芯片

512m。单颗粒容量是32Mx16x8，换算成常用的MB，是512M一个颗粒。芯片指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他设备的一部分。

集成电路IC芯片。nst111是属于集成电路IC芯片。芯片是半导体元件产品的统称，是集成电路的载体，由晶圆分割而成，常常是计算机或其它电子设备的一部分。

指覆盖涂层或者重叠部分。

应该不会，就是出现问题，也可以通过刷bios解决。

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三国时期开始的时间学者各有不同见解，一般分成狭义及广义。狭义是220年曹丕逼东汉汉献帝禅让，建国曹魏，使东汉灭亡开始，广义是184年黄巾之乱开始。

文档下载链接: https://pan.baidu.com/s/1QUxKsyixL1-LaHz63oKWLA 提取码: fmfgH04D18A模块是本公司自主开发的智能型无线数据传输的蓝牙模块，成本低、功耗 低、性价比高的无线传输方案。该模块采用了低功耗蓝牙5.1单芯片H04D18A作为主控。 该芯片在SOP8封装下拥有高度的整合,内含RISC 32bit CPU、256KByte Flash、ADC、以 及支持USB host或者USB device及UART/IIC接口。在实际应用中，客户只需要将模块通 过串口接入到自己的主控上，便可以通过串口通信将本地控制的产品转换为可接入APP控 制的智能产品。 二、应用领域： 该模块非常方便地和手机、平板电脑、笔记本等数码产品的蓝牙设备相连，通过无 线数据的传输，实现对产品的指令控制。 ◆ 智能家电 ◆ 智能玩具 ◆ 蓝牙控制

联想WatchX Plus采用的主控芯片是Nordic nRF52840。原因是Nordic nRF52840是一款功能强大且广泛应用于智能手表领域的芯片。它具有低功耗、高性能和丰富的接口资源等特点，能够满足智能手表的各种需求。Nordic nRF52840主控芯片采用ARM Cortex-M4内核，具备高达64MHz的处理器频率，配备了512KB的Flash存储器和256KB的RAM，能够支持复杂的应用程序和丰富的功能。此外，它还内置了丰富的外设接口，如UART、SPI、I2C、GPIO等，方便与其他传感器和设备进行通信和连接。拓展内容：除了以上提到的特点，Nordic nRF52840还支持多种无线通信协议，包括蓝牙5.0、ANT、Thread和Zigbee等，使得智能手表可以与其他设备进行无线连接和通信。此外，它还具备较低的功耗特性，可延长手表的电池寿命，提供更好的使用体验。总的来说，选择Nordic nRF52840作为主控芯片，能够为联想WatchX Plus提供强大的运算能力、丰富的接口资源和多种无线通信选择，从而实现更多功能的支持，并提升用户体验。

嗯，可以关注NRF51422！！

LDT公司生产的的LT8900 2.4G 射频芯片比较合适，支持SPI 和IIC通信，质量很稳定，但价格不贵，是国产产品中的极品，速度1MHZ 。LT8900是一款高集成度的2.4GHZ的无线收发芯片，片上集成发射机，接收机，频率综合器，GFSK调制解调器。发射机支持功率可调，接收机采用数字扩展通信机制，在复杂环境和强干扰条件下，可以达到优良的收发性能。外围电路简单，只需搭配MCU以及少数外围被动器件。LT8900传输GFSK信号，发射功率约为2dBm，最大可以到6dBm。接收机采用低中频结构，接收灵敏度可以达到-87dBm。数字信道能量检测可以随时监控信道质量。 片上的发射接收FIFO寄存器可以和MCU进行通信，存储数据，然后以1Mbps数据率在空中传输。它内置了CRC，FEC，auto-ack和重传机制，可以大大简化系统设计并优化性能。 数字基带支持4线SPI和2线I2C接口，此外还有Reset，Pkt_flag, Fifo_flag三个数字接口。 为了提高电池使用寿命，芯片在各个环节都降低功耗，芯片最低工作电压可以到2.2V，在保持寄存器值条件下，最低电流为1uA。 芯片有QFN24 4*4mm和SSOP16封装，都符合RoHS标准。 联系邮箱 EMS668@163.com

可以说是在Nordic中的佼佼者，Flash是1MB，RAM是256K，MS88SF2模块就是使用这个芯片。

3月19日,Nordic宣布推出其nRF52系列中的第六款产品,nRF52820蓝牙5.2系统级芯片(SoC)。nRF52820包括多达18个GPIO和一系列模拟和数字接口,例如模拟比较器、SPI、UART、TWI和QDEC。

nrf52832芯片是深圳市蓝科迅通科技有限公司的。Nordic Semiconductor (“Nordic”）是一家无晶圆半导体公司，专长是开发短距离无线技术和低功耗蜂窝物联网应用。该公司率先推出超低功耗无线技术，并帮助开发广泛采用的低功耗蓝牙（Bluetooth Low Energy)无线技术。nrf52832参数：支持Bluetooth Mesh2.4GHz射频收发器低功耗蓝牙模式下极高的接收灵敏度－96dBm支持1Mbps，2Mbps的速率TX发射功率从－20～＋4dBm以4dB为间隔RX和TX(0dBm)的峰值电流为5.5mAARM Cortex M4F 32位64MHz主频待浮点单元处理器在FLASH中运行时功耗为38uA/MHz在RAM中运行时功耗为30uA/MHz单线调试接口（SWD）支持并行多协议带唤醒的NFC-A标签支持BLE、ANT、私有2.4G多种协议灵活的电源管理支持电压范围1.7～3.6V全自动切换LDO和DC/DC稳压模式400nA @3V OFF关闭模式720nA @3V OFF关闭模式带32kB RAM保持1.9uA @3V ON开启模式，32.768kHz晶体振荡器，RTC时钟，32kB RAM保持512kB flash/64kB RAM丰富的外设及接口带可编程增益的8个12位的ADC通道温度传感器32个GPIO3×4个带Easy DMA的硬件PWM5个带计数器模式的32位定时器标准的IIS接口数字麦克风接口（PDM）3组带主从模式的SPI接口2组带主从模式的I2C接口带easy DMA的UART可编程外设接口（PPI)正交解码器（QDEC）带Easy DMA的硬件AES加密器3个RTC时钟

UBM一般有三层，分别为铬，铬-铜（50%~50%），铜在UBM上面，还有一层很薄的金层，主要是预防金属铜的氧化，凸缘的成分是铅锡合金，根据不同的应用要求可以选用低共熔化合物或其他成分。上课要认真听讲哦！呵呵，不会了吧

长电 科技 是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。 通过高集成度的晶圆级（WLP）、2.5D/3D、系统级（SiP）封装技术和高性能的倒装芯片和引线互联封装技术，长电 科技 的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用，包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。长电 科技 在全球拥有23000多名员工，在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，在逾22个国家和地区设有业务机构，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。 随着市场对便携式移动数据访问设备的需求快速增长，市场对功能融合和封装复杂性的要求也在提升。同时对更高集成度，更好电气性能、更低时延，以及更短垂直互连的要求，正在迫使封装技术从 2D 封装向更先进的 2.5D 和 3D 封装设计转变。为了满足这些需求，各种类型的堆叠集成技术被用于将多个具有不同功能的芯片集中到越来越小的尺寸中。 长电 科技 积极推动传统封装技术的突破，率先在晶圆级封装、倒装芯片互连、硅通孔(TSV)等领域中采用多种创新集成技术，以开发差异化的解决方案，帮助客户在其服务的市场中取得成功。 3D 集成技术正在三个领域向前推进：封装级集成、晶圆级集成和硅级集成。 u2022 封装级集成 利用常规的焊线或倒装芯片工艺进行堆叠和互连，以构建传统的堆叠芯片和堆叠封装结构，包括： 堆叠芯片 (SD) 封装 ，通常在一个标准封装中使用焊线和倒装芯片连接，对裸片进行堆叠和互连。配置包括 FBGA-SD、FLGA-SD、PBGA-SD、QFP-SD 和 TSOP-SD。 层叠封装(PoP) ，通常对经过全面测试的存储器和逻辑封装进行堆叠，消除已知合格芯片 (KGD) 问题，并提供了组合 IC 技术方面的灵活度。倒装芯片 PoP 选项包括裸片 PoP、模塑激光 PoP 和裸片模塑激光 PoP 配置 (PoP-MLP-ED)。 封装内封装 (PiP) ，封装内封装 (PiP) 通常将已封装芯片和裸片堆叠到一个 JEDEC 标准 FBGA 中。经过预先测试的内部堆叠模块 (ISM) 接点栅格阵列 (LGA) 和 BGA 或已知/已探测合格芯片 (KGD)，通过线焊进行堆叠和互连，然后模塑形成一个与常规FBGA封装相似的 CSP。 3D 晶圆级集成 (WLP) 使用再分布层和凸块工艺来形成互连。晶圆级集成技术涵盖创新的扇入(FIWLP) 和扇出 (FOWLP) 选项，包括： 嵌入式晶圆级 BGA(eWLB) - 作为一种多功能的扇出型嵌入式晶圆级 BGA 平台，eWLB 灵活的重建制造工艺可以降低基板的复杂性和成本，同时在一系列可靠、低损耗的 2D、2.5D 和 3D 解决方案中实现高性能、小尺寸和非常密集的互连。长电 科技 的 3D eWLB-SiP 和 eWLB-PoP 解决方案包括多个嵌入式无源和有源元器件，提供面对背、面对面选项，以及单面、1.5 面、双面超薄 PoP 配置。对于需要全 3D 集成的应用，长电 科技 的面对面 eWLB PoP 配置通过 eWLB 模塑层，在应用处理器和存储器芯片之间提供直接的垂直互连，以实现高带宽、极细间距的结构，其性能不逊色于 TSV 技术。 包封 WLCSP (eWLCSP ) - 一种创新的 FIWLP 封装，采用扇出型工艺，也称为 FlexLine 方法，来构建这种创新、可靠的包封 WLCSP 封装。 WLCSP - 标准晶圆级 CSP 封装。随着各种工艺技术的发展，例如低固化温度聚合物、将铜材料用于凸块下金属化 (UBM) 和 RDL，我们可以实现更高的密度，提高 WLCSP 封装的可靠性。 在真正的 3D IC 设计中，目标是将一个芯片贴合在另一个芯片上，两者之间没有任何间隔（无中介层或基材）。目前，“接近 3D”的集成通常也称为 2.5D 集成，其实现方法是使用薄的无源中介层中的硅通孔 (TSV)，在封装内部连接芯片。芯片之间的通信通过中介层上的电路进行。FOWLP 工艺还可以产生一种被称为2.5D eWLB的创新过渡技术，在这种技术中，使用薄膜扇出型结构来实现高密度互连。长电 科技 的硅级集成产品组合包括： 2.5D / 扩展 eWLB - 长电 科技 基于 eWLB 的中介层可在成熟的低损耗封装结构中实现高密度互连，提供更高效的散热和更快的处理速度。3D eWLB 互连（包括硅分割）是通过独特的面对面键合方式实现，无需成本更高的 TSV 互连，同时还能实现高带宽的 3D 集成。基于 eWLB 的中介层简化了材料供应链，降低了整体成本，为客户提供了一个强大的技术平台和路径，帮助客户将器件过渡到更先进的 2.5D 和 3D 封装。 MEOL集成的2.5D封装 - 作为首批在2.5D 封装领域拥有成熟 MEOL TSV 集成经验的 OSAT 之一，长电 科技 在这个新兴互连技术领域扮演着重要角色，专注于开发经济高效的高产量制造能力，让 TSV 成为具有商业可行性的解决方案。长电 科技 还与众多的客户、研究机构和领先代工厂开展协作，为集成式 3D 封装解决方案开发有效的商业模式。 2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器 长电 科技 为以下封装选项提供晶圆级技术： u2022 eWLB（嵌入式晶圆级球栅阵列） u2022 eWLCSP（包封晶圆级芯片尺寸封装） u2022 WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装） u2022 IPD（集成无源器件） u2022 ECP（包封芯片封装） u2022 RFID（射频识别） 当今的消费者正在寻找性能强大的多功能电子设备，这些设备不仅要提供前所未有的性能和速度，还要具有小巧的体积和低廉的成本。这给半导体制造商带来了复杂的技术和制造挑战，他们试图寻找新的方法，在小体积、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。长电 科技 在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面处于行业领先地位，提供的解决方案包括扇入型晶圆级封装 (FIWLP)、扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、集成无源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封装 (ECP)、射频识别 (RFID)。 突破性的 FlexLineTM 制造方法 我们的创新晶圆级制造方法称为 FlexLineTM 方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。FlexLine 制造方法是不同于常规晶圆级制造的重大范式转变，它为扇入型和扇出型晶圆级封装提供了很高的灵活性和显著的成本节省。 FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。 用于 2.5D 和 3D 集成的多功能技术平台 FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。 半导体公司不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品体积更小、速度更快、性能更高，并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装对于解决这些挑战具有重大影响。当前和未来对于提高系统性能、增加功能、降低功耗、缩小外形尺寸的要求，需要一种被称为系统集成的先进封装方法。 系统集成可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化子系统中，以实现更高的性能、功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。 什么是系统级封装？ 系统级封装 (SiP) 是一种功能电子系统或子系统，包括两个或更多异构半导体芯片（通常来自不同的技术节点，针对各自的功能进行优化），通常搭载无源元器件。SiP 的物理形式是模块，根据最终应用的不同，模块可以包括逻辑芯片、存储器、集成无源器件 (IPD)、射频滤波器、传感器、散热片、天线、连接器和/或电源芯片。 先进 SiP 的优势 为了满足用户提高集成度、改善电气性能、降低功耗、加快速度、缩小器件尺寸的需求，以下几大优势促使业界转向先进的SiP 解决方案： u2022 比独立封装的元器件更薄/更小的外形尺寸 u2022 提高了性能和功能集成度 u2022 设计灵活性 u2022 提供更好的电磁干扰 (EMI) 隔离 u2022 减少系统占用的PCB面积和复杂度 u2022 改善电源管理，为电池提供更多空间 u2022 简化 SMT 组装过程 u2022 经济高效的“即插即用”解决方案 u2022 更快的上市时间 (TTM) u2022 一站式解决方案 – 从晶圆到完全测试的 SiP 模块 应用 当前，先进的 SiP 和微型模块正被应用于移动设备、物联网 (IoT)、可穿戴设备、医疗保健、工业、 汽车 、计算和通信网络等多个市场。每种先进 SiP 解决方案的复杂程度各不相同，这取决于每种应用需要的元器件的数量和功能。 以下是高级 SiP 应用的一些示例： 根据应用需求和产品复杂度，我们提供多种先进 SiP 配置，从带有多个有源和无源元件、通过倒装芯片、引线键合和SMT进行互连的传统2D 模块，到更复杂的模块，如封装内封装 (PiP)、层叠封装 (PoP)、2.5D 和 3D 集成解决方案。先进的SiP 模块配置 (2D/2.5D/3D) 针对特定终端应用进行定制，旨在充分发挥它们的潜在优势，包括性能、成本、外形尺寸和产品上市时间 (TTM)。 在倒装芯片封装中，硅芯片使用焊接凸块而非焊线直接固定在基材上，提供密集的互连，具有很高的电气性能和热性能。倒装芯片互连实现了终极的微型化，减少了封装寄生效应，并且实现了其他传统封装方法无法实现的芯片功率分配和地线分配新模式。 长电 科技 提供丰富的倒装芯片产品组合，从搭载无源元器件的大型单芯片封装，到模块和复杂的先进 3D 封装，包含多种不同的低成本创新选项。长电 科技 的丰富倒装芯片产品组合包括： FCBGA 和 fcCSP 都使用锡球来提供第二级 (BGA) 互连。 颠覆性的低成本倒装芯片解决方案：fcCuBE 长电 科技 还提供名为“fcCuBE ”的创新低成本倒装芯片技术。fcCuBE 是一种低成本、高性能的先进倒装芯片封装技术，其特点是采用铜 (Cu) 柱凸块、引线焊接 (BOL) 互连以及其他增强型组装工艺。顾名思义，fcCuBE 就是采用铜柱、BOL 和增强工艺的倒装芯片。fcCuBE 技术适用于各种平台。自 2006 年获得首个与 fcCuBE 相关的创新 BOL 工艺专利以来，长电 科技 投入大量资金，将这一变革性技术发展成为引人注目的倒装芯片解决方案，广泛应用于从低端到高端的移动市场以及中高端消费和云计算市场的终端产品。 fcCuBE 的优势是推动来自成本敏感型市场，如移动和消费类市场，以及网络和云计算市场的客户广泛采用这种封装，因为在这些市场上，布线密度和性能的增加是必然趋势。fcCuBE 的独特 BOL 互连结构可扩展到非常细的凸块间距，实现高 I/O 吞吐量，同时缓解与应力相关的芯片与封装之间的交互作用 (CPI)，而这种现象通常与无铅和铜柱凸块结构相关。这对于中高端的网络和消费类应用而言尤其重要。 长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务 凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式服务方面独具优势。长电 科技 提供从涉及到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。 焊线形成芯片与基材、基材与基材、基材与封装之间的互连。焊线被普遍视为最经济高效和灵活的互连技术，目前用于组装绝大多数的半导体封装。 长电 科技 的多种封装方法都采用焊线互连： 铜焊线 作为金线的低成本替代品，铜线正在成为焊线封装中首选的互连材料。铜线具有与金线相近的电气特性和性能，而且电阻更低，在需要较低的焊线电阻以提高器件性能的情况下，这将是一大优势。长电 科技 可以提供各类焊线封装类型，并最大程度地节省物料成本，从而实现最具成本效益的铜焊线解决方案。 层压封装 基于层压的球栅阵列 (BGA) 互连技术最初推出的目的是满足高级半导体芯片不断增长的高引线数要求。BGA 技术的特点是将引线以小凸块或焊球的形式置于封装的底面，具有低阻抗、易于表面安装、成本相对较低和封装可靠性高等特点。长电 科技 提供全套的基于层压的 BGA 封装，包括细间距、超薄、多芯片、堆叠和热增强配置。 除了标准层压封装之外，长电 科技 还提供多种先进堆叠封装选项，包括一系列层叠封装 (PoP) 和封装内封装 (PiP) 配置。 引线框架封装 引线框架封装的特点是芯片包封在塑料模塑复合物中，金属引线包围封装周边。这种简单的低成本封装仍然是很多应用的最佳解决方案。长电 科技 提供全面的引线框架封装解决方案，从标准引线框架封装到小巧薄型热增强封装，包括方形扁平封装 (QFP)、四边/双边无引脚、扁平封装 (QFN/DFN)、薄型小外型封装 (TSOP)、小外形晶体管 (SOT)、小外形封装 (SOP)、双内联封装 (DIP)、晶体管外形 (TO)。 存储器器件 除了增值封装组装和测试服务之外，长电 科技 还提供 Micro-SD 和 SD-USB 这两种格式的存储卡封装。Micro-SD 是集成解决方案，使用 NAND 和控制器芯片，SD-USB 则是裸片和搭载 SMT 元器件的预封装芯片。长电 科技 的存储卡解决方案采用裸片级别组装、预封装芯片组装，或者两者结合的方式。 全方位服务封装设计 我们在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供最能满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。长电 科技 的全方位服务封装设计中心可以帮助客户确定适用于复杂集成电路的最佳封装，还能够帮助客户设计最适合特定器件的封装。 2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器 MEMS and Sensors 随着消费者对能够实现传感、通信、控制应用的智能设备的需求日益增长，MEMS 和传感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成为一种非常关键的封装方式。MEMS 和传感器可广泛应用于通信、消费、医疗、工业和 汽车 市场的众多系统中。 传感器 传感器是一种能够检测/测量物理属性，然后记录并报告数据和/或响应信号的装置或系统。传感器通常组装在模块中，这些模块能够基于模拟或传感器馈送信号来作出响应。传感器有很多不同的类型和应用，例如压力传感器、惯性传感器、话筒、接近传感器、指纹传感器等 微机电系统 (MEMS) MMEMS 是一种专用传感器，它将机械和电气原件通过分立或模块方式组合起来。MEMS是典型的多芯片解决方案，例如感应芯片与专用集成电路 (ASIC) 配对使用。MEMS 器件可以由机械元件、传感器、致动器、电气和电子器件组成，并置于一个共同的硅基片上。在消费、 汽车 和移动应用中使用基于 MEMS 的传感器具备一些优势，包括体积小、功耗低、成本低等。 集成一站式解决方案 凭借我们的技术组合和专业 MEMS 团队，长电 科技 能够提供全面的一站式解决方案，为您的量产提供支持，我们的服务包括封装协同设计、模拟、物料清单 (BOM) 验证、组装、质量保证和内部测试解决方案。长电 科技 能够为客户的终端产品提供更小外形尺寸、更高性能、更低成本的解决方案。我们的创新集成解决方案能够帮助您的企业实现 MEMS 和传感器应用的尺寸、性能和成本要求。 1. 嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) - 单芯片、多芯片和堆叠的层叠封装配置 2. 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) - 非常小的单芯片 3. 倒装芯片芯片尺寸封装 (fcCSP)- 单芯片或多芯片的倒装芯片配置 4. 细间距球栅阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置 5. 接点栅格阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置 6. 四边扁平无引脚 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置 长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务 凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式处理方面独具优势。长电 科技 提供从设计到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。 全方位一站式解决方案的优势 u2022 缩短产品上市时间 u2022 提升整体流程效率 u2022 提高质量 u2022 降低成本 u2022 简化产品管理 长电 科技 位于中国、新加坡、韩国和美国的全球特性分析团队，致力于为全球客户提供先进的封装表征服务，确保客户拥有高质量、高性能、可靠和高性价比的封装设计，以满足他们的市场需求。 晶圆凸块技术可以在半导体封装中提供显著的性能、外形尺寸和成本优势。晶圆凸块是一种先进的制造工艺，在切割之前就在半导体晶圆表面形成金属焊球或凸块。晶圆凸块实现了器件中的芯片与基材或印刷电路板之间的互连。焊球的成分和尺寸取决于多种因素，例如半导体器件的外形尺寸、成本以及电气、机械和热性能要求。 长电 科技 在晶圆凸块的众多合金材料和工艺方面拥有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球和电镀技术。我们的晶圆凸块产品包括 200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆凸块和再分配，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。 长电 科技 的认证质量测试中心，提供多种可靠性试验，包括环境可靠性测试、使用寿命可靠性测试、板级可靠性试验，和全方位的故障分析服务。 封测市场高景气，公司治理和业务协同不断强化，业绩实现高速增长： 公司 2020 年归母净利润同比+1371.17%，业绩实现高速增长，主要得益 于公司进一步深化海内外制造基地资源整合、提高营运效率、改善财务 结构，大幅度提高了经营性盈利能力。2020 年，公司海外并购的新加坡 星科金朋实现营业收入 13.41 亿美元，同比增长 25.41%，净利润从 2019 年的亏损 5,431.69 万美元到 2020 年的盈利 2,293.99 万美元，实现全面 扭亏为盈。另外，收购后，子公司长电国际利用星科金朋韩国厂的技术、 厂房等新设立的长电韩国工厂（JSCK）在 2020 年实现营业收入 12.35 亿美元，同比增长 64.97%；净利润 5,833.49 万美元，同比增长 669.97%。 2021 年第一季度，公司业绩延续高增长趋势，归母净利润同比 +188.68%，毛利率 16.03%，同比+2.93pct，净利率 5.76%，同比+3.41pct。 公司可为客户提 供从设计仿真到中后道封测、系统级封测的全流程技术解决方案，已成 为中国第一大和全球第三大封测企业。公司产能全球布局，各产区的配 套产能完善，随着产能利用率的持续提升，公司生产规模优势有望进一 步凸显，同时，各产区互为补充，各具技术特色和竞争优势，完整覆盖 了低、中、高端封装测试领域，在 SiP、WL-CSP、2.5D 封装等先进封 装领域优势明显。公司聚焦 5G 通信、高性能计算、 汽车 电子、高容量 存储等关键应用领域，大尺寸 FC BGA、毫米波天线 AiP、车载封测方 案和 16 层存储芯片堆叠等产品方案不断突破，龙头地位稳固。 用户资源和 高附加价值产品项目，加强星科金朋等工厂的持续盈利能力。目前，公 司国内工厂的封测服务能力持续提升，车载涉安全等产品陆续量产，同 时，韩国厂的 汽车 电子、5G 等业务规模不断扩大，新加坡厂管理效率 和产能利用率持续提升，盈利能力稳步改善。随着公司各项业务和产线 资源整合的推进，公司盈利能力有望持续提升，未来业绩增长动能充足。

UBM一般有三层,分别为铬,铬-铜（50%~50%）,铜 在UBM上面,还有一层很薄的金层,主要是预防金属铜的氧化,凸缘的成分是铅锡合金,根据不同的应用要求可以选用低共熔化合物或其他成分. 上课要认真听讲哦!

芯片ubm全称：Universal Broadcast Modem。美国高通宣布其通用手机电视芯片UBM(Universal Broadcast Modem，通用广播调制解调器。）芯片提前出样。高通称该芯片支持三种手机移动电视标准：FLO技术、欧洲DVB-H和日本ISDB-T标准。UBM是在芯片焊盘与凸点之间的金属化过渡层，主要起粘附和扩散阻挡的作用，它通常由粘附层、扩散阻挡层和浸润层等多层金属膜组成。目前通常采用溅射、蒸发、化学镀、电镀等方法来形成UBM，所以UBM层的制作是凸点制作的关键工艺之一，其好坏将直接影响凸点的质量，以及倒装焊接的成品率和封装后凸点的可靠性。芯片的原理芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状态，开和关，用1、0来表示。多个晶体管产生的多个1与0的信号，这些信号被设定成特定的功能，来表示或处理字母、数字、颜色和图形等。芯片加电以后，首先产生一个启动指令，来启动芯片，以后就不断接受新指令和数据，来完成功能。

内核高级STM8内核，具有3级流水线的哈佛结构扩展指令集存储器程序存储器：8K字节Flash；10K 次擦写后在55°C环境下数据可保存20年数据存储器：640 字节真正的数据EEPROM；可达30万次擦写RAM：1K字节

1、性能方面：华为PocketS搭载骁龙778G处理器，P50Pocket为骁龙888芯片，仅支持4G网络。前者在一些大型游戏中会比较难，日常使用没有问题。后者虽然性能更强大，但是功耗不好，容易发热。2、性能方面：华为PocketS搭载骁龙778G处理器，P50Pocket则是骁龙888芯片，仅支持4G网络。前者在一些大型游戏上会比较吃力，日常使用没啥问题。后者性能虽然更加的强大，但功耗不行，容易发热。3、华为pocketS搭载2款处理器，分别是骁龙778G和骁龙8+，其中骁龙778G属于中端性能水平，而骁龙8+是当前的性能旗舰。4、处理器区别为华为pocketS是0骁龙778G4G，华为P50Pocket骁龙8884G，P50pocket采用的是骁龙888处理器，比PocketS采用骁龙778G处理器在性能方面更强一些。

应该是有被磨过字的吧

电能计量芯片如下：1、SA9904BSA9904B有20个引脚，PDIP封装，12个元暂存器。SA9904B包含9个代表各相的有功电能、无功电能与电源电压的24位元暂存器。第10个24位元暂存器代表任何有效相位的市频，包含3个位址以保存与SA9604A的兼容性。3个位址的任何其一可用于存取频率暂存器。每相位的有功与无功功率被积存于24位元暂存器。2、ATT7026AATT7026A有44个引脚，QFP44封装，102个寄存器翻。有功功率通过求瞬时功率代数均值获得。分相、合相有功功率分别存入指定寄存器，供用户读取。无功功率是通过将电压采样信号作一90°相移，再求瞬时功率的代数均值获得。分相、合相无功功率同样提供给用户。3、CS5463CS5463有24引脚，SSOP封装，32个寄存器。采样得到瞬态电压和电流的数字量，把每对瞬态电压和电流的数据相乘，得到瞬时有功功率的采样值。每个A/ D采样周期后新的瞬态功率采样值就存入功率寄存器，N个瞬时功率采样值为一组，每组的值累加和用于计算以后放在能量寄存器中的数值，它与电路在N个A/D转换周期中的有功功率值成正比。扩展资料电能计量芯片的工作原理两个模数转换器（ADC）对来自电流和电压传感器的电压信号进行数字化，这两个ADC都是16位二阶Σ-Δ模数转换器，过采样速率达900kHz。ADE7755的模拟输入结构具有宽动态范围，大大简化了传感器接口（可与传感器直接连接），也简化了抗混叠滤波器的设计。电流通道中的程控放大器（PGA）进一步简化了传感器接口。电流通道中的高通滤波器（HPF）滤掉电流信号中的直流分量，从而消除了由于电压或电流失调所造成的有功功率计算上的误差。

SOP(SmallOut-LinePackage)也是一种很常见的元件封装形式，主要应用于表面贴装元器件。SOP封装的应用范围很广，而且以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等在集成电路中都起到了举足轻重的作用。像主板的频率发生器就是采用的SOP封装。DIP封装，是dualinline-pinpackage的缩写，也叫双列直插式封装技术，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。

在6月份苹果举办的WWDC 2022上，苹果推出了包括iOS 16在内的多个系统更新，并且还向外界隆重宣布了旗下新一代自研Apple Silicon——M2芯片以及搭载M2芯片的相关MacBook Air、MacBook Pro 13等产品。而在近期，搭载苹果新一代Apple Silicon——M2芯片的MacBook Air即将开售。从Apple Silicon——M2芯片出发，我们能了解到什么？新一代Apple Silicon——M2芯片有何意义？本期文章，让我们一起展开聊聊。 01/ M2芯片规格如何？ 苹果在WWDC 2022上对于M2的介绍提到，苹果最新的M2芯片是采用了新一代的5nm工艺，而从苹果芯片的代工厂——台积电方面的产品技术路线上，大致可以推断为是台积电的增强版5nm工艺（N5P）。而根据台积电方面的介绍，相同功率下，N5P工艺相比较于N5工艺会有 7% 的性能提升以及 15% 的能耗比提升。 而从苹果在WWDC2022上公布的数据我们可以看到，相比较于苹果此前推出的M1芯片，M2芯片在整体的封装上就相比较于M1大出不少，面积大了一整圈。苹果官方表示，M2芯片内部共计集成 200 亿只晶体管，相比 M1 芯片增加 25%（M1芯片晶体管为160亿只）。 苹果官方表示，M2 芯片开启了 M 系列芯片的第二代，提升了 M1 芯片的卓越功能，M2芯片和其他以功耗来提升性能的产品不同，M2芯片是进一步优化了能耗比的产品。 在核心性能方面，根据WWDC 披露的信息， M2芯片相比较于M1芯片有着最高18% CPU 和 35% GPU提升。这一提升根据现阶段的信息显示，主要是源于这几方面。 首先是核心方面，苹果全新的M2芯片其CPU核心大致是由A15芯片的性能核心 Avalanche和能效核心 Blizzard 进行改进而来的，并且进行了的一定的提频处理。 在GPU方面，M2芯片也是有所升级，其采用了新一代的内核结构，在最高的GPU核心数量方面有所提升，最高为10核。 在SoC中，非常影响性能发挥的内存、缓存等因素也被苹果在M2芯片上进行了升级。 M2芯片针对于内存的支持升级到了LPDDR5 6400，将统一内存提升到了最高24GB的支持，并且将带宽进行了大幅度的升级。由原先M1芯片的68GB/s带宽提升到了100GB/s，提升近50%。而在缓存方面，M2芯片的性能核心其L2缓存也提升到了16MB，升级也是较为明显。 总体来看，M2相比较于M1的升级，大致是像A14向A15的升级，通过一定的工艺优化+核心小改+内存、缓存提升来拉升整体性能表现。但是这一套提升没有非常巨大，M2芯片的整体性能被苹果精确的控制在了M1之上,M1 Pro之下，并不会威胁到现有产品的地位，属于极为精确的卡位。 02/搭载M2芯片的MacBook Air推出对于苹果意味着什么？ 从WWDC 2022上公布的信息可以看到，首批搭载M2芯片进行推出的拥有两款产品，分别是MacBook Air和MacBook Pro 13。其中的MacBook Air进行了全新的设计，各方面都是更为轻薄，但是价格却有所上升。 以苹果旗下芯片产品的定位来说，M2芯片的定位尚未强于M1Pro芯片，更别说是定位更加高端的M1 Max芯片或者说M1 Ultra芯片。对于苹果而言，全新升级的M2芯片在定位上就是承袭于M1芯片的升级迭代产品。 从M2芯片的定位进行出发，这就是苹果旗下M系列芯片的基础更新，位列也是在M2系列芯片上最为基础的版本，和主打入门级定位的全新MacBook Air结合并无不妥。并且提升入门级产品的市场售价，拉升M2系列产品的整体定价，并且为M1/M2产品的价格定位进行了切入，进一步增加产品定位选择，提升利润。 在2020年苹果推出M1芯片时，苹果表示将会在两年的时间内完成旗下产品Mac系列产品迁移，包括推出Rosetta 2等转译套件来让用户可在Arm芯片的Mac产品上兼容为X86芯片Mac产品所编写的应用。并且也在引领开发者向其自有芯片迁移，提升产品可用性。 因此，除了对于市场方面能产生有利影响外，苹果第二代M系列芯片的推出。更是显示着自身旗下PC产品的转型，从依赖于英特尔提供的核心，到被自身完全掌握的Apple Silicon。苹果顺利完成了两年之约，对旗下产品的过渡已经完成。苹果再一次向市场以及开发者证明了其强大的号召力，以及对于整个生态的掌握能力。 随着M2芯片的推出，苹果目前已经顺利完成了其过渡计划，正在向着自身的优势进行发力，首先在软硬件方面，苹果通过自有的系统和硬件更进一步进行了深入捆绑，并且构筑起了更为强大的优势，在多种设备的统一性更进一步。 苹果旗下的M系列芯片和系列芯片均采用了Arm架构，因此对于苹果来说，自A系列芯片所进行的设计可以进一步利用到M系列芯片上，减少开发成本，共享研发进度。并且在后续的生产上，还可以进一步提升制造单量，对代工厂进行施压，获得更进一步的利润。 在M系列芯片和A系列同源于Arm以后，苹果旗下的设备有具备有更进一步的同一性，对于开发者和用户来说，开发者可实现一次开发在多端上进行上架，有效的拓展旗下软件的市场。用户也可以在多个设备使用同一款APP，极大的拓展了软件的使用范围，用起来更加方便。 苹果正从芯片方面的统一性入手，搭配独有操作系统，进一步构筑其生态围墙，并且拓展生态圈的可能。 在WWDC 2021上，苹果就通过演示Mac和iPad的无缝交互操作，展现了苹果全家桶连接互通的魅力，也进一步强化了苹果硬件生态的核心竞争力。 苹果还对采用M系列芯片的iPad产品加入了针对性的升级，配给了台前调度功能和针对外接显示输出的针对性优化，使采用M系列芯片的iPad产品获得了生产力的提升，一定程度上也回应了外界对其M系列iPad无用论的质疑。 从苹果这一系列的动作中我们可以看到，搭载苹果M系列芯片的Mac产品和iPad产品在系统上不断的靠近，作为传统桌面操作系统和移动操作系统的界限在渐渐模糊，交互的边界在逐渐打破。凭借优秀软件和硬件的协同配合，苹果其生态圈的优势地位不断提升。 苹果旗下Mac系列产品在影视处理领域具有非常强话语权，而在M2芯片上，苹果还加入了针对于ProRes这一视频格式的支持。联想到iPhone 13 Pro上也对于ProRes进行了支持，苹果或将对Pro系列的iPhone影像属性进行进一步的提升，并且对后续处理的Mac等产品进行支持增强，提升其在影视处理领域的话语权。 03/苹果“芯”时代对于行业有何触动？ 有观点认为，苹果的软件在现阶段的产品上已经打造了几乎无人能敌的地位。而长期以来，在众多的产品上，特别是Mac系列产品上核心芯片的掌握能力不足是其缺失的一环，因未能将软硬件优势进行最大化的发挥。 在M系列芯片推出以后，苹果对其核心芯片的掌握能力有了进一步的提升，可以更好地把握产品节奏，更有助于打通自家的各条产品线，实现软硬件高度集成，增强产品体验的一致性，进一步提升自有产品的生态。 在产品成本的构成上，有统计数据指出，苹果M1芯片的成本在40-50美元，而采购英特尔酷睿i5处理器的价格为200美元左右。在Mac系列产品换用苹果M系列芯片后，成本下降非常明显，有效减少了支出。 苹果以出色能力对上下游进行了强有力的把握，在带来自身优势的同时，还进行了成本的降低，可谓两全其美。 对于业内的其他厂商来说，也是看到了这一趋势，进行了更深层次的布局，以提升自身竞争力。 各家巨头也对上游的芯片领域进行布局，力求在上游掌握多话语权，以减少对单一供应商的依赖。在提升产品竞争力的同时，也能将自有优势进行写入，构筑软硬件生态的进一步提升，并且也可以对供应商进行更加有效的议价，减少成本支出。 从目前的趋势来说，大部分厂商都在以这一方向进行前进，力求以芯片构筑属于自身的优势，建立起系统、终端、芯片的深层次联系。例如谷歌、OPPO、vivo、小米等手机行业厂商，甚至是理想、蔚来、小鹏等国内新兴车企都在芯片方面有所投入。 可以说“芯”已经成为各家企业长远发展的关键因素，未来的 科技 企业都将会以苹果为参考，构筑属于自身的“芯”时代。

我觉得不能，这个价格涨的太离谱了，全新的芯片也没有很好。

要找到主板插槽然后插入，随后连接电源即可开机。电源线粗红、粗黑、中粗红粗红线接电源正极，粗黑线接负极，中粗红接电动车锁匙，简称锁匙线。电机线粗黄、粗绿、粗蓝相对应就可以，接上电机线后接控制器两根单独的白线，简称学习线，对接上打开锁匙，电机会自动转动，转动后说明电源和电机线一接好，拔掉学习线。如果不转检查是否电机或电机线问题。霍尔线红、黑、黄、绿、蓝直接可以对接车上的霍尔线头，以上接好之后找到控制器上面的两根单独的白线，打开锁匙的情况下对接上白线，如果电机处于反转拔掉学习线，再对接上一次，正转后学习一分钟拔掉学习线，学习完成。仪表线单独蓝色接上仪表可以显示速度，关于液晶仪表信号接霍尔的黄、蓝、绿线即可，如果不行说明不可以用。防盗器电源为红黑，重要红色为正极，黑色负极。有强大电压电流，不可以用手碰线头，小心谨慎，接防盗器电源，给予防盗器供电。

该卡由AUREAL傲锐原厂出产，型号VORTEX，采用AU8820B2芯片，32位普通PCI接口兼容64位PCI接口， 两声道输出口。生产厂家介绍：在ISA时代，Aureal这个名字并不为人所知，但到了PCI时代，Aureal的名字迅速随着帝盟S90这款声卡传播开来，S90这款声卡获得游戏玩家的广泛赞扬，Aureal也名声大振。S90就是采用的傲锐公司的Vortex AU8820的音频控制芯片。支持A3D 1.0，就是这款S90让很多人接受了3D音效这个概念。Vortex AU8820是Aureal公司推向市场的第一款音频处理芯片，我们通常叫它Vortex-1，它是第一款真正支持A3D 1.0标准的声卡芯片。前面我们多次提到过A3D，其实它正是由Aureal公司研究开发出来的最早的HRTF三维音效算法技术，所以Vortex系列采用的A3D是最为正统的，效果也相对好一些。就算在双声道模式下也可以获得较好的虚拟环绕效果，此外在输入输出的音质表现上Vortex-1也令人十分满意，基本可以达到其标称的信躁比。

1、使用编程器将HEX文件烧录到STC12芯片中。2、使用ISP编程工具或者仿真器连接STC12芯片与PC机，获取芯片上的程序代码。3、使用专门的反汇编工具，将HEX文件反汇编为汇编代码或C语言代码。4、根据反汇编结果，对程序代码进行分析和理解。

2家公司生产的ICs. 设计团队不一样.MTK主要做手机,电视, 平板芯片. MST主要做电视芯片,OTT芯片.

sdc编写属于芯片设计关键环节。因为写好SDC约束文件,是芯片设计的关键一步。因此,归纳、整理SDC约束的细节要点很重要,有助于减少出错的风险。

应该是RTL8103E吧，这是realtek公司的网卡型号，应该是属于100M网卡，相关信息可以到realtek官网查询

可以

没事找事了~标明是1G内存。但你看到的是已经被安装了系统、软件等以后的内存空间，所以当然不到1G了。另外，内存的大小算法和我们电脑的算法也不相同，生产企业使用的1G=1000Mb，电脑理论上的算法是1G=1024Mb。所以，手机上显示的1G是企业标注的行业计量单位、而非TI业普遍使用的计量单位。

那应该是这个芯片的规格型号

【答案】：512选1的数据选择器要求具有512个数据输入端和9位地址端口。可用积木式方法先设置底层64个8选1MUX，产生512个数据端口，再设置上一层8个8选1MUX，其64个输入端口与底层64个输出端相连，最后在顶层设置1个8选1MUX，其8个输入端口连接第2层的8个输出端。这样，顶层MUX的输出即为512选1输出端。9位地址自高位至低位分成3组，依次分配到顶层、第2层、底层的各层MUX地址端。本题也可以用译码器扩展输出信号选通64个8选1MUX实现。

输入电阻越大，功放芯片从前级需要的电流就越小，对前级的影响就越小，就越容易推动，所以设计时输入电阻就取的很大。

Rin即功放的输入阻抗。在多级放大器中，前级放大器对于后级来说是信号源，它的输出阻抗就是信号源的内阻，而后级相对于前级来说就是负载，它的输入阻抗就是信号源前级放大器的负载阻抗。放大器的输入阻抗是愈高愈好，而输出阻抗是愈低愈好。假设信号源输出一个固定电压，往上一级，如果这一级的输入阻抗高，是不是由信号源所提供的信号电流就可以降低呢？如果输入阻抗非常高，则几乎不会消耗信号电流就可以驱动这一级电路工作。由于输入高阻抗所需的信号电流较少，则连接其上的信号线中的电流必较小。因此对于信号线品质的要求，就可以不必那么高，这就少了一个电流干扰的机会。

武士。动漫《lain》是1998年在东京电视台深夜时段播放的一款动漫，主要讲述主角lain接收到一款名为武士的电子芯片，能够进行控制网络世界，是一部非常好看的动漫，受到很多人喜欢。

除了华为在芯片制造方面面临断供之外，美国对全球芯片出口政策的调整带来的一系列连锁反应在日本也逐渐显现， 首先是日本的芯片生产巨头之一的东芝半导体，近日就突然宣布彻底退出LSI芯片业务！ 所谓LSI芯片业务其实就是芯片领域中的大规模集成电路，就是将100个门电路以及上千个晶体管以及电阻等众多元器件全部都集成在一个晶片之上，并将这些元器件进行整合布线加以集成起来的一套集成电路，在电子表和计算器以及微型电脑中应用广泛。 对于东芝来说，其生产的LSI芯片主要为 汽车 巨头丰田提供图像识别CPU， 不过此次砍掉LSI芯片业务根据外媒的报道，原因是东芝希望提供自己的净利润率，不过这种做法或许会适得其反，东芝LSI部门业务的砍掉，将导致东芝损失118亿日元（折合人民币7.62亿元）。 所以东芝在最后强调，其新构建的业务将不会受到美国政策调整的影响，不难看出其砍掉LSI芯片业务就是因为美国对全球芯片政策调整的影响，而并不是希望提高其净利润率。 除了东芝以外，日本另一家芯片生产商铠侠也于周一宣布， 取消了原定于10月6日的32亿美元的IPO计划，或许是全球都看到了美国的 科技 霸凌，所以才会逐步都开始与美国 科技 剥离，以免下一个被美国制裁的就是自己！ 日本东芝这样做，其实非常聪明，日本并不想因为用到一颗美国螺丝钉而放弃整个中国市场，同时日本也不想花费巨资为自己以后的 科技 埋雷，如今随着中科院将下一步的科研清单定位在芯片领域，中国芯片的国产化进程将会进一步加速，待到我们突破瓶颈之时，全球芯片行业将会迎来一个大变局！

串行数据输出(=Serial Data Output) 串行数据输出是将组成数据和字符的码元，按时序逐位予以传输。该方式需信道数目较少，多用于远距离无线通讯。传输时，传送和接收两方均要有约定，以统一格式传送和接收数据。在国际标准RS-232C串行通讯接口中，将数据传输格式约定为起始位（2位、1位半、1位）、码位（7位、8位）和停止位（1位或无）。发送和接收均按此顺序。若起始位和停止位与约定不同，则认为数据无效成为干扰信号而加以拒绝。

给锂电池充电一定要用锂电池管理芯片。用稳压电源等等也是可管理给锂电池充电过程的，不一定要用锂电池管理芯片，对于替代电路可以自己用555等等芯片用洞洞板或者覆铜板搭电路。对于锂电池来说电池管理芯片对于电池充放电的各种性能比如，恒压方式，恒流方式等等，这些充电方式是对电池有好处的，最重要的一点是相对来说比较安全。锂电池管理芯片对于延长电池寿命有明显作用。因为有了充放电芯片，电压，电流都达到了可控状态，可以有效的控制充电的各个阶段的充电状态。扩展资料锂电池充电管理芯片介绍最近几年磷酸铁锂电池开始被广泛使用，例如高功率电动工具、电钻、除草机、医疗设备、 轻型电动车辆等等。由于磷酸铁锂晶体中的P-O键稳固，难以分解，在高温或过充时也不会像钴酸锂一样结构崩塌发热或是形成强氧化性物质，因此拥有良好的安全性。因为磷酸铁锂电池是用磷酸铁锂作为正极材料的锂离子电池，标准充电的循环寿命达到2000次以上，理论寿命将达到7~8年。锂电池的广泛使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了锂电池充电管理芯片SNC201。电子的这种芯片可以有效管理每个锂电池的充电，它会根据锂电池的特性自动进行预充、恒流充电、恒压充电。我们都知道，当没有充电管理芯片直接给锂电池接通电源充电，锂电池在电量低的情况下，突然进入大电流，会导致锂电池损坏，因为电流大，发热也快，电池的寿命就会变短，锂电池除了怕低电量，还怕过热。

CD5151CP资料已经发了，请查收，收到请回复。

protel 99se和Protel DXP 2004

第一个问题 ： 5v是可以工作，不过致冷就差了一点，你想用电脑电源带动的话，就要看你电脑电源的负载电流，一般4cmx4cm工作电流是5A，（你可以看电脑电源旁边有张负载说明的）最少带动致冷片电流要一安。在低电压低电流工作下，致冷就有所减少。 第二个问题 温差方面帮不了你，我没温度计。装在电脑上面的话要看你装到那里，如果装在CPU上的话，CPU有过温保护的，所以你可以试验一下的。散热片足够大的话是可以控制在85度以下，呵呵！散热片的面积方面就是一个可怕问题，可以用风冷或水冷的。 最后一个问题 如果你要装半导体致冷片在CPU上，那致冷片散热的那一面，要装的散热片要比你原先装的CPU散热片要大好好多。还有用的电比原风冷用的电多好多。 总结 半导体致冷片本身就是一个发热体，原理就是用发热来带走另一边的热，所以一边发热另一边是冷，得不偿失。半导体致冷片这个名就到这样来的，它不是叫半导体制冷片。

你好！1.制冷片功率过大，不适合拿来散热，机箱电源也不堪负重。2.制冷片热的一端需要散热风扇和散热铝来散热。3.给电脑散热，水（液冷）冷的方式足矣，你的想法不错，但我在8年前就想过用制冷片做空调，没有做成，效果不凉快，所以不给力。4.这东西唯一的缺陷就是（热的快，冷的慢）找不到这么好的电源给供电。用物理学说：这是个无用功。

书上有

复位，就是把单片机唤醒。让他从无序状态苏醒过来。。。。。。。

荣耀 Play4T手机很不错，参数如下：1、屏幕：屏幕尺寸是6.39英寸英寸，屏幕色彩为1670万，屏幕清晰，玩游戏、看视频更爽。2、摄像头：后置摄像头4800万像素+200万像素。前置摄像头800万像素，自拍更加细腻。3、性能：采用Magic UI 3.1（基于Android 10)操作系统，搭载 Kirin 710A，八核处理器，多应用同时运行无压力，游戏运行更流畅。4、电池：配置的是4000mAh（典型值），标配充电器是5V/2A的，持久续航。

X0W～X00W不错的选择 一个表现不错的Buck驱动芯片 https://www.ti.com/product/LM5116 除了datasheet，好像也没有找到什么好的资料 所以我总结反思自己在使用过程中碰到一些问题，也进一步加深理解。 集成了控制、驱动、保护，使用外置MOS和电感搭建可同步整流的BUCK电路 图1 首先一个非常有用的功能就是宽范围的Input Voltage，Vin支持6-100V，芯片自身供电VCC则直接从Vin转化而来，不需要额外供电。Vin两个档位采用两个模式转化到VCC：当Vin低于10.6V，Vin通过一个“low dropout switch”直接供给VCC，猜测应该是一个二极管或者低Rds-on的transistor；当Vin高于10.6V，则通过一个regulator输出到VCC，恒定输出7.4V，推测内部为LDO转化，但是一个显而易见的疑问是，VCC拉电流的能力可达20mA（虽然VCC regulator限流15mA），如图x所示，考虑极限情况，100V输入，VCC为7.4V，LDO上的损耗为1.852W， Junction-to-Board的热阻17.7℃/W，看起来只有工作在92℃板温，才会超125℃ 但是近2W的损耗对于一颗控制+驱动而言，还是很可观的。 VCCX可能会有点费解，为什么有一个VCC，还要一个X，能去掉然后给我省点芯片成本吗？ 这就回到了刚刚的损耗问题。为了减小regulator的损耗，我们可以选择从VCCX直接给VCC供电，而VCCX又可以接到BUCK电路的输出Vout， 当VCCX > 4.5V时，芯片就会自动关闭VCC regulator，直接从VCCX拉电流。 VCCX的推荐范围是4.75-15V，如果Vout超出这个范围，还是乖乖把VCCX接地吧。 这么做也不能把VCC从regulator解放出来，要知道BUCK启机的时候Vout是没有的，所以启机阶段必须从Vin供电。 当然，选择是灵活的，也可以外接一个regulator，从Vin直接给VCCX供电，旁路掉内部的降压电路，也无需考虑VCC regulator的15mA限流。 芯片设计是一门艺术，如果说VCC供电设计很精巧，那真正的精巧还尚未开始。 Enable和UVLO欠压锁死十分常规，没什么好说的。 电流控制 电流模式变换器的建模、分析和补偿 斜坡补偿（Current Ramp） 基于斜坡补偿的电流模式PWM DC-DC系统稳定性分析 介绍了斜坡补偿在数学上的体现，以及斜坡斜率的计算方法。 电流保护 公式计算出来的保护点总是不准 二极管模式 开机且空载的时候 因为同步管强制续流，会使得输出电容泄放 能更快建立输出电压 带一个非常轻的负载，就能进入同步模式 断续模式与强制连续模式 画图 二极管模式 实现方式是通过检测下管的电流，当电流为负，即从SW点流向GND，则关断同步管。 值得注意的是，5116的驱动力非常有限 原因应该是LDO供给能力受限，VCC能提供的电流 5145 驱动能力更强 5122 Boost芯片， WEBENCH工具 帮助设计参数，真的方便，不仅能直接给出原理图、BOM，甚至推荐PCB布局， 指定参数后能进行仿真，比如小信号仿真 能减少不少工作量 可惜MOSFET默认用TI自己的，超规格了就说库里没有，要用理想器件替代 还是不完善（也可能是营销手段？）

18V转3.3V的DC-DC很大，常见如PW2312，SOT23-6封装

阜时 科技 成立于2017年11月，总部位于深圳，专注于激光雷达SPAD芯片设计，是集成电路设计企业、国家高新技术企业、广东省人机交互传感器工程技术研究中心。其产品主要有SPAD芯片、光学传感芯片和3D视觉芯片，应用于智能 汽车 、机器人、智能玩具、手机、智能门锁、刷脸支付等领域。目前，公司已完成A轮和B轮融资，累计融资金额超4亿元，投资机构包括力合、中国银宏、新恒利达等。 阜时 科技 虽然成立时间不长，但已积累了SPAD、光学传感和人脸识别三大产品线。阜时 科技 CEO莫良华告诉36氪，公司预计2022年上半年完成Pre-IPO轮融资。 随着 汽车 、商用机器人、AR/VR等产品对自动驾驶技术需求的增强，激光雷达等视觉技术也迎来发展。阜时 科技 从2019年开始，组建新技术研究院，攻关激光雷达传感芯片。 APD（雪崩二级管）是用于激光雷达的关键部件，但存在系统复杂、功耗高、成本高的问题；将原本用于军工航天领域的SPAD（单光子雪崩二极管）技术用于民用激光领域，成为一个解决方法。 莫良华告诉36氪，APD（雪崩二级管）需要几百个光子才能有效检测，而SPAD（单光子雪崩二极管）能有效检测一个光子。SPAD在科研领域研究较多，大规模民用难度大，产品化门槛高。过往军工航天领域的SPAD器件主要是用砷化镓材料制作的，阜时 科技 研发了硅基的SPAD，这将成本降低到原来APD的十分之一，可用于民用激光雷达。 在技术研发难度上，莫良华告诉36氪，SPAD器件有三个难点：一是SPAD器件是集材料、工艺、设计于一体的综合性课题，需要多方技术基础才能研发；二是芯片设计的难度，光子飞行速度很快，波长较短，要同时接收多个光子，在高速电路上将芯片做到低功耗；三是抗干扰能力，SPAD具备高灵敏的优点，但环境光和其他激光雷达发射信号都会对SPAD器件造成干扰，影响功效甚至失效。 莫良华表示，阜时 科技 已经打通了SPAD器件，提高了光子的探测效率。此外，单光子雪崩二极管抗干扰能力较弱，阜时 科技 开发了一套系统方案，解决抗干扰问题。 阜时 科技 专门用于研发激光雷达的研究院共有近40人，博士11人，有部分是从海外招聘的高层次专业人才。研究院联合公司资深芯片设计团队用了两年多时间，攻破工艺、器件和电路集成难点，研发出SPAD激光雷达产品，现已开始量产供货。 目前，该芯片主要用于短距离测距，可用于扫地机器人、服务机器人、割草机器人和小鹏机器马一类的智能玩具。阜时已与乘用车激光雷达公司达成战略合作，联合开发车载激光雷达SPAD芯片和产品。 在视觉识别技术上，阜时 科技 积累较多。2018年10月，阜时 科技 在深圳推出了支付级识别的3D摄像头方案，在传统2D人脸感测技术的基础上，进一步提升了人脸感测的安全性和交互使用体验；2019年4月，阜时 科技 发布LCD屏下指纹方案，推动千元级手机的发展；12月，其3D结构光人脸识别智能锁量产；到2020年，阜时 科技 又开始研究双目3D识别技术 。 莫良华表示，阜时 科技 的结构光视觉识别方案是世界第一个在门锁上量产的， 2021年，公司双目机器视觉人脸识别的出货量达到5 10万套每月，实现细分领域出货量第一。同时，全球第一款屏下色温芯片独家量产于一线手机品牌旗舰机。 目前，阜时 科技 的产品和技术已经服务了10多个行业，为手机、IoT、自主移动设备、 汽车 等终端提供芯片及完整的技术解决方案 ，旗下共有超过50款不同型号的六大类芯片产品。 据悉，目前阜时 科技 正与小米、OPPO以及知名乘用车激光雷达公司等国内知名品牌进行产品合作，部分已正式量产上市。 莫良华表示，阜时 科技 2021年营收预计较上年同期增长十几倍，公司2022年营收预计再有十倍增长。 阜时 科技 创始人莫良华是南京大学微电子专业本科、香港 科技 大学集成电路设计专业硕士和清华大学集成电路学院博士生，曾参与908国家微电子产业重点工程和参与起草国家标准《生物特征识别防伪技术要求》，深耕人机交互领域十多年，带领技术团队在电容式触控和TDDI领域做到世界第一，在集成电路设计领域作为发明人获授权100多件国内外专利（其中美国专利20件），是模拟电路设计、混合信号芯片设计、芯片架构设计及系统设计等方面的资深专家。 在团队成员上，阜时 科技 共有200多人，研发占比超过70%，团队成员平均拥有10年以上芯片行业从业经验 ，主导设计的芯片 历史 累计出货近40亿颗。

在U盘、SSD等固态存储产品中，闪存芯片颗粒是核心，其关乎产品成本、寿命以及速度。闪存芯片颗粒主要有三种类型，分别为SLC、MLC、TLC，三者之间的区别，如下。slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒区别介绍SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。

质量/寿命/速度：SLC>>MLC>TLC>QLC

慧荣SMI， 群联Phison， 擎泰Skymedi ，鑫创3S ，联阳(联盛) 。U盘芯片2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生。SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。与SLC比较MLC的优势签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。与SLC比较MLC的缺点MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。

您好。根据您的描述：数码播放器中一般采用两种不同类型的NAND闪存。其中一种叫做SLC（Single Level Cell），单层单元闪存；第二种叫做MLC（Multi Level Cell），多层单元闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。SLC晶片可重复写入次数约10万次，而MLC晶片的写入次数至少要达到1万次才算标准，而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片写入寿命则在5000次左右。A.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能达到2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。希望以上信息可以帮到您！

第17题答案选 ［B.88H］， 解释如下：地址总线A7～A0----8255的A1A0引脚---8255端口地址1000 1000 -------------------0 0 ------A口地址为88h1000 1010 -------------------0 1-------B口地址为8Ah1000 1100 ------------- -----1 0 ------C口地址为8Ch1000 1110 -------------------1 1 ------控制口地址为8Eh

摘要：随着科技发展，GPS导航发展态势越来越值得期待，其中又以GPS芯片核心技术发展最值得我们关心。在GPS芯片发展的过程中，“小型化”一直是重要发展方向，这使得GPS芯片组在降低耗电量、缩小体积等方面的技术更跨前一步，不论是车载或手持式GPS全球卫星定位系统，皆能提供详尽而准确的定位信息及交通信息，可轻松实现CPS卫星导航功能。【GPS技术】GPS芯片的主要关键技术是什么三代GPS芯片9大知识随着科技发展，GPS导航发展态势越来越值得期待，其中又以GPS芯片核心技术发展最值得我们关心。在GPS芯片发展的过程中，“小型化”一直是重要发展方向，这使得GPS芯片组在降低耗电量、缩小体积等方面的技术更跨前一步，不论是车载或手持式GPS全球卫星定位系统，皆能提供详尽而准确的定位信息及交通信息，可轻松实现CPS卫星导航功能。近几年，由于芯片厂商增加，并提供完整性的解决方案，模块厂商更容易开发出整合型产品，因此大量厂商投入接收器产品生产，所以在接收器与模块产品方面供应不虞匮乏，这不仅对GPS热潮起了推波助澜效果，也使GPS整机成本最高的GPS芯片组成本价格下滑，而提供消费性电子产品使用的GPS芯片，也已开始在市场上显露身影，加上芯片厂商逐渐改良性能，因此，芯片定位能力也已逐渐拉近。在此趋势下，GPS芯片产品如何争取到买家的肯定，便成为各家GPS芯片在市场上相互竞争的关键因素。谈到GPS芯片主要关键技术，这包括负责信号处理－基频（Baseband）及接收信号－射频（RF）。由于GPS信号频率（1575.42MHz）来自于距离地面2万公里的高空，信号十分不稳定，因此当天线接收信号后经过一连串信号放大、过滤噪声、降频、取样等过程（RFfrontend），再经过RF后，信号进入基频处理部分，将前段取样的数字信号经过运算、输出以便于用户接口使用，其中GPSBasebandDSP芯片就是核心组件，负责地址信号的处理。综合以上来看，射频与基频2个部分，包含微处理器Microprocessar）、低噪声放大器（LowNoiseAmplifier；LNA）、数字部分（Digitalection）、射频部分（RFSection）、天线（AntennaEle－ment）、输出入驱动器（GPIOandDrivers），以及微处理器周边电路（Pro－cessorperipherals）几个重要组件。市场上各式GPS芯片解决方案的整合，使得GPS芯片市场正面临极大的变量。首先是“小型化”，回顾GPS芯片近年来的发展历史，随着GPS与其它产品相继结合，且强调终端产品体积讲求轻薄短小，GPS芯片走向系统单芯片化已是必然趋势。目前厂商针对GPS单芯片化的作法，可分射频或基频单一芯片，并整合了更多功能性。在射频芯片部分，已有多家厂商将放大器、滤波器、降频器、频率合成器及振荡器等整合在一块芯片上；在基频部分，则是整合了CPU、内存（DRAM、SRAM、Flash）、电源管理及时钟等。因此，我们看到GPS的芯片尺寸逐渐缩小，加上GPS芯片已从双模块发展为单一模块（Singlechip），未来GPS设备产品将会越来越蓬勃发展，芯片需求量越来越大。另外，GPS芯片也将面临到客制化需求，过去GPS芯片大多在车用市场上。目前，GPS芯片应用则开始用在手机与PDA，或是特殊的个人携带装置，例如老人、儿童用的追踪器上。而GPS芯片也可能与其它功能，例如蓝牙、USB等整合。因此，针对特殊应用而设计的客制化模块，也将越来越多。目前全球投入GPS芯片开发的还是以国外厂商居多，如SiRF、TI、Xemics、Freescalc、STM等大厂均推出GPS芯片，其中SiRF为全球最大GPS芯片厂商，产品线相当完整，并能提供全系列的解决方案产品。GPS知识讲述GPS“三代芯片”知识近段时间在GPS产品中，经常提到所谓“三代芯片”。但从商家和使用者都没有明确的说明和理解，甚至有些误导和误解。现将自己的体会和观点与大家交流探讨。1、GPS芯片：目前国际上常用（常见到的/较流行的）GPS模块（OEM板）上的主芯片主要有3种。（1）美国SIRF（Sirf）（2）SONY（索尼爱立信/索爱）芯片（3）瑞士NENEM公司NEMERIX芯片2、三代芯片的核心：芯片硬件大同小异，只是内部软件起主要作用。所谓三代的核心技术只是在2代的基础上提高改进了软件的算法，就好比初、高中物理课上计算加速度/速度用的公式，但到了大学高等数学中导数、积分来计算同一道加速度/速度的物理题，方法（算法）不同，所用时间大不一样，体现了中学和大学的区别，就好像2代和3代一样。其次是硬件也提供了质量标准。3、三代芯片软件主要功能：3代芯片软件提高升级：（1）算法改进提高搜星/定位速度时间。（2）通过软件滤波器提高抗干扰性能、信噪比及接收有效星颗数。（3）有的芯片实现软件DR航迹（转迹）推算，提高抗高楼、树荫、桥下遮挡及隧道功能。（4）软通道搜索，搜索提高可视卫星的通道数（可以12—24颗），人员、车辆、上下坡、姿态发生变化时、飞机、船舶星历状态发生变化时仍能继续定位。4、三代芯片硬件改进：（1）芯片功耗降低，体积减少（与2代比）。（2）提高抗干扰能力，全屏蔽或双芯片分开。5、GPS模块与产品：GPS产品多种多样，但不一定用三代芯片就全都好了，三代芯片只不过是GPS产品的核心部件，如同人的心脏、大脑，还要与其它元件相匹配（天线、放大器、滤波器，甚至导线、接头等看起来无关紧要元件）。6、天线是重要因素：手持、PDA、蓝牙、G-Mouse等常见的GPS产品中都要用到GPS天线，无论有源、无源甚至全向天线，十几个性能指标中，夹角（1600最大全向天线除外），放大器dB数，阻抗范围，材质，抗干扰能力与模块匹配决定了整个产品的性能，甚至飞机上接2-3个天线（上、下面均有），有些在车内、车底部也很好定位。也就是说，3代模块很好，天线不匹配可能不如搭配好2代产品。7、通道数：3颗星二维，4颗星三维定位，这是GPS基本原理，我们在地面上使用是11-12颗（因为天线160度夹角），全向天线也就12颗，到了天空飞行器（物体）可以多收几颗（一定全向或二个以上天线），但也是从中取3-4颗信号最强、距离最近的有效卫星进行运算定位，不少军用GPS都是5个通道，只是用4个通道定位，1个通道快速搜索所有可视卫星，并与其中4颗有效星比较，高出其中一个就替换，这样就保持4颗最强信号卫星。因此不是通道越高越好，一般地面上12颗就够了，什么16、18、20、24??都是软通道，是体现最多可搜索可视卫星的颗数，没有什么实际意义。8、感应度（dB数）：GPS接收信号的感应程度（-150—195dB）各厂家标准不统一，有的是模块，有的是模块含天线，有的是平均值，有的是峰峰值（最大值），此值是在屏蔽室内用专用仪器测试，与大家实际环境（电场、磁场、高压、微波、地磁??）有很大区别，因此该指标相差3-5dB，均属同数量级无关紧要，只是个大概齐参考。9、三代产品明显优势特点（实际效果）：使用者只要对三代芯片具体技术指标一般了解即可，而更主要比较观察是否有以下特征。（1）定位时间快：无论冷启动、温启、热启，重捕时间均快5-30秒钟（与二代相比），实际上大部使用者也不差这十几秒钟。（2）高感度：即在高楼、树荫、桥下、遮档、遂洞、窗口、车内，甚至车底盘下仍可很快定位收4颗以上卫星。常说：有点天空就可定位（单星定位），也就是《给点阳光就灿烂》。（3）抗干扰性能：高压线、电场、磁场、高速动态、微波、手机，同频干扰的环境下仍能正常工作。（4）功耗低、省电：降低了功耗，甚至有睡眠状态（静态不工作），可以节电，提高产品待机时间。（5）体积小，性能价格比好：体积小，重量轻，这是社会的需求和发展趋势，可以扩大更多的应用范围和领域。实际上三代芯片价格应该与二代相同，甚至应更低，但功能提高很多，T-38（16通道，3代）200-300元/块。

一、gps天线怎么接线第一步：找线清点所需定位终端配件及接线工具是否齐全。标准型的GPS定位器中只有4根线需要接，所以先把汽车内如下加粗字体的几根线找出来。GPS定位器红色线 → 汽车DC12/24v常电GPS定位器黑色线 → 汽车负极/搭铁线GPS定位器白色线 → 汽车ACC/钥匙线（检测发动机开关状态，必接）GPS定位器黄色线 → 汽车上油线/油路线（可接可不接）第二步：装SIM卡很多朋友不明白GPS定位系统为什么要装一张手机卡，其实SIM卡在GPS定位系统中具有重要作用，简单说来就是GPS定位器负责采集终端的经纬度数据，采集到经纬度数据后，通过SIM卡的GSM网络以GPRS的形式把定位数据传送到指定后台，最后形成定位监控系统。注意：请确保GPS定位终端在未通电的情况下插入SIM卡，负责容易烧卡。SIM安装好后，请打开备用电源开关（在边上），并且确认SIM牢固不会松动。第三步：接线装好卡之后，回到第一步。安装各种颜色的线序接好，确保接头不松动、不进水。接线过程请用标准的汽车电路接线方法接，切不可敷衍了事。接线处理不好，一方面容易使GPS定位器断电无法工作，也有一定的短路起火的安全隐患。线头要用热缩管进行保护，确保不易脱落、不进水。然后用防水电胶布进行捆扎，与原车线路捆绑一起。第四步：终端固定GPS定位器体积小巧，容易隐蔽安装。常见固定位置是把主驾/副驾前挡板拆下，在其内部空间里，还有座位地下，后备箱等等地方也可以安装。一方面确保GPS天线能正常接收卫星信号，又能确保车辆洗车的时候不容易进水而导致终端烧毁。注意：1、GPS天线（如下路黑色小方块）信号容易被混泥土和金属物质屏蔽，而塑料、人体、布料等等就没有影响。所以固定的时候，请确保其信号接收面上方没有金属物质遮挡，确保接收面能向上朝向天空。通过魔术贴或者塑料扎带来固定平放，使其在长时间的使用中不会脱落。2、GPS定位器固定的时候没有正反上下之分，通过魔术贴和扎带把终端固定紧实即可，确保在长时间的车辆颠簸、冷热交替等环境中不会掉落，不会有异响。第五步：激活上线以上所有步骤完成后，将车辆复原。然后将车牌号码、终端ID、SIM卡号等信息报给公司客服人员进行激活，于是在电脑以及手机、微信里就可以对车辆进行定位管理。自此GPS定位器安装完成。二、gps外置天线安装方法1、 GPS天线安装时应确保接收面向上（天空），且上方无金属物遮挡2、GPS天线建议安装位置：●前挡风玻璃下方隐藏处●前仪表盘内（表皮为非金属材质）●后挡风玻璃下方饰板下（须避开挡风玻璃上的加热膜覆盖区）●前保险杠（表皮为非金属材质）内●雨刷板下（表皮为非金属材质）注意：如挡风玻璃粘贴有隔热层或加热层，将降低GPS接收信号，造成GPS工作失常、无法定位，此时请更换GPS天线安装位置。3、GPS天线可吸附于金属物体上，或用宽海棉强力双面胶粘贴牢固，请注意GPS天线不可拆掉外壳；4、GPS导线隐藏并拉至主机附近，将天线插头插入主机相应插座；GSM天线选位及固定1、GSM天线建议安装位置：●前仪表盘下方隐藏处●后挡风玻璃下方饰板下●座椅下方隐藏处2、将GSM导线隐藏并拉至主机附近，将天线插头与主机相应插座连接并旋紧；注意： GSM天线不可与GPS天线并置，且导线切勿互相缠绕，避免干扰。

8个

1、第1引脚GND为电源地。2、第2引脚VCC接5V电源正极。3、第3引脚V0为液晶显示器对比度调整端，接正电源时对比度最弱，接地电源时对比度最高（对比度过高时会产生“鬼影”，使用时可以通过一个10K的电位器调整对比度）。4、第4引脚RS为寄存器选择，高电平1时选择数据寄存器、低电平0时选择指令寄存器。5、第5引脚RW为读写信号线，高电平（1）时进行读操作，以51为例的简单原理图低电平（0）时进行写操作。6、第6引脚E（或EN）端为使能（enable）端，高电平（1）时读取信息，负跳变时执行指令。7、第7～14引脚D0～D7为8位双向数据端。第15～16脚：空脚或背灯电源。第15引脚背光正极，第16引脚背光负极。

SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。 MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。 签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。 MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。U盘中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。

1、在汽车钥匙中，我们看到汽车的钥匙芯片是没有外露出来，是用塑料和橡胶制成的钥匙形状，那是因为汽车钥匙的防盗芯片是被动的磁耦合转发系统，只需通过在125 kHz频率的电磁波范围内。 2、芯片在电磁波下就会产生出自己原来设定编码好的信号，是一个无线电频率，不需要长期通电。大多数汽车防盗系统芯片的钥识别工作原理基本都是一样的，当汽车钥匙芯片被插入到汽车的点火锁位置时，点火锁周围的感应线圈会产生一个电磁波，电磁波的电力促使电子芯片发出产生一个识别码。 3、让感应线圈中读取信号，并把同时把信号发送到汽车控制系统的电脑中识别。如果汽车控制系统识别该信号民已经在电脑存储器中，便会把汽车其他电子元件开启允许操作功能，这个时候汽车才可以正常启动了。从而也起到了防盗的作用。

下一个软件：芯片精灵

　　LC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；　　MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命　　TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。　　结论：SLC > MLC > TLC　　目前大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。　　而SSD固态硬盘中，目前MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TCL芯片颗粒，大家在购买固态硬盘的时候，可以在产品参数中去了解，　　SLC颗粒固态目前主要在一些高端固态硬盘中出现，售价多数上千元，甚至更贵。

1、在汽车钥匙中，我们看到汽车的钥匙芯片是没有外露出来，是用塑料和橡胶制成的钥匙形状，那是因为汽车钥匙的防盗芯片是被动的磁耦合转发系统，只需通过在125 kHz频率的电磁波范围内。2、芯片在电磁波下就会产生出自己原来设定编码好的信号，是一个无线电频率，不需要长期通电。大多数汽车防盗系统芯片的钥识别工作原理基本都是一样的，当汽车钥匙芯片被插入到汽车的点火锁位置时，点火锁周围的感应线圈会产生一个电磁波，电磁波的电力促使电子芯片发出产生一个识别码。3、让感应线圈中读取信号，并把同时把信号发送到汽车控制系统的电脑中识别。如果汽车控制系统识别该信号民已经在电脑存储器中，便会把汽车其他电子元件开启允许操作功能，这个时候汽车才可以正常启动了。从而也起到了防盗的作用。

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我也有一把手电 三档的 分为强光弱光 和爆闪强光是全光弱光据我观察是脉冲的频率很快 爆闪应该就是慢频脉冲了

描述 如今的集成电路（Integrated Circuit，IC）设计往往要求芯片包含多个工作模式，并且在不同工艺角（corner）下能正常工作。工艺角和工作模式的增加，无疑使时序收敛面临极大挑战。本文介绍了一种在多工艺角多工作模式下快速实现时序收敛的技术---MCMM（Multicorner-Multimode）技术，该技术将工艺角和模式进行组合，对时序同时进行分析和优化，到达快速实现时序收敛的目的。该技术应用于一个80万门基于TSMC 0.152μm logic 工艺的电力网载波通信（PLC）芯片设计，设计实例表明，利用MCMM 技术不但可以解决时序难以收敛的问题，而且大大降低了芯片设计周期。 1 引言 随着集成电路工艺的不断发展，芯片受工艺、电压、温度（Process、Voltage、Temperature，PVT）的影响越来越严重，需要使用更多的工艺角来保证芯片在不同条件下能稳定工作；与此同时，随着芯片测试需求的增加和功能的增强，芯片的工作模式也在不断增加，这给芯片版图设计者带来了一系列的困难，其中最困难的当然是如何快速实现时序收敛，缩短设计周期。设计者必须保证芯片在相同工作模式不同工艺角下的时序收敛，当工艺角和工作模式数量多的时候，使用传统的方法来实现时序收敛绝非一件易事，需要大量的人工工作进行大量反复迭代，分析并消除模式之间的影响，有时甚至会出现时序难以收敛的情况。我们实验室设计的PLC 芯片，正是采用了Synopsis 公司IC Compiler 软件的MCMM 设计技术，完全放弃了传统的时序收敛方法，有效加速了实现时序收敛，缩短了设计周期。 2 传统的时序收敛实现方法 在传统的时序收敛和分析方法下，版图设计工程师需要在不同的工作模式之间来回切换设计约束进行分析优化，以满足同一时序路径在不同模式下的时序要求，如图1所示。从图1中可以看出，这种方法的缺点是版图工具无法同时覆盖到所有模式下的时序，必须以串行的方法来修复各个模式的时序，还必须保证修复过程中模式之间没有影响，这无疑增加了各个模式之间的切换迭代次数和人工手动ECO 的时间。如果芯片的工艺角和模式越多，切换迭代次数就越多，工作量会大到让设计者难以接受的地步。 3 基于MCMM 技术 快速时序收敛实现方法MCMM 技术实现时序收敛的基本思想是，工艺角和模式组成场景（scenario），版图设计软件IC Compiler"吃进"所有scenario 的时序约束，激活关键的scenario，让软件自行评估和优化。同一条违例时序路径可能出现在不同的scenario中，评估这条违例路径在不同scenario中的时序裕量大小，例如一条路径在scenario1 中的裕量为-1，在scenario2中的裕量为-0.2，则认为其在scenario1中的权重更高，在权重最高的scenario1 中进行修复。具体流程如图2所示。很明显，与传统方法相比，MCMM 技术将时序收敛的处理变以往的"串行"为"并行"，并且模式之间的影响完全交给版图软件来分析，省去了人工手动ECO的工作，从而大大减少了时序收敛的迭代次数和设计时间。 4 应用举例 以实验室一款PLC芯片为例，具体介绍如何使用MCMM技术来加速时序收敛。 4.1 scenario 的定义 该芯片有2 种正常工作模式，时钟频率分别是90Mhz和60Mhz，3种DFT 测试模式，分别是shift模式，capture 模式和mbist 模式，需要工作在两个工艺角下，WCCOM 和BCCOM，也就是5种模式2个工艺角组成了10 个scenario，每个scenario 指定对应的寄生模型（TLU+ 文件），worst 和best，如表1所示。在WCCOM工艺角下检查建立时间（setup time），在BCCOM 工艺角下检查保持时间（hold time）。4.2 基于MCMM 的时序收敛实现 在同时激活10 个scenario 的情况下，会出现服务器内存溢出，死机等状况，导致设计无法顺利进行。我们对这10 个scenario 进行了分析，其中MBIST_MAX,SHIFT_MAX,CAPTURE_MAX,MISSION 60_MAX 这4 个scenario 中，时钟频率最大的是MISSION60_MAX 中的60MHz，其余三个scenario 时钟频率只有10MHz，建立时间裕量都在9.9ns 以上，即使在修复过程中不激活，修复其它scenario 时带来的影响在承受范围之内，也不会对后续的绕线产生影响；在MISSION90_MAX 这个scenario中，时钟频率是90MHz，建立时间虽然没有违例，但是留下的裕量只有0.84ns，不足以抵挡修复其它scenario时带来的影响；剩下的5 个scenario 中，都有保持时间违例，必须进行修复。基于以上分析，我们选择同时激活MISSION90_MAX, MISSION_MIN, MISSION 60_MIN, MBIST_MIN, SHIFT_MIN, CAPTURE_MIN这6个关键scenario 进行时序收敛，具体脚本如下： set_active_scenarios {MISSION90_MAX MISSION90_MIN MISSION60_MIN MBIST_MIN SHIFT_MIN CAPTURE_MIN}（激活关键scenario）foreach scenario [all_active_scenarios] {current_scenario scenario set_clock_uncertainty -hold 0.2 [all_clocks]set_clock_uncertainty -setup 0.6 [all_clocks] set_prefer -min{tcb0152gbwp7twc/DEL015BWP7Ttcb0152gbwp7twc/DEL02BWP7T}set_fix_hold_options -preferred_buffer set_fix_hold [all_clocks]}（设定每个关键scenario 的时序裕量，用指定的std cell 来修复hold timing）update_clock_latency（更新clock 延迟）psynopt（进行时序修复） 4.3 结果分析 经以上操作，6个scenario 的时序路径同时经过优化之后，结果如表2 所示。 表2中结果表明，几乎所有模式都已经满足了时序要求， 只有MISSION90_MAX 的scenario有setup 时序的违例，为了修复该违例，只需激活该scenario，重新一次“psynopt”就可以到达时序要求。 我们也尝试用传统方法来修复该芯片的时序，由于模式数量多，导致模式间来回切换次数多于20次，加上模式之间时序干扰严重，人工参与分析工作量很大，时序收敛所需要的时间远远多于用MCMM技术所花的时间，MCMM 技术优势非常明显，具体结果如表3所示。5 结语和展望 本文介绍了IC Compiler 的MCMM 同步优化技术，用一个设计实例阐述该技术的具体实现过程，结果显示大大节省了设计时间，也为版图设计工程师解决了人工分析干预的难题，具有一定的实际应用价值。在设计过程中我们从CTS 阶段后才开始采用MCMM 技术来达到芯片时序收敛的目的，在今后更复杂，要求更高的设计中，把MCMM 技术应用到一些关键步骤中，比如逻辑综合和place 等，并且综合考虑芯片功耗问题。定义scenario 的具体脚本如下： create_scenario MISSION90_MAX （建立一个名叫MISSION90_MAXX 的scenario）set_operating_conditions -analysis_typeon_chip_variation -max_library tcb0152gbwp7twc -max WCCOM（指定时序分析类型和对应corner下的lib 库）set_tlu_plus_files -max_tluplus ./test/cl0152g_lp6m_worst.tlup -tech2itf_map ./techfiles/tluplus/star.map_6M（设定相应corner 的RC 寄生模型）source . /netlist /KOALA_ASIC_TOP_compiled_pass3_mission_90_mode_post.sdc（读入该模式的时序约束文件）。原文链接：http://qikan.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=49362964

对于这些器件，时钟频率越高，功耗越大，这个值是用来衡量每MHz时钟的功耗。

中央处理器（CentralProcessUnit，CPU），是计算机的核心配件之一，其功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据，所谓的计算机的可编程性主要是指对CPU的编程。dsp芯片是为了快速处理数字信号，它在结构上和数据、地址总线是分开的，没有像微处理器一样将计算机系统集成在一起，它主要处理带有智能逻辑的消费类产品，生物信息识别终端，ADSL接入、虚拟现实显示等，其运算量大，功率消耗也比较大。和单片机相比，它的的通用功能会相对比较弱一些。通用微处理器有被让人们称为单片机，它是将计算机系统集成到了一块芯片中。通用微处理器是以某中微处理内核为核心，拥有A/D、FlashRAM等各种功能和外设。一个单片机能够延生多种产品，最大限度的和应用需求相匹配，减小了功耗和成本。CPU是计算机中的核心配件，只有火柴盒那么大，几十张纸那么厚，但它却是一台计算机的运算核心和控制核心，计算机中所有操作都由CPU负责读取指令，对指令翻译编码并执行指令的核心部件，CPU、内部存储器和输入/输出设备是电子计算机的三大核心部件，现在著名的中央处理器(CPU)制造商主要为Intel和AMD。dsp芯片也被人们称为数字信号处理器，它常用于军事、医疗、家用电器等领域。我们根据它的工作时钟和指令类型，可以将它分为静态DSP芯片和一致性DSP芯片。按照它的工作数据格式将它分为定点DSP芯片和浮点DSP芯片。我们还可以根据它的用途不同，将它分为通用型DSP芯片和专用型DSP芯片。通常来说dsp芯片的程序和数据是分开存放的，它的内部存在快速的RAM，这样导致我们可以通过数据总线同时访问指令和数据。Dsp芯片能够支持无开销循环及跳转的硬件，能够并行执行多个操作，像取指、译码等操作可以重复操作，具有稳定性好、精度高、大规模集成性等多个优点。不过它的功率消耗大，成本高。除了Intel公司外，最有力的挑战的就是AMD公司。AMD公司专门为计算机、通信和消费电子行业设计和制造各种创新的微处理器（CPU、GPU、APU、主板芯片组、电视卡芯片等)、闪存和低功率处理器解决方案，AMD致力为技术用户从企业、政府机构到个人消费者提供基于标准的、以客户为中心的解决方案，AMD是目前业内唯一一个可以提供高性能CPU、高性能独立显卡GPU、主板芯片组三大组件的半导体公司，为了明确其优势，AMD提出3A平台的新标志，在笔记本领域有“AMDVISION”标志的就表示该电脑采用3A构建方案，AMD有超过70%的收入都来自于国际市场，是一家真正意义上的跨国公司。

CPU是一种数字芯片，只是众多芯片中的一类。1、芯片是“集成电路”的俗称。集成电路有模拟集成电路和数字集成电路，如果一片集成电路（芯片）中既有模拟电路又有数字电路，则称其为数模混合集成电路。2、CPU是中央处理器，包含运算器和控制器，是数字电路。3、如果将运算器和控制器集成在一片集成电路上，就称之为微处理器。目前人们将中央处理器与微处理器已经混为一谈了。1、芯片：是指将电子逻辑门电路用激光刻录到硅片上，从而构成各种各样的芯片，当今集成度最高、功能最强大的应该CPU芯片了。2、CPU：是指所有时期，各种电子元件构成的计算机中央处理器的统称。中央处理器（CPU，Central Processing Unit）是一块超大规模的集成电路，是一台计算机的运算核心（Core）和控制核心（ Control Unit）。它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。中央处理器主要包括运算器（算术逻辑运算单元，ALU，Arithmetic Logic Unit）和高速缓冲存储器（Cache）及实现它们之间联系的数据（Data）、控制及状态的总线（Bus）。它与内部存储器（Memory）和输入/输出（I/O）设备合称为电子计算机三大核心部件。3、MPU：MPU有两种意思，微处理器和内存保护单元。MPU是单一的一颗芯片，而芯片组则由一组芯片所构成，早期甚至多达7、8颗，但目前大多合并成2颗，一般称作北桥（North Bridge）芯片和南桥（South Bridge)芯片。MPU是计算机的计算、判断或控制中心，有人称它为”计算机的心脏”。

微处理器是微型处理器的统称！ 比如CPU、显卡的GPU、手机的处理器，以及一些智能家电的处理器。所谓处理器就是一个执行所有计算功能的部件。 CPU全称是中央处理器，指整个电脑的计算中心！

性能是否强大，是否是通用的 经常提到的cpu指的是通用处理器...

CPU是一种数字芯片，只是众多芯片中的一类。1、芯片是“集成电路”的俗称。集成电路有模拟集成电路和数字集成电路，如果一片集成电路（芯片）中既有模拟电路又有数字电路，则称其为数模混合集成电路。2、CPU是中央处理器，包含运算器和控制器，是数字电路。3、如果将运算器和控制器集成在一片集成电路上，就称之为微处理器。目前人们将中央处理器与微处理器已经混为一谈了。1、芯片：是指将电子逻辑门电路用激光刻录到硅片上，从而构成各种各样的芯片，当今集成度最高、功能最强大的应该CPU芯片了。2、CPU：是指所有时期，各种电子元件构成的计算机中央处理器的统称。中央处理器（CPU，Central Processing Unit）是一块超大规模的集成电路，是一台计算机的运算核心（Core）和控制核心（ Control Unit）。它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。中央处理器主要包括运算器（算术逻辑运算单元，ALU，Arithmetic Logic Unit）和高速缓冲存储器（Cache）及实现它们之间联系的数据（Data）、控制及状态的总线（Bus）。它与内部存储器（Memory）和输入/输出（I/O）设备合称为电子计算机三大核心部件。3、MPU：MPU有两种意思，微处理器和内存保护单元。MPU是单一的一颗芯片，而芯片组则由一组芯片所构成，早期甚至多达7、8颗，但目前大多合并成2颗，一般称作北桥（North Bridge）芯片和南桥（South Bridge)芯片。MPU是计算机的计算、判断或控制中心，有人称它为”计算机的心脏”。

buck型是降压型的dc-dc,而boost是升压式的dc-dc。buck型的基本原理: 电源通过一个电感给负载供电、同时电感储存一部分能量、然后将电源断开，只由电感给负载供电、如此周期性的工作，通过调节电源接通的相对时间，来实现输出电压的调节。boost型的基本原理: 电源先给电感储能，然后，将储了能的电感，当作电源,与原来的电源串联，从而提高输出电压.如此周期性的重复。降压-升压变换器（buck–boost converter）也称为buck–boost转换器，是一种直流-直流转换器。其输出电压大小可以大于输入电压，也可以小于输入电压。降压-升压变换器和返驰式变换器等效，但用单一的电感器来取代变压器。

1、晶片材料 硅片的成分是硅，硅由石英砂精制而成。硅片经硅元素（99．999％）提纯后制成硅棒，成为制造集成电路的石英半导体材料。芯片是芯片制造所需的特定晶片。晶圆越薄，生产成本就越低，但对工艺的要求就越高。 2、晶圆涂层 晶圆涂层可以抵抗氧化和温度，其材料是一种光致抗蚀剂。 3、晶圆光刻显影、蚀刻 首先，在晶圆（或基板）表面涂覆一层光刻胶并干燥。干燥的晶片被转移到光刻机上。通过掩模，光将掩模上的图案投射到晶圆表面的光刻胶上，实现曝光和化学发光反应。曝光后的晶圆进行二次烘烤，即所谓曝光后烘烤，烘烤后的光化学反应更为充分。 最后，显影剂被喷在晶圆表面的光刻胶上以形成曝光图案。显影后，掩模上的图案保留在光刻胶上。糊化、烘烤和显影都是在均质显影剂中完成的，曝光是在平版印刷机中完成的。均化显影机和光刻机一般都是在线操作，晶片通过机械手在各单元和机器之间传送。 整个曝光显影系统是封闭的，晶片不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响。 4、添加杂质 相应的p和n半导体是通过向晶圆中注入离子而形成的。 具体工艺是从硅片上的裸露区域开始，将其放入化学离子混合物中。这个过程将改变掺杂区的传导模式，使每个晶体管都能打开、关闭或携带数据。一个简单的芯片只能使用一层，但一个复杂的芯片通常有许多层。 此时，该过程连续重复，通过打开窗口可以连接不同的层。这与多层pcb的制造原理类似。更复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层。此时，它是通过重复光刻和上述工艺来实现的，形成一个三维结构。 5、晶圆 经过上述处理后，晶圆上形成点阵状晶粒。用针法测试了各晶粒的电学性能。一般来说，每个芯片都有大量的晶粒，组织一次pin测试模式是一个非常复杂的过程，这就要求尽可能批量生产相同规格型号的芯片。数量越大，相对成本就越低，这也是主流芯片设备成本低的一个因素。 6、封装 同一片芯片芯可以有不同的封装形式，其原因是晶片固定，引脚捆绑，根据需要制作不同的封装形式。例如：DIP、QFP、PLCC、QFN等，这主要取决于用户的应用习惯、应用环境、市场形态等外围因素。 7、测试和包装 经过上述过程，芯片生产已经完成。这一步是测试芯片，去除有缺陷的产品，并包装。

XL6009，经典的升压模块，这个就可以满足你的需求。只要你的输出电压恒定5V了，你的负载为1.7欧姆左右的时候，电流就会有3A了。不存在专门针对3A的电路，只是有些芯片无法输出3A电流而已。升压电路又叫step-up converter，是一种常见的开关直流升压电路，它可以使输出电压比输入电压高。

1、dcdc芯片 ?顶尖的、中端的、低端的，EUV光刻机芯片这一敏感技术不dcdc应属于某些dcdc地方。实际上美国能够有效辐智能水表电池怎么换射和影响的经济体以芯片及可以控制的贸易品，2、dcdc芯片是什么3、dcdc芯片的作用主要就dcdc是ASML的dcdc产量不芯片足，但根芯片据中科院的表态，4、dcdc芯片是什么意思精芯片度已经dcdc可以芯片控制在0.1纳米内，就芯片制造的过程来说，以及我们的上海微电子也能获得一定的市场，其通信设备和5G网络技术已达到dcdc世界领先水平，5、dcdc芯片功耗是如何计算的6、隔离dcdc芯片其回应是：芯片中芯国际是代工dcdc企业，，让EUV光刻机不再是最先进的稀有设备，别人dcdc能够生产的光刻机在5纳米级芯片别，7、dc芯片我国正大力开展5G技术与产业化芯片的前沿布局，dcdc进行拆解、研究和仿制芯片，将复杂的电路结构刻dcdc到涂在硅晶圆上的感光材料（光刻胶）上，8、低纹波dcdc芯片9、dcdc工作原理九尾科技 我国的碳dcdc基dcdc芯芯片片能重新成为世界领先，当下几乎被欧洲的芯片一家公司垄断，10、集成电感dcdc芯片中国是永远造不出世芯片界顶级的EUV光刻机的。中国专家直接事实回击道，发展芯片制造业短期内还是应该坚持“两条腿走路”芯片。如清华大学dcdc精密dcdc仪器系、中电科45所等。

电流标称 工作的条件/参数IDD0 操作电流，Active到Precharge，一个Bank工作，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化一次，地址和控制信号每两个时钟改变一次。IDD1 操作电流，Active-Read-Precharge，一个Bank工作，突发长度为2，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD2P 静态电流，预充电状态中，节电模式，CKE为低电平，所有Bank空闲。IDD2F 静态电流，预充电状态中，Standby模式，CKE高电平有效，片选信号未选中，所有 Bank空闲。IDD3P 静态电流，激活状态中，节电模式，CKE为低电平，一个Bank激活，其它Bank空闲IDD3N 静态电流，激活状态中，Standby模式，Active到Precharge，CKE为高电平，一个Bank工作，Active指令最大持续周期TRC = TRAS (max)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD4R 操作电流，读操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD4W 操作电流，写操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次。IDD5IDD6 最大自动刷新电流，TRC = TRC (min)。 正常自动刷新电流，TRC = 7.8125us，8K/64ms刷新率(有的Datasheet上只有IDD5)IDD7 内部自刷新电流，分为标准芯片和低功耗芯片两种情况。IDD8 操作电流，所有Bank交错读操作，突发长度为4，TRC = TRC (min)，地址和控制信号只在执行Read和Write指令时才改变状态。了解了这些电流的含义之后，我们就可以进行具体的功耗计算了。详细的分析可参见Micron公司的技术资料Calculating Memory System Power For DDR,TN-46-03。后台电源消耗（Background Power）：l CKE低电平节能状态的预充电模式：P (Pre_PND)= IDD2P*VDDl CKE有效Standby状态的预充电模式：P (Pre_STBY)= IDD2F*VDDl CKE低电平节能状态的激活模式：P (ACT_PND)= IDD3P*VDDl CKE有效Standby状态的预充电模式：P (ACT_STBY)= IDD3N*VDDl 自动刷新电流：P (REF)= (IDD5/6- IDD2P)*VDD。激活时操作电流（Activate Power）：l Active到Precharge操作过程中的消耗：P (ACT)= (IDD0- IDD3N)*VDD*[TRC(spec)/TACT(actual)]。读写操作电流（Read/Write Power）：l 写操作的功耗：P (WR)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*WR%l 读操作的功耗：P (RD)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*RD%l 读操作时I/O功耗：P (DQ)=(Vout* I out)*N*RD%其中WR%和RD%指写/读操作在ACT周期中占的比重，Vout和I out指DQ管脚的输出电压和电流，N指芯片上DQ和DQS的数目。需要注意的是，芯片厂商的Datasheet上提供的数据通常都是在比较苛刻的条件下测量的结果，比如VDD是工作在额定最大电压下（对DDR来说一般为2.7V）。遇到这种情况我们就要采取一些处理措施，办法就是根据实际电压和频率的变化，对计算的结果通过乘上变化因子进行调整，功率和频率及电压的平方成正比： 2P2=(V2/V1)(f2/f1)P1经过调整之后，得到的就是在实际工作电压和频率下的功耗。当然，这时候计算出来的仅仅是各部分工作状态下相对独立的电源消耗情况，如果综合起来计算整个芯片的功耗，则不是简单地把各项相加就行，还要合理考虑各种状态所占的比例等实际问题，比如：所有Bank预充电占的时间比例BNK_PRE%，处于预充电状态中CKE低电平占的比例CKE_LO_PRE%，处于激活状态中CKE处于低电平的比例CKE_LO_ACT%等等。这时，相应的公式要调整为：l P (Pre_PND)= IDD2P*VDD* BNK_PRE%* CKE_LO_PRE%l P (Pre_STBY)= IDD2F*VDD* BNK_PRE%* （1-CKE_LO_PRE%）l P (ACT_PND)= IDD3P*VDD*（1- BNK_PRE%）* CKE_LO_ACT%l P (ACT_STBY)= IDD3N*VDD*（1- BNK_PRE%）* （1-CKE_LO_ACT%）单个芯片电源消耗的计算方法学会之后，我们还可以类推到整个内存模块的功耗计算。下面我们就举例来分析一下4根1G的DIMM正常工作时的电源消耗，芯片采用Samsung K4H560838D DDR333 64MX4的芯片。

SRAM，选D内存是CPU所访问的数据临时存储区域，最快的内存称为静态RAM(SRAM)。由于SRAM速度很快，所以它通常用作L1缓存。L1缓存是内部缓存并以集成到CPU中。

是的。因为中国的光刻机技术正在不断的进步，而且领先很多国家，所以中国开始慢慢迈入芯片强国。