MOS管有哪些作用，工作原理是什么？

安集科技在此次展会上发布两大新品一一氧化铈抛光液系列新产品与硅片精抛液系列新产品。目前，这两款新品已在客户端稳定应用和供货，技术水准达到国际先进水平。

我很好奇，最终起了啥名字？

一个圆锥面，一个锥面。1、半导体锥面，指是一个圆锥面。2、半导体锥面，指为一个锥面。半导体界面(semicon半导体界面研究在半导体物理学和器件工艺中占据着很重要的地位。半导体一绝缘介质接触在微电子技术中有广泛应用，SiO2/Si是典型的半导体一绝缘介质接触。

日前，国内最大的晶圆代工厂中芯国际官网转载了《浦东时报》的一篇文章，在文章的开头写到：“位于浦东张江哈雷路上的中芯南方集成电路制造有限公司（中芯南方厂）内，一颗颗芯片正“新鲜出炉”，“新”在于芯片生产线是国内首条14纳米生产线。该工厂也是目前中国大陆芯片制造领域的最强者中芯国际最先进的生产基地。” 文章进一步指出：“在去年三季度，该工厂第一代14纳米FinFET工艺已成功量产。按规划达产后，中芯南方厂将建成两条月产能均为3.5万片的集成电路先进生产线。12纳米技术也已开始客户导入，下一代技术的研发也稳步开展。新生产线将助力未来5G、物联网、车用电子等新兴应用的发展。” 无独有偶，国内另一家在晶圆代工方面有深入研究的华虹集团也在近日举办的供应商大会上披露，公司在14nm上取得了重大进展，而更先进技术节点的先导工艺研发也正在加快部署。 这两家国内领先晶圆厂的宣布，标志着我国晶圆代工产业又迈进了一个新阶段。 筚路蓝缕：二十五年追逐的结果 如果从909工程立项开始算起，目前中国大陆的两大晶圆厂已经对业界领先的厂商有了二十五年的追逐。而翻看1996年的台积电，他们当时1um以下工艺的营收占比已经达到了9.3%，而到中芯国际成立的2000年，台积电营收已经做到了1662亿新台币，净利润也做到了651亿新台币，同比增长也分别高达127.3%和165.1%。 台积电在1996年到2000年的营收排行 从以上的数据可以看到，即使国家投入了大量的人力物力，甚至从 台湾 和国外招揽了不少专家，但中国芯片制造产业与当时的世界领先水平有着不小的差距。但后来的华虹集团（先进工艺主要是由旗下的华力微电子推动）和中芯国际却都在这个追逐中快速成长，和领头羊的差距也从曾经的遥遥无期，到现在可以看到领头羊的尾灯。而这都是国内芯片制造人才多年钻研的结果。 以中芯国际为例，从2010年4月成立，当年八月开始动工，到次年九月，中芯国际已经在上海建了三座八英寸晶圆厂，这在当时创造了全球最快的建厂记录。而在2002年九月，中芯国际北京两座12英寸工厂动工；2003年，中芯国际又收购了摩托罗拉在天津设立的八英寸芯片厂。 虽然在建厂方面，中芯国际走得比较快，但在工艺方面，则相对慢半拍，这有一部分原因与当时一些 众所周知 的原因有关。 相关资料显示，在中芯国际的第一个工厂还在建设的时候，该公司创始人张汝京就希望从美国进口0.18微米工艺的生产设备。即使这不是美国最先进的工艺（当时0.13微米的工艺已经量产），但张汝京还是大费周章，才能把这些工艺引进来。这种情况一直延续到0.13微米、90纳米和65纳米的工艺上。因为过去一直遵守承诺，中芯国际到45纳米的时候赢得了合作伙伴和美国 政府 的认可。 但到了28nm之后，中芯国际又在这里被“困”了。 据了解，中芯国际提供了包含传统的多晶硅（PolySiON）和后闸极（Gate last）的高介电常数金属闸极（HKMG）与High-KC制程。按照他们的说法，这是他们在 2013 年第四季度推出的技术。但其实在很长一段时间以内，中芯国际在28nm只是提供多晶硅的制程。虽然公司表示在2017年2季度就开始推出28nm HKMG制程，但从官网在2018年1月的报道我们可以看到，直到当时，中芯国际的28nm HKMG良率只做到40%，这离能被大家接受的大规模量产还有一段距离。 而反观台积电，因为一贯以来有着“在制程上做到绝对领先”的理念，他们在2011年就开始了28nm工艺投产，并在接下来的几年实现了迅速爬坡。财报显示，在中芯国际推出28nm HKMG的那一季度，台积电28nm已经贡献了公司27%的营收。值得注意的是，台积电的10nm在这个季度已经为公司带来了1%的营收，到了次季度，这个比例上升到10%，到2018年Q1更是飙升到19%。 台积电2017年Q2的营收分布 至于14nm，中芯国际联席CEO梁孟松曾在2019年Q2的财报 会议 上表示，“中芯国际第一代FinFET 14nm工艺已经进入客户验证阶段，产品可靠度与良率进一步提升”。 再看华力微电子，从该公司研发副总裁邵华先生在2019年的SEMICON China上的介绍得知，他们自2010年1月建厂以来，到2019年已经投入了80亿美元进行研发，公司也有张江和康桥两个厂。特别是康桥厂二期，更是承担了华力微28nm到14nm等先进工艺的生产任务。按照邵华当时的说法，华力微已经可以提供28nmLP工艺，而到2019年年底则会量产HKC/HKC+，同时也在开发22nm ULP和14nm FinFET等。 而华虹供应商大会上的消息也显示，他们28nm工艺也都全线量产（包括28nm LP、28nm HK和28nm HKC+）、22nm研发快速推进，14nm则如开头所说，获得了重大进展。 打下了基础，能让他们更踏实地继续往前迈进。 内忧外患：进一步提高的必要性 诚然，无论是中芯国际还是华力微电子，他们未来在工艺上每前进一步都是很艰难的。因为随着制程的微缩，带来的技术难度是指数级增长的，同时要投入的成本也是巨大的。但综合考虑内部和外部的情况，发展先进共有又是必然的。 首先看一下外部情况，在过去的2019年，美国 政府 针对包括华为在内的多家中国企业所做的种种行为，已经打破了技术无国界这个说法。包括日经在线在内的多家外媒也都曾传言美国将会推动阻碍国际领先晶圆厂给华为等中国厂商服务。虽然这种说法遭到了当事方的否认，但无可否认，这也许会成为美国政客手中的一枚“棋子”。 还有一点就是，现在多家国际知名媒体也言之凿凿地说，美国 政府 将限制相关厂商给国内晶圆厂供货，这就倒逼国内设备行业的发展。但在国外厂商遥遥领先的前提下，一些新的设备如果想找大陆以外如台积电这样的先进晶圆厂配合，这是一个极高难度的事情。但为了让设备往前走，如果要有先进工艺一起配合推进，也许能获得更好的效果。这个能最终执行好，就必然能达到双赢。 来到内部，一方面，正如最近的新闻所说，以华为为代表的一些国内厂商因为忌惮美国的“禁令”，已经开始陆续向以中芯国际和华虹等国内厂商寻求帮助。以华为为例，除了相对较落后的工艺外，他们对14nm、7nm和5nm等先进工艺有更多的需求。再 加上 大数据、AI和5G等应用的兴起，要求更多更高性能的芯片，国内也有很多厂商正在朝着这个目标前进。对他们来说，如果国内有信得过的制造工艺合作伙伴，他们必然会将其列为合作首选。但这也同样需要时间。 第三，三星和台积电这些领先厂商已经又往前走了一大步，国内厂商要想获得与他们同台竞技的机会，就更需要加快步伐。 最新消息显示，台积电的5nm工艺已经达到了50%的良率，公司也计划在Q2推动这个工艺的量产。三星方面则在GAAFET上取得了突破，并计划在未来十年投入上千亿美元去与台积电争夺晶圆代工龙头的位置。这些领导厂商在先进工艺制程、EUV光刻机、未来先进材料方面也有研究，也是他们的核心竞争力所在，也值得国内厂商所学习的。 但对于这两家本土厂商来说，未来在工艺发展路线上，是每个节点都去研发，或者根据需要跳过某些节点，而跃进到某个新阶段，这也是一个需要思考的问题，让我们期待他们下一个十年。

意法半导体（ST）集团于1987年6月成立，是由意大利的SGS微电子公司Società Generale Semiconduttori (SGS) Microelettronica和法国Thomson半导体公司Thomson Semiconducteurs合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司(STMicroelectronics)。 意法半导体有限公司(STMicroelectronics)是全球独立的半导体公司，并成为各种微电子应用系列开发和转让芯片级解决方案的领导者。

东信高科自动化设备有限公司是国内较早、较权威、专业从事真空及大气低温等离子体（电浆）技术、射频及微波等离子体技术研发、生产、推广、销售于一体的高新技术企业，隶属于东信高科等离子科技（香港）控股有限公司，总部设于香港 。在行业内是比较知名的等离子清洗机生产厂家。排名的话没有确切的一个排名。

去年下半年开始，芯片产能短缺持续发酵。作为全球最大的集成电路市场，我国重点区域和企业龙头也在加强布局。 4月7日，“无锡发布”公布了南京海关同意在无锡开展集成电路全产业链保税模式改革试点的消息。业务试点包括建立产业链评估机制、促进产业链自律管理等措施，无锡高新区综保区SK海力士半导体等4家上下游关联企业成为开展高端制造全产业链保税监管模式业务改革试点企业。 作为集成电路产业重镇的上海，7日发布了第二批14个特色产业园区，分别聚焦三大先导产业，重点领域补链强链，新兴融合领域三大类别。其中包括浦江创芯之城（三大先导产业）、电子化学品专区（重点领域补链强链）等特色园区皆为集成电路领域。 集成电路十五强城市 对于产能短缺，各地也加快了对集成电路的部署。 目前，国内集成电路产业基本分布在省会城市或沿海的计划单列市，呈现“一轴一带”的分布特征。经过多年部署，我国目前主要有四个产业集聚区，分别是以上海为中心的长三角、以北京为中心的环渤海、以深圳为中心的泛珠三角和以武汉、成都为代表的中西部区域。 芯思想研究院日前发布了2021年中国大陆城市集成电路竞争力排行榜，从产业规模、产业链支撑、市场需求、政策支持、创新能力、产业活力等6个指标进行评估。根据测算结果，上海、北京位列第一、第二，无锡超越深圳，排在第三位，武汉、合肥超越成都、西安，排名第五、第六。在位列前15名的城市中，长三角地区占有六席，分别是上海、无锡、合肥、南京、苏州、杭州。这个排名，也和我国已有的集成电路产业格局和各地对集成电路产业的布局大致相符。 排在榜单首位的上海，集成电路已覆盖设计、制造、封装测试、装备材料等各环节领域。就在日前工信部公布的先进制造业集群竞赛决赛优胜者名单中，上海市集成电路集群入选第一批决赛优胜者。 而在4月7日举行的2021年上海全球投资促进大会上，总投资4898亿元的216个重大产业项目集中签约，在制造业领域签约项目共118项。三大先导产业中，集成电路领域签约项目16个，如彤程电子计划在化工区新建半导体光刻胶及配套试剂项目，可形成年产1.1万吨半导体光刻胶及2万吨相关配套溶剂，进一步推动光刻胶生产本土化。 数据显示，2020年上海集成电路产业规模占全国比重约为22%，产值超过2000亿元，增长超过20%。目前超过700家集成电路重点企业落户上海，形成了集群效应。仅张江国家自主创新示范区，集成电路领域2020年产销规模就达到1800亿元，占全国1/5。 第二名北京，也在3月24日启动了北方集成电路技术创新中心项目建设。北京亦庄表示，这是北京经开区“两区”建设围绕“4+2+1”产业体系集聚高端产业资源推进项目落地背景下，在集成电路产业领域落地的又一重点项目，有利于构建以北京为中心的集成电路产业生态圈，助集成电路生产线提质增效。而在早一些的2月初，北京经开区集中签约129个“两区”建设项目，总投资额近4000亿元，其中集成电路项目投资额就超过2000亿元。 另外值得注意的是，在前15个城市中，江苏一共有3个城市上榜，分别是无锡、南京、苏州。 3月21日，江苏召开集成电路产业强链专班工作推进会，提出重点支持有基础有条件的地区，积极扶持壮大龙头骨干企业和行业领军企业。 而刚迎来集成电路利好政策的无锡，2020年全市集成电路产业营业收入达到1420亿元，同比增长27.5%，占到江苏全省一半以上，产业规模位居江苏城市第一、全国城市前三。 杨俊刚看来，在中西部地区，武汉和合肥在集成电路产业整体实力表现上较成都和西安更弱一些，但是从近几年的发展来看非常强劲，包括本地培养企业和招商引资国内外的企业力度都比较大。“尤其现在的存储器项目，长江存储在武汉，长鑫存储在合肥，两家企业发展布局比较迅速，后面发展势能更强。” 产能短缺还将持续 高通CEO安蒙在2月初的财季电话会议上表示，全球半导体行业都在缺货，不仅仅是先进工艺产能不足，传统节点工艺产能也面临考验，芯片缺货缓解或许要等到今年年底。 在今年3月的SEMICON China上，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明表示，如果我们不加速发展，未来中国芯片产能（与先进国家的）差距，将拉大到至少相当于8个中芯国际的产能，因此我们必须加快速度。 紫光集团联席总裁陈南翔亦在SEMICON China上表示，芯片产业作为周期性产业，此前供需情况呈现出“库存、消化、库存”三段式变化，但从2020年至今，全球芯片产业已不再符合这一规律。虽然目前产能扩充一直在做，但扩产的能力实际上还是跟不上需求的增长，在总供应不变的情况下，半导体产业将面临供需动态不平衡的新常态。 同时，全球半导体产业正值上升期，市场对于芯片的需求将进一步扩大。世界半导体贸易统计组织预计，2021年全球半导体市场规模可达4694亿美元，同比增长8.4%。可以预见，全球芯片产能短缺的情况在接下来一段时间内仍会继续存在。 李珂表示，中国是全球最大的集成电路市场，所需芯片又大量依赖进口，芯片缺货对国内电子企业带来不利影响。 在李珂看来，目前造成芯片产能不足主要有需求侧、供给侧、供应链三方面的原因。新一代信息技术产品应用加速落地，推动芯片需求快速增长，另外由于芯片生产线建设所需投资不断增长，导致近些年全球半导体产能增长缓慢，叠加疫情等因素又造成芯片短期供给中断。最后受国际贸易影响，产业链上下游企业为防范断供风险都在增加库存，无形中进一步加剧了芯片的“抢购”。 据SIA(美国半导体行业协会)的数据，2021年1月全球半导体销售额同比增长13.2%，其中，中国销售额占比位居第二(12.4%)，同比增长3.4%。 就在3月29日，财政部、海关总署、税务总局公布《关于支持集成电路产业和软件产业发展进口税收政策的通知》（下称《通知》），明确了集成电路产业免征进口税的情况。 例如，《通知》提出，对集成电路线宽小于65纳米（含，下同）的逻辑电路、存储器生产企业，以及线宽小于0.25微米的特色工艺集成电路生产企业，进口国内不能生产或性能不能满足需求的自用生产性原材料、消耗品，净化室专用建筑材料、配套系统和集成电路生产设备（包括进口设备和国产设备）零配件等，免征进口关税。 对集成电路产业的关键原材料、零配件生产企业，进口国内不能生产或性能不能满足需求的自用生产性原材料、消耗品，免征进口关税。 其实，这已经不是集成电路和软件产业第一次迎来税收方面的利好了。 去年8月国务院公布了《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》，这份新政被业内人士看作是力度最大以及覆盖范围最广的文件，包括财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面。

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在半导体设计、制造及封测三大领域中，国内公司最薄弱的环节是半导体制造，目前英特尔、三星、台积电三大公司的制造工艺已经微缩到了14nm、10nm及7nm节点，国内最大的晶圆代工厂中芯国际目前量产的最先进工艺还是28nm，预计今年量产14nm工艺。在中芯国际之外，另一家代工大厂华力微电子也宣布今年底量产28nm HKC+工艺，明年底将会量产14nm FinFET工艺，这将是国内第二家量产14nm工艺的代工厂。 上海华力微电子公司（HLMC）是华虹集团子公司之一，成立于2010年1月，是国家“909”工程升级改造项目承担主体，拥有中国大陆第一条全自动12英寸集成电路芯片制造生产线（华虹五厂），工艺技术覆盖55-40-28纳米各节点，月产能达3.5万片。 2018年10月18日，华力公司第二条12英寸晶圆厂生产线投产，总投资387亿元，经过22个月的工期建设正式投产，月产能为4万片晶圆，工艺技术从28nm起步，目标是具备14nm 3D工艺生产能力，不过最初的月产能是1万片晶圆，14nm工艺目前也没有量产，还需要时间进行产能、技术爬坡。 在今天举行的SEMICON China 2019先进制造论坛上，上海微电子华力微电子研发副总裁邵华发表了主题演讲，介绍了华力微电子半导体制造的新进展。据他透露的消息，今年底华力微电子将量产28nm HKC+工艺，明年底则会量产14nm FinFET工艺。 在制造工艺上，华力微电子去年底宣布量产28nm低功耗工艺，已经为联发科代工28nm低功耗芯片。

这将是一场持久战。 作者 余快 芯片产业正遭遇着史无前例地的缺货时期，从 汽车 到手机纷纷缺芯涨价，整个产业链似乎被笼罩在前所未有的恐慌之中。 安防产业是最早感受到这一波芯片缺货潮的行业之一，而眼下，情况愈演愈烈，需求有增无减。 “安防缺芯，摄像头涨价”又一次热搜出圈，这一次，来自央视 财经 的报道。 安防缺芯依旧 去年8月，因海思缺货引发的第一波缺芯潮时，AI掘金志曾对此进行了报道， 海思「缺货」，安防「缺芯」 某业内人士告诉AI掘金志，2020年8月之前海思芯片的价格和供应都比较正常。8月5日-10日，价格突然暴涨，9月初，海思安防芯片最少涨价5倍以上。 伴随着多产业的全球性缺芯，安防缺芯状况持续至今。 据央视 财经 3月23日报道，安防芯片短缺，安防产品交货周期已经普遍拉长半个月左右，部分产品交付期延长至九个月，下游代理商都适当增加了囤货。 另外，芯片告急导致安防摄像头售价涨四成。有供应商表示，去年9月200万像素常用款摄像头140多元，现在已经涨到210多元。 与2020下半年海思被禁出现的IPC芯片缺货相比，此次芯片市场的供应情况更加严峻。 “缺货从去年Q3正式爆发，2021急剧恶化。”某从业者对AI掘金志表示。 除摄像头主控芯片外，IPC SoC、存储芯片、WiFi芯片等核心零部件均出现一货难求现象。 “存储芯片缺货最为严重，其次是主控芯片。” 一货难求之下，坐地起价、恐慌性囤货等乱象丛生。 “其实市场上的货完全可以满足华南地区半年以上需求，只不过需求被放大了，一家缺货10K找10家问，市场便以为有100K的需求，市场有30K的货，无形之中就出来70K的缺口，所以价格就炒起来了。”某模组提供商从业者补充道，“也因为部分贸易商利用市场焦虑，囤货炒作。” 是什么打破了半导体行业规律？ 此前，半导体行业的发展奉行三段论，从存货到消化库存再到重新拉库存。 按照半导体市场的发展规律，在总供应不变的情况下，需求时强时弱，存在从强转弱或从弱到强的动态变化，芯片缺货属于正常情况，且存在一定的缺货周期。 但当下这一动态出现不平衡和矛盾点，芯片缺货的周期规律发生巨大变化。 三段论也从2016年之后不再适用，导致企业可能在价格高时反而拉高库存，造成供需动态不平衡。 “实际上从2016年到2021年，市场均出现了不同程度的芯片产品短缺的情况，2016年DRAM短缺，2017年不仅是DRAM短缺，连Flash NAND也短缺，2018年功率半导体短缺。” 紫光集团联席总裁陈南翔在前几天的Semicon China 2021大会上表示。 “如果按照奥林匹克周期从2014年开始算起，2019年属于“小年”，不应该出现芯片短缺的情况，但即便是到了2019年，也有CPU、5G芯片、TWS等产品供应不足的情况。” 行业规律之外，外在推动因素是什么？ 原材料短缺和价格上涨是主要原因之一。 2019年，联合国将半导体最基础的材料“沙子”定为“短缺材料”，沙子中所含的硅元素，是制造半导体器件的基础材料，整个半导体产业将面临从“沙子到芯片”各个环节的涨价。 原材料之外，需求井喷，芯片产能和市场需求不匹配占主导因素。 一方面，市场进入“个人半导体”时代，10年前一个人只用于一部智能手机，现在除了手机外，还有电脑、手表、手环、耳机等等产品。在未来，这一现象会更加明显。 另一方面，某安防芯片从业者张明对AI掘金志表示，全球疫情催生了家庭办公和学习等宅经济，5G、平板、笔记本、手机需求量暴增，芯片上游的产能向其倾斜。 高通CEO安蒙也曾放话，PC、 汽车 等联网芯片订单井喷，高通芯片恐怕不能满足行业需求。 “摄像机芯片目前绝大多少集中在22-40纳米，这个层面上游晶圆和封测产能都非常紧张。”张明说道。 终端商抢芯片，制造企业抢晶圆。 “这一波影响非常直接，去年海思缺货，小米、oppo等都在抢晶圆资源。” 据悉，晶圆代工厂产能在手机、笔记本、服务器等需求已经满载，安防芯片难以插队。 而另一关键环节封测也呈现相同的趋势。 据工商时报报道称，受上游晶圆代工产能持续爆满的影响，今年上半年半导体封测产能仍严重吃紧。 订单的持续涌入，诸如日月光这类大厂的投控产能已经排满到今年下半年，其他公司如华泰、菱生、超丰的打线封装订单同样爆满。 晶圆代工紧缺之下，2021年全球各大晶圆代工厂、IDM大厂、IC设计厂均纷纷宣布于年初涨价。 晶圆代工价格涨价10%至20%，封装测试涨价10%至20%。 高级芯片的需求全面增加，尖端晶圆厂和封测厂等会优先考虑高端产品。 “与 汽车 车规级芯片、手机芯片等相比，安防芯片附加值并不高。”张明补充到， “封测厂内，设备24小时全年无休运转，一旦封测厂的A客户晶圆资源没跟上，有资源的B企业就上。” 张明表示，尖端晶圆厂也如此，有晶圆资源的企业也能优先得到封测资源，形成恶性循环。 与此同时，产能的扩充并非易事。 AI掘金志获悉，晶圆厂和封测厂属于超级大的资金密集型的行业，需要维持生产线24小时运转以最大化营利，产能的增加将是几十亿为单位的量级。 “一方面扩大产能需要时间，另一方面，芯片原厂相比去年产能已经大幅提升，但依然无法满足日益增长的市场需求。” 某机构预测，从2018年到2030年，集成电路销售额将增加124%，彼时集成电路产能至少增加2倍，但扩产速度仍然难以追赶需求增长速度。 芯片短缺和涨价带来的不确定性导致市场恐慌性囤货，各环节订单激增。 台积电高管在最近两次财报电话会议上表示，客户为了应对不确定性的风险开始囤积芯片。 有数据显示，2020 年中国的芯片进口额攀升至3800亿美元，约占整体进口额的1/5。 国际关系的变化也加剧了芯慌现象 。 此前，《日本经济新闻》报道，全球半导体严重短缺的开端是美国政府对中国企业的制裁，尤其是对中芯国际的制裁。 中芯国际拥有成熟的28nm芯片生产线，原本可极大地弥补产能，然而受美国制裁影响，目前其14nm生产线产能仅仅达到1.5万片/月。 报道指出，订单集中涌向台湾企业等，再加上全球 汽车 半导体等各行业的需求快速复苏，供应短缺迹象加强。 同样的观点，也出现在近期法国广播公司的一篇报道中，他们指出特朗普对中国发起的“ 科技 战”是当下芯片短缺问题的间接推手。 “芯片荒”局面尚未缓解，一场暴风雪，不仅席卷了得州，也让全球芯片紧缺现象雪上加霜。 今年2月，美国德州遭遇超级寒流袭击，导致严重能源供应短缺与电力中断，包括Samsung、NXP与Infineon三家半导体业者位于奥斯汀的晶圆厂因此停摆。 但也不乏乐观的观点。 长电 科技 首席执行官及董事郑力认为，此次缺货一定程度上也意味着国内半导体产业进入了新的发展阶段。 “几年前，我们很羡慕外资大厂缺产能，因为我们那时是缺订单，如果什么时候缺产能了，就说明我们的公司发展到一定程度。如今国内很多公司已经发展到一定阶段，才出现缺产能的情况，我认为这是一个在集成电路行业比较典型的景气循环的现象。”郑力说道。 结语 在持续性的缺芯危机之下，供应链安全问题凸显，芯片供应链成为安防产业链中众多企业的核心竞争要素之一。 但也正如郑力所言，是危机，也是机遇。 传统安防行业经过数字化、网络化、高清化之后，正在与AI融合，向智能安防升级。 马太效应日益凸显，资源开始向头部企业聚集。 无论材料断供是还是技术短板，解决“芯慌”仍需要一段时间。在这场芯片战争中，其他国产芯片需要也正在努力迎头赶上。

Micro LED凭借出色的性能表现和灵活的应用，迎来广阔的发展前景，巨头企业纷纷抢进和布局，由此加快促进Micro LED显示技术的应用落地。据TrendForce集邦咨询预估，Micro/Mini LED产值到2024年将达39亿美金。此前小编已经对Micro LED在AR智能眼镜上的应用进行过盘点，这次主要是汇总今年各大厂商的最新动态和研发成果，以供读者参考。Micro LED布局三安与TCL华星成立Micro LED联合实验室3月初，三安半导体与TCL华星宣共同成立联合实验室，以布局Micro LED显示技术开发。该实验室的研发资本金为3亿元，将开发Micro LED显示器端到端技术过程中所形成的与自有材料、工艺、设备、产线方案相关的技术。康佳积极布局Micro LED，导入关键设备3月份，德国的沉积设备制造商爱思强（Aixtron SE）宣布，康佳集团已订购了多个AIX G5+C和AIX 2800G4-TM MOCVD系统，以建立自己的镓批量生产基于氮化物（GaN）和基于砷化磷（AsP）的Mini/Micro LED。除了MOCVD外，康佳还导入了更多Micro LED生产设备。11月份，英国厂商Micro Crystal Transfer Group及其专业的LED和半导体技术团队采用了日本半导体设备供应商Samco的ICP刻蚀系统和PECVD系统，用于康佳的Micro LED生产。华灿光电募资12亿投向Mini/Micro LED芯片4月初，华灿光电宣布拟定增募资15亿元投建Mini/Micro LED、GaN功率器件项目，其中12亿元投向Mini/Micro LED项目，主要用于生产Mini/Micro LED外延片、Mini/Micro LED芯片等。10月19日，华灿宣布定增项目募资完毕。另外，12月1日，华灿光电与Semicon Light签署倒装芯片专利技术授权协议。该技术被认为是Mini/Micro LED等新型显示器的关键技术。据报道，华灿正在计划为LG电子提供用于新型Micro LED显示产品的Micro LED芯片。首尔半导体已进入Micro LED商业化量产阶段5月份，首尔半导体称其在Micro LED领域已经进入了商业化量产的阶段。通过旗下子公司Seoul Viosys已经能够批量生产全光色的RGB LED芯片。同时，首尔半导体已经成功地开发了巨量转移技术，能够将Micro LED成功的移转到PCB或是玻璃背板的任何背板上。苹果加快推进Micro LED技术商用化6月份，苹果宣布计划投资约3.34亿美元在台湾地区竹科龙潭园区建设新厂，用于生产Mini/Micro LED显示面板。12月最新消息显示，苹果计划继续携手晶电龙潭厂朝Micro LED技术发展，近期龙潭厂不断移入设备以及开设新产线，以提前部署后年应用

在过去几年里，纯晶圆代工市场一直由台积电(TSMC)、联电(UMC)、特许半导体(Chartered)和中芯国际(SMIC)等“四大”厂商所控制。实际上，2006年台积电销售额预计将超过100亿美元，保持其50%的市场份额。2006年全年，预计“四大厂商”在全球纯晶圆代工市场中占有84%的份额。 IC Insights认为，特许半导体将是2006年第三大晶圆代工厂商，比2005年底时的排名上升一个位置。在10大晶圆代工厂商中有三家中国企业。未进入10大名单中的其它中国主要厂商包括上海先进半导体(ASMC)、宏力半导体(Grace Semicondutor)和华润上华科技(CSMC)。整体来看，中国晶圆代工厂商2005年在纯晶圆代工市场占有12.4%的份额。IC Insights预测2006年中国厂商所占的总体份额会微升至12.6%。 没有这么专业的名单数据！你如果想要资料，自己去图书馆查阅资料吧！

是不是半导体行业当中的硅舟? 主要作用是作为原料（硅、锗等半导体）在提纯时的盛放容器。http://www.semiconquartz.com.cn/这个地方可以看到硅舟的实物图片

笔记本内存4g和8g的区别只有同时开很多软件，或者开很吃内存的软件才有区别。只有把4G内存用得快完时，才会有差别。平时基本不会感觉出的。2.两条4g可以组双通道，频率翻倍，单条8g没区别，日常使用根本看不出差距。3.内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。笔记本的内存大体可以分为EDO、SDRAM、DDR三种。几大知名内存厂家及代号：现代电子(Hynix)：HY ，三星(SAMSUNG)：KM或M ，NBM：AAA ，西门子(SIEMENS)：HYB ，高士达LG-SEMICON：GM ，三菱(MITSUBISHI)：M5M ，富士通(FUJITSU)：MB ，摩托罗拉(MOTOROLA)：MCM ，MATSUHITA：MN ，OKI：MSM ，美凯龙(MICRON)：MT ，德州仪器(TMS)：TI ，东芝(TOSHIBA)：TD或TC ，日立(HITACHI)：HM ，STI：TM ，日电(NEC)：UPD ，IBM：BM ，NPNX：NN 。

NANYA是南亚的颗粒........具体自己查吧

单晶硅抛光片 CEΦ4〃 35元/片 浙江单晶硅磨片 CEΦ4〃 48元/片 华南单晶硅磨片 FE（NID）Φ3〃 58元/片 东北地区单晶硅磨片 FE（NID）Φ3〃 28元/片 江苏单晶硅磨片 FE(NID) Φ2.5〃 18.5元/片 华北地区

提高电脑的多任务运行速度以及提高电脑全速满负荷运行的承受能力。主流笔记本仅配备4GB或者6GB内存，在其运行时打开N多程序或者运行时间过长都会极大的占用系统可用内存，轻则导致系统响应速度变慢，严重时可能造成程序假死或者系统死机重启，在实际解决电脑因内存不足卡死的问题时，选择添加内存条来解决问题更显经济实惠。拓展资料一、内存的性能指标评价内存条的性能指标一共有四个：(1) 存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍为1GB到8GB。(2) 存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。(3) 存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。(4)性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。二、笔记本的内存大体可以分为EDO、SDRAM、DDR三种。几大知名内存厂家及代号：现代电子(Hynix)：HY ，三星(SAMSUNG)：KM或M ，西门子(SIEMENS)：HYB ，高士达LG-SEMICON：GM ，三菱(MITSUBISHI)：M5M ，富士通(FUJITSU)：MB 等。参考资料来源：百度百科--笔记本内存条参考资料来源：百度百科--内存条

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。 常见SDRAM 编号识别 维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。 (1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： ▲ HY HYUNDAI ------- 现代 ▲ MT Micron ------- 美光 ▲ GM LG-Semicon ▲ HYB SIEMENS ------ 西门子 ▲ HM Hitachi ------ 日立 ▲ MB Fujitsu ------ 富士通 ▲ TC Toshiba ------ 东芝 ▲ KM Samsung ------ 三星 ▲ KS KINGMAX ------ 胜创 (2)内存芯片速度编号解释如下: ★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. ★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. ★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. ★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. ★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. (3) 编 号 形 式 HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj 其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V. CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M. dd表示带宽。 f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2. g表示版本号，B—第三代。 h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。 ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H. jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ; 10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3) 10—100MHZ(非PC100)。 例：1） HY57V651620B TC-75 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ. 2) HY57V653220B TC-7 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ 全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)： 序号 品牌 国家/地区 标识 备注 1 三星 韩国 SAMSUNG 2 现代 韩国 HY 3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并 4 迈克龙 美国 MT 5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并 6 日电 日本 NEC 7 日立 日本 HITACHI 8 冲电气 日本 OKI 9 东芝 日本 TOSHIBA 10 富士通 日本 F 11 西门子 德国 SIEMENS 12 联华 台湾 UMC 13 南亚 台湾 NANYA 14 茂矽 台湾 MOSEI

编号啊~~~~汗~~~

第八届全国太阳能东北展（沈阳） 中国 沈阳 2011-03-28 2011-03-30 2011年SolarTech太阳能领袖峰会 美国 加利福尼亚州 圣克拉拉 2011-03-29 2011-03-30 2011年世界清洁能源大会 非洲部分 南非 约翰内斯堡 2011-03-29 2011-03-31 公用事业光伏会议 意大利 米兰 2011-03-29 2011-03-30 第五届中国新能源国际高峰论坛 中国 北京 2011-03-30 2011-03-31 2011非洲太阳能展 南非 约翰内斯堡 2011-03-30 2011-03-31 2011年EVER Monaco展览会暨论坛 摩纳哥 2011-03-31 2011-04-03 第三届亚洲光伏峰会 中国 北京 2011-03-31 2011-04-01 美国光伏会议及展会 美国 宾夕法尼亚州 费城 2011-04-03 2011-04-05 国际聚光光伏系统大会 美国 内华达州 拉斯维加斯 2011-04-04 2011-04-06 欧洲光电产业联盟大会暨展览会 德国 柏林 2011-04-04 2011-04-06 2011欧洲电子印刷及光伏峰会 德国 杜塞尔多夫 2011-04-05 2011-04-06 2011国际太阳能专门展览会 韩国 大邱 2011-04-06 2011-04-08 2011年Energethica托里诺贸易展 意大利 托里诺 2011-04-07 2011-04-09 清洁能源峰会 印度 新德里 2011-04-07 2011-04-08 中国（深圳）国际电池展览会 中国 深圳 2011-04-08 2011-04-10 2011年北京国际光伏四新展览会 中国 北京 2011-04-08 2011-04-10 PHOTON 2011欧洲太阳能太瓦时大会系列 德国 柏林 2011-04-12 2011-04-14 2011年光伏组件用聚合材料及生产技术国际大会 德国 科隆 2011-04-12 2011-04-14 2011中国国际太阳能产业大会暨展览会 中国 南京 2011-04-12 2011-04-14 第三届中国国际光伏产业发展高层论坛 中国 南京 2011-04-12 2011-04-13 2011年印度尼西亚能源可持续性、绿色资源与环保科技国际会议及博览会 印度尼西亚 雅加达 2011-04-13 2011-04-16 第七届东南欧地区国际能效及可再生能源大会暨展览会 保加利亚 索菲亚 2011-04-13 2011-04-15 2011年太阳能与玻璃交融峰会 德国 柏林 2011-04-13 2011-04-13 2011年EnergyMed展览会 意大利 那不勒斯 2011-04-14 2011-04-16 2011年薄膜工业论坛 德国 柏林 2011-04-15 2011-04-15 第一届国际硅太阳电池会议 德国 弗赖堡 2011-04-17 2011-04-20 2011年印度光伏太阳能展会 印度 孟买 2011-04-19 2011-04-21 2011年世界可再生能源大会暨展览会 印度 新德里 2011-04-21 2011-04-23 第四届非洲可再生能源及环境国际展览会 塞内加尔 达喀尔 2011-04-27 2011-04-30 2011天津国际太阳能及光伏工程展览会 中国 天津 2011-04-28 2011-04-30 第十二届可再生能源及分布式发电会议暨展览会 意大利 维罗那 2011-05-04 2011-05-06 第三届南非与中东太阳能会议暨展会 摩洛哥 2011-05-04 2011-05-05 2011中国国际智能电网设备与技术展览会 中国 上海 2011-05-05 2011-05-07 2011亚洲太阳能光伏工业展览会 中国 上海 2011-05-05 2011-05-07 2011年印度可再生能源展览会暨大会 印度 新德里 2011-05-05 2011-05-07 第五届中欧可再生能源展会暨大会 匈牙利 布达佩斯 2011-05-05 2011-05-07 2011国际可再生能源大会（瑞典） 瑞典 林雪平 2011-05-08 2011-05-13 2011空气源热泵及配套产品展览会（广州） 中国 广州 2011-05-10 2011-05-12 2011年Genera贸易展 西班牙 马德里 2011-05-11 2011-05-13 2011印度尼西亚光伏展会 印度尼西亚 雅加达 2011-05-12 2011-05-14 2011年混合能源及有机光伏大会 西班牙 巴伦西亚 2011-05-15 2011-05-18 美国太阳能协会2011年全美太阳能大会 美国 北卡罗来纳州 罗利 2011-05-17 2011-05-21 2011中国国际新能源材料展览会 中国 北京 2011-05-18 2011-05-20 BIPV 2011上海太阳能建筑一体化产品展览会 中国 上海 2011-05-21 2011-05-23 第二届国际可再生能源和替代燃料展会暨会议 俄国 莫斯科 2011-05-24 2011-05-26 2011年Greenpower国际可再生能源展 波兰 波兹南 2011-05-24 2011-05-26 2011年中国新能源之十一五盘点十二五解读 中国 北京 2011-05-28 2011-05-29 2011俄罗斯Semicon展览会 俄罗斯 莫斯科 2011-05-31 2011-06-02 2011亚洲可再生能源展 泰国 曼谷 2011-06-01 2011-06-04 第二届小型光伏应用研讨会 德国 乌尔姆 2011-06-06 2011-06-07 2011年Intersolar展览会 德国 慕尼黑 2011-06-08 2011-06-10 第三十三届国际环保科技及绿色能源展览会 韩国 首尔 2011-06-08 2011-06-10 2011年台湾光电展暨研讨会 台北 2011-06-14 2011-06-16 第17届ICCI大会暨贸易展 土耳其 伊斯坦布尔 2011-06-15 2011-06-17 2011斯里兰卡光伏展 斯里兰卡 科伦坡 2011-06-16 2011-06-18 2011年工业能源与环境大会暨展览会 泰国 曼谷 2011-06-23 2011-06-26 第二届英国未来太阳能光伏大会 英国 伦敦 2011-06-29 2011-06-29 2011尼日利亚替代能源博览会 尼日利亚 阿布亚 2011-07-06 2011-07-08 2011（北美）Intersolar展览会 美国 加利福尼亚州 旧金山 2011-07-12 2011-07-14 2011年印尼可再生能源展会暨会议 印度尼西亚 雅加达 2011-07-14 2011-07-16 2011中国内蒙古太阳能光伏产业博览会 中国 呼和浩特 2011-07-15 2011-07-17 第五届青岛国际建筑节能博览会 中国 青岛 2011-07-21 2011-07-24 2011日本太阳能光电展 日本 幕张 2011-07-27 2011-07-29 第五届印度可再生能源展 印度 新德里 2011-08-10 2011-08-12 2011第三届广州国际太阳能光伏展 中国 广州 2011-08-11 2011-08-13 2011年ISES世界太阳能大会 德国 卡塞尔 2011-08-28 2011-09-02 2011中国（成都）太阳能国际峰会暨展览会 中国 成都 2011-09-03 2011-09-05 第26届欧洲光伏太阳能大会暨展览会 德国 汉堡 2011-09-05 2011-09-09 土库曼斯坦国际电力展览会暨科技大会 土库曼斯坦 阿什哈巴德 2011-09-08 2011-09-10 2011年第二届苏州国际光伏大会暨展览会 中国 苏州 2011-09-10 2011-09-12 第五届地中海地区国际光伏技术交易会 意大利 罗马 2011-09-14 2011-09-16 北京太阳能展 中国 北京 2011-09-19 2011-09-21 2011年海湾地区太阳能展览会 阿联酋 阿布扎比 2011-09-20 2011-09-22 2011年可再生能源技术会议暨展览 美国 华盛顿特区 2011-09-20 2011-09-22 2011光伏塑胶会议 美国 宾西法尼亚州 费城 2011-09-20 2011-09-21 2011年印尼可再生能源展览会 印度尼西亚 雅加达 2011-09-21 2011-09-24 能源技术会议暨展览会 以色列 特拉维夫市 2011-09-21 2011-09-22 中国（成都）新能源国际峰会暨太阳能展览会 中国 成都 2011-09-27 2011-09-29 2011年欧洲世界未来能源论坛暨展览会 瑞士 日内瓦 2011-10-04 2011-10-06 第七届欧洲绿色能源市场峰会 瑞士 苏黎世 2011-10-06 2011-10-07 2011年SolarMed大会暨展览会 法国 巴黎 2011-10-10 2011-10-11 2011年中国国际节能及新能源博览会 中国 廊坊 2011-10-18 2011-10-20 2011国际太阳能光伏会议 美国 德克萨斯州 达拉斯 2011-10-18 2011-10-20 2011年RENEX展会 土耳其 伊斯坦布尔 2011-10-20 2011-10-23 第二届美国聚光太阳能会议暨展览会 美国 丹佛 2011-10-25 2011-10-26 2011印度国际太阳能光伏展 印度 海德拉巴 2011-11-09 2011-11-11 2011年Productronica展览会 德国 慕尼黑 2011-11-15 2011-11-18 上海国际太阳能光伏博览会暨光伏产业论坛 中国 上海 2011-11-16 2011-11-18 第12届Solarpraxis论坛 德国 柏林 2011-11-17 2011-11-18 2011上海国际太阳能光伏大会暨展览会 中国 上海 2011-11-30 2011-12-02 第七届德雷斯中国国际太阳能光伏（深圳）展览会 中国 深圳 2011-12-03 2011-12-05 国际可再生能源展览会 法国 蒙彼利埃 2011-12-07 2011-12-10 2011印度Intersolar展会暨会议 印度 孟买 2011-12-14 2011-12-16 第5届世界未来能源峰会 阿联酋 阿布扎比 2012-01-16 2012-01-19

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UVC LED 有杀菌功能，所以可以应用在空气，水处理，物体表面的消杀。医院目前应该用的还是汞灯紫外线254nm左右波段，现在的UVC LED波段：260-280nm，semicon light的UVC灯珠使用时间可达到40000HR，韩国 semiconlight进口UVC灯珠，波段： 260-280nm 光功率：3mW, 10mW 20mW 30mW 50mW 100mW 低电压，低电流，高光功率 UVC杀菌灯珠，静动态水杀菌模块。韩国 semiconlight指定代理商：信安微电子（深圳）有限公司用途：医疗设备，水杀菌，空气杀菌，环境表层杀菌，有需要可以联系我。 谢谢。信安微电子（深圳）有限公司王洪 电话 13631509155深圳市宝安区68区留仙三路汇聚创新园A栋6楼606

京东方成iPhone 14面板供应商 　　京东方成iPhone 14面板供应商，苹果已经和京东方签署了一项OLED屏的协议，为即将发布的iPhone 14提供显示屏，京东方成iPhone 14面板供应商。 　　京东方成iPhone 14面板供应商1 　　据报道，京东方将为苹果公司2022年推出的iPhone 14系列提供OLED面板。在此之前，京东方为iPhone系列提供的通常是换新OLED面板或是旧机型的OLED面板，这次它将正式进入苹果iPhone系列当季发售新机的面板供应链，和三星显示、LG Display一起成为新机型面板供应商。 　　消息称，京东方将为iPhone 14系列提供普通机型iPhone 14的6.1寸OLED面板，供应量将占该型号面板总供应量的20%~25%。其余普通机型的面板很大可能将由LG Display供应。 　　而升级机型iPhone 14 Pro和iPhone 14 Pro Max的OLED面板，则是三星显示、LG Display共同供应。升级机型的面板为低温多晶氧化物 (LTPO) TFT OLED 面板，相较普通机型更为高级，可实现120HZ刷新率、更低能耗。 　　去年iPhone 13的面板供应主要是三星显示和LG Display，据市场研究公司Omdia数据，三星显示器为 iPhone 13 提供了 1.06 亿块面板中的 73%，而 LG Display 则占剩余的 27%。 　　京东方进入iPhone当季新机供应链，是京东方改进面板技术、产能，以及苹果努力实现供应链多元化的结果。近3年，京东方中小尺寸OLED面板产能快速攀升，根据Omdia的数据，2019年京东方中小尺寸OLED市场份额仅5.6%，2021年即提升至10.5%，几乎翻了一倍，出货量仅次于三星显示居第二位。 　　据称，京东方计划在2022年出货1亿片OLED面板。 　　另据消息称，京东方与苹果的这份合同能否顺利完成，正面临供应链的考验。京东方OLED面板的显示驱动IC（DDI）供货商和LG Display的供货商同为韩国最大的无晶圆公司LX Semicon。LX Semicon前身为LG子公司Silicon Works，后来该公司从LG剥离，归入LG新成立的控股公司LX控股，并更名为LX Semicon。 　　据韩媒报道，在全球半导体供应链紧张的情况下，LX Semicon将优先供应LG Display需要的显示驱动芯片。自今年2月以来，京东方由于DDI的短缺，OLED面板产量有所下降。如果缺货情况持续下去，京东方完成苹果合同订单将不太可能。 　　京东方成iPhone 14面板供应商2 　　按照苹果多年的惯例，每年9月的秋季发布会，都会有新机型上市。iPhone 14确实现在也已经进入了试产阶段，经过一系列调整之后就会进入正式生产，为9月份的发布会后首批产品备货。 　　综合此前的诸多爆料，iPhone 14系列今年依然是4款机型，不过取消了5.4英寸的mini版本，取而代之的是更大尺寸6.7英寸的Max版本，在外观上可能依然会延续iPhone 13的设计，继续采用直角边框方案。 　　在Pro/Max机型上，有望会是“感叹号屏”，这将是苹果五年来第一次摒弃“刘海屏”，也只会在Pro/Max版本上搭载A16处理器，在Pro系列上，主摄将升级为4800万像素，这是自iPhone 6s之后，苹果首次升级镜头像素，另有消息说是为了8K视频铺垫。 　　但根据最新消息报道，有业内人士透露，苹果的零部件制造商和设备组装商受疫情影响，上海、昆山和苏州持续的封锁以及由此产生的物流瓶颈的严重打击，苹果的多个供应商工厂都被迫停工，或是受限减产，这就可能导致即将要投入生产的iPhone 14系列无法按时交货。 　　之前iPhone 13系列就被迫采取了分批上市的策略，所以iPhone 14系列延迟也在情理之中。 　　在本季度，iPhone 13的销量在单一机型中销量领先，占了市场份额的38%，出货量5700万部，iPhone 13 Pro/Max的销量也占到了30%。而由于13系列卖的太好，苹果将在今年第二季度将iPhone 13 Pro的产量扩增约700万部，iPhone 13 Pro Max的产量扩增约300万部。 　　业内猜测，其原因除了iPhone 13卖的太好需要增产，还有一个重要因素可能是因为iPhone 14系列要延期了。据悉，苹果已经和京东方签署了一项OLED屏的协议，为即将发布的iPhone 14提供显示屏，该合同价值5000万元人民币（775万美元）。 　　这次供应只涉及6.1英寸的OLED面板，这意味着京东方只生产标准款的iPhone 14。其他型号的显示屏，包括更大的iPhone 14 Max和Pro系列将继续使用由三星和LG生产的面板。 　　今年京东方预计会给苹果提供3000万-4000万块OLED面板，相较于去年应该会实现大幅度的增长。 　　总之，此次全新iPhone 14系列会在外观、影像能力上都带来大的.变化，有可能会是近年来最大的一次更新，让我们一起拭目以待把~ 　　京东方成iPhone 14面板供应商3 　　据韩媒Chosun-biz报道，供应链相关人士透露，京东方和苹果在本月初签订了一份新合同，京东方将从6月份开始，为苹果供应可用于iPhone 14的OLED显示屏。屏幕供应量达到5000万张，将被用于6.1英寸版本的iPhone 14身上。 　　今年苹果iPhone 14系列将拥有iPhone 14、14 Max、14 Pro和14 Pro Max四款机型，屏幕尺寸分别为6.1英寸、6.7英寸、6.1英寸和6.7英寸。两款Pro型号将继续使用LTPO OLED屏幕，支持120Hz自适应刷新率，由三星独家供应。而两款标准版会使用常规的LTPS OLED面板，仅支持60Hz刷新率，由京东方和LG共同供应。 　　据了解，去年iPhone 13系列的屏幕完全由三星和LG提供，其中三星供应7700万张，占比达到73%；LG供应2900万张，占比27%。京东方同样也向苹果供应了大量OLED屏幕，但只是作为售后更换和维修使用。所以，大家并不会直接买到搭载京东方屏幕的iPhone 13，如果去售后换屏，很大概率就是换成京东方屏幕了。 　　消息表示，今年京东方预计会供应5000万片OLED屏幕，占iPhone 14系列屏幕总供应量的25%，相应的三星和LG的份额会大幅下降。LG的影响可能不会太大，毕竟本来供应比例就不高。而三星可能会失去iPhone 14标准版的这部分订单，仅向Pro款提供高刷OLED屏。 　　京东方OLED屏这次能被直接用在新机身上，可见屏幕素质完全达到了苹果的标准要求，相比三星、LG不会有太大的差距。这从侧面反映出，国产屏技术完全达到了世界一流水准。未来，凭借价格优势，京东方在苹果那边的供应量可能还会继续攀升，大家买到搭载国产屏iPhone的概率也会越来越高。

我觉得每个芯片都有自己的优势和缺点，应该不要比而是取长补短。

提起附属相机cmos是哪个厂家的，大家都知道，有人问哪些数码相机品牌拥有比较高级的CMOS，另外，还有人想问哪些品牌做相机感光元件，你知道这是怎么回事？其实现在能生产CMOS/CCD的厂商有哪些，下面就一起来看看哪些数码相机品牌拥有比较高级的CMOS，希望能够帮助到大家！ 附属相机cmos是哪个厂家的 1、附属相机cmos是哪个厂家的:哪些数码相机品牌拥有比较的CMOS 2、附属相机cmos是哪个厂家的:哪些品牌做相机感光元件 柯达、Dalsa，主要做CCD，这两个主要用在中幅机、数码后背上，徕卡M9也用柯达的。 富士，基本上做CCD 适马、索尼（尼康用索尼的）、三星（宾得也用三星）、松下、佳能，这些主要就是CMOS 3、附属相机cmos是哪个厂家的:现在能生产CMOS/CCD的厂商有哪些 因为CMOS结构相对简单，与现有的大规模集成电路生产工艺相同，从而生产成本可以降低。从原理上，CMOS的信号是以点为单位的电荷信号，而CCD是以行为单位的电流信号，前者更为，速度也更快，更为省电。现在的CMOS并不比一般CCD差，但是CMOS工艺还不是十分成熟，普通的CMOS一般分辨率低而成像较差。 目前的情况是，许多低档入门型的数码相机使用廉价的低档CMOS芯片，成像质量比较差。普及型、型及专业型数码相机使用不同档次的CCD，个别专业型或准专业型数码相机使用的CMOS芯片。代表成像技术未来发展的X3芯片实际也是一种CMOS芯片。CCD与CMOS孰优孰劣不能一概而论，但一般而言，普及型的数码相机中使用CCD芯片的成像质量要好一些。 现在能生产CMOS/CCD的厂商有哪些 由两种感光器件的工作原理可以看出，CCD(电荷藕合器件图像传感器：ChargeCoupledDevice），它的优势在于成像质量好，但是由于制造工艺复杂，只有少数的厂商能够掌握，所以导致制造成本居高不下，特别是大型CCD，价格非常高昂。在相同分辨率下，CMOS(互补性氧化金属半导体：ComplementaryMetal-OxideSemiconctor）价格比CCD便宜，但是CMOS器件产生的图像质量相比CCD来说要低一些。到目前为止，市面上绝大多数的消费级别以及高端数码相机都使用CCD作为器；CMOS器则作为低端产品应用于一些头上，若有哪家头厂商生产的头使用CCD器，厂商一定会不遗余力地以其作为卖点大肆宣传，甚至冠以逗数码相机地之名。一时间，是否具有CCD器变成了人们判断数码相机档次的标准之一。 CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电，不像由二极管组成的CCD，CMOS电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，这有助于改善人们心目中数码相机是”电老虎”的印象。CMOS主要问题是在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而过热。暗电流抑制得好就问题不大，如果抑制得不好就十分容易出现杂点。 此外，CMOS与CCD的图像数据扫描方法有很大的差别。例如，如果分辨率为万像素，那么CCD传感器可连续扫描万个电荷，扫描的方法非常简单，就好像把水桶从一个人传给另一个人，并且只有在个数据扫描完成之后才能将信号放大。CMOS传感器的每个像素都有一个将电荷转化为电子信号的放大器。因此，CMOS传感器可以在每个像素基础上进行信号放大，采用这种方节省任何的传输操作，所以只需少量能量消耗就可以进行快速数据扫描，同时噪音也有所降低。这就是佳能的像素内电荷完全转送技术。 以上就是与哪些数码相机品牌拥有比较高级的CMOS相关内容，是关于哪些数码相机品牌拥有比较高级的CMOS的分享。看完附属相机cmos是哪个厂家的后，希望这对大家有所帮助！

可以发给我具体信息，

你拆开那个盖着风扇的的后改就可以了~~~那里就是安装内存所需打开的盖子

SSC 的网址www.seoulsemicon.comLED的发光效率最好的是日亚，Cree和SSC的次之

倒，你是从英文翻译的叫记忆体吧，明明中文叫作内存-------------------------------------------------------------从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001（下载地址http://www.sisoftware.co.uk/index.htm）这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。 1、内存的定义 内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并对其存储数据的部件。存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。2、内存的分类 1）内存类型分类RAM (Random Access Memory)随机读写存储器ROM (Read Only Memory)只读存储器SRAM (Static Random Access Memory)静态随机读写存储器DRAM (Dynamic Random Access Memory) 动态随机读写存储器2）内存芯片分类FPM (Fast-Page Mode) DRAM快速页面模式的DRAMEDO (Extended Data Out) DRAM即扩展数据输出DRAM 速度比FPM DRAM快15%~30%BEDO (Burst EDO) DRAM突发式EDO DRAM 性能提高40%左右SDRAM (Synchronous DRAM) 同步DRAM 与CPU的外部工作时钟同步RDRAM (Rambus DRAM ) DDR (Double Data Rate) DRAM 3）按内存速度分PC66PC100PC133PC200PC2664）按内存接口形式分 SIMM(Single-In Line Memory Module)单边接触内存条,分为30线和72线两种。DIMM(Dual In-Line Memory Module)双边接触内存条，168线，184线，200线等，目前广泛使用168线DIMM。SODIMM Small Outline Dual In-line Memory Module144线DIMM主要用于笔记本型电脑RIMM5）按是否有缓冲分UnbufferedRegistered6）按是否有校验分Non-ECCECC3、PC66/100 SDRAM内存标注格式 （1）1.0---1.2版本 这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。 （2）1.2b+版本 其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。 4、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式 威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。 PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。 5、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式 其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。 6、RDRAM 内存标注格式 其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。 7、各厂商内存芯片编号（1）HYUNDAI（现代） 现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。 市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。 （2）LGS〔LG Semicon〕 LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。 LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。 （3）Kingmax(胜创) Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。 Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。 KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。 金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。 （5）SEC（Samsung Electronics，三星） 三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。 三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。 三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。 （6）Micron（美光） Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j 其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类： （A）、DRAM -4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3） -15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5 -8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz （B）、Rambus（时钟率） -4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns +的含义 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）、DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz （7）其它内存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。 IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

这是一条海力士DDR2 667内存2RX16表示 双面内存有16个内存颗粒，5300S表示内存带宽5.3G5 5 5-12表示内存的延迟，第二排是序列号之类的，意义不详。

DDR 266 容量256M 8颗粒x32M 采用HY芯片

输入电阻高

Rambus公司创建于1990年三月，创始人是两位出身于名牌大学的值得尊敬的先生：毕业于伊利诺斯大学的 Mike Farmwald 博士和毕业于斯坦福大学的 Mark Horowitz 博士。说实话，公司一开始不过是间不起眼的普通微电子公司。就像业界里的无数普通小公司一样，99%的这种小公司不是濒临 倒闭就是被大公司兼并。同样，Rambus公司从创建伊始就经历了一条布满坎坷的发展道路，尽管起初没有人会想到它会掀起惊涛骇浪。公司创建一个月后，也就是1990年4月，公司提出了一项关于发明Rambus工艺的专利的申请。申请并不让人满意，但是在1990年当时美国专利制度的特性就是如此：在最初的版本之后所有后来的继续努力和关于Rambus的专利申请都被认为是失败的。让我们记住这个事实因为它是公司发展史上曾经发生过的事件中意义相当重大的一件像许多内存厂家一样，当时的Rambus公司并不是JEDEC的成员。该组织的48个 成员中的一个（准确的说是第42个成员公司）正致力于设计新的DRAM类型的规格，不过进展非常缓慢。 Rambus公司的代表首次出席JC-42 会议是在1990年年末，而正式加入JEDEC组织是一直到了1992年7月。那时，Rambus公司已经赢得了一些名望：当年3月的时候，它的新型Rambus DRAM已经得到日本富士通公司、东芝公司和NEC公司的认可。Rambus公司引起人们的注意并是来自于它们自己技术标准，而是当年公司在四次JEDEC会议上投票反对批准通过SDRAM标准 （当时的整个局势对于Rambus非常有利：任天堂公司宣布它们将在新的游戏主机上采用RDRAM技术）。事情变的更加有趣了，因为JEDEC条例要求其成员公开 其专利技术－－这样这项技术才有可能得到JEDEC的批准成为所有成员都遵循的标准。1995年9月Rambus公司在没有做出任何解释的情况下拒绝表决有关SyncLink和RamLink技术的决议。其实原因很简单：Rambus公司当时已经取得了这两项技术的专利权。因为JEDEC的条令同Rambus公司的商业计划是有所抵触的，条例要求 成员在组织内部公开其技术规范，但是Rambus并不想这样做。在有关SDRAM方面的专利，Rambus也保持了沉默：它还没有得到它们。现在我们从公司的商业计划 的一段话找到了这个沉默的原因，是1992年6月12日写的：“（我们相信）Sync DRAM侵犯了我们申请的专利；我们可以对Sync DRAM涉及我们的专利权的部分提出申请。然后我们可以从Sync DRAM制造厂商那里得到专利金[酬金和版税]。我们的行动计划是在92年第三季度前确定 申请，然后到92年第四季度警告Sync DRAM制造厂商。”所以，在1992－1995年间，公司出席JC-42会议，尽管它并不会正常的被允许那样做，在聚会上使用每一个机会来宣扬其这个思想和观念。Rambus公司希望取得一个属于公司专利的大规模标准，不过在实现之前它不会告诉任何人。在恰当的时机到来之前不要告诉任何人。这一段将是我们整个故事中最激动人心的部分。1996年6月，Rambus提交给JEDEC一封信，表明公司退出该组织。信的大意是“我们退出并不再缴费，因为我们的商业发展计划不适合JEDEC组织有关尊重专利权的政策。顺便说一句，我们已经得到了专利：专利号XXX”。一句话也没涉及SDRAM。确实当时PC66/100规格的小样已经完成了，有的芯片厂家已经开始投产了。到这时，Rambus立足已稳，对于RDRAM发展成为一个稳定的盈利途径充满了信心。我们没有机会掌握详细资料，但是无论如何，1996年11月，在经过了几年的谈判之后，Intel公司同Rambus公司签署了一些协议来共同致力于将Direct Rambus DRAM发展成为一项广泛承认的标准规范。这种内存类型由两家公司共同协作开发。 协议特别规定，Intel公司要在随后两年后推出支持 DRDRAM 内存的芯片组，也就是在1998年底前推出这样的芯片组产品。营利 当然是促成Intel公司同Rambus达成这笔交易的最大原因，此外还有一个方面值得一提：Intel公司始终认为Direct DRAM是现有的内存类型中最理想的内存技术，始终认为它可以凭借这个技术轻而易举的赢得市场。话说从头，退回到革命年代。在处理器市场上，Intel用Socket-370接口接替了Slot-1接口。在显卡领域，Intel公司用AGP取代 了PCI，尽管后者前者同样都是开放。显然，向着新型内存过渡是势在必行的了。Slot 1接口的Pentium III和Socket370 Pentium III当时业界面临着在Double Data Rate DRAM和SyncLink DRAM之间进行选择的局面，这两种内存规格实际上在1996年 就已经基本就绪了。在1997年，大的内存生产厂家开始着手设计DDR DRAM内存颗粒，SLDRAM 协会也随之成立，Micron公司积极的 推广这种内存规范。内存生产厂家认为在现有基础和架构发展上，比Intel公司只是追求性能的做法更好。后来的情形也的确是DDR占了上风并主宰了市场， 目前SLDRAM相关的技术已经被用于开发DDR-II上。当然，过多的谈论这些不免有些事后诸葛的味道。简单的来说，1996年11月Intel公司选择了DR RDAM并宣称这种内存类型将要取代PC100 SDRAM。如果我们回忆一下当时的全部情形－当时市场上只有PC100类型内存，Intel公司关于DR DRAM的预言给人留下深刻的印象－我们应该赞同这种内存类型能够全面的取得领先地位。每个人都还记得Intel公司在PC100的发展过程中起到的主导地位。这是Rambus当年在股票市场上大获成功的原因，在最初的几日里取得98%的涨幅。是的，事实上没有人会怀疑它的价值。 在微处理器论坛上Intel和Rambus公司宣布将会于1999年联手将这项技术投放市场。这只限于具有1.6GB/s带宽的800MHz DR DRAM。它们允诺到时RIMM模组的容量会在32MB到1GB之间，而物理特性和发热量同SDRAM相当。它们还骄傲的宣称，绝大多数内存厂商向它们申请并得到了这种技术的许可。大获全胜，真正意义上的胜利！LG Semicon, Samsung, Mitsubishi－几乎全部的厂家都选择了DR DRAM。当然，它们已经习惯了这样。产品多样化是业界的常事，某个公司不同时期生产不同类型的内存也是司空见惯。当然，没人愿意错过一项有前景的新 技术，也许今后能主宰市场。同样，没有人打算把全部身家都投入到DR DRAM上去：对DR DRAM大唱赞歌的公司同时也在发展DDR DRAM或者SLDRAM工艺，甚至两者都有。 Intel的老对手开始发放K7处理器许可证，对于OEM厂商来说到了抉择的时刻。此时，AMD并不想把K7的前途维系于某种类型的内存上。此时，Rambus公司的一个副总裁宣称DR DRAM将成为业界内存规范，因为此时一些业界巨头如IBM和康柏的名词已经出现在了许可名单的列表中。一个月以后，在Comdex 98 Fall会上，Intel展示了运用了DR DRAM内存的家用电脑。然而，演示游戏却是Forsaken－－这款游戏对于内存带宽并没有多高的要求。Rambus公司也承认其在延迟时间方面存在问题，不过其声称问题已经解决了，而且强调即使其DR DRAM时钟周期之间的等待时间是10ns，这比其它的规格的内存都要快。受合同限制，Intel公司虽然也对那些新工艺怀有浓厚兴趣，只能尽力支持Rambus，并在财政上激励内存制造厂商。Micron公司收到5亿美元，三星1亿美元，与NEC和东芝的谈判也取得进展。Rambus公司许诺在1999年上半年开始DR DRAM的大规模生产，所以1999下半年问世的i820主板会直接带动i820基础的计算机的大规模生产高潮。那是天堂里最后的日子。随即RDRAM暴露出来的问题使得i820芯片组一再的延期，大部分重要的制造厂商根本不能确认是否要生产新型内存。我想你可能不记得S-RIMM了，那是Intel的一项建议来应付预期的DR DRAM芯片缺乏。那是一个电源转接RIMM模块来获得3.3V电压，这样才能允许在印刷电路板上使用PC100 SDRAM内存芯片。 这个期间，VIA挑头的企业联盟把赌注都压在PC133 SDRAM上，它们一直不懈的在做着针锋相对的竞争。内存模组生产商一再宣称：“到年底市场需求将肯定到来，我们不知道需要会 有多么高，但希望做好准备”。因此，它们不断的在模组测试上投资，试图战胜竞争者。连接器和频率发生器制造厂商都做好准备等待六月的开始，显示芯片和显卡制造商计划在i820六月份投放市场之后大量生产新型的AGP 4x产品。Rambus公司的上市股票达到了最高价：109-15/16美元。 一月即使在黄金时期也存在问题。特别是在年初 DR DRAM 的设计远非完美。 其实，DR DRAM技术中接口的内涵要比芯片设计更加重要。制造厂商要投产这种内存需要彻底的另起炉灶，无法在现有设备上改造。DR DRAM技术遭到了工作站和服务器 厂商抵制，因此没有厂商生产这个领域的rambus芯片组。这种情况使得Intel公司不得不开发能支持DDR DRAM内存的服务器芯片组。价格昂贵 却还有一些解决不了的问题，估计没有人愿意使用这种内存，虽然Intel也推出了支持Rambus的i840，但是这款芯片组最高只能支持2GB容量的内存－－服务器厂商绝不是小孩子那样的容易糊弄。二月与Intel和Rambus最初的乐观估计相反，好运不再站在它们这边，真正的问题在稍后的时间里暴露无疑。到二月份完全转运了， 传言说仅支持600MHz DR DRAM的Camino Lite芯片组会在六月问世。三星表示已经预先计划好了，日立则表示：“我们对600MHz DR DRAM一无所知”。 后来，我们在11月份才看到了600MHz DR DRAM，并且计划大量用于PC。随即春季IDF召开，就在一年以前，IDF"97正式宣布DR DRAM，各个厂商在过去的一年内为此做了大量的工作，但是成果呢？因为技术问题和内存厂商低的生产能力，i820的上市推迟了三个月，直到9月份。 当时每生产四个频率发生器只有一个符合其规格，同时八个内存厂商里只有五个宣布支持这种新型内存，而且几乎没有一家厂商的内存模组通过了认证。 用户也发现唯一支持DR DRAM内存的芯片组并不是那么好，为此Intel推出了支持133MHz的i815芯片组，无疑，这是权宜之计。更惨的是i820+DR DRAM的组合受到了猛烈的批评，发热量大、不稳定、与SDRAM相比昂贵的成本和专利使用费用。在这个月，威盛正式宣布成立一个研发团队来开发PC133，其实这个研究小组在一月中旬就已经投入工作了。三月又一个打击紧随而至。月底，公众了解到Intel基于DR DRAM设计的 芯片产品存在bug：MTH对由MTH总线信号的同步开关引起的主板/系统噪音过于敏感。该问题表现为在操作时发生间歇性的系统重启或死机。由于这一噪音敏感问题在极端的条件下有可能导致数据破坏。四月Intel开始很快的丢失市场份额。Intel试图通过提高内存带宽来召回大家的关注，于是通过了一个过渡性的700MHz DR DRAM规范。这是一个可行的步骤，既然行业内的每个人都对600MHz DR DRAM没兴趣，而800MHz又可能对制造厂家来说要求过于高了。当然，在进行了几年的研发，在最终的产品发布之前的半年内又进行了如此多的改变，我们不可能称之为稳定的设计。但是Intel和Rambus公司仍然宣称不管有多大的困难，i820/DR DRAM将要在九月份问世。 但是DR DRAM依然被诸多问题所困扰。三星依然坚定的站在Intel/Rambus这一边，它一再告诉每个人PC133 SDRAM不过是孩子的玩具，而128bit DR DRAM芯片市场1999年预计将达到5千万片。但是与此同时三星公司却仍然在供应PC133。在这个期间，Intel的部分官员也对于Rabus的坚决立场有了松动。Paul Otellini，Intel架构事业群副主管曾经这么说过：“我不认为Rambus是必须的，没有它我们依然可以使用133MHz总线”。那么如果能使用，Intel为什么不使用呢？几个月之后，Intel终于迈出了这一步。四月底－五月初威盛公司推出它的Apollo Pro133芯片组，没有理会Intel挥舞的GTL+许可证并声称它不能适用133MHz系统总线。为了发出最后的通牒，Intel公司的一个推广事务部以所有可能和莫须有的罪名来控告威盛公司。起诉当天又撤消了，因为这仅仅是一个警告。 同期，矽统公司发布SiS630芯片组,其支持AGP 4x、UltraDMA/66、133MHz系统总线和PC133 SDRAM内存。Apollo Pro133芯片组北桥五月Intel推出了错误百出的i810芯片组。威盛则继续生产Apollo Pro133。内存制造商 则继续改进工艺，比如缩小DR DRAM芯片尺寸，并开始生产PC133 SDRAM芯片。到9月份，i820面世的时候，大部分制造厂商已经开始采用0.20微米 制程。当然AGP 4x显卡虽然已经出现，但是支持这种模式的平台并不多。RIMM模组连接器的厂商开始增大它们的生产量，它们都拥有每月生产80万件能力的设备，并且在九月份完全可以满足实现150万需求的需要，这些厂商都满怀希望，现在的苦心经营到时候会有满意的回报。看起来很熟悉，不是么？是的，这和我们在12月到1月份看到的情况是一致的。同样的匆忙，同样的最后的准备，同样的希望成为第一批提供为i820配套的产品。只不过当时这些公司投资是因为相信Intel公司许诺六月份将大量生产i820，而现在，变成9月份。在这个月，Intel已经推出了A1版本的i820芯片组。主板制造商一直认为它是一款并不成熟的芯片组，而且设计和测试芯片组需要的设备花费不菲，大部分制造商并不具备这样的设备条件。台湾厂商的情况远不能让人乐观。由于Rambus的情形十分的不明朗，所以内存制造商仍然继续生产DDR DRAM和开发128, 256, 512MB甚至 1GB内存颗粒。而且已经推出了128MB样品。当时的情形是内存厂商已经准备好开始大量生产DDR DRAM，只需要等待支持它的芯片组的推出，i820/DRDRAM的情况却正相反。六月AMD宣布将 对于DRDRAM的支持推迟一年，同时将主要精力转向PC100和PC133。另一方面，有消息说IBM公司不打算在它们当年的计算机里使用DR DRAM，这重挫了Rambus公司和Intel公司的股价。第二天，IBM公司发言人谴责新闻记者撒谎，并确认IBM将使用DR DRAM，至少是在其高端个人电脑中使用。两天后，在Computex"99上，威盛展出它的Apollo Pro133——首款采用133MHz系统总线的PC主板芯片组。同时展出的还有许多基于Apollo Pro133芯片的主板：ASUS、Gigabyte、MSI的产品。SiS, ALi和Reliance公司也同样预计将很快 推出它们的PC133芯片组。多数分析人士认为PC133是向DDR DRAM过渡的桥梁而非Direct Rambus DRAM。Intel公司也开始频频暗示它们对于PC133 SDRAM的兴趣，如果 真的需要它并不不会排斥它。如果这种标准将被广为接受，为什么不应用呢？Intel花费了5个月的时间才得出这样的结论。关于这个问题的最后决议将在九月份的IDF上做出。 从此，Intel决定用自己来取代威盛。Intel的所有客户接到一封信称威盛支持133MHz系统总线的芯片组超越了威盛头一年11月份 从Intel所得到的许可范围。Intel公司表示可以忽略威盛已经送到客户手中的芯片组样品的事实，但是这种情况绝对不能再次出现。看上去警告并没有起到作用，大约10天之内Intel公司收回了威盛的许可证并控告威盛罪名包括违反合同、侵犯专利权、负面的广告和不公平竞争。同时把专利许可授予了ALi公司。威盛准备维护自己权益。我们已经知道它们的维权方式：公司的头并没有在硅谷浪费时间，而且同国家半导体进行了卓有成效的谈判。Intel仍然在致力于完善i820。B0版本比前一个版本有了些许改进，B1版本 也没有避免遭受批评的命运。尽管i820芯片组仍处于开发阶段，戴尔公司发布了支持DR DRAM内存新的工作站系列：Precision 220、420、 620,预计九月上市 －－这算是给了Intel一剂强心针。七月Intel终于可以给客户带来一些好消息 ，它展示几款由台湾主板大厂开发的基于i820芯片组的主板，其中包括了一款可以运行的ASUS主板。当Intel公司继续完善芯片组的时候，威盛正式发布Apollo Pro133芯片组并开始批量出货。八月相当的平静，然后九月终于到来了。九月在九月的第一天开幕的Intel开发论坛上，Intel再次展出一个采用800MHz DR DRAM的系统，并宣布将在2000年初大量生产支持PC133的芯片组。Dell公司所做的有关DR DRAM vs. PC100 SDRAM的测试数据表明两种内存类型在应用软件性能上没有太大的差异。i820上市两周前，测试数据出现在各种各样的网站。后来随着驱动程序的改进，测试结果也明显的改善。 ASUS、AOpen、ABIT、Chaintech 公司都公开它们基于i820的主板规格。如同晴天霹雳：在i820上市一周前，Micron公司宣布将在它们生产的个人电脑中首选Apollo Pro133A而不是i820芯片组 。它们称 高性价比更加具有吸引力。如Micron公司所言，在典型商业应用软件上两者性能差距只有约2-3%。Micron公司是唯一的 按照常规进行判断并做出决定的大型个人电脑制造商，而其余的厂家都迷信于Intel。它们（听从Intel的家伙）付出了昂贵的代价。几天后Intel再次推迟i820上市，原因是一个未考虑到的设计错误：第三RIMM插槽存在故障，即使这个插槽不被使用（内存 位错误）。据估计，这导致主板制造商损失100万i820主板产品。假设每一个主板的价值是100美元，那么总损失将达到1亿美元！当时内存制造商已经不对DR DRAM太感兴趣了，因为SDRAM的价格 不断增长（我们在谈论1999年秋天！），而现在它们完全丢掉了对DR DRAM哪怕最小的兴趣。它们开始把生产线转向制造64MB SDRAM。是啊，它们必须弥补每一片为DR DRAM而献身失去价值的硅片造成的损失。 DR DRAM并没有为Rambus带来一分钱的利润，同时业内却选择了PC133 SDRAM并生产 了数以百万计的这种芯片么。面对这种情况，Rambus决定收取许可费用。于是，在2000年开始的时候，Rambus发布了一个出人意料的公告：PC100/133 和DDR SDRAM都是基于它——Rambus的专利，所以所有的内存制造商必须支付 授权费用。费用的总和，按照一些官方说法，高的惊人。看起来Rambus 的人更像是生意人而非工程师，因为它们的在法律上和经济领域的举动是完美的。它们轻易的利用了与之对抗的公司的弱点。东芝是首家做出让步的公司，2000年6月16正式从Rambus处得到SDRAM的生产许可。因为东芝为新的Sony PlayStation 2配套生产RDRAM，经受不起许可证的取消。 这是Rambus全面失败的一年，堪称它的滑铁卢。三月，法官Robert Pain裁决Rambus和Infineon之间的诉讼， 原告没有能够提出证据证明它所起诉的Infineon侵犯了其SDRAM专利权。从此以后一切都明朗化了：Anglo-Saxon法主要是依靠判例，所以首个判决结果稍后将左右正在进行的那些诉讼的审判。事实的确如此。Rambus还起诉了Hyndai(现在是Hynix)和Infineon， 这两家公司反诉了Rambus。审判过程也许要持续上几年，但是从司法角度来看：Rambus输了。 Rambus输了，但是它也赢了。站在不同的角度来看，众说纷纭。从经济的角度来看，Rambus很明显是赢了，尽管不想事先预想的收入那么丰厚。Intel公司不惜一切代价要生产规范的Pentium 4主板（支持DDR内存），只能选择赔偿Rambus。2001年9月，它们签署了一个合同，内容是Intel必须连续五年内每季度支付给Rambus公司500-800万美元！从市场的角度来看，i820芯片组是彻底的失败！i850/i850E的情况还不那么明朗，因为它们是目前唯一能满足采用533MHz FSB的Pentium 4处理器高带宽需求的，同时由于采用了0.13微米制造工艺DR DRAM价格也开始下降 －－不过，Intel公司已经推出开始支持PC2700 DDR的芯片组，它们提供使用双通道PC800 DR DRAM内存相似的内存带宽。 这个故事是很具有教育意义的，能有助于我们了解计算机市场的一些法则。所谓的法则就是由于经济上的效力，开放的架构是首要的。Intel和Rambus两家妄图用它们的方式来引领市场事实证明是失败的。Intel公司并不是科技市场的绝对权威领导者。可能它是业界最有实力的公司，但是市场不会盲从于它，市场永远追随性价比。想把一个不起眼的产品强加给市场任谁也无能为力。

是集成声卡的驱动。

LBSEMICON商标总申请量1件其中已成功注册0件，有1件正在申请中，无效注册0件，0件在售中。经八戒知识产权统计，LBSEMICON还可以注册以下商标分类：第1类（化学制剂、肥料）第2类（颜料油漆、染料、防腐制品）第3类（日化用品、洗护、香料）第4类（能源、燃料、油脂）第5类（药品、卫生用品、营养品）第6类（金属制品、金属建材、金属材料）第7类（机械设备、马达、传动）第8类（手动器具（小型）、餐具、冷兵器）第10类（医疗器械、医疗用品、成人用品）第11类（照明洁具、冷热设备、消毒净化）第12类（运输工具、运载工具零部件）第13类（军火、烟火、个人防护喷雾）第14类（珠宝、贵金属、钟表）第15类（乐器、乐器辅助用品及配件）第16类（纸品、办公用品、文具教具）第17类（橡胶制品、绝缘隔热隔音材料）第18类（箱包、皮革皮具、伞具）第19类（非金属建筑材料）第20类（家具、家具部件、软垫）第21类（厨房器具、家用器皿、洗护用具）第22类（绳缆、遮蓬、袋子）第23类（纱、线、丝）第24类（纺织品、床上用品、毛巾）第25类（服装、鞋帽、袜子手套）第26类（饰品、假发、纽扣拉链）第27类（地毯、席垫、墙纸）第28类（玩具、体育健身器材、钓具）第29类（熟食、肉蛋奶、食用油）第30类（面点、调味品、饮品）第31类（生鲜、动植物、饲料种子）第32类（啤酒、不含酒精的饮料）第33类（酒、含酒精饮料）第34类（烟草、烟具）第35类（广告、商业管理、市场营销）第36类（金融事务、不动产管理、典当担保）第37类（建筑、室内装修、维修维护）第38类（电信、通讯服务）第39类（运输仓储、能源分配、旅行服务）第40类（材料加工、印刷、污物处理）第41类（教育培训、文体活动、娱乐服务）第42类（研发质控、IT服务、建筑咨询）第43类（餐饮住宿、养老托儿、动物食宿）第44类（医疗、美容、园艺）第45类（安保法律、婚礼家政、社会服务）

SS36肖特基二极管，SMA（DO-214AC）封装，具体参数如下：最高峰值反向电压VRRM：60V最大反向有效值电压VRMS：42V最大直流截止电压VDC：60V最大平均正向整流电流I(AV)：3A峰值正向浪涌电流IFSM：100A最大正向压降VF：0.7V反向漏电流IR：0.5mA（TA=25℃）/20mA（TA=100℃）结电容CJ：300pF典型热阻RqJA：55℃/W工作结温TJ：-65℃ to 125℃SS36肖特基二极管

请详细说明可发邮件给我wenfeng@hanyangsemicon.com

SS36与SK36参数上没有区别，主要参数：肖特基势垒二极管，3A；60V；贴片封装；其他参数也没有区别。唯一区别是制造厂商不同，SS36由Vishay Semiconductors等十几家厂商制造；SK36由TY Semicondutor、PanJit International, Inc等十几家厂商制造。这就象555集成电路一样，有NE555，有LM555、UX555、CA555一样，它们的参数没有区别，只是制造厂商不同。SS36与SK36参数对比如图：

没有外置内存条扩大电脑内存可以通过增加内存条来实现1、增加的内存要和原来的频率要一致。比如原来是1333的，最好也找1333的内存。2、频率如果找不到一致的，DDR3代内存，可以找相近的频率。比如1066的，一般可以用1333的，但不要用1600的，很可能不兼容。3、老主板增加内存，最好用双面16颗粒的，比单面8颗粒或单面4颗粒的兼容性好得多。4、笔记本，往往有一些机型只支持低电压内存，增加时要注意，如果买了标准电压，可能会因为供电不足而不稳定。扩展资料：一、内存的性能指标评价内存条的性能指标一共有四个：(1) 存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍为1GB到8GB。(2) 存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。(3) 存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。(4)性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。二、笔记本的内存大体可以分为EDO、SDRAM、DDR三种。几大知名内存厂家及代号：现代电子(Hynix)：HY ，三星(SAMSUNG)：KM或M ，西门子(SIEMENS)：HYB ，高士达LG-SEMICON：GM ，三菱(MITSUBISHI)：M5M ，富士通(FUJITSU)：MB 等。参考资料来源：百度百科--内存条参考资料来源：百度百科--笔记本内存条

一般是可以插两个

第17届中国国际建筑、装饰展览会暨专业屋面、墙面、地面材料及门窗幕墙展览会 / 第17届中国国际建筑装饰科技精品展览会暨第九届中国国际建筑陶瓷及卫浴科技精品展览会 / 第十八届上海国际酒店用品博览会 / 第十一届中国清洁博览会 3月29日-4月1日 W1-W5,E1-E6 第17届中国国际石材产品及石材技术装备展览会 4月6- 9日 W1-W4 上海国际珠宝首饰展览会 4月9-12日 E4-E5 第92届中国针织品交易会 4月11-13日 E1-E3 中国国际橡塑展 4月19-22日 W1-W5,E1-E6 中国（上海）国际风能展览会暨研讨会 /第8届中国国际动力设备及发电机组展览会 4月27-29日 E4-E6 中国国际自行车展览会 /中国国际电动自行车展览会 4月27-30日 W1-W5,E1-E3 中国国际环保、废弃物及资源利用展览会和2010中国国际给排水水处理展览会 5月5-7日 E1-E4 国际太阳能及光伏会议暨展览会 5月5-7日 W1-W5 世界客车博览亚洲展览会 5月6-8日 E5-E6 中国国际焙烤展览会 5月12-15日 E1-E6 中国国际模具、模具设备展览会及相关工业展览会 5月11-15日 W1-W5 中国国际美容化妆洗涤用品博览会 5月19-21日 W1-W5 中国国际食品和饮料展 / 第十届上海国际包装和食品加工技术展览会 5月19-21日 E1-E4 2010中国国际轨道交通展览会 / 2010 中国国际隧道与地下工程技术展览会 5月19-21日 E5-E6 这是最新的展会信息你要是还想了解其它月份的展讯可以到凹凸会展网上搜索一下

08年已经过去了我把部分09年的给你参考参考吧上海新国际博览中心 上海新国际博览中心2009年展览计划（资料截止至2008年12月10日） 编号 展会名称 时间 馆号 1 第十五届中国国际石材产品及石材技术装备展览会 2月15日-2月17日 W1-W5 2 第十届中国国际林业、木工机械与供应展览、第十届中国国际家具配件及五金展览、第八届中国国际家具及建筑用木制品展览 2月17日-2月20日 E1-E4 3 第90届中国针棉织交易会暨中国国际针纺织品博览会 2月22日-2月24日 W1-W3 4 中国华东进出口商品交易会 3月1日-3月5日 W1-W5,E1-E6 5 2009上海国际服装纺织品贸易博览会 3月10日-3月12日 W2-W4 6 第十四届中国国际五金博览会 3月10日-3月12日 W1,E1-E6 7 第18届中国国际电子电路展览会 /SEMICON CHINA 2008 /慕尼黑上海激光、光电展 3月17日-3月19日 W1-W5,E1-E6 8 第10届中国国际地面材料及铺装技术展览会 3月24日 -3月26日 W1-W2,E1-E6 9 2009中国国际遮阳与节能技术博览会 /2009中国国际门及门禁系统展览会的信息 3月24日 -3月26日 W4-W5 10 第17届中国国际建筑、装饰展览会暨专业屋面、墙面、地面材料及门窗幕墙展览会 /第17届中国国际建筑装饰科技精品展览会暨第九届中国国际建筑陶瓷及卫浴科技精品展览会 /第十八届上海国际酒店用品博览会、第八届中国清洁博览会 3月31日 - 4月3日 W1-W5,E1-E6 11 2009上海励华国际彩盒展/2009上海励华国际瓦楞展 4月7日 - 4月10日 E1-E5 12 世界客车博览亚洲展览会 4月8日 -4月10日 W2-W3 13 中国（上海）国际风能展览会暨研讨会 /第8届中国国际动力设备及发电机组展览会 4月8日 -4月10日 W4-W5 14 2009世界旅游资源博览会 4月9日-4月11日 W4-W5 15 第十三届上海国际汽车工业展览会 4月22日-4月28日 W1-W5, E1-E6 16 中国国际自行车展览会 /中国国际电动自行车展览会 5月4日-5月7日 W1-W5,E1-E3 17 第三届国际太阳能及光伏会议暨展览会 5月6日-5月8日 E4-E6 18 第十一届中国国际焙烤展览会 5月12日-5月14日 W1-W4 19 上海国际珠宝首饰展览会 5月12日-5月15日 E1-E2 20 第二十届中国国际玻璃工业技术展览会 5月13日-5月16日 E3-E6 21 第14届中国国际美容化妆洗涤用品博览会 5月18日 -5月20日 W1-W5 22 第十届中国国际食品和饮料展 5月19日-5月21日 E2-E4 23 第九届上海国际包装和食品加工展览会 5月19日-5月21日 E1 24 第7届中国(上海)国际家具展览会暨上海国际家居饰品展示会 5月19日-5月21日 E5-E6 25 第14届中国国际建筑贸易博览会及其配套主题展 5月25日 -5月28日 W1-W5,E1-E6 26 中国国际模具、模具设备展览会及相关工业展览会 6月2日-6月5日 W1-W3 27 第十四届北京埃森焊接与切割展览会 6月2日-6月5日 E1-E6 28 上海国际纺织机械展览会 6月12日-6月15日 W1-W5,E1-E6 29 2009中国（上海）国际纺织品及面辅料博览会 /2009中国（上海）国际服装服饰贴牌加工博览会 6月23日-6月25日 W3-W4 30 2009年世界制药原料中国展览会 6月23日-6月25日 E1-E6 31 亚洲食品配料及技术展览会 6月23日-6月25日 W1-W2 32 第103届中国文化用品商品交易会 6月29日- 7月1日 E1-E3 33 2009上海国际设计周 6月30日- 7月1日 W4 34 国际泳池、浴场技术和桑拿、理疗及康体设备展览会 6月30日- 7月1日 W3 35 中国国际铝业展 6月30日- 7月2日 W1-W2 36 第17届上海国际印刷包装纸业工业展览会/第17届上海国际广告技术设备展览会 7月7日-7月10日 W1-W5,E1-E6 37 第十五届中国国际加工、包装及印刷科技展览会 7月15日-7月17日 W1-W4 38 2009上海国际机床展览会 /韩国机械展 7月15日-7月17日 E1-E5 39 中国国际造船工业装备及船舶建造设计展 7月23日-7月25日 E1-E2 40 中国国际数码互动娱乐产品及技术应用展览会 7月23日-7月26日 W1-W2 41 第九届时尚育儿孕婴童产品博览会 7月29日-7月31日 E1-E3 42 第103届中国日用百货商品交易会 7月30日-8月1日 W1-W3 43 第二十届中国（上海）国际建材及室内装饰展览会 /第五届中国(上海)国际建筑节能及新型建材展览会 8月18日-8月21日 E1-E3 44 上海国际汽车材料及装备技术展览会 8月18日-8月21日 W1-W2 45 中国国际家用纺织品及辅料博览会 8月25日-8月28日 W1-W5,E1-E5 46 中国国际针织博览会 8月26日 -8月27日 E5 47 第六届上海国际不锈钢展览会 9月1日-9月3日 E1-E2 48 中国国际皮革展/中国国际鞋类展/中国国际箱包,裘革服装及服饰展 9月2日-9月4日 W1-W5 49 世界食品中国展览会 /中国国际甜食及休闲食品展览会 9月2日-9月4日 E3 50 中国国际家具展览会 9月9日-9月12日 W1-W5,E1-E6 51 中国国际五金展览会 9月16日-9月18日 W1-W5,E1-E5 52 中国国际缝制设备展览会 9月22日-9月25日 W1-W5,E1-E2 53 2009年中国(上海)国际乐器展览会 10月13日-10月16日 E1-E6 54 2009年上海国际专业灯光音响展览会 10月13日-10月16日 W1-W2 55 第八届中国国际玩具、模型及婴儿用品展览会 10月14日-10月16日 W3-W5 56 中国国际产业用纺织品及非织造布展览会 10月20日-10月23日 W5 57 中国国际纺织面料及辅料（秋冬）博览会 10月20日-10月23日 W1-W4,E1-E6 58 亚洲国际动力传动与控制技术展览会/亚洲国际物流技术与运输系统展览会 10月26日-10月29日 W1-W3,E1-E6 59 第十四届中国国际医药（工业）展览会暨中国国际医药工业论坛 10月27日-10月29日 W4-W5 60 第七届上海国际美发美容节 10月28日-10月30日 W1 61 第11届中国国际工业博览会 11月3日-11月7日 W1-W5,E1-E6; 62 第73届中国电子展暨2009年亚洲电子展 11月11日-11月14日 W1-W5 63 2009中国国际文具及办公用品展览会 11月11日-11月13日 E1-E4; 64 中国国际橡胶技术展览会/亚洲埃森轮胎展 11月11日-11月13 E5-E6 65 第十七届中国国际食品及酒店设备用品博览会 11月18日-11月20日 W1-W4 66 2009年中国国际涂料展览会和中国国际表面处理展览会 11月27日-11月29日 E1-E5 67 2009亚太国际塑料橡胶工业展览会 11月24日-11月27日 E1-E4 68 2009年中国国际海事技术学术会议及展览会 12月1日-12月4日 W1-W5 69 2009亚洲标签展 12月1日-12月4日 E1-E2 70 中国国际饮料工业科技展 12月1日-12月3日 E5-E6 71 第六届亚洲打印耗材展览会 12月2日-12月4日 E3-E4 72 环球资源流行服饰配件采购交易会及环球资源婴儿及儿童产品采购交易会 12月9日-12月12日 E1-E5 73 上海国际汽车零配件、维修检测诊断设备及服务用品展览会 12月10日-12月12日 W1-W3,E1-E6 上海光大会展中心和其他地方的还待定 ，你可以加我的QQ 我整理下再告诉你

韩国LG有化学领域，通讯（服务）领域，电子领域、LX等等电子领域：lginnotek（伊诺特）、lgdisplay（乐金）、 lg电子化学领域：lgensol（能源）、lg化学、lg生活健康（化妆品、生活用品）通讯（服务）领域、lghellovision、GⅡR、LG CNS、S&I Corp、lgmdi、lg体育LX：lxholdings、LX International、lxpantos（综合物流）、lxhausys、lxsemicon、LX MMA。望采纳 哈哈

Field emission - Fowler-Nordheim tunnelingField emission - also called Fowler-Nordheim tunneling - is the process whereby electrons tunnel through a barrier in the presence of a high electric field. This quantum mechanical tunneling process is an important mechanism for thin barriers as those in metal-semiconduictor junctions on highly-doped semiconductors.场发射特性也称为Fowler-Nordheim隧道效应，低维材料中的电子在外加电场作用下穿过势垒的过程。在金属半导体异质结和重参杂半导体中，这种量子隧穿效应起着重要的作用。

U盘的芯片？？你说的是记忆芯片还是控制芯片。记忆芯片基本是跟内存条厂家差不多。有SEC（Samsung Electronics，三星），现代（HY），LGS〔LG Semicon〕 LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。Geil(金邦、原樵风金条) 。Micron（美光）。其中三星的和现代的用的最多最广。可以说是比较好的。控制芯片厂家就堕入牛毛了，能复合WINDOWS和USB规范的都可以，这个我国能做。U盘芯片是分等级的，有A级、黑片、白片等说法。那么，什么样的芯片是A级芯片，什么样的芯片又是黑片、白片芯片呢？ 芯片的构造中有一个比较核心的部件叫晶圆。优盘芯片的等级就是按照晶圆的容量大小来划分的。A级芯片一般晶圆的容量是高于93%的，大多是工厂封装出品，平时我们也称之为原装芯片或A品芯片。这类芯片大多用在知名品牌闪存盘上，一般都提供有质保。低于93%容量的晶圆被称为Downgrade Flash，不再打上原厂的标志，由一些小封装厂进行加工。其中相对足量，使用稳定的一般称之为白片。价格一般为A级品的7至8成。黑片：待封装芯片中容量严重不足、质量难以保障的为黑片。另外，部分不良商家回收废旧闪存芯片打磨而成的闪存芯片一般也称之为黑片。

LG是哪国品牌LG是韩国品牌。韩国LG集团于1947年成立于韩国首尔，位于首尔市永登浦区汝矣岛洞20号。是领导世界产业发展的国际性企业集团。LG集团在171个国家与地区建立了300多家海外办事机构。旗下子公司有：LG电子、LGdisplay、LG化学、LG生活健康等，事业领域覆盖化学能源、电子电器、通讯与服务等领域。LG的海外规模：LG集团在世界6个国家设立了31所研究中心，科研开发的投入已占集团总收入的5%。正通过海外研究机构，进一步加强着自身的技术力量。LG集团在美国的芝加哥、圣佛塞、圣地亚哥，在日本的仙台、在德国的都塞夫和爱尔兰的都柏林等地的科研机构正在利用高尖端的科研设备，大力开展各项科研活动，为实现高科技社会的早日到来而努力。韩国lg是什么公司?1、LG是一家集化学能源、电子电器、通讯与服务等产业于一体的企业集团，由莲庵具仁会于1947年创立，总部位于韩国首尔。1958年成立了分公司金星社。2、3、LG集团目前在171个国家与地区建立了300多家海外办事机构。旗下子公司有：LG电子、LGdisplay、GS加德士、LG化学、LG生活健康等，事业领域覆盖化学能源、电子电器、通讯与服务等领域。4、5、更多关于韩国lg是什么公司，进入：查看更多内容lg是什么牌子LG是韩国的牌子，主要经营电子，化学，能源，通信服务，金融等行业。韩国LG集团于1947年成立于韩国首尔，位于首尔市永登浦区汝矣岛洞20号。是领导世界产业发展的国际性企业集团。LG集团目前在171个国家与地区建立了300多家海外办事机构。旗下子公司有：LG电子、LGdisplay、LG化学、LG生活健康等，事业领域覆盖化学能源、电子电器、通讯与服务等领域。扩展资料据韩联社报道，2018年5月20日上午9时52分，韩国LG集团会长具本茂去世，享年73岁。韩国《亚洲经济》报道显示，LG集团已经在5月17日召开临时股东大会，通过了关于任命具光谟为LG集团内部董事的推荐书。外界认为，这是具本茂养子具光谟接棒的信号，进入董事会是接任会长的第一步。现年40岁的具光谟并非具本茂的亲生儿子。根据LG集团传统的长子继承原则，2004年，具本茂弟弟的儿子具光谟过继给了膝下只有两个女儿的具本茂。具光谟在2006年进入LG电子工作，目前，具光谟是LG集团的第三大股东，共持有6.24%的股权。然而，即将成为第四代掌门人的具光谟日子并不好过。5月初，LG推出新一代旗舰智能手机G7ThinQ。但新品亮相不久，就因采用“刘海”和窄边框设计，外观上与苹果去年推出的iPhoneX如出一辙而饱受批评。参考资料来源：人民网-被市场遗忘的LG还能回来吗参考资料来源：百度百科-LG集团lg公司是做什么的LG公司旗下子公司有：LG电子、GS加德士、LG化学、LG生活健康等，事业领域覆盖化学能源、电子电器、通讯与服务等领域。标志是一只眼睛，表示指向目标、集中性、微笑。LG公司的行业领域包括电子、化学、服装、通讯与服务。韩国LG公司有哪些子公司或知名商品？韩国LG有化学领域，通讯领域，电子领域、LX等等电子领域：lginnotek、lgdisplay、lg电子化学领域：lgensol、lg化学、lg生活健康通讯领域、lghellovision、GⅡR、LGCNS、SICorp、lgmdi、lg体育LX：lxholdings、LXInternational、lxpantos、lxhausys、lxsemicon、LXMMA。望采纳哈哈LG公司全称是什么啊？LG公司名称：乐金。不是三星。韩国LG集团于1947年成立于韩国首尔，位于首尔市永登浦区汝矣岛洞20号。是领导世界产业发展的国际性企业集团。LG集团目前在171个国家与地区建立了300多家海外办事机构。事业领域覆盖化学能源、电子电器、通讯与服务等领域。三星电子是韩国最大的电子工业企业，同时也是三星集团旗下最大的子公司。1938年3月它于韩国大邱成立，创始人是李秉_。现任会长是李健熙，副会长是李在_和权五铉，社长是崔志成，首席执行官是由权五铉、申宗钧、尹富根三位组成的联席CEO。在世界上最有名的100个商标的列表中，三星电子是唯一的一个韩国商标，是韩国民族工业的象征。

根据笔记本自带的内存条来判断。最好买型号和牌子一样的。笔记本的内存大体可以分为EDO、SDRAM、DDR三种。几大知名内存厂家及代号：现代电子(Hynix)：HY ，三星(SAMSUNG)：KM或M ，NBM：AAA ，西门子(SIEMENS)：HYB ，高士达LG-SEMICON：GM ，三菱(MITSUBISHI)：M5M。笔记本内存介绍：EDO内存：这种内存主要用于古老的MMX和486机型上面，也有部分厂家在PII的笔记本电脑中仍然使用EDO内存，这种EDO单条最高容量只有64M，而且由于EDO内存的工作电压为5V和常用的SDRAM的3.3V相比更费电一些，所以很快就被SDRAM内存所取代。SDRAM内存：笔记本经历了Pentium时代，CPU的速度已经越来越快，这时Intel公司提出了具有里程碑意义的内存技术----SDRAM。SDRAM的全称是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)，就象它的名字所表明的那样，这种RAM可以使所有的输入输出信号保持与系统时钟同步。