中国光刻机明年可以达到世界较为先进的水平，开始迈入芯片强国吗？

1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6、遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。7、能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。8、掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。9、掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。10、物镜：物镜用来补偿光学误差，并将线路图等比例缩小。11、硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、 notch。12、内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。具体如下：1、工作原理如果把制造芯片比喻成盖房子，那么光刻机的作用就是把房子的结构标注在地上。刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中标注好的线路。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，后者按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。2、结构光刻机的最主要的核心技术就是光源和光路，其光源和光路的主要组成部分有四个，光源、曝光、检测、和其他高精密机械组成。对比之下，蚀刻机的结构组成就要简单很多，主要是等离子体射频源、反应腔室和真空气路等组成。3、售价ASML的EUV光刻机单台售价很高，蚀刻机的售价要低很多了。4、工艺刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。5、难度光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

不需要，光刻机的原理：利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。

光刻机是制造芯片的必要设备，众所周知，光刻机的技术集结了人类顶尖的智慧，我国主要有下面几个短板：材料的加工技术，高标准的零部件，以及顶级的光学设备。以上这些以我国现在的科研实力，都达不到制造光刻机的标准，所以瑞典光刻机厂商说，即便给我们设计图纸，我们也很难造出光刻机

是两种或者多种编码实现的（重复写一次就回自动换一次编码，编码的识别标识在引导区那里）而非是把原来的小坑点烧平那么简单，这个东西就如电是什么东西一样，作为我们不需要知道，也不必要知道，纯粹一个没任何意义的问题！

很多材料都需要进口，中国的光刻机技术还是有些落后的

光机系统设计《光机系统设计(原书第3版)》共分为4个部分15章：第一部分阐述光机系统总的设计概念，包括第1章光机设计过程，第2章环境影响和第3章材料的光机特性；第二部分是透射式光机系统的设计，包括第4章单透镜的安装，第5章多透镜的安装，第6章光窗和滤光片的安装和第7章棱镜的设计和安装；第三部分是反射式光机系统的设计，包括第8 章小型非金属反射镜、光栅和胶片的设计和安装，第9章轻质非金属反射镜的设计，第10章光轴水平放置的大孔径反射镜的安装，第1 1章光轴垂直放置的大孔径反射镜的安装，第l2章大孔径、变方位反射镜的安装技术和第13章金属反射镜的设计和安装；第四部分是光机系统的整体分析，包括第14章光学仪器的结构设计和第l5章光机系统设计分析。本书提供的材料和例子能够对军事、航空航天和民用光学仪器应用中的设计概念、具体设计、开发、评价和使用提供有用的指导。 《光机系统设计(原书第3版)》可供在光电子领域中从事光学仪器设计、光学设计和光机结构设计的研发设计师、光机制造工艺研究的工程师、光机材料工程师阅读，也可以作为大专院校相关专业本科生、研究生和教师的参考书。作者本社出版社机械工业出版时间2008-1页数781定价98.00元更多内容介绍《光机系统设计(原书第3版)》共分为4个部分15章：第一部分阐述光机系统总的设计概念，包括第1章光机设计过程，第2章环境影响和第3章材料的光机特性；第二部分是透射式光机系统的设计，包括第4章单透镜的安装，第5章多透镜的安装，第6章光窗和滤光片的安装和第7章棱镜的设计和安装；第三部分是反射式光机系统的设计，包括第8 章小型非金属反射镜、光栅和胶片的设计和安装，第9章轻质非金属反射镜的设计，第10章光轴水平放置的大孔径反射镜的安装，第1 1章光轴垂直放置的大孔径反射镜的安装，第l2章大孔径、变方位反射镜的安装技术和第13章金属反射镜的设计和安装；第四部分是光机系统的整体分析，包括第14章光学仪器的结构设计和第l5章光机系统设计分析。本书提供的材料和例子能够对军事、航空航天和民用光学仪器应用中的设计概念、具体设计、开发、评价和使用提供有用的指导。《光机系统设计(原书第3版)》可供在光电子领域中从事光学仪器设计、光学设计和光机结构设计的研发设计师、光机制造工艺研究的工程师、光机材料工程师阅读，也可以作为大专院校相关专业本科生、研究生和教师的参考书。作品目录译者序第3版前言第1章 光机设计过程第2章 环境影响第3章 材料的光机特性第4章 单透镜的安装第5章 多透镜的安装第6章 光窗和滤光片的安装第7章 棱镜的设计和安装第8章 小型非金属反射镜、光栅和胶片的设计和安装第9章 轻质非金属反射镜的设计第10章 光轴水平防止的大孔径反射镜的安装第11章 光轴垂直防止的大孔径反射镜的安装第12章 大孔径、变方位反射镜的安装技术第13章 金属反射镜的设计和安装第14章 光学仪器的结构设计第15章 光机系统设计分析附录编辑推荐《光机系统设计(原书第3版)》特色：在对一个快速发展的领域进行了充分研究后，《光机系统设计》(原书第3版)的改进要点如下：对光机领域内的最新发展和技术进行了详细的回顾：采用统计学的方法评估光学件(系统)的寿命及使光学件的断裂应力达到最大化的方法：提出了新的理论来阐述温度变化对安装应力和压力的影响；对空间环境的特性，对环境敏感的设备所需要的振动标准及激光对光学件的损伤重新进 行了讨论；给出了新材料机械性能的最新列表。无论读者是在设计一台高分辨率的投影仪或者是最敏感的空间望远镜，都可以在《光机系统设计》 (原书第3版)中找到您所需要的工具。加载更多相关搜索光刻机光刻机原理图中芯进口光刻机最先进的光刻机多少nm芯片光刻机光刻机价格中国能生产光刻机吗上海微电子光刻机

佳能光刻机22纳米，光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。光刻机可以分钟两种，分别是模板和图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴芯片；第二是类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。国内目前做光刻机的主要有上海微电子装备有限公司、中子科技集团公司第四十五研究所国电、合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技、无锡影速半导体科技。其中，上海微电子装备有限公司已经量产的是90纳米，这是在中国最领先的技术。其国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项“的65nm光刻机研制，目前正在进行整机考核。对于光刻机技术来说，90纳米是一个技术台阶；45纳米是一个技术台阶；22纳米是一个技术台阶……90 纳米的技术升级到65纳米不难，但是45纳米要比65纳米难多了。路要一步一步走，中国16个重大专项中的02专项提出光刻机到2020年出22纳米的。目前主流的是45纳米，而32纳米和28纳米的都需要深紫外光刻机上面改进升级。

国家先后出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》等鼓励文件，将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度，提出到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%。 在《中国制造2025》中再度提出，2020年中国芯片自给率要达到40%，2025年要达到50%。在资金层面，国家设立了总规模近1400亿元的国家集成电路产业投资基金；地方政府也积极响应扶持的产业链。国内芯片行业将在资金、政策、人才和需求的全方位配合下，以燎原之势迅猛发展，发展前景“芯芯”向荣。

前几天，i奇趣儿的文章介绍了荷兰公司ASML发明5nm光刻机的历程。 5nm光刻机来之不易，ASML耗时20年，华为芯片困局难解 当下，华为遭遇芯片困局，缺少的正是光刻机。 如果我们自研光刻机，需要攻克多个难题。 这个时候，我们不妨主动打破这个局面，换道超车。于是，有人想到了碳基芯片。 提到碳基芯片，必须要先说一下现在的硅基芯片。 当下的光刻机已经可以生产5nm工艺芯片，可是，这已经接近物理极限。 想要进一步突破，太难了，台积电3nm芯片最快也要到2022年才能量产。 虽然说ASML已经设计好了1nm的光刻机，可距离量产还有一段时间。 需要强调的是，在20nm以后，芯片漏电情况很严重。 华人科学家胡正明发明的FinFET技术，成功打破摩尔定律，使得芯片工艺才得以继续突破。 不过，胡正明教授认为，5nm左右就是物理极限，再往前进漏电状况会加剧，芯片能耗会加剧。 当下的5nm芯片，已经出现此类问题。比如高通骁龙888、苹果A14和华为海思麒麟9000，在功耗方面都有“翻车”的迹象。 台积电的2nm工艺，必须要继续改良，或许要用上GAAFET技术。 同时，受制于摩尔定律，硅基芯片是有终点的。 芯片是由晶体管组成的，晶体管的核心部件是COMS管。 COMS管的构造包括：源极、栅极和漏极。 我们提到的芯片工艺，7nm、5nm指的是栅极的最小线宽（可以理解为COMS管长度）。 芯片是通过纯净的硅制造而来，硅原子之间的距离大概是0.6nm。 举例说明，12nm的芯片沟道上，大约有20个硅原子。 而工艺误差和硅元素的不稳定性，会导致原子丢失（大数定律），这会影响芯片的实际性能表现。 这个时候，量子隧穿会导致漏电效应和短沟道效应。 通俗来说，芯片制程越先进，沟道越短，那么这种影响就会越大。 最终，晶体管数量没法再增加，摩尔定律失效。 从物理学和统计学角度来看，硅基芯片的终点一定会到来，极限在1nm左右。 我们刚提到的FinFET和GAAFET技术，可以改善栅极对电流的控制能力，从而提升了芯片工艺制程。 这种方法是有终点的。 所以呢，科学家正在想别的办法：寻找硅之外的新材料，比如石墨烯，以此为基础，打造碳基芯片。 碳基芯片有两个方向：“碳纳米管芯片”和“石墨烯芯片”。 北大在碳纳米管方向有所突破，已经研制出单片光电集成芯片。 中科院的团队已经制造出8英寸的石墨烯晶圆。 我们重点说石墨烯，与硅对比，石墨烯有这些亮点。 石墨烯是最薄的纳米材料，厚度只有0.335nm；它也足够硬，比钢铁的强度高200倍。 同时，石墨烯的导电性是硅的100倍，导热性比铜强10倍。 我们可以得出结论，石墨烯这种材料是可靠的。 石墨烯芯片可以做到1nm以下，同样的工艺制程，石墨烯芯片性能会更强，功耗会更低。 目前，中芯国际已经可以生产14nm芯片，假设我们可以量产石墨烯芯片。在当前的工艺条件下，石墨烯芯片的实际表现会超过台积电5nm芯片。 石墨烯芯片看来是个不错的方向呢，问题来了，制造这玩意难度大吗？ 首先，我们要提炼纯净的石墨烯，这是难点之一。目前来看，成本相当高，提纯1克需要5000元。 其次，纯净的石墨烯没法做成逻辑电路，需要改良形态，或者加入新的材料，制造出有功能的结构，这是难点之二。 比如，我们提到过的碳纳米管芯片，原理是把石墨烯改造成碳纳米管，以此来充当半导体，石墨烯充当导电沟道。 现在的硅基芯片则不同，我们只需做提纯工作，地球上的硅元素太丰富了，成本也不高。纯净的硅晶片就是制造芯片的绝佳材料。 第三呢，碳基芯片或许不需要光刻机，直接在石墨烯晶圆上切片、刻蚀和注入离子。虽然绕过了5nm光刻机，可碳基芯片的量产落地，肯定也需要用到类似的高精度设备。 解决以上问题，至少需要我们的科学家努力5-10年。 除此之外，还有其它的问题要解决吗？笔者认为肯定是有的。 可是，在硅基芯片终点即将到来的时候。利益集团为了巩固自己的红利，封锁华为。 这个时候，我们不得不自强，从其它方向突破。 笔者认为，碳基芯片是未来的一个方向。我们现在的努力，不管有没有结果，对未来都是有好处的。 首先，石墨烯是一种有用的材料，它不仅仅可以做芯片，还有更大的用处。 我们早一天行动，就多一分胜算。 现在我们说碳基芯片，说石墨烯，在很多人看来，可能只是一个笑话。 甚至有人调侃：“石墨烯最大的贡献是造就了无数的硕士、博士”。 毫无疑问，现在的石墨烯研究，还停留在理论水平。 可是， 科技 的发展进步需要一个过程，我们不能轻易放弃。 很多人都知道华为缺少光刻机，其实，华为设计芯片用的EDA软件也遭到了封锁。 当年，我们也有自己的芯片设计工具EDA熊猫系统。 1993年，EDA熊猫系统问世，1994年，国外巨头Cadence进入中国市场。随后，其它巨头也解除对我们的封锁，合力围剿熊猫EDA。 1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，与世界最先进的水平差距不到4年。 1985年，机电部45所研制的分步光刻机样机，与国际最高水平对比，差距不超过7年。 随后，我们开始引入外国设备，差距开始加大。 而外国巨头对我们的封堵也越发的丧心病狂。 2015年，上海微电子即将启动90 nm光刻设备量产。《瓦森纳协议》马上解除限制，荷兰ASML的64nm光刻机进入中国市场。 套路很清晰，当我们有突破的时候，对方就取消封锁，用价格战来瓦解我们。 我们现在研究碳基芯片，国外的科学家也在努力，这是未来的方向。 在碳基芯片领域，道阻且长，我们有可能弯道超车。早一点行动，多一分努力，就有希望。 短时间内，华为无法依靠碳基芯片 来打破困局。 我们要做的就是正视差距，努力追赶，同时，更不能妄自菲薄，放弃自己的核心成果。

smee光刻机是同兴达公司的。2月1日，昆山同兴达首台SMEE光刻机顺利搬入仪式落幕。昆山同兴达公司成立于2021年12月，主营半导体/芯片先进封装测试相关之生产、销售及服务，是同兴达集团最年轻的子公司、集团产业新赛道。公司将于今年3月完成设备调试及开始样品试制，规划于今年5月完成量产1000片/月，明年8月将完成一期满产（2W片/月）。前段时间，同兴达首台“SMEE光刻机”进机仪式在江苏省昆山市千灯镇举行。该设备是昆山首台金凸块封测光刻机，具有较强延展性，可实现与先进制程芯片相似功能，对缩短国内与国外产品代差具有重要意义。光刻机的工作原理介绍：光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。光刻机的制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，因此，世界上只有少数厂家掌握。简单点来说，光刻机就是放大的单反，光刻机就是将光罩上的设计好集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上，形成图形。

一个朝鲜可以玩，你说呢 提问有点问题，你应该问光刻机和原子弹哪个难造，我来告诉你，光刻机更难造 CPU不难造，高性能，低能耗，小制程的CPU是真难造！比核弹还难！ 核弹也难，主要受世界五常大国监控，需要国家级的势力，还要有核原料，大型提纯设备，核专家，核实验场所。 原子弹的原理相当简单，最关键的就是把铀矿的铀浓缩起来。哪怕是原子弹的载具（飞机、导弹）的原理都比它复杂得多。 CPU就更不用说了，不光软件原理复杂，制造工艺也极其复杂，需要用到纯度极其苛刻的材料（硅片、光刻胶、氢氟酸、气体、金属……），还有超高精密的机电设备（高温高速旋转熔炉、光刻机）。可以说CPU代表了人类全产业链！ 当然，原子弹制造也是不容易的，比如铀浓缩也要用到超高速离心机，这种离心机不能在市场上公开出售。原子弹制造只代表一个产业链分支，与CPU制造根本不可同日而语。 人类两大天花板 科技 ，一个是光刻机，一个是航天发动机。cpu设计和制造比原子弹简单的多，因为现在已经有大量的 科技 积累，华为都能设计出国际最先进级别的处理器，难就难在制造cpu的前置条件光刻机上。目前还没有国家能具备完整产业链独自造出主流精度的光刻机。 CPU的设计和制造技术在不断进步，原子弹氢弹也一样，有人觉得现在原子弹已经搞出来了就不难了，我问你，486的处理器技术不也搞出来了，会有什么设计和制造门槛？你说5纳米3纳米工艺难。那原子弹小型化已经实验成功了？大规模应用了？ 一个要量产，一个造一点点就够。 CPU 原子弹制造技术比手机还简单，只不过是因为受到联合国的限制和技术保密，所以很多国家搞不出来。C P U 技术难一些，但如果能熟练掌握芯片制造技术，C P U 也只不过是芯片生产线上的一种产品而已。 差不多，CPU难在商业化，原子弹难在小型化

生活中司空见惯的事物有很高的科技含量：电视机、智能手机、空调、冰箱。

一般都是用在自动化机械上，比如一些生产流水线、包装机械、印刷机械等，你可以找一些产业集中的地方进行市场销售。还有一些精度比较高的电磁阀上也会用得到。数控机床。现在一些做包装机械的考虑到成本问题，都会采用一些低价位的产品，考虑你们产品的性价比，你可以直接向他们推荐你们的产品。也可以优惠的条件发展自己的代理商。关键还是靠自己的能力。

中国光刻机生产落后，关键还是能够买进更先进的机器。如果西方国家实施制裁，禁止中国从西方进口，用不了几年，光刻机的生产就是赶不上他们，也不会与他们有大差距。成立中国企业基金会，中国银行联盟基金会，给中国的各类装备研发生产企业以年百亿级别的资金支持，派出国家院士团队全力支持研发，不愁一年两年搞不出来。光刻机是一台机器，你可以不断分解这台机器，一直到各独立原件，尤其那些关键是几个部件，你会发现，做这个部件，要列出一大堆工艺设备技术，如同一棵树散出无数枝条和树叶，叶脉你就不要纠结了，就完善这些树枝和树叶就能把一万人累死！现在中芯可以做到28纳米，也是现在的主流机器，订单已经排期几年了，现在14纳米的也已经成功下线了，由于良品率太低，现在正在调试，明年肯定能批量生产了，然而这还不是我国最先进光刻，清华大学的双工台4nm光刻机早就完成了样机制造，现在也是在调试阶段，相信要不了多久就能听到好消息了。还有3nm的制程我们也参与研制，我们是主要出资方，看看这些谁能说我们未来不是光明的？中国在光刻机制造方面是单干，荷兰阿斯麦光刻机是集中了很多发达国家的技术精华，也不是荷兰一个国家所能，所以中国能自主生产90纳米的光刻机，我认为中国很了不起了，中国加油！作为中国人，感觉真的不容易，所以的高科技，都要自己发展，中国需要的核心零件西方国家就都会限制，唯有靠中国人自己，别无他法，虽然处境这么恶劣，我依然庆幸自己是中国人，我骄傲，若干年以后，世界上就会只剩下中国和外国啦，时间应该不会太久，加油自己，加油中国人。目前我国能生产光刻机的企业有5家，最先进的是上海微电子装备有限公司，光刻机量产的芯片工艺是90纳米，目前正在向65纳米迈进，而国外最先进的是5纳米，正在向3纳米迈进，这中间差了整整9个台阶，按每个台阶4～5年的差距，尚需40年的追赶。建议我们国家还是要坚持以经济发展为主，经济投入以基础设施、教育、高科技为首。别人有的我们一定要有并且还比别人更先进，别人没有的我们要真起有。别国的事情在没有对我国大的利益损失的情况下最好不管或少管。在保证国家安全情况下千万不要搞军备竞赛、更不要搞什么抗美援朝抗美援越。只要国民还忍耐25年，静心发展经济，我国国民产值达到年/50万亿(美元)，超过美、欧总产值，那我国家就是大哥大，到时我们国家想怎么样调控世界就是我们说了算。术业有专攻，我们很多年前就开始了自研，花了大量钱和精力，但很多方面从基础教育等等都好像做不好这个，足球一样，西方高科技科技人员很淡定，很精致，他们个人综合素质也很好，很多人是在听着古典音乐时思考的，不一样思维模式。美国这种玩法不对。现在都是全球大分工大合作，而它是逆天行事，要逼中国的一个企业，要逼中国一个国家，从最基础的材料，从最基础的零件开始，做到包括高精密测量、高精度控制，以及各个高技术领域所有的事情，一个企业一个国家匹敌整个世界，超级大国如它自己也做不到，我们怎么做得到。这是赤裸裸的霸凌。中国应该强力反击，不惜付出任何代价。光刻机的牛逼之处在于这家企业的匠心精神，经历了几代人的千锤百炼和技术上不断的沉淀，一步一步的形成今天的核心技术，不是一蹴而就，更不是砸钱砸出来的，一个基本的逻辑，如果砸钱可以，我们是不是能砸出个宇宙电梯？我们上百年的企业几乎空白，企业的平均寿命又是多少？光刻机我没看过原理，但是难度也就说如何做出那么细的光，光敏胶跪求日本好了。那么细的光只有聚焦而成，而且考虑步进的问题，必须有大光学镜头配合光源和步进电机，步进电机可以跪求美国和日本，还有德国。有电机就得有传动啊，导轨啊，传动和导轨能做吧，不能做去上吊好了，我也救不了中国。砸钱是能够砸出高端光刻机的，事实并不是这样的，高端光刻机和高端航空发动机、高端极精密数控机床等，涉及的领域很多，设计、材料、加工、工艺、检测、标准等等，这些都是靠人才、靠研究、技术积累，靠时间的投入，当然也要大量的资金。有人说的好：“钱不是万能的，但没有钱是万万不能的”，但是还有人说的一句话更有道理：“有钱能解决的问题都不是问题”，而芯片等领域恰恰是光有钱也不一定能解决问题的，否则为什么我们要花那么多钱钱去买，为什么华为宁可被罚了那么多钱也要美国的芯片，不会把这些钱投入自己造啊，关键是有钱也造不出啊！有些领域一不能逆向模仿，二不能弯道超车，三不是喊“口号”喊出来的，抓紧追赶才是正道。中国只要不计成本，搞出高端光刻机是早晚的事，如果高端芯片也搞出来，自己的光刻机给自己的芯片厂商用，不用再进囗，国外芯片厂商卖不动芯片，自然不再买光刻机，逼迫荷兰光刻机厂商大亏损，甚至垮台，中国在世界就是真正的巨人了。赚钱就是自然的了。这事全世界只有中国能做。

首先，荷兰ASM 公司在光刻机领域是无可争议的世界霸主。荷兰这么小的一个国家为什么可以拥有这么顶级的企业呢，不拘一格降人才，对核心技术的掌握， 独特的合作模式。

区别在于光刻是通过光刻胶把电路印制在基板上，然后在进行下一步，而光刻机就是要行进光刻这一步骤的机器。主要原理是光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面，并要避免在硅片表面留下痕迹，需要在硅片表面涂上一层特殊的物质光刻胶。因此，光刻胶是光刻机研发的重要材料，而且它不止应用于芯片，在高端面板、模拟半导体、发光二极管、光电子器件以及光子器件上也广泛应用。

刻蚀机和光刻机的区别有工艺不同、难度不同两点。工艺不同：刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉，光刻机是将图形刻到硅片上；难度不同：光刻机的难度和精度大于刻蚀机。光刻是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。刻蚀是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶)，晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。

刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。扩展资料：光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；3.自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。参考资料：百度百科-光刻机，百度百科-刻蚀

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。具体如下：1、工作原理如果把制造芯片比喻成盖房子，那么光刻机的作用就是把房子的结构标注在地上。刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中标注好的线路。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，后者按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。2、结构光刻机的最主要的核心技术就是光源和光路，其光源和光路的主要组成部分有四个，光源、曝光、检测、和其他高精密机械组成。对比之下，蚀刻机的结构组成就要简单很多，主要是等离子体射频源、反应腔室和真空气路等组成。3、售价ASML的EUV光刻机单台售价很高，蚀刻机的售价要低很多了。4、工艺刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。5、难度光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

01ABM光刻机对准原理。ABM光刻机的整体结构，大致分为准直透镜系统、掩膜对准系统、曝光系统等。背面对准原理是01ABM光刻机对准原理。其中，对准主要基于掩膜对准台和准直透镜。该光刻机具备双面对准功能，首先从单面对准原理看起。

我相信我国可以自己造出光刻机，但由于现在技术还不是很全面，在短时间内无法完成，但我相信，在未来肯定会造出光刻机。

可能就是因为里面的技术太复杂了，而且也是需要很多的电路，有的人如果不会连电的话就可能制造不了。

duv和euv区别如下：目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。然而，euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm，凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。euv能满足10nm以下的晶圆权制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。euv：利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。

光刻机AF报错是扫描异响错误代码。光刻机（Mask Aligner），又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用短波长激光和类似投影机原理的步进式光刻机（stepper）或扫描式光刻机（scanner），获得比模板更小的曝光图样。

光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备

2纳米还是构想（或许在先进实验室有原理能实现它），市面上并无能够商用的“光刻机”。目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用（所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世）。

大功率EUV光源的突破对于EUV光刻机进一步的应用和发展至关重要。清华新成果基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。

unify和unite的区别：侧重点不一样。unify强调由部分构成的统一体，但是各部门仍行使自己的职责，既为自己也为整体的利益服务。而unite强调联合后的各方失去了原来的独立性或原来的一些特征。词义广泛性不一样：unite英 [juu02c8nau026at] 美 [juu02c8nau026at]v.(为某事)联合，联手，团结；(与某人或集体)联结，联合；统一。unify英 [u02c8juu02d0nu026afau026a] 美 [u02c8juu02d0nu026afau026a]v.统一；使成一体；使一元化。含义不一样：1、unite意思是“联合”“结合”“合并”，指把两件以上同种类的东西紧密地结合在一起,重新组成一个整体,使其合而为一。2、unify指将原本分散的同类或不同类的人或事物组合到一起以形成一个整体或密集的实体。

摘要：内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。挑选电脑的时候，随机存储器（RAM)的容量，是内存条的关键性参数。一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。市面上常见的内存条的总容量几种，包括有64M、128M、256M、512M、1G、2G等。内存条的种类有哪些呢？常见的有SDRAM、DDRAM、RDRAM等三类。内存条的总容量几种内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB、512MB、1GB、2GB等，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。进入21世纪初期，台式机中主流的内存条采用的内存容量为2GB或4GB，512MB、256MB的内存已较少采用。内存条的种类有哪些1、SDRAM同步动态随即存取存储器，SDRAM的内存条上（就是那一排插槽的地方）中间有2条用来间隔的空隙，目前基本被淘汰。2、DDRAM双倍传输速度随即存取存储器，简称DDR，是在SDRAM内存基础上发展而来的，但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。3、RDRAM总线式动态随即存取存储器，是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。

液压阀是一种用压力油操作的自动化元件，它受配压阀压力油的控制，通常与电磁配压阀组合使用，可用于远距离控制水电站油、气、水管路系统的通断。常用于夹紧、控制、润滑等油路。有直动型与先导型之分，多用先导型。

尼桑意思指日产汽车公司，以前叫尼桑，现在改名叫日产，是日本三大汽车制造商之一。尼桑是NISSAN的译音，如今大家都习惯性依照NISSAN汉语翻译出来的含意“日产”来称谓它。日产的标志是日本工业的缩写，日产汽车公司的标志，圆表示太阳，中间的字是“日产”两字的日语拼音形式，整个图案意味着以人和汽车明天为目标。日产公司的汽车产品分实用型（即货车、小型客货车和四轮驱动车）、豪华型轿车和普通型轿车。实用车的品牌有巴宁、途乐、皮卡和佳碧等；豪华型有公爵、蓝鸟、千里马、无限、光荣、桂冠和总统等；普通型有阳光、自由别墅、地平线和兰利等。日产汽车公司：日产公司创立于 1933 年，其前身是户姻铸造公司和日本产业公司合并的汽车制造公司。1934 年开始使用现名“日产汽车公司”。日产公司的总部现设在日本东京市，雇员总数达到13万人，现任总裁纠米丰。2020年上半年，日产所属雷诺日产与三菱联盟销量位居世界第三 ，2021年度《财富》世界五百强排名日产位列第116名，日产在华销量主要由合资企业东风日产贡献，2019年东风日产位列国内乘用车厂商销量第五名。

传输数据不同，作用不同。1、传输数据不同：SDRAM只能在频率上升时传输数据，表示一个频率周期只能做一次数据传输，但是DDR开始能够在频率上升及下降皆能够传输资料。2、作用不同：使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输，ddr作为运行内存使用。

两端液压调速阀工作原理是将节流阀前、后的压力分别引到减压阀阀芯两端。根据公开相关信息显示，当节流负载压力增大，于是作用在减压阀芯上的液压力增大或减少，使阀芯开口进行开关的动作，从而使节流阀的压差保持不变，反之亦然。调速阀是由定差减压阀与节流阀串联而成的组合阀。节流阀用来调节通过的流量，定差减压阀则自动补偿负载变化的影响，使节流阀前后的压差为定值，消除了负载变化对流量的影响。

至于懒成这样吗？？？？我真是很不理解，这么明确的物理问题为什么还要在这里问，可以看书，可以在网上找结果，都是成熟的理论，网上的资料很完善。我发现很有意思的是，很多人都愿意回答这类问题，闲人啊

同问。。。

NISSAN 是日本 日产 公司的品牌。日产是一家日本的汽车制造 商 ，于1933年在日本神奈川县横滨市成立。日产是日本三大汽车制造商之一，同时也是世界十大汽车企业之一。日产汽车公司创立于1933年，是日本的第二大汽车公司，是日本三大汽车制造商之一，也是世界十大汽车公司之一。该公司除生产各型汽车外，还涉足机床、工程机械、造船和航天技术等领域，是一个庞大的跨国集团公司。目前，日产已经在全球二十多个国家和地区建立了汽车制造基地，并且在160多个国家和地区提供产品和服务。 日产公司的总部现设在日本东京市，雇员总数近13万人，现任 总裁 纠米丰。日产公司的汽车产品分实用型(即货车、小型客货车和四轮驱动车)、豪华型轿车和普通型轿车。“N IS SANu2019（ニッサン）是日语 “日产”两个字的罗马音形式，是日本产业的简称，其含义是 “以人和汽车的明天为目标”。 （图/文/摄： 齐贺松） @2019

1.定差减压阀不仅是其出口压力低于进口压力，而且不管进出口压力如何变化，都能够保证它的进、出口压力差为定值。2.定差减压阀用于某一液压元件进口和出口的压力差为定值的情况，如与节流阀串联组成的调速阀。

尼桑一般指日产。日产，全称“日产汽车”（日文汉字转简体：日产自动车株式会社，英文：Nissan Motor Co., Ltd.），是一家在东京证券交易所上市的日本跨国汽车制造商。2020年上半年，日产所属雷诺日产与三菱联盟销量位居世界第三。2020年度《财富》世界五百强排名日产位列第83名。1933年12月，日产成立，名称来自股东“日本产业”的缩写。“Nissan”为日文汉字“日产”二字的罗马音拼写形式。起源日产汽车的历史从1933年生产DATSUN（达特桑）小型货车的工厂算起，已有70余年。但二战之前，日产汽车总体上讲仍处在初步发展阶段，无论是生产规模还是产品品种，发展都非常缓慢。1933年12月，日本产业公司、户田铸物公司注册成立“汽车制造股份公司”，鲇川义介成为公司首任社长。1934年5月，“汽车制造股份公司”更名为“日产汽车公司”，同时，日本产业公司接收了户田铸物持有的“日产汽车公司”的全部股份。

自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。第一代SDRAM 内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。 在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。1、DDR时代DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度，而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。2、DDR2时代随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”，这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成，它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。 RDRAMIntel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s)，同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。3、DDR3时代DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

hamburger（食物）Hamburg（德国城市）

立散车

调压器是专指用于流体介质输送管道上的减压器。它具有阀门的特点。可以控制流体的通断和节流；也具有自动控元件的特点。它自身构成一个闭环控制系统。而且不需要它的辅助能源，只取自流体本身的压力差（压力势能）作为操作能源。调压器的基本功能是：在将系统压力维持于某个可接爱满园内的同时，还必须满足下流的流量要求。当流速较低时，调压器阀瓣靠近阀座，缩小通道以限制流量。当需求流量增加时，调压器阀瓣靠近阀座，缩小通道以限制流量。当需求流量增加时，阀瓣远率阀座，增加其打开程度，增大流量。在理想情况下，调压器应能够在输送所需流量的同时，提供恒定的下游压力。从流体力学的观点看，调压器是一个局部阻力可以变化的节能元件，即通过改革节流面积，使流速及流体的动能改变，造成不同的压力损失，从而达到减压的目的。然后依靠控制与调节系统的调节，使阀后压力的波动与弹射力相平衡，使阀后压力在一定的误差范围内保持恒定。希望能帮到你，我是上海安燃气体设备有限公司的，有其它问题可找我，呵呵……

不可数名词复数形式：hamburgers

NISSAN是指一家汽车公司日产。日产汽车（NissanMotor简称日产NISSAN）是源自日本的跨国汽车制造商，总部位于横滨港未来开发区，旗下拥有“日产”（NISSAN）、“英菲尼迪”（INFINITI；主要在日本以外销售）、“达特桑”，1932年至1983年期间使用，2012年在海外重启）等多个品牌。日本历史上第一家专做汽车为主的企业，于1912年成立，与劳斯莱斯和通用汽车同期，现在是日本第二或三大汽车制造商，现时销量和营业额与新兴的本田汽车相持中，年产量仅次于丰田汽车，也是世界第六大汽车制造商。扩展资料：企业合作1999年，日产汽车由法国最大的汽车工业集团雷诺汽车购得36.8%的股份，组建雷诺-日产汽车联盟。雷诺汽车当年还迅速派出自己的副总裁、素有“成本杀手”和“商业奇才”之称的卡洛斯·戈恩出任日产汽车营业主管。2010年4月7日，法国雷诺、日本日产和德国戴姆勒这三家汽车业巨头在布鲁塞尔签署协议结成同盟。戴姆勒与雷诺-日产的合作协议显示，戴姆勒将获得雷诺3.1%的股份和日产3.1%的股份，雷诺将获得戴姆勒3.1%的股份。合并后形成的戴姆勒雷诺-日产联盟有望节约数十亿欧元的成本，车型平台的共同开发、研发、包括在动力系统技术上的共享，都将实现成本的下降。参考资料来源：百度百科-日产

薄膜干涉是由薄膜产生的干涉，它是干涉中的一种类型，属于等厚干涉的一种，一般多数属于分振幅的干涉类型。薄膜干涉拥有平行等间距的图样，并且会随着膜的厚度的增加或减少而平移。在光学中，有薄膜光学这一分支，这里是用矩阵来研究多光束的薄膜干涉。由于薄膜前后膜到光源距离不同，如果前后膜差了（2k+1）个波长，就会出现Z明显的干涉。如果是白光，就会出现七彩的条纹。扩展资料：薄膜干涉实验中，入射光经薄膜上表面反射后得diyi束光，折射光经薄膜下表面反射，又经上表面折射后的第二束光，这两束光在薄膜的同侧，由同一入射振动分出，是相干光，属分振幅干涉。若光源为扩展光源（面光源），则只能在两相干光束的特定重叠区才能观察到干涉，故属定域干涉。对两表面互相平行的平面薄膜，干涉条纹定域在无穷远，通常借助于会聚透镜在其像方焦面内观察；对楔形薄膜，干涉条纹定域在薄膜附近。参考资料来源：百度百科-薄膜干涉

呵呵我刚学习嵌入式时也迷糊这两个概念，SD卡是照相机中用的存储器就跟手机内存卡一个性质，SDRAM是内存，就类似电脑内存，就是一名字。两个东西可以说是好无干系，不要被SD给迷糊了！

液压电磁阀属于执行器,用来控制流体的一种自动化基础元件。液压电磁阀用于控制液压流动方向，工厂的机械装置一般都由液压缸控制，所以就会用到液压电磁阀。下面就随小编来了解一下液压电磁阀工作原理及液压电磁阀分类吧！液压电磁阀一、液压电磁阀工作原理液压电磁阀里有密闭的腔，在不同位置开有通孔，每个孔连接不同的油管，腔中间是活塞，两面是两块电磁铁，哪面的磁铁线圈通电阀体就会被吸引到哪边，通过控制阀体的移动来开启或关闭不同的排油孔，而进油孔是常开的，液压油就会进入不同的排油管，然后通过油的压力来推动油缸的活塞，活塞又带动活塞杆，活塞杆带动机械装置，这样通过控制电磁铁的电流通断就控制了机械运动。二、液压电磁阀分类液压电磁阀工作原理液压电磁阀是指液压传动中用来控制液体压力_流量和方向的一种元件。在液压电磁阀中，控制压力的称为压力控制阀，控制流量的称为流量控制阀，而控制通_断和流向的则称为方向控制阀。而这些控制阀下又有新的分类，下面我们一起来看看其他分类。1、压力控制阀按用途可以分为溢流阀_减压阀和顺序阀。（1）溢流阀：能控制液压系统在达到调定压力时保持恒定状态。用于过载保护的溢流阀称为安全阀，当系统发生故障，压力升高到可能造成破坏的限定值时，阀口会打开溢流，以保证系统安全。液压电磁阀分类（2）减压阀：能控制分支回路得到比主回路油压低的稳定压力。减压阀按它所控制的压力功能不同，又可分为定值减压阀_定差减压阀和定比减压阀。（3）顺序阀：能使一个执行元件动作以后，再按顺序使其他执行元件动作。2、流量控制阀是利用调节阀芯和阀体间的节流口面积和它所产生的局部阻力对流量进行调节，从而控制执行元件的运动速度。流量控制阀按用途分为5种。（1）节流阀：在调定节流口面积后，节流阀能使载荷压力变化不大和运动均匀性要求不高的执行元件的运动速度基本上保持稳定。（2）调速阀：在载荷压力变化时能保持节流阀的进出口压差为定值。（3）分流阀：不论载荷大小都能使同一油源的两个执行元件得到相等流量的为等量分流阀或同步阀；而得到按比例分配流量的为比例分流阀。液压电磁阀介绍（4）集流阀：它是使流入集流阀的流量按比例分配，作用与分流阀相反。（5）分流集流阀：兼具分流阀和集流阀的功能。3、方向控制阀按用途分为单向阀和换向阀。（1）单向阀：只允许流体在管道中单向接通，反向即切断。（2）换向阀：改变不同管路间的通断关系，根据阀芯在阀体中的工作位置数分两位_三位等；根据所控制的通道数分两通_三通_四通_五通等；根据阀芯驱动分手动_机动_电动_液动等。以上就是关于液压电磁阀工作原理及液压电磁阀分类的详细介绍，希望对大家使用液压电磁阀有所帮助！想要了解更多装修攻略详情，请继续关注。

减压阀的恒速回路的工作原理：在液压系统中，当某个执行元件或某一支油路所需要的工作压力低于系统工作压力或要求有较稳定的工作压力时，可采用控制油路、夹紧油路、润滑油路中的工作压力常需低于主油路的压力，因而常采用减压回路。夹紧机构中常用的减压回路。回路中串联一个减压阀，使夹紧缸能获得较低而又稳定的夹紧力。减压阀的出口压力可从0.5 MPa至溢流阀的调定压力范围内调节，当系统压力有波动时，减压阀出口压力可稳定不变。单向阀的作用是当主系统压力下降到低于减压阀调定压力（如主油路中液压缸快速运动）起到短时保压作用，使夹紧缸的夹紧力在短时间保持不变。为了确保安全，夹紧回路中常采用带定位的二位四通阀，或采用失电夹紧的二位四通电磁换向阀换向，防止在电路出现故障时松开工件出事故。为使减压回路可靠地工作，其减压阀的最高调定压力应比系统调定压力低一定的数值。例如，中压系统约低0.5 MPa，中高压系统约低1 MPa，否则减压阀不能正常工作。当减压支路的执行元件需要调速时，节流元件应安装在减压阀出口的油路上，以免减压阀工作时，其先导阀泄油影响执行元件的速度。

计算机当前主要有三种内存，它们分别是：SDRAM（Synchronous Dynamic RAM），DDR-SDRAM(Double Data Rate SDRAM)以及RDRAM（RAMBUS Dynamic RAM）。这篇文章将详细讨论这三种内存，注意当前市场的主流内存DDR-SDRAM已经又划分出若干版本（如DDR-II或GDDR3），这里只是统一介绍DDR-SDRAM的特点。x0dx0ax0dx0aSDRAM（同步动态随机存取存储器）x0dx0ax0dx0a SDRAM是早期内存EDO（Extended Data Output）DRAM内存的改进版本。EDO常见于486或老奔系统上面，其主要缺点在于内存频率和系统频率不一致（不同步），这样将随机出现延迟和等待状态（处理器等待内存传输可用的数据），因此对系统的整体性能影响巨大。SDRAM初始频率为66MHz，这和当时的系统频率相一致。同步的好处显而易见，能够消除不必要的等待时间，尽量保证系统稳定高速的运行。除此之外SDRAM还能够在一个时钟周期之内完成数据存储请求和取回操作，并且能够在下一个时钟周期内准备好数据的传输和接收工作。x0dx0ax0dx0aDDR-SDRAM（Double Data SDRAM）x0dx0ax0dx0a 在SDRAM规格之后，DDR-SDRAM的出现又是一次技术的进步。随着处理器时钟频率和前端总线频率的飞速提升，处理器在一段时间内能够处理的数据总量变得越来越巨大。例如当前的INTEL和AMD的主力产品Pentium 4和Athlon XP的运算速度已经达到了每秒数十亿次的惊人程度。仅仅从芯片的时钟频率看，处理器的性能已经非常了不起了，但由于有限的内存带宽，系统整体性能仍然受到了局限，因此传统的SDRAM内存已经不能够满足新处理器对数据的需求。x0dx0ax0dx0aDDR-SDRAM在原有的SDRAM基础上使每一个时钟周期输出的数据变为两倍，相当于达到了同频率的SDRAM的最大理论带宽的两倍，从而极大地提升了原本紧缺的内存带宽。DDR-SDRAM输送和接受的数据都明显要多于SDRAM。这对于当前的Athlon XP和Pentium4来说是最合适的搭配了，为了适应不同总线频率的处理器，DDR-SDRAM也衍生出多种不同速率的内存模块。x0dx0ax0dx0aDDR-SDRAM采用184针DIMM模块，目前主要有以下几种速率：PC1600（200MHz），PC2100（266MHz），PC2700（333MHz），PC3200（400MHz），PC3500（433MHz），PC3700（466MHz），PC400（500MHz），PC4200（533MHz）和PC4400（566MHz）。名称中的第一个数字，如“PC2100”意为此内存模块的最大带宽，也就是每秒最大能够提供多少MB的数据。后面的MHz是此内存运行时的时钟速率。单根DDR-SDRAM的容量从64MB到2GB不等。x0dx0ax0dx0aRDRAM（RAMBUS Dynamic RAM）x0dx0ax0dx0a RDRAM在现在的桌面PC市场上面已经基本绝迹。和DDR-SDRAM不同，RDRAM是一种专利内存标准，由RAMBUS开发研制成功。在1998年RDRAM第一次通过INTEL的鼎力协助进入桌面电脑市场，和高端的Pentium III以及早期的Pentium 4捆绑销售。不过遗憾的是，RAMBUS很快便因为内存技术专利费用的问题卷入了与英飞凌和现代等众多内存生产商的一系列官司纠纷中。x0dx0ax0dx0a 由于RAMBUS对RDRAM技术收取专利费用，导致RDRAM价格昂贵，从而抑制了Pentium 4市场的销售，引发了INTEL的不满。再加上一系列的官司让众多内存生产商联合起来抵制RDRAM，转而生产DDR-SDRAM，让RDRAM失去了占领家庭用户和PC发烧友市场最好的机会。