芯片

小米6和hifi一点边都不沾

这两个完全没有可比性，hi6402只是一颗集成了电源管理功能的普通coder，跟hifi还差的远，ak4376是一颗集成放大器的独立dac，听感比前者上几个层次。

没有吧，我知道红米手机，太好发热了

谷歌手机的影像系统一直都是一大卖点，这次谷歌Pixel 7 Pro还可能搭载了一颗潜望式长焦镜头，其拍照能力或许值得我们期待。核心SoC上，

NFC基础知识学习近场通信（Near Field Communication，简称NFC），是一种新兴的技术，使用了NFC技术的设备（例如移动电话）可以在彼此靠近的情况下进行数据交换，是由非接触式射频识别（RFID）及互连互通技术整合演变而来的，通过在单一芯片上集成感应式读卡器、感应式卡片和点对点通信的功能，利用移动终端实现移动支付、电子票务、门禁、移动身份识别、防伪等应用。NFC可以理解为是RFID的一个子集。目前手机比较火的“碰一碰”功能就依托于该技术。ISO/IEC 14443定义了TypeA、TypeB两种卡片读写标准：Type A型卡在读写机上向卡传送信号时，是通过13.56MHz的射频载波传送信号。其采用方案为同步、改进的Miller编码方式，通过100%ASK传送；当卡向读写机具传送信号时，通过调制载波传送信号。使用847kHz的副载波传送Manchester编码。而Type B型卡在读写机具向卡传送信号时，也是通过13.56MHz的射频载波信号，但采用的是异步、NRZ编码方式，通过用10%ASK传送的方案；在卡向读写机具传送信号时，则是采用的BPSK编码进行调制。对比两种卡型，可以看出，Type B型与Type A型卡相比有以下优势：（1）芯片具有更高的安全性。接收信号时，不会因为能量损失而使芯片内部逻辑及软件工作停止。（2）支持更高的通讯速率。Type A最大的数据通讯速率为150Kbit/s -200Kbit/s ，应用10%ASK技术的Type B至少可支持400Kbit/s 的速率。（3）外围电路设计简单。读写机具到卡以及卡到读写机具的编码方式均采用NRZ方案，电路设计对称，设计时可使用简单的UARTS。（4）抗干扰能力强。负载波采用BPSK调制技术，较Type A方案降低了6dB的信号声。在ISO/IEC 14443-3规定了TYPEA，TYPEB 的防冲突机制。二者防冲突机制的原理完全不同。前者是基于BIT冲突检测协议，后者则是通过字节、帧及命令完成防冲突。防冲突机制使非接触式IC卡能进行并行操作，及在多张卡同时进入有效操作区后，可对其进行有条不紊的操作，这样就使 选定卡片的数据不受其它卡数据干扰，携带有多种卡的用户可不必寻找正确的一张卡，只用算法编程，读写机具即可自动做到选取正确的一张卡进行后续操作。这样方便了操作，提高了应用的并行性，也提高了系统的速度。关于两种类型的卡片的分类：.├── TypeA卡│ ├── MifareOne(市面上的卡大部分都是M1卡，广泛应用于公交、地铁、门禁等诸多领域)│ │ ├── S50 (容量：1K）│ │ ├── S70 (容量：4K)│ │ └── ...│ ├── NTAG│ │ ├── NTAG213(容量：180Bytes 可读写：144Bytes)│ │ ├── NTAG215(容量：540Bytes 可读写：504Bytes)│ │ ├── NTAG216(容量：924Bytes 可读写：888Bytes)│ │ └── ...│ ├── UID卡(M1模拟卡,可以随意修改UID)│ └── ...└── TypeB卡 └── CPU卡(如居民二代身份证、部分银行卡等)登录后复制MifareOne卡(M1卡)M1卡常见的卡片型号分为S20卡、S50卡、S70卡等，区别在于存储大小不同，以应用最广泛的S50卡为例：S50分为16个扇区、每个扇区4块(0~3 Block)、共64块，每块16个字节。按块号编址为0~63，第0扇区的块0用于存放厂商代码，已经固化不可更改。其它扇区的块0、块1、块2为数据块，用于存储数据，块3为控制块，分别存放:密码A(6bytes)、存取控制(4bytes)、密码B(6bytes)每个扇区的密码和存取控制是独立的，可以根据实际需要设定各自的密码及存取控制。三个控制位以正和反两种形式存在于存取控制字节中，决定了该块的访问权限。如果进行减值操作，必须验证KEYA, 如果进行加值操作，必须验证KEYB。注意：M1卡读、写新的扇区前要先通过认证。在存储控制前后的密码KEYA与密码KEYB读取出来都为0x00，并不代表该密码就是0x00，而是对密码进行了保护。修改认证密码可以防止别人获取到数据。通常卡片出厂时秘钥为{0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF,0xFF}、Android NFC库通常的读写的秘钥为 {0xD3,0xF7,0xD3,0xF7,0xD3,0xF7}详细参考链接:Type A型和Type B型卡的主要区别Mifare和CPU卡简介与比较Mifare Classic 破解参考:http://t.zoukankan.com/k1two2-p-5415400.htmlNTAG卡NTAG213、NTAG215和NTAG216由恩智浦半导体公司开发，并作为标准NFC标签IC与NFC设备或NFC兼容型近距离耦合设备配合，广泛用于市场应用，如零售、游戏和消费电子等。NTAG213、NTAG215和NTAG216（后文通称为NTAG21x）设计为完全符合NFC Forum类型2标签和ISO/IEC14443类型A规范。目标应用包括户外和印刷媒体智能广告、SoLoMo应用、产品验证、NFC货架标签、手机配套标签。目标用例包括户外智能广告、产品认证、手机配套标签、蓝牙或Wi-Fi配对、电子货架标签和名片。还可对NTAG21x存储器进行分段，以同时部署多个应用。以NTAG216卡片为例：EEPROM 以4 字节为1 个Block 来组织，READ 和WRITE 均以Block 地址作为最小寻址单位，READ 指令中的地址为读取的起始地址，依次读出4 个Block 的数据。WRITE 指令每次写入当前地址对应的Block。扣除制造商信息区和配置信息区后，用户可以使用的数据空间为Block 04h~E1h，总计222 Blocks，即888 字节。E2h 存储Dynamic Lock Bytes。E3h~FBh 为芯片配置信息区，FCh~FFh 为制造商信息区。整体空间划分示意图如下：NTAG卡的序列号也就是UID一共有七个，存放在page0, page1中, 其中UID0-UID2在page0中的前三个字节,第四个字节是卡类型与前3个字节的UID的BCC异或校验。UID3-UID6在page1中，UID3-UID6的BCC校验在page2的第一个字节。BER与TLVBER（BasicEncoding Rules）是一种编码规格说明，描述如何将 ASN.1 类型的值编码成字节串(string of octets)的方法。其他编码规则是在BER的基础上添加新的规则构成，比如 DER。TLV是BER编码的一种，为了使手机准确识别出多种或多段NFC标签信息，需要使用TLV格式。BER传输语法的格式一直是TLV 三元组 <Tag,Length, Value>， 每一段占一个字节。其中Value部分可以嵌套另一个 TLV，其格式如下：Tag字段的含义Tag分为3部分，最高两位，第六位和低五位。bit8~bit7：组合代表tag所属类型00 通用级 universal class01 应用级 application class10 规范级 context-specific class11 私有级 private class登录后复制bit6：是否具有嵌套的TLV子结构。bit5~bit1：如果为全1，则Tag扩展至后续的字节，否则是具体的Tag正文。Tag后续字节：bit8：为1时存在后续字节，为0时不存在后续字节bit7~bit1：Tag正文Length字段含义:首字节bit8：如果为0，则该Length仅有1字节，bit7~bit1值代表Value字段的长度。如果为1，则表示长度有扩展字节，bit7~bit1值代表后续扩展的字节数，后续扩展字节数表示Value字段的长度。Value字段含义:Value数据段一般没有特定的编码规则，但在某些场合，如果首字节的Bit8为1时，需要前补0x00。例如，如果Value1=0x74F2，Value2=0xB34A，则需要将Value2重新转换为0x00B34A，对应Length长度+1。通常，我们将NDEF格式数据放在Value数据段。NDEF (NFC Data Exchange Format)NDEF是NFC的一种标准化的数据格式，可用于在任何兼容的NFC设备与另一个NFC设备或标签之间交换信息。数据格式由NDEF消息和NDEF记录组成。该标准由NFC论坛维护，可以免费获得参考，但需要接受许可协议才能下载。NFC数据交换格式（NDEF）是一种标准化的数据格式，可用于在任何兼容的NFC设备和另一个NFC设备或标签之间交换信息。该数据格式由NDEF信息和NDEF记录组成。NDEF格式用于存储和交换信息，如URI、纯文本等，使用一种普遍理解的格式。像一些NFC标签可被配置为NDEF标签，由一个NFC设备写入可以被任何其他NDEF兼容设备理解和访问的数据（NDEF记录）。NDEF信息也可以用来在两个活跃的NFC设备之间以 "点对点 "模式交换数据。通过在通信过程中遵守NDEF数据交换格式，那些本来对彼此没有任何意义或共同语言的设备能够以一种有组织的、可相互理解的方式分享数据。NDEF消息是NDEF记录的基本 "运输 "机制，每个消息包含一个或多个NDEF记录。

TDP功耗并不是芯片的真正功耗。功耗（功率）是芯片的重要物理参数，根据电路的基本原理，功率（P）＝电流（A）×电压（V）。所以，CPU的功耗（功率）等于流经处理器核心的电流值与该处理器上的核心电压值的乘积。而TDP是指芯片电流热效应以及其他形式产生的热能，他们均以热的形式释放。显然CPU的TDP小于CPU功耗。换句话说，芯片的功耗很大程度上是对电路板提出的要求，要求电路板能够提供相应的电压和电流；而TDP是对散热系统提出要求，要求散热系统能够把芯片发出的热量散掉，也就是说TDP功耗是要求芯片的散热系统必须能够驱散的最大总热量。TDP的参考价值： TDP虽然不是CPU的真实功耗，但他间接体现了功耗的高低，可以用作对比，而且，TDP也可以作为散热器选择的标准之一。标准 TDP功耗越小越好，越小说明CPU发热量小，散热也越容易。不同的制造商可能对TDP有着不同的定义，Intel和AMD对TDP功耗的含义并不完全相同。因为现在的CPU都有节能技术，实际发热量显然还要受节能技术的影响，节能技术越有效，实际发热量越小。 目前一般桌上型电脑CPU的TDP大概在60~100W左右，而针对移动电脑的CPU在5W 到几十W不等。“CPU功耗”与TDP TDP通常不是芯片能够散发的最大能量(有些意外情况如能源病毒，对CPU进行超频以达到损坏硬件的目的)，CPU的TDP并不是CPU的真正功耗，因此，TDP值不能完全反映CPU的实际发热量(CPU的TDP显然小于CPU功耗)，但TDP却是芯片在运行真实应用程序时所能散发的最大能量。

具有JTAG口的芯片都有如下JTAG引脚定义：　　TCK——测试时钟输入；　　TDI——测试数据输入，数据通过TDI输入JTAG口；　　TDO——测试数据输出，数据通过TDO从JTAG口输出；　　TMS——测试模式选择，TMS用来设置JTAG口处于某种特定的测试模式。

希望对你有帮助1、首先怀疑复位电路出现问题，即由于电容容值小（10nF）导致复位时间不够。分别将复位电容更改为100nF、10uF，问题仍然存在。期间用示波器测量了3.3V电源和复位引脚，并查看XMC4500手册，100nF复位时间足够。 2、怀疑晶振没有起振，即复位结束后晶振才起振正常工作。同样用示波器观察3.3V电源、复位引脚、晶振输出，抓取上电时三者波形，发现有源晶振正常启动。 3、查看XMC4500的boot模式设置引脚，Normal模式TMS上拉，TCK下拉。核对电路，发现TCK没有下拉，于是加上下拉电阻5.1K。结果反而导致程序下载不成功。 结合自己的实际测试，下载接口TCK悬空，TMS接上拉电阻，程序下载运行正常。 4、在网上查找资料，发现有人说是因为外设上电后初始化需要时间。于是尝试在进入main()函数后立即加延时，发现程序可以正常运行了。 然后结合自己的电路板分析，板子上有外设DP83848，上电后XMC4500很快进入工作状态对其进行初始化，但是此时DP83848还处在自己的上电初始化状态，导致XMC4500初始化不成功，造成整个程序运行不正常。查看DP83848手册，其自身上电稳定需要167ms的时间，因此进入main函数后立即加延时大约200ms，程序运行正常。

一般都会加密的,但如果想读出来,就去电子市场找一下吧,那里就有这样的店铺.像广州赛格电子市场就有。

mediatekmt6833 5g是天玑推出的天玑5G芯片，天玑700。在制作工艺上，天玑700采用的是先进的7nm制造工艺，制造工艺不是很成熟，但是足够先进了。搭载的是2个2.2G的A76大核，以及4个2.0hz的A55小核。运行速度一点也不比同类芯片差。特别是玩游戏的时候，一点也不卡。另外，采用的是集成5G基带设计，作为5G芯片，当然支持双模5G了，最高下行速率2.77Gbps，lsp最高支持6400万像素摄影，意味着可搭配的手机摄像头像素高。相比较于天玑720，它的大核从2.0提升到2.2hz,在运行方面变得更快了，GPU性能有所强化，但是，与天玑720相比，它有少了一个核心。但是整体上的性能并没有降低多少。可以说，处理器性能还是可以的，并且预计天玑700的配置不需要太高，这也就意味着天玑700将走向中低端手机市场，未来5G手机将会更普及。4G手机也会渐渐退出市场。天玑700不仅支持6400万高清摄像，而且功耗也是比较小的，天玑700采用先进的省电技术，能够在保持高运转的同时减低能量损耗。从而提升电池的续航能力。在运行时，能够更加节能。让手机续航时间更长。更持久。使用寿命更长。天玑700支持高刷新率，支持90hz屏幕刷新率，同样也支持HDR高动态显像，减少动画延迟，页面滚动带来的卡顿，能够使用户用起来更加流畅。整体的视听体验都是极佳的。看电影，玩游戏，整体屏幕带给人的感觉将会是非常震撼的。

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联发科股票代码是2454TW，这家公司是在我国台湾省证券交易所挂牌上市的。它主要的经营业务为向各大厂商提供芯片的整合系统方案，总部位于中国台湾省台北市。拓展资料：一、联发科技股份有限公司（MediaTek.Inc）是全球无晶圆厂半导体公司，在移动终端、智能家居应用、无线连接技术及物联网产品等市场位居领先地位，一年约有15亿台内建MediaTek芯片的终端产品在全球各地上市。MediaTek力求技术创新并赋能市场，为5G、智能手机、智能电视、Chromebook笔记本电脑、平板电脑、智能音箱、无线耳机、可穿戴设备与车用电子等产品提供高性能低功耗的移动计算技术、先进的通信技术、AI解决方案以及多媒体功能。二、发展历程联发科技于2010年7月12日正式加入由谷歌为推广Android操作系统而发起的“开放手机联盟”，并将打造联发科“专属的Android智能型手机解决方案”。分析认为，联发科的加盟，有望让Android系统智能手机成本降低2/3。[2][3]2011年底，联发科发布Android智能手机平台MT6573，正式进军智能手机市场。2012年2月，联发科技发布最新Android智能手机平台MT6575。2012年6月，联发科发布最新双核智能手机解决方案 MT6577。2012年6月，联发科技宣布公开收购开曼晨星股权。2012年12月，联发科技发布全球首款四核智能机系统单芯片MT6589，以绝佳的系统优化达到性能与功耗的平衡，大幅提升用户体验。2013年4月，联发科技北京子公司全新办公大楼落成启用，落户高 .新技术企业云集的朝阳区电子城国际电子总部。2013年5月，联发科技发布世界首款采用28纳米制程的入门级双核MT6572，SoC高度整合WiFi、FM、GPS以及蓝牙功能，全新定义入门级手机的标准，持续领跑全球智能手机普及化风潮。2013年6月，联发科技发布的MT6589T大量上市，应用于红米手机和大可乐2S等国内知名中高端智能手机。2013年7月，联发科技发布改进型四核MT6582，首度将TD-SCDMA及WCDMA双模整合在同一单芯片中；与MT6589相比，MT6582在提升综合性能的同时大大降低了生产成本。2013年11月21日，联发科技发布全球首款八核芯片MT6592，华为、酷派、TCL、北斗青葱等国内知名手机厂商已明确采用。同时浮出水面的还有联发科最强四核MT6588。联发科似乎已开始切入以往被高通占领的中高端手机芯片市场。

MediaTek天玑820芯片，属于5G SoC芯片，面向中高端市场。采用了7nm工艺制造，集成全球顶尖的5G调制解调器，最全面的5G省电解决方案，带来超低5G功耗，同时搭载高能效的独立AI处理器APU3.0。

这个是跟苹果厂商合作的~你可以去买已个苹果的计数器~放在NIKE的鞋垫里~通过苹果MP3就可以看出你的卡路里~

你好，用芯片无忧试试。

没得救了，不知为何非得选择量产？

这就是美光的Flansh闪存片

我们国家可以自己生产芯片

今天小编要和大家分享的是74ls90,计数器相关信息，接下来我将从74ls90设计60进制计数器，实验7_74ls90任意进制计数器这几个方面来介绍。实验7_74ls90任意进制计数器计数器种类很多。按构成计数器中的各触发器是否使用一个时钟脉冲源来分，有同步计数器和异步计数器。根据计数制的不同，分为二进制计数器、十进制计数器和任意进制计数器。根据计数器的增减趋势，又分为加法、减法和可逆计数器。还有可预制数和可变程序功能计数器等等。目前，无论是TTL还是CMOS集成电路，都有品种较齐全的中规模集成计数器。使用者只要借助于器件手册提供的功能和工作波形图以及引出端的排列，就能正确运用这些器件。计数器在现代社会中用途中十分广泛，在工业生产、各种和记数有关电子产品。如定时器，报警器、时钟电路中都有广泛用途。在配合各种显示器件的情况下实现实时监控，扩展更多功能。60进制计数器，由于24进制、60进制计数器均由集成计数器级联构成，且都包含有基本的十进制计数器，从设计简便考虑，芯片选择同步十进制计数器1.计数器设计目的1） 每隔1s，计数器增1；能以数字形式显示时间。2） 熟练掌握计数器的各个部分的结构。 3） 计数器间的级联。4） 不同芯片也可实现六十进制。2.计数器设计组成1） 用两个74ls192芯片和一个与非门实现。2） 当定时器递增到59时，定时器会自动返回到00显示，然后继续计时。3） 本设计主要设备是两个74LS160同步十进制计数器，并且由200HZ，5V电源供给。作高位芯片与作低芯片位之间级联。4） 两个芯片间的级联。六十进制计数器设计描述1.设计的思路1） 芯片介绍：74LS90计数器是一种中规模二-五-十进制异步计数器，管脚图如图所示。 R01、R02是计数器置0端，同时为1有效；R91和R92为置9端，同时为1时有效；若用A输入，QA输出，为二进制计数器；如B为输入，QB-QD可输出五进制计数器；将QA与B相连，A做为输入端，QA-QD输出十进制计数器；若QD与A输入端相连，B为输入端，电路为二-五混合进制计数器。74LS192 为加减可逆十进制计数器，CPU端是加计数器时钟信号，CPD是减计数时钟信号RD=1 时无论时钟脉冲状态如何，直接完成清零功能。RD=0，LD=0 时，无论时钟脉冲状态如何，输入信号将立即被送入计数器的输出端，完成预置数功能。2） 十进制可逆计数器74LS192引脚图管脚及功能表3） 74LS192是同步十进制可逆计数器，它具有双时钟输入，并具有清除和置数等功能，其引脚排列及逻辑符号如下所示：图中：PL为置数端，CPu为加计数端，CPd为减计数端，TCu为非同步进位输出端， TCd为非同步借位输出端，P0、P1、P2、P3为计数器输入端，MR为清除端，Q0、Q1、Q2、Q3为数据输出端。4） 利用两片74ls192分别作为六十进制计数器的高位和低位，分别与数码管连接。把其中的一个芯片连接构成十进制计数器，另一个通过一个与门器件构成一个六进制计数器。5） 如下图：2.设计的实现1） 两芯片之间级联；把作高位芯片的进位端与下一级up端连接这是由两片74LS90连接而成的60进制计数器，低位是连接成为一个十进制计数器，它的clk端接的是低位的进位脉冲。高位接成了六进制计数器。当输出端为0101 的时候在下个时钟的上升沿把数据置数成0000 这样就形成了进制计数器，连个级联就成为了60进制计数器，分别可以作为秒和分记时。2） 方案的实现：使用200HZ时钟信号作为计数器的时钟脉冲。根据设计基理可知，计数器初值为00，按递增方式计数，增到59时，再自动返回到00。此电路可以作为简易数字时钟的分钟显示。下图为60进制计数器的总体框图。六十进制计数器的设计与仿真1.基本电路分析设计1） 十进制计数器（个位）电路本电路采用74LS160作为十进制计数器，它是一个具有异步清零、同步置数、可以保持状态不变的十进制上升沿计数器。2） 功能表如下；连接方式如下图：3） 十进制计数器（十位）电路图3 十进制计数器（十位）4） 时钟脉冲电路5） 置数电路6） 进位电路7）译码显示电路8）选定仪器列表仿真电路图实训总结1.遇到的问题及解决方法1） 在设计过程中我查阅了大量的资料，了解了许多关于计数器设计方面的问题，进一步理解了各种元器件的使用方法。2） 这次课程设计让我学到了很多，不仅掌握了简单的电子电路的设计与制作，也掌握了毕业设计写作的方法和格式。在制作电路时，我深深体会到连接电路时一定要认真仔细，每一步骤都要认真分析。3） 本次课程设计也反映出很多问题，比如竞争—冒险现象是很常见的，并且消除此现象并不是很容易，尤其是对结构复杂的电路而言，往往消除了一处竞争—冒险现象，又产生了另一处，此问题需要我以后多加注意。关于74ls90,计数器就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。UC3846控制芯片工作原理控制图 逆变焊机原理与用途 数字万用表电阻档测试二极管正反向没有阻值(使用万用表测量二极管的正向电阻,为什么各档) 学单片机需要学数电模电吗(学单片机要先学数电模电吗) 电工怎么选择适合自己用的万用表(电工初学者买什么样的万用表好) 单片机需要同时运行多个任务怎么办(单片机怎么同时执行多个任务) 电机保护的方案取决于负载的机械特性 绝缘电阻表正负搭接不复零位是怎么回事 短路怎么用万用表查

X590芯片组增加4个PCIe Gen4通道（每个通道带宽可达2GB/s）

主板的核心是主板芯片组，它决定了主板的规格、性能和大致功能。我们平日说“865PE主板”，865PE指的就是主板芯片组。主板芯片组通常包含南桥芯片和北桥芯片，但有的主板芯片也包含一块或三块芯片。北桥芯片主要决定主板的规格、对硬件的支持、以及系统的性能，它连接着CPU、内存、AGP总线。主板支持什么CPU，支持AGP多少速的显卡，支持何种频率的内存，都是北桥芯片决定的。北桥芯片往往有较高的工作频率，所以发热量颇高，我们在主板上，可以在CPU插槽附近找到一个散热器，下面的就是北桥芯片。同北桥芯片的主板，性能差别微乎其微。南桥芯片主要决定主板的功能，主板上的各种接口（如串口、USB）、PCI总线（接驳电视卡、内猫、声卡等）、IDE（接硬盘、光驱）、以及主板上的其他芯片（如集成声卡、集成RAID卡、集成网卡等），都归南桥芯片控制。南桥芯片通常裸露在PCI插槽旁边，块头比较大。南北桥间随时进行数据传递，需要一条通道，这条通道就是南北桥总线。南北桥总线越宽，数据传输越便捷。各厂商的主板芯片组中，南北桥总线都被各自起了名字。，比方说Intel的Hublink,VIA的V-Link,Sis的MuTIOL等。

M1重做系统后都是英文解说1、这种情况一般都是系统出现问题而导致的。先重启电脑试试。2、如果重启以后还是这样，确认系统完蛋了，请使用安全模式修复系统。ps：点击查看win10怎么修复系统教程 >>>3、如果修复系统失败，修复后还是无法正常使用，这边建议用户们重新安装系统，安装纯净版的系统。

据我知道的，THS开头的芯片都是TI公司的，如THS5651

　　目前世界上主要有这么几家供应无线路由主控芯片（或者叫方案），分别是Broadcom、Atheros、Marvell和Ralink。其中，前两者是目前世界上最主要的无线路由器芯片方案供应商，如使用Broadcom芯片的主要厂商就包括ASUS、Buffalo、Linksys、Netgear；使用Atheros芯片的厂商主要是TP-lINK，D-Link等等。当然，还有一些小品牌也采用Broadcom或Atheros的。　　 1、Broadcom芯片兼容性最好，是最成熟、最稳定的一种，而且还可以使用DD-WRT这种第三方开源固件改善性能，增加功能；　　主要代表磊科，腾达。54M的代表BCM5352、5354、4704、4702；150M代表BCM5356；300M代表BCM5357、5358、4716、4718；2、 Atheros芯片则主要是突出性能，尤其在匹配Atheros芯片无线网卡时，性能明显要好一些，只是兼容性略差，稳定性也不如Broadcom芯片产品稳定；　　主要代表TP,水星，迅捷。150M的代表AR7240、AR9331；300M的代表AR7240、AR7241、AR9341；3、至于Marvell的产品实在是太少见了，这里就不介绍。　　4、此外就是Ralink，目前已知的Edimax、Tenda、ASUS及D-link都有采用Ralink的产品，Ralink芯片产品主要是打低端市场，突出优点就是价格十分便宜，不少100余元的802.11n无线路由都是采用Ralink的。　　很多代表，小厂都喜欢，150M的代表RT3050、3350；300M的代表RT3052、3352；　　4、速度：Atheros>Broadcom>Ralink；　　发Ralink~Broadcom>Atheros（也有例外AR7240发热非常大）但新的比旧的发热是少些。

答案取决于型号。Marvell只是一个主控品牌，也是有很多型号的，如果是和S11同级别的NV1120的话，性能表现不如PHISON S11。当然如果你拿更高定位的Marvell 88SS1074去和S11对比的话，S11就没有优势了。

最大的代理是 威雅利 北京上海深圳都有好像.建议买murata的模组 内部芯片是marvell的。硬件设计简单的多。

芯片品牌消费指南在电子研发的过程中，经常面临一个情况，就是产品需要更多的功能，因此不得不选择更新版本的芯片或则是选择一款全新的芯片来使用。在评估的过程中，也常常面临着多款芯片可供选择。此时如何选择一款最合适的芯片就变得尤为重要。那么，芯片品牌哪个最好？芯片什么牌子好？芯片品牌哪些地区分布的最多？哪里产的芯片比较好？获得大品牌、著名商标、省市名牌等荣誉的芯片品牌有哪些？为了给消费者们提供真实的芯片市场情况以及准确的行业品牌信息，以下是CNPP提供数据支持，网站为您统计的芯片十大品牌榜单及相关品牌推荐，供您参考。芯片什么牌子的好芯片十大榜单十大半导体芯片品牌榜中榜，集成电路设计企业十强，芯片设计公司有哪些(2022)1.Intel英特尔英特尔成立于1968年，是半导体行业和计算创新领域的全球领先厂商，风靡全球的芯片供应商，世界500强，专业从事研发生产微处理器、芯片组、板卡、系统及软件的科技巨...2.Qualcomm高通高通创于1985年美国，世界领先的无线科技创新者，全球较大的无线半导体生产商、无线芯片组及软件技术供应商，其主要产品包括手机处理器芯片“骁龙”、射频基带芯片、电...3.海思Hisilicon海思成立于2004年，前身为1991年成立的华为集成电路设计中心，是全球领先的Fabless半导体与器件设计公司，其推出的麒麟、巴龙、鲲鹏和_腾等芯片，在手机移...4.SAMSUNG三星三星始于1938年韩国，全球知名的大型跨国企业集团，旗下拥有三星电子、三星物产、三星航空等下属企业，涉及电子、金融、机械、化学等众多领域，在动态存储器、静态存储...5.联发科技Mediatek联发科技始于1997年，台湾上市公司，世界尖端的系统单芯片供应商，全球领先的无晶圆半导体公司，核心业务包括移动通信、智能家居与车用电子，生产有天玑系列芯片，其在...6.NVIDIA英伟达始于1993年，1999年发明可编程GPU（图形处理器），专注于以设计智核芯片组为主，3D眼镜等为辅的科技企业，持有1,100多项美国专利，其交互式图形产品可广...7.Broadcom博通博通始于1991年美国，全球领先的有线和无线通信半导体公司，WLAN芯片领域佼佼者，专注于为计算和网络设备、数字娱乐和宽带接入产品以及移动设备的制造商提供业界广...8.TI德州仪器TI德州仪器始于1930年美国，世界较大的模拟电路技术部件制造商，以开发、制造、销售半导体和计算机技术闻名于世，主要从事设计、制造、测试并在工业、汽车、个人电子...9.AMDAMD始于1969年美国，全球知名的半导体厂商，专门为计算机、通信和消费电子行业设计和制造各种创新的微处理器，包括CPU、GPU、主板芯片组、电视卡芯片等，以及...10.Hynix海力士海力士成立于1983年韩国，是以生产和提供电脑和移动设备产品等IT设备必需的D-RAM和NAND闪存为主力产品的企业。作为全球领先的半导体厂商，SK海力士在韩国...知名(著名)芯片公司(2022)以上品牌榜名单由CN10/CNPP品牌数据研究部门通过资料收集整理大数据统计分析研究而得出，排序不分先后，仅提供给您参考。我喜欢的芯片品牌投票>>知名(著名)芯片品牌名单：含十大芯片品牌+Apple，台积电tsmc，ST意法半导体，NXP恩智浦，ARM，紫光展锐，中芯国际SMIC，新芯xmc，Infineon英飞凌，Renesas瑞萨，兆易创新，中兴微电子SANECHIPS，华大半导体HDSC，MARVELL，Realtek瑞昱，汇顶科技GOODIX全球三大晶圆代工厂：tsmc台积电，格罗方德，联华电子(UMC)芯片品牌分布情况买什么品牌的芯片好芯片产地品牌榜单芯片好不好，主要是看各个部位零件的生产技术是否先进。芯片材质、功能等技术的研发也是十分重要的。广东省在科学技术方面的研究较为先进，芯片行业在广东省的发展有技术前提的支持。而且广东的工业发达，生产力和生产技术先进，劳动力资源丰富。这也为芯片品牌提供很好的发展平台。北京市和上海市这两个国内的大城市，经济发达，拥有绝对的科技资源与资讯，芯片行业在这些地方的发展也是如火如荼的。广东省知名芯片品牌海思Hisilicon中兴微电子SANECHIPS汇顶科技GOODIX地平线Horizon芯海科技CHIPSEA北京市知名芯片品牌联发科技Mediatek兆易创新大唐电信DTT龙芯loongson寒武纪Cambricon上海市知名芯片品牌紫光展锐中芯国际SMIC华大半导体HDSC兆芯晶晨Amlogic芯片品牌规模历史企业注册资本芯片品牌历史行业推荐品牌品牌品牌历史/创立时间企业名称Renesas瑞萨瑞萨电子(中国)有限公司汇顶科技GOODIX深圳市汇顶科技股份有限公司Toshiba东芝1875年年东芝(中国)有限公司TI德州仪器1930年年德州仪器半导体技术(上海)有限公司SAMSUNG三星1938年年三星(中国)投资有限公司NXP恩智浦1953年年恩智浦(中国)管理有限公司Intel英特尔1968年年英特尔(中国)有限公司AMD1969年年超威半导体产品(中国)有限公司WD西部数据1970年年西部数据公司Apple1976年年苹果公司Hynix海力士1983年年SK海力士半导体(中国)有限公司Qualcomm高通1985年年高通无线通信技术(中国)有限公司芯片品牌注册资本行业推荐品牌品牌注册资本/企业规模企业名称长江存储5627473.69万元长江存储科技有限责任公司新芯xmc5627473.69万元长江存储科技有限责任公司海思Hisilicon4156301.21万元华为投资控股有限公司Hynix海力士3485694.64万元SK海力士半导体(中国)有限公司CXMT2388760.16万元长鑫存储技术有限公司华力微电子HLMC2207239.73万元上海华力微电子有限公司晋华JHICC2036838.64万元福建省晋华集成电路有限公司华大科技1848225.20万元中国电子信息产业集团有限公司贝岭1848225.20万元中国电子信息产业集团有限公司华虹1125655.37万元上海华虹(集团)有限公司华大半导体HDSC1003506.10万元华大半导体有限公司兆芯784872.88万元上海兆芯集成电路有限公司芯片选购事项芯片知识大讲堂1.选择处于成熟期的芯片。1.1因为处于成熟期的产品，质量比较稳定可靠。1.2现有资料和参考设计比较多，容易上手。2.要符合现有设计的功能。2.1要根据产品的功能来选择合适的芯片。不要仅仅着眼于主要功能或则是新功能呢个，要审核所有的功能是否符合。往往是大功能都是符合的，而在一些小功能上却不符合，造成浪费。以我们的产品来说:我们的仪表带有LED/LCD显示，RS485通讯，风扇PWM控制，I2C通讯，UART通讯，按键扫描，蜂鸣器PWM控制，RTC，心跳检测，ADC检测等,RPM捕获.3.考虑搭建软硬件平台难易度和成本。3.1考虑芯片是否带有仿真和调试接口，仿真是使用何种工具，是否兼容公司现有的调试工具。3.2考虑芯片的软件开发环境是什么软件，例如IAR等。当然如果是兼容公司现有的开发软件最佳，这样尽量减少开发周期和难度。【芯片选购大讲堂>>】

可以的。在交换机芯片领域，Marvell有超过20多年的经验了，在Prestera CX 8500的设计中Marvell也赋予了许多差异性，最 突 出的是FASTER和SAFE技术。Prestera CX 8500采用模组化的芯片配置，提供25 Gbps和50 Gbps两种配置，从80x25Gbps到256x50Gbps，可打造从2Tbps到12.8Tbps带宽的交换机芯片，做法是用MCM的方式多个di e封装到一颗芯片上，当然，相应的成本上也会有很大优化。边缘场景中通常不需要特别高的带宽，经常会用到2Tbps，3.2Tbps等，Prestera CX 8500可通过加减芯片数目做一些适应性的方案。对采用芯片的交换机厂商来说，因为采用的是同系列相同架构的芯片，所以无需针对不同带宽的芯片再开发软件，同样的软件可运行在从2T到12.8Tbps的芯片上。

就是支持集成显卡 但是需要处理器内部支持，，

带核心显卡的处理器和APU在本质上是一样的，只不过厂家不同，叫法也不同，Intel带核显的处理器优点是处理器性能强悍，工艺先进，功耗低，不过价格昂贵，核显性能低一些是其缺点，而APU则是核显性能要比Intel好很多，处理器性能要低一些。

根据iFixit的拆解结果，iPhone 14内置可以与卫星通话的高通芯片，配合额外定制设计的苹果射频芯片和相关软件以实现该手机卫星紧急求救的新功能。QCT部门开发和提供集成电路和系统软件,这些软件基于用于语音和数据通信、网络、应用处理、多媒体和全球定位系统产品的技术。QTL部门授予许可证并提供使用公司部分知识产权组合的权利。QSI部门致力于为其技术开辟新的或扩大的机会,并支持语音和数据通信新产品和服务的设计和引进。其产品和服务包括iPhone、Mac、iPad、AirPods、Apple TV、Apple Watch、Beats产品、Apple Care、iCloud、数字内容商店、流媒体和授权服务。以上内容由证券之星根据公开信息整理，与立场无关。 iPhone14采用高通卫星芯片究竟是怎么一回事，跟随我一起看看吧。 根据iFixit的拆解结果，iPhone 14内置可以与卫星通话的高通(QCOM.US)芯片，配合额外定制设计的苹果射频芯片和相关软件以实现该手机卫星紧急求救的新功能。 高通（QCOM.US）公司简介：高通公司从事数字通信产品和服务的开发、设计和提供。它通过以下几个部分运作:高通CDMA技术(QCT),高通技术授权(QTL)和高通战略计划(QSI)。QCT部门开发和提供集成电路和系统软件,这些软件基于用于语音和数据通信、网络、应用处理、多媒体和全球定位系统产品的技术。QTL部门授予许可证并提供使用公司部分知识产权组合的权利。QSI部门致力于为其技术开辟新的或扩大的机会,并支持语音和数据通信新产品和服务的设计和引进。公司于1985年7月由富兰克林·p·安东尼奥、阿德利亚·a·考夫曼、安德鲁·科恩、克莱因·吉尔豪森、欧文·马克·雅各布斯、安德鲁·j·维特比和哈维·p·怀特创立,总部设在加州圣地亚哥。 苹果（AAPL.US）公司简介：苹果公司从事设计、制造和销售智能手机、个人电脑、平板电脑、可穿戴设备和配件,以及其他各种相关服务。它通过以下地理区域开展业务:美洲、欧洲、大中华区、日本和亚太其他地区。美洲部分包括北美和南美。欧洲部分包括欧洲国家,以及印度、中东和非洲。大中华区包括中国大陆、香港和台湾。亚太地区的其他部分包括澳大利亚和亚洲国家。其产品和服务包括iPhone、Mac、iPad、AirPods、Apple TV、Apple Watch、Beats产品、Apple Care、iCloud、数字内容商店、流媒体和授权服务。1976年4月1日,史蒂夫·保罗·乔布斯、罗纳德·杰拉尔德·韦恩和史蒂芬·G·沃兹尼亚克共同创立了苹果公司,总部设在加利福尼亚州的库比蒂诺。 以上内容由证券之星根据公开信息整理，与立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。 iPhone14采用高通卫星芯片相关阅读： iPhone 13 将采用X60基带，支持毫米波 据《电子时报》报道消息，苹果iPhone 13 系列将全系配备高通骁龙X60基带，由三星公司负责芯片生产。也就是说，今年的新iPhone 将配备高通5nm基带，信号有望得到进一步提升。 据悉，高通X60基带采用5nm工艺，而上一代X55基带采用的还只是7nm工艺。因此X60基带不仅可以做到体积变小，还可以进一步降低功耗，延长电池续航。虽然不确定最终能省下多少电，但对于苹果来说，续航能加强就是一个非常好的消息。 最主要的是，iPhone 13装上X60基带后，将同时支持 mmWave 毫米波和 Sub-6Ghz（低于 6Ghz 频段的 5G 信号），5G网络性能将得到进一步提升。此前仅美版iPhone 12 系列支持 mmWave 毫米波，目前还不确定苹果公司是否会在iPhone 13 上继续限制该功能。 虽然苹果公司已经开始自主研发手机基带，但距离真正投入使用还有很长一段时间。至少在未来2-3年内，苹果依旧会采用高通的基带。在苹果和高通的和解协议中，有一份法庭文件显示，高通将会为苹果提供新款调制解调器。 也就是说，2020年苹果使用高通X55基带，那么2021年苹果将会使用高通X60调制解调器，而在2022年苹果将会使用高通刚刚发布的骁龙X65基带。 说到X65基带，可以用一句话来形容，它是世界上第一个10Gbps的5G基带。具体来说，其理论数据传输速度高达10Gbps，而X60基带理论数据传输速度为7.5Gbps。当然，实际传输速度会比理论上更慢一些，但可以确定的是X65的传输速率将会有明显提升。

内存条 怎么看芯片识别大小 我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标，例如 DDR266 DDR333 之类的。但是你知道吗，同样的内存根据他的品牌，出厂时间以及批号不同，它具有着不同的性能和稳定性，本文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同品牌但批号不同的内存的性能差异。另外，本文还将重点涉及内存的制假和售假的方法。将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的鉴别方法。(什么是油条？这里不卖豆浆，下文中将相信向您讲授油条的做法) 鉴于SDRAM 已经走到了生命的尽头，即将完全脱出市场，RDRAM 应用不广DDRII 内存还未量产。所以本文将只涉及市场主流的DDR 内存。 我们先来说一下内存的基本知识，归纳成一句话就是：什么是内存？ 内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为 RAM）。RAM 分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM （DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。 SRAM 是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。SRAM 的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。SRAM 内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM 的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。制造相同容量的SRAM 比DRAM 的成本贵许多，因此，SRAM 在PC 平台上就只能用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。由于SRAM 的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。 DRAM 的应用比SRAM 要广泛多了。DRAM 的结构较SRAM 要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS 管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积， DRAM 都比SRAM 具有优势。目前，随着PC 机的不断发展，我们对于系统内存的要求越来越大，随着WindowXP 的推出，软件对于内存的依赖更加明显：在 WindowsXP 中，专业版至少需要180MB 内存以上，而在实际使用中，128MB 才能保证系统正常运行。因此，随着PC 的发展，内存的容量将不断扩大，速度也会不断提升。 好了，下面我们在来说一下内存的速度问题。我们选择内存的速度，决定于你选用CPU 的前端总线，例如你用的是P4A 那你不需要用DDR400 才能满足3.2G 带宽得需要因为P4A 的前端总线是400MHZ，普通得DDR266 能够提供2。1GB 的带宽，此种内存适用于ATHLONXP 低频以及毒龙等中低端配置.已经不在主流市场之内。DDR333 能够提供2.7GB 的内存带宽适用于AMD166MHZ 外频的巴顿处理器。而DDR400 内存以及DDR433 DDR450 内存将能够提供3.2GB 以上的内存带宽，主要应用在INTEL 高端的P4C P4E 上以及ATHLON64 上面。当然，上文所述的仅仅是能够满足硬件系统的最低要求，由于p4 的前端总线的提高,内存和CPU 之间瓶颈问题已经十分严重,新的内窜技术必将产生.例如我们后面简要介绍到的双通道DDR 和未来的DDR 内存.当然,如果您拥有一颗像毒龙1.6G， ATHLONXP1800+(b0 1.5V 低压版)，P41.8A ，AthlonXP2000+ ，P42.4C 巴顿 2500+这样的具有极品超品潜力的 CPU 那么我推荐您购买高一个性能档次的内存，例如Athlon2000+配合DDR333 的内存，这样基本所有的巴顿2000+都可以超到 2500+使用，市场上的假2500+就是用2000+超频而来的。 在WINXP 系统的实际应用中，我们提出一个不规范的公式 内存容量〉内存速度〉内存类型 也就是说 就算是SD256M 内存也比128M 的 DDR400 系统速度快，在选购内存的时候，我们建议XP 系统应该配备384M 以上的内存，才能保证系统的快速运行。 下面我们在来说说内存的品牌差异 熟悉电脑的朋友们都知道，我们经常用到的内存品牌有：海盗船 Kingsotne Kingmax 宇詹 南方高科 三星 HY 杂牌中用的颗粒编号较多的是EACH 的以及 KingsMAN KingRAM 等等。海盗船内存主要用于服务器，我们大家在购买电脑的时候，在资金比较宽裕的情况下，我们推荐Kingstone 的VALUERAM 盒装内存，以及宇詹盒装内存（建议购买英飞凌颗粒的）这两种内存提供内存的终身质保，大家完全可以放心使用，如果资金不是很宽裕，建议购买HY 的内存，经实践证明HY 的内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是，HY 的内存假货泛滥，关于其造假及售假方法将在下文中提到。如果你要购买HY 的内存，那我建议您一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子，那就要考考您的眼力了。基本上，我们不推荐您购买杂牌内存，杂牌内存在使用寿命和质保上都不能令人满意，最后说一下Kingmax 内存我们之所以不推荐，就是因为Kingmax 内存与某些主板的兼容性不是很好但其自身的品质和性能绝对也是一流的。我们希望您在购买的时候一定要试试，看有没有兼容性问题。 下面我们来说一下相同品牌内存的选购。让我来为大家解读一些品牌内存的颗粒编号含义： HY XX X XX XX XX X X X X X - XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ? 12 这个是市场上流行的现代内存的标号。对应位置上1:不用我说你也看出来了当然是代表HY 生产的颗粒喽 2：内存芯片类型：5D ：DDR SDRAMS 3：工艺与工作电压V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V 4：芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片结构（数据宽度）4：X4（数据宽度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32 6：BANK 数量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7：I/O 界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2 8：芯片内核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9：能量等级： 空白 :普通 L :低能耗 10：封装形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11：工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200 我们再来看一下Kingstone 内存的标号方法. kvr *** X ** * c* / *** 1 2 3 4 5 6 7 8 1.KVR 代表kingston value RAM 2.外频速度3.一般为X 4.64 为没有ECC；72 代表有ECC5.有S 字符表示笔记本专用内存，没有S 字符表示普通的台式机或是服务器内存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR 内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是。金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC 校验的CAS=2.5 的256M 内存 我想通过以上的方法，更能方便大家对于内存的理解和选购。接下来我在强调一些有关内存的常见问题： 1. 内存的单面与双面，单Bank 与双Bank 的区别？ 单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank 与双Bank 的区别就不同了。Bank 从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank 是不同的。如Intel 82845 系列芯片组支持4 个Bank，而SiS 的645 系列芯片组则能支持6 个Bank。如果主板只支持4 个Bank，而我们却用6 个Bank 的话，那多余的2 个Bank 就 白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。 2. 内存的2-2-3 通常是什么意思？ 这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS 里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3 按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP 为RAS 预充电时间，数值越小越好；tRCD 是RAS 到CAS 的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)为CAS 的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。 3.内存的双通道技术和单通道有什么不同？ 什么是双通道DDR 技术呢？需要说明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一种可以让2 条D D R 内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR 技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P 4 处理器的好处可谓不言而喻。400M H z 前端总线的P 4 A 处理器和主板传输数据的带宽为3.2G B /s，而533 M Hz 前端总线的P4B 处理器更是达到了4.3G B/s，而 P4C 处理器更是达到了 800MHZ 前端总线从而需要 6. 4 G 的内存带宽。但是目前除了I850E 支持的R ambus P C10 66 规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333 本身仅具有2.7G B/s 的带宽。DDR400 也只能提供3.2G /s 的带宽。也就是说，如果我们搭建双通道DDR400 的内存，理论上提供2 倍DDR400 的带宽。将从而根本的解决了CPU 和内存之间的瓶颈问题。 4.DDR-Ⅱ和现在的DDR 内存有什么不同？ DDR-II 内存是相对于现在主流的DDR-I 内存而言的，它们的工作时钟预计将为 400MHz 或更高。主流内存市场将从现在的DDR-333 产品直接过渡到DDR-II。 DDR-II 内存将采用0.13 微米工艺， 容量为18MB/36MB/72MB，最大288MB，字节架构为X8、X18、X36，读取反应时间为2.5 个时钟周期 (此段由于SOHU 禁词限制，发不了） 最后，我将为大家讲授内存的造假售假方法。（以下文字未经内存厂商证实，仅仅为笔者长时间的经验积累，不承担相应的法律责任，特此声明） 现在的假货内存主要集中在HY 普通条子和某些大厂内存（例如这段时间沸沸扬扬的Kingmax）上面。这里面，大厂的内存条比较容易识别，一般来讲，大厂盒装的正品内存在他的内存颗粒或者PCB 上都会有厂商的镭射防伪标签，内存标签清晰，字体规范，Kingmax 等品牌内存还带有800 免费的防伪咨询电话，现场打电话就可以辨别内存的真伪。因为大厂的内存价格相对透明，因此你在 购买内存的时候只要不贪图便宜，就应该可以买到正品大厂内存。而现在最难鉴别的就是HY 的内存，据笔者调查，现在市场上50%以上的HY 散装内存都是假货，但是，假货也分档次。比较有“良心”的假货就是我们通常所说的 REMARK（打磨）最常见的就是将HY 的内存颗粒表面用有机溶剂清洗，再标上更高内存性能的编号，例如将DDR266 的内存打磨成DDR333 的内存出售或者打磨成Kingstone， Kingmax 等大厂的内存出售，谋取利益。这样的内存在容量上没有问题，但是因为一般都是在超标准频率下使用，必然导致系统的不稳定。这种内存一般很好辨别，只要用手搓内存颗粒表面，用指甲刮，就能轻易的将表面的字迹去除，从而辨别真假。但是，一些手段比较高明的造假者，做出来的内存表面进行了特殊处理，让你不能够轻易的抹除字迹。对于这种内存，就要考考您的眼力了。一般说来，正品的内存字迹都是激光“刻”印在内存颗粒上的，会在内存颗粒上留下痕迹，打磨内存的奸商必然覆盖这些痕迹，看上去字体不是那么的规范，字的大小也不是很一致。字体的边角不够圆滑。辨别类似的内存，就需要一些久经杀场的老鸟了。下面我将告诉大家一种最为狠毒的制假方法，那就是本文开头提到的“油条”了。我先简要讲述一下此种内存的制作“工艺”。这种内存主要生长在我国南部省份，以深圳为甚。首先，不法奸商用极其低廉的价格（1000 元人民币一吨）收购国外运来的洋垃圾，或者是在中国市场上几乎可以不计成本的收购已经烧掉或者损坏的内存条，将这些内存放到一个大油锅里面煮，去掉焊锡，清除焊点和内存表面的字迹。然后用香蕉水（剧毒，有强烈刺激气味）进行清洗。然后，挑出相同的芯片重新焊在 PCB 上，再标上内存编号进行销售，这样的内存千条采购价格以256M 为例只有 120 元左右。可以说相当具有“性价比”，从而成为不法奸商们手中的“极品”以牟取暴利。这种内存可以说是性能和稳定性皆无。但是，我们不得不佩服中国人的制假方法，他们把这种内存做的和HY 内存一模一样，只是内存PCB 颜色看上去有些许的不均匀。但是，这种内存基本上还是很好辨别，大家在购买内存的时候，不要只看内存的表面字迹，应该注意一下内存颗粒右下角的内存编号一般都是数字例如56787 之类的，这种内存由于大批量处理，一般在一条内存上你会发现有2 种甚至更多种的内存颗粒只要抓住这点，基本上可以识别出这种假货内存，另外，我们还可以闻一下内存，都会有一些余味（香蕉水的味道） 最后，笔者奉劝您在购买内存的过程中，不要贪图几十元的小便宜，而为您的 系统带来不稳定甚至导致整机的故障。希望通过本文，能够对您在内存的选购方面有所帮助。希望大家都能够买到稳定性能一流的内存 不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考： DDR SDRAM： HYNIX DDR SDRAM 颗粒编号： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM 颗粒的编号，一共是由14 组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1． HY 是HYNIX 的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K 刷新；66：64M 2K 刷新；28： 128M 4K 刷新；56：256M 8K 刷新；57：256M 4K 刷新；12：512M 8K 刷新；1G：1G 8K 刷新） 5． 内存条芯片结构：（4＝4 颗芯片；8＝8 颗芯片；16＝16 颗芯片；32＝32 颗芯片） 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 内核代号：（空白=第1 代；A=第2 代；B=第3 代；C=第4 代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝ MCP（UTC）） 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85 度）；E=扩展温度（-25 - 85 度）） 由上面14 条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13 等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM 内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第 13 位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L 的产品（也就是说，它只支持DDR200） 注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的 LGS 的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS 应该首先排第一位。 LGS 的内存编码规则： GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、GM 代表LGS 公司。 2、72 代表SDRAM。 3、V 代表3V 电压。 4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K 刷新；17：16M，2K 刷新； 28：128M，4K 刷新；64： 64M，16K 刷新。65：64M，8K 刷新；66：64M，4K 刷新。 5、数据带宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK 7、I／O 界面：一般为1 8、产品系列：从A 至F。 9、功耗：空白则是普通，L 是低功 10、封装模式：一般为T（TSOP） 11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K （10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ） 二、HY（现代HYUNDAI） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。 HY 的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY 代表现代。 2、一般是57，代表SDRAM。 3、工艺：空白则是5V，V 是3V。 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K 刷新；64：64M，8K 刷新；65：64M， 4K 刷新；128：128M， 8K 刷新；129：128M，4K 刷新。 5、数据带宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O 界面：一般为0 8、产品线：从A－D 系列 9、功率：空白则为普通，L 为低功耗。 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100， CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 三、SEC（三星SAMSUNG） 做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量 虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM 参考。 SEC 编码规则： KM4 XX S XX 0 X X XT－XX 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 1、KM 代表SEC 三星，此处编码一般均为4。 2、数据带宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 3、一般均为S 4、这个数乘以S 前边的位数就是内存的容量。 5、一般均为0 6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK 7、I／O 界面：一般为0 8、版本号 9、封装模式：一般为T：TSOP 10、功耗：F 低耗，G 普通 11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。 四、MT（MICRON 美凯龙） 美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。 MT48 XX XX M XX AX TG－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、MT 代表美凯龙MICRON 2、48 代表SDRAM。 3、一般为LC：普通SDRAM 4、此数与M 后位数相乘即为容量。 5、一般为M 6、位宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 7、AX 代表write Recovery(twr)，A2 则代表twr=2clk 8、TG 代表TSOP 封装模式。 9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X 为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D 和E 较好），10：10NS 10、如有L 则为低功耗，空白则为普通。 五、HITACHI（日立HITACHI） 日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！ HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HM 代表日立。 2、52 代表SDRAM，51 则为EDO 3、容量 4、位宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般为5 6、产品系列：A－F 7、功耗：L 为低耗，空白则为普通 8、TT 为TSOP 封装模式 9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3） 六、SIEMENS（西门子） 西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM 厂商制造的，产品品质还算不错。 HYB39S XX XX 0 X T X －X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HYB 代表西门子 2、39S 代表SDRAM 3、容量 4、位宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般为0 6、产品系列 7、一般为T 8、L 为低耗，空白为普通 9、速度： 6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10： 10NS 七、FUJITSU（富士通FUJITSU） 富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM 商，市场上仅有少量零售产品。 MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、MB81 代表富士通的SDRAM 2、PC100 标准的多为F，普通的内存为1 3、容量 4、位宽：4：位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK 6、产品系列 7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS （CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS 八、TOSHIBA（东芝） 东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA 的内存产品在市场上见到的不多。 TC59S XX XX X FT X－XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1、TC 代表东芝 2、59S 代表普通SDRAM 3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT 4、位宽：04：4 位，08：8 位，16：16 位，32：32 位 5、产品系列：A－B 6、FT 为TSOP 封装模式 7、空白为普通，L 为低功耗 8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3） 九、MITSUBISHI（三菱） 三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT 业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL 的PII／PIIICPU 的缓存供应商。普通 SDRAM 方面，因为较贵，所以市场上少见。 M2 V XX S X 0 X TP－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、M2 代表三菱产品 2、I／O 界面。一般为V 3、容量 4、一般为S，说明是SDRAM 5、位宽：2：4 位，3：8 位，4：16 位 6、一般为0 7、产品系列 8、TP 代表TSOP 封装 9、速度： 8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。 10、空白为普通，L 为低耗。

中国有多少工厂 一样的问题

AB20BPO9449-82A2是主控芯片。主板主控芯片一般是指南北桥，南桥芯片负责IO总线之间的通信，如PCI总线、USB、LAN、ATA、SATA、音频控制器、键盘控制器、实时时钟控制器、高级电源管理等，北桥芯片负责与CPU的联系并控制内存，北桥是主板芯片组中起主导作用的最重要的组成部分，一般来说，芯片组的名称就是以北桥芯片的名称来命名的。AB20BPO9449-82A2芯片的作用在SATA接口的SSD中，AB20BPO9449-82A2主控芯片的面积并不起眼，在M.2接口产品上，它常常也很难与闪存芯片区分开，其成本一般也仅占整体成本的15%左右。一般来讲，主控芯片的主要参数包括支持的闪存颗粒类型、数量，支持的存取通道数、通道带宽，支持的SSD存取标准、接口等等。另外SSD的加密、纠错、校验等数据相关功能也是主控芯片控制额。

AB20BPO9449-82A2是主控芯片。主板主控芯片一般是指南北桥，南桥芯片负责IO总线之间的通信，如PCI总线、USB、LAN、ATA、SATA、音频控制器、键盘控制器、实时时钟控制器、高级电源管理等，北桥芯片负责与CPU的联系并控制内存，北桥是主板芯片组中起主导作用的最重要的组成部分，一般来说，芯片组的名称就是以北桥芯片的名称来命名的。AB20BPO9449-82A2芯片的作用在SATA接口的SSD中，AB20BPO9449-82A2主控芯片的面积并不起眼，在M.2接口产品上，它常常也很难与闪存芯片区分开，其成本一般也仅占整体成本的15%左右。一般来讲，主控芯片的主要参数包括支持的闪存颗粒类型、数量，支持的存取通道数、通道带宽，支持的SSD存取标准、接口等等。另外SSD的加密、纠错、校验等数据相关功能也是主控芯片控制额。

AB20BPO9449-82A2是主控芯片。主板主控芯片一般是指南北桥，南桥芯片负责IO总线之间的通信，如PCI总线、USB、LAN、ATA、SATA、音频控制器、键盘控制器、实时时钟控制器、高级电源管理等，北桥芯片负责与CPU的联系并控制内存，北桥是主板芯片组中起主导作用的最重要的组成部分，一般来说，芯片组的名称就是以北桥芯片的名称来命名的。AB20BPO9449-82A2芯片的作用在SATA接口的SSD中，AB20BPO9449-82A2主控芯片的面积并不起眼，在M.2接口产品上，它常常也很难与闪存芯片区分开，其成本一般也仅占整体成本的15%左右。一般来讲，主控芯片的主要参数包括支持的闪存颗粒类型、数量，支持的存取通道数、通道带宽，支持的SSD存取标准、接口等等。另外SSD的加密、纠错、校验等数据相关功能也是主控芯片控制额。

作者 | 陈巍 千芯 科技 编者注： 苹果于3月9日公布其迄今最强自研电脑芯片M1 Ultra，它将两个M1 Max芯片拼在一起，使得芯片各项硬件指标直接翻倍，这背后的关键技术即是苹果创新定制的封装架构UltraFusion。千芯 科技 董事长陈巍通过分析苹果公司与其芯片代工厂台积电的专利和论文，对这一先进封装技术进行解读。 2022年3月，苹果又一次触动了 芯片界的 游戏 规则 。苹果发布的M1 Ultra芯片，是迄今为止该公司最强大的芯片，却是一个“ 拼装货 ”。尽管很多计算芯片已采用Chiplet（芯粒）技术提升性能，但“拼装货”M1 Ultra的性能还是让 PC界震撼 了。 M1 Ultra支持高达128GB的高带宽、低延迟统一内存，支持20个CPU核心、64个GPU核心和32核神经网络引擎，每秒可运行高达22万亿次运算，提供的GPU性能是苹果M1芯片的8倍，提供的GPU性能比最新的16核PC台式机还高90%。 苹果的新M1 Ultra芯片“拼装”性能之所以成为可能，要归功于其 UltraFusion架构 。其实，UltraFusion功能早已内置于之前发布的苹果M1 Max芯片中，但直到3月的苹果Peek Performance活动才被明确提出。 苹果公司M1 Ultra的UltraFusion架构 M1 Ultra芯片的UltraFusion架构使用 硅中介层（Silicon Interposer） 和 微型凸块（Micro-Bump） ，将芯片连接到超过10,000个信号。 该技术提供2.5TB/s的超高处理器间带宽，以及低延迟。这一性能是其他多芯片互连技术带宽的4倍多。这个速率带宽也明显领先于英特尔、AMD、Arm、台积电和三星等众多行业巨头组成的通用芯粒互连联盟（UCIe）当前的性能。 英特尔等巨头主推的UCIe 根据苹果公司和台积电已发表的专利和论文，我们从2.5D/3D互连和技术层面解析UltraFusion封装架构。 一、芯片封装走向2.5D/3D互连 按摩尔定律描述，芯片上的晶体管数量每24个月翻一番。这对于CPU、GPU、FPGA和DSA依然适用。 芯片晶体管数量逐渐增长（Y. H. Chen et al., 2020） 随着芯片算力呈指数级增长，芯片尺寸逐渐 超出光刻掩模版尺寸 ，系统级封装（System on Package，SoP），特别是Chiplet技术，成为维持摩尔定律，超越掩模版限制的有效方式。（Y. H. Chen et al., 2020） 图灵奖得主姚期智院士也非常重视Chiplet技术，在2020年指导成立了中国自己的 Chiplet产业联盟 ，该联盟与北极雄芯共同为国内设计企业提供Chiplet交流合作的平台和高性价的解决方案。 高性价比的Chiplet方案（北极雄芯/中国Chiplet产业联盟提供） 通过快速发展的片间互连技术和封装技术，摩尔定律从单独的晶体管缩放（摩尔定律1.0）演变为系统级缩放（被业界戏称为 摩尔定律2.0） 。 片间互连技术逐年快速发展（Y. H. Chen et al., 2020） 封装从2D（二维）逐渐发展到 2.5D和3D 。集成电路从扩大面积和立体发展两条路来提升整体性能。 封装从2D（二维）逐渐发展到2.5D和3D（Kuo-Chung Yee et al., 2020） 二、从苹果台积电专利论文，解析UltraFusion架构 从M1 Ultra发布的UltraFusion图示，以及苹果及其代工厂（台积电）的公开专利和论文来看，UltraFusion应是基于台积电第五代CoWoS Chiplet技术的互连架构。 苹果公司Chiplet专利与M1 Ultra（参考专利US 20220013504A1） Chip-on-Wafer-on-Substrate with Si interposer （CoWoS-S）是一种基于TSV的多芯片集成技术，被广泛应用于高性能计算（HPC）和人工智能（AI）加速器领域。 随着CoWoS的进步，可制造的中介层（Interposer）面积稳步增加，从一个全掩模版尺寸（大约830mm2）到两个掩模版尺寸（大约1700mm2）。中介层的面积决定了最大的封装后的芯片的面积。 第5代CoWoS-S（CoWoS-S5）达到了大至三个全光罩尺寸（~2500mm2）的水平。通过 双路光刻拼接 方法，该技术的硅中介层可容纳1200mm2的多个逻辑芯粒和八个HBM（高带宽内存）堆栈。芯粒与硅中介层的采用面对面（Face to Face，互连层与互连层对接）的连接方式。 CoWoS技术所能承载的总芯片面积逐渐增大（P. K. Huang 2021） 在UltraFusion技术中，通过使用 裸片缝合（Die Stitching） 技术，可将4个掩模版拼接来扩大中介层的面积。在这种方法中，4个掩模被同时曝光，并在单个芯片中生成四个缝合的“边缘”。 UltraFusion架构互连技术（单层与多层，参考专利US 20220013504A1/US 20210217702A1） 根据苹果公司的专利显示，在这一技术中，片间互连可以是单层金属，也可以是 多层金属 。（US 20220013504A1/US 20210217702A1） 三、六大技术特别优化 UltraFusion不仅仅是简单的物理连接结构。在这一封装架构中，有几项特别优化过的技术。（P. K. Huang 2021） 1）低RC互连 在UltraFusion中，有新的低RC（电容x电阻=传输延迟）金属层，以在毫米互连尺度上提供更好的片间信号完整性。 与多芯片模块（MCM）等其他封装解决方案相比，UltraFusion的中介层在逻辑芯粒之间或逻辑芯粒和存储器堆栈之间提供密集且短的金属互连。片间完整性更好，且能耗更低，并能以更高的时钟速率运行。这种新的中介层互连方案将走线电阻和通孔电阻降低了50%以上。 跨中介层传输的互连功耗控制（US 20210217702A1） 2）互连功耗控制 苹果的专利显示，UltraFusion使用了可关闭的缓冲器（Buffuer），进行互连缓冲器的功耗控制，有效降低暂停的互连线的能耗。 3）优化TSV 高纵横比的硅通孔（TSV）是硅中介层技术另一个非常关键的部分。UltraFusion/CoWoS-S5重新设计了TSV，优化了传输特性，以适合高速SerDes传输。 4）集成在中介层的电容（iCAP） UltraFusion在中介层集成了深沟槽电容器（iCap），帮助提升芯片的电源完整性。集成在中介层的电容密度超过300nF/mm2，帮助各芯粒和信号互连享有更稳定的供电。 5）新的热界面材料 UltraFusion通过集成在CoWoS-S5中的新型非凝胶型热界面材料（TIM），热导率>20W/K，覆盖率达到100%，为各个高算力芯粒提供更好的散热支持，从而增强整体散热。 通过Die-Stitching提高良率并降低成本（US 20220013504A1） 6）通过Die-Stitching技术有效提升封装良率降低成本 UltraFusion中，仅将KGD（Known Good Die）进行键合，这样避免了传统的WoW（Wafer on Wafer）或CoW（Chip on Wafer）中失效的芯粒被封装的问题，进而 提升封装后的良率 ，降低了整体的平均成本。（坏的芯片越少，在固定的流片和研发费用前提下，单芯片平均成本就越低） 四、结语：为更强算力芯片提供想象空间 本文中，我们从苹果公司和台积电的专利和论文出发，对UltraFusion技术进行了初步的解析。 UltraFusion充分结合了封装互连技术、半导体制造和电路设计技术，为整合面积更大、性能更高的算力芯片提供了 巨大的想象空间 ，为计算架构的发展提供了非常好的助力和参照。

反相器万用表使用不对～

mRNA反转录后就是cDNA,CDS也就是orf,翻译蛋白的部分5"utr-CDS-3"utr 就是cDNA了嘛，cDNA包含有CDS

安装PCI转COM口扩展卡驱动与其它硬件安装方式基本相同。1）自动搜索更新的驱动程序软件。由系统搜索适合的驱动安装。2）浏览计算机以查找驱动程序软件。a.浏览已经下载的PCI转COM口扩展卡驱动程序，点确定。b.点下一步完成驱动安装。3）借助驱动工具软件（如驱动·人生）搜索相应驱动程序安装，。4）完成安装后设备管理器添加了PCI多串口扩展卡。

WinChipHead 南京沁恒电子有限公司

纽扣电池

电脑主板上COMS芯片在CMOS电池附近，如下图所示，图片中纽扣电池旁边贴着绿色便签的就是这块主板的CMOS芯片。CMOS芯片属于ram-ram-ram，按键电池主要负责CMOS的供电，一旦断电，BIOS设置就会丢失，例如每次开机的系统时间都不正确。由于纽扣电池本身的功率较小，为了尽可能避免传输损耗，COMS芯片回将靠近电池。扩展资料：CMOS芯片的电路原理：CMOS芯片属于一颗RAM随机存储器，纽扣电池主要负责为CMOS供电，由于因此一旦没电就会造成BIOS设置的丢失，比如每次开机时系统时间都不正确。由于纽扣电池本身电量就少，为了尽可能避免传输时的损耗，因此COMS芯片会与电池距离很近。CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管（BJT）效率要高得多，因此功耗很低。

CSR芯片就是这个设备是使用CSR的方案IC做的；不过现在CSR还真是不多了；USB市场太烂了！

金钱999999金手指 02000060:00000000 02004FE8:000F423F 02001BDC:000F423F 不遇敌 02001C16:0000 战后金钱 0200A00C:7FFF 战后BUG 0200A00C:FFFE 上面的写的是什么啊瞎抄 看我的才嗷嗷的啊 杰洛取得法 Brown 　　在螛蚌那一关里,只要到了有两个门的地方,选择往下走,不过要动点头脑,路上还可拿到一个爱心,只要打赢杰洛(用光波刀砍他,很快就可以解决),再来你就可以使用他． 究极铠甲 阿璋 　　方法就是在游戏的标题下开始新游戏的地方,输入方向键左3次,右1次,听到音效之后就可以了! 黑杰洛 Amuro=Ray 　　在游戏的标题下，在开始新游戏的地方输入L1三次、R2一次，听到音效声后进入游戏，当游戏中打到ZERO得到他后换变成黑色，防御力跟攻击力会比原来的要高。 隐藏人物 在标题画面: 1.左 3下,右 1下,可获得黑色X. 2.L1 3下,R2 1下,可获得黑色ZERO. 两者只能选其一,以后输入的为标准 全角色 300CE5EF 00FF 攻击力超高钢铁可破 80032CAC 0001 80032EFA 0042 只数不减 D0021CC2 2442 80021CC0 0000 武器能源不减 D0040BDE 0062 80040BDE 0060 8009B62C 0120 (洛克人X) 武器能源不减 D00431360062 800431360060 8009B62A0120 (ZERO) 一击必杀 D00335DE A0E2 800335DE A0E0 自爆 D00CA7F8 0003 8009B5F0 0007 无敌密码 800327EE 0040 8003AA2E 0062 8003AA2C 1821 体力不减 D0032F7E 0046 80032F7E 0040 D0039EB6 0062 80039EB6 0060 D003E40A 0062 8003E40A 0060 集气连射 D003F86C 008A 8003F86C 0001 用了金手指还有什么意思 全芯片 4200223C 6363 00000139 000C 4200223E 6363 00000139 000C 体力 0203A9D4:270F 能量 020352A0:4000 隐身 02038514:FF 敌人速死 0203AAAC:0000 0203AB84:0000 0203AC5C:0000 还有最重要的 无限兽化 0203ce21:03 金钱999999金手指 02000060:00000000 02004FE8:000F423F 02001BDC:000F423F 不遇敌 02001C16:0000 战后金钱 0200A00C:7FFF 战后BUG 0200A00C:FFFE 全芯片 4200223C 6363 00000139 000C 4200223E 6363 00000139 000C 体力 0203A9D4:270F 能量 020352A0:4000 隐身 02038514:FF 敌人速死 0203AAAC:0000 0203AB84:0000 0203AC5C:0000 金钱999999金手指 02000060:00000000 02004FE8:000F423F 02001BDC:000F423F 不遇敌 02001C16:0000 战后金钱 0200A00C:7FFF 战后BUG 0200A00C:FFFE 全芯片 4200223C 6363 00000139 000C 4200223E 6363 00000139 000C 体力 0203A9D4:270F 能量 020352A0:4000 隐身 02038514:FF 敌人速死 0203AAAC:0000 0203AB84:0000 0203AC5C:0000 无限兽化 0203ce21:03

表示该器件包装形式是管装的器件，芯片的包装形式有很多，一般常见的就是管装和卷带包装。

可以的，小米盒子的系统是基于按照系统开发的，拥有安卓系统的特性，可以安装应用。这样就可以浏览网页了

S的还是 S2的?很多,比如 NEC IBM都有.国内一般见到的S的多是,ALI3328 ,GX6101,HAIER2301,也有STI5518的卡机.等.S2见的比较少,一般H264的,都是专机芯片,比如D200就用的GX的芯片,HIBOX系列用的是ALI型号忘了,DM800用的IBM的,呵呵,你自己去看芯片吧.

这是关于信号的接收端的芯片。信号接收有两个重要的部分，锁定和解调。TDA18250就是用来锁定信号，也可以理解为滤波，即过滤出自己需要的信号的频段。锁定之后，因为信号一般都是经过调制后发送的，所以接收端就需要进行解调，TDA10025就是用来解调的。驱动的话一般都是厂家提供，并且关键代码以库的方式提供。基于什么的话要看你们的需求了，我见过以mstar为平台搭这两个芯片的。在其他平台上一般要看这两个芯片的厂商(NXP)是否有支持和提供技术支持。没有的话，一般很难自己实现。因为这方面专业知识要求很高的。

工程师制作U盘故障现象总汇以及解决方法复制粘贴悄悄的我走了，正如我悄悄的来；我挥一挥衣袖，不带走一片云彩。可耻【问题列表】详细内容描述 问题总汇提示格式化，windwos无法完成格式化，U盘为RAW格式，可用以用为未知 提示请插入磁盘，文件乱码，数据丢失，插上去死机，DeviceHarddisk1解决方法【步骤一】：上网下载一个芯片检查的软件此软件能检测出绝大多数的U盘主控芯片厂商以及量产工具的下载地址。【步骤二】：运行工具，带稳定后插入盘，下面的文本框将出现你的盘主控芯片型号以及量产工具地址。只需要点击地址前面的小地球就可以找到量产工具了。点击并下载量产工具。 【步骤三】：现在进行量产了运行量产工具他会自动找到你的盘然后点击开始开始后就是耐心的等待他在格式化。版权版权所有Zwweila转载请标明出处。 申明本解决办法属原创，绝非网络上转载或者抄袭，目前发现N多网站转载本答案。【请看这里】你的盘属于山寨假货，扩容产品，需要量产另外做数据恢复 一直被模仿，从未被超越，有需要直接加378210274

本田46芯片钥匙防盗原理 汽车电子防盗系统,与引擎控制电脑进行通讯,只有钥匙芯片中的代码得到识别后才允许启动引擎。

操作时序：在此，我们可以先不读出它的数据的状态或者数据本身。所以只需要看两个写时序：① 当我们要写指令字，设置LCD1602的工作方式时：需要把RS置为低电平，RW置为低电平，然后将数据送到数据口D0~D7，最后E引脚一个高脉冲将数据写入。② 当我们要写入数据字，在1602上实现显示时：需要把RS置为高电平，RW置为低电平，然后将数据送到数据口D0~D7，最后E引脚一个高脉冲将数据写入。发现了么，写指令和写数据，差别仅仅在于RS的电平不一样而已。以下是LCD1602的时序图：大家要慢慢学会看时序图，要知道操作一个器件的精华便蕴藏在其中，看懂看准了时序，你操控这个芯片就是非常容易的事了。1602的时序是我见过的一个最简单的时序：1、注意时间轴，如果没有标明(其实大部分也都是不标明的)，那么从左往右的方向为时间正向轴，即时间在增长。2、上图框出并注明了看懂此图的一些常识：(1).时序图最左边一般是某一根引脚的标识，表示此行图线体现该引脚的变化，上图分别标明了RS、R/W、E、DB0~DB7四类引脚的时序变化。(2).有线交叉状的部分，表示电平在变化，如上所标注。(3).应该比较容易理解，如上图右上角所示，两条平行线分别对应高低电平，也正好吻合(2)中电平变化的说法。(4).上图下，密封的菱形部分，注意要密封，表示数据有效，Valid Data这个词也显示了这点。3、需要十分严重注意的是，时序图里各个引脚的电平变化，基于的时间轴是一致的。一定要严格按照时间轴的增长方向来精确地观察时序图。要让器件严格的遵守时序图的变化。在类似于18B20这样的单总线器件对此要求尤为严格。4、以上几点，并不是LCD1602的时序图所特有的，绝大部分的时序图都遵循着这样的一般规则，所以大家要慢慢的习惯于这样的规则。也许你还注意到了上面有许多关于时间的标注，这也是个十分重要的信息，这些时间的标注表明了某些状态所要维持的最短或最长时间。因为器件的工作速度也是有限的，一般都跟不上主控芯片的速度，所以它们直接之间要有时序配合。

（1）电子工程师一般都拥有一个主修电子工程学的学位。在大学期间，学习时间通常是三、四年，最终要完成对应的工程学士、理科学士、应用科学学士或技术学士课程。许多英国大学在学生本科毕业的时候也提供工程硕士学位。该学位包括学习物理、化学、数学、工程管理和电子工程的专业课程。最初，这些课程包含了大部分，如果不是全部的话，就包含在电力工程的子域中。然后学生在最后的学期，选择具体的一个或几个更底层的方向。一些电子工程师也选择追求研究生学历如理科硕士(MSc),哲学工程博士(PhD),或工程博士学位(EngD)。在欧洲和美国的大学，硕士学位通常被当作是第一学位，所以很难区分本科生和硕士。在这种情况下，项目经验就很被重视了。硕士学位可能由研究成果、课程作业或者两者的混合组合而成。哲学工程博士学位是由重大研究成果组成，而且被看做是进入学术界的关键部分。（2）计算机硬件工程师 主要工作任务及需要学习的事项 1. 计算机产品硬件设计 2. 了解计算机的结构及其发展趋势 3. 对计算机硬件的销售及市场有较深刻的认识 4. 区域市场管理 5. 按照计划完成符合功能性能要求和质量标准的硬件产品； 6. 根据产品详细设计报告，完成符合功能和性能要求的逻辑设计； 7. 根据逻辑设计说明书，设计详细的原理图和PCB 图； 8. 编写调试程序，测试或协助测试开发的硬件设备，确保其按设计要求正常运行； 9. 编写项目文档、质量记录以及其他有关文档； 10. 维护管理或协助管理所开发的硬件； 11、研究计算机体系结构； 12、负责计算机系统的逻辑设计及模拟验证； 13、研究设计、开发和测试计算机硬件； 14、负责计算机硬件及其设备的集成、维护和管理

VLSI超大规模集成电路

不是！

　　IC设计工程师就是一个从事IC开发的职业。集成电路开发设计的职业。随着中国IC设计产业渐入佳境，越来越多的工程师加入到这个新兴产业中。成为IC设计工程师所需门槛较高，往往需要有良好的数字电路系统及嵌入系统设计经验，了解ARM【(Advanced RISC Machines)是微处理器】体系结构，良好的数字信号处理、音视频处理，图像处理及有一定的VLSI【VLSI是超大规模集成电路(Very Large Scale Integration)的简称】基础。　　一、ic设计工程师职业前景：　　ic设计工程师不是越老前景越差,反而随着高科技的发展，越来越吃香。集成电路是信息产业的核心技术之一，是实现把我国信息产业做大做强的战略目标的关键。近期发布的“国家中长期科学和技术发展规划纲要”和“国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要”，都把大力发展IC技术和产业放在突出重要的位置，因此IC设计工程师的前途光明。　　全球对半导体芯片的需求量迅猛增长，中国也正加入这一供给行列中。对于中国而言，芯片生产不仅是创利的途径，也是走入高科技经济的一条捷径。如今，大陆80%的半导体依赖进口，但企业们正努力开发、生产能参与世界竞争的芯片。作为这个行业的后来者，中国还要经历相当长的一段追赶时期。但在中国IT界，没有人会怀疑芯片产业未来的增长速度。在“中国不作无芯国”的鼓动下，人们未来充满憧憬。由于临近喧嚷的铸造市场，加上技术性强且廉价的劳动力，中国有希望在10年内成为亚洲芯片生产的中心。　　二、ic设计人员希望自己有较高的设计水平，积累经验是一个必需的过程，经验积累效率的提高。关注以下几点 ：　　1、学习借鉴一些经典设计，其中的许多细节是使你的设计成为产品时必需注意的。有些可能是为了适应工艺参数的变化，有些可能是为了加速开关过程，有些可能是为了保证系统的稳定性等。通过访真细细观察这些细节，既有收益，也会有乐趣。项目组之间，尤其是项目组成员之间经常交流，可避免犯同样错误。　　2、当你初步完成一项设计的时侯，应当做几项检查:了解芯片生产厂的工艺, 器件模型参数的变化,并据此确定进行参数扫描仿真的范围。了解所设计产品的实际使用环境，正确设置系统仿真的输入条件及负载模型。严格执行设计规则和流程对减少设计错误也很有帮助。　　3、另外，你需要知识的交流，要重视同前端或系统的交流，深刻理解设计的约束条件。作为初学者，往往不太清楚系统，除了通过设计文档和会议交流来理解自己的设计任务规范，同系统和前端的沟通是IC设计必不可少的。所谓设计技巧，都是在明了约束条件的基础上而言的，系统或前端的设计工程师，往往能够给初学者很多指导性的意见。　　4、查文献资料是一个好方法。多上一些比较优秀的电子网站，如中国电子市场网、中电网、电子工程师社区。这对你的提高将会有很大的帮助。另外同"老师傅"一同做项目积累经验也较快。如果有机会参加一些有很好设计背景的人做的培训，最好是互动式的，也会有较好的收获。　　5、重视同后端和加工线的交流:IC设计的复杂度太高，除了借助EDA工具商的主动推介来建立概念之外，IC设计者还应该主动地同设计环节的上下游，如后端设计服务或加工服务的工程师，工艺工程师之间进行主动沟通和学习。对于初学者来说，后端加工厂家往往能够为他们带来一些经典的基本理念，一些不能犯的错误等基本戒条。一些好的后端服务公司，不仅能提供十分严格的Design Kit（设计包），还能够给出混合信号设计方面十分有益的指导，帮助初学者走好起步之路。加工方面的知识，对于IC设计的"产品化"更是十分关键。　　6、重视验证和测试，做一个"偏执狂":IC设计的风险比板级电子设计来的更大，因此试验的机会十分宝贵，"偏执狂"的精神，对IC设计的成功来说十分关键。除了依靠公司成熟的设计环境，Design Kit（设计包）和体制的规范来保证成功之外，对验证的重视和深刻理解，是一个IC设计者能否经受压力和享受成功十分关键的部分。由于流片的机会相对不多，因此找机会更多地参与和理解测试，对产品成功和失败的认真总结与分析，是一个IC设计者成长的必经之路。

近日，有关华为的消息再次引起市场关注，据媒体报道，华为旗下专业投资平台哈勃投资出手，投资一家仅成立一年的EDA软件公司阿卡思微，这是近7个月内，华为在EDA软件投资的第四家企业，在此之前，分别在2020年12月入股九同方微电子，2021年2月入股无锡飞谱电子，2021年2月入股立芯软件。华为投资EDA公司力度之大之快令人瞩目。究竟什么是EDA？国内有哪些企业涉足这一领域？ 此处省略搬运3000字。 国内EDA领域的核心企业目前均未上市，所以A股上市公司中，只存在相关的概念股，概念股又分为两类，一类是参股EDA企业的公司，比如参股华大九天的 申通地铁、爱建股份、隧道股份、粤电力A、 参股阿卡思微的 浦东建设、卓胜微、张江高科 等。另一类是有涉足的上市公司，比如 华润微、欧比特 曾表示公司有EDA设计软件或设计平台， 台基股份 表示拟建设EDA仿真中心， 紫光国微 表示参股紫光同创，相关产品包括EDA设计工具。对于这些概念股，投资者在市场形成概念风口时可以适当关注，但需要注意的是，目前这些方向只存在短期投机性机会，操作时要综合资金、技术位置进行筛选，并设好止盈止损，防止短线追高风险。 搬的好累，拿走不谢！

EDA是一种形成集成电子系统或专用集成芯片的技术。芯片eda就是这种技术生产出来的芯片。指以大规模可编程逻辑器件为设计载体，以硬件描述语言为系统逻辑描述的主要表达方式，以计算机，大规模可编程逻辑器件的开发软件及实验开发系统为设计工具。通过有关的开发软件，自动完成软件方式设计的电子系统到硬件系统的逻辑编译，逻辑化简，逻辑分割，逻辑综合及优化，逻辑布局布线，逻辑仿真，直至对于特定目标芯片的适配编译，逻辑映射，编程下载等操作，最终形成集成电子系统或专用集成芯片的一门技术。

EDA是一种形成集成电子系统或专用集成芯片的技术。芯片eda就是这种技术生产出来的芯片。指以大规模可编程逻辑器件为设计载体，以硬件描述语言为系统逻辑描述的主要表达方式，以计算机，大规模可编程逻辑器件的开发软件及实验开发系统为设计工具，通过有关的开发软件，自动完成软件方式设计的电子系统到硬件系统的逻辑编译，逻辑化简，逻辑分割，逻辑综合及优化，逻辑布局布线，逻辑仿真，直至对于特定目标芯片的适配编译，逻辑映射，编程下载等操作，最终形成集成电子系统或专用集成芯片的一门技术。集成电路英语：integratedcircuit，缩写作IC；或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。

EDA是一种形成集成电子系统或专用集成芯片的技术。芯片eda就是这种技术生产出来的芯片。EDA全称是电子设计自动化（Electronic Design Automation），是指用于辅助完成超大规模集成电路芯片设计、制造、封装、测试整个流程的计算机软件。随着芯片设计的复杂程度不断提升，基于先进工艺节点的集成电路规模可达到数十亿个半导体器件，不借助EDA已经无法完成芯片设计。EDA与产业链结合愈加紧密，已经成为提高设计效率、加速技术进步的关键推手。EDA的分类从设计步骤上芯片设计分为前端设计和后端设计。前端设计和后端设计并没有统一严格的界限，根据具体公司和产品会略有不同。一般来讲用设计的电路实现想法就是前端设计；将设计的电路制造出来，在工艺上实现想法就是后端设计。这就好比修盖房屋，建筑设计图就属于前端设计，设计出房子的外部造型和内部结构；建筑施工图属于后端设计，细化到建筑施工的步骤、方法和材料的用量、选择。

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VCM通常是VREF 或者VREF 的派生词

STM32F103VET6 - 32位微控制器 CORTEXM3 512K闪存 架构: ARM Cortex-M3 程序内存大小: 512KB 存储器容量, RAM: 64KB CPU速度: 72MHz 输入/输出数: 80 数字芯片封装形式: LQFP 针脚数: 100 嵌入式接口类型: CAN, I2C, SPI, USART, USB 电源电压最小值: 2V 电源电压最大值: 3.6V 封装: 每个 MSL: MSL 3 - 168小时 PWM通道数: 16 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 位数: 32位 内核尺寸: 32bit 周边器件: ADC, DAC, DMA, PWM, 定时器 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 85°C 工作温度范围: -40°C 至 +85°C 振荡器类型: 外部、内部 控制器系列: STM32 时钟频率: 72MHz 模数转换器输入数: 3 电源电压范围: 2V 至 3.6V 程序存储器大小: 512KB 芯片标号: 32F103VE 表面安装器件: SMD 计时器数: 8 闪存容量: 512KB

mso9280芯片可以刷游戏， MSO9280是mstar的高度集成的智能机顶盒解决方案、强大的CPU和GPU可以兼容Linux或Android操作系统。

属于比较新版的芯片，当然会比905l3a逊色些(和l3b相当)，跑分2-3万吧。优点是支持蓝光原盘，分辨率支持到4k60

gnd---地，fb--反馈,vst没见过，到是有vss，vref，vdd。

HVKKFJJ是Nor flash芯片Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash三类；Nor Flash常常用于存储程序，最初MP3芯片不太成熟的时，曾经有使用过NorFlash。比如炬力ATJ2075，SunplusSPCA7530等。目前这种Flash已经使用的不多了，只有少数的读卡MP3和数码相框中还有见到，因为这种支持SD卡的产品中没有内存，芯片内的ROM不够存储程序，所以需要用到Nor Flash存储程序。

　　1.目前市场市场上MP3播放器当中最常见的芯片有：Sigmatel，Actions，Sunplus（凌阳），MosArt（华矽），Atmel，Telechip，PHILIPS，等，　　而以：Philips的SAA7750/SAA7751/PNX0101ET，Sigmatel的STMP3410/3420/1342，telechips的TCC730/TCC731，以及Sunplus的SPCA514A/SPCA751A，这几款为主流。　　2.目前的MP3的数字音效模式一般为六种，分加是CLASSIC（古典音乐模式）、POP（流行音乐模式）、JAZZ（爵士乐模式）、ROCK（摇滚乐模式）、NOMAL（普通模式）和AUTO（自动改变模式）。当然在选购MP3时并不代有数字音效模式越多越好，做到实用为最好　　介绍一下几种常见的EQ模式：　　NORMAL：普通音效，所有频段都没有任何增衰，适合喜欢原汁原味的朋友；　　ROCK：摇滚乐，它的高低两端提升很大，低音让音乐强劲有力，节奏感很强，高音部分清晰甚至刺耳；　　POP：流行乐，其曲线与ROCK大致相同，较ROCK稍微削低了低频，增强了高音部分，乐器表现更加出色一点；　　jazz：爵士乐，它提升了低频和3-5kHz部分，增强临场感；　　classic：古典乐，它提升的也是高低两部分，主要突出乐器的表现，音场表现更加，适合演绎大场面的古典音乐；　　vocal：人声，人的嗓子发出的声音的频率范围比较窄，提升主要集中在中频部分，适合用来听相声小品或录音文件等。　　不能单纯说哪个好，因为不同的MP3的均衡器设置也不尽相同，还有个人喜好，看你自己的感觉喽！！！

凌阳升级工具：SPDA_MP_Setup如果找固件一定要找对应板号和屏号，不要乱刷准备工作没做好别急着动手哦

所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。 一、DIP封装 70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点: 1.适合PCB的穿孔安装; 2.比TO型封装(图1)易于对PCB布线; 3.操作方便。 DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)，如图2所示。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/15.24×50=1：86,离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。 Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。 二、芯片载体封装 80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封装结构形式如图3、图4和图5所示。 以0.5mm焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：7.8，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是: 1.适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线; 2.封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用; 3.操作方便; 4.可靠性高。 在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。 三、BGA封装 90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种——球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。 BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有: 1.I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率; 2.虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能: 3.厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上; 4.寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高; 5.组装可用共面焊接，可靠性高; 6.BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大; Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。 四、面向未来的新的封装技术 BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。 Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按0.5mm焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。 1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1.1的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点: 1.满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要; 2.解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题; 3.封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。 曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有: 1.封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化; 2.缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3; 3.可靠性大大提高。 随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。 随着CPU和其他ULSI电路的进步，集成电路的封装形式也将有相应的发展，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。 芯片封装形式 封装形式： 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接。衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。 封装大致经过了如下发展进程： 结构方面：TO－>DIP－>LCC－>QFP－>BGA －>CSP； 材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料； 引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点； 装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装。 DIP--Double In-line Package--双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 PLCC--Plastic Leaded Chip Carrier--PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。 PQFP--Plastic Quad Flat Package--PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。 SOP--Small Outline Package--1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装（SOP）。以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。(1)从封装效率进行比较。DIP最低 (约2%～7%)，QFP次之(可达10%～30%)，BGA和PGA的效率较高(约为20％～80％)，CSP最高(可于70％～85%)。 (2)从封装厚度进行比较。PQFP和PDIP封装厚度为3.6 mm～2.0mm，TQFP和TSOP可减小到1.4 mm～1.0mm，UQFP和UTSOP可进一步减小到0.8 mm～0.5mm。 (3)从引脚节距进行比较。DIP和PGA的典型节距为2.54mm，SHDIP和PLCC的为1.27 mm，QFP可缩小到0.63mm和0.33mm，BGA的最小节距可缩小到0.50 mm，CSP可进一步缩小到0.33mm和0.15mm。 (4)从引脚数来看。SOP的最大引脚数为40条，DIP为60条，PLCC可达400条， QFP的最大引脚数达500条，PGA和BGA中的塑料封装达500条，而陶瓷封装则可达1000条，TAB和CSP也可达1000条。 除了上述指标外，还有一个封装成本问题。一般讲，DIP、SOP价格最低，QFP较高，因而对于低、中引脚数的封装，它们是优先考虑的形式，当然它们的封装成本也还取决于引脚数的数目。TAB的成本较PQFP为高，但相对PGA而言还是低很多。对于高引脚数的封装，PGA和BGA将是优选的对象，与QFP相比PGA和BGA能在保持较大节距的条件下得到高得多的引脚数。

一、DIP双列直插式封装　　DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。二、PQFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装　　PQFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。　　PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与PQFP方式基本相同。唯一的区别是PQFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。PQFP/PFP封装具有以下特点：1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。2.适合高频使用。3.操作方便，可靠性高。4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。三、PGA插针网格阵列封装　　PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。　　ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将CPU的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。PGA封装具有以下特点：1.插拔操作更方便，可靠性高。2.可适应更高的频率。　　Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均采用这种封装形式。四、BGA球栅阵列封装　　随着集成电路技术的发展，对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术关系到产品的功能性，当IC的频率超过100MHz时，传统封装方式可能会产生所谓的“CrossTalk”现象，而且当IC的管脚数大于208 Pin时，传统的封装方式有其困难度。因此，除使用QFP封装方式外，现今大多数的高脚数芯片（如图形芯片与芯片组等）皆转而使用BGA(Ball Grid Array Package)封装技术。BGA一出现便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。BGA封装技术又可详分为五大类：1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般为2-4层有机材料构成的多层板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称FC）的安装方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。4.TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的1-2层PCB电路板。5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封装中央有方型低陷的芯片区（又称空腔区）。BGA封装具有以下特点：1.I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能。3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。4.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。　　BGA封装方式经过十多年的发展已经进入实用化阶段。1987年，***西铁城（Citizen）公司开始着手研制塑封球栅面阵列封装的芯片（即BGA）。而后，摩托罗拉、康柏等公司也随即加入到开发BGA的行列。1993年，摩托罗拉率先将BGA应用于移动电话。同年，康柏公司也在工作站、PC电脑上加以应用。直到五六年前，Intel公司在电脑CPU中（即奔腾II、奔腾III、奔腾IV等），以及芯片组（如i850）中开始使用BGA，这对BGA应用领域扩展发挥了推波助澜的作用。目前，BGA已成为极其热门的IC封装技术，其全球市场规模在2000年为12亿块，预计2005年市场需求将比2000年有70%以上幅度的增长。五、CSP芯片尺寸封装　　随着全球电子产品个性化、轻巧化的需求蔚为风潮，封装技术已进步到CSP(Chip Size Package)。它减小了芯片封装外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封装尺寸就有多大。即封装后的IC尺寸边长不大于芯片的1.2倍，IC面积只比晶粒（Die）大不超过1.4倍。CSP封装又可分为四类：1.Lead Frame Type(传统导线架形式)，代表厂商有富士通、日立、Rohm、高士达（Goldstar）等等。2.Rigid Interposer Type(硬质内插板型)，代表厂商有摩托罗拉、索尼、东芝、松下等等。3.Flexible Interposer Type(软质内插板型)，其中最有名的是Tessera公司的microBGA，CTS的sim-BGA也采用相同的原理。其他代表厂商包括通用电气（GE）和NEC。4.Wafer Level Package(晶圆尺寸封装)：有别于传统的单一芯片封装方式，WLCSP是将整片晶圆切割为一颗颗的单一芯片，它号称是封装技术的未来主流，已投入研发的厂商包括FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。CSP封装具有以下特点：1.满足了芯片I/O引脚不断增加的需要。2.芯片面积与封装面积之间的比值很小。3.极大地缩短延迟时间。　　CSP封装适用于脚数少的IC，如内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电（IA）、数字电视（DTV）、电子书（E-Book）、无线网络WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手机芯片、蓝芽（Bluetooth）等新兴产品中。六、MCM多芯片模块　　为解决单一芯片集成度低和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样的电子模块系统，从而出现MCM(Multi Chip Model)多芯片模块系统。MCM具有以下特点：1.封装延迟时间缩小，易于实现模块高速化。2.缩小整机/模块的封装尺寸和重量。3.系统可靠性大大提高。自己看吧。

　　一、DIP双列直插式封装　　DIP（DualIn——line Package）是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路（IC）均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。　　DIP封装具有以下特点：　　1.适合在PCB（印刷电路板）上穿孔焊接，操作方便。　　2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。　　Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存（Cache）和早期的内存芯片也是这种封装形式。　　二、PQFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装　　PQFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。　　PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与PQFP方式基本相同。唯一的区别是PQFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。　　PQFP/PFP封装具有以下特点：　　1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。　　2.适合高频使用。　　3.操作方便，可靠性高。　　4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。　　Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。　　三、PGA插针网格阵列封装　　PGA（Pin Grid Array Package）芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。　　ZIF（Zero Insertion Force Socket）是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将CPU的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。　　PGA封装具有以下特点：　　1.插拔操作更方便，可靠性高。　　2.可适应更高的频率。　　Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均采用这种封装形式。　　四、BGA球栅阵列封装　　随着集成电路技术的发展，对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术关系到产品的功能性，当IC的频率超过100MHz时，传统封装方式可能会产生所谓的“CrossTalk”现象，而且当IC的管脚数大于208 Pin时，传统的封装方式有其困难度。因此，除使用QFP封装方式外，现今大多数的高脚数芯片（如图形芯片与芯片组等）皆转而使用BGA（Ball Grid Array Package）封装技术。BGA一出现便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。　　BGA封装技术又可详分为五大类：　　1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般为2-4层有机材料构成的多层板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。　　2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称FC）的安装方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。　　3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。　　4.TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的1-2层PCB电路板。　　5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封装中央有方型低陷的芯片区（又称空腔区）。　　BGA封装具有以下特点：　　1.I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。　　2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能。　　3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。　　4.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。　　BGA封装方式经过十多年的发展已经进入实用化阶段。1987年，***西铁城（Citizen）公司开始着手研制塑封球栅面阵列封装的芯片（即BGA）。而后，摩托罗拉、康柏等公司也随即加入到开发BGA的行列。1993年，摩托罗拉率先将BGA应用于移动电话。同年，康柏公司也在工作站、PC电脑上加以应用。直到五六年前，Intel公司在电脑CPU中（即奔腾II、奔腾III、奔腾IV等），以及芯片组（如i850）中开始使用BGA，这对BGA应用领域扩展发挥了推波助澜的作用。目前，BGA已成为极其热门的IC封装技术，其全球市场规模在2000年为12亿块，预计2005年市场需求将比2000年有70%以上幅度的增长。　　五、CSP芯片尺寸封装　　随着全球电子产品个性化、轻巧化的需求蔚为风潮，封装技术已进步到CSP（Chip Size Package）。它减小了芯片封装外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封装尺寸就有多大。即封装后的IC尺寸边长不大于芯片的1.2倍，IC面积只比晶粒（Die）大不超过1.4倍。　　CSP封装又可分为四类：　　1.Lead Frame Type（传统导线架形式），代表厂商有富士通、日立、Rohm、高士达（Goldstar）等等。　　2.Rigid Interposer Type（硬质内插板型），代表厂商有摩托罗拉、索尼、东芝、松下等等。　　3.Flexible Interposer Type（软质内插板型），其中最有名的是Tessera公司的microBGA，CTS的sim-BGA也采用相同的原理。其他代表厂商包括通用电气（GE）和NEC。　　4.Wafer Level Package（晶圆尺寸封装）：有别于传统的单一芯片封装方式，WLCSP是将整片晶圆切割为一颗颗的单一芯片，它号称是封装技术的未来主流，已投入研发的厂商包括FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。　　CSP封装具有以下特点：　　1.满足了芯片I/O引脚不断增加的需要。　　2.芯片面积与封装面积之间的比值很小。　　3.极大地缩短延迟时间。　　CSP封装适用于脚数少的IC，如内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电（IA）、数字电视（DTV）、电子书（E-Book）、无线网络WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手机芯片、蓝芽（Bluetooth）等新兴产品中。　　六、MCM多芯片模块　　为解决单一芯片集成度低和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样的电子模块系统，从而出现MCM（Multi Chip Model）多芯片模块系统。　　MCM具有以下特点：　　1.封装延迟时间缩小，易于实现模块高速化。　　2.缩小整机/模块的封装尺寸和重量。　　3.系统可靠性大大提高。

一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。QFP/PFP封装具有以下特点：1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。2.适合高频使用。3.操作方便，可靠性高。4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。三、PGA插针网格阵列封装PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将CPU的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。PGA封装具有以下特点：1.插拔操作更方便，可靠性高。2.可适应更高的频率。Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均采用这种封装形式。四、BGA球栅阵列封装随着集成电路技术的发展，对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术关系到产品的功能性，当IC的频率超过100MHz时，传统封装方式可能会产生所谓的“CrossTalk”现象，而且当IC的管脚数大于208 Pin时，传统的封装方式有其困难度。因此，除使用QFP封装方式外，现今大多数的高脚数芯片（如图形芯片与芯片组等）皆转而使用BGA(Ball Grid Array Package)封装技术。BGA一出现便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。BGA封装技术又可详分为五大类：1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般为2-4层有机材料构成的多层板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称FC）的安装方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。4.TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的1-2层PCB电路板。5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封装中央有方型低陷的芯片区（又称空腔区）。BGA封装具有以下特点：1.I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能。3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。4.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。BGA封装方式经过十多年的发展已经进入实用化阶段。1987年，日本西铁城（Citizen）公司开始着手研制塑封球栅面阵列封装的芯片（即BGA）。而后，摩托罗拉、康柏等公司也随即加入到开发BGA的行列。1993年，摩托罗拉率先将BGA应用于移动电话。同年，康柏公司也在工作站、PC电脑上加以应用。直到五六年前，Intel公司在电脑CPU中（即奔腾II、奔腾III、奔腾IV等），以及芯片组（如i850）中开始使用BGA，这对BGA应用领域扩展发挥了推波助澜的作用。目前，BGA已成为极其热门的IC封装技术，其全球市场规模在2000年为12亿块，预计2005年市场需求将比2000年有70%以上幅度的增长。五、CSP芯片尺寸封装随着全球电子产品个性化、轻巧化的需求蔚为风潮，封装技术已进步到CSP(Chip Size Package)。它减小了芯片封装外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封装尺寸就有多大。即封装后的IC尺寸边长不大于芯片的1.2倍，IC面积只比晶粒（Die）大不超过1.4倍。CSP封装又可分为四类：1.Lead Frame Type(传统导线架形式)，代表厂商有富士通、日立、Rohm、高士达（Goldstar）等等。2.Rigid Interposer Type(硬质内插板型)，代表厂商有摩托罗拉、索尼、东芝、松下等等。3.Flexible Interposer Type(软质内插板型)，其中最有名的是Tessera公司的microBGA，CTS的sim-BGA也采用相同的原理。其他代表厂商包括通用电气（GE）和NEC。4.Wafer Level Package(晶圆尺寸封装)：有别于传统的单一芯片封装方式，WLCSP是将整片晶圆切割为一颗颗的单一芯片，它号称是封装技术的未来主流，已投入研发的厂商包括FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。CSP封装具有以下特点：1.满足了芯片I/O引脚不断增加的需要。2.芯片面积与封装面积之间的比值很小。3.极大地缩短延迟时间。CSP封装适用于脚数少的IC，如内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电（IA）、数字电视（DTV）、电子书（E-Book）、无线网络WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手机芯片、蓝芽（Bluetooth）等新兴产品中。六、MCM多芯片模块为解决单一芯片集成度低和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样的电子模块系统，从而出现MCM(Multi Chip Model)多芯片模块系统。MCM具有以下特点：1.封装延迟时间缩小，易于实现模块高速化。2.缩小整机/模块的封装尺寸和重量。3.系统可靠性大大提高。芯片封装分类1,按芯片的装载方式;裸芯片在装载时,它的有电极的一面可以朝上也可以朝下,因此,芯片就有正装片和倒装片之分,布线面朝上为正装片,反之为倒装片. 另外,裸芯片在装载时,它们的电气连接方式亦有所不同,有的采用有引线键合方式,有的则采用无引线键合方式2,按芯片的基板类型;基板的作用是搭载和固定裸芯片,同时兼有绝缘,导热,隔离及保护作用.它是芯片内外电路连接的桥梁.从材料上看,基板有有机和无机之分,从结构上看,基板有单层的,双层的,多层的和复合的.3,按芯片的封接或封装方式；裸芯片裸芯片及其电极和引线的封装或封接方式可以分为两类,即气密性封装和树脂封装,而气密性封装中,根据封装材料的不同又可分为:金属封装,陶瓷封装和玻璃封装三种类型.前三类属一级封装的范畴,涉及裸芯片及其电极和引线的封装或封接,4,按芯片的外型结构;按芯片的外型,结构分大致有DIP,SIP,ZIP,S-DIP,SK-DIP,PGA, 其中前6种属引脚插入型SOP,MSP,QFP,SVP,LCCC,PLCC,SOJ,BGA,CSP, , ,随后的9种为表面贴装型：DIP:双列直插式封装.顾名思义,该类型的引脚在芯片两侧排列,是插入式封装中最常见的一种,引脚节距为2.54 mm,电气性能优良,又有利于散热,可制成大功率器件. SIP:单列直插式封装.该类型的引脚在芯片单侧排列,引脚节距等特征与DIP基本相同.ZIP:Z型引脚直插式封装.该类型的引脚也在芯片单侧排列,只是引脚比SIP粗短些,节距等特征也与DIP基本相同. S-DIP:收缩双列直插式封装.该类型的引脚在芯片两侧排列,引脚节距为1.778 mm,芯片集成度高于DIP. SK-DIP:窄型双列直插式封装.除了芯片的宽度是DIP的1/2以外,其它特征与DIP相同.PGA:针栅阵列插入式封装.封装底面垂直阵列布置引脚插脚,如同针栅.插脚节距为2.54 mm或1.27mm,插脚数可多达数百脚.用于高速的且大规模和超大规模集成电路. SOP:小外型封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,字母L状.引脚节距为1.27mm. MSP:微方型封装.表面贴装型封装的一种,又叫QFI等,引脚端子从封装的四个侧面引出,呈I字形向下方延伸,没有向外突出的部分,实装占用面积小,引脚节距为1.27mm. QFP:四方扁平封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈L字形,引脚节距为1.0mm,0.8mm,0.65mm,0.5mm,0.4mm,0.3mm,引脚可达300脚以上. SVP:表面安装型垂直封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的一个侧面引出,引脚在中间部位弯成直角,弯曲引脚的端部与PCB键合,为垂直安装的封装.实装占有面积很小.引脚节距为0.65mm,0.5mm . LCCC:无引线陶瓷封装载体.在陶瓷基板的四个侧面都设有电极焊盘而无引脚的表面贴装型封装.用于高速,高频集成电路封装. PLCC:无引线塑料封装载体.一种塑料封装的LCC.也用于高速,高频集成电路封装. SOJ:小外形J引脚封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈J字形,引脚节距为1.27mm. BGA:球栅阵列封装.表面贴装型封装的一种,在PCB的背面布置二维阵列的球形端子,而不采用针脚引脚.焊球的节距通常为1.5mm,1.0mm,0.8mm,与PGA相比,不会出现针脚变形问题. CSP:芯片级封装.一种超小型表面贴装型封装,其引脚也是球形端子,节距为0.8mm,0.65mm,0.5mm等. TCP等，最后一种是TAB型TCP:带载封装.在形成布线的绝缘带上搭载裸芯片,并与布线相连接的封装.与其他表面贴装型封装相比,芯片更薄,引脚节距更小,达0.25mm,而引脚数可达500针以上.5,按芯片的封装材料按芯片的封装材料分有金属封装,陶瓷封装,金属-陶瓷封装,塑料封装. 金属封装:金属材料可以冲,压,因此有封装精度高,尺寸严格,便于大量生产,价格低廉等优点. 陶瓷封装:陶瓷材料的电气性能优良,适用于高密度封装. 金属-陶瓷封装:兼有金属封装和陶瓷封装的优点. 塑料封装:塑料的可塑性强,成本低廉,工艺简单,适合大批量生产.后二类属二级封装的范畴,对PCB设计大有用处,

是处理器的名称即该处理器采取的核心的名称。

首先定义函数并使用function关键字。比如我做了一个函数函数mis(x,y)if x=1 thenresponse.Write("<script language="javascript">")response.Write("alert(""+y+""); ")response.Write("window.history.back();")response.Write("</script>")response.End()end if x=2 thenresponse.Write("<script language=" javascript">")response.Write("alert("Incorrect message");")response.Write("window.location=""+y+"";")response. write("</script>")response.End()end ifend 如果调用，直接调用mis(1,"用户密码错误")

工作原理为：作为输入（BI）低电平时，G21为0，所有字段输出置0，即实现消隐功能。作为输出（RBO），相当于LT，及CT0的与坟系，即LT=1，RBI=0，DCBA=0000时输出低电平，可实现动态灭零功能。3号（LT）端有效低电平时，V20=1，所有字段置1，实现灯测试功能。引脚功能说明1、7段译码功能（LT=1，RBI=1）在灯测试输入端（LT）和动态灭零输入端（RBI）都接无效电平时，输入DCBA经7448译码，输出高电平有效的7段字符显示器的驱动信号，显示相应字符。除DCBA = 0000外，RBI也可以接低电平，见表1中1～16行。2、消隐功能（BI=0）此时BI/RBO端作为输入端，该端输入低电平信号时，表1倒数第3行，无论LT 和RBI输入什么电平信号，不管输入DCBA为什么状态，输出全为“0”，7段显示器熄灭。该功能主要用于多显示器的动态显示。3、灯测试功能（LT = 0）此时BI/RBO端作为输出端， 端输入低电平信号时，表1最后一行，与 及DCBA输入无关，输出全为“1”，显示器7个字段都点亮。该功能用于7段显示器测试，判别是否有损坏的字段。

电子元件里面的BI,OCA,OCL分别是什么引脚，有什么功能

51单品机（开发板上都自带）大部分是串口烧写，连电脑，用isp软件就可以了，不花钱。vcr arm等高级点的，正版行货2000到8000（我接触过的），私人做的300左右。不同芯片用不同的烧录（主要是厂家之间不兼容，三星的用三星公司的，freescale用freescale的），一个厂家的芯片大部分用一个烧录就可以了。只要使用jtag口来烧，也有用isp的，usb的话，用usb转串口需要按驱动也不是大问题。

比较大的生产厂家Intel,AMD,TI(NS被收购),Samsung,NEC（瑞萨被收购）,ON，Fairchild，NXP，ST，Vishay，IR，PI，Toshiba，Sharp,ADI,Freescale,Microchip,Actions,长电，亿光，Infineon，Hynix，OV，CET，Micro……晶体管：Infineon，IXYS，Fairchild，IR，ON，NXP，Vishay，Toshiba，Sanyo（被ON收购），士兰微，吉林华微，长电……单片机：Microchip，TI，NXP，ATMEL，NEC，Freescale，中星微，Elan，士兰微，复旦……