本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然相等?

单质半导体与本征半导体的区别
英文的Intrinsic semiconductor和elemental semiconductor的区别是什么?

双极性三极管,如何推导发射极电阻Re所导致的本征跨导退化的表达式,g'=(g/1+gRe) 谢拉!
这是微电子器件的题目 10年考研题目的最后一题 但是答案只有这样一个式子.

量子力学,动量的概率分布函数

本人学艺不精,动量的本征函数应该就是图片最后的那个吧,可是习题答案里,为什么有些系数是内啥的二分之一次,而有些是二分之三次.我有点怀疑是不同的坐标系的问题,可是也不像啊.
然后对上面的三个概率分布函数全范围积分,第1题和第7题归一了,第5题没有归一.这答案真不靠谱= 感激不尽~

在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.）
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.） 五价 （ B）.四价 （C.） 三价 (D)空穴 (E)自由电子

量子力学
1、若两个力学量AB不对易,则若体系处于A的本征态时,波函数能不能用B的本征函数表示呢?（我态叠加原理不太理解,是不是体系的任意一个状态都能用任意一个力学量的本征态的波函数表示呢?）若可以表示,此时系数有何意义,根据测不准原理,A确定,则B不能确定,系数就不能理解为每个态的权重了吧?
2、力学量不守恒可不可以理解为在系统随时间演化时波函数若用此力学量本征态波函数叠加时,叠加的系数在随时间而变化所以不守恒呢?

在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体.
A.五价
B.四价
C.三价

本征半导体空穴为什么可以看做是载流子?
书上说价点去填补空穴所以说可以看做是空穴在动.但电子的移动本生产生电流算空穴时又看成电子的去填补移动.不是重复了吗?

1.本征半导体掺入五价元素后成为（ ）
a..本征半导体；b.N型半导体；c.P型半导体；
2.万用表直流电压档测出的电压是（ ）,交流电压档测出的电压是（ ）,示波器可 测出电压的（ ）.
a.有效值 b.平均值 c.幅值
3.测得一放大电路中某三极管三个电极电位分别为①端U1=2V,②端U2=4.8V,③端 U3=1.3V,基极是（ ）
a..①端； b.②端； c.③端；
4.射随器适合作多级放大电路的输出级,是因为它的（ ）
a.电压放大倍数近似为1 b.ri 很大 c.rO 很小
5.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上获得的最大（ ）.
a．交流功率 b．直流功率 c． 平均功率
6.电压串联负反馈可以（ ）.
A．提高ri和 ro b．提高ri降低ro
c．降低ri提高了ro d．降低ri和ro
7.为了增大放大电路的输入电阻,应引入（ ）负反馈.
a.电压 b.电流 c.串联 d.并联
8.整流的目是（ ）.
a．将交流变为直流； b．将高频变为低频； c．将正弦波变为方波
9.稳压二极管构成的稳压电路,其接法是（ ）.
a:稳压二极管与负载电阻串联 b:稳压二极管与负载电阻并联
c:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联
10、PN结反向向偏置时,其内电场被（ ）.
A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定

模拟电子题目请教
一、 填空
1、 半导体是一种导电能力介于_导体__与 绝缘体 之间的物体.
2、 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 5 价元素组成的.这种半导体内的多数载流子为 ,少数载流子为 ,不能移动的杂质离子带 电.P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的.这种半导体内的多数载流子为电子,少数载流子为 ,不能移动的杂质离子带 电.
3、 PN结具有______________性能,即加________电压时,PN结导通；加________电压时,PN结截止.
4、 硅稳压二极管通常是工作在 状态下的特殊二极管,在实际工作中,为保护稳压管,需要在外电路 .
5、 三极管的内部结构是由 区、 区、 区及 发射 结和 结组成的.三极管对外引出电极分别是 极、 极和 极.
6、 检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的 档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的 极；黑表棒接触的电极是二极管的 极.检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经 .
7、 基本放大电路的三种组态分别是： 放大电路、 放大电路和 放大电路.
8、 放大电路应遵循的基本原则是： 结正偏； 结反偏.
9、 静态工作点Q点设置过低将会产生 失真,设置过高将会产生 失真,这些失真都称为 失真.
10、 将放大器 的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做 信号.使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为 反馈；使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为 反馈.放大电路中常用的负反馈类型有 负反馈、 负反馈、 负反馈和 负反馈.
11、 多级放大器常用的耦合方式有________、________和________三种形式
12、 射极输出器具有 恒小于1、接近于1, 和 同相,并具有 高和 低的特点.
13、 共射放大电路的静态工作点设置较低,造成截止失真,其输出波形为 削顶.若采用分压式偏置电路,通过 调节 ,可达到改善输出波形的目的.
集成运算放大器具有 和 两个输入端,相应的输入方式有 输入、 输入
和 输入三种.
14、 射极输出器的特点是：电压放大倍数 ,电压跟随性好, 输入电阻 ,输出电阻 ,而且具有一定的 放大能力和功率放大能力.
15、 差动放大电路的共模抑制比KCMR= .共模抑制比越小,抑制零漂的能力越 .
16、 反相比例运算放大器当Rf ＝R1时,称作 器,同相比例运算放大器当R f ＝0,或R1为无穷大时,称作 器.
17、 串联型稳压电源由 电路、 电路、 电路和 电路四部份组成.
18、 某三级放大电路中,测得AU1=20,AU2=20,AU3=250,总的放大倍数是___________,
19、 一放大器无反馈时的放大倍数为80,加入负反馈后,放大倍数下降为16,它的反馈深度为 ,反馈系数为 .
20、 已知某放大器的放大倍数A＝150,加入反馈系数F＝0.1的负反馈,则它的闭环放大倍数Af ＝

要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的
三价元素 四价元素 五价元素 六价元素

厄米算符本征向量的问题
我在读一本量子力学的入门书,首章讨论数学基础问题,其中一节提到：对於厄米算符,它的本征向量相互正交并张开整个线性空间.我想不明日的是：难道我随便给出一个厄米算符,找出它的本征向量,总可以把这组向量作为基来展开空间中任何的其它向量?我给出的厄米算符是特定的,但却可以得到普适的基?难以理解.
另外,如果随便从一个厄米算符就可以得到一组基来张开整个空间,那麼,我从位置算符出发得到一组基,能用这组基来表示动量吗?这样的意思为何?
不好意思,刚学量子力学,问题较肤浅.

一个重要的量子力学问题
如果当x0,势函数为V(x) = mgx.则当x0时,解为Airy 函数,也有相应的本征能量值.但是综合来讲,粒子在这个分段Hamiltonian中的定态能量En（n=1,2,3,...) 是什么呢?是取左边(x0)的值,还是说只能取当左右两边能量相等时的能量值?

电工电子技术填空题,谁帮做下
1．PN结的基本特性是（ ）特性.
2．半导体中有（ ）和（ ）两种载流子,在本征半导体中掺着（ ）阶元素,可形成P型半导体.
3．差分放大电路的基本功能是（ ）.
4．为了稳定输出电流,应引入（ ）负反馈；为了稳定输出电压应引入（ ）反馈,为了提高输入电阻,应引入（ ）负反馈；为了降低输入电阻,应引入（ ）负反馈.
5、负反馈的类型可分为（ ）（ ）、（ ）、和（ ）.
6、将十进制数（127）10转换成二进制数为 （ ）2 .
7、将二进制数（101011）2转换成十进制数为 （ ）10 .
8、一个n变量的逻辑函数应有（ ）个最小项.

大学 电工电子基础
一、填空题（每空1分,共30分）
1.在本征半导体中加入 价元素可形成n型半导体,加入 价元素可形成p型半导体.
2.工作在放大区的晶体管发射结处于 偏置,集电结处于 偏置.
3.在共射极、共集电极两种组态放大电路中,电路没有电压放大作用,电路的输出电阻小.
4.电压串联负反馈可以稳定输出 ,输出电阻.
5.乙类功放电路的效率比甲类功放电路 ；甲类功放的效率最大不超过 ；乙类功放的效率最大为 .
6.otl功放采用 电源供电,输出端与负载间必须连接 元件.
7.理想集成运放的基本特性是av ,ri ,ro .集成运放正反馈应用时v+ v-,则vo为-vomax.
8.振荡电路的自激振荡的幅值条件是 ,相位条件是 .
9.直流稳压电源电路由 、 、 和 四部分组成.
10.模拟电路中的三极管一般都工作在 状态,数字电路中的三极管一般都工作在 状态和 状态.
11.（5.75）10转换成二进制数为 .
12.ttl与非门的阈值电压约为 .
13.a⊕a= ,a+a b = .
二、判断题（每小题1分,
1.如用万用表测得二极管的电阻很小,则红表笔相接的电极是二极管的负极,与黑表笔相接的电极是二极管的正极.（ ）
2.稳压管正常工作时工作在反向击穿状态.（ ）
3.三极管具有能量放大的作用.（ ）
4.温度升高时pn结中的正向电压值减小、反向电流值增大.（ ）
5.乙类功放电路在输出功率最大时,管子消耗的功率也最大.（ ）
6.只要将晶体管的静态工作点设置在三极管特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真.（ ）
7.石英晶体振荡器有并联型和串联型两种,石英晶片可等效为电感元件或电阻元件.（ ）
8.数字集成电路按有源器件的不同可分为ttl电路和mos电路两大类.（ ）
9.在逻辑运算中,如果ab=ac,则b=c.（ ）
10.函数f（a,b,c）=abc+a +b +c 的最简式为1.（ ）
三、单项选择题（每小题2分,
1.分别用万用表的r×100Ω档和r×1kΩ档测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量结果将（ ）.
a.前者大 b.后者大 c.相同
2.测得三极管各电极对地电位为：ub=4.7v,uc=4.3v,ue=4v,则该管工作在（ ）状态.
a.截止 b.饱和 c.放大 d.已损坏
3.工作在放大区的三极管,当ib从20μa增大到40μa时,ic从1ma变到2 ma,它的β约为（ ）.
a.10 b.50 c.100 d.75
4.正弦波振荡器产生自激振荡( ).
a.要求电路中要有正反馈
b.要求放大器的电压增益小于反馈网络的衰减倍数
c.要求反馈信号与原放大器输入信号反相
d.一旦形成,可一直无条件延续下去,除非断电
5.如右图电路,若u2=20v,则uo为( ).
a.24v b.18v c.9v d.20v
我只要答案,不要废话

数学物理方程的考研考纲中有关于固有（本征）函数的考点，我不懂，书上也没有本征函数，求解释？
1会用固有（本征）函数法求解非齐次方程带有齐次边界条件的定解问题。
2掌握本征（固有）值问题、本征值和本征函数的概念和意义，会求本征值问题的解（包括勒让德方程和贝塞尔方程的本征值问题）。

本征半导体怎么回事?
如题,本征半导体中电子电流和空穴电流大小相等,方向相反,总电流为二者绝对值之和.这种说法对吗?为什么?

本征半导体的掺杂浓度的变化所引起的导电特性的变化
给出导电特性变化曲线 或者 导电特性变化函数都可以的.
如果有图片说明之类的注释的话追加50分.

电路选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ ）
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于（ ）
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是（ ）
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
4、PN结加正向电压时,其正向电流是由（ ）的.
A．多数载流子扩散而成 B．多数载流子漂移而成
C．少数载流子扩散而成 D．少数载流子漂移而成
5、P型半导体是在本征半导体中加入（ ）物质后形成的
A电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素
这是单选题，只有一个答案的

证明本征向量问题
若厄米算符A的本征值为 a,b 相应的本征向量为|a>,|b>
哈密顿算符写为 H = |a>,|b>是否 H的本征向量?
我是这样想,如果A和H对易,它们有共同的本征向量,所以我想证明
AH - HA =0
AH = a|a>

英语翻译
1.x05本征及超高组区熔硅单晶（fz-silicon）
通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,起电阻率通常在1000Ω.cm以上,主要用于制作高反压器件和光学电子器件.
本次发布的8英寸区熔硅单晶,又我公司自主研发而成,是***首颗8英寸区熔硅单晶,该项技术达到了国际先进水平.
2.x05中子辐照区熔硅单晶（ntdfz-silicon）
本征区熔硅单晶通过中子辐射可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性.主要用于制作硅整流器、可控硅、巨型晶体管、晶闸管、静电感应晶闸管、绝缘栅双极晶体管,超高压二极管、智能功率器件、功率集成器件等,是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料.

【求助】量子力学问题：
1.是否可观测量对应的算符一定是厄米算符?
2.彼此相互对易的算符是否必然存在共同的本征函数系?
3.对相互对易的算符,不确定原理的推导自然是平庸的结果（⊿A⊿B≥0,A,B为对应可观测量）,但这是否必定意味着A,B可同时精确测量?
若不深追究,以上命题只需接受即可,不过希望高人能更理性的给出论证,尤其是从数学角度分析.

在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体,使之导电性极差,然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性?

填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极
填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.
双极型晶体管从结构上看可以分成（）和（）两种类型,它们工作时有（）和（）两种载流子参与导电.

关于电子电工技术中,半导体的本征激发,空穴怎么运动的?
由于电子和空穴所带电荷的极性相反,它们的运动方向也是相反的,因此形成的电流方向是一致的,流过外电路的电流等于两者之和.上诉这句话中,我无法理解空穴是怎么运动的,因为空穴是因为共价键中的电子跑出去所造成的,难道在空穴移动中这个共价键要断裂,才移动.还是整体移动,但是整体移动若为形成空穴的一方,和其它原子都是形成共价键的,怎么可以移动呢?麻烦懂的说一声
大家都是拿空穴比作的是相对运动,那么这句话“因此形成的电流方向是一致的,流过外电路的电流等于”怎么理解.我的认为是看做一个正离子.书上有一幅图（P型半导体,加三价和加四价来说的）也说的是可移动的空穴、而不是单纯的相对运动.还有空穴带正电是相对于什么东西来说的呢?我觉得应该相当于原子来说的