MOSFET芯片具体指哪些芯片？

以电子导电为主的半导体是n-type半导体，其中电子是多数载流子，空穴是少数载流子；以空穴导电为主的半导体是p-type半导体，其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。如果两种载流子（电子和空穴）都对导电起着相同的作用，则为本征半导体。本征半导体的电导率不一定很低，例如在高温下的半导体基本上都呈现为本征半导体，电导率很高；只有未掺杂的本征半导体才具有很低的电导率。

质子泵有三类：P-type、V-type、F-type。1、P-type：载体蛋白利用ATP使自身磷酸化（phosphorylation），发生构象的改变来转移质子或其它离子，如植物细胞膜上的H+泵、动物细胞的Na+-K+泵、Ca2+离子泵，H+-K+ATP酶（位于胃表皮细胞，分泌胃酸）。2、V-type：位于小泡（vacuole）的膜上，由许多亚基构成，水解ATP产生能量，但不发生自磷酸化，位于溶酶体膜、动物细胞的内吞体、高尔基体的囊泡膜、植物液泡膜上。3、F-type：是由许多亚基构成的管状结构，H+沿浓度梯度运动，所释放的能量与ATP合成耦联起来，所以也叫ATP合酶（ATP synthase），F是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子（factor）的缩写。F型质子泵位于细菌质膜，线粒体内膜和叶绿体的类囊体膜上。F型质子泵不仅可以利用质子动力势将ADP转化成ATP，也可以利用水解ATP释放的能量转移质子。

pin二极管工作原理PIN二极管是一种常见的半导体器件，全称为p-type和n-type材料交替排列二极管（p-typeintralayern-type）。它的工作原理基于半导体中电子和空穴的运动。在PIN二极管中，p-type半导体是由带正电荷的空穴构成的，而n-type半导体是由带负电荷的电子构成的。这两种材料通过一个共接触层相接，从而形成一个PN结。在PN结中，电子和空穴通过电子-空穴对的漂移和扩散运动来构成电流。当一个正电压被施加到n-type半导体上时，它会吸引更多的电子，从而形成越来越多的空穴在p-type半导体中。这样，在PN结中形成的电动势差会抑制电流的流动，从而使二极管处于关闭状态。当一个负电压被施加到p-type半导体上时，它会吸引更多的空穴，从而形成越来越多的电子在n-type半导体中。这样，在PN结中形成的电动势差会促进电流的流动，从而使二极管处于开启状态。因此，PIN二极管可以用作电流开关，控制电路中电流的流动。它在很多电子电路中都被广泛应用，如放大电路、检波电路、信号分离电路等。总的来说，PIN二极管是一种非常重要且常见的电子元器件，它的工作原理在电子电路中得到了广泛应用。如果您想了解更多关于半导体器件的工作原理和应用，可以考虑阅读相关的书籍和论文。

Positive - Negative junction不是不知道，只是没想到，呵呵

三极管是一种电子器件，它的工作原理是利用电子的导电性和接口电容效应。三极管由三部分组成：p-type半导体材料，n-type半导体材料和一个接触二极管。p-type半导体材料中含有少量的电空穴，n-type半导体材料中含有少量的电子。在三极管中，p-type和n-type半导体材料被接触成一个p-n结接触，在这个接触处产生了一个电压差，这个电压差被称为基极电压。当在三极管的正向基极和反向基极之间施加电压时，就可以控制电流流过三极管。

、P型离子泵(P-type ion pump)，或称P型ATPase。此类运输泵运输时需要磷酸化(P是phosphorylation的缩写)，包括Na+-K+泵、Ca2+离子泵。 2、V型泵(V-type pump)，或称V型ATPase，主要位于小泡的膜上( V代表vacuole或vesicle)，如溶酶体膜中的H+泵，运输时需要ATP供能，但不需要磷酸化。 3、F型泵(F-type pump)，或称F型ATPase。这种泵主要存在于细 菌质膜、线粒体内膜和叶绿体的类囊体膜中，它们在能量转换中起重要作用，是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子(F即factor的 缩写)。 4、ABC运输蛋白(ATP-binding cassettle transportor)，这是一大类以ATP供能的运输蛋白，已发现了100多种，存在范围很广，包括细菌和人。 前3种只转运离子，后一种主要是转运小分子。

是两种半导体，p型和n型，分别对应英文单词positive和negative。

定义一个新数据类型ptype它是指针类型有两个double类型的参数；返回值也是double类型。

看多数载流子是什么。如果多数载流子是电子就是N-type; 如果多数载流子是空穴就是P-type

你好，我认为有机半导体中P-type (donor)和N-type (acceptor)是根据他们HOMO和LUMO的相对高低位置来决定的，P-type (donor)的HOMO和LUMO比N-type (acceptor)的HOMO和LUMO要高. 仅供参考！请批评指正。

钠钾泵（也称钠钾转运体），为蛋白质分子，进行钠离子和钾离子之间的交换。每当三个钠离子被转运出细胞，就有两个钾离子被转运到细胞内部。保持膜内高钾膜外高钠的不均匀离子分布。na+-k+泵——实际上就是na+-k+atp酶,存在于动,植物细胞质膜上,它有大小两个亚基,大亚基催化atp水解,小亚基是一个糖蛋白.na+-k+atp酶通过磷酸化和去磷酸化过程发生构象的变化,导致与na+,k+的亲和力发生变化.大亚基以亲na+态结合na+后,触发水解atp.每水解一个atp释放的能量输送3个na+到胞外,同时摄取2个k+入胞,造成跨膜梯度和电位差,这对神经冲动传导尤其重要,na+-k+泵造成的膜电位差约占整个神经膜电压的80%.若将纯化的na+-k+泵装配在红细胞膜囊泡(血影)上,人为地增大膜两边的na+,k+梯度到一定程度,当梯度所持有的能量大于atp水解的化学能时,na+,k+会反向顺浓差流过na+-k+泵,同时合成atp.　　钠钾泵的一个特性是他对离子的转运循环依赖自磷酸化过程,atp上的一个磷酸基团转移到钠钾泵的一个天冬氨酸残基上,导致构象的变化.通过自磷酸化来转运离子的离子泵就叫做p-type,与之相类似的还有钙泵和质子泵.它们组成了功能与结构相似的一个蛋白质家族.na-k泵作用是:①维持细胞的渗透性,保持细胞的体积;②维持低na+高k+的细胞内环境,维持细胞的静息电位.　　乌本苷(ouabain)、地高辛(digoxin)等强心剂能抑制心肌细胞na+-k+泵的活性使细胞内na+增高;从而提高钠钙交换器效率,使内流钙离子增多,加强心肌收缩,因而具有强心作用.由于na+-k+泵在人体的生命活动中具有如此重要作用,更与疾病有着千丝万缕的关系,我们相信在不久的将来,随着的研究的深入,人们一定能解决许许多多的未解之谜!　　除na—k泵外，还有与ca、h转运有关的ca泵和质子泵。这些“泵”的作用，对于维持细胞内环境的稳定亦具有重要意义。　　总结：人体吸钾排钠

DM多孔砖中的DM是M－type的多孔砖的意思，指外形尺寸为190mm×190mm×90mm的砖。M型多孔砖的特点由主砖及少量配砖构成砌墙不砍砖基本墙厚为190mm，墙厚可根据结构抗震和热工要求按半模级差变化这无疑在节省墙体材料上比实心砖和P型多孔砖更加合理其缺点是给施工带来不便。多孔砖分别为P型和M型，由粘土、粉煤灰、页岩等材质为原材料烧制而成，具有施工方便和体轻、保温效果好、收缩变形小、外观规整等特点，而空心砖是由粘土煤矸石或者是粉煤灰为主材制作而成的，质轻、强度高、保温、隔音降噪性能好。按抗压强度（牛顿/平方毫米，N/mm²）的大小分为MU30、MU25、MU20、MU15、MU10、MU7.5 这6个强度等级。粘土砖就地取材 ，价格便宜 ，经久耐用 ，还有防火、隔热、隔声、吸潮等优点，在土木建筑工程中使用广泛。废碎砖块还可作混凝土的集料。为改进普通粘土砖块小、自重大、耗土多的缺点，正向轻质、高强度、空心、大块的方向发展。灰砂砖以适当比例的石灰和石英砂、砂或细砂岩，经磨细、加水拌和、半干法压制成型并经蒸压养护而成。粉煤灰砖以粉煤灰为主要原料，掺入煤矸石粉或粘土等胶结材料，经配料、成型、干燥和焙烧而成，可充分利用工业废渣，节约燃料。空心砖的种类有水泥空心砖、粘土空心砖、页岩空心砖。通常来说空心砖的孔洞率在15％以上，这样不仅能节省大量的土地用土和烧砖燃料，而且还减轻了运输重量和制砖和砌砖的劳动力，从而使施工的进度变快，在减轻建筑物自重的同时降低造价等诸多优势。空心砖能节省大量的土地用土和烧砖燃料，而且还减轻了运输重量和制砖和砌砖的劳动力，从而使施工的进度变快，在减轻建筑物自重的同时降低造价等诸多优势，但是致命的缺点是抗震性能差；还是都用多孔砖比较好，多孔砖比较质轻、经久耐用、保温效果好、不易收缩变形，成本也没有高于空心砖太多。多孔砖和空心砖说到底，最大的区别就是适用于的部位不同，但空心砖最致命的缺点就是抗震性能差。所以对于自建房，还是都用多孔砖比较好，而且多孔砖施工也方便、质轻、经久耐用、保温效果好、不易收缩变形。扩展资料：多孔砖具有生产能耗低、节土利废、施工方便和体轻、强度高、保温效果好、耐久、收缩变形小、外观规整等特点。根据生产材料，多孔砖可分为几种常见的类型。其中烧结的有黏土多孔砖、煤矸石多孔砖、页岩多孔砖、粉煤灰多孔砖，非烧结的有混凝土多孔砖等。不同材料做成的多孔砖各有各的优势，煤研石多孔砖砖坯性能好，产品周期短、强度高、用燃料少，又能利用工业废料。页岩多孔砖成品强度高。参考资料：百度百科-多孔砖

N MOS和P MOS是不能换的,因为二者的驱动电平不一样,N为高电平开,P的为低电平.现实中,NMOS应用的多,所以N MOS的型号会比P的多,价格上也会OK.

INPUT UNIT是指输入单元，OUTPUT UNIT是指输入出单元，这个是在程序运行时手轮插入（左上角红色的英文就是手轮插入的意思）时用的，在手轮有插入运行后一定要把这个输入值归零，否则会报警。相对坐标是对的，DISTANCE TO GO是指还有多少距离需要进给，即离目标位置的距离。SEQ...是指顺序号搜索，P-TYPE,Q-TYPE是指P型，和Q型

乌本苷为什么加强心肌细胞收缩作用作用：细胞内高钾是许多代谢反应进行的必需条件；防止细胞水肿；势能贮备；神经动作电位传导所必需.作用方式：钠钾泵的作用方式可因不同生理条件而异,在红细胞膜中可能有以下几种方式:1.正常的作用方式——利用ATP的水解与Na+-K+的跨膜转运相偶联.2.泵的反方向作用——利用Na+-K+的跨膜转运来推动ATP的合成.3.Na+ - Na+交换反应可能与ATP和ADP交换反应相偶联.4.K+ - K+交换反应与Pi和H2(18)O的交换反应相偶联.5.依赖ATP水解,解偶联使Na+排出.工作原理和作用：Na+-K+泵 ——实际上就是Na+-K+ATP酶,存在于动,植物细胞质膜上,它有大小两个亚基,大亚基催化ATP水解,小亚基是一个糖蛋白.Na+-K+ATP酶通过磷酸化和去磷酸化过程发生构象的变化,导致与Na+,K+的亲和力发生变化.大亚基以亲Na+态结合Na+后,触发水解ATP.每水解一个ATP释放的能量输送3个Na+到胞外,同时摄取2个K+入胞,造成跨膜梯度和电位差,这对神经冲动传导尤其重要,Na+-K+泵造成的膜电位差约占整个神经膜电压的80%.若将纯化的Na+-K+泵装配在红细胞膜囊泡(血影)上,人为地增大膜两边的Na+,K+梯度到一定程度,当梯度所持有的能量大于ATP水解的化学能时,Na+,K+会反向顺浓差流过Na+-K+泵,同时合成ATP.　　钠钾泵的一个特性是他对离子的转运循环依赖自磷酸化过程,ATP上的一个磷酸基团转移到钠钾泵的一个天冬氨酸残基上,导致构象的变化.通过自磷酸化来转运离子的离子泵就叫做P-type,与之相类似的还有钙泵和质子泵.它们组成了功能与结构相似的一个蛋白质家族 .Na-K泵作用是:①维持细胞的渗透性,保持细胞的体积;②维持低Na+高K+的细胞内环境,维持细胞的静息电位.　　乌本苷(ouabain)、地高辛(digoxin)等强心剂能抑制心肌细胞Na+-K+泵的活性使细胞内Na+增高;从而提高钠钙交换器效率,使内流钙离子增多,加强心肌收缩,因而具有强心作用.

（a）n0=ni*exp[（Ef-Ei）/K*T], Ef是费米能级，Ei是本征费米能级，ni为300k时Si的本征载流子浓度，这个可以查书上的图得到，大约是1.5*10^10，这里计算主要计算能级差，结果可以表述为Ef在Ei下方几eV处。（b）根据质量作用定理，ni^2=p0*n0,从而求得p0的大小（c）显然p0>>n0,因此半导体为p-type

现在的交通非常的发达，各种各样的运输方式真的是让我们目不暇接，并且非常的方便。

MOS管其实很简单的。先看下边结构，是一个NPN结构，如果你给左边的N接地，右边的N加电压，你说会有电流通过吗？答案一定是不会对吧？原因是两个PN节背对背接，不可能有电流通过。------------------------------------N-type |P-type | N-type |------------------------------------那么你有什么办法让电流可以通过呢？最直接的想法就是让中间的p-type半导体变成n-type的。有什么办法吗？上个世纪30年代一帮人发现只要给中间的p-type半导体上做一层氧化物，然后给氧化物上加电极，再在电极上加正电，这样电极上的正电就会吸引P-type表面的电子，随着电子增多，P-typ的表面就会变成N-type。这样就相当于三个N-type半导体连在一起。所以就可以导电了。 ----------- |metal | ------------ | oxide |------------------------------------N-type |P-type | N-type |------------------------------------这样的结构，电流大小就可以由氧化物上的电压控制，这就是MOS管的基本工作原理。中间的P-type就好像一个沟道一样，可以被控制打开或者关上，所以就是沟道。如果是沟道P型半导体，那MOS管反而是NMOS，因为转型以后是N-type的。我们上边描述的这种情况是增强型的，也是常见的情况。特殊情况下，如果不需要加电压，只需要通过金属的功函数就可以把沟道半导体给转型，就是耗尽型的了。

朋友，这个就是我们人类认识当然的结果！

质子泵指能逆浓度梯度转运氢离子通过膜的膜整合糖蛋白。质子泵的驱动依赖于ATP水解释放的能量，质子泵在泵出氢离子时造成膜两侧的pH梯度和电位梯度。质子泵有三类：P-type、V-type、F-type。P型质子泵：存在生物：真核生物的细胞膜特点：转运H+过程涉及磷酸化和去磷酸化V型质子泵：存在生物：动物细胞溶酶体膜和植物细胞液胞膜特点：转运H+过程不形成磷酸化中间体共同的功能：保持细胞质基质内中性pH和细胞器内的酸性pHF型质子泵：存在生物：线粒体膜和植物内膜

MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容　　当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。考虑一个p-type的半导体（电洞浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。　　MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的漏极。MOSFET的结构如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为n-type（即NMOS）或是同为p-type（即PMOS）。左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义：(1)N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；（2）“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是p-type。反之对PMOS而言，基体应该是n-type，而源极与漏极则为p-type（而且是重掺杂的P+）。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高，故在左图中没有“+”。　　对这个NMOS而言，真正用来作为通道、让载子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成通道，让n-type半导体的多数载子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么通道就无法形成，载子也无法在源极与漏极之间流动。　　假设操作的对象换成PMOS，那么源极与漏极为p-type、基体则是n-type。在PMOS的栅极上施加负电压，则半导体上的电洞会被吸引到表面形成通道，半导体的多数载子—电洞则可以从源极流向漏极。假设这个负电压被移除，或是加上正电压，那么通道无法形成，一样无法让载子在源极和漏极间流动。　　特别要说明的是，源极在MOSFET里的意思是“提供多数载子的来源”。对NMOS而言，多数载子是电子；对PMOS而言，多数载子是电洞。相对的，漏极就是接受多数载子的端点。　　MOSFET的操作模式　　NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGS − Vth的关系　　MOSFET在线性区操作的截面图　　MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极，与漏极等三个端点施加的“偏压”（bias）不同，一个常见的加强型（enhancement mode）n-type MOSFET有下列三种操作区间：　　线性区（三极区）（linear or triode region）　　当VGS>Vth、且VDS　　μn是载子迁移率（carrier mobility）、W是MOSFET的栅极宽度、L是MOSFET的栅极长度，而Cox则是栅极氧化层的单位电容大小。在这个区域内，MOSFET的电流—电压关系有如一个线性方程式，因而称为线性区。　　饱和区（saturation region）　　当VGS>Vth、且VDS>VGS-Vth，这颗MOSFET为导通的状况，也形成了通道让电流通过。但是随着漏极电压增加，超过栅极电压时，会使得接近漏极区的反转层电荷为零，此处的通道消失（如图），这种状况称之为“夹止”（pinch-off）。在这种状况下，由源极出发的载子经由通道到达夹止点时，会被注入漏极周围的空间电荷区（space charge region），再被电场扫入漏极。此时通过MOSFET的电流与其漏极—源极间的电压且VDS无关，只与栅极电压有关，关系式如下：　　上述的公式也是理想状况下，MOSFET在饱和区操作的电流与电压关系式。事实上在饱和区的MOSFET漏极电流会因为通道长度调变效应（channel length modulation effect）而改变，并非与且VDS全然无关。考虑通道长度调变效应之后的饱和区电流—电压关系式如下：　　关于通道长度调变效应的成因与影响将在后面叙述。　　截止区（次临界区）（cut-off or sub-threshold region）　　当栅极和源极间的电压VGS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold voltage, Vth）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。　　但事实上当VGS在一些拥有大量MOSFET的集成电路产品，如DRAM，次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。　　基板效应　　在集成电路中的MOSFET组件可能会出现基极与源极并不直接相连的状况，这种状况造成的副作用称为基板效应（body effect）。MOSFET受到基板效应的影响，临界电压会有所改变，公式如下：　　,　　VTO是基极与源极之间无电位差时的临界电压，γ是基板效应参数，2φ则是与半导体能阶相关的参数。　　[编辑] MOSFET在电子电路上应用的优势　　MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实现成功，这种组件的操作原理和1947年萧克利（William Shockley）等人发明的双载子接面晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高集成度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits, LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI）的领域里，重要性远超过BJT。　　近年来由于MOSFET组件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、单片机等数字信号处理的场合上，也有越来越多模拟信号处理的集成电路可以用MOSFET来实现，以下分别介绍这些应用。　　[编辑] 数字电路　　数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动组件中最快的一种。MOSFET在数字信号处理上最主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构最大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门最基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样，同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。　　MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）信号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如最常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。　　[编辑] 模拟电路　　有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的首选，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随着MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermal runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代传统的多晶硅电阻（poly resistor），或是MOS电容本身可以用来取代常用的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容（PIP capacitor），甚至在适当的电路控制下可以表现出电感（inductor）的特性，这些好处都是BJT很难提供的。也就是说，MOSFET除了扮演原本晶体管的角色外，也可以用来作为模拟电路中大量使用的被动组件（passive device）。这样的优点让采用MOSFET实现模拟电路不但可以满足规格上的需求，还可以有效缩小芯片的面积，降低生产成本。　　随着半导体制造技术的进步，对于集成更多功能至单一芯片的需求也跟着大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board, PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的模拟芯片与数字芯片被集成至同一个芯片内。MOSFET原本在数字集成电路上就有很大的竞争优势，在模拟集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路集成起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如模拟/数字转换器（Analog-to-Digital Converter, ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。　　近年来还有一种集成MOSFET与BJT各自优点的制程技术：BiCMOS（Bipolar-CMOS）也越来越受欢迎。BJT组件在驱动大电流的能力上仍然比一般的CMOS优异，在可靠度方面也有一些优势，例如不容易被“静电放电”（ESD）破坏。所以很多同时需要复噪声号处理以及强大电流驱动能力的集成电路产品会使用BiCMOS技术来制作。　　[编辑] MOSFET的尺寸缩放　　过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。早期的集成电路MOSFET制程里，通道长度约在几个微米（micrometer）的等级。但是到了今日的集成电路制程，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。2008年初，Intel开始以45纳米（nanometer）的技术来制造新一代的微处理器，实际的组件通道长度可能比这个数字还小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不断缩小，让集成电路的效能大大提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有着密不可分的关系。　　[编辑] 为何要把MOSFET的尺寸缩小　　基于以下几个理由，我们希望MOSFET的尺寸能越小越好。　　越小的MOSFET象征其通道长度减少，让通道的等效电阻也减少，可以让更多电流通过。虽然通道宽度也可能跟着变小而让通道等效电阻变大，但是如果能降低单位电阻的大小，那么这个问题就可以解决。　　MOSFET的尺寸变小意味着栅极面积减少，如此可以降低等效的栅极电容。此外，越小的栅极通常会有更薄的栅极氧化层，这可以让前面提到的通道单位电阻值降低。不过这样的改变同时会让栅极电容反而变得较大，但是和减少的通道电阻相比，获得的好处仍然多过坏处，而MOSFET在尺寸缩小后的切换速度也会因为上面两个因素加总而变快。　　MOSFET的面积越小，制造芯片的成本就可以降低，在同样的封装里可以装下更高密度的芯片。一片集成电路制程使用的晶圆尺寸是固定的，所以如果芯片面积越小，同样大小的晶圆就可以产出更多的芯片，于是成本就变得更低了。　　虽然MOSFET尺寸缩小可以带来很多好处，但同时也有很多负面效应伴随而来。　　[编辑] MOSFET的尺寸缩小后出现的困难　　把MOSFET的尺寸缩小到一微米以下对于半导体制程而言是个挑战，不过现在的新挑战多半来自尺寸越来越小的MOSFET组件所带来过去不曾出现的物理效应。　　[编辑] 次临限传导　　由于MOSFET栅极氧化层的厚度也不断减少，所以栅极电压的上限也随之变少，以免过大的电压造成栅极氧化层崩溃（breakdown）。为了维持同样的性能，MOSFET的临界电压也必须降低，但是这也造成了MOSFET越来越难以完全关闭。也就是说，足以造成MOSFET通道区发生弱反转的栅极电压会比从前更低，于是所谓的次临限电流（subthreshold current）造成的问题会比过去更严重，特别是今日的集成电路芯片所含有的晶体管数量剧增，在某些VLSI的芯片，次临限传导造成的功率消耗竟然占了总功率消耗的一半以上。　　不过反过来说，也有些电路设计会因为MOSFET的次临限传导得到好处，例如需要较高的转导/电流转换比（transconductance-to-current ratio）的电路里，利用次临限传导的MOSFET来达成目的的设计也颇为常见。　　[编辑] 芯片内部连接导线的寄生电容效应　　传统上，CMOS逻辑门的切换速度与其组件的栅极电容有关。但是当栅极电容随着MOSFET尺寸变小而减少，同样大小的芯片上可容纳更多晶体管时，连接这些晶体管的金属导线间产生的寄生电容效应就开始主宰逻辑门的切换速度。如何减少这些寄生电容，成了芯片效率能否向上突破的关键之一。　　[编辑] 芯片发热量增加　　当芯片上的晶体管数量大幅增加后，有一个无法避免的问题也跟着发生了，那就是芯片的发热量也大幅增加。一般的集成电路组件在高温下操作可能会导致切换速度受到影响，或是导致可靠度与寿命的问题。在一些发热量非常高的集成电路芯片如微处理器，目前需要使用外加的散热系统来缓和这个问题。　　在功率晶体管（Power MOSFET）的领域里，通道电阻常常会因为温度升高而跟着增加，这样也使得在组件中pn-接面（pn-junction）导致的功率损耗增加。假设外置的散热系统无法让功率晶体管的温度保持在够低的水平，很有可能让这些功率晶体管遭到热破坏（thermal runaway）的命运。　　[编辑] 栅极氧化层漏电流增加　　栅极氧化层随着MOSFET尺寸变小而越来越薄，目前主流的半导体制程中，甚至已经做出厚度仅有1.2纳米的栅极氧化层，大约等于5个原子叠在一起的厚度而已。在这种尺度下，所有的物理现象都在量子力学所规范的世界内，例如电子的穿隧效应（tunneling effect）。因为穿隧效应，有些电子有机会越过氧化层所形成的位能障壁（potential barrier）而产生漏电流，这也是今日集成电路芯片功耗的来源之一。　　为了解决这个问题，有一些介电常数比二氧化硅更高的物质被用在栅极氧化层中。例如铪（hafnium）和锆（Zirconium）的金属氧化物（二氧化铪、二氧化锆）等高介电常数的物质均能有效降低栅极漏电流。栅极氧化层的介电常数增加后，栅极的厚度便能增加而维持一样的电容大小。而较厚的栅极氧化层又可以降低电子通过穿隧效应穿过氧化层的机率，进而降低漏电流。不过利用新材料制作的栅极氧化层也必须考虑其位能障壁的高度，因为这些新材料的传导带（conduction band）和价带（valenceband）和半导体的传导带与价带的差距比二氧化硅小（二氧化硅的传导带和硅之间的高度差约为8ev），所以仍然有可能导致栅极漏电流出现。　　[编辑] 制程变异更难掌控　　现代的半导体制程工序复杂而繁多，任何一道制程都有可能造成集成电路芯片上的组件产生些微变异。当MOSFET等组件越做越小，这些变异所占的比例就可能大幅提升，进而影响电路设计者所预期的效能，这样的变异让电路设计者的工作变得更为困难。　　[编辑] MOSFET的栅极材料　　理论上MOSFET的栅极应该尽可能选择电性良好的导体，多晶硅在经过重掺杂之后的导电性可以用在MOSFET的栅极上，但是并非完美的选择。目前MOSFET使用多晶硅作为的理由如下：　　1. MOSFET的临界电压（threshold voltage）主要由栅极与通道材料的功函数（work function）之间的差异来决定，而因为多晶硅本质上是半导体，所以可以借由掺杂不同极性的杂质来改变其功函数。更重要的是，因为多晶硅和底下作为通道的硅之间能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的临界电压时可以借由直接调整多晶硅的功函数来达成需求。反过来说，金属材料的功函数并不像半导体那么易于改变，如此一来要降低MOSFET的临界电压就变得比较困难。而且如果想要同时降低PMOS和NMOS的临界电压，将需要两种不同的金属分别做其栅极材料，对于制程又是一个很大的变量。　　2. 硅—二氧化硅接面经过多年的研究，已经证实这两种材料之间的缺陷（defect）是相对而言比较少的。反之，金属—绝缘体接面的缺陷多，容易在两者之间形成很多表面能阶，大为影响组件的特性。　　3. 多晶硅的融点比大多数的金属高，而在现代的半导体制程中习惯在高温下沉积栅极材料以增进组件效能。金属的融点低，将会影响制程所能使用的温度上限。　　不过多晶硅虽然在过去二十年是制造MOSFET栅极的标准，但也有若干缺点使得未来仍然有部份MOSFET可能使用金属栅极，这些缺点如下：　　1. 多晶硅导电性不如金属，限制了信号传递的速度。虽然可以利用掺杂的方式改善其导电性，但成效仍然有限。目前有些融点比较高的金属材料如：钨（Tungsten）、钛（Titanium）、钴（Cobalt）或是镍（Nickel）被用来和多晶硅制成合金。这类混合材料通常称为金属硅化物（silicide）。加上了金属硅化物的多晶硅栅极有着比较好的导电特性，而且又能够耐受高温制程。此外因为金属硅化物的位置是在栅极表面，离通道区较远，所以也不会对MOSFET的临界电压造成太大影响。　　在栅极、源极与漏极都镀上金属硅化物的制程称为“自我对准金属硅化物制程”（Self-Aligned Silicide），通常简称salicide制程。　　2. 当MOSFET的尺寸缩的非常小、栅极氧化层也变得非常薄时，例如现在的制程可以把氧化层缩到一纳米左右的厚度，一种过去没有发现的现象也随之产生，这种现象称为“多晶硅空乏”。当MOSFET的反转层形成时，有多晶硅空乏现象的MOSFET栅极多晶硅靠近氧化层处，会出现一个空乏层（depletion layer），影响MOSFET导通的特性。要解决这种问题，金属栅极是最好的方案。目前可行的材料包括钽（tantalum）、钨、氮化钽（Tantalum Nitride），或是氮化钛（Titalium Nitride）。这些金属栅极通常和高介电常数物质形成的氧化层一起构成MOS电容。另外一种解决方案是将多晶硅完全的合金化，称为FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程。　　[编辑] 各种常见的MOSFET技术　　[编辑] 双栅极MOSFET　　双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency, RF）集成电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。　　[编辑] 耗尽型MOSFET　　一般而言，耗尽型（depletion mode）MOSFET比前述的增强型（enhancement mode）MOSFET少见。耗尽型MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度，使得这种MOSFET的栅极就算没有加电压，通道仍然存在。如果想要关闭通道，则必须在栅极施加负电压（对NMOS而言）。耗尽型MOSFET是属于“常闭型”（normally-closed）（ON）的开关，而相对的，增强型MOSFET则属于“常断型”（normally-open）（OFF）的开关。　　[编辑] NMOS逻辑　　同样驱动能力的NMOS通常比PMOS所占用的面积小，因此如果只在逻辑门的设计上使用NMOS的话也能缩小芯片面积。不过NMOS逻辑虽然占的面积小，却无法像CMOS逻辑一样做到不消耗静态功率，因此在1980年代中期后已经渐渐退出市场。　　[编辑] 功率MOSFET　　功率晶体管单元的截面图。通常一个市售的功率晶体管都包含了数千个这样的单元。主条目：功率晶体管　　功率MOSFET和前述的MOSFET组件在结构上就有着显著的差异。一般集成电路里的MOSFET都是平面式（planar）的结构，晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。而所有的功率组件都是垂直式（vertical）的结构，让组件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率MOSFET能耐受的电压是杂质掺杂浓度与n-type磊晶层（epitaxial layer）厚度的函数，而能通过的电流则和组件的通道宽度有关，通道越宽则能容纳越多电流。对于一个平面结构的MOSFET而言，能承受的电流以及崩溃电压的多寡都和其通道的长宽大小有关。对垂直结构的MOSFET来说，组件的面积和其能容纳的电流成大约成正比，磊晶层厚度则和其崩溃电压成正比。　　

　　1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD"S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD"S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。　　2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度1000PPM。　　3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。　　4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。　　5 AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。　　6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。　　7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。　　8 AL/SI 铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。　　9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5％铜，1％硅及98.5％铝，一般制程通常是使用99％铝1％硅，后来为了金属电荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加0.5％铜，以降低金属电荷迁移。　　10 ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。　　11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。　　12 ANGSTRON 埃 是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。　　13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写，也就是说，反应气体（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。　　14 AS75 砷 自然界元素之一；由33个质子，42个中子即75个电子所组成。半导体工业用的砷离子（As＋）可由AsH3气体分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-场区、空乏区及S/D植入。　　15 ASHING，STRIPPING 电浆光阻去除 1. 电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除。2. 电浆光阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由帮浦抽走，达到光阻去除的目的。3. 电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后，表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。　　16 ASSEMBLY 晶粒封装 以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中，以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程，即称为晶粒封装（Assembly）。封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装，制程包括：芯片切割→晶粒目检→晶粒上「架」（导线架，即Lead frame）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。以树酯为材料之IC，通常用于消费性产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料之IC，属于高性赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。　　17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度均匀度及背面之干净度。一般6吋芯片之厚度约20mil～30 mil左右，为了便于晶粒封装打线，故需将芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右。　　18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，软烤，预烤 烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱内或热板上均可谓之烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）。软烤（Soft bake）：其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片之附着力。预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不全长会造成过蚀刻。　　19 BF2 二氟化硼 ·一种供做离子植入用之离子。·BF2 ＋是由BF3 ＋气体晶灯丝加热分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。经Extract拉出及质谱磁场分析后而得到。·是一种P-type 离子，通常用作VT植入（闸层）及S/D植入。　　20 BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英、另一是铁氟龙。石英Boat用在温度较高（大于300℃）的场合。而铁氟龙Boat则用在传送或酸处理的场合。　　21 B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H＋〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。　　22 BONDING PAD 焊垫 焊垫－晶利用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装（Assembly）的制程中，有一个步骤是作“焊线”，即是用金线（塑料包装体）或铝线（陶瓷包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（Bonding Diagram）连接在一起，如此一来，晶粒的功能才能有效地应用。由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小，（目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或间隙），而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制，只能做到1.0～1.3mil（25.4～33j微米）左右，在此情况下，要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥，故晶粒上的铝路，在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层，此即为焊垫，以作为接线使用。焊垫通常分布再晶粒之四个外围上（以粒封装时的焊线作业），其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点作成圆形，以资辨识。焊垫因为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到“开窗线”。而晶粒上有时亦可看到大块的金属层，位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线，是为电容。　　23 BORON 硼 自然元素之一。由五个质子及六个中子所组成。所以原子量是11。另外有同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是10（B10）。自然界中这两种同位素之比例是4：1，可由磁场质谱分析中看出，是一种P-type的离子（B 11＋），用来作场区、井区、VT及S/D植入。　　24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做为上下两层绝缘之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓，以防止Metal line溅镀上去后，造成断线。　　25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩溃电压 反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接正，如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于此特定值后，反向电流会急遽增加，此特定值也就是吾人所谓的崩溃电压（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定义反向P＋ - N接面之反向电流为1UA时之电压为崩溃电压，在P＋ - N或 N＋-P之接回组件中崩溃电压，随着N（或者P）之浓度之增加而减小。　　26 BURN IN 预烧试验 「预烧」（Burn in）为可靠性测试的一种，旨在检验出哪些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。预烧试验的作法，乃是将组件（产品）至于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式（Failure Mode）提早显现出来，达到筛选、剔除「早期夭折」产品之目的。预烧试验分为「静态预烧」（Static Burn in）与「动态预烧」（Dynamic Burn in）两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率，而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入，故较接近实际状况，也较严格。基本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，馾由于成本及交货其等因素，有些产品旧只作抽样（部分）的预烧试验，通过后才出货。另外对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进行，当然，具有高信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验。　　27 CAD 计算机辅助设计 CAD：Computer Aided Design计算机辅助设计，此名词所包含的范围很广，可泛称一切计算机为工具，所进行之设计；因此不仅在IC设计上用得到，建筑上之设计，飞机、船体之设计，都可能用到。在以往计算机尚未广泛应用时，设计者必须以有限之记忆、经验来进行设计，可是有了所谓CAD后，我们把一些常用之规则、经验存入计算机后，后面的设计者，变可节省不少从头摸索的工作，如此不仅大幅地提高了设计的准确度，使设计的领域进入另一新天地。　　28 CD MEASUREMENT 微距测试 CD: Critical Dimension之简称。通常于某一个层次中，为了控制其最小线距，我们会制作一些代表性之量测图形于晶方中，通常置于晶方之边缘。简言之，微距测量长当作一个重要之制程指针，可代表黄光制程之控制好坏。量测CD之层次通常是对线距控制较重要之层次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前较常用于测量之图形有品字型，L-BAR等。

主动运输（active transport） 　　主动运输涉及物质输入和输出细胞和细胞器，并且能够逆浓度梯度或电化学梯度。 　　■ 主动运输的特点 　　主动运输具有四个基本的特点：①逆梯度运输；②依赖于膜运输蛋白；③需要代谢能，并对代谢毒性敏感； ④具有选择性和特异性。 　　● 建立浓度梯度或电化学梯度 　　细胞靠主动运输建立和维持各种离子在细胞内的不同浓度（表3-5），这些离子的浓度差异对于细胞的生存和行使功能至关重要。 成份 细胞内浓度（mM） 细胞外浓度（mM） 阳离子 Na+ 5-15 145 K+ 140 5 Mg2+* 0.5 1-2 Ca2+* 10-7 1-2 阴离子 Cl- 5-15 110 固定的阴离子** 高 0 　　* 表中给出的Ca2+和Mg2+的浓度是游离存在于胞质溶胶中的浓度；Mg2+在细胞中的总浓度为2mM，Ca2+则是1-2mM.但它们大多是与蛋白质结合在一起的，Ca2+则存在于细胞器中。 　　** 指细胞内存在的带负电的有机分子，它们不能通过细胞质膜。 　　● 消耗能量 主动运输是消耗代谢能的运输方式，有三种不同的直接能量来源（表3-7） 载体蛋白 功能 能量来源 直接能源 Na+-K+泵 Na+的输出和K+的输入 ATP 细菌视紫红质 H+从细胞中主动输出 光能 磷酸化运输蛋白 细菌对葡萄糖的运输 磷酸烯醇式丙酮酸 间接能源 Na+、葡萄糖泵协同运输蛋白 Na+、葡萄糖同时进入细胞 Na+离子梯度 F1-F0 ATPase H+质子运输， H+质子梯度驱动 　　● 选择性和特异性 不同的运输泵转运不同的离子。 　　参与主动运输的载体蛋白常被称为泵（pump），这是因为它们能利用能量做功。由于它们消耗的代谢能多数来自ATP，所以又称它们为某某ATPase.共有四种类型的运输ATPase， 或称运输泵： 　　P型离子泵（P-type ion pump），或称P型ATPase .此类运输泵运输时需要磷酸化（P是phosphorylation的缩写），包括Na+-K+泵、Ca2+离子泵。 　　V型泵（V-type pump），或称V型ATPase，主要位于小泡的膜上（ V代表vacuole或vesicle）， 如溶酶体膜中的H+泵， 运输时需要ATP供能， 但不需要磷酸化。 　　F型泵（F-type pump），或称F型ATPase.这种泵主要存在于细菌质膜、线粒体膜和叶绿体的膜中， 它们在能量转换中起重要作用， 是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子（F即fector的缩写）。　　ABC运输蛋白（ATP-binding cassettle transportor）， 这是一大类以ATP供能的运输蛋白， 已发现了100多种， 存在范围很广，包括细菌和人。 四种运输ATPase在结构、存在部位和功能上有什么不同？

P是因私护照. 就是普通公民持有的护照

、P型离子泵(P-type ion pump)，或称P型ATPase。此类运输泵运输时需要磷酸化(P是phosphorylation的缩写)，包括Na+-K+泵、Ca2+离子泵。 2、V型泵(V

钱的化身 （SBS 周末剧）/ ub3c8uc758 ud654uc2e0 （SBSuc8fcub9d0ub4dcub77cub9c8）发行日期：2013.04.20专辑风格：O.S.T发行公司：(株)Star Entry Entertainment / (uc8fc)uc2a4ud0c0uc5d4ud2b8ub9acuc5d4ud130ud14cuc778uba3cud2b8曲目列表：01. 钱的化身 Opening title / ub3c8uc758 ud654uc2e0 Opening title02.徐仁英- 你的爱 / uc11cuc778uc601 - ub108ub294 uc0acub791uc774ub2e403.EXID- Up & Down04.Ivy- 你看我 / uc544uc774ube44 - ub108uc600ub098ubd1005.金志修- Chance / uae40uc9c0uc218 - Chance06. 张在仁 - 为了你的日子 / uc7a5uc7acuc778 - uadf8ub300 uc704ud55c ub0a0uc5d007. P-Type & Swings - Money (Feat. 姜敏希) / P-Type & uc2a4uc719uc2a4 - Money (Feat. uac15ubbfcud76c)08. 徐仁英 - 你的爱 (Acoustic Ver.) / uc11cuc778uc601 - ub108ub294 uc0acub791uc774ub2e4 (Acoustic Ver.)09. Caval10. 次敦的主题 / ucc28ub3c8uc758 ud14cub9c811. Rights Of Man (男人的资格) / Rights Of Man (ub0a8uc790uc758 uc790uaca9)12. 在仁的主题 / uc7acuc778uc758 ud14cub9c813. Vendetta14. 同谋者们 / uacf5ubaa8uc790ub4e415. 虽然任何人都可以成为检察官, 但是坚持正义却不那么容易 / ub204uad6cub098 uac80uc0acuac00 ub420 uc21c uc788uc9c0ub9cc, uc815uc758ub86duae34 uc27duc9c0 uc54auc54416. Money On My Hands17. A Painful Reminiscence18. Uncertainly19. 不夜城 / ubd88uc57cuc13120. Lovely 在仁 / Lovely uc7acuc778 （音乐原声参考 ）

KP九五多孔砖里的九五是什么意思? 砖的规格是240*115*90. 是90砖吧，90指的是砖的高度

纠结大学选AB 高中选BB.溶酶体膜上 有A高尔基体的囊泡膜 （高中不管）C是合成加工蛋白质的 与质子泵无关D是与H202生成和氧化有关的质子泵分为P-type 载体蛋白利用ATP使自身磷酸化(phosphorylation)，发生构象的改变来转移 质子泵质子或其它离子，如植物细胞膜上的H+泵,动物细胞的Na+-K+泵，Ca2+离子泵，H+-K+ATP酶(位于胃表皮细胞,分泌胃酸)。V-type 位于小泡(vacuole)的膜上，由许多亚基构成，水解ATP产生能量，但不发生自磷酸化，位于溶酶体膜，动物细胞的内吞体，高尔基体的囊泡膜,植物液泡膜上。F-type 是由许多亚基构成的管状结构，H+沿浓度梯度运动，所释放的能量与ATP合成耦联起来，所以也叫ATP合酶(ATP synthase)，F是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子(factor)的缩写。F型质子泵位于细菌质膜，线粒体内膜和叶绿体的类囊体膜上，其详细结构将在线粒体与叶绿体一章讲解。F型质子泵不仅可以利用质子动力势将ADP转化成ATP，也可以利用水解ATP释放的能量转移质子。

歌手：Children Of Bodom 专辑：Follow the Reaper Taste Of My Scythe(Rip and cut and mutilate the innocent his friends,and again and again and on and on!)You make me own my life in Hell, my kingdom back to the bound.You say you don"t make it alone, kingdom back to the Lord.Falling, I say: you too, falling, you too, born to die!Come with hate!Come and die!One day I"ll face you all alone,enduring out with wind and ice.It"s payback time, it"s your demise sought to feel:they"ll taste of my scythe!You say my ear, my God who help me, God take yours in shame.Back too low, I want your head on a plate to feel my eyes.Come with me, I want your blood to save it on my eyes.I want you and in the plate to be coming in the sky (sky!)Come with hate!Come and die!One day I"ll face you all alone,enduring out with wind and ice.It"s payback time,it"s your demise until they feel:taste of my scythe!

n-type和p-type半导体区别为：是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。一、是多数载流子不同1、n-type半导体：n-type半导体的多数载流子是电子。2、p-type半导体：p-type半导体的多数载流子是空穴。二、高温导电效果不同1、n-type半导体：在相同高温温度下，n-type半导体的电子更活跃，导电效果比p-type半导体的导电效果要好。2、p-type半导体：在相同高温温度下，p-type半导体的电子更惰性，导电效果比n-type半导体的导电效果要差。三、常温电导率不同1、n-type半导体：在相同常温温度下，n-type半导体的电子更惰性，电导率比p-type半导体的电导率要差。2、p-type半导体：在相同常温温度下，p-type半导体的电子更活跃，电导率比n-type半导体的电导率要好。

1、P型离子泵(P-type ion pump)，或称P型ATPase。此类运输泵运输时需要磷酸化(P是phosphorylation的缩写)，包括Na+-K+泵、Ca2+离子泵。 2、V型泵(V-type pump)，或称V型ATPase，主要位于小泡的膜上( V代表vacuole或vesicle)，如溶酶体膜中的H+泵，运输时需要ATP供能，但不需要磷酸化。 3、F型泵(F-type pump)，或称F型ATPase。这种泵主要存在于细 菌质膜、线粒体内膜和叶绿体的类囊体膜中，它们在能量转换中起重要作用，是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子(F即factor的 缩写)。 4、ABC运输蛋白(ATP-binding cassettle transportor)，这是一大类以ATP供能的运输蛋白，已发现了100多种，存在范围很广，包括细菌和人。 前3种只转运离子，后一种主要是转运小分子。

1、P型离子泵(P-type ion pump),或称P型ATPase.此类运输泵运输时需要磷酸化(P是phosphorylation的缩写),包括Na+-K+泵、Ca2+离子泵. 2、V型泵(V-type pump),或称V型ATPase,主要位于小泡的膜上( V代表vacuole或vesicle),如溶酶体膜中的H+泵,运输时需要ATP供能,但不需要磷酸化. 3、F型泵(F-type pump),或称F型ATPase.这种泵主要存在于细 菌质膜、线粒体内膜和叶绿体的类囊体膜中,它们在能量转换中起重要作用,是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子(F即factor的 缩写). 4、ABC运输蛋白(ATP-binding cassettle transportor),这是一大类以ATP供能的运输蛋白,已发现了100多种,存在范围很广,包括细菌和人. 前3种只转运离子,后一种主要是转运小分子.

植物细胞质膜H 一ATPaSe是质膜上的插入蛋白,具有利用水解ATP产生的能量,将细胞质膜内侧的H 泵到质膜外侧的特征,简称为质子泵.共有四种类型：① P型离子泵(P-type ion pump),或称P型ATPase .此类运输泵运输时需要磷酸化(P是phosphorylation的缩写),包括Na+-K+泵、Ca2+离子泵.② V型泵(V-type pump),或称V型ATPase,主要位于小泡的膜上( V代表vacuole或vesicle), 如溶酶体膜中的H+泵, 运输时需要ATP供能, 但不需要磷酸化.③ F型泵(F-type pump),或称F型ATPase.这种泵主要存在于细菌质膜、线粒体膜和叶绿体的膜中, 它们在能量转换中起重要作用,是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子(F即fector的缩写).F型泵工作时不会消耗ATP, 而是将ADP转化成ATP,但是它们在一定的条件下也会具有ATPase的活性.④ ABC运输蛋白(ATP-binding cassettle transportor), 这是一大类以ATP供能的运输蛋白,已发现了100多种,存在范围很广,包括细菌和人.植物细胞质膜H 一ATPaSe对植物细胞营养物质的吸收、细胞生长、气孔运动和渗透调节等生理过程有重要的调节作用,是植物生命活动的“主宰酶”,受到蛋白激酶调节、脂类调节、自体抑制调节、光调节、膨压调节等多种因素的调节.

① P型离子泵（P-type ion pump)，或称P型ATPase。此类运输泵运输时需要磷酸化（P是phosphorylation的缩写），包括Na+-K+泵、Ca2+离子泵。② V型泵（V-type pump），或称V型ATPase，主要位于小泡的膜上（V代表vacuole或vesicle），如溶酶体膜中的H+泵，运输时需要ATP供能，但不需要磷酸化。③ F型泵（F-type pump），或称F型ATPase。这种泵主要存在于细菌质膜、线粒体膜和叶绿体的膜中，它们在能量转换中起重要作用，是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子（F即factor的缩写）。F型泵工作时不会消耗ATP，而是将ADP转化成ATP，但是它们在一定的条件下也会具有ATPase的活性。④ ABC运输蛋白（ATP-binding cassette transportor），这是一大类以ATP供能的运输蛋白，已发现了100多种，存在范围很广，包括细菌和人。由两部分组成，简称F0和F1.头部F1由两种亚基（subuinits）a和（活性部位），各三个，成橘瓣状，以及E，r各一个。尾部F0由一个a、两个b和10至14不等的c（c-ring，rotor转子）组成。质子由高质子势的膜内基质顺梯度流向膜外，经c-ring转子形成的两个半通道，因定子产生扭力距。结合ADP和Pi，生成ATP。质子是单个流经c-ring的，每个质子都会使c-ring产生约30度的扭转，四个质子共使c-ring产生120度扭转，而一个ATPase由三个结合位点，可结合3个ADP，综上，四个质子的顺梯度流经ATPase合成一个ATP。

植物细胞质膜H 一ATPaSe是质膜上的插入蛋白，具有利用水解ATP产生的能量，将细胞质膜内侧的H 泵到质膜外侧的特征，简称为质子泵。共有四种类型：① P型离子泵(P-type ion pump)，或称P型ATPase 。此类运输泵运输时需要磷酸化(P是phosphorylation的缩写)，包括Na+-K+泵、Ca2+离子泵。② V型泵(V-type pump)，或称V型ATPase,主要位于小泡的膜上( V代表vacuole或vesicle)， 如溶酶体膜中的H+泵， 运输时需要ATP供能， 但不需要磷酸化。③ F型泵(F-type pump)，或称F型ATPase。这种泵主要存在于细菌质膜、线粒体膜和叶绿体的膜中, 它们在能量转换中起重要作用，是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子(F即fector的缩写)。F型泵工作时不会消耗ATP， 而是将ADP转化成ATP，但是它们在一定的条件下也会具有ATPase的活性。④ ABC运输蛋白(ATP-binding cassettle transportor)， 这是一大类以ATP供能的运输蛋白，已发现了100多种，存在范围很广，包括细菌和人。植物细胞质膜H 一ATPaSe对植物细胞营养物质的吸收、细胞生长、气孔运动和渗透调节等生理过程有重要的调节作用，是植物生命活动的“主宰酶”，受到蛋白激酶调节、脂类调节、自体抑制调节、光调节、膨压调节等多种因素的调节。望采纳

M型模数多孔砖指M-type madular perforated brick，外形尺寸为190mm×190mm×90mm的砖简称M型砖。P型多孔砖指P-type perforated brick，外形尺寸为240mm×115mm×90mm的砖，简称P型砖。多孔砖分为P型砖和M型砖，而P型砖和M型砖的区别主要是外形尺寸。而市场上的多孔砖主要指混凝土多孔砖和烧结多孔砖两种。普通烧结砖有自重大、体积小、生产能耗高、施工效率低等缺点，用烧结多孔砖和烧结空心砖代替烧结普通砖，可使建筑物自重减轻30%左右，节约粘土20%～30%，节省燃料10%～20%，墙体施工功效提高40%，并改善砖的隔热隔声性能。通常在相同的热工性能要求下，用空心砖砌筑的墙体厚度比用实心砖砌筑的墙体减薄半砖左右，所以推广使用多孔砖和空心砖是加快我国墙体材料改革，促进墙体材料工业技术进步的重要措施之一。扩展资料：我国使用多孔砖的历史悠久，如在战国时期的墓中发现有烧制的大尺寸空心砖，这种空心砖在西汉也很盛行。20世纪40年代如上海大厦等早期的高层建筑中亦已使用多孔砖作为墙体的围护材料，60年代在南京建成采用多孔砖墙承重的6-8层旅馆。但较长时间内我国多孔砖品种少、发展缓慢。新的国家标准《烧结多孔砖和多孔砌块》（GB13544-2011）规定，根据抗压强度，烧结多孔砖分为MU30、MU25、MU15、MU20、MU10五个强度等级。参考资料来源：百度百科-多孔砖参考资料来源：百度百科-烧结多孔砖

钾钠离子靠钠钾泵调节细胞内外渗透压。钠钾泵（也称钠钾转运体），为蛋白质分子，进行钠离子和钾离子之间的交换。每消耗一个ATP分子，逆电化学梯度泵出三个钠离子和泵入两个钾离子。保持膜内高钾膜外高钠的不均匀离子分布。Na+-K+泵 ——实际上就是Na+-K+ATP酶，存在于动植物细胞质膜上，它有大小两个亚基，大亚基催化ATP水解，小亚基是一个糖蛋白.Na+-K+ATP酶通过磷酸化和去磷酸化过程发生构象的变化，导致与Na+,K+的亲和力发生变化.大亚基以亲Na+态结合Na+后，触发水解ATP.每水解一个ATP释放的能量输送3个Na+到胞外，同时摄取2个K+入胞，造成跨膜梯度和电位差，这对神经冲动传导尤其重要，Na+-K+泵造成的膜电位差约占整个神经膜电压的80%.若将纯化的Na+-K+泵装配在红细胞膜囊泡（血影）上，人为地增大膜两边的Na+,K+梯度到一定程度，当梯度所持有的能量大于ATP水解的化学能时，Na+,K+会反向顺浓差流过Na+-K+泵，同时合成ATP.钠钾泵的一个特性是他对离子的转运循环依赖自磷酸化过程，ATP上的一个磷酸基团转移到钠钾泵的一个天冬氨酸残基上，导致构象的变化.通过自磷酸化来转运离子的离子泵就叫做P-type，与之相类似的还有钙泵和质子泵.它们组成了功能与结构相似的一个蛋白质家族 .Na-K泵作用是：①维持细胞的渗透性，保持细胞的体积；②维持低Na+高K+的细胞内环境，维持细胞的静息电位。乌本苷（ouabain）、地高辛（digoxin）等强心剂在高浓度下能抑制心肌细胞Na+-K+泵的活性；这是强心苷中毒机制的主要原因，而在低浓度下能够兴奋Na+-K+泵，目前研究认为这才是强心苷治疗充血性心衰的真正机制。

主动运输是物质从低浓度向高浓度运输，消耗能量。但不同区域的教材在物质一定是从低浓度向高浓度运输就叫主动运输还是要消耗能量就叫主动运输有分歧。

钾钠离子靠钠钾泵调节细胞内外渗透压。钠钾泵（也称钠钾转运体），为蛋白质分子，进行钠离子和钾离子之间的交换。每消耗一个ATP分子，逆电化学梯度泵出三个钠离子和泵入两个钾离子。保持膜内高钾膜外高钠的不均匀离子分布。Na+-K+泵——实际上就是Na+-K+ATP酶，存在于动植物细胞质膜上，它有大小两个亚基，大亚基催化ATP水解，小亚基是一个糖蛋白.Na+-K+ATP酶通过磷酸化和去磷酸化过程发生构象的变化，导致与Na+,K+的亲和力发生变化.大亚基以亲Na+态结合Na+后，触发水解ATP.每水解一个ATP释放的能量输送3个Na+到胞外，同时摄取2个K+入胞，造成跨膜梯度和电位差，这对神经冲动传导尤其重要，Na+-K+泵造成的膜电位差约占整个神经膜电压的80%.若将纯化的Na+-K+泵装配在红细胞膜囊泡（血影）上，人为地增大膜两边的Na+,K+梯度到一定程度，当梯度所持有的能量大于ATP水解的化学能时，Na+,K+会反向顺浓差流过Na+-K+泵，同时合成ATP.钠钾泵的一个特性是他对离子的转运循环依赖自磷酸化过程，ATP上的一个磷酸基团转移到钠钾泵的一个天冬氨酸残基上，导致构象的变化.通过自磷酸化来转运离子的离子泵就叫做P-type，与之相类似的还有钙泵和质子泵.它们组成了功能与结构相似的一个蛋白质家族.Na-K泵作用是：①维持细胞的渗透性，保持细胞的体积；②维持低Na+高K+的细胞内环境，维持细胞的静息电位。乌本苷（ouabain）、地高辛（digoxin）等强心剂在高浓度下能抑制心肌细胞Na+-K+泵的活性；这是强心苷中毒机制的主要原因，而在低浓度下能够兴奋Na+-K+泵，目前研究认为这才是强心苷治疗充血性心衰的真正机制。

（a）n0=ni*exp[（Ef-Ei）/K*T], Ef是费米能级，Ei是本征费米能级，ni为300k时Si的本征载流子浓度，这个可以查书上的图得到，大约是1.5*10^10，这里计算主要计算能级差，结果可以表述为Ef在Ei下方几eV处。（b）根据质量作用定理，ni^2=p0*n0,从而求得p0的大小（c）显然p0>>n0,因此半导体为p-type

MOSFET核：金属—氧化层—半导体电容　　电压施加MOS电容两端半导体电荷布跟着改变考虑p-type半导体（电洞浓度NA）形MOS电容电压VGB施加栅极与基极端（图）电洞浓度减少电浓度增加VGB够强接近栅极端电浓度超电洞p-type半导体电浓度（带负电荷）超电洞（带电荷）浓度区域便所谓反转层（inversion layer）　　MOS电容特性决定MOSFET操作特性完整MOSFET结构需要提供数载（majority carrier）源极及接受些数载漏极MOSFET结构前所述MOSFET核位于央MOS电容左右两侧则源极与漏极源极与漏极特性必须同n-type（即NMOS）或同p-type（即PMOS）左图NMOS源极与漏极标示N+代表着两意义：(1)N代表掺杂（doped）源极与漏极区域杂质极性N；（2）+代表区域高掺杂浓度区域（heavily doped region）区电浓度远高于其区域源极与漏极间极性相反区域隔所谓基极（或称基体）区域NMOS其基体区掺杂p-type反PMOS言基体应该n-type源极与漏极则p-type（且重掺杂P+）基体掺杂浓度需要源极或漏极高故左图没+　　NMOS言真用作通道、让载通MOS电容半导体表面区域电压施加栅极带负电电吸引至表面形通道让n-type半导体数载—电源极流向漏极电压移除或放负电压通道形载源极与漏极间流　　假设操作象换PMOS源极与漏极p-type、基体则n-typePMOS栅极施加负电压则半导体电洞吸引表面形通道半导体数载—电洞则源极流向漏极假设负电压移除或加电压通道形让载源极漏极间流　　特别要说明源极MOSFET意思提供数载源NMOS言数载电；PMOS言数载电洞相漏极接受数载端点　　MOSFET操作模式　　NMOS漏极电流与漏极电压间同VGS ? Vth关系　　MOSFET线性区操作截面图　　MOSFET饱区操作截面图依照MOSFET栅极、源极与漏极等三端点施加偏压（bias）同见加强型（enhancement mode）n-type MOSFET列三种操作区间：　　线性区（三极区）（linear or triode region）　　VGS>Vth、且VDS　　μn载迁移率（carrier mobility）、WMOSFET栅极宽度、LMOSFET栅极度Cox则栅极氧化层单位电容区域内MOSFET电流—电压关系线性程式称线性区　　饱区（saturation region）　　VGS>Vth、且VDS>VGS-Vth颗MOSFET导通状况形通道让电流通随着漏极电压增加超栅极电压使接近漏极区反转层电荷零处通道消失（图）种状况称夹止（pinch-off）种状况由源极发载经由通道达夹止点注入漏极周围空间电荷区（space charge region）再电场扫入漏极通MOSFET电流与其漏极—源极间电压且VDS关与栅极电压关关系式：　　述公式理想状况MOSFET饱区操作电流与电压关系式事实饱区MOSFET漏极电流通道度调变效应（channel length modulation effect）改变并非与且VDS全关考虑通道度调变效应饱区电流—电压关系式：　　关于通道度调变效应与影响面叙述　　截止区（临界区）（cut-off or sub-threshold region）　　栅极源极间电压VGS（G代表栅极S代表源极）于称临界电压（threshold voltage, Vth）值MOSFET处截止（cut-off）状态电流流MOSFETMOSFET导通　　事实VGS些拥量MOSFET集电路产品DRAM临限电流往往造额外能量或功率消耗　　基板效应　　集电路MOSFET组件能现基极与源极并直接相连状况种状况造副作用称基板效应（body effect）MOSFET受基板效应影响临界电压所改变公式：　　,　　VTO基极与源极间电位差临界电压γ基板效应参数2φ则与半导体能阶相关参数　　[编辑] MOSFET电电路应用优势　　MOSFET1960由贝尔实验室（Bell Lab.）D. Kahng Martin Atalla首实现功种组件操作原理1947萧克利（William Shockley）等发明双载接面晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截同且制造本低廉与使用面积较、高集度优势型集电路（Large-Scale Integrated Circuits, LSI）或超型集电路（Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI）领域重要性远超BJT　　近由于MOSFET组件性能逐渐提升除传统应用于诸微处理器、单片机等数字信号处理场合越越模拟信号处理集电路用MOSFET实现别介绍些应用　　[编辑] 数字电路　　数字科技进步微处理器运算效能断提升带给深入研发新代MOSFET更力使MOSFET本身操作速度越越快几乎各种半导体主组件快种MOSFET数字信号处理主要功自CMOS逻辑电路发明种结构处理论静态功率损耗逻辑门（logic gate）切换作才电流通CMOS逻辑门基本员CMOS反相器（inverter）所CMOS逻辑门基本操作都同反相器同间内必定种晶体管（NMOS或PMOS）处导通状态另种必定截止状态使电源端接端直接导通路径量节省电流或功率消耗降低集电路发热量　　MOSFET数字电路应用另外优势直流（DC）信号言MOSFET栅极端阻抗限（等效于路）理论电流MOSFET栅极端流向电路接点完全由电压控制栅极形式让MOSFET主要竞争手BJT相较更省电且更易于驱CMOS逻辑电路除负责驱芯片外负载（off-chip load）驱器（driver）外每级逻辑门都要面同MOSFET栅极较需考虑逻辑门本身驱力相较BJT逻辑电路（例见TTL）没些优势MOSFET栅极输入电阻限于电路设计工程师言亦其优点例较需考虑逻辑门输端负载效应（loading effect）　　[编辑] 模拟电路　　段间MOSFET并非模拟电路设计工程师首选模拟电路设计重视性能参数晶体管转导（transconductance）或电流驱力MOSFETBJT适合模拟电路需求随着MOSFET技术断演进今CMOS技术已经符合模拟电路规格需求再加MOSFET结构关系没BJT些致命缺点热破坏（thermal runaway）另外MOSFET线性区压控电阻特性亦集电路用取代传统晶硅电阻（poly resistor）或MOS电容本身用取代用晶硅—绝缘体—晶硅电容（PIP capacitor）甚至适电路控制表现电（inductor）特性些处都BJT难提供说MOSFET除扮演原本晶体管角色外用作模拟电路量使用组件（passive device）优点让采用MOSFET实现模拟电路满足规格需求效缩芯片面积降低产本　　随着半导体制造技术进步于集更功能至单芯片需求跟着幅提升用MOSFET设计模拟电路另外优点随浮现减少印刷电路板（Printed Circuit Board, PCB）使用集电路数量、减少封装本与缩系统体积原本独立模拟芯片与数字芯片集至同芯片内MOSFET原本数字集电路竞争优势模拟集电路量采用MOSFET两种同功能电路集起困难度显著降另外像某些混合信号电路（Mixed-signal circuits）模拟/数字转换器（Analog-to-Digital Converter, ADC）利用MOSFET技术设计效能更产品　　近种集MOSFET与BJT各自优点制程技术：BiCMOS（Bipolar-CMOS）越越受欢迎BJT组件驱电流能力仍比般CMOS优异靠度面些优势例容易静电放电（ESD）破坏所同需要复噪声号处理及强电流驱能力集电路产品使用BiCMOS技术制作　　[编辑] MOSFET尺寸缩放　　数十MOSFET尺寸断变早期集电路MOSFET制程通道度约几微米（micrometer）等级今集电路制程参数已经缩几十倍甚至超百倍2008初Intel始45纳米（nanometer）技术制造新代微处理器实际组件通道度能比数字些至90代末MOSFET尺寸断缩让集电路效能提升历史角度看些技术突破半导体制程进步着密关系　　[编辑] 何要MOSFET尺寸缩　　基于几理由我希望MOSFET尺寸能越越　　越MOSFET象征其通道度减少让通道等效电阻减少让更电流通虽通道宽度能跟着变让通道等效电阻变能降低单位电阻问题解决　　MOSFET尺寸变意味着栅极面积减少降低等效栅极电容外越栅极通更薄栅极氧化层让前面提通道单位电阻值降低改变同让栅极电容反变较减少通道电阻相比获处仍坏处MOSFET尺寸缩切换速度面两素加总变快　　MOSFET面积越制造芯片本降低同封装装更高密度芯片片集电路制程使用晶圆尺寸固定所芯片面积越同晶圆产更芯片于本变更低　　虽MOSFET尺寸缩带处同负面效应伴随　　[编辑] MOSFET尺寸缩现困难　　MOSFET尺寸缩微米于半导体制程言挑战现新挑战半自尺寸越越MOSFET组件所带曾现物理效应　　[编辑] 临限传导　　由于MOSFET栅极氧化层厚度断减少所栅极电压限随变少免电压造栅极氧化层崩溃（breakdown）维持同性能MOSFET临界电压必须降低造MOSFET越越难完全关闭说足造MOSFET通道区发弱反转栅极电压比前更低于所谓临限电流（subthreshold current）造问题比更严重特别今集电路芯片所含晶体管数量剧增某些VLSI芯片临限传导造功率消耗竟占总功率消耗半　　反说些电路设计MOSFET临限传导处例需要较高转导/电流转换比（transconductance-to-current ratio）电路利用临限传导MOSFET达目设计颇见　　[编辑] 芯片内部连接导线寄电容效应　　传统CMOS逻辑门切换速度与其组件栅极电容关栅极电容随着MOSFET尺寸变减少同芯片容纳更晶体管连接些晶体管金属导线间产寄电容效应始主宰逻辑门切换速度何减少些寄电容芯片效率能否向突破关键　　[编辑] 芯片发热量增加　　芯片晶体管数量幅增加避免问题跟着发芯片发热量幅增加般集电路组件高温操作能导致切换速度受影响或导致靠度与寿命问题些发热量非高集电路芯片微处理器目前需要使用外加散热系统缓问题　　功率晶体管（Power MOSFET）领域通道电阻温度升高跟着增加使组件pn-接面（pn-junction）导致功率损耗增加假设外置散热系统让功率晶体管温度保持够低水平能让些功率晶体管遭热破坏（thermal runaway）命运　　[编辑] 栅极氧化层漏电流增加　　栅极氧化层随着MOSFET尺寸变越越薄目前主流半导体制程甚至已经做厚度仅1.2纳米栅极氧化层约等于5原叠起厚度已种尺度所物理现象都量力所规范世界内例电穿隧效应（tunneling effect）穿隧效应些电机越氧化层所形位能障壁（potential barrier）产漏电流今集电路芯片功耗源　　解决问题些介电数比二氧化硅更高物质用栅极氧化层例铪（hafnium）锆（Zirconium）金属氧化物（二氧化铪、二氧化锆）等高介电数物质均能效降低栅极漏电流栅极氧化层介电数增加栅极厚度便能增加维持电容较厚栅极氧化层降低电通穿隧效应穿氧化层机率进降低漏电流利用新材料制作栅极氧化层必须考虑其位能障壁高度些新材料传导带（conduction band）价带（valenceband）半导体传导带与价带差距比二氧化硅（二氧化硅传导带硅间高度差约8ev）所仍能导致栅极漏电流现　　[编辑] 制程变异更难掌控　　现代半导体制程工序复杂繁任何道制程都能造集电路芯片组件产些微变异MOSFET等组件越做越些变异所占比例能幅提升进影响电路设计者所预期效能变异让电路设计者工作变更困难　　[编辑] MOSFET栅极材料　　理论MOSFET栅极应该尽能选择电性良导体晶硅经重掺杂导电性用MOSFET栅极并非完美选择目前MOSFET使用晶硅作理由：　　1. MOSFET临界电压（threshold voltage）主要由栅极与通道材料功函数（work function）间差异决定晶硅本质半导体所借由掺杂同极性杂质改变其功函数更重要晶硅底作通道硅间能隙（bandgap）相同降低PMOS或NMOS临界电压借由直接调整晶硅功函数达需求反说金属材料功函数并像半导体易于改变要降低MOSFET临界电压变比较困难且想要同降低PMOSNMOS临界电压需要两种同金属别做其栅极材料于制程变量　　2. 硅—二氧化硅接面经研究已经证实两种材料间缺陷（defect）相言比较少反金属—绝缘体接面缺陷容易两者间形表面能阶影响组件特性　　3. 晶硅融点比数金属高现代半导体制程习惯高温沉积栅极材料增进组件效能金属融点低影响制程所能使用温度限　　晶硅虽二十制造MOSFET栅极标准若干缺点使未仍部份MOSFET能使用金属栅极些缺点：　　1. 晶硅导电性金属限制信号传递速度虽利用掺杂式改善其导电性效仍限目前些融点比较高金属材料：钨（Tungsten）、钛（Titanium）、钴（Cobalt）或镍（Nickel）用晶硅制合金类混合材料通称金属硅化物（silicide）加金属硅化物晶硅栅极着比较导电特性且能够耐受高温制程外金属硅化物位置栅极表面离通道区较远所MOSFET临界电压造太影响　　栅极、源极与漏极都镀金属硅化物制程称自我准金属硅化物制程（Self-Aligned Silicide）通简称salicide制程　　2. MOSFET尺寸缩非、栅极氧化层变非薄例现制程氧化层缩纳米左右厚度种没发现现象随产种现象称晶硅空乏MOSFET反转层形晶硅空乏现象MOSFET栅极晶硅靠近氧化层处现空乏层（depletion layer）影响MOSFET导通特性要解决种问题金属栅极案目前行材料包括钽（tantalum）、钨、氮化钽（Tantalum Nitride）或氮化钛（Titalium Nitride）些金属栅极通高介电数物质形氧化层起构MOS电容另外种解决案晶硅完全合金化称FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程　　[编辑] 各种见MOSFET技术　　[编辑] 双栅极MOSFET　　双栅极（dual-gate）MOSFET通用射频（Radio Frequency, RF）集电路种MOSFET两栅极都控制电流射频电路应用双栅极MOSFET第二栅极数用做增益、混频器或频率转换控制　　[编辑] 耗尽型MOSFET　　般言耗尽型（depletion mode）MOSFET比前述增强型（enhancement mode）MOSFET少见耗尽型MOSFET制造程改变掺杂通道杂质浓度使种MOSFET栅极算没加电压通道仍存想要关闭通道则必须栅极施加负电压（NMOS言）耗尽型MOSFET属于闭型（normally-closed）（ON）关相增强型MOSFET则属于断型（normally-open）（OFF）关　　[编辑] NMOS逻辑　　同驱能力NMOS通比PMOS所占用面积逻辑门设计使用NMOS能缩芯片面积NMOS逻辑虽占面积却像CMOS逻辑做消耗静态功率1980代期已经渐渐退市场　　[编辑] 功率MOSFET　　功率晶体管单元截面图通市售功率晶体管都包含数千单元主条目：功率晶体管　　功率MOSFET前述MOSFET组件结构着显著差异般集电路MOSFET都平面式（planar）结构晶体管内各端点都离芯片表面几微米距离所功率组件都垂直式（vertical）结构让组件同承受高电压与高电流工作环境功率MOSFET能耐受电压杂质掺杂浓度与n-type磊晶层（epitaxial layer）厚度函数能通电流则组件通道宽度关通道越宽则能容纳越电流于平面结构MOSFET言能承受电流及崩溃电压寡都其通道宽关垂直结构MOSFET说组件面积其能容纳电流约比磊晶层厚度则其崩溃电压比　　建议查下资料.感觉这样的提问没有意义

主动运输是指物质逆浓度梯度，在载体的协助下，在能量的作用下运进或运出细胞的过程。Na+、K+和Ca2+等离子，都不能自由地通过磷脂双分子层，它们从低浓度一侧运输到高浓度一侧，需要载体蛋白的协助，同时还需要消耗细胞内化学反应(主要为呼吸作用)所释放的能量。主动运输涉及物质输入和输出细胞和细胞器，并且能够逆浓度梯度或电化学梯度。主动运输是指物质逆浓度梯度或电化学梯度，在载体蛋白和能量的作用下将物质运进或运出细胞膜的过程。Na+、K+和Ca2+等离子，都不能自由地通过磷脂双分子层，它们从低浓度一侧运输到高浓度一侧，需要载体蛋白的协助，同时还需要消耗细胞内化学反应所释放的能量，这种方式叫做主动运输。可分为初级主动运输和次级主动运输。主动运输的载体蛋白具有将被运载物从低浓度区域转运到高浓度区域的能力。它们拥有能与被运载物结合的特异的受体结构域，该结构域对被运载物有较强的亲和性，在被运载物结合之后载体蛋白会将被运载物与之固定，然后通过改变其空间结构使得结合了被运载物的结构域向生物膜另一侧打开，结合被运载物便被释放出来。运输特点主动运输的特点是：①逆浓度梯度（逆化学梯度）运输；②需要能量（由ATP直接供能）或与释放能量的过程偶联（协同运输），并对代谢毒性敏感；③都有载体蛋白，依赖于膜运输蛋白；④具有选择性和特异性。能量来源主动运输所需的能量来源主要有：1. 协同运输中的离子梯度动力；2. ATP驱动的泵通过水解ATP获得能量；3. 光驱动的泵利用光能运输物质，见于细菌。直接能源Na+-K+泵 Na+的输出和K+的输入 ATP细菌视紫红质 H+从细胞中主动输出 光能磷酸化运输蛋白 细菌对葡萄糖的运输 磷酸烯醇式丙酮酸间接能源Na+、葡萄糖泵协同运输蛋白 Na+、葡萄糖同时进入细胞 Na+离子梯度F1-F0 ATPase H+质子运输， H+质子梯度驱动近年来均以“泵”的概念来解释主动运输的机理，机体细胞中主要是通过Na+、K+ _ATP酶和Ca2+_ATP酶构成的Na+和Ca2+泵来完成主动运输。 介绍如下：功能介绍主动运输这种物质出入细胞的方式，能够保证活细胞按照生命活动的需要，主动地选择吸收所需要的营养物质，排除新陈代谢产生的废物和对细胞有害的物质。可见，主动运输对于活细胞完成各项生命活动有重要作用。维持细胞内正常的生命活动,对神经冲动的传递以及对维持细胞的渗透平衡,恒定细胞的体积都是非常重要的.主动运输（active transport):质膜上的载体蛋白将离子、营养物和代谢物等逆电化学梯度从低浓度侧向高浓度侧的耗能运输。所耗能量由具ATP酶活性的膜蛋白分解ATP提供。例如正常生理条件下，人红细胞内K+的浓度相当于血浆中的30倍，但K+仍能从血浆进入红细胞内，Na+浓度比血浆中低很多，但Na+仍由红细胞向血浆透出,呈现一种逆浓度梯度的“上坡”运输。钠钾泵实际上就是Na+-K+ATP酶，一般认为是由2个大亚基、2个小亚基组成的4聚体。Na+-K+ATP酶通过磷酸化和去磷酸化过程发生构象的变化，导致与Na+、K+的亲和力发生变化。在膜内侧Na+与酶结合，激活ATP酶活性，使ATP分解，酶被磷酸化，构象发生变化，于是与Na+结合的部位转向膜外侧；这种磷酸化的酶对Na+的亲和力低，对K+的亲和力高，因而在膜外侧释放Na+、而与K+结合。K+与磷酸化酶结合后促使酶去磷酸化，酶的构象恢复原状，于是与K+结合的部位转向膜内侧，K+与酶的亲和力降低，使K+在膜内被释放，而又与Na+结合。其总的结果是每一循环消耗一个ATP；转运出三个Na+，转进两个K+。钠钾泵的一个特性是他对离子的转运循环依赖自磷酸化过程，ATP上的一个磷酸基团转移到钠钾泵的一个天冬氨酸残基上，导致构象的变化。通过自磷酸化来转运离子的离子泵就叫做P-type，与之相类似的还有钙泵和质子泵。它们组成了功能与结构相似的一个蛋白质家族。Na+-K+泵作用是：①维持细胞的渗透性，保持细胞的体积；②维持低Na+高K+的细胞内环境，维持细胞的静息电位。乌本苷（ouabain）、地高辛（digoxin）等强心剂能抑制心肌细胞Na+-K+泵的活性；从而降低钠钙交换器效率，使内流钙离子增多，加强心肌收缩，因而具有强心作用。钙离子泵对于细胞是非常重要的，因为钙离子通常与信号转到有关，钙离子浓度的变化会引起细胞内信号途径的反应，导致一系列的生理变化。通常细胞内钙离子浓度（10-7M）显著低于细胞外钙离子浓度（10-3M），主要是因为质膜和内质网膜上存在钙离子转运体系，细胞内钙离子泵有两类：其一是P型离子泵，其原理与钠钾泵相似，每分解一个ATP分子，泵出2个Ca2+。另一类叫做钠钙交换器（Na+-Ca2+ exchanger），属于反向协同运输体系（antiporter），通过钠钙交换来转运钙离子。位于肌质网（sarcoplasmic reticulum）上的钙离子泵是了解最多的一类P型离子泵，占肌质网膜蛋白质的90%。肌质网是一类特化的内质网，形成网管状结构位于细胞质中，具有贮存钙离子的功能。肌细胞膜去极化后引起肌质网上的钙离子通道打开，大量钙离子进入细胞质，引起肌肉收缩之后由钙离子泵将钙离子泵回肌质网。质子泵有三类：P-type、V-type、F-type。1、P-type：载体蛋白利用ATP使自身磷酸化（phosphorylation），发生构象的改变来转移质子或其它离子，如植物细胞膜上的H+泵、动物细胞的Na+-K+泵、Ca2+离子泵，H+-K+ATP酶（位于胃表皮细胞，分泌胃酸）。2、V-type：位于小泡（vacuole）的膜上，由许多亚基构成，水解ATP产生能量，但不发生自磷酸化，位于溶酶体膜、动物细胞的内吞体、高尔基体的囊泡膜、植物液泡膜上。3、F-type：是由许多亚基构成的管状结构，H+沿浓度梯度运动，所释放的能量与ATP合成耦联起来，所以也叫ATP合酶（ATP synthase），F是氧化磷酸化或光合磷酸化偶联因子（factor）的缩写。F型质子泵位于细菌质膜，线粒体内膜和叶绿体的类囊体膜上。F型质子泵不仅可以利用质子动力势将ADP转化成ATP，也可以利用水解ATP释放的能量转移质子。折叠ABC转运器ABC转运器（ABC transporter）最早发现于细菌，是细菌质膜上的一种运输ATP酶（transport ATPase），属于一个庞大而多样的蛋白家族，每个成员都含有两个高度保守的ATP结合区（ATP binding cassette），故名ABC转运器，他们通过结合ATP发生二聚化，ATP水解后解聚，通过构象的改变将与之结合的底物转移至膜的另一侧。在大肠杆菌中78个基因（占全部基因的5%）编码ABC转运器蛋白，在动物中可能更多。虽然每一种ABC转运器只转运一种或一类底物，但是其蛋白家族中具有能转运离子、氨基酸、核苷酸、多糖、多肽、甚至蛋白质的成员。ABC转运器还可催化脂双层的脂类在两层之间翻转，这在膜的发生和功能维护上具有重要的意义。第一个被发现的真核细胞的ABC转运器是多药抗性蛋白（multidrug resistance protein, MDR），该基因通常在肝癌患者的癌细胞中过表达，降低了化学治疗的疗效。约40%的患者的癌细胞内该基因过度表达。ABC转运器还与病原体对药物的抗性有关，如临床常用的抗真菌药物有氟康唑 、酮康唑、伊曲康唑等，真菌对这些药物产生耐药性的一个重要机制是通过MDR蛋白降低了细胞内的药物浓度。

CMOS ( 全称: Complementary Metal Oxide Semiconductor,中文:互补金属氧化物半导体)是一-种集成电路的设计工艺，可以在硅质晶圆模板.上制出NMOS ( n-type MOSFET )和PMOS ( p-type MOSFET)的基本元件，由于NMOS，与PMOS在物理特性_上为互补性，因此被称为CMOS。CMOS- 般的工艺上，可用来制作电脑电器的静态随机存取内存、微控制器、微处理器与其他数字逻辑电路系统、以及除此之外比较特别的技术特性，使它可以用于光学仪器上，例如互补式金氧半图像传感装置在一-些高级数码相机中变得很常见

是，因为无机盐进入细胞需要能量和载体，而能量和载体正是主动运输的判断标准。另外，自由扩散什么都不需要，协助扩散只需要载体。

可以。如图，Type-C是USB接口的一种连接介面，不分正反两面均可插入，大小约为8.3mm×2.5mm，和其他介面一样支持USB标准的充电、数据传输、显示输出等功能。Type-C由USBImplementersForum制定，在2014年获得谷歌、英特尔、微软等厂商支持后开始普及。

在亚阈值输出特性的1.2μm消化不良SOICMOS电路的n型和p型晶体管在不同温度下的模拟和分析的基础上设定模型，并把重点放在温度影响的漏电流。从图。 2 ，我们得出这样的结论：在环境温度升高，泄漏目前的N型晶体管相应会提高。同时，阈梯度SOInMOS逐渐减小，变化非常明显。那个泄漏电流的N型晶体管为3.021 × 10月12日的A / μmIt增加至5.281 × 10-9A/μm当温度上升到500钾，但它仍然可以使用。漏电流会不断增加的温度进一步增加。该MOSFET不能正常关闭时，泄漏电流Ileak办法的导通电流，从而导致温度升高，由于下列原因：倪征载流子浓度的提高而迅速增加时，温度升高，流动性的少数载流子下降，短期的影响，渠道和DIBC （漏诱导势垒降低）加紧。请采纳，我是学英语专科的！

　　Linux继承了Unix以网络为核心的设计思想，是一个性能稳定的多用户网络操作系统。这篇文章主要介绍了Linux中的内置命令和外部命令详解,本文讲解了什么是内置命令和外部命令、怎样判别是内置命令和外部命令,需要的朋友可以参考下 　　Linux的命令分为内部命令和外部命令： 　　1.内部命令在系统启动时就调入内存，是常驻内存的，所以执行效率高。 　　2.外部命令是系统的软件功能，用户需要时才从硬盘中读入内存。 　　type可以用来判断一个命令是否为内置命令 　　复制代码代码如下: 　　type: usage: type [-afptP] name [name ...] 　　复制代码代码如下: 　　[root@linuxeye ~]# type type 　　type is a shell builtin 　　[root@linuxeye ~]# type -p type 　　[root@linuxeye ~]# type -t type 　　builtin 　　[root@linuxeye ~]# type type 　　type is a shell builtin 　　[root@linuxeye ~]# type -t type 　　builtin 　　[root@linuxeye ~]# type pwd 　　pwd is a shell builtin 　　[root@linuxeye ~]# type whiptail 　　whiptail is /usr/bin/whiptail 　　[root@linuxeye ~]# type -t whiptail 　　file 　　enable既可以查看内部命令，同时也可以判断是否为内部命令 　　复制代码代码如下: 　　[root@linuxeye ~]# enable -a #查看内部命令 　　[root@linuxeye ~]# enable whiptail #非内部命令 　　-bash: enable: whiptail: not a shell builtin 　　[root@linuxeye ~]# enable pwd #是内部命令 　　内部命令用户输入时系统调用的速率快，不是内置命令，系统将会读取环境变量文件.bash_profile、/etc/profile去找PATH路径。 　　然后在提一下命令的调用，有些历史命令使用过后，会存在在hash表中，当你再次输入该命令它的调用会是这样一个过程。 　　hash——>内置命令——>PATH 命令的调用其实应该是这样一个过程。 　　复制代码代码如下: 　　[root@linuxeye ~]# type pwd 　　pwd is a shell builtin 　　[root@linuxeye ~]# type cat 　　cat is /usr/bin/cat 　　[root@linuxeye ~]# pwd 　　/root 　　[root@linuxeye ~]# ls linuxeye* 　　linuxeye.pem linuxeye.txt 　　[root@linuxeye ~]# cat linuxeye.txt 　　linuxeye 　　[root@linuxeye ~]# hash -l #显示hash表 　　builtin hash -p /usr/bin/cat cat 　　builtin hash -p /usr/bin/ls ls 　　[root@linuxeye ~]# type cat 　　cat is hashed (/usr/bin/cat) 　　[root@linuxeye ~]# hash -r #清除hash表 　　[root@linuxeye ~]# type cat 　　cat is /usr/bin/cat 　　从上面操作可以看出。hash表不存放系统内置命令。 　　补充：Linux基本命令 　　1.ls命令： 　　格式：：ls [选项] [目录或文件] 　　功能：对于目录，列出该目录下的所有子目录与文件;对于文件，列出文件名以及其他信息。 　　常用选项： 　　-a ：列出目录下的所有文件，包括以 . 开头的隐含文件。 　　-d ：将目录像文件一样显示，而不是显示其他文件。 　　-i ：输出文件的i节点的索引信息。 　　-k ：以k字节的形式表示文件的大小。 　　-l ：列出文件的详细信息。 　　-n ：用数字的UID,GID代替名称。 　　-F : 在每个文件名后面附上一个字符以说明该文件的类型，“*”表示可执行的普通文 件;“/”表示目录;“@”表示符号链接;“l”表示FIFOS;“=”表示套接字。 　　2.cd命令 　　格式：cd [目录名称] 　　常用选项： 　　cd .. 返回上一级目录。 　　cd ../.. 将当前目录向上移动两级。 　　cd - 返回最近访问目录。 　　3.pwd命令 　　格式： pwd 　　功能：显示出当前工作目录的绝对路径。 　　相关阅读：Linux主要特性 　　完全兼容POSIX1.0标准 　　这使得可以在Linux下通过相应的模拟器运行常见的DOS、Windows的程序。这为用户从Windows转到Linux奠定了基础。许多用户在考虑使用Linux时，就想到以前在Windows下常见的程序是否能正常运行，这一点就消除了他们的疑虑。 　　多用户、多任务 　　Linux支持多用户，各个用户对于自己的文件设备有自己特殊的权利，保证了各用户之间互不影响。多任务则是现在电脑最主要的一个特点，Linux可以使多个程序同时并独立地运行。 　　良好的界面 　　Linux同时具有字符界面和图形界面。在字符界面用户可以通过键盘输入相应的指令来进行操作。它同时也提供了类似Windows图形界面的X-Window系统，用户可以使用鼠标对其进行操作。在X-Window环境中就和在Windows中相似，可以说是一个Linux版的Windows。 　　支持多种平台

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?P<type>, type是匹配的组名，方便用matched.group(type)获取。

xtype Class------------- ------------------box Ext.BoxComponent 具有边框属性的组件button Ext.Button　　按钮colorpalette Ext.ColorPalette 调色板component Ext.Component　组件container Ext.Container　容器cycle Ext.CycleButton　dataview Ext.DataView 数据显示视图datepicker Ext.DatePicker 日期选择面板editor Ext.Editor　编辑器editorgrid Ext.grid.EditorGridPanel 可编辑的表格　grid Ext.grid.GridPanel 表格paging Ext.PagingToolbar 工具栏中的间隔panel Ext.Panel　面板progress Ext.ProgressBar 进度条splitbutton Ext.SplitButton 可分裂的按钮tabpanel Ext.TabPanel　选项面板treepanel Ext.tree.TreePanel 树viewport Ext.ViewPort 视图window Ext.Window　窗口工具栏组件有---------------------------------------toolbar Ext.Toolbar　工具栏tbbutton Ext.Toolbar.Button　按钮tbfill Ext.Toolbar.Fill　文件tbitem Ext.Toolbar.Item　工具条项目tbseparator Ext.Toolbar.Separator　工具栏分隔符tbspacer Ext.Toolbar.Spacer　工具栏空白tbsplit Ext.Toolbar.SplitButton 工具栏分隔按钮tbtext Ext.Toolbar.TextItem　工具栏文本项建立一个空10个像素的位置{xtype:"tbspacer",width:10}表单及字段组件包含：---------------------------------------form Ext.FormPanel　Form面板　checkbox Ext.form.Checkbox　checkbox录入框combo Ext.form.ComboBox　combo选择项datefield Ext.form.DateField　日期选择项field Ext.form.Field　表单字段fieldset Ext.form.FieldSet　表单字段组hidden Ext.form.Hidden 表单隐藏域htmleditor Ext.form.HtmlEditor　html编辑器numberfield Ext.form.NumberField　数字编辑器radio Ext.form.Radio　单选按钮textarea Ext.form.TextArea　区域文本框textfield Ext.form.TextField　表单文本框timefield Ext.form.TimeField　时间录入项trigger Ext.form.TriggerField　触发录入项{ xtype : "label", text : "管理系统"}compositefield 时间范围{ xtype: "compositefield", fieldLabel: "Date Range", msgTarget: "side", anchor: "-20", defaults: { flex: 1 }, items: [{ xtype: "datefield", name: "startDate", fieldLabel: "Start" }, { xtype: "datefield", name: "endDate", fieldLabel: "End" }]}时间组件{ xtype: "timefield", fieldLabel: "时间组件", name: "time", anchor: "90%", increment: 10,//间隔时间是10分钟 id: "startdttime"}点击阅读全文 打开CSDN，阅读体验更佳参与评论 请先 登录 后发表或查看评论extjs中的xtype的所有类型介绍extjs中的xtype的所有类型介绍ExtJs xtype一览（转载）基本组件： xtype Class 描述 button Ext.Button 按钮 splitbutton Ext.SplitButton 带下拉菜单的按钮 cycle Ext.CycleButton 带下拉选项菜单的按钮 buttongroup Ext.ButtonGroup 编组按钮(Since 3.0) slider...继续访问SQL中xtype参数类型xtype 的表示参数类型，通常包括如下这些 C = CHECK 约束 D = 默认值或 DEFAULT 约束 F = FOREIGN KEY 约束 L = 日志 FN = 标量函数 IF = 内嵌表函数 P = 存储过程 PK = PRIMARY KEY 约束（类型是 K） RF = 复制筛选存储过程 S = 系统表 TF = 表继续访问SQL查询 - sys相关：sysObjects表中xtype字段值的含义1.获取所有数据库名 SELECT Name FROM Master..SysDatabases ORDER BY Name 2.获取所有表名 SELECT Name FROM DatabaseName..SysObjects Where XType="U" ORDER BY Name --XType="U":表示所有用户表; XType="S":表示所有系统表; 3.获取所有字段名 SELEC继续访问ExtJS组件的xtype属性列表　　ExtJS的应用界面是由很多小部件组合而成的，这些小部件被称作“组件(Component)”，所有组件都是Ext.Component的子类，Ext.Component提供了生命周期管理包括初始化、渲染、大小和尺寸管理、销毁等功能，这使得所有Ext.Component的子类都自动分享了这些能力。ExtJS提供了各式各样丰富的组件，每一个组件都很容易被扩展创建成自定义组件。 　　每个组件都有一个...继续访问ext 组件分类组件大致可以分成三大类，即基本组件、工具栏组件、表单及元素组件。 基本组件有： xtype Class ------------- ------------------ box Ext.BoxComponent 具有边框属性的组件 button Ext.Button　　按钮 colorpalette ...继续访问xtype的介绍xtype的介绍在数据库内创建的每个对象（约束、默认值、日志、规则、存储过程等）在表中占一行。只有在 tempdb 内，每个临时对象才在该表中占一行。 列名 数据类型 描述 name sysname 对象名。 Id int 对象标识号。 xtype char(2) 对象类型。可以是下列对象类型中的一种： C = CHECK 约束 D = 默认值或 DEFAULT 约束 F = FOREIGN ...继续访问ExtJs xtype的使用xtype可作为Ext控件的简写，都会对应一个Ext控件。当然这里你也可以自定义这个xtype，通过自定义的Ext控件来绑定，主要由Ext.reg方法去注册xtype。我们还可以直接用 xtype(比如 TextField 对应的 xtype 是 textfield) 的对象形式来创建组件，比如在面板的 items 属性中，尤其是多个组件或需要写许多的 ExtJs 相关代码时就更值得推荐。 两种形继续访问树形tree组件详解1.树形的拖拽 Ext.tree.viewDDDPlugin alias:"plugin.treeviewdragdrop", 需要配置： viewConfig:{ plugins:{ ptype:"tre继续访问‘type"属性值‘type"属性值 text：普通输入框 password：密码输入框 radio：单选宽 checkbox：多选框 file：文件 button：普通按钮 submit：提交按钮 reset：重置按钮 image：图片按钮 hidden：隐藏域 email：邮箱输入框 url：资源地址 search：搜索框 number：数值输入控件 tel：电话号码 range：数值选择范围控件 date：日...继续访问热门推荐 Ext Js 4的Textarea学习与实例1：基本知识 This class creates a multiline text field, which can be used as a direct replacement for traditional textarea fields. In addition, i继续访问Ext-表单1.概述 1.1文本域 { xtype: "textfield", fieldLabel: "Text field" } 1.2文本区域 { xtype: "textarea", fieldLabel: "Text Area" } 1.3 lable { xtype: "displayfield", fieldLabel: "Display Field" } 1.4 时间空间 { xtype: "datefiel...继续访问汇编程序的组成汇编程序的组成 本章节介绍: u2022语句 u2022标示符 u2022保留字 u2022注释的应用 u2022操作数 u2022表达式 数值表达式 地址表达式 返回值操作符 属性操作符 数据的定义 标号与变量的属性 伪指令 a.存储模型说明伪指令.MODEL b.段伪指令SEGMENT和结束伪指令ENDS c.过程开始伪指令 PROC和结束伪指令ENDP d.段使用设定语句伪指令A...继续访问Ext中的vtype和xtypextype会自动使用“延迟渲染”，这一点是和使用new直接创建组件最大的区别 xtype 类 Class ------------- ------------------ box Ext.BoxComponent button Ext.Button colorpalette Ext.ColorPalet继续访问EXTJS表格列xtype详解概述：列类型，就是在grid组件创建的时候，指定的列xtype，我们可以将数据更好的展示和列的功能按钮扩展等。 以雨泽漫画的后台为例，需要在列末尾增加几个按钮，“完结状态“、“推荐”、”编辑“、”预览“等按钮。 如下图所示： 代码实现：(主要在view层中来指定列类型，其他的事件等m...继续访问ExtJs 中 xtype 与组件类的对应表核心提示：我们在使用 ExtJs 创建组件时最容易理解的当然是用 new Ext.form.TextField({fieldLabel:"姓名", id:"name",width:120})；我们还可以直接用 xtype(比如 TextField 对应的 xtype 是 textfield) 的对象形式来创建组件，比如在面板的 items 属性中，尤其是多个我们在使用 ExtJs 创建组件时最容易理解的当然是用<br /> <br />new Ext.form.TextField({fieldLabel:"继续访问xtype定义 xtype就是一个代表类（Class）的标识名字。 譬如，你有这个类，名字是Ext.ux.MyGrid。正常情况下你需要用这个名字来实例化这个类（创建类的对象）。 除了类名外，你还可以这样登记类的xtype： Ext.reg("mygrid", Ext.ux.MyGrid); 其中xtype 是 mygrid 而类名的一般形式是Ext.ux.MyGrid。继续访问ExtJS 之compositefield的使用用ExtJS编写Label+TextBox的时候，发现用 xtype:"Label", 会出现以上label和"textfield"在控件上对不齐的问题。用compositefield就能解决这个问题。 注意这个label只有在layout是form的情况下才能显示出来： fieldLabel : String The label text to display...