刻蚀机和光刻机的区别

1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6、遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。7、能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。8、掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。9、掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。10、物镜：物镜用来补偿光学误差，并将线路图等比例缩小。11、硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、 notch。12、内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。具体如下：1、工作原理如果把制造芯片比喻成盖房子，那么光刻机的作用就是把房子的结构标注在地上。刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中标注好的线路。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，后者按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。2、结构光刻机的最主要的核心技术就是光源和光路，其光源和光路的主要组成部分有四个，光源、曝光、检测、和其他高精密机械组成。对比之下，蚀刻机的结构组成就要简单很多，主要是等离子体射频源、反应腔室和真空气路等组成。3、售价ASML的EUV光刻机单台售价很高，蚀刻机的售价要低很多了。4、工艺刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。5、难度光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

不需要，光刻机的原理：利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。

光刻机是制造芯片的必要设备，众所周知，光刻机的技术集结了人类顶尖的智慧，我国主要有下面几个短板：材料的加工技术，高标准的零部件，以及顶级的光学设备。以上这些以我国现在的科研实力，都达不到制造光刻机的标准，所以瑞典光刻机厂商说，即便给我们设计图纸，我们也很难造出光刻机

是两种或者多种编码实现的（重复写一次就回自动换一次编码，编码的识别标识在引导区那里）而非是把原来的小坑点烧平那么简单，这个东西就如电是什么东西一样，作为我们不需要知道，也不必要知道，纯粹一个没任何意义的问题！

很多材料都需要进口，中国的光刻机技术还是有些落后的

光机系统设计《光机系统设计(原书第3版)》共分为4个部分15章：第一部分阐述光机系统总的设计概念，包括第1章光机设计过程，第2章环境影响和第3章材料的光机特性；第二部分是透射式光机系统的设计，包括第4章单透镜的安装，第5章多透镜的安装，第6章光窗和滤光片的安装和第7章棱镜的设计和安装；第三部分是反射式光机系统的设计，包括第8 章小型非金属反射镜、光栅和胶片的设计和安装，第9章轻质非金属反射镜的设计，第10章光轴水平放置的大孔径反射镜的安装，第1 1章光轴垂直放置的大孔径反射镜的安装，第l2章大孔径、变方位反射镜的安装技术和第13章金属反射镜的设计和安装；第四部分是光机系统的整体分析，包括第14章光学仪器的结构设计和第l5章光机系统设计分析。本书提供的材料和例子能够对军事、航空航天和民用光学仪器应用中的设计概念、具体设计、开发、评价和使用提供有用的指导。 《光机系统设计(原书第3版)》可供在光电子领域中从事光学仪器设计、光学设计和光机结构设计的研发设计师、光机制造工艺研究的工程师、光机材料工程师阅读，也可以作为大专院校相关专业本科生、研究生和教师的参考书。作者本社出版社机械工业出版时间2008-1页数781定价98.00元更多内容介绍《光机系统设计(原书第3版)》共分为4个部分15章：第一部分阐述光机系统总的设计概念，包括第1章光机设计过程，第2章环境影响和第3章材料的光机特性；第二部分是透射式光机系统的设计，包括第4章单透镜的安装，第5章多透镜的安装，第6章光窗和滤光片的安装和第7章棱镜的设计和安装；第三部分是反射式光机系统的设计，包括第8 章小型非金属反射镜、光栅和胶片的设计和安装，第9章轻质非金属反射镜的设计，第10章光轴水平放置的大孔径反射镜的安装，第1 1章光轴垂直放置的大孔径反射镜的安装，第l2章大孔径、变方位反射镜的安装技术和第13章金属反射镜的设计和安装；第四部分是光机系统的整体分析，包括第14章光学仪器的结构设计和第l5章光机系统设计分析。本书提供的材料和例子能够对军事、航空航天和民用光学仪器应用中的设计概念、具体设计、开发、评价和使用提供有用的指导。《光机系统设计(原书第3版)》可供在光电子领域中从事光学仪器设计、光学设计和光机结构设计的研发设计师、光机制造工艺研究的工程师、光机材料工程师阅读，也可以作为大专院校相关专业本科生、研究生和教师的参考书。作品目录译者序第3版前言第1章 光机设计过程第2章 环境影响第3章 材料的光机特性第4章 单透镜的安装第5章 多透镜的安装第6章 光窗和滤光片的安装第7章 棱镜的设计和安装第8章 小型非金属反射镜、光栅和胶片的设计和安装第9章 轻质非金属反射镜的设计第10章 光轴水平防止的大孔径反射镜的安装第11章 光轴垂直防止的大孔径反射镜的安装第12章 大孔径、变方位反射镜的安装技术第13章 金属反射镜的设计和安装第14章 光学仪器的结构设计第15章 光机系统设计分析附录编辑推荐《光机系统设计(原书第3版)》特色：在对一个快速发展的领域进行了充分研究后，《光机系统设计》(原书第3版)的改进要点如下：对光机领域内的最新发展和技术进行了详细的回顾：采用统计学的方法评估光学件(系统)的寿命及使光学件的断裂应力达到最大化的方法：提出了新的理论来阐述温度变化对安装应力和压力的影响；对空间环境的特性，对环境敏感的设备所需要的振动标准及激光对光学件的损伤重新进 行了讨论；给出了新材料机械性能的最新列表。无论读者是在设计一台高分辨率的投影仪或者是最敏感的空间望远镜，都可以在《光机系统设计》 (原书第3版)中找到您所需要的工具。加载更多相关搜索光刻机光刻机原理图中芯进口光刻机最先进的光刻机多少nm芯片光刻机光刻机价格中国能生产光刻机吗上海微电子光刻机

佳能光刻机22纳米，光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。光刻机可以分钟两种，分别是模板和图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴芯片；第二是类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。国内目前做光刻机的主要有上海微电子装备有限公司、中子科技集团公司第四十五研究所国电、合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技、无锡影速半导体科技。其中，上海微电子装备有限公司已经量产的是90纳米，这是在中国最领先的技术。其国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项“的65nm光刻机研制，目前正在进行整机考核。对于光刻机技术来说，90纳米是一个技术台阶；45纳米是一个技术台阶；22纳米是一个技术台阶……90 纳米的技术升级到65纳米不难，但是45纳米要比65纳米难多了。路要一步一步走，中国16个重大专项中的02专项提出光刻机到2020年出22纳米的。目前主流的是45纳米，而32纳米和28纳米的都需要深紫外光刻机上面改进升级。

国家先后出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》等鼓励文件，将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度，提出到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%。 在《中国制造2025》中再度提出，2020年中国芯片自给率要达到40%，2025年要达到50%。在资金层面，国家设立了总规模近1400亿元的国家集成电路产业投资基金；地方政府也积极响应扶持的产业链。国内芯片行业将在资金、政策、人才和需求的全方位配合下，以燎原之势迅猛发展，发展前景“芯芯”向荣。

前几天，i奇趣儿的文章介绍了荷兰公司ASML发明5nm光刻机的历程。 5nm光刻机来之不易，ASML耗时20年，华为芯片困局难解 当下，华为遭遇芯片困局，缺少的正是光刻机。 如果我们自研光刻机，需要攻克多个难题。 这个时候，我们不妨主动打破这个局面，换道超车。于是，有人想到了碳基芯片。 提到碳基芯片，必须要先说一下现在的硅基芯片。 当下的光刻机已经可以生产5nm工艺芯片，可是，这已经接近物理极限。 想要进一步突破，太难了，台积电3nm芯片最快也要到2022年才能量产。 虽然说ASML已经设计好了1nm的光刻机，可距离量产还有一段时间。 需要强调的是，在20nm以后，芯片漏电情况很严重。 华人科学家胡正明发明的FinFET技术，成功打破摩尔定律，使得芯片工艺才得以继续突破。 不过，胡正明教授认为，5nm左右就是物理极限，再往前进漏电状况会加剧，芯片能耗会加剧。 当下的5nm芯片，已经出现此类问题。比如高通骁龙888、苹果A14和华为海思麒麟9000，在功耗方面都有“翻车”的迹象。 台积电的2nm工艺，必须要继续改良，或许要用上GAAFET技术。 同时，受制于摩尔定律，硅基芯片是有终点的。 芯片是由晶体管组成的，晶体管的核心部件是COMS管。 COMS管的构造包括：源极、栅极和漏极。 我们提到的芯片工艺，7nm、5nm指的是栅极的最小线宽（可以理解为COMS管长度）。 芯片是通过纯净的硅制造而来，硅原子之间的距离大概是0.6nm。 举例说明，12nm的芯片沟道上，大约有20个硅原子。 而工艺误差和硅元素的不稳定性，会导致原子丢失（大数定律），这会影响芯片的实际性能表现。 这个时候，量子隧穿会导致漏电效应和短沟道效应。 通俗来说，芯片制程越先进，沟道越短，那么这种影响就会越大。 最终，晶体管数量没法再增加，摩尔定律失效。 从物理学和统计学角度来看，硅基芯片的终点一定会到来，极限在1nm左右。 我们刚提到的FinFET和GAAFET技术，可以改善栅极对电流的控制能力，从而提升了芯片工艺制程。 这种方法是有终点的。 所以呢，科学家正在想别的办法：寻找硅之外的新材料，比如石墨烯，以此为基础，打造碳基芯片。 碳基芯片有两个方向：“碳纳米管芯片”和“石墨烯芯片”。 北大在碳纳米管方向有所突破，已经研制出单片光电集成芯片。 中科院的团队已经制造出8英寸的石墨烯晶圆。 我们重点说石墨烯，与硅对比，石墨烯有这些亮点。 石墨烯是最薄的纳米材料，厚度只有0.335nm；它也足够硬，比钢铁的强度高200倍。 同时，石墨烯的导电性是硅的100倍，导热性比铜强10倍。 我们可以得出结论，石墨烯这种材料是可靠的。 石墨烯芯片可以做到1nm以下，同样的工艺制程，石墨烯芯片性能会更强，功耗会更低。 目前，中芯国际已经可以生产14nm芯片，假设我们可以量产石墨烯芯片。在当前的工艺条件下，石墨烯芯片的实际表现会超过台积电5nm芯片。 石墨烯芯片看来是个不错的方向呢，问题来了，制造这玩意难度大吗？ 首先，我们要提炼纯净的石墨烯，这是难点之一。目前来看，成本相当高，提纯1克需要5000元。 其次，纯净的石墨烯没法做成逻辑电路，需要改良形态，或者加入新的材料，制造出有功能的结构，这是难点之二。 比如，我们提到过的碳纳米管芯片，原理是把石墨烯改造成碳纳米管，以此来充当半导体，石墨烯充当导电沟道。 现在的硅基芯片则不同，我们只需做提纯工作，地球上的硅元素太丰富了，成本也不高。纯净的硅晶片就是制造芯片的绝佳材料。 第三呢，碳基芯片或许不需要光刻机，直接在石墨烯晶圆上切片、刻蚀和注入离子。虽然绕过了5nm光刻机，可碳基芯片的量产落地，肯定也需要用到类似的高精度设备。 解决以上问题，至少需要我们的科学家努力5-10年。 除此之外，还有其它的问题要解决吗？笔者认为肯定是有的。 可是，在硅基芯片终点即将到来的时候。利益集团为了巩固自己的红利，封锁华为。 这个时候，我们不得不自强，从其它方向突破。 笔者认为，碳基芯片是未来的一个方向。我们现在的努力，不管有没有结果，对未来都是有好处的。 首先，石墨烯是一种有用的材料，它不仅仅可以做芯片，还有更大的用处。 我们早一天行动，就多一分胜算。 现在我们说碳基芯片，说石墨烯，在很多人看来，可能只是一个笑话。 甚至有人调侃：“石墨烯最大的贡献是造就了无数的硕士、博士”。 毫无疑问，现在的石墨烯研究，还停留在理论水平。 可是， 科技 的发展进步需要一个过程，我们不能轻易放弃。 很多人都知道华为缺少光刻机，其实，华为设计芯片用的EDA软件也遭到了封锁。 当年，我们也有自己的芯片设计工具EDA熊猫系统。 1993年，EDA熊猫系统问世，1994年，国外巨头Cadence进入中国市场。随后，其它巨头也解除对我们的封锁，合力围剿熊猫EDA。 1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，与世界最先进的水平差距不到4年。 1985年，机电部45所研制的分步光刻机样机，与国际最高水平对比，差距不超过7年。 随后，我们开始引入外国设备，差距开始加大。 而外国巨头对我们的封堵也越发的丧心病狂。 2015年，上海微电子即将启动90 nm光刻设备量产。《瓦森纳协议》马上解除限制，荷兰ASML的64nm光刻机进入中国市场。 套路很清晰，当我们有突破的时候，对方就取消封锁，用价格战来瓦解我们。 我们现在研究碳基芯片，国外的科学家也在努力，这是未来的方向。 在碳基芯片领域，道阻且长，我们有可能弯道超车。早一点行动，多一分努力，就有希望。 短时间内，华为无法依靠碳基芯片 来打破困局。 我们要做的就是正视差距，努力追赶，同时，更不能妄自菲薄，放弃自己的核心成果。

smee光刻机是同兴达公司的。2月1日，昆山同兴达首台SMEE光刻机顺利搬入仪式落幕。昆山同兴达公司成立于2021年12月，主营半导体/芯片先进封装测试相关之生产、销售及服务，是同兴达集团最年轻的子公司、集团产业新赛道。公司将于今年3月完成设备调试及开始样品试制，规划于今年5月完成量产1000片/月，明年8月将完成一期满产（2W片/月）。前段时间，同兴达首台“SMEE光刻机”进机仪式在江苏省昆山市千灯镇举行。该设备是昆山首台金凸块封测光刻机，具有较强延展性，可实现与先进制程芯片相似功能，对缩短国内与国外产品代差具有重要意义。光刻机的工作原理介绍：光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。光刻机的制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，因此，世界上只有少数厂家掌握。简单点来说，光刻机就是放大的单反，光刻机就是将光罩上的设计好集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上，形成图形。

一个朝鲜可以玩，你说呢 提问有点问题，你应该问光刻机和原子弹哪个难造，我来告诉你，光刻机更难造 CPU不难造，高性能，低能耗，小制程的CPU是真难造！比核弹还难！ 核弹也难，主要受世界五常大国监控，需要国家级的势力，还要有核原料，大型提纯设备，核专家，核实验场所。 原子弹的原理相当简单，最关键的就是把铀矿的铀浓缩起来。哪怕是原子弹的载具（飞机、导弹）的原理都比它复杂得多。 CPU就更不用说了，不光软件原理复杂，制造工艺也极其复杂，需要用到纯度极其苛刻的材料（硅片、光刻胶、氢氟酸、气体、金属……），还有超高精密的机电设备（高温高速旋转熔炉、光刻机）。可以说CPU代表了人类全产业链！ 当然，原子弹制造也是不容易的，比如铀浓缩也要用到超高速离心机，这种离心机不能在市场上公开出售。原子弹制造只代表一个产业链分支，与CPU制造根本不可同日而语。 人类两大天花板 科技 ，一个是光刻机，一个是航天发动机。cpu设计和制造比原子弹简单的多，因为现在已经有大量的 科技 积累，华为都能设计出国际最先进级别的处理器，难就难在制造cpu的前置条件光刻机上。目前还没有国家能具备完整产业链独自造出主流精度的光刻机。 CPU的设计和制造技术在不断进步，原子弹氢弹也一样，有人觉得现在原子弹已经搞出来了就不难了，我问你，486的处理器技术不也搞出来了，会有什么设计和制造门槛？你说5纳米3纳米工艺难。那原子弹小型化已经实验成功了？大规模应用了？ 一个要量产，一个造一点点就够。 CPU 原子弹制造技术比手机还简单，只不过是因为受到联合国的限制和技术保密，所以很多国家搞不出来。C P U 技术难一些，但如果能熟练掌握芯片制造技术，C P U 也只不过是芯片生产线上的一种产品而已。 差不多，CPU难在商业化，原子弹难在小型化

生活中司空见惯的事物有很高的科技含量：电视机、智能手机、空调、冰箱。

一般都是用在自动化机械上，比如一些生产流水线、包装机械、印刷机械等，你可以找一些产业集中的地方进行市场销售。还有一些精度比较高的电磁阀上也会用得到。数控机床。现在一些做包装机械的考虑到成本问题，都会采用一些低价位的产品，考虑你们产品的性价比，你可以直接向他们推荐你们的产品。也可以优惠的条件发展自己的代理商。关键还是靠自己的能力。

中国光刻机生产落后，关键还是能够买进更先进的机器。如果西方国家实施制裁，禁止中国从西方进口，用不了几年，光刻机的生产就是赶不上他们，也不会与他们有大差距。成立中国企业基金会，中国银行联盟基金会，给中国的各类装备研发生产企业以年百亿级别的资金支持，派出国家院士团队全力支持研发，不愁一年两年搞不出来。光刻机是一台机器，你可以不断分解这台机器，一直到各独立原件，尤其那些关键是几个部件，你会发现，做这个部件，要列出一大堆工艺设备技术，如同一棵树散出无数枝条和树叶，叶脉你就不要纠结了，就完善这些树枝和树叶就能把一万人累死！现在中芯可以做到28纳米，也是现在的主流机器，订单已经排期几年了，现在14纳米的也已经成功下线了，由于良品率太低，现在正在调试，明年肯定能批量生产了，然而这还不是我国最先进光刻，清华大学的双工台4nm光刻机早就完成了样机制造，现在也是在调试阶段，相信要不了多久就能听到好消息了。还有3nm的制程我们也参与研制，我们是主要出资方，看看这些谁能说我们未来不是光明的？中国在光刻机制造方面是单干，荷兰阿斯麦光刻机是集中了很多发达国家的技术精华，也不是荷兰一个国家所能，所以中国能自主生产90纳米的光刻机，我认为中国很了不起了，中国加油！作为中国人，感觉真的不容易，所以的高科技，都要自己发展，中国需要的核心零件西方国家就都会限制，唯有靠中国人自己，别无他法，虽然处境这么恶劣，我依然庆幸自己是中国人，我骄傲，若干年以后，世界上就会只剩下中国和外国啦，时间应该不会太久，加油自己，加油中国人。目前我国能生产光刻机的企业有5家，最先进的是上海微电子装备有限公司，光刻机量产的芯片工艺是90纳米，目前正在向65纳米迈进，而国外最先进的是5纳米，正在向3纳米迈进，这中间差了整整9个台阶，按每个台阶4～5年的差距，尚需40年的追赶。建议我们国家还是要坚持以经济发展为主，经济投入以基础设施、教育、高科技为首。别人有的我们一定要有并且还比别人更先进，别人没有的我们要真起有。别国的事情在没有对我国大的利益损失的情况下最好不管或少管。在保证国家安全情况下千万不要搞军备竞赛、更不要搞什么抗美援朝抗美援越。只要国民还忍耐25年，静心发展经济，我国国民产值达到年/50万亿(美元)，超过美、欧总产值，那我国家就是大哥大，到时我们国家想怎么样调控世界就是我们说了算。术业有专攻，我们很多年前就开始了自研，花了大量钱和精力，但很多方面从基础教育等等都好像做不好这个，足球一样，西方高科技科技人员很淡定，很精致，他们个人综合素质也很好，很多人是在听着古典音乐时思考的，不一样思维模式。美国这种玩法不对。现在都是全球大分工大合作，而它是逆天行事，要逼中国的一个企业，要逼中国一个国家，从最基础的材料，从最基础的零件开始，做到包括高精密测量、高精度控制，以及各个高技术领域所有的事情，一个企业一个国家匹敌整个世界，超级大国如它自己也做不到，我们怎么做得到。这是赤裸裸的霸凌。中国应该强力反击，不惜付出任何代价。光刻机的牛逼之处在于这家企业的匠心精神，经历了几代人的千锤百炼和技术上不断的沉淀，一步一步的形成今天的核心技术，不是一蹴而就，更不是砸钱砸出来的，一个基本的逻辑，如果砸钱可以，我们是不是能砸出个宇宙电梯？我们上百年的企业几乎空白，企业的平均寿命又是多少？光刻机我没看过原理，但是难度也就说如何做出那么细的光，光敏胶跪求日本好了。那么细的光只有聚焦而成，而且考虑步进的问题，必须有大光学镜头配合光源和步进电机，步进电机可以跪求美国和日本，还有德国。有电机就得有传动啊，导轨啊，传动和导轨能做吧，不能做去上吊好了，我也救不了中国。砸钱是能够砸出高端光刻机的，事实并不是这样的，高端光刻机和高端航空发动机、高端极精密数控机床等，涉及的领域很多，设计、材料、加工、工艺、检测、标准等等，这些都是靠人才、靠研究、技术积累，靠时间的投入，当然也要大量的资金。有人说的好：“钱不是万能的，但没有钱是万万不能的”，但是还有人说的一句话更有道理：“有钱能解决的问题都不是问题”，而芯片等领域恰恰是光有钱也不一定能解决问题的，否则为什么我们要花那么多钱钱去买，为什么华为宁可被罚了那么多钱也要美国的芯片，不会把这些钱投入自己造啊，关键是有钱也造不出啊！有些领域一不能逆向模仿，二不能弯道超车，三不是喊“口号”喊出来的，抓紧追赶才是正道。中国只要不计成本，搞出高端光刻机是早晚的事，如果高端芯片也搞出来，自己的光刻机给自己的芯片厂商用，不用再进囗，国外芯片厂商卖不动芯片，自然不再买光刻机，逼迫荷兰光刻机厂商大亏损，甚至垮台，中国在世界就是真正的巨人了。赚钱就是自然的了。这事全世界只有中国能做。

首先，荷兰ASM 公司在光刻机领域是无可争议的世界霸主。荷兰这么小的一个国家为什么可以拥有这么顶级的企业呢，不拘一格降人才，对核心技术的掌握， 独特的合作模式。

区别在于光刻是通过光刻胶把电路印制在基板上，然后在进行下一步，而光刻机就是要行进光刻这一步骤的机器。主要原理是光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面，并要避免在硅片表面留下痕迹，需要在硅片表面涂上一层特殊的物质光刻胶。因此，光刻胶是光刻机研发的重要材料，而且它不止应用于芯片，在高端面板、模拟半导体、发光二极管、光电子器件以及光子器件上也广泛应用。

刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。扩展资料：光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；3.自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。参考资料：百度百科-光刻机，百度百科-刻蚀

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机。具体如下：1、工作原理如果把制造芯片比喻成盖房子，那么光刻机的作用就是把房子的结构标注在地上。刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中标注好的线路。光刻机相当于画匠，刻蚀机是雕工。前者投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，后者按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。2、结构光刻机的最主要的核心技术就是光源和光路，其光源和光路的主要组成部分有四个，光源、曝光、检测、和其他高精密机械组成。对比之下，蚀刻机的结构组成就要简单很多，主要是等离子体射频源、反应腔室和真空气路等组成。3、售价ASML的EUV光刻机单台售价很高，蚀刻机的售价要低很多了。4、工艺刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。5、难度光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

01ABM光刻机对准原理。ABM光刻机的整体结构，大致分为准直透镜系统、掩膜对准系统、曝光系统等。背面对准原理是01ABM光刻机对准原理。其中，对准主要基于掩膜对准台和准直透镜。该光刻机具备双面对准功能，首先从单面对准原理看起。

我相信我国可以自己造出光刻机，但由于现在技术还不是很全面，在短时间内无法完成，但我相信，在未来肯定会造出光刻机。

是的。因为中国的光刻机技术正在不断的进步，而且领先很多国家，所以中国开始慢慢迈入芯片强国。

可能就是因为里面的技术太复杂了，而且也是需要很多的电路，有的人如果不会连电的话就可能制造不了。

duv和euv区别如下：目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。然而，euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm，凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。euv能满足10nm以下的晶圆权制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。euv：利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。

光刻机AF报错是扫描异响错误代码。光刻机（Mask Aligner），又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用短波长激光和类似投影机原理的步进式光刻机（stepper）或扫描式光刻机（scanner），获得比模板更小的曝光图样。

光刻机是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备

2纳米还是构想（或许在先进实验室有原理能实现它），市面上并无能够商用的“光刻机”。目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用（所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世）。

大功率EUV光源的突破对于EUV光刻机进一步的应用和发展至关重要。清华新成果基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。

只能变一套，因为杯子上边只能印制一套

A、由于重力的作用，肥皂膜形成了上薄下厚的薄膜，干涉条纹的产生是由于光线在薄膜前后两表面反射形成的两列光波的叠加，故A正确； B、当从肥皂膜前后表面反射的光程差等于半波长奇数倍时，振动减弱，形成暗条纹，故B错误； C、干涉条纹是平行等间距的平行线时，说明膜在同一高度处的厚度处处相等，薄膜的干涉是等厚干涉，同一条纹厚度相同，故条纹是水平的，故C错误； D、观察薄膜干涉条纹时，是两列频率相同的反射光在薄膜上出现的现象，因此在入射光的同一侧，故D正确； 故选AD．

马克杯是杯子的一种类型，指大柄杯子，杯身一般为标准圆柱形或类圆柱形，并且杯身一侧带有把手。把手形状通常为半环，通常材质为纯瓷、釉瓷、玻璃、不锈钢或塑料等。马克杯一般用于牛奶、咖啡、茶类等热饮，西方一些国家会在工作休息时用马克杯喝汤。马克杯是什么杯子马克杯的种类有拉链马克杯、双层马克杯、电动马克杯、字母马克杯、上锁马克杯、污渍马克杯、变色马克杯，以及个性定制的马克杯等。良好的马克杯的外表釉面光滑，色泽均匀，杯口没有变形，并具有一定的透光性。用手指轻弹杯体会发出清脆的叮当声，且杯盖和杯体相接处的声音清脆并有小回声。

马克杯采用热转印工艺，需要先在陶瓷工艺品表面喷涂一层某种特殊要求的透明树脂花纸，一般是用打印机把专用热升华墨水打印在喷墨或专用纸上，通过一定压力和温度加热，再将图文转印在涂好层的陶瓷玻璃品上。变色马克杯采用热敏感温变色油墨，因其变色过程可逆，故又称“可逆温变消色油墨”。当温度上升，则显示出底部图层

hamburger这个英文单词的中文意思是：n. 汉堡包，火腿汉堡；牛肉饼，肉饼；碎牛肉n. (Hamburger)人名；(英)汉堡；(瑞典)汉布里耶；(德)汉布格尔[网络] 汉堡包；汉堡；汉堡牛排

　　1．两板之间形成一层空气膜，用单色光从上向下照射，入射光从空气膜的上下表面反射出两列光波，形成干涉条纹。如果被检查平面是光滑的，得到的干涉图样必是等间距的。如果某处凹下去，则对应亮纹(或暗纹)提前出现；如果某处凸起来，则对应条纹延后出现。(注：“提前”与“延后”不是指在时间上，而是指由左向右的位置顺序上) 　　2．旋转法是一种方便快捷地判定被检查平面上是凸起还是凹陷的经验性方法，而不是能从定理或定律推导得出的理论结果。具体方法是将干涉图样及装置一起在纸面内旋转90°。旋转方向是使装置的劈形空气膜劈尖向下，即装置成“V”字形。

主要是频率不一样 DDR快一倍

01 这种会变色的杯子比普通杯子多了一层用热敏材料制成的感温涂层。热敏材料又称热变色材料，它的颜色会根据温度的变化从有色变为无色，或者从无色变为有色，还可以从一种颜色变为另一种颜色。 人们常常习惯把带柄的陶瓷杯叫作马克杯。有一种陶瓷马克杯，它的外表是黑色、红色、绿色或其他的颜色，但是往杯中倒入热水时，从下往上，杯子原有的颜色会逐渐褪去，出现一个特别的图案。几分钟后，图案变得清晰。如果杯子里的水凉了，杯子上的图案又会渐渐消失，露出杯子原来的颜色。这究竟是怎么回事呢？ 原来，这种会变色的马克杯比普通杯子多了一层用热敏材料制成的感温涂层。热敏材料又称热变色材料，它的颜色会根据温度的变化从有色变为无色，或者从无色变为有色，还可以从一种颜色变为另一种颜色。常见的热变色材料，是由电子给予体（发色剂）、电子接受体（显色剂）和溶剂组成的。显色剂接受发色剂提供的电子而产生颜色反应，溶剂则决定了材料的变色温度。发色剂有三芳甲烷苯酚类和荧烷化合物等，显色剂主要是酚羟基化合物及其衍生物，溶剂大多数为醇类（如正十六醇）。在温度升高时，原子中的电子发生转移，导致有机物的分子结构发生变化，从而实现颜色的改变。这个反应是可逆的，当恢复到原来的温度时，材料分子的结构也恢复到原来的状态，其颜色也会恢复到原来的颜色。 变色马克杯的制作很方便。将热变色材料磨成3～10微米的粉粒，调成水性涂料，先涂在普通的陶瓷杯上，再放进烤箱中，在大约320℃高温下烤制，除去水分和黏结剂，使热变色材料固化在陶瓷杯上。然后把要“印”在杯子上的图片或照片输入电脑，再用特殊的“打印机”打在一张热转印纸上。热转印能把图案印制在各种材质上，具体制作方法是将图案用特制转印墨水印在转印专用纸上，再贴在杯子外表面的热变色涂层上，放进烤箱中，在大约220℃的温度下进行加热转印处理。几分钟后，转印纸上的图片或照片就印在杯子上了，一个特别的变色马克杯也就制成了。当杯子加入热水后，热变色涂层变得无色透明，精美的图片就显现出来了。 感温材料最早是从植物中提取出来的，为获得更多种类的颜色和更高的产量，科学家人工合成了大量的感温材料。不同的感温材料对温度的敏感范围不一样，所以用不同材料做的变色杯随温度变化的颜色也不一样。

汉堡包的英文单词是：hamburger它是一个可数名词，复数形式是在后面加s变成hamburgers。

竖直放置的薄膜收到重力的作用,下面厚、上面薄,因此在膜上的不同位置,来自前后两个面的反射光的路程差不同.在某些位置,这两列波叠加后相互加强,出现了亮条纹;在另一些位置,叠加后相互削弱,出现了暗条纹. 高中课本上的………

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。 很多人将SDRAM错误的理解为第一代，也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。DDR即Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM所以，SDRAM从第二代开始就采用了DDR技术，简短的说DDR内存就是SDRAM的一种

光的反射与折射相干作用。根据查询科学网显示，薄膜干涉原理是指当光线穿过薄膜时，由于光的反射和折射产生的相干作用，导致光的干涉现象。这种干涉现象可以用来解释薄膜的颜色变化和光的干涉条纹的形成。薄膜干涉原理涉及光的波动性和光在不同介质中传播速度的改变。

1、马克杯是一种杯子类型，指大柄杯子，因为马克杯的英文叫mug，所以翻译成马克杯。马克杯是家常杯子的一种，一般用于牛奶、咖啡、茶类等热饮。西方一些国家也有用马克杯在工作休息时喝汤的习惯。杯身一般为标准圆柱形或类圆柱形，并且杯身的一侧带有把手。马克杯的把手形状通常为半环，通常材质为纯瓷、釉瓷、玻璃，不锈钢或塑料等。也有少数马克杯由天然石制成，一般价格较高。 2、分类用处： （1）拉链马克杯：先来看一个简单的，设计师在马克杯的杯身设计了一道拉链，自然地留了一个开口。这个开口可不是装饰，有了这个开口，茶包的吊绳儿就可以很舒服地搭在这里，不会乱跑了。既有造型又实用，设计师做得着实不错。 （2）双层马克杯：不论是冲泡咖啡还是茶，都得用很热很热的水，那么热的水端起来总会烫手啊。这回设计师想了个解决的办法，把杯子做成了两层，这样既有利于保温，又能不烫手，一举两得。 （3）电动马克杯：冲咖啡没茶匙搅拌怎么办？不怕，我们有电动搅拌马克杯。咖啡、果珍、奶茶一切需要搅拌的全都可以，一个按钮全部搞定。 字母马克杯：在开会的时候，大家都带着杯子来，用错了可就尴尬了。字母马克杯帮你解决这个问题，每个马克杯的把手都被设计成了一个字母，每人一个字母，绝不会用错。 （4）上锁马克杯：不小心用错了马克杯还好，要是有人偷偷地总用你的杯子可就真郁闷了。设计师给杯子弄了一个锁孔，你自己带着钥匙，一个杯子对应一把钥匙。只有把正确的钥匙插进锁孔的时候，杯子才可以用。这么给力地防止盗用，一定能让你的杯子专人专用。 （5）污渍马克杯：怕别人用自己的杯子还可以这样，弄一个洗不干净的马克杯。总有一圈污渍在马克杯上，是不是很恶心。但是仔细看看，原来这一圈污渍是一幅风景画啊。设计师将不同的风景设计成污渍的形状，印在了马克杯内部，很低调的华丽哦。 （6）变色马克杯：当杯内倒入热水或温水时，杯外有图案的地方将会根据温度变色的杯子，又称盎司彩杯。饮水杯倒入热水后，夹层腔中的热敏液体会产生色泽变化并升逸于内杯图形通道中，使杯壁显现出艺术图案，使人获得美感和艺术享受。

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。　　SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。　　与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。RAMBUS内存就是一种高性能、芯片对芯片接口技术的新一代存储产品，它使得新一代的处理器可以发挥出最佳的功能。目前，RAMBUS 内存可提供600、800和1066MHz三种速度，目前主要有64M，128M，256M，512M四种规格。RAMBUS Inc宣称这种新的技术能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能。

DDR 是Double Data Rate的缩写（双倍数据速率），DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。 传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。 一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。 SDRAMDRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

利用微波炉加热食物最大的优点就是速度快，而且食物也不会丢失营养，比如说像蛋糕、粥等都可以放到微波炉里加热。但是放这些液体食物的时候，一定要用可以放进微波炉里的杯子，比如说像塑料、金属杯就不易使用。那马克杯能放微波炉吗？马克杯能放微波炉吗马克杯是家常杯子的一种，一般用于牛奶，咖啡，茶类热饮。马克杯与中国茶杯的最大区别除了体积较大以外，杯体也较厚，用以保持热饮的温度。为了方便使用，大部分的瓷质马克杯被设计成可以直接用于微波炉和放入洗碗机中，但也有少数特别情况需要根据厂商的说明来使用和保养。微波炉要少用颜色鲜艳的容器。带花纹的马克杯最好也不要用，除非是采用了釉下彩的工艺，否则在高温下这些颜料中的铅汞等重金属便会析出，对人体的肝肾造成损害。所以如果您使用的素色陶瓷马克杯，是可以放在微波炉里使用。如果您的马克杯上有图案或者没有标明是微波炉可用，为了健康最好不要放进微波炉里加热。杯子不能放进微波炉加热的原因不能放进微波炉加热的主要有金属、塑料、不锈钢、铝制、搪瓷等材质的杯子。不能加热的原因主要有以下几点：一、忌用塑料杯加热。热的食物会使塑料杯变形;而且普通塑料杯放进微波炉加热会放出有毒物质，污染食物，危害人体健康。二、忌用金属杯加热。因为放入炉内的铁、铝、不锈钢、搪瓷等杯子，微波炉在加热时会与之产生电火花并反射微波，既损伤炉体又不能加热食物。三、忌使用有盖子的杯子加热。加热液体时应使用广口杯子，如果将杯子加盖再加热食物，会使食物产生的热量不容易散发，使杯子内压力过高，从而易引起爆破事故。四、忌用瓶颈窄小的杯子加热。如水壶这样造型的杯子不宜加热。容易受压力影响而膨胀，引致爆炸。除了以上四点禁忌外，同时还要注意不要用竹制、漆器等不耐热的杯子加热，另外凹凸状的玻璃杯也不宜在微波炉中使用。

一般来说unite的几部分应该是彼此相接触的，这是使用unite命令的前提。使用方法就是同时选中要unite的部分，然后右键edit--Boolean--unite就行了。

迈克尔逊干涉仪应用的是薄膜干涉原理是因为：若光源为扩展光源（面光源），则只能在两相干光束的特定重叠区才能观察到干涉，故属定域干涉。迈克尔逊干涉仪，本质上是一定厚度空气膜的干涉，一道光经过半透半反膜，分成相互垂直的两路光，这两路光分别经过不同的两段路程后经反射镜再次回来形成干涉，因为两路光经过的距离不同，实质上可以把距离差就看做空气薄膜，也就是两个反射镜所在刻度的读数差。含义干涉中两束光的不同光程可以通过调节干涉臂长度以及改变介质的折射率来实现，从而能够形成不同的干涉图样。干涉条纹是等光程差的轨迹，因此，要分析某种干涉产生的图样，必需求出相干光的光程差位置分布的函数。若干涉条纹发生移动，一定是场点对应的光程差发生了变化，引起光程差变化的原因，可能是光线长度L发生变化，或是光路中某段介质的折射率n发生了变化，或是薄膜的厚度e发生了变化。

unit 的音标应该是ˈju:nit你说的分开读是指的那个"么？那个指的的重读1.英语重读闭音节就是所谓的元音字母不是发它本身的字母音，重读闭音节就是指在一个音节中，以辅音音素结尾的而且是重读音节的音节 (重读闭音节即两个辅音中间夹一个元音). 　　比如apple 划音节就应该是ap/ple 前面那个ap 是一个音节以辅音因素p结尾就是闭音节. 　　重读闭音节三要素： 　　（1）. 必须是重读音节； 　　（2）. 最后只有一个辅音字母； 　　（3）. 元音字母发短元音。 　　改变时态时，重读闭音节需要双写. 　　如:sit---sitting 　　begin---beginning(重读在gin这个音节上，相当于把gin改成双写的) . 　　像travel这种重读不在vel的，可以为travelled，也可以是traveled. 　　举两个很经典的例子： 　　forbid---forbidding (重读闭音节，双写). 　　prohibit---prohibiting （重读在第二音节，非重读闭音节，不双写）. 　　元音：a e i o u 　　辅音：b d g v r z n p m t c （k g) f l s h j x 　　重读闭音节法：两个辅音间夹着一个元音。 　　开音节分两种，一种叫绝对开音节，另一种叫相对开音节。 　　①绝对开音节：单个元音字母后面没有辅字母的重读音节。例如：no blue ba-by stu-dent se-cret. 　　②相对开音节：单个元音字母后面加单个辅音字母，再加一个不发音字母e构成的重读音节。例如：name th-ese bike home excuse.

内存芯片4M1个 一共4个 位宽16比特

△=ntcos(α)λ/2其中n为薄膜的折射率，t为入射点处薄膜的厚度；α是薄膜中的折射角；λ/2是两个相干光束在两个不同性质的界面(一个是光密介质，一个是光密介质到光密介质)上反射产生的附加光程差。薄膜干涉两相干光的光程差公式为△=ntcos(α)λ/2，其中n为薄膜的折射率，t为入射点处薄膜的厚度；α是薄膜中的折射角；λ/2是两个相干光束在两个不同性质的界面(一个是光密介质，一个是光密介质)上反射产生的附加光程差。薄膜干涉原理广泛应用于光学表面的检测、微小角度或直线度的精确测量、抗反射膜和干涉滤光片的制备等。

UNITE!もう二度と はぐれてしまわぬ様にと...君に伝えておきたい事が ねぇあるよ楽しい瞬间(トキ)は 谁とでも分かち合えるだけど辛く悲しい瞬间には そうそう他の谁かなんかじゃ 埋められない梦见る事ですら困难な时代でも忘れないで欲しいよ自由を右手に 爱なら左手に抱えて歩こう 时にはつまづきながら同じ朝が来るのが忧郁で 急に四角い空とても むなしく见えて夜明け顷突然涙した日もあった泣きながら伝えた人间(ヒト)はね儚く だけどね强いモノ仆には守って行くべき 君がいる自由を右手に 爱なら左手に抱えて歩こう 时にはつまづきながらwow wow wowUNITE! 心手相连！但愿我们 从此不要再分开...有件事 想要告诉你知道快乐的时候 可以和任何人分享但辛酸难过的时刻 是啊除了你没有别的人 能够来填补纵使在这个连做梦都显得困难的时代希望你也别忘怀把自己放在右手 爱则放在左手让我们怀抱着两者向前走 哪怕时时会跌倒迎接一成不变的早晨令人烦忧 突然间四四方方的天空 看起来也好空洞破晓时刻突如其来的有时眼泪不禁就会往下掉边哭着我边跟你诉说人是空幻飘渺的 但是呢也很坚强 我有我应该守护的 那就是你把自己放在右手 爱则放在左手让我们怀抱着两者向前走 哪怕时时会跌倒wow wow wow