。这首歌是由丽安娜·刘易斯演唱的，她出牌的曲风深受流行摇滚、抒情歌曲和R&B的影响，歌曲《bleeding love》表达了作者对于爱情的伤痛感到害怕，歌词直白露骨，句句扎心，很多网友听后都表示很受感动。

Jonathan Anderson没有结婚。

**结婚了**。Jonathan Anderson在2018年与未婚妻Geraldine Guyot于巴黎完婚，两人在个人IG上向众人公布了喜讯。此外，两人除了拥有个人同名品牌外，也是LVMH旗下品牌LOEWE的设计师。另据报道，Jonathan Anderson与妻子Geraldine Guyot在2021年7月份举办了婚礼，婚后生活甜蜜幸福。

Oh, Shenandoah, I long to hear you,噢，山纳多，我渴望听到你的吼声，Away you rolling river.流淌吧，你滔滔流向远方。Oh, Shenandoah, I long to hear you,噢，山纳多，我渴望听到你的吼声，Away, I"m bound away,启航吧，我要驾船，Cross the wide Missouri.穿过宽阔的密苏里河。Oh, Shenandoah, I love your daughter,噢，山纳多，我爱你的女儿，Away you rolling river.流淌吧，你滔滔流向远方。I"ll take her "cross the rolling water,我要和她一起渡过滔滔的流水，Away, we"re bound away,启航吧，我们要驾船，Cross the wide Missouri.穿过宽阔的密苏里河。Oh, Shenandoah, I"m bound to leave you,噢，山纳多，我就要离你去远航，Away you rolling river.流淌吧，你滔滔不绝地流向远方。Oh, Shenandoah, I"ll not deceive you,噢，山纳多，我决不背叛你，Away, I"m bound away,启航吧，我要驾船，Cross the wide Missouri.穿过宽阔的密苏里河。

http://www.sendspace.com/file/h2cvi2Franz FerdinandI swapped my innocence for pride Crushed the end within my stride Said I"m strong now I know that I"m a leaver I love the sound of you walking away Mascara bleeds a blackened tear And I am cold Yes, I"m cold But not as cold as you are I love the sound of you walking away Why don"t you walk away? Why don"t you walk away? No buildings will fall down Why don"t you walk away? No quake will split the ground Why don"t you walk away? The sun won"t swallow the sky Why don"t you walk away? Statues will not cry Why don"t you walk away? I cannot turn to see those eyes As apologies may rise I must be strong and stay an unbeliever And love the sound of you walking away Mascara bleeds into my eye I"m not cold I am old At least As old as you are As you walk away? As you walk away My headstone crumbles down As you walk away The Hollywood wind"s a howl As you walk away The Kremlin"s falling As you walk away Radio Four is STATIC As you walk away The stab of stiletto On a silent night Stalin Smiles Hitler laughs Churchill claps Mao Tse Tung on the back

JoseHernandezJr.JoseHernandezJr.，演员，主要作品《蒸气室》、《真实点滴》。外文名：JoseHernandezJr.职业：演员代表作品：《蒸气室》、《真实点滴》合作人物：KyleSchickner

是不是ラムジ-PLANET

错了，应该是ladies and gentlemen女士们先生们

闪存是分为很多标准的。其中，以英特尔、美光、海力士为首的NAND厂商所主打制定的闪存接口标准为“ONFI”，而以三星和东芝阵营为首的NAND厂商当前所主打的则是“Toggle DDR”。ONFI是同步颗粒，相比异步颗粒传输速度更快。Toggle的工作方式虽然是异步，但通过特殊技术也能达到同步的速度效果

一次又一次的尝试,你会成功的

歌曲名:Jesus歌手:Fernando Saunders专辑:Plant A SeedJesus／Gackt作词：Gackt.C　作曲：Gackt.C伤ついた抜け壳をただ　抱きしめていた【拥抱著受伤的躯壳】降り注ぐ雨は静かな　君の涙【雨静静地落下 如同你的眼泪】Wake me up Wake me up 【唤醒我 唤醒我】Wake me up この梦から 【唤醒我吧 从这样的梦中 】Real or dream? Real or dream? 【是现实还是梦魇? 是现实还是梦魇?】Real or dream? 教えてくれ　Maria..【是现实还是梦魇? 告诉我 Maria..】「杀して..」と微笑みながら頬に触れた【一边微笑著说「杀了我」一边触碰著脸颊】见えない目に涙を溜めて消えて逝く【盈满泪水的眼睛已经什麼也看不见并逐渐消失 】Take me out Take me out 【带我离开 带我离开】Take me out この梦から【带我离开 从这样的梦中】Real or dream? Real or dream? 【是现实还是梦魇? 是现实还是梦魇?】Real or dream? 応えてくれ Jesus..【现实还是梦魇? 回答我 Jeasus 】God said when you die,【上帝说在你死之前,】Your life will pass before your eyes.【你的眼睛会在生命之前消失】If you want to feel it right now,【如果你想感受一下就现在】Just do it.. do it.. do it..【大胆的试一下.. 试一下.. 试一下..】Wake me up Wake me up 【唤醒我 唤醒我】Wake me up この梦から【唤醒我吧 从这样的梦中 】Real or dream? Real or dream? 【是现实还是梦魇? 是现实还是梦魇?】Real or dream?教えてくれ【是现实还是梦魇? 告诉我】Take me out Take me out 【带我离开 带我离开】Take me out この梦から【带我离开 从这样的梦中】Real or dream? Real or dream?【是现实还是梦魇? 是现实还是梦魇?】Real or dream? 応えてくれ Jesus..【现实还是梦魇? 回答我 Jeasus 】Jesus／Gackthttp://music.baidu.com/song/2822507

是《Try》这首歌。《Try》是美国流行女歌手Colbie Caillat演唱的一首歌曲，出自专辑《Gypsy Heart Side A》，于2014年6月9日先行发行。

My name is My name is Rebecca Casey. And this is a song I wrote.It"s called "Dream Catcher". All the lights are shinin" bright down in the city. Shinin" like a million dreams... Sometimes I feel like I"m upside down, and all those dreams are fallin" right past me. Everybody needs a dream catcher. Someone to be there when your dreams start to fall... Everybody needs a dream catcher. Someone to be there when the bad dreams are all you can see... Dream catcher... catch me. Edit by Berk我的名字叫我的名字是蕾贝卡。凯西将军。　　这是一首我写道。这就是所谓的“梦想捕手”。　　所有的灯都亮下来shinin的城市。　　Shinin "像“百万梦想……　　有时候,我觉得头下脚上,　　和所有的那些梦想是对过去的我。歌词- - -　　每个人都需要有梦想的捕手。　　有人在那里开始下跌时,你的梦想…　　每个人都需要有梦想的捕手。　　有人在那里当不好的梦全都是你能看到…　　梦想捕手……抓我。编辑被伯克

简单的说 NAND包括 IPL IFlash IDStorage IPL是你程序初始化的加载器 神电的原理就是基于这个 IDStorage 保存着你所有的KEY文件 如果备份NAND的话 一般情况下 是备份IDStorage 有一点一定要注意 IDStorage绝对不能用别人的 要不肯定砖头了 Flash0 储存当前固件文件 一般刷XMB界面就是对Flash0动刀子 Flash 1 保存着你的所有设置 Flash2 只有当你用psp连接ps3或者电脑来登陆PlayStation网络的时候才会出现 Flash3 是被用来存储看电视功能的 如果像你说的你备份了NAND 那么当你变砖的时候（有点不吉利，呵呵） 用你备份的软件还原就行了 如果还有什么不懂的话 电玩巴士有详细的讲解 希望我的回答对你有帮助

UFS是一种高速的接口，存储的核心还是NAND Flash颗粒，如UFS的结构图：

可能是存储方面的原因，NAND] _FindFlashmediaAndKeepout:600 physical nand block offset 1发现媒体和隔离：600物理NAND块偏移1[NAND] start :355 this 0x90340999 PROVIDER=0x9005c380 flashmedia=0x9oo5c380开始：355本0x90340999提供商= 0x9005c380 Flash媒体= 0x9oo5c380[NAND] WMR_start:149 Apple PPN NAND Driver, Read/Writewmr_start：149苹果PPN NAND驱动器，读/写[NAND] WMR_start:174 FIL Init [OK]wmr_start：174文件初始化[确定]首先说智能手机和电脑是一样的，都是由主板、cpu、硬盘、内存、显示模组等等硬件组成。苹果手机存储好像用的是mcp，mcp是dram和NAND Flsha叠加的一种存储芯片，NAND Flsha相当于硬盘，dram相当于内存条。以上内容是说NAND物理模块偏移，应该是这里出了问题，造成系统加载项无法运行。这是个硬件问题没办法自己维修，去厂家返修吧，不是刷机能解决的问题。我的回答完全是基于个人的认为，如果有高手知道是什么问题或者我的回答有误欢迎拍砖，我也希望能够搞明白这个问题。

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

作用如下：NAND 的目的是储存各种类型的在伺服器使用寿命期间可能会变更的伺服器资料、组态资讯及程式。选取NAND 技术是因为它能够在整个系统彻底断电时保留资料，并可以重写多次。从Gen8 系列ProLiant 伺服器开始HPE 在ProLiant 伺服器中融入NAND 快闪装置。在使用HPE 整合式Lights-Out 5 (iLO 5) 的HPE Gen10 系列伺服器与使用HPE 整合式Lights-Out 4 (iLO 4) 的HPE Gen8 系列或Gen9 系列伺服器上，HPE 已更新NAND 实作。所做的变更包括使用一个仅供NAND 使用的eMMC 控制器，并使用最新的eMMC 通讯协定以取得更完整的NAND 运作状况资讯。

nand 相当于你用ghost对操作系统做的一个备份 但这个备份中还包括了硬件的信息所以不能用在别的psp上nand包括key key相当于硬件的驱动 有些key可以通用 有些不行 比如MAC地址的key

nand好。1、3DNAND颗粒可以分为32层、48层甚至64层或更高层次，而3DTLC颗粒由于产品不同，所以规格也不尽相同。2、三层存储单元TLC读写速度比较慢，且使用寿命也比较短。3DNAND读写速度很快。

你的手机内存卡有128兆的储存空间。

　　关系为：它们都是单片机系统的存储器　　　　区别主要是他们的用途不同：现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.　　详细介绍：　　1、RAM-RamdomAccessMemory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。 　　2、ROM-Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升级，现已很少使用。　　3、EEPROM（带电可擦写可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器EEPROM（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。　　4、Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。

目前市售的Nand Flash制程工艺不固定，基本在20nm—34nm范围内。民用产品主要是30nm左右的产品。制程技术最好的就是三星、海力士，还有IMFT（英特尔镁光）。

就是该手机硬盘容量为128G，闪存类型为nand。

nand写入量400T报废。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。1.5T左右的闪存容量×平均PE268=400多T的nand写入量。

　　1. 区别　　NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。 任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行（1）NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S。与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms（3）当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。　　●NOR的读速度比NAND稍快一些。　　●NAND的写入速度比NOR快很多。　　●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　●大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　●NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。（4）接口差别　　NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，因此，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。（5）容量差别： NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储。（6）可靠性和耐用性－寿命(耐用性)　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。－位交换　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，在使用NAND闪存的时候，应使用EDC/ECC算法。用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。－坏块处理　　NAND器件中的坏块是随机分布的，NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。（7）易于使用　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。（8）软件支持在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。（9）在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行　　2. 趋势　　NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST， Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。2006年NAND将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时，NAND的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35%。Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。目前，NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中，这两个市场的增长非常迅速。而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。　　　　　　3. Samsung的S3C2440就能支持从NAND Flash和NOR Flash两种方式启动。

备份是防止出错恢复用的神电V7V8都出来了F0都可以重建了现在备份NAND已经没有多大意义了

你没有分区的话..nand+ext是会报错的,只能NAND备份另外nand和你刷的ROM没啥关系即使是刷了ROM.NAND恢复后还是原来你备份的ROM..不停重启的话.你可能是装了一些什么软件恢复后不要开机,然后试试进入FASTBOOT里头链接ADB删除掉一些手机里头的软件.

固态硬盘（SSD）一般采用 NAND 闪存作为存储介质。NAND 闪存是一种非易失性存储器件，通常用于大容量数据存储，如固态硬盘、USB闪存驱动器等。与 NOR 闪存不同，NAND 闪存具有更高的存储密度和更快的读写速度。 由于 NAND 闪存具有更优秀的价格性能比和大容量存储能力，因此它已成为固态硬盘中的主流存储介质。同时，随着 NAND 闪存技术不断发展，固态硬盘等应用的性能和可靠性也在逐步提升。

3D NAND是相对于原先的NAND在工艺上的提升，可以理解为把原先平面的存储单元构建为立体的，这样一片晶元上存储的cell会更多。传统的2D NAND工艺到16nm就已经饱和了，而3D通过增加纵轴的叠层数目可以继续演进三代左右（现有的技术一般是32层或48层，个人预测未来终结产品会发展到128层）。同一片晶元上存储单元越多即意味着每个bit的成本更低。而3D X point则和3D NAND完全不同，NAND是基于floating gate/charge-trap gate MOS技术，而x point则是基于phase change material。通俗的说，NAND是通过晶体管上充放电来存储数据，而x point是通过材料是熔化或凝固状态来存储数据。从性能上而言，x point会远远超过NAND，这可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大杀器，如果能很快的解决现在yield lost问题，会改变以后存储世界的格局。

到手机维修店，查一下主板吧

华硕路由器nand闪存坏道可能是闪存器件坏了。NAND闪存以其高存储密度、高速、低功耗等优点被广泛应用于数据存储。三维堆叠闪存技术的出现和多值存储技术的发展进一步提高存储密度,降低存储成本。Nand Flash 是Flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

尺寸控制和线宽控制。1、nand和dram都包含许多微小的结构和电路，制造过程必须具有高精度的尺寸控制。意味着在生产过程中必须要有切实可行的测量和校正方法，以确保每个器件都在规定的尺寸范围内。2、在制造nand和dram时，必须保持精确的线宽控制，是由于电路中的许多功能和电路元素都需要非常细的线宽，例如晶体管的栅极线宽、线路和连接的线宽等。

这个应该是手机/相机/PDA上的说明。。。NandFlash是一种存储介质。相当于电脑的硬盘。是用来存储东西的。电脑上可存储的东西，在这里也都能存储。而1G2G4G8G16G是这种存储介质的大小容量。和电脑硬盘的多少G单位是一样的。这里为什么会有多种选择呢？因为同一款手机/相机/PDA在推出时，会考虑不同人的需求。而这种不同配置，相当与PC上硬盘大小的不同配置。有些人喜欢大容量的，有些人感觉小点就够用。当然，容量越小，价格越便宜。自己选择时，应考虑自己的实际情况和价格，来选取一个最优的。

一、优缺点不同1、MLC：为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。2、SLC：复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。二、特点不同1、MLC：是容量大成本低，但是速度慢。2、SLC：成本高、容量小、速度快。三、架构不同1、MLC：MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。2、SLC：SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。参考资料来源：百度百科-SLC MLC

nand flash. 虽比较有坏轨，但是ECC 已克服此问题!!

Flash memory

nand颗粒封装die数量是16颗。根据查询相关公开信息显示：每颗颗粒里面有16颗die(3DNAND芯片)叠在一起封装，每颗die里面有高达92层wordline(100LinlcudingdummyWLsandselectors)，而且是一次穿孔。

当a和b都是高电平时，下面的两只串联导通，上面并联的两只截止，所以输出低电平vss。当a或b只要有一只是低电平时，下面串联的两只合成结果是导通（因为若想要导通必须两个一起导通才行），上面的并联两只则至少有一只导通（就是低电平的那个管导通），高电平被连接下来，输出到输出端。望采纳。

是的。NAND闪存芯片中的层数越高，意味着存储容量越高。此前，存储芯片中使用的最高层数为128，而三星现在已接近生产160层或更高层的芯片。

8mm乘6mm。nand存储是一个嵌入式存储解决方案设计的LGA8WSON小封装，颗粒封装尺寸只有8mm乘6mm，SD卡的操作与SD卡类似，是行业标准尺寸。

NAND其实不是缩写是NotAND说白了就是与非NOR就是或非是这样的NAND里面的单元是按照所谓与非的方式连起来的NOR同理NAND线少所以便宜但是性能不如NOR所以大容量的完全是NAND的天下你放心我解释的绝对没错我就是学这个的

未知。正在等待nand要等多久是未知的，没有准确的数值，正在等待nand是刷机时造成的参数错误。若是出现可以选择重新启动，若仍然出现便是手机损坏。

OR或，AND与，XOR异或，NOR或非，NAND与非，XNOR异或非。(1)“与”逻辑关系。可以表述为：“当有关条件A、B、C都具备时，事件F才能发生。”“与”逻辑可用“逻辑乘法”表示，写作：F=A*B*C。（2）“或”逻辑关系。可以表述为：“当有关条件A、B、C中只要有一个或一个以上具备时，事件F就能发生。”“或”逻辑可用“逻辑加法”表示，写作：F=A+B+C。关系逻辑是研究事物间任意性质关系的逻辑推演规律的理论。关系是指若干事物之间的某种相互联系，它是逻辑学的重要概念之一。

3个。前两个单独直连两个输入信号变成两个not，然后再接第三个，第三个输出为or

DRAM内存芯片是指用来做计算机普通内存使用的芯片,NAND闪存芯片是指用来做移动U盘的芯片.

nandflash储存型快闪记忆体；闪存；储存型闪存例句筛选1.PricingintheNANDflashmemorychipmarkethasstayedfirmthisyearthankstostrongdemandfromsmartphoneandtabletmakers.由于来自智能手机和平板电脑制造商的强劲需求，NAND闪存芯片市场的价格今年保持坚挺。2.NANDflashinnegativedelaystoredtestingandmeasuringsystem运用NAND闪存的负延时存储测试系统

您有保基带升级吗？如果没有基带升级，可能会变砖的、

首先调用erase,将NAND全部擦除一遍,然后执行如下检测操作,如果页大于512字节,badblockpos = 0;badblockbytes = 2;如果页小于512字节,badblockpos = 5;badblockbytes = 1;读取每个block的前两页OOB区域的第badblockpos开始的后badblockbytes字节是否为0xff,如果是,那么说明该block是好的,否则该block是坏块[gliethttp_20080523]！UINT_T create_bbt(FlashBootType_T fbt){ UINT_T Retval; P_FlashProperties_T pFlashP = GetFlashProperties(fbt); UINT_T BlkSize,BlkNum; UINT_T flash_addr;#define page_size (2048)#define page_spare_size (64)#define block_size (64*page_size)#define tmp_buffer_addr (0x80200000 - page_size - page_spare_size)#define tmp_spare_buffer_addr (tmp_buffer_addr + page_size) int i,j; char *bbpos; bbpos = (char*)(tmp_spare_buffer_addr + 0); BlkSize = pFlashP->BlockSize; BlkNum = pFlashP->NumBlocks; for(i = 0;i < BlkNum;i++) { flash_addr = i * BlkSize; for(j = 0;j < 2;j++) { Retval = xdfc_read((UINT_T *)tmp_buffer_addr, flash_addr + j*page_size, page_size, (UINT_T *)tmp_spare_buffer_addr, GetNANDProperties()); if(Retval) { goto __create_bbt_mark; } if(bbpos[0] != 0xff)goto __create_bbt_mark; if(bbpos[1] != 0xff)goto __create_bbt_mark; } continue;__create_bbt_mark: RelocateBlock( i, &GetFMProperties()->BBT, fbt ); }}

同意楼上!

NAND还是国内第一电子乐团【与非门】创立的服装品牌：被誉为中国第一电子乐队的与非门乐队，在今年初签约新东家中天门文化后，就移师北上发展。在刚刚推出新作《我们是小孩》不久，与非门乐队又涉水服装行业，火速推出自创品牌nand，其首款T恤已在日前面世并在他们的官网进行销售。

简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。

3ds报nand错误修复方法如下：1、拆机飞线才能用NAND恢复真实系统。2、必须有误升级前备份的nand.bin文件。

NAND是闪存芯片，掉电后数据不会消失DRAM用于内存，掉电后数据会丢失，速度快

一、原因：这是刷机时造成的参数错误。二、解决办法：将iphone关机；同时按住HOME键和关机键10秒；松开关机键；继续按住home键；直到在电脑上看到识别在DFU状态下的设备。一、刷机：手机方面的专业术语；是指通过一定的方法更改或替换手机中原本存在的软件或者操作系统；刷机就是给手机重装系统；刷机可以使手机的功能更加完善；并且可以使手机还原到原始状态；Android手机出现系统被损坏通过刷机来解决。二、风险预警：苹果刷机后不可再享受免费维修政策；建议用户要慎重。