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法国技术大学集团世界排名如下：法国技术大学集团(UTT)位于法国特鲁瓦市，是一个拥有四所主要分校的联合体，分别位于法国的巴黎、南锡和兰斯。UTT是法国的一所综合性技术大学，提供工程学、管理学和系统科学等方面的硕士和博士学位。在2019年QS世界大学排名中，UTT跻身世界前500名高。拓展知识：UT大学集团的教学集法国传统工程师学院和现代综合性大学之精华，完美地开拓了一条以教学、科研、科技成果转让“三位一体”为特征的办学新路，始终与法国及国际工业界保持紧密的联系，十分注重人才的培养与不断变化的工业需求相适应。实践证明UT大学集团不仅在法国高教系统中占据着越来越重要的地位，而且由它们培养的工程师在法国受到了很高的赞誉，在国际上也得到了完全的认可。这一切归功于学校高标准的教学质量，切实有效的职业实习和学生在读期间得到的有关文化，社会和国际交流的切身体验。UT大学集团所属的三所工程师大学分别位于法国的BELFORT-MONTBELIARD（贝尔福-蒙博里亚），COMPIEGNE（贡比涅）和TROYES（特鲁瓦）。三所大学共有6000名学生和500名教师。每年培养的工程师人数约占法国年培养工程师人数的8%。三所大学共设有15个大的科系，25个硕士点和3个博士生院，拥有部分法国国家重点实验室。UTT毕业生在全球拥有广泛的就业机会，并因其高素质的教育和实践经验而受到雇主的广泛欢迎。创新精神和实践能力是UTT培养学生的重要目标，从而使毕业生在就业市场上受到青睐。在2016年QS世界大学排名中，UTT的毕业生就业率高于全法国国际高校平均水平，反映了其毕业生在就业市场中的好声誉。总结来看，法国技术大学集团在世界高校排行中的地位以及法国高科技大学集团排名在前列的原因主要是由于其持续的教育和研究改革，以及校际合作和引进更多高素质的国际教师和学者。UTT拥有广泛的就业机会，毕业生在全球范围内受到雇主的高度认可。此外，UTT根据企业家精神构建了良好的创新环境和实践平台，在工科课程方面更是处于领先地位，成为了世界领先的研究中心之一。

贡比涅技术大学QS全球学科排名-机械工程-法国地区排名4。贡比涅技术大学（UTC）位于皮卡第大区贡比涅市，是一所法国高等教育和研究机构。贡比涅技术大学与巴黎第四大学（索邦大学）、巴黎第六大学、法国自然历史博物馆、欧洲工商管理学院同是法国索邦大学联盟(l"alliance Sorbonne Universités)的成员。法国工程技术大学集团（简称UT）是由三所工程师全日制大学组成，它们分别是贡比涅技术大学（UTC），特鲁瓦技术大学（UTT）和贝尔福-蒙博里亚技术大学（UTBM）。这三所大学都直接隶属于法国高等教育科研部，都是颁发工程师文凭的国立大学，学制五年，是法国精英大学（Grandes Ecoles）之一。贡皮埃涅技术大学同时具备综合大学和高等工程师学院两种优势，有资格颁发工程师文凭、研究硕士、职业硕士及博士学位。贡比涅技术大学所在的UT集团的教学集传统工程师学校和现代综合大学之精华，完美的开拓了一条以教学、科研、科技成果转让三位一体为特征的办学新路。该集团始终与法国和国际工业界保持紧密地联系，学校十分注重人才的培养与不断变化的工业需求相适应。

utt的鞋子挺好看的，个人认为比匡威好看。 质量也是不错的～

UTT是意大利的一个品牌，由ntonio ricci (安东尼奥·里奇)先生于1958年创建。是专做高档硫化帆布鞋。U（Unique）独特的：UTT以思想独立性为美学的内核支撑，崇尚个性、拒绝平庸，由精神传显出的产品风格释放出鲜明的独特性。T（Ture）真实的：UTT拒绝一切虚伪的表质，追求率真、坦诚的至我心境，强调忠于思想与灵魂的真实性。T（Treasonous）：UTT消费群个性不羁、意志坚贞，他们拒绝陈腐的侵蚀、拒绝桎梏的禁锢，对保守的固式具有强烈的批判意识。2011年，致力于产业化升级，源自意大利的全球高端帆布硫化鞋品牌UTT与广州铂威服饰有限公司缔结了战略合作伙伴关系，UTT品牌鞋子开始进入中国市场。现在珠三角、长三角和京津唐这些城市已经有了UTT的门店，淘宝商城上面好像也有看见。ETT(Exercise Tolerance Testing)指运动耐量测试，是用来测定机体对运动耐受能力的运动负荷测试，是应用最广泛的运动测试。临床上用于检查、诊断某些平静状态下没有症状的疾病，为这些疾病提供诊断依据；康复中用于评价康复者的功能能力和残疾程度，制定康复锻炼计划，评价康复的效果；全民健身活动中可指导锻炼者科学进行锻炼，提高并评价锻炼效果。 ETT也是WPS OFFICE的一种电子表格模板。资料来自百度百科和百度文库，仅供参考。

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尿液分析试纸是指测试尿液中胆红素，尿胆原，酮体，抗坏血酸，葡萄糖，蛋白质(白蛋白)，血细胞，PH等的试纸。检测原理1、pH:通过pH指示剂测定5-9的范围内的pH值，正常人的新鲜尿液pH值在5-7之间。2、亚硝酸盐：反应根据尿中革兰氏阳性细菌把硝酸盐还原成亚硝酸盐，亚硝酸盐与对氨基苯磺酸反应生成重氮化合物，重氮化合物再与N-（1-萘）-3氨基丙磺酸钠结合呈现出桃红色。3、葡萄糖：根据葡萄糖氧化酶法反应原理，葡萄糖氧化酶特异性氧化葡萄糖，生成葡萄糖醛酸和过氧化氢，过氧化氢在过氧化氢氧化物酶的作用下，使指示剂氧化而呈色。 [2] 组成成分1. 单层膜结构它一般采用高质量的滤纸，经配置的化学试剂浸泡，然后干燥，剪裁成块状后再按一定顺序和间隔粘贴到塑料条上而制成。2. 二层膜结构在支持层塑料基片上有一试剂层纤维素片,在纤维素片中预固相了全部试剂，尿液中的待测成分与预固相在纤维素片上的试剂直接反应,通过反射光度计测定其颜色的改变,从而计算待测成分的浓度。3. 三层膜结构在试剂层上加一多孔胶膜过滤层。其作用是将样品中的杂质过滤掉,并起保护试剂层作用。常见的是微量法测定葡萄糖的试剂条。

UTT是法国的一个工程师学校集团，总部在特鲁瓦，还有2所学校分别在贡比涅和贝尔福。三所学校都是法国的精英学校（Grande ecole）。

Utt，本名Greg Uttsada Panichkul，泰中混血儿

提问者画的图确实有问题，你的中间部分是对的，但是两边就不对了，他应该是趋近与零的而且x比较大时应该不会到y的负半轴上去。这种函数叫振荡函数，它不是波动函数。一维波动方程为Utt=(v2)Uxx，式中Utt表示U对时间t求二次偏导，Uxx表示U对x求二次偏导；括号中v2（v的平方）中的v为波的传播速度。同理二维波动方程就是在上式基础上加上Utt=(ν2)Uyy，所有的波都满足这种形式的方程，他是物理学中最重要最基本的方程之一。至于各种形式的波的波函数是什么形式就请楼主自己参看该方面的书籍，这都是在上面方程的基础上再加上其他各种各样的约束方程。

插卡的路由器正确的使用方法就是将sim卡插在路由器上，只要有电力的供应就可以随时的发出WiFi供周围的人使用。也就是我们平时说的随身WiFi，这个非常的方便和实用，尤其是对于长期出差在外或者是开车开车旅行的网友特别实用。正常启动之后，为手机安装华为智能家居APP，目前支持iOS和安卓双平台，安装APP并启动应用之后，软件会自动搜索路由器，并提升用户发现一台未配置路由器的华为4G路由，是否立即配置？立即配置！通过扫描/手动两种方式来连接路由器，然后再进行WiFi网络的设置，可以修改网络的WiFi名称、密码，甚至可以将WiFi密码默认设置未路由器的后台管理密码。APP中，除了可以查看目前连接路由的移动设备之外，还能在工具箱里进行多种操控设置，比如短信收发，既然路由器里插着一张SIM卡，那么自然就能收到运营商的短信，在工具箱短信中可以查看短信，也可以回复短信。

特鲁瓦工程技术大学(UTT)成立于1994年，隶属法国工程技术大学集团，是一所法国高等教育科研部的法国全日制国立大学，也是法国的精英大学之一，目前是法国十大工程学院之一。　　特鲁瓦位于法国中东部，塞纳河畔。是一所不大但充满中世纪风格的小城。与巴黎的直线距离约141公里，约一个半小时的车程。特鲁瓦是个很安静又独具风格的城市，而特鲁瓦工程技术大学也是集传统工程师技术学院和现代综合性质大学的精华。　　学校设立在特鲁瓦高科技园区内，与周边众多高科技研究所和公司都有合作对接，得天独厚的地理位置为学生提供了更多实践机会。同时特鲁瓦也在2017年“最适合学生学习的城市”排行榜中名列第五。　　研究、教育培训和技术转让是特鲁瓦工程技术大学的三项任务。特鲁瓦工程技术大学占地面积广，拥有2个2200平米的工业大厅，近2000㎡的图书馆、5000㎡的实验室和研究平台以及近4000㎡专用活动场所，学校也有超过24%的学生获得奖学金，同时也会为学生提供职业规划咨询。每年约3100多名学生毕业。　　作为UT大学集团成员学校之一，特鲁瓦工程技术大学不仅在法国高教系统中占据着越来越重要的地位，而且由其培养的工程师在法国受到了很高的赞誉，在国际上也得到了完全的认可。2016年在法国权威教育杂志《l‘étudiant》的五年制工程师学校排名中位列第五。在2017年的工业杂志《L"usine Nouvelle》的工程师学校排名中综合排名为10名。这一切归功于学校高标准的教学质量，切实有效的职业实习和学生在读期间得到的有关文化，社会和国际交流的切身体验。特鲁瓦工程技术大学教学优势：1、卓越研究模式:特鲁瓦工程技术大学特有的科学活动模式，将基础研究、学科研究和技术研究联系起来，以应对重大的社会挑战。研究活动是由准常任教师研究人员、研究人员、研究人员、PAST博士生和技术人员和行政人员从事科技领域和科学的工程师,过去五年刊物刊登的信息和通信技术以及人文和社会科学与销售量达到1480以上。2、UTT与经济世界互动utt从一开始就有很强的能力在伙伴关系研究、创新、初始和持续培训等领域与企业密切合作，它与经济世界有着密切的联系，世界有3000多家公司是这所大学的合作伙伴。3、定制课程和学生创新的教学方法：utt重视学生的主动性、诚信和创业精神，将其作为培养未来、管理复杂性和适应性的一个组成部分，同时调动先进的科学和技术技能。专业课程设置　　特鲁瓦工程技术大学培养工程师同时有资格颁发工程师文凭、研究硕士、职业硕士及博士学位，学校专业设置有机械系统专业，工业系统专业，信息与电信系统专业，材料工程专业、技术与经济专业等。　　除此之外，学校在以下十个领域中的教学、科研和科技成果转让方面领先众多大学。　　学校把硕士文凭专业分为研究硕士和专业硕士，其主要专业分别为：　　研究硕士的主要专业（DEA）：生物医学工程，生物酶转化及微生物工程，人类科学及技术，工业工艺工程，工业历史组织协调和技术选择，计算机科学及自动化控制工业自动化工程，材料和机械系统工程，机械工程，机械—能量和环境，能量的优化和分析技术，电能的转换及过程，纳米技术及光学仪器。　　专业硕士的主要专业（DESS）：声学及传导，城市应用计算机技术，智能系统评估，通信技术工业工程，体育工程管理，工业生态和维持，工业运作管理，工业产品设计，信息系统安全保障，国际工业商务，技术创新管理，建筑材料，医学和生物医学技术，材料表层的物理化学技术。　　校园生活　　特鲁瓦工程技术大学十分注重学生的课余生活，学校拥有超过40个体育项目和30多个社团俱乐部。学生会也会帮助国际生尽快融入学校和法国生活。同时学校内的咖啡厅、食堂会遍布角落，为大家提供好吃又便宜的学生餐，学校周围还有越南餐馆、快餐店、面包店等等，就等大家自己去探索了!　　法国工程师学位介绍　　法国工程师学位为五年制，等同于某些西方国家（美国，英国，加拿大）的硕士学位。在UT大学集团就读的学生，成绩优异者进入第五年可以同时攻读硕士学位（DEA），从而在五年期间获得法国工程师文凭和法国工科硕士学位。　　法国硕士学位按其性质和特点分为研究硕士（DEA）和专业硕士（DESS）。研究硕士为博士的准备阶段；专业硕士则专门为企业培养高级专业人才。硕士招生对象为具有四年以上大学毕业证书的本科毕业生，专业相符或相近。按照UT集团的规定，每一位被接收的硕士研究生（非法语国家人员）在其专业课程开始之前，必须参加为期五周的法语强化以达到一定的法语书面及口语表达能力；或者在其被接收之前在中国参加500学时的法语培训，必须是“法语联盟”或国家认可的机构开设的课程。学校专业　　机械系统，工业系统，信息与电信系统，材料。　　文凭种类　　学士/硕士/博士　　其它国家文凭　　入学条件　　1、申请M1阶段的申请者需获得相关专业的本科学士学位证书；　　2、申请M2阶段的申请者需完成相关专业M1阶段的学习。2014年10月30日上午，法国特鲁瓦工程技术大学（UTT）校长皮埃尔、国际处主任迈克尔、特鲁瓦工程技术大学国际关系部亚洲项目主管龚玲博士访问西北工业大学。据悉，西工大与特鲁瓦工程技术大学（UTT）学生项目已开展十余年，每年选送博士生赴法攻读博士学位，并与2014年起每年选派10名左右教育实验学院大二学生赴法学习两年。学生获得学分后回校直接攻读硕士学位，毕业后获得西工大硕士研究生学位与法国工程师学位。2019年5月30日，法国特鲁瓦大学Houman教授来哈工大机器人（岳阳）军民融合研究院开展学术交流

下面的东西我粘贴的。。我也在申请。。。你可以去校内网搜搜实验中学的人问问。。。法国工程技术大学集团 法国工程技术大学集团（UT）是由三所工程师全日制大学组成。她们分别是贝尔福—蒙博里亚工程技术大学（UTBM），贡比涅工程技术大学（UTC）和特鲁瓦工程技术大学（UTT）。这三所大学都直接隶属于法国高等教育科研部，都是颁发工程师文凭的国立大学，学制5年，是法国的精英大学之一（GRANDES ECOLES）。 法国工程技术大学集团的教学集传统工程师学院和现代综合大学之精华，完美地开拓了一条以教学，科研，科技成果转让三位一体为特征的办学新路。工程技术大学集团始终与法国和国际工业界保持紧密的联系，学校十分注重人才的培养与不断变化的工业需求相适应。实践证明大学集团不仅在法国高教系统中占据着越来越重要的地位，而且由她们培养的工程师在法国受到了很高的赞誉，在国际上也得到了完全的认可。这一切归功于学校高标准的教学质量，切实有效的职业实习和学生在读期间得到的有关文化，社会和国际交流的切身体验。 大学集团在国际科学研究领域中也占有重要的地位，尤其在科技成果转化方面享有盛誉。这为大学集团以高科技为导向的本科教育提供了坚实的基础。 法国工程技术大学集团所属的三所工程师大学分别位于法国的BELFORT—MONTBELIARD（贝尔福—蒙博里亚），COMPIEGNE（贡比涅）和TROYES（特鲁瓦）。三所大学共有6000名学生和500名教师。每年培养的工程师人数约占法国年培养工程师人数的8%。三所大学共设有10个大的科系，25个硕士点和3个博士生院。它们的部分实验室被评为国家重点实验室。 中国留学生在法国工程技术大学集团学习的历史由来已久。早在1979年就有12名中国学生来这里学习。现在他们已在法国，美国等国家的大学或一流公司担任正付教授，部门主管或高级工程师职务。随着新世纪的到来，大学集团又重新开始有计划的招收中国留学生攻读法国工程师学位。通过严格的筛选，至今UT集团已接纳了50多名来自中国大陆的优秀应届高中毕业生，分别在集团所属的三所大学就读。教育大纲工程师学位（工程师文凭）三所大学的工程师教育课程均使用法语教学。法国工程师学位为五年制。等同于某些西方国家（美国，英国，加拿大）的硕士学位（science master"s degree）。在大学集团就读的学生，成绩优异者进入第五年可以同时攻读硕士学位（DEA），从而在五年期间获得法国工程师文凭和法国工科硕士学位。 每一位高中毕业生均可报名。学校以学生高中三年期间的学习成绩，高考成绩和个人意愿为录取基础。录取分数线根据每年的高考情况变化（以2001年为例，高于中国重点大学录取分数线）。 工程师学位的教学安排分为二个阶段：第一阶段为期二年。属于无专业的基础课阶段。以大学基础知识教育为主。第二阶段为期三年。属于有专业阶段。专业自选。三所大学具备的专业有：生物工程，化学工程，计算机工程，工业系统工程，信息系统工程，机械工程，机械系统工程，生产系统工程，材料科学和城市系统工程。 所有课程都是以学期为单位进行组织的。每年分春秋两个学期，实行学分制。学生自由选择课程。但学生必须选择一些必修的专业课程以确保他们将来的职业需要，从而达到应有的工程师质量标准，在人才市场上体现出强有力的竞争力。 进入专业学生阶段（后三年），学生必须在法国或国外参加两次，每次为期六个月的实习。这些实习是理论知识与实践相结合的有效保证，为学生以后在工作岗位上发挥出应有的作用提供坚实的基础。在每一所大学中都有一个学生实习安置办公室，负责与各大公司联系并帮助每个学生找到合适的实习机会。硕士学位 在一年期间完成硕士专业规定课程并通过答辩者可以获得硕士学位。 法国硕士学位按其性质和特点分为研究硕士（DEA）和专业硕士（DESS）。研究硕士为博士的准备阶段；专业硕士则专门为企业培养高级专业人才。 硕士招生对象为具有四年以上大学毕业证书的本科毕业生，专业相符或相近。按照UT集团的规定，每一位被接收的硕士研究生（非法语国家人员）在其专业课程开始之前，必须参加为期五周的法语强化以达到一定的法语书面及口语表达能力；或者在其被接收之前在中国参加500学时的法语培训。必须是“法语联盟”或国家认可的机构开设的课程。研究硕士的主要专业（DEA）： 生物医学工程，生物酶转化及微生物工程，人类科学及技术，工业工艺工程，工业历史组织协调和技术选择，计算机科学及自动化控制工业自动化工程，材料和机械系统工程，机械工程，机械—能量和环境，能量的优化和分析技术，电能的转换及过程，纳米技术及光学仪器。专业硕士的主要专业（DESS）：声学及传导，城市应用计算机技术，智能系统评估，通信技术工业工程，体育工程管理，工业生态和维持，工业运作管理，工业产品设计，信息系统安全保障，国际工业商务，技术创新管理，建筑材料，医学和生物医学技术，材料表层的物理化学技术。博士学位 在三年期间完成博士论文并通过答辩者可获得博士学位。凡已获得相关硕士学位者（DEA或国外同等学历）均可申请直接攻读博士学位。博士生研究课题由各博士生导师设定，各校学术委员会审定。被录取的博士生都可获得奖学金。UT集团的三所工程技术大学贝尔福—蒙博里亚工程技术大学（UTBM）学生总数：1800主要专业：计算机工程，机械工程，生产系统工程http://www.utbm.frUTBM90010 BELFORT cedex FRANCE贡比涅工程技术大学（UTC）学生总数：3000主要专业：生物工程，化学工程，计算机工程，机械工程，机械系统工程，城市系统工程http://www.utc.frUTCBP 6031960206 COMPIEGNE cedexFRANCE特鲁瓦工程技术大学（UTT）学生总数：1400主要专业：工业系统过程，计算机系统工程，机械系统工程http://www.utt.frUTT12, rue Marie-CurieBP 206010010 TROYES cedexFRANCE食宿与校园生活：在法国很多城市都设有大学生居住点，集中为大学生提供住房和食堂，并有专人管理。学生在这里可以享受国家给予的住房及用餐补贴。在校园里，每一位学生都可享用校内各种各样的设施和服务。他们不仅可以免费上网有自己的E-MAIL地址，而且可以享受校园内良好的文化氛围和运动环境。这里有学生组织的许多文娱活动，例如：乐队，戏剧，天文学，机器人俱乐部等，同时还有丰富多彩的体育比赛：足球，排球，乒乓球，手球，网球，划船，攀岩等。对于那些希望在业余时间进行体育锻炼的学生，这里有溜冰，游泳，杂技，慢跑，健美等。学期安排1. UT集团的三所大学均为两季招生：秋季（九月份）、春季（二月份）. 针对外国学生开设的补习课程安排：秋季学期是从七月的最后一周到九月中旬、春季学期是从一月到二月。正规课程遵循学校教学教学大纲统一安排：秋季学期是从九月到一月。十一月有一周假期；十二月份有两周假期；春季学期是从三月到六月。四月份有两周假期。每年二月份，学校组织各种活动，例如：法语强化补习，计算机知识强化，实验课补习，运动训练等。招生日程安排高中毕业生参加中国高考： 七月上旬UT集团审查材料： 七月中，下旬UT集团发放录取通知： 八月上旬中国学生的教学安排：基础课程及法语强化第一学年的课程以法语强化和必修课（高等数学，普通物理）为主，同时也可选修一些其他课程如：法国及欧洲文化，物理测量，机械制图等。在这一期间学校还会安排一些文化旅行及其他活动。每一位学生都应具有一定的法语书面和口语表达能力，这一点十分重要。尽管在前两学年期间学校开设法语课，但我们要求学生来法之前必须学过500学时法语课（必须是“法语联盟”或国家认可的机构开设的课程）。 在此我们强调，所有学生都应参加TEF考试（法语水平测试）。灵活的教学结构 UT集团三所大学的教育结构可以使学生采用灵活的和渐进式的学习方式。其特点是建立在以课程设置为基础的学期制上，采取累计学分的方式使学生有更多更自由的选择。 必修课程既可以在九月份开始，也可以在二月份开始。在这两种情况下，每一位中国学生都必须在开学前一个月参加各大学的必修课的补习课程及法语强化课程。大学基础课阶段的教学安排（前两年）。例如：第一学期： 3门法语课和3门其他基础课任选第二学期： 2门法语课和4门其他基础课任选学期间隔为一个月的校外实习（寒假或暑假期间）第三学期： 1门法语课和5门其他基础课任选第四学期： 等同于法国本国学生，修满6门课程以达到学校规定学分。 在完成前两年基础课程的规定学分后，学生被授予大学工科初级文凭（DEUTEC），并获得选择大学集团开设的十个专业之一的学习权利，进入大学专业阶段（后三年）。UT集团三所大学都致力于提供一个良好的学术，文化和社会环境，为学生在五年期间顺利完成他们的学业创造条件。对于那些在学习过程中有困难的学生，学校允许其在五年半的时间内完成工程师学位。学习顾问制度同法国学生一样，每一位中国学生都配有一位教师作为学习顾问。他的任务是监督和知道学生选择每学期的课程，帮助他们更好的完成学业。国际关系部国际关系部的主要任务之一是知道和帮助外国学生，位他们提供大量的日常生活及学习方面的帮助，使外国学生尽快适应法国的大学生活。学生伙伴在国际关系部的安排下，每一个中国学生都会和一个法国高年级同学结为伙伴关系。他能给予中国学生日常生活和学习上的建议和帮助。很多情况下，这种关系都会发展成朋友友谊。招生简介（工程师学位）招生对象为应届高中毕业生，身体健康，高中三年成绩和高考成绩优异者。申请材料— 填写申请表（UT集团提供表格）— 高中毕业证书如申请者在申请时还未毕业，需提供一份由校长或其他学校领导出具的官方信函说明其毕业日期。当年高考成绩单（如果已经进入大学学习，提供大学录取通知书）、两封主课教师的推荐信（UT集团提供统一推荐表）、一封由申请者用法语或英语写的申请信、TEF考试成绩录取录取以学生的学习成绩和高考成绩为依据。录取委员会对于在数学，物理和化学学科上取得好成绩的申请人给予优先考虑。学生在UT集团三所大学间的分配完全由录取委员会决定。当学生完成第一阶段（前两年）的基础课程以后，他们可以在三所大学中选择专业进入第二阶段的学习（后三年）。学费及生活开支 UT集团的三所大学均是国立大学。每年每一位工程师学生的教育经费大约在12000欧元，这笔费用完全是由法国政府承担的。外国学生完全等同于法国学生，因此无需交纳学费。但是所以的学生，无论国籍，都必须缴纳注册费。同时，专为外国学生开设的课程和有些服务是收费的。以下数字仅供参考，不包括个人消费，也不具有法律依据。第一年注册费： 4500欧元，（包括为外国学生开设的补习课程和基本服务费用）注册费： 500欧元/每年（从第二年开始）医疗保险： 150 — 300欧元/每年，根据不同的医疗补助方案略有不同。住宿： 1850欧元/每年饮食： 1850欧元/每年

拿不准你说的是哪个?也许是:Uxx,U对x求两次导数；Utt,U对t求两次导数。

Lexar雷克沙内存条用的什么颗粒要取决于具体的内存型号。以Lexar雷克沙的DDR43200MHz 8GB内存条为例，这款内存条是他们的首款超频条产品，采用三星原厂级别的C Die颗粒，通过三星原厂级别检测，品质稳定、可靠。该款内存条颗粒均采用三星K4A8G085WC BCTD颗粒，编号中的"C"代表三星C Die颗粒，采用三星第四代工艺技术。从三星官方查询可知，该颗粒出厂频率为DDR4 2666，CL19-19-19。雷克沙对内存进行了预超频，支持XMP技术，超频至DDR4 3200 CL CL16-18-18 1.35V。鉴别方法：1、内容容量计算一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如三星ddr内存，使用16片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存。另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。2、原厂颗粒与白片的区别内存颗粒分为原厂/白片/次品（downgraded）。“白片”又可以细分为ett、utt以及其他更差的等级。在正规市场上交易的一般就是major、ett、utt这几种。utt名字是untested就是未经测试，但实际上最基本的物理测试还是做的，而ett名为effectively tested，就是通过有效性测试的颗粒，测试工序比utt多了不少，质量也要强不少。但是它们都没有经过原厂major颗粒那样的严酷测试。原厂颗粒一般要在测试时通过物理条件来模拟颗粒在恶劣环境下长时间工作几年老化以后的情况（但不会使颗粒真的老化），能通过这种测试的颗粒当然能够保证长时间使用的稳定性。只有这样的颗粒，才有资格打上原厂标。要论质量 major > ett > utt 这里的质量和超频无关。

网上搜不出来吗

北京巨驰有一款直立倾斜试验床 可以去北大医院做

(U-V)/R=S U-V=SR -V=SR-U V=U-SR 楼主是要这个答案不?

【设置路由器密码】： 【设置路由器密码】 1、打开浏览器，在地址栏输入192.168.1.1(一般路由器地址是这个或者查看路由器背面的登录信息)进路由-输入用户名,密码 ,（默认一般是admin）。 2、点击：系统工具－－登陆口令－－修改---保存。

pm1735搭载三星tlcv-nand颗粒。“内存颗粒”是中国港台地区对内存芯片的一种称呼（仅对内存），其他的芯片则称为“晶片”。晶片经过封装之后就成为一个闪存颗粒。原厂颗粒与白片的区别内存颗粒分为原厂（major brand或者简称major，打印芯片原厂商标）／白片／次品（downgraded）。“白片”又可以细分为ett、utt以及其他更差的等级。在正规市场上交易的一般就是major、ett、utt这几种。utt名字是untested就是未经测试，但实际上最基本的物理测试还是做的，而ett名为effectively tested，就是通过有效性测试的颗粒，测试工序比utt多了不少，质量也要强不少。但是它们都没有经过原厂major颗粒那样的严酷测试。原厂颗粒一般要在测试时通过物理条件来模拟颗粒在恶劣环境下长时间工作几年老化以后的情况（但不会使颗粒真的老化），能通过这种测试的颗粒当然能够保证长时间使用的稳定性。只有这样的颗粒，才有资格打上原厂标。

这是路由设备的wan口地址 可以配置设备

这个学校很不错啊，楼上说的比较对

http://www.utt.com.cn/reference.php?id=132上面都有

CPU 上没有内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 RAS# to CAS# Delay(tRCD) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 Min RAS# Active Timing(tRAS) 可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。 Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。 Row Cycle Time(tRC) 可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。 Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。 Write Recovery Time(tWR) 可选的设置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。 Write to Read Delay(tWTR) 可选的设置：Auto，1，2。 Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。 tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。 Refresh Period(tREF) 可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。 Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。 先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。 1552= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2592= 166mhz(?.??s) 3120= 200mhz(?.??s) --------------------- 3632= 100mhz(?.??s) 4128= 133mhz(?.??s) 4672= 166mhz(?.??s) 0064= 200mhz(?.??s) --------------------- 0776= 100mhz(?.??s) 1032= 133mhz(?.??s) 1296= 166mhz(?.??s) 1560= 200mhz(?.??s) --------------------- 1816= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2336= 166mhz(?.??s) 0032= 200mhz(?.??s) --------------------- 0388= 100mhz(15.6us) 0516= 133mhz(15.6us) 0648= 166mhz(15.6us) 0780= 200mhz(15.6us) --------------------- 0908= 100mhz(7.8us) 1032= 133mhz(7.8us) 1168= 166mhz(7.8us) 0016= 200mhz(7.8us) --------------------- 1536= 100mhz(3.9us) 2048= 133mhz(3.9us) 2560= 166mhz(3.9us) 3072= 200mhz(3.9us) --------------------- 3684= 100mhz(1.95us) 4196= 133mhz(1.95us) 4708= 166mhz(1.95us) 0128= 200mhz(1.95us) 如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。 另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。 如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能／稳定性比。 Write CAS# Latency(tWCL) 可选的设置：Auto，1-8 Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时”。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。 DRAM Bank Interleave 可选的设置：Enable， Disable DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式(interleave)模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。 虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。 对于DFI主板来说，任何情况下该设置都应该是Enable，可以增大内存的带宽。Disable对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。 DQS Skew Control 可选的设置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew DQS Skew Control，表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。 DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQS skew。 如下图所示。 对于DFI主板来说，建议设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。 DQS Skew Value 可选的设置：Auto，0-255，步进值为1。 当我们开启了DQS skew control后，该选项用来设定增加或减少的数值。这个参数对系统的影响并不很敏感。 对于DFI主板来说，开启"Increase Skew"选项后，可以将该值设为50-255之间的值。值越大，表示速度越快。 DRAM Drive Strength 可选的设置：Auto，1-8，步进值为1。 DRAM Drive Strength（也被称为：driving strength），表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。 如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFI NF4主板上调试和测试的结果，1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DFI用户建议设置：TCCD建议参数为3、5、7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DRAM Data Drive Strength 可选的设置：Auto，1-4，步进值为1。 DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的内存读取时，增加DRAM的驾驭能力。因此，如果你的系统内存的读取负荷很高，则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频，提升内存数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。此外，提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此，除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM，建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低(Lo/Low)。 要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。 DFI用户建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。 Strength Max Async Latency 可选的设置：Auto，0-15，步进值为1。 Strength Max Async Latency目前还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。 DFI主板建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640就必须设为9ns甚至更高了。 Read Preamble Time 可选的设置：Auto，2.0-9.5，步进值为0.5。 Read Preamble Time这个参数表示DQS（数据控制信号）返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDR SGRAM还是从DDR SGRAM到图形控制器都起作用。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值5.0。建议大家在4.0-7.0之间调节，该值越小越好。 Idle Cycle Limit 可选的设置：Auto，0-256，无固定步进值。 Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值，也就是读取一个内存页面之前，强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32，华邦（WINBOND）BH-5颗粒的产品能稳定运行在16。Idle Cycle Limit值越低越好。 Dynamic Counter 可选的设置：Auto， Enable， Disable。 Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器。如果选择开启（Enable），则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页面冲突和页面错误(conflict/page miss：PC/PM)之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是密切相关的，启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一样的。打开该设置可能会提升性能，而关闭该设置，可以使系统的更稳定。 R/W Queue Bypass 可选的设置：Auto，2x，4x，8x，16x。 R/W Queue Bypass表示“读／写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI (设备控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被选定前，忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似，只是优化器影响内存中的读／写队列。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为16x。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 Bypass Max 可选的设置：Auto， 0x-7x， 步进值为1。 Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选择否决之前，最后进入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被优化器忽略的时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到CPU内存控制器的连接。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为7x。建议4x或7x，两者都提供了很好的性能及稳定性。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 32 Byte Granulation 可选的设置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。 32 Byte Granulation表示"32位颗粒化"。当该参数设置为关闭(Disable)时，就可以选择突发计数器，并在32位的数据存取的情况下，最优化数据总线带宽。因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。 DFI主板建议设置：绝大多数情况下，建议选择Disable(8burst)选项。开启Enable (4burst)可以使系统更稳定一些。

只有当边界条件u（x,0）=h(x),ut(x,0)=0时，(ut表示u对t求一阶偏导)，解的形式可以表示为：u（x，t）=(1/2)*(h(x-at)+h(x+at))，当ut(x,0)=p(x)是一个关于x的函数时（非0），解的形式就会有不同了，后面会加一个一项：p（z）从x-at到x+at的一个对z的一个积分项，这个积分项还要乘以一个2a分之一的系数项。具体的证明过程，你可以参看任何一本关于数理方程的教材中讲行波法与积分变换的这一章，里面应该会给与详细的证明过程及一些例题的

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1.韩国-浦项科技大学 Pohang University of Science and Technology)，（简称POSTECH）2.法国-特鲁瓦技术大学Universite de Technologie de Troyes (UTT)3.德国-德国柏林工业大学 TU berlin

配置方法：方案一：web界面修改。1、 登录UTT2512路由器，依次点击：转发规则àNAT规则，修改默认的EasyIP规则，绑定为空即可，如下图：2、 点击：网络安全à攻击防御，取消冲击波病毒防御和IP欺骗防御功能，如下图：方案二：命令行界面修改1、 点击电脑桌面上的，开始à运行，输入cmd，确定；或者直接按windows键+R,也会打开运行界面，如下图：2、点击“确定”后，在dos命令里面，输入telnet 192.168.3.1（此处192.168.3.1为UTT2512路由器LAN口IP地址），按照提示，输入用户名和密码，登录到路由器的命令行界面，之后依次输入如下命令即可，如下图：

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什么意思？？

这个没有用过不清楚，你可以看一下tgnet家的路由器，感觉性能还可以；

你好！1. 手机：在安哥拉是可以使用从国内带来的支持WCDMA【也就是支持联通3G】的手机，不要买定制版。你只要在当地买一张电话卡，输入PIN码就可以正常使用了。将手机接入点搜索信号更改成当地的供应商，就可以手机上网了。所以，电话还是带一个稍微好一点的，这样在堵车的时候也有个消遣，在罗安达堵车一堵就是两三个小时，够你受的。但是也别太好，因为这边的电子数码产品卖得很贵，像我们觉得一般的手机当地人也会觉得很好，所以安全起见，还是不要带太好的，中等价位的智能手机就可以了。 2. 在安哥拉打电话：安哥拉给手机充值是用的充值卡，就是一张小卡片，刮开了输入密码，发送出去，然后就有话费了。这里一张125UTT的电话卡卖900宽扎，合约人民币50块钱，但是只能打一个小时，接电话是不要钱的。安哥拉全国话费一个价，没有长途和漫游，所以即使你从罗安达打给栋多的人，也是大约2个UTT一分钟。 3. 上网：这边上网有网线和无线两种。公司有的牵网线，但是不是很好用，速度很慢，简直是龟速。市区的信号要好一些。因此，虽然无线网卡卖得比较贵，但是也成为了大多数人的选择。我们公司提供网卡，每人每月一张，625UTT的，50美金一张。UTT是当地的流量计费单位，类似于我们国内上网的M，但是625UTT不等于625M，大概相当于2000M吧，所以上网什么的一般也够了，但是不能开视频、看视频，一是很卡，二是很耗流量。无线网卡不稳定，一早一晚信号要好一些。 4. 往国内打电话：如果用当地的手机号码打国内手机，直接在国内手机号码前加0086，但是据说一张125UTT的电话卡只能往国内打三分钟的电话，话还没说完呢，刚起个头，电话就停机了。所以一般都用软件给国内打电话，像“阿里通”“中华通”之类的。出国之前可以先下载这个软件，充值充好，来了就可以直接用了。打国内电话是不到1毛钱一分钟，短信也是1毛钱一条，但是由于走的是网络，通话质量就不能做太高要求。网络信号好的时候打电话就挺流畅，信号不好的时候通话断断续续的，老是听到两个人喂来喂去，急死人了。早上网络好的时候通话质量还是不错的。 5. 安哥拉一般企业的工作时间：工作时间是分行业和岗位的，像安哥拉的商铺一般都是周末歇业，所以个体都是双休；据我所知，广德是周六下午和周天休息；但是像工程类单位就是全年无休，甚至春节也只放两天假，周末就别想了，照常上班。上班时间也是不同的，一般而言是从早上8点到下午5点，中午休息两个小时，但是也有早上7点到晚上6点，中午休息2个半小时，没办法，因为时差，要跟国内联系只能早起。希望能对你有所帮助。谢谢！

可以 有兴趣的话可以看 大学课程 复变函数和数学物理方程 或者是 复变函数和数理方程 大概是大2的课 其中第2部分第一节第一个例题就是无限长弦振动方程的求解 半无界弦振动方程求解 有限长弦振动方程求解 我记得结果是 频率是拉力/线密度的函数 线密度是密度对截面的积分Utt-a^2Uxx=0对边界条件和初始条件解方程 a^2=T/ro,ro:线密度 第一个等式肯定对 第2个等式是印象中的 Utt表示U对时间的2次偏导数 解出来就是个周期性的 可以定出频率等参数

不知道咧，我用的海蜘蛛

参考答案 强记不如善悟。

薛定谔波动方程

UTT是未测试过的内存颗粒，ETT是测试过的内存颗粒

贡比涅技术大学（UTC）位于皮卡第大区贡比涅市，是一所法国高等教育和研究机构。贡比涅技术大学与巴黎第四大学（索邦大学）、巴黎第六大学、法国自然历史博物馆、欧洲工商管理学院同是法国索邦大学联盟(l'alliance Sorbonne Universités)的成员。法国工程技术大学集团（简称UT）是由三所工程师全日制大学组成，它们分别是贡比涅技术大学（UTC），特鲁瓦技术大学（UTT）和贝尔福-蒙博里亚技术大学（UTBM）。这三所大学都直接隶属于法国高等教育科研部，都是颁发工程师文凭的国立大学，学制五年，是法国精英大学（Grandes Ecoles）之一。贡皮埃涅技术大学同时具备综合大学和高等工程师学院两种优势，有资格颁发工程师文凭、研究硕士、职业硕士及博士学位。

引脚，又叫管脚，英文叫Pin。就是从集成电路（芯片）内部电路引出与外围电路的接线，所有的引脚就构成了这块芯片的接口。“内存颗粒”是中国港台地区对内存芯片的一种称呼（仅对内存），其他的芯片则称为“晶片”。晶片经过封装之后就成为一个闪存颗粒。一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使16samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽。相关拓展原厂颗粒与白片的区别：内存颗粒分为原厂（major brand或者简称major，打印芯片原厂商标）/白片/次品。“白片”又可以细分为ett、utt以及其他更差的等级。在正规市场上交易的一般就是major、ett、utt这几种。utt名字是untested就是未经测试，但实际上最基本的物理测试还是做的，而ett名为effectively tested，就是通过有效性测试的颗粒，测试工序比utt多了不少，质量也要强不少。但是它们都没有经过原厂major颗粒那样的严酷测试。原厂颗粒一般要在测试时通过物理条件来模拟颗粒在恶劣环境下长时间工作几年老化以后的情况（但不会使颗粒真的老化），能通过这种测试的颗粒当然能够保证长时间使用的稳定性。只有这样的颗粒，才有资格打上原厂标。以上内容参考 百度百科-内存颗粒

有可能是倒数据.说不好..我也有用艾泰

　　先看图片，感兴趣往下看。按照步骤一步一步完成设置。　　　　　　先说明一下，左边的Unity启动器和上方的全局菜单栏，是一个整体，简称Unity桌面环境。你不能用刀把Unity启动器割了扔掉！目前没有这把刀。我的推荐是安装Plank docky替代Unity。要实现上图效果，分两大步走：　　第一步：安装配置Plank及主题　　1. PPA安装plank，打开终端，输入以下命令：　　sudo add-apt-repository ppa:docky-core/stable　　sudo apt-get update　　sudo apt-get install plank 　　2. 建立开机启动链接（必需）：　　sudo ln -s /usr/share/applications/plank.desktop /etc/xdg/autostart/　　（仔细看目录，使用linux ln 命令：ln -s，在开机启动文件夹“autostart”创建“plank.desktop”软链接，以实现开机加载启动）　　附：卸载 plank 命令：sudo apt-get remove plank　　3. PPA安装mac主题　　sudo add-apt-repository ppa:noobslab/themes　　sudo apt-get update　　sudo apt-get install macbuntu-plank-theme-v6　　4. 下载的Plank主题可以拷到~/.local/share/plank/themes目录下进行使用,没有可以自己创建一个“themes”文件夹。（注意文件名前带点的文件夹，表示系统隐藏，按Ctrl+H显示主文件夹隐藏的目录，可以找到“.local”）　　第二步：安装和配置Unity Tweak Tool（UTT）　　1. Ubuntu软件中心安装UTT　　2. 配置UTT：打开UTT，点击“启动器”。把Unity启动器设置为“自动隐藏”，调用灵敏度向左调为“0”，自动隐藏动画调为“仅淡出”，紧急通知动画/启动动画调为“无动画”。图标大小我觉得32就可以了。（非必要：建议勾选“Minimize single window applications on click”，意思就是，单击unity上个已打开的软件最小化窗口）　　　　结语：OK，搞定！再附一张图。

方程的解等于特征方程dx^2+a^2dt=0的解t=ax+c t=ax-c

　　这种情况，在物理上是很难控制私接路由器交换机等情况的，只能是软硬相结合，分享一下我们的解决方法吧：　　1.首先整个网络的IP地址获取设置成自动获取，打开DHCP服务器，有些路由器都有这个功能，或者就用电脑架一台DHCP服务器，　　2.在DHCP里把每台公司电脑进行备案，IP地址与MAC地址绑定，这样，外来的设备接入到公司网络就不能获取IP地址。包括路由器。如果想使用公司网络必须要到网管这里开通过。　　3.如果你目前的路由与网关等地址信息是静态的，换成自动获取后，建议更同个一个网段……　　以上是就你目前的设备而言，是比较现实的解决法。　　还有一种解决方法是更加方便，但是需要更换主路由设备，把公司上网的认证模式设置成WEB认证模式，就是客户机需要上网必须要通过WEB页面的认证才能上网，这样再接私接路由器也没用，记得低端的DLINK就有相应功能的路由器，应用了以后打开IE就会显示登录页面，必须要有用户名与密码（这个当然是网管分配的）。　　关于你与不同网关路由下的机器共享，连接等，需要设置路由器的运行模式，不能以路由的方式进行，而是应该是网桥的模式运行，一些路由器里是可能设置的。不同的路由器设置方法不同，可以肯定的是如果路由模式是不能进行共享的。因为是两个子网。

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utbm吧，周围有很多企业，方便实习啊~~

ETT是指只经过有效测试的内存颗粒，一般不会打原厂的LOGO。还有一种叫UTT就是完全没有经过测试也不打原厂LOGO的。

是CPU各针脚在时间上的工作关系。时序可以分为两种不同粒度：时钟周期和总线周期。一条指令的执行需要若干个总线周期才能完成。而一个总线周期又由若干个时钟周期组成。CPU在运行过程中是按照统一的时钟一步步执行每一个操纵的。每个时钟脉冲的持续时间就称为一个时钟周期。时钟周期越短，CPU执行速度越快。CPU与内存或接口间都是通过总线来进行通信，如将一个字节写入内存中，或者从内存某单元读一个字节到CPU，这种通过总线进行读或写的过程称为一个总线周期，一个总线周期包括多个时钟周期。简单地说就是：一个总线周期内，CPU在各个时钟周期完成的操作 回答了两次。。。

这个问题是一个数理方程（或偏微分方程）问题。只有当边界条件u（x,0）=h(x),ut(x,0)=0时，(ut表示u对t求一阶偏导)，解的形式可以表示为：u（x，t）=(1/2)*(h(x-at)+h(x+at))，当ut(x,0)=p(x)是一个关于x的函数时（非0），解的形式就会有不同了，后面会加一个一项：p（z）从x-at到x+at的一个对z的一个积分项，这个积分项还要乘以一个2a分之一的系数项。 具体的证明过程，你可以参看任何一本关于数理方程的教材中讲行波法与积分变换的这一章，里面应该会给与详细的证明过程及一些例题的。 希望这些能给你些帮助。

说白了就是为了让数据通过这条通道的速度更快。。参考资料：内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 RAS# to CAS# Delay(tRCD) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 Min RAS# Active Timing(tRAS) 可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。 Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。 Row Cycle Time(tRC) 可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。 Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。 Write Recovery Time(tWR) 可选的设置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。 Write to Read Delay(tWTR) 可选的设置：Auto，1，2。 Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。 tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。 Refresh Period(tREF) 可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。 Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。 先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。 1552= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2592= 166mhz(?.??s) 3120= 200mhz(?.??s) --------------------- 3632= 100mhz(?.??s) 4128= 133mhz(?.??s) 4672= 166mhz(?.??s) 0064= 200mhz(?.??s) --------------------- 0776= 100mhz(?.??s) 1032= 133mhz(?.??s) 1296= 166mhz(?.??s) 1560= 200mhz(?.??s) --------------------- 1816= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2336= 166mhz(?.??s) 0032= 200mhz(?.??s) --------------------- 0388= 100mhz(15.6us) 0516= 133mhz(15.6us) 0648= 166mhz(15.6us) 0780= 200mhz(15.6us) --------------------- 0908= 100mhz(7.8us) 1032= 133mhz(7.8us) 1168= 166mhz(7.8us) 0016= 200mhz(7.8us) --------------------- 1536= 100mhz(3.9us) 2048= 133mhz(3.9us) 2560= 166mhz(3.9us) 3072= 200mhz(3.9us) --------------------- 3684= 100mhz(1.95us) 4196= 133mhz(1.95us) 4708= 166mhz(1.95us) 0128= 200mhz(1.95us) 如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。 另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。 如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能／稳定性比。 Write CAS# Latency(tWCL) 可选的设置：Auto，1-8 Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时”。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。 DRAM Bank Interleave 可选的设置：Enable， Disable DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式(interleave)模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。 虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。 对于DFI主板来说，任何情况下该设置都应该是Enable，可以增大内存的带宽。Disable对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。 DQS Skew Control 可选的设置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew DQS Skew Control，表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。 DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQS skew。 如下图所示。 对于DFI主板来说，建议设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。 DQS Skew Value 可选的设置：Auto，0-255，步进值为1。 当我们开启了DQS skew control后，该选项用来设定增加或减少的数值。这个参数对系统的影响并不很敏感。 对于DFI主板来说，开启"Increase Skew"选项后，可以将该值设为50-255之间的值。值越大，表示速度越快。 DRAM Drive Strength 可选的设置：Auto，1-8，步进值为1。 DRAM Drive Strength（也被称为：driving strength），表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。 如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFI NF4主板上调试和测试的结果，1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DFI用户建议设置：TCCD建议参数为3、5、7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DRAM Data Drive Strength 可选的设置：Auto，1-4，步进值为1。 DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的内存读取时，增加DRAM的驾驭能力。因此，如果你的系统内存的读取负荷很高，则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频，提升内存数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。此外，提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此，除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM，建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低(Lo/Low)。 要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。 DFI用户建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。 Strength Max Async Latency 可选的设置：Auto，0-15，步进值为1。 Strength Max Async Latency目前还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。 DFI主板建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640就必须设为9ns甚至更高了。 Read Preamble Time 可选的设置：Auto，2.0-9.5，步进值为0.5。 Read Preamble Time这个参数表示DQS（数据控制信号）返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDR SGRAM还是从DDR SGRAM到图形控制器都起作用。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值5.0。建议大家在4.0-7.0之间调节，该值越小越好。 Idle Cycle Limit 可选的设置：Auto，0-256，无固定步进值。 Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值，也就是读取一个内存页面之前，强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32，华邦（WINBOND）BH-5颗粒的产品能稳定运行在16。Idle Cycle Limit值越低越好。 Dynamic Counter 可选的设置：Auto， Enable， Disable。 Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器。如果选择开启（Enable），则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页面冲突和页面错误(conflict/page miss：PC/PM)之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是密切相关的，启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一样的。打开该设置可能会提升性能，而关闭该设置，可以使系统的更稳定。 R/W Queue Bypass 可选的设置：Auto，2x，4x，8x，16x。 R/W Queue Bypass表示“读／写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI (设备控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被选定前，忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似，只是优化器影响内存中的读／写队列。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为16x。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 Bypass Max 可选的设置：Auto， 0x-7x， 步进值为1。 Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选择否决之前，最后进入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被优化器忽略的时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到CPU内存控制器的连接。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为7x。建议4x或7x，两者都提供了很好的性能及稳定性。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 32 Byte Granulation 可选的设置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。 32 Byte Granulation表示"32位颗粒化"。当该参数设置为关闭(Disable)时，就可以选择突发计数器，并在32位的数据存取的情况下，最优化数据总线带宽。因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。 DFI主板建议设置：绝大多数情况下，建议选择Disable(8burst)选项。开启Enable (4burst)可以使系统更稳定一些。

第01集笑容!打破家庭的阴影第02集两人伤心!不忠与贪污第03集救与害!拯救与交易第04集忍痛!卖了身的女佣第05集苦处!温和女佣的照顾第06集关怀!真心地为了别人第07集糟糕!父亲患了癌症第08集奸细!暗处的眼睛第09集烦恼!对女人的不信任第10集调戏!强占者的邪念第11集赶与接!误会和拯救第12集背叛!虚荣的妹妹第13集舍弃!违心的离别??第14集假炸弹!破坏营业额的诡计第15集身孕!任务的完成扩展资料：剧情介绍一个成功的商人，拥有自己的酒店和连锁商场。他出生于一个富有的家庭。因为担心别人觊觎他的财产，他几乎不信任任何人。纵使如此小心，他还是被他的妻子Issaya,欺骗了。她说他是她今生唯一的挚爱。他不顾家庭的反对和她结婚，因为被告知她已怀上了自己的骨肉。虽然婚后不久，她说不小心流产，他依然矢志不渝的爱着她。然而他的家庭急切的盼望着下一代继承者的出生。Issaya在年轻时遭遇车祸导致不育，但是她为了得到巨额财产，欺骗了所有人。Sake觉得受到了莫大的伤害，更深的封闭了自己的内心。变得孤僻，喜怒无常，冲动，难以对任何人产生信任感。Kate受荐来到sake的公司做模特.她见到Sake的第一天，就使Sake发笑。这引起了Pakkinee，Sake的异母姐姐的怀疑。Kate的爸爸是Sake公司的高级雇员，也注意到了这一点。所以，当他被发现私吞了300万公款时，他提出以Kate为交换，让他做Sake的情人，直到为Sake生下一个继承人为止。Marissa，Sake的母亲，决定接收这一交易,因为她认为Kate能够把Sake从狂怒和悲伤中拯救出来，并使他快乐起来。Kate为了父亲和家庭，也同意了这个要求。Kate必须忍受Sake的坏脾气，和他的轻蔑的眼光。Sake发现，他离Kate越近，他越觉得自己深深爱上了这个性格乐观开朗的女孩儿。但是他却不敢再相信任何女人。这使他们在感情的路上困难重重。Kate该如何面对？参考资料来源:百度百科-美人计

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