MOS管3脚和8脚在主板中它们哪个功率大8脚的4个一组比3脚的3个一组好吗8脚的4个一组原理上是多少A实用上是多少A

　晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS.P-channel MOS（PMOS）管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管.感觉跟电池一样的

mos管的 ARC是手工焊英文的缩写

由问题可知你对MOS管还是有一定的了解.
一般的回路图里,MOS管的源极接一个电阻,然后接地.此电阻一般很小,为毫欧级,主要用于电流采样,把电流讯号转化为电压讯号,用于监控回路电流.
如还有疑问可把回路图贴出来.

比较复杂,开关管的损耗的计算也非常复杂 ,只有经验公式没有具体的数学公式,开关管的损耗一方面分为导通损耗,因为开关管的导通是有电阻的,而且此电阻受温度影响也特别大,所以不好计算,而在开关管损耗中占最大比重的确实交流损耗,就是上升的电压与下降的电流之间造成的交流损耗,因为开关管并不是理想器件,管子的导通和关闭都需要一定的时间,所以也就衍生出了以后的ZVS（零电压关断）与ZCS（零电流关断）的研究,这个楼主有兴趣可以看一下.

最大电流并非持续电流.

应该是!

BJT也有Rce（on）的说法；
对于大多数的BJT,BJT一般用Vce(sat)（CE间饱和压降）来表示三极管的导通特性.
而一些新型的低饱和 ce电压的三极管,厂家不仅给出Vce(sat),而且也给出Rce(on)（开态等效电阻);
给出Rce(on)的三极管,都是开关特性很好的开关管,一般用途的BJT,厂家是不给出这个指标的.

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因为如果栅极和源极之间不加电压的话,漏极和源极之间是两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏极和源极之间加电压,也不会产生漏极电流,则MOS管无法正常工作.
补充：衬底对应的是P型硅,源极对应的是N型硅,怎么可能实现一样的工作状态呢.同样的道理,栅-源之间必须有反向电压呈高阻抗,才能使管子正常工作.再细心的看看课本去……

MOS管是金属－氧化物－半导体结构的场效应三级管,而普通三极管则是P-N-P或 N-P-N结构（双极工艺）的三极管,IC(集成电路)是采用MOS或双极工艺或复合工艺在半导体基片上制作若干个元器件并连接成电路的器件.

手册中给出的通态电阻,是完全导通后的最小值.
如果MOS管没有完全饱和导通,必须按实际漏极源极的电压和电流计算.
额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率.9W的话,必须加足够的散热器.

增强型比较清楚：
1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V 4V之间.
耗尽型的管子比较少见.
1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个Ugs(off)是一个负数值.

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管.
或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.
MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区.在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能.这样的器件被认为是对称的.
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化.双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）.另一种晶体管,叫做场效应管（FET）,把输入电压的变化转化为输出电流的变化.FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比. 　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流.事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小.最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体.这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）.因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管.
MOS管的工作原理：
先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管.这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon,他们之间由一薄层二氧化硅分隔开.金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body.他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric.图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate.这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明.MOS电容的GATE电位是0V.金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场.在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位.这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面.这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小. 　　
当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况.穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来.同时,空穴被排斥出表面.随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况.由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅.掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel.随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转.Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt.当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel.当电压差超过阈值电压时,channel就出现了. 　　
MOS电容：（A）未偏置（VBG＝0V）,（B）反转（VBG＝3V）,（C）积累（VBG＝-3V）. 　　中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况.电场反转,往表面吸引空穴排斥电子.硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了. 　　MOS电容的特性能被用来形成MOS管.Gate,电介质和backgate保持原样.在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域.其中一个称为source,另一个称为drain.假设source 和backgate都接地,drain接正电压.只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel.Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate.如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel.这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅.由电子组成的电流从source通过channel流到drain.总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流. 　　
在对称的MOS管中,对source和drain的标注有一点任意性.定义上,载流子流出source,流入drain.因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了.有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色.这种情况下,电路设计师必须指定一个是drain另一个是source. 　　
Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管.制造非对称晶体管有很多理由,但所有的最终结果都是一样的.一个引线端被优化作为drain,另一个被优化作为source.如果drain和source对调,这个器件就不能正常工作了. 　　
晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS.P-channel MOS（PMOS）管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管.如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面.硅的表面就积累,没有channel形成.如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了.因此PMOS管的阈值电压是负值.由于NMOS管的阈值电压是正的,PMOS的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号.一个工程师可能说,“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”, 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V.
http://baike.baidu.com/view/1221507.htm

管子选对了没?MOS管的驱动不是很简单就可以完美驱动的建议选TIP35 或者其他三极管试下,另外选P沟MOS管或许好一些.删级加个下拉电阻 看看.

放大也可以但是不(A)
低频更不可取.no（B）
高频方面更不如三极管.也不是（C）
至于饱和.MOS管有更低的内阻.所以（D）答案更适合.

MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级,氧化层厚度算20nm的话,那这个电容应该就在0.01F/m^2的数量级,电子迁移率0.135m^2/(V·s)都算高的,实际MOS管中因为表面态的影响,还不到这个值,经验值是减半,大概是0.07吧,乘以电容也就是10^-4数量级了,如果MOS管宽长比算单位1的话,乘上个电压,电流数量级也就在十的负三负四次方的级别,主要就是你的电容数量级算错了

没有看过华成英的《帮你学模拟》.
但三个不等式中：
“uGS>uGS(th）,且uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”
中间的一个错了!
应为：uGD

还有：
F、开关频率
G、开通、关断时间
H、损耗（开通、关断能量）
I、安装方式等.

MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关.
MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些,特别是关断的要求比较高,为了让MOS用起来更简单,就出现了驱动电路这类东西.MOS管当然不用驱动电路,也完全可以工作.
简单的说,驱动电路类似MOSFET的服务电路.

1000瓦的灯泡多少用在家庭电路电流4.5安 mos管有npn和pnp的·在VGS=0（增强型）的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道

仙童2N7000BU/2N7000TA
FDV303N（耐压25V）

这个电路一般是5v和锂电池电源之间切换用的.如果用二极管隔开两个电源,压降太大.所以就用mos管代替二极管.但是mos管有一个问题,就是内部集成了一个续流二极管,你分析一下电路就知道了,如果只用一个pmos的话,5v的电压会经过mos管直接流进锂电池中.解决的问题的办法只能是两个pmos管反相串联,这样就阻断了5v电压.不知道我说明白没有.

有P井工艺,只是相对N井的要少的多.理论上是你说的那样,但是我也没用过.
一般就叫TAP,中文叫“加保护环”“衬底接触”?因为TAP的作用把那几个都包含进去了.

这个样该指的是硅原子与氢原子之间的共价键!

可以的,如采用模拟开关CD4066等,这些可直接由MCU输出控制的；
当然,被切换的电阻阻值要足够大以便可以忽略模拟开关的导通电阻对总阻值的影响；

答：你看这张图片,你就知道了,和你的理解刚好相反.有源导通区应该指饱和区,而线性导通区是非饱和区.

我做过IGBT的功放.分析过这个管子..本人QQ873133078

不属于mos管 .mos 管可以粗略的看做是一种三极管 ,而7812是一个集成电路,内部有很多的电阻 和三极管等分立器件集成在一起.MOS管内部构造比较简单.

NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.
耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.

用图示仪来测量器件参数的误差相对比较大,就像你所说的那样,从显示屏上数格数得来的,同时由于图形显示线比较粗,读数精度远不如用尺子测量长度来得精确,但用于粗略的测量也是没有问题的,如果仪器校正好的话,用图示仪来测量满刻度误差也能保证在2%以下.图示仪的最大好处是有非常直观的图形.
至于你所说的测量出的参数与规格书有很大的差异,这一点需要弄清的是规格书上的参数大都是一个界限,并不是一个具体的参数值,只要测到的参数在规格书上的界限范围之内都是正常的.

5V的MOS管就很少 加上又是这种超低电流的 目前是没有哦、
600ma最低也是20V的

1、A,C
2、A,D
3、A,D
4、C
5、C

对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同.

不是.这个跟MOS管的类型有关系.
如果是NMOS,二极管的正极接S极,负极接D极.如果是PMOS,则二极管的正极接D极.并不会随着D、S加的电压变化而变化.