MOS管有RDS的说法,三极管在饱合导通也有RCE的说法吗?

冰磊2022-10-04 11:39:541条回答

MOS管有RDS的说法,三极管在饱合导通也有RCE的说法吗?
例如2N5551在饱合导通情况下,实际有RCE的存在.还是有另外一种说法

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woshicaicai 共回答了23个问题 | 采纳率87%
BJT也有Rce(on)的说法;
对于大多数的BJT,BJT一般用Vce(sat)(CE间饱和压降)来表示三极管的导通特性.
而一些新型的低饱和 ce电压的三极管,厂家不仅给出Vce(sat),而且也给出Rce(on)(开态等效电阻);
给出Rce(on)的三极管,都是开关特性很好的开关管,一般用途的BJT,厂家是不给出这个指标的.
1年前

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趴地宝贝1年前1
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本人有意入手此焊机.故想彻底了解此焊机.求亲人们指点.
未完的童话1年前1
壹踢脚 共回答了20个问题 | 采纳率90%
mos管的 ARC是手工焊英文的缩写
MOS管上的源级电阻作用是什么
清晨的小鸟1年前1
hz6351686 共回答了14个问题 | 采纳率100%
由问题可知你对MOS管还是有一定的了解.
一般的回路图里,MOS管的源极接一个电阻,然后接地.此电阻一般很小,为毫欧级,主要用于电流采样,把电流讯号转化为电压讯号,用于监控回路电流.
如还有疑问可把回路图贴出来.
开关电源中,开关管的功率损耗怎么计算?如MOS管,作为开关的晶体管.损耗包括哪几部分?
主阿赐我妞1年前1
zhu3396267 共回答了27个问题 | 采纳率85.2%
比较复杂,开关管的损耗的计算也非常复杂 ,只有经验公式没有具体的数学公式,开关管的损耗一方面分为导通损耗,因为开关管的导通是有电阻的,而且此电阻受温度影响也特别大,所以不好计算,而在开关管损耗中占最大比重的确实交流损耗,就是上升的电压与下降的电流之间造成的交流损耗,因为开关管并不是理想器件,管子的导通和关闭都需要一定的时间,所以也就衍生出了以后的ZVS(零电压关断)与ZCS(零电流关断)的研究,这个楼主有兴趣可以看一下.
MOS管标称电流的具体意思比如RU190N08 MOS管,是说可以通过190A电流耐压80V的,但是实际是不可能190A
MOS管标称电流的具体意思
比如RU190N08 MOS管,是说可以通过190A电流耐压80V的,但是实际是不可能190A的,引脚就那能通过40A就不错了,它还写190A,
这里所写的190A具体是什么含义呢
长衫剑客1年前1
luckjerry1 共回答了20个问题 | 采纳率100%
最大电流并非持续电流.
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MOS管为5N60
墨尔本球球1年前1
bjpulmc2001 共回答了25个问题 | 采纳率88%
应该是!
p沟道mos管如图所示,求在Vd在小于5v的情况下 能正常工作的P沟道mos管的 型号 .
夜风闲客1年前1
hendaolima 共回答了20个问题 | 采纳率80%
GT2301 VDS-20V VGS±12V 启动低压0.4-0.9V 满足你的要求绰绰有余 Q:1291426253
台产原厂销售
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把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连也不是可以出现导电沟道?
khtrre1年前1
bunnya 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
因为如果栅极和源极之间不加电压的话,漏极和源极之间是两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏极和源极之间加电压,也不会产生漏极电流,则MOS管无法正常工作.
补充:衬底对应的是P型硅,源极对应的是N型硅,怎么可能实现一样的工作状态呢.同样的道理,栅-源之间必须有反向电压呈高阻抗,才能使管子正常工作.再细心的看看课本去……
请问MOS管与IC的区别是什么?
sxw198301231年前1
程起生命的航船 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%
MOS管是金属-氧化物-半导体结构的场效应三级管,而普通三极管则是P-N-P或 N-P-N结构(双极工艺)的三极管,IC(集成电路)是采用MOS或双极工艺或复合工艺在半导体基片上制作若干个元器件并连接成电路的器件.
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MOS管的实际功耗是怎样计算的呢?最近迷茫中:P=U*I还是I*I*Rds(on)呢?
这两个计算方法是矛盾的啊:比如一款英飞凌的MOS,BSC0911ND ,特性图上标明Rds(on)是毫欧级别,并且在Vds不大的时候,基本上不变,使用如下的电路图:灯泡是12V,50W的,希望通过调节电位器控制电流从而控制灯泡亮度
1.假如现在调节Vds使Id=1A,那么灯泡分压约为3V,Vds=9V,ID=1A,P=UI=9W;
而如果用I*I*R,则P为3mW.应该用哪一个公式来算呢?
2.一开始MOs管选择的是IRF520N
发烫的很,搜集资料,觉得是RDS太大的缘故,求大神推荐一个好用的MOS;
3.网上看资料说:管子温度=功耗*热阻+环境温度,而比如IRF520N的热阻是65度/W,那么就是说,如果用UI=9W算.他的温度已经吊炸天了.
4.MOS管子的额定功率
45W代表什么啊,算上热阻转换来的温度的话根本就不可能达到,这个值就没有意义吧?
皇家县令1年前1
猴子上树 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
手册中给出的通态电阻,是完全导通后的最小值.
如果MOS管没有完全饱和导通,必须按实际漏极源极的电压和电流计算.
额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率.9W的话,必须加足够的散热器.
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)
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如题
天降所罗1年前1
zensai 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
增强型比较清楚:
1、P沟道增强型:当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V 4V之间.
耗尽型的管子比较少见.
1、P沟道耗尽型:当UgsUgs(off)时导通,这个Ugs(off)是一个负数值.
MOS管的工作原理
qdlgg11年前1
社浪后族 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管.
或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.
MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区.在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能.这样的器件被认为是对称的.
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化.双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta).另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化.FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比.   场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流.事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小.最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体.这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET).因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管.
MOS管的工作原理:
先考察一个更简单的器件-MOS电容-能更好的理解MOS管.这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon,他们之间由一薄层二氧化硅分隔开.金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body.他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric.图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate.这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明.MOS电容的GATE电位是0V.金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场.在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位.这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面.这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小.   
当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况.穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来.同时,空穴被排斥出表面.随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况.由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅.掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel.随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转.Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt.当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel.当电压差超过阈值电压时,channel就出现了.   
MOS电容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反转(VBG=3V),(C)积累(VBG=-3V).   中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况.电场反转,往表面吸引空穴排斥电子.硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了.   MOS电容的特性能被用来形成MOS管.Gate,电介质和backgate保持原样.在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域.其中一个称为source,另一个称为drain.假设source 和backgate都接地,drain接正电压.只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel.Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate.如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel.这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅.由电子组成的电流从source通过channel流到drain.总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流.   
在对称的MOS管中,对source和drain的标注有一点任意性.定义上,载流子流出source,流入drain.因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了.有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色.这种情况下,电路设计师必须指定一个是drain另一个是source.   
Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管.制造非对称晶体管有很多理由,但所有的最终结果都是一样的.一个引线端被优化作为drain,另一个被优化作为source.如果drain和source对调,这个器件就不能正常工作了.   
晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS.P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管.如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面.硅的表面就积累,没有channel形成.如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了.因此PMOS管的阈值电压是负值.由于NMOS管的阈值电压是正的,PMOS的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号.一个工程师可能说,“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”, 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V.
http://baike.baidu.com/view/1221507.htm
我用MOS管驱动电磁铁,为什么栅极断电后电磁铁还有磁性
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电路图如下,当插上电源,没接通栅极时,电磁铁没磁性,栅极接通后,电磁铁有磁性.但是我栅极电位为零时(控制栅极的导线都已断开),电磁铁还有磁性,只有把电源拔掉磁性才会消失.为什么啊
我刚才又试了一下,把电磁铁换成5.1K电阻,在断开栅极后,用电压表测电阻两端电压也是12V,就感觉MOS管只起开的作用,不起关的作用.
qlf1901年前1
amy818 共回答了23个问题 | 采纳率91.3%
管子选对了没?MOS管的驱动不是很简单就可以完美驱动的建议选TIP35 或者其他三极管试下,另外选P沟MOS管或许好一些.删级加个下拉电阻 看看.
在开关电源中,使用功率MOS管而不是用晶体管或双晶体管,这是因为MOS管有很多性能上的优势主要表现在( )
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A 放大状态下、 B 低频状态下、 C 高频状态下、 D 、 饱和状态下
大年初一是春节1年前1
随等 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
放大也可以但是不(A)
低频更不可取.no(B)
高频方面更不如三极管.也不是(C)
至于饱和.MOS管有更低的内阻.所以(D)答案更适合.
求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率
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在网上可以查到在低掺杂硅材料中,电子的迁移率为0.135m^2/(Vs).
MOS管绝缘层的厚度大概在20nm,那么单位面积的电容大概有10^7这个数量级.
拿这个数据乘以电子迁移率,再乘以W/L,W为绝缘层宽度,L为绝缘层长度,数量级仍在10^7,乘以栅极输入电压以后,漏极输出电流在10^8数量级,这显然是不可能的,怀疑是电子的迁移率数据不对.
求问啊
座头士1年前1
songbai 共回答了14个问题 | 采纳率85.7%
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级,氧化层厚度算20nm的话,那这个电容应该就在0.01F/m^2的数量级,电子迁移率0.135m^2/(V·s)都算高的,实际MOS管中因为表面态的影响,还不到这个值,经验值是减半,大概是0.07吧,乘以电容也就是10^-4数量级了,如果MOS管宽长比算单位1的话,乘上个电压,电流数量级也就在十的负三负四次方的级别,主要就是你的电容数量级算错了
模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中:uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)”?我感觉写反了吧?
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华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是:
”uGS>uGS(th)
且uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)“
uGD>UGS(th)不是等价于
uGS+uSD>uGS(th)
uSD>-uGS+uGS(th) 两边同乘负号
uDS
吾一生有你1年前1
细雨飞扬 共回答了15个问题 | 采纳率100%
没有看过华成英的《帮你学模拟》.
但三个不等式中:
“uGS>uGS(th),且uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)”
中间的一个错了!
应为:uGD
开关mos管选型需要注意哪些参数
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A.最小开启电压
B.最大栅源电压
C,最大漏源电压
D.最大漏源电流
E.导通电阻
靓玉轩1年前1
chenghongqing 共回答了22个问题 | 采纳率95.5%
还有:
F、开关频率
G、开通、关断时间
H、损耗(开通、关断能量)
I、安装方式等.
MOS管3脚和8脚在主板中它们哪个功率大8脚的4个一组比3脚的3个一组好吗8脚的4个一组原理上是多少A实用上是多少A
dudun1年前1
熏衣草的旋律 共回答了24个问题 | 采纳率91.7%
这个不一定,主要是看产品.8个脚不代表8个脚都用上了,有可能只用了其中3个或者6个,主要是看产品型号来区分,知道产品型号可以上网搜参数,不是看脚来看产品好不好的.
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xhrjeans1年前1
琴剑-飘零 共回答了25个问题 | 采纳率80%
MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关.
MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些,特别是关断的要求比较高,为了让MOS用起来更简单,就出现了驱动电路这类东西.MOS管当然不用驱动电路,也完全可以工作.
简单的说,驱动电路类似MOSFET的服务电路.
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为什么mos管会烧坏
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雪飘零梅轻舞1年前1
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1000瓦的灯泡多少用在家庭电路电流4.5安 mos管有npn和pnp的·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID
MOS管按结构可分为什么和什么
ryh_771年前1
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为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道
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两个P型MOS管反向串联,也就是两个S极连在一起,这样有什么作用?
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whlmm 共回答了26个问题 | 采纳率92.3%
这个电路一般是5v和锂电池电源之间切换用的.如果用二极管隔开两个电源,压降太大.所以就用mos管代替二极管.但是mos管有一个问题,就是内部集成了一个续流二极管,你分析一下电路就知道了,如果只用一个pmos的话,5v的电压会经过mos管直接流进锂电池中.解决的问题的办法只能是两个pmos管反相串联,这样就阻断了5v电压.不知道我说明白没有.
关于MOS管的N井工艺我只听说过MOS管有N井工艺,请问有P井工艺么?如果有的话,是不是和N井工艺一样,只不过改成N衬底
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我只听说过MOS管有N井工艺,请问有P井工艺么?如果有的话,是不是和N井工艺一样,只不过改成N衬底这样?
另外,加在mos管两边的tap中文怎么说啊?
没人回答吗?
眨眼杀你1年前1
bao470 共回答了15个问题 | 采纳率100%
有P井工艺,只是相对N井的要少的多.理论上是你说的那样,但是我也没用过.
一般就叫TAP,中文叫“加保护环”“衬底接触”?因为TAP的作用把那几个都包含进去了.
MOS管中SI-H键指什么?
树懒1392061年前1
feliangfei 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%
这个样该指的是硅原子与氢原子之间的共价键!
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设计一个电路连接不同的电阻,来得到不同的电压,然后用8051来控制电子开关(eg:mos管)来选择哪个阻值的电阻接入电路,这个想法有可能吗?求指导,
卢寅彬1年前2
czlw 共回答了12个问题 | 采纳率91.7%
可以的,如采用模拟开关CD4066等,这些可直接由MCU输出控制的;
当然,被切换的电阻阻值要足够大以便可以忽略模拟开关的导通电阻对总阻值的影响;
请问MOS管的有源导通区是不是就是常说的非饱和区,而线性导通区就是指饱和区?
东山二羔1年前1
一朵花儿在凋零 共回答了17个问题 | 采纳率82.4%
答:你看这张图片,你就知道了,和你的理解刚好相反.有源导通区应该指饱和区,而线性导通区是非饱和区.
谁能给兄弟简单解释IGBT的作用和原理它和MOS管的区别
绍帅1年前1
狼鹰1988 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%
我做过IGBT的功放.分析过这个管子..本人QQ873133078
师傅waei请问三段稳压管7812在原理图中用哪个符号.这个管子属于MOS管吗?谢谢师傅ehkp284
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yf00181年前1
苔丝2 共回答了19个问题 | 采纳率100%
不属于mos管 .mos 管可以粗略的看做是一种三极管 ,而7812是一个集成电路,内部有很多的电阻 和三极管等分立器件集成在一起.MOS管内部构造比较简单.
N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?
飞雪七柒1年前1
永久空格 共回答了14个问题 | 采纳率85.7%
NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.
耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
晶体管图示仪用来测试mos管的时候,所有的参数都能从图上面度出来么?
晶体管图示仪用来测试mos管的时候,所有的参数都能从图上面度出来么?
然后晶体管图示仪主要是用来检测MOS的那几个参数的?怎么我用的4822图示仪感觉测出来的buk7219-55A的参数和规格书有很大的差异~那些能从图上通过数格可以看出来,那些参数是靠算出来的~我现在都蒙圈了~
maladuo1年前1
大力菠菜 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%
用图示仪来测量器件参数的误差相对比较大,就像你所说的那样,从显示屏上数格数得来的,同时由于图形显示线比较粗,读数精度远不如用尺子测量长度来得精确,但用于粗略的测量也是没有问题的,如果仪器校正好的话,用图示仪来测量满刻度误差也能保证在2%以下.图示仪的最大好处是有非常直观的图形.
至于你所说的测量出的参数与规格书有很大的差异,这一点需要弄清的是规格书上的参数大都是一个界限,并不是一个具体的参数值,只要测到的参数在规格书上的界限范围之内都是正常的.
求推荐5V导通 电流为600mA的mos管型号有哪些?
jovifang1年前1
sxh99 共回答了22个问题 | 采纳率86.4%
5V的MOS管就很少 加上又是这种超低电流的 目前是没有哦、
600ma最低也是20V的
模拟电路模拟题求助1. UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( ). A. 结型管 B. 增强型MOS管 C.
模拟电路模拟题求助
1. UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( ).
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 满分:4 分
2. 要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( ). A. 共源电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共射电路 满分:4 分
3. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路;为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )滤波电路 .
A. 带阻 B. 带通 C. 低通 D. 有源 满分:4 分
4. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
A. 电阻阻值有误差 B. 晶体管参数的分散性 C. 晶体管参数受温度影响 D. 电源电压不稳定 满分:4 分
5. 功率放大电路与电压放大电路的区别是( ).
A. 前者比后者电源电压高 B. 前者比后者电压放大倍数数值大 C. 前者比后者效率高 D. 在电源电压相同的情况下,前者比后者的最大不失真输出电 压大 满分:4 分
USERS-1年前1
橄榄78 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%
1、A,C
2、A,D
3、A,D
4、C
5、C
P型MOS管的导通条件是什么?是不是 uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压
永乐友1年前1
yongzhi100 共回答了12个问题 | 采纳率100%
对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同.
MOS管寄生二极管方向是不是随D,S极那边电压高,二极管的负极就与高电压端相连 ,正极连低压端
lucidtea1年前1
adanny008 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%
不是.这个跟MOS管的类型有关系.
如果是NMOS,二极管的正极接S极,负极接D极.如果是PMOS,则二极管的正极接D极.并不会随着D、S加的电压变化而变化.