本征半导体与参杂半导体有什么不同?

喵喵milk2022-10-04 11:39:541条回答

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诗雅乐 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%
本征半导体费米能级位于导带底和价带顶之间的中线上,导带中的自由电子和价带中的空穴均很少,因此常温下导电能力低,但在光和热的激励下导电能力增强.
n型掺杂半导体的费米能级接近导带底,导带中的自由电子数高于本征半导体,导电能力随掺杂浓度提高而增强,属于电子导电为主的半导体.
p型掺杂半导体的费米能级接近价带顶,价带中的空穴数高于本征半导体,导电能力随掺杂浓度提高而增强,属于空穴导电为主的半导体.
1年前

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本征半导体导电体如何
三步追魂1年前2
wcdlove 共回答了17个问题 | 采纳率100%
导电性很差,但是比绝缘体要好.这是由于半导体的禁带带隙比绝缘体要窄,电子稍容易跃迁至导带.
单质半导体与本征半导体的区别英文的Intrinsic semiconductor和elemental semicondu
单质半导体与本征半导体的区别
英文的Intrinsic semiconductor和elemental semiconductor的区别是什么?
广陌1年前1
爱在盛夏光年 共回答了10个问题 | 采纳率100%
常用的四价元素硅和锗等纯净半导体称为本征半导体.半导体分为两种N型和P型.本征半导体与载流子的浓度,与材料的性质和温度有关,随温度的增加,基本按指数规律增加.依电子导电为主的叫做N型半导体,依空穴导电为主的叫做P型半导体.
双极性三极管,如何推导发射极电阻Re所导致的本征跨导退化的表达式,g'=(g/1+gRe) 谢拉!
双极性三极管,如何推导发射极电阻Re所导致的本征跨导退化的表达式,g'=(g/1+gRe) 谢拉!
这是微电子器件的题目 10年考研题目的最后一题 但是答案只有这样一个式子.
天真浪漫的猫妖1年前1
上电池的半导体 共回答了26个问题 | 采纳率92.3%
1.场效应管和三极管输入电阻的差异.
2.场效应管是单极;三极管是双极.
3.解决问题方面:场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难(有时是与受控电流有关的表达式),进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻.而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些.
4.极管和场效应管的比较可以归纳以下几点:
1)、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而场效应管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适.这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因.
2)、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω.
3)、场效应管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射极一般不能互换使用.
4)、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关.
5)、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势.
6)、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大.
7)、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞.跨导gm比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到
5.三极管可以说是电流控制电流源的器件,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但场效应管是电压控制电流源的器件
6.记住四种mos管的特性曲线的方法:只需记住n沟道的emos管的曲线,它的Vgs是大于0的,且曲线呈递增趋势.而p沟道的emos的Vgs是小于0的,且呈现递减趋势.dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n沟道递增,p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线记住了
7.1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件; 2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,也有少子导电,称之为双极性器件; 3)场效应管灵活性比三级管好; 4)场效应管的制造工艺更适合于集成电路
量子力学,动量的概率分布函数本人学艺不精,动量的本征函数应该就是图片最后的那个吧,可是习题答案里,为什么有些系数是内啥的
量子力学,动量的概率分布函数

本人学艺不精,动量的本征函数应该就是图片最后的那个吧,可是习题答案里,为什么有些系数是内啥的二分之一次,而有些是二分之三次.我有点怀疑是不同的坐标系的问题,可是也不像啊.
然后对上面的三个概率分布函数全范围积分,第1题和第7题归一了,第5题没有归一.这答案真不靠谱= 感激不尽~
冬雪掩扉1年前1
hyfsddetjncdy 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
每一维是1/2次,所以一维的是1/2次,氢原子等三维问题是3/2次.
第3.7题的A需要归一化才能知道是多少,其他题目直接就给出了归一化的波函数.
本征半导体导电性能与导体,绝缘体有何不同
你们的1年前2
tiasaaa 共回答了22个问题 | 采纳率86.4%
导电性能:导体>半导体>绝缘体,主要是因为他们的禁带宽度不同,导体没有禁带,半导体的禁带宽度
本征半导体是否导电,为什么
游在屋顶的鱼1年前1
tangxuyan 共回答了20个问题 | 采纳率80%
本征半导体是是指没有掺杂的半导体.
在通常的环境下,本征半导体可以通过本征激发,使导带上带有载流子--电子,而在价带上带有相同数量的载流子--空穴.
虽然载流子的浓度远低于掺杂半导体的载流子浓度,但是本征半导体的导电性会好于绝缘体,是可以导电.
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E)自由电子
骡马王子1年前3
Ruby0114 共回答了20个问题 | 采纳率85%
在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,只受到磷原子对它微弱的束缚,因此在室温下,即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子,游离于晶格之间.失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子.磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子,又称施主杂质.
在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子,而本征激发产生的空穴的数目不变.这样,在掺入磷的半导体中,自由电子的数目就远远超过了空穴数目,成为多数载流子(简称多子),空穴则为少数载流子(简称少子).
因此答案是E.
量子力学1、若两个力学量AB不对易,则若体系处于A的本征态时,波函数能不能用B的本征函数表示呢?(我态叠加原理不太理解,
量子力学
1、若两个力学量AB不对易,则若体系处于A的本征态时,波函数能不能用B的本征函数表示呢?(我态叠加原理不太理解,是不是体系的任意一个状态都能用任意一个力学量的本征态的波函数表示呢?)若可以表示,此时系数有何意义,根据测不准原理,A确定,则B不能确定,系数就不能理解为每个态的权重了吧?
2、力学量不守恒可不可以理解为在系统随时间演化时波函数若用此力学量本征态波函数叠加时,叠加的系数在随时间而变化所以不守恒呢?
逍遥兜兜1年前3
hzyunfeng 共回答了23个问题 | 采纳率87%
1,能,系数的意义就是在A的这个本征态中测量到处在相应B的本征态的几率幅.由于一定是若干个B的本征态的叠加,所以B的值是不确定的.
2,当然可以.
最后说一句,量子力学学起来不要着急,多看不同的书,从不同的角度去理解他,一段时间后就可以完全懂了.一般起码得半年到一年的时间,慢慢去体会其中妙处.
本来就准备说上面那么多的,结果看了推荐答案我无语了.不用太理会那个答案,那人看起来懂得不少,但很明显基础不扎实,一知半解.你对力学量不守恒的理解完全没问题,只是以后学了矩阵力学后会对你的理解更有帮助,你能自己悟到你所说的话说明你的悟性不错,因为你应该是刚开始学量子力学没多久.不要理会那个人的答案,你学到那时自然会知道,不是什么难的东西,而且你的悟性应该在他之上,别受了他的误导.
在本征半导体中加入( )元素可形成P型半导体.
在本征半导体中加入( )元素可形成P型半导体.
A.五价
B.四价
C.三价
DJ阿龙1年前1
illusory 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
C
本征半导体空穴为什么可以看做是载流子?
本征半导体空穴为什么可以看做是载流子?
书上说价点去填补空穴所以说可以看做是空穴在动.但电子的移动本生产生电流算空穴时又看成电子的去填补移动.不是重复了吗?
zhuxulight1年前1
xhpyxy 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%
价带电子不是载流子,导带电子才是载流子,因此价带电子填补空穴产生的电流被认为是空穴的电流,导带电子产生的电流被认为是电子的电流,两者不重复.
本征半导体的电导率怎么求?
swordsman11221年前1
SDFH45365 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%
σ=ni q μ ,ni是本征载流子浓度,μ是迁移率.
1.本征半导体掺入五价元素后成为( )
1.本征半导体掺入五价元素后成为( )
a..本征半导体;b.N型半导体;c.P型半导体;
2.万用表直流电压档测出的电压是( ),交流电压档测出的电压是( ),示波器可 测出电压的( ).
a.有效值 b.平均值 c.幅值
3.测得一放大电路中某三极管三个电极电位分别为①端U1=2V,②端U2=4.8V,③端 U3=1.3V,基极是( )
a..①端; b.②端; c.③端;
4.射随器适合作多级放大电路的输出级,是因为它的( )
a.电压放大倍数近似为1 b.ri 很大 c.rO 很小
5.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上获得的最大( ).
a.交流功率 b.直流功率 c. 平均功率
6.电压串联负反馈可以( ).
A.提高ri和 ro b.提高ri降低ro
c.降低ri提高了ro d.降低ri和ro
7.为了增大放大电路的输入电阻,应引入( )负反馈.
a.电压 b.电流 c.串联 d.并联
8.整流的目是( ).
a.将交流变为直流; b.将高频变为低频; c.将正弦波变为方波
9.稳压二极管构成的稳压电路,其接法是( ).
a:稳压二极管与负载电阻串联 b:稳压二极管与负载电阻并联
c:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联
10、PN结反向向偏置时,其内电场被( ).
A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定
孤叶飃飃1年前3
银花伊人 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%
楼主,我回答的比较迟.但是肯定是最好的哦!首先说下一楼的答案,错误的太多,二楼的答案不错但是他没有给你较为仔细的解释,看在我那么认真回答的份上给点分吧!谢了先!我明天考模电了,上天保佑哈(=@__@=)
1、b(本征半导体掺入五价的P元素变为N型,三价的B元素变为P型)
2、b、a、c(这个没啥好解释的了……)
3、a(给你个简易的方法:三个值中的中间值就是基级,1.3
模拟电子题目请教一、 填空1、 半导体是一种导电能力介于_导体__与 绝缘体 之间的物体.2、 N型半导体是在本征半导体
模拟电子题目请教
一、 填空
1、 半导体是一种导电能力介于_导体__与 绝缘体 之间的物体.
2、 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 5 价元素组成的.这种半导体内的多数载流子为 ,少数载流子为 ,不能移动的杂质离子带 电.P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的.这种半导体内的多数载流子为电子,少数载流子为 ,不能移动的杂质离子带 电.
3、 PN结具有______________性能,即加________电压时,PN结导通;加________电压时,PN结截止.
4、 硅稳压二极管通常是工作在 状态下的特殊二极管,在实际工作中,为保护稳压管,需要在外电路 .
5、 三极管的内部结构是由 区、 区、 区及 发射 结和 结组成的.三极管对外引出电极分别是 极、 极和 极.
6、 检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的 档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的 极;黑表棒接触的电极是二极管的 极.检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被 ;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经 .
7、 基本放大电路的三种组态分别是: 放大电路、 放大电路和 放大电路.
8、 放大电路应遵循的基本原则是: 结正偏; 结反偏.
9、 静态工作点Q点设置过低将会产生 失真,设置过高将会产生 失真,这些失真都称为 失真.
10、 将放大器 的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做 信号.使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为 反馈;使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为 反馈.放大电路中常用的负反馈类型有 负反馈、 负反馈、 负反馈和 负反馈.
11、 多级放大器常用的耦合方式有________、________和________三种形式
12、 射极输出器具有 恒小于1、接近于1, 和 同相,并具有 高和 低的特点.
13、 共射放大电路的静态工作点设置较低,造成截止失真,其输出波形为 削顶.若采用分压式偏置电路,通过 调节 ,可达到改善输出波形的目的.
集成运算放大器具有 和 两个输入端,相应的输入方式有 输入、 输入
和 输入三种.
14、 射极输出器的特点是:电压放大倍数 ,电压跟随性好, 输入电阻 ,输出电阻 ,而且具有一定的 放大能力和功率放大能力.
15、 差动放大电路的共模抑制比KCMR= .共模抑制比越小,抑制零漂的能力越 .
16、 反相比例运算放大器当Rf =R1时,称作 器,同相比例运算放大器当R f =0,或R1为无穷大时,称作 器.
17、 串联型稳压电源由 电路、 电路、 电路和 电路四部份组成.
18、 某三级放大电路中,测得AU1=20,AU2=20,AU3=250,总的放大倍数是___________,
19、 一放大器无反馈时的放大倍数为80,加入负反馈后,放大倍数下降为16,它的反馈深度为 ,反馈系数为 .
20、 已知某放大器的放大倍数A=150,加入反馈系数F=0.1的负反馈,则它的闭环放大倍数Af =
jianshen6101年前1
sad_yyuo1 共回答了22个问题 | 采纳率86.4%
2.电子,空穴,正,3,空穴,电子,负
3.单向导通,正向(正偏),反向(反偏)
4.反向击穿,加限流电阻
5.基,集电,发射,PN,基,集电极,发射极
6.VEF,正极,负极,击穿
7.共射,共基,共集
8.发射结正偏,集电结反偏
9.截止,饱和,线性
10.输出信号,反馈信号,负反馈,正反馈,电压并联,电压串联,电流并联,电流串联
11.电压,电流,电感
12.增益,输入和输出,输入电阻较高,输出电阻较小
13.正相,反相,共模输入,差模输入,单端输入
14.接近于1,较高,较小,电流
15.20lg|Avd/Avc|,差
16.反相器,电压跟随
17.变压,整流,滤波,稳压
18.20X20X250=100000
19.深度负反馈,F=0.2
20.15
要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的
要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的
三价元素 四价元素 五价元素 六价元素
blueleaf3111年前1
齐天大胜扬 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
三价元素,形成空穴,缺少电子.
厄米算符本征向量的问题我在读一本量子力学的入门书,首章讨论数学基础问题,其中一节提到:对於厄米算符,它的本征向量相互正交
厄米算符本征向量的问题
我在读一本量子力学的入门书,首章讨论数学基础问题,其中一节提到:对於厄米算符,它的本征向量相互正交并张开整个线性空间.我想不明日的是:难道我随便给出一个厄米算符,找出它的本征向量,总可以把这组向量作为基来展开空间中任何的其它向量?我给出的厄米算符是特定的,但却可以得到普适的基?难以理解.
另外,如果随便从一个厄米算符就可以得到一组基来张开整个空间,那麼,我从位置算符出发得到一组基,能用这组基来表示动量吗?这样的意思为何?
不好意思,刚学量子力学,问题较肤浅.
回味ww1年前1
wakeupmorning 共回答了18个问题 | 采纳率100%
厄米算符的本征向量就是这个线性空间的一组基丫~
厄米算符的基本推导里面有这个的~
第二个问题不是很清楚,我是学化学的……结构化学里面好像不讨论这个问题……不过从你的题目来看,位置算符的基应该可以表示动量的
室温下,本征半导体硅中自由电子和空穴的浓密度关系是
随风遐思1年前1
lzw1098 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%
对于本征半导体而言,电子和空穴是成对产生的,所以电子浓度和空穴浓度是相等的.
一个重要的量子力学问题如果当x0,势函数为V(x) = mgx.则当x0时,解为Airy 函数,也有相应的本征能量值.但
一个重要的量子力学问题
如果当x0,势函数为V(x) = mgx.则当x0时,解为Airy 函数,也有相应的本征能量值.但是综合来讲,粒子在这个分段Hamiltonian中的定态能量En(n=1,2,3,...) 是什么呢?是取左边(x0)的值,还是说只能取当左右两边能量相等时的能量值?
aixxyu1年前2
綠水8 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
为了定量描述微观粒子的状态,量子力学波函数在电子双缝干涉实验中观察到,引入了大量的事件显示一个概率分布,波函数的物理意义生于说明对应于某个地方的微观粒子的概率密度的波函数的模的平方.在整个概率密度的微观粒子不仅具有明显的物理意义.它可以被表示的波函数是波动的概率.虽然这仅仅是人们的物质波可以使形成的波函数的概念的理解是量子力学,但是,完全摆脱经典成熟的标志;波函数和概率密度的概念,形式其中大多数是量子力学理论的基本概念.
由于半导体的本征激发,半导体导电能力有什么特性
chanfeng5801年前1
蓝色聆听 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%
半导体都是四价元素,四价元素稳定性强不容易得失电子,硅,锗类!四价下就容易生去电子四价以上就容易得电子!半导体不掺杂其它元素是不导电的!
电工电子技术填空题,谁帮做下1.PN结的基本特性是( )特性.2.半导体中有( )和( )两种载流子,在本征半导体中掺着
电工电子技术填空题,谁帮做下
1.PN结的基本特性是( )特性.
2.半导体中有( )和( )两种载流子,在本征半导体中掺着( )阶元素,可形成P型半导体.
3.差分放大电路的基本功能是( ).
4.为了稳定输出电流,应引入( )负反馈;为了稳定输出电压应引入( )反馈,为了提高输入电阻,应引入( )负反馈;为了降低输入电阻,应引入( )负反馈.
5、负反馈的类型可分为( )( )、( )、和( ).
6、将十进制数(127)10转换成二进制数为 ( )2 .
7、将二进制数(101011)2转换成十进制数为 ( )10 .
8、一个n变量的逻辑函数应有( )个最小项.
anhao0071年前1
风随波动 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%
1,单向导电
2.电子空穴,三价
3.放大差模信号
4.电流,电压,串联,并联
5.电流串联、电压串联,电流并联,电压并联
6.111 1111
7.43
8.不懂
大学 电工电子基础 一、填空题(每空1分,共30分)1.在本征半导体中加入 价元素可形成N型半导体,加入 价元素可形成P
大学 电工电子基础
一、填空题(每空1分,共30分)
1.在本征半导体中加入 价元素可形成n型半导体,加入 价元素可形成p型半导体.
2.工作在放大区的晶体管发射结处于 偏置,集电结处于 偏置.
3.在共射极、共集电极两种组态放大电路中,电路没有电压放大作用,电路的输出电阻小.
4.电压串联负反馈可以稳定输出 ,输出电阻.
5.乙类功放电路的效率比甲类功放电路 ;甲类功放的效率最大不超过 ;乙类功放的效率最大为 .
6.otl功放采用 电源供电,输出端与负载间必须连接 元件.
7.理想集成运放的基本特性是av ,ri ,ro .集成运放正反馈应用时v+ v-,则vo为-vomax.
8.振荡电路的自激振荡的幅值条件是 ,相位条件是 .
9.直流稳压电源电路由 、 、 和 四部分组成.
10.模拟电路中的三极管一般都工作在 状态,数字电路中的三极管一般都工作在 状态和 状态.
11.(5.75)10转换成二进制数为 .
12.ttl与非门的阈值电压约为 .
13.a⊕a= ,a+a b = .
二、判断题(每小题1分,
1.如用万用表测得二极管的电阻很小,则红表笔相接的电极是二极管的负极,与黑表笔相接的电极是二极管的正极.( )
2.稳压管正常工作时工作在反向击穿状态.( )
3.三极管具有能量放大的作用.( )
4.温度升高时pn结中的正向电压值减小、反向电流值增大.( )
5.乙类功放电路在输出功率最大时,管子消耗的功率也最大.( )
6.只要将晶体管的静态工作点设置在三极管特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真.( )
7.石英晶体振荡器有并联型和串联型两种,石英晶片可等效为电感元件或电阻元件.( )
8.数字集成电路按有源器件的不同可分为ttl电路和mos电路两大类.( )
9.在逻辑运算中,如果ab=ac,则b=c.( )
10.函数f(a,b,c)=abc+a +b +c 的最简式为1.( )
三、单项选择题(每小题2分,
1.分别用万用表的r×100Ω档和r×1kΩ档测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量结果将( ).
a.前者大 b.后者大 c.相同
2.测得三极管各电极对地电位为:ub=4.7v,uc=4.3v,ue=4v,则该管工作在( )状态.
a.截止 b.饱和 c.放大 d.已损坏
3.工作在放大区的三极管,当ib从20μa增大到40μa时,ic从1ma变到2 ma,它的β约为( ).
a.10 b.50 c.100 d.75
4.正弦波振荡器产生自激振荡( ).
a.要求电路中要有正反馈
b.要求放大器的电压增益小于反馈网络的衰减倍数
c.要求反馈信号与原放大器输入信号反相
d.一旦形成,可一直无条件延续下去,除非断电
5.如右图电路,若u2=20v,则uo为( ).
a.24v b.18v c.9v d.20v
我只要答案,不要废话
wangjiaolong1年前7
SOHOuu 共回答了19个问题 | 采纳率78.9%
《模拟电子技术基础》上有答案
数学物理方程的考研考纲中有关于固有(本征)函数的考点,我不懂,书上也没有本征函数,求解释?
数学物理方程的考研考纲中有关于固有(本征)函数的考点,我不懂,书上也没有本征函数,求解释?
1会用固有(本征)函数法求解非齐次方程带有齐次边界条件的定解问题。
2掌握本征(固有)值问题、本征值和本征函数的概念和意义,会求本征值问题的解(包括勒让德方程和贝塞尔方程的本征值问题)。
v4f2klf1年前1
三色风沙 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
书上都有. 请去翻翻书.
本征半导体怎么回事?如题,本征半导体中电子电流和空穴电流大小相等,方向相反,总电流为二者绝对值之和.这种说法对吗?为什么
本征半导体怎么回事?
如题,本征半导体中电子电流和空穴电流大小相等,方向相反,总电流为二者绝对值之和.这种说法对吗?为什么?
4b3b8c1年前1
joshnet 共回答了25个问题 | 采纳率96%
这种说法是有问题的,首先,电荷定向移动才可以形成电流,而本征半导体这个名词只代表一类物质,并不能说其中存在电流,正确的说法应该是:电子和空穴电荷量相等,净电荷为0,表现为电中性.
本征半导体为何只掺杂3价或者5价的元素而不用其它价?
暗世白精1年前1
hantianyi 共回答了12个问题 | 采纳率100%
半导体材料一般是锗或者硅,他们最外层电子是4,一次是四价元素,这些硅原子或者锗原子之间形成共价键,而加入三价元素后,形成共价键时由于要形成四个共价键,而三价元素外只有三个电子,故形成一个空位,其他自由电子来补充,形成空穴,形成p型半导体,其中导电的是那些带正电的空穴.
同理,加入五价元素后,由于只需要四个原子形成共价键,多出一个电子,形成N型半导体,因此N型半导体中导电的为电子.
而其他价的元素与四价元素结构相差很多,其它价元素性质活泼,不能与四价元素形成共价键.
本征半导体的掺杂浓度的变化所引起的导电特性的变化
本征半导体的掺杂浓度的变化所引起的导电特性的变化
给出导电特性变化曲线 或者 导电特性变化函数都可以的.
如果有图片说明之类的注释的话追加50分.
rr人就是素质差1年前1
李炎轩 共回答了17个问题 | 采纳率82.4%
详见 刘恩科 《半导体物理》第四章 有很详细的介绍!
电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( ) A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2
电路选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( )
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
4、PN结加正向电压时,其正向电流是由( )的.
A.多数载流子扩散而成 B.多数载流子漂移而成
C.少数载流子扩散而成 D.少数载流子漂移而成
5、P型半导体是在本征半导体中加入( )物质后形成的
A电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素
这是单选题,只有一个答案的
并非闲话1年前2
DSTARCOM 共回答了23个问题 | 采纳率87%
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D )
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
N:negative(负)的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( A )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( B )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
假定该管子为NPN型,由于是放大电路,那么就是Ue
本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然相等?
行云游鹤1年前4
神墓主人 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
两种载流子的乘积与费米能级无关,对于一定的半导体材料,乘积只决定于温度T.在一定温度下,对不同的半导体材料,因禁带宽度Eg不同,乘积也将不同.
所以,本征半导体温度升高后,两种载流子浓度都会发生变化,根据对本证载流子的推导,两种载流子浓度的表达式一样,因此会相等.
乘积公式不好打,我就省略了哦、
温度一定时,半导体中的本征载流子浓度是一定的吗?
付申1251年前1
DIY_aqiong 共回答了28个问题 | 采纳率82.1%
是一定,因为本征激发与温度和禁带宽度有指数函数关系,对于一定的半导体材料,在温度一定时,本征载流子浓度就将一定.
当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小
yajiaomu1年前0
共回答了个问题 | 采纳率
证明本征向量问题若厄米算符A的本征值为 a,b 相应的本征向量为|a>,|b>哈密顿算符写为 H = |a>,|b>是否
证明本征向量问题
若厄米算符A的本征值为 a,b 相应的本征向量为|a>,|b>
哈密顿算符写为 H = |a>,|b>是否 H的本征向量?
我是这样想,如果A和H对易,它们有共同的本征向量,所以我想证明
AH - HA =0
AH = a|a>
yeph211年前1
幸福中枢 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%
H|a>=|a>+b>
由于厄米算符A的本征值为 a,b 相应的本征向量为|a>,|b>
所以|a>,|b> 正交 =0
所以H|a>=|b>(假设以归一)
所以不是本征向量
英语翻译1.\x05本征及超高组区熔硅单晶(FZ-Silicon)通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美
英语翻译
1.x05本征及超高组区熔硅单晶(fz-silicon)
通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,起电阻率通常在1000Ω.cm以上,主要用于制作高反压器件和光学电子器件.
本次发布的8英寸区熔硅单晶,又我公司自主研发而成,是***首颗8英寸区熔硅单晶,该项技术达到了国际先进水平.
2.x05中子辐照区熔硅单晶(ntdfz-silicon)
本征区熔硅单晶通过中子辐射可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性.主要用于制作硅整流器、可控硅、巨型晶体管、晶闸管、静电感应晶闸管、绝缘栅双极晶体管,超高压二极管、智能功率器件、功率集成器件等,是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料.
allenchang121年前2
janue0828 共回答了26个问题 | 采纳率88.5%
1.The levy and ultra-high group area determined melting (FZ-Silicon)
Through the area of low melting process control impurity content low,defect density,lattice structure perfect determined,in the process of crystal growth not introducing any impurities,the resistivity usually in 1000 Ω.Cm above,mainly used for making high back pressure device and optical electronic devices.
The release of the 8 inches area determined melting,and my company independent research and development and into,is domestic first single 8 inches melting zone determined,the technology has reached the international advanced level.
2.Neutron irradiation melting zone determined (NTDFZ-Silicon)
The kind of neutron radiation determined through melting zone obtain high resistivity uniformity of the determined to ensure that the device the yield of production and consistency.Mainly used for making silicon rectifier,SCR,giant transistors,thyristor,
本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体?+3价为什么还是负离子?
wangxy12201年前1
lisi8888 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
你看图,在圈里的黑点都是电子,形成了固定的化学键,不能乱动,所以无法作为载流子.
白点空穴,就是那个白点没电子,所以白点没有形成固定的化学键,可以移动,作为载流子形成电流.
空穴是载流子的时候就是p型半导体,positive,因为空穴是带正电的.
+3价是最外层电荷数,和阴离子没关系,因为中性的硼最外层3个电子,现在有4个,比原来多1个,所以是阴离子.
比如食盐NaCl,Cl-也是阴离子,最外层电荷+7,现在形成食盐后,最外层有8个电子,比原来多一个,所以是阴离子.
【求助】量子力学问题:1.是否可观测量对应的算符一定是厄米算符?2.彼此相互对易的算符是否必然存在共同的本征函数系?3.
【求助】量子力学问题:
1.是否可观测量对应的算符一定是厄米算符?
2.彼此相互对易的算符是否必然存在共同的本征函数系?
3.对相互对易的算符,不确定原理的推导自然是平庸的结果(⊿A⊿B≥0,A,B为对应可观测量),但这是否必定意味着A,B可同时精确测量?
若不深追究,以上命题只需接受即可,不过希望高人能更理性的给出论证,尤其是从数学角度分析.
糖果粒粒1年前1
十月袋鼠 共回答了13个问题 | 采纳率84.6%
1:一个算符如果非厄密,那它的本征值就可能是复数,可观测量只能是实数.而且,大多数可观测量都存在一个物理的本征态(至少是理想上物理的),比如p,H,很多计算时也用x本征态(比如QCD核子问题),非厄密算符的本征态很多不能归一化,而且压根不是反射态.但就像喀兴林高量书上说的,厄密量且不说RL矢量之类的量,连角动量都不知道怎么观测,所以不是所有厄密的都可观测的,但可观测的都是厄密的.
2:1楼的说法是错的,LZ和L^2对易,有共同本征态,所以才有了化学上的spdf.只要算符不是奇异的,都差不多,线代上学的.
3:对易表明物理上存在AB共同本征态,测量都是测本征态,至于哥本哈根学派什么测量A会对态造成影响之类的,目前大多人认为这太假了,比如盖尔曼,人类不知道技术的测量和理论有什么关系,至少目前不知道.
在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体,使之导电性极差,然后再用扩散工艺在本征
在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体,使之导电性极差,然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性?
无声的雨云1年前4
lostwing 共回答了16个问题 | 采纳率68.8%
掺入杂质后,在本征半导体与杂质半导体中间就形成了PN结,
在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的.N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区.P 型半导体一边的空间电荷是负离子,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡.
  在PN结上外加一电压,如果P型一边接正极,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导电性.
  PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强.反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁.反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变.
  根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管.如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管.使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件.如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏特效应可制成太阳电池.此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能.PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心,是现代电子技术的基础.在二级管中广泛应用
如何证明厄米算符有实的本征值?是证明有实的本征值而不是证明本征值为实数
aa地府色分1年前2
r_lbu__a54yr4271 共回答了19个问题 | 采纳率84.2%
http://www.***.com/QK/84498X/2003002/7826521.html
里面提供了一般性的证明 比课本上的好
填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极
填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极
填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.
双极型晶体管从结构上看可以分成()和()两种类型,它们工作时有()和()两种载流子参与导电.
wwzxdbh1年前1
xiangxiang89 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%
杂质电离,PNP,NPN,电子,空穴
在本征半导体中参入微量三价元素形成的杂质半导体,其多数载流子是什么?
trynews1年前2
neui 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%
既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但
1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是增加电子载流子的数量.
2.提高温度和增加的电子载流子的数量的数量和空穴载流子,电子和空穴成对.
关于电子电工技术中,半导体的本征激发,空穴怎么运动的?
关于电子电工技术中,半导体的本征激发,空穴怎么运动的?
由于电子和空穴所带电荷的极性相反,它们的运动方向也是相反的,因此形成的电流方向是一致的,流过外电路的电流等于两者之和.上诉这句话中,我无法理解空穴是怎么运动的,因为空穴是因为共价键中的电子跑出去所造成的,难道在空穴移动中这个共价键要断裂,才移动.还是整体移动,但是整体移动若为形成空穴的一方,和其它原子都是形成共价键的,怎么可以移动呢?麻烦懂的说一声
大家都是拿空穴比作的是相对运动,那么这句话“因此形成的电流方向是一致的,流过外电路的电流等于”怎么理解.我的认为是看做一个正离子.书上有一幅图(P型半导体,加三价和加四价来说的)也说的是可移动的空穴、而不是单纯的相对运动.还有空穴带正电是相对于什么东西来说的呢?我觉得应该相当于原子来说的
ROFL1年前1
舟山人在ii 共回答了26个问题 | 采纳率80.8%
空穴:电子挣脱共价键的束缚,成为自由电子后留下的空位.
我做一个比喻:你可以把共价键想象成一个教室的桌椅和学生(每个位置都有学生),此时是一个稳定状态(没有运动的学生,也没有空桌椅,相当于不导电).突然有一个学生离开了位置(把学生看做自由电子,此时有自由电子),这时候就有一个位置空出来(空位置相当于空穴).为了把这个空位置填上,空位后面的人自动向前作(其实是后面的人前移,但是从前面观察,好像空位后移的效果),如此这样类推,就形成了空位移动.
空穴移动,是共价键中束缚电子(离开后面的座位,坐到前面空椅子的人)移动的后果.