请教LDO芯片，能否12V转5V

ldo的意思是low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右;与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

LDO中的Dropout Voltage是指在某一负载条件下维持VOUT输出在SPEC.(如-1~+1%）以内的最小输入电压VIN与VOUT的差值，就是压降，当然不同公司的产品对Dropout定义略有不同，LDO中的low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。扩展资料：LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器，这是相对于传统的线性稳压器来说的，传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件，针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。LDO 是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。参考资料来源：百度百科-LDO

LDO 是 Low Dropout Regulator 的缩写，意思是低压差线性稳压器，大致的工作原理如下：参考电压 Vref 和反馈电压 FB（VOUT 通过两个电阻分压）分别接在误差放大器的反向和正向端，然后输出误差量，再通过 MOS drive 调整输出电压大小，达到输出稳定。当输出电压增大时，FB 增大，放大器输出电压增加，PMOS 管的 G 极电压增大，Usg 减小，PMOS 的输出电流和电压较小，形成了一个负反馈系统。LDO 基本参数解释：1、输入电压：规定设计输入电源范围。2、静态功耗：输出电流为 0 时的输入电流，即 VOUT 空载时输入电流。3、关闭功耗：使能脚拉低，VOUT=0V 时，VIN 上消耗的电流即为关闭功耗。4、电源纹波抑制比：这个参数越大越好，代表抑制输入纹波的能力越强。5、输出电流：设计时预留 50%的余量，实际运用过程中，输出电流的大小和输入输出电压都有关系。6、输出电压：分为可调和固定，根据实际情况选择在，一般最好选择固定的。7、输出电压精度：一般是 2%，还有 5%的。8、耗散功率：使用时 LDO 的消耗的功耗不能超过这个值，否则 LDO 可能会损坏。9、地电流：指的是输入电流和输出电流的差值。

LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右;与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。 　　更新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。 　　DC-DC的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换)，只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC。 　　LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降(LDO)线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30u03bcV，PSRR为60dB，静态电流6u03bcA(TI的TPS78001达到Iq=0.5uA)，电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流;另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。 　　如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。 　　如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，因为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。 　　DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大 　　电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。 　　近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。 　　总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。 　　LDO的四大要素 　　压差Dropout、噪音Noise、共模/纹波抑制比(PSRR)、静态电流Iq，这是LDO的四大关键数据。 　　产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。 　　在手机上用的LDO要求尽可能小的噪音(纹波)，在没有RF的便携式产品需求静态电流小的LDO。 　　LDO的工作条件 　　Vin = Vdrop + Vout。 　　且一般需要两个外接电容：Cin、Cout，一般采用钽电容或MLCC。　　注意：LDO是稳压器

直流斩波器又称为截波器，它是将电压值固定的直流电，转换为电压值可变的直流电源装置，是一种直流对直流的转换器已被广泛使用，如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。中文名斩波器又称截波器释义是一种直流对直流的转换器应用举例如直流电机的速度控制快速导航基本原理模块说明斩波器作用简述直流斩波是将固定的直流电压变换成可变的直流电压，也称为DC/DC变换。斩波器的工作方式有两种，一是脉宽调制方式，Ts（周期）不变，改变Ton（通用，Ton为开关每次接通的时间），二是频率调制方式，Ton不变，改变Ts（易产生干扰）。

两者和互不干扰。LDO是low-dropout-regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。psip是磅pound，S是平方square，I是英寸inch。

　　LDO是线性直流稳压电源，DC/DC是开关型直流稳压电源。　　首先二者的稳压机理不同。　　线性电源（LDO）是通过调整管的阻抗变化使输出电压保持稳定，当输出电压由于输入电压升高或负载电流减小而出现输出电压偏离设定值而升高的趋势时，通过负反馈使调整管的阻抗增大，从而降低输出电压使之恢复设定值而保持稳定，当输入电压降低或负载电流增大而出现输出电压偏离设定值而降低的趋势时，则通过负反馈使调整管的阻抗减小，从而提高输出电压使之恢复设定值而保持稳定。　　开关稳压电源（DC/DC）是通过开关电路输出占空比或频率可调的脉冲，通过高频整流管、电感、电容形成知流输出电压，通过改变占空比或频率而调整输出电压。　　从性能指标上看，线性电源（LDO）的输出电压纹波小，但是在输入电压和输出电压相差较大时转换效率较低，只能降压不能升压；　　开关稳压电源（DC/DC）的纹波略大，但是在输入电压和输出电压相差较大时转换效率较高，并且能实现升压输出。

三端稳压应该属于LDO，但通常我们说LDO指更精密一些的线性电压源，例如给ADC用的精密参考电压源。关于三端稳压的科普，官方的文字材料如果你看不懂，我换个方法给你解释：就拿7805来说，你看它有三个脚，假如它有2个脚（一个输入一个输出），可以当成是一个大功率的可调电阻，你可以改变它的阻值，使输出端的电压正好等于5V，由于是串联，流经这个电阻的电流和你的负载电流是一样的，因此电阻两端的电压差会以发热的方式消耗掉（这是与开关式稳压不同的特征）。当负载的电流发生变化时，会导致这个电阻的‘输出"电压变化，但你可以通过再次改变电阻的阻值，使输出电压回到5V。三端稳压IC就是代替你自动完成这个任务，除了输入和输出引脚，那个接地的引脚，是它用来检测输出端对地电压是否等于5V的（还有它自身运转所需要的几毫安电流需要流经这个脚）。对于7806、7808、7809、7810、7812、7815之类，对应稳压输出是6V、8V、9V、10V、12V、15V，一看就明白吧；另外还有79系列，是负的，例如7905是-5V稳压。78系列三端稳压20年前就有，它当时有很多有点，但也有一些不足，后来很多厂家出了改进的一些版本（指标略好一些），前缀因此就有不同了。但基本框架还是没变的。我的解释不够准确，具体还得以datasheet为准，这里领会意思就好^^

1：输入电流的确变小，由于这是个负反馈的回路。净输入电压升高，意味着Vout比参考电压高，需要减小电源对输出提供的能量。这就通过运放调整调（减小）PNP基极电流来控制减小输出电流，以达到动态的平衡。2：用PNP管的是要注意LDO含义，叫低压差线性稳压电源，强调输入和输出低压差；如果如果采用NPN结构的话由于Vbe需要大于0.6，所以Vout最大值只能在Vdd-0.6一下。这不仅限制了输出的电压范围，更降低了电路的效率（LDO的效率=vo/vin）；而是用P管我们不需要担心这个其输出范围为（Vdd-I*Rpnp）；3：串联型稳压电路属于开关电源，即buck结构，其调整管处于开关状态（LDO处于线性调整状态），而且需要额外的电感、二极管；二者应用范围不同；各有优缺点；PS：如果楼主从事电路设计的话，请看看《A Frequency Compensation Scheme for LDO Voltage Regulators 》，很好的paper

LDO元器件---低压差线性稳压器,BYP脚是旁路电容接口,用于降低输出噪声.

LDO全称lowdropoutregulator，低压差线性稳压器。具体什么概念，你可以去查百度知道或其他地方，我这里只是以我个人的理解解释，就是将一个高直流电平转换成一个低的直流电平的器件，和DC/DC是两种最常见的转换直流电平的器件。注意有两点：1、是LDO只能降压不能升压2、LDO是横流的，就是输出电源约等于输入电流。

LDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。 LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。 更新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。 DCDC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器， 包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DCDC。 LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小， 这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压 器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA（TI的TPS78001达到Iq=0.5uA），电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳 压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线 性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消 耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力 ， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻 的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。

从LDO的原理来看,你就可以清楚的知道LDO的只能是降压.它的输出电压是有反馈电阻的比值决定的(当VREF的电压一定时)

负电压输出的LDO电源管理IC只有79XX。一般是用DC-DC做。电流小的也可以用charge pump TI的TPS723xxMAXIM的MAX1735静态电流也不算很小。但和79XX比还是小很多。IC，即集成电路是采用半导体制作工艺。在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件。并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”表示。

LDO可以选用XC6206之类的，低于3.3V时输出会非常接近输入电压，电流不大下输入只要大于3.3V时就可以输出3.3V，压差会随着电流越大要求越高，影响关键的是LDO内部MOS电阻，所以选用电流越大的LDO实现稳压要求的压差越小，类似1117之类的伪LDO就别考虑了！

简述一下我的理解，不正确的地方请大家批评指正，谢谢！1、LDO使用简单，外围简单，DC-DC则相反；2、LDO几乎没有纹波，DC-DC的环路和均衡没有搞好则纹较大；3、LDO价格比DC-DC低；4、LDO效率低，尤其是输入输出相差较大时，电压差上的能量在LDO上消耗，DC-DC效率可达80%-90%；5、LDO的输出与输入之差不能太低，但DC-DC可以输出接近输入；6、DC-DC体积越来越小，但LDO按电流算体积，很难做小体积；7、LDO使用内部晶体管分压来产生压降，DC-DC控制输入释放给输出的能量的多少来控制输出电压；8、DC-DC适合大功率输出，LDO不太适合，不然温度高；

LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。通俗的说就是电源管理IC，通常用于12V转5V,3.3V,1.8V用，我们做液晶板卡，上面用了很多，我们用上海百力微的LDO和DC-DC.质量不错，其他的还有微盟等厂家。

可能我们叫做电源盒~~比如街上的 LED招牌灯~~输入是220V输出有许多的电压供你选择~~你可以到做灯箱招牌的店里问下~~

do手镯的字母是我愿意的意思ldo的寓意是，遇见一生挚爱时怦然心动的瞬间化成浪漫的心形，让永恒的钻石见证爱侣们每一次的心跳时刻，此款采用18K金链条，一颗钻石嵌于爱心中央，精湛车花工艺充分延展钻石光芒。与心爱的人心心相印，就是对爱情永恒而忠贞的信仰。

IDO即线性直流稳压电源，从效果上说，它的主要优点是输出电压纹波小，主要缺点是在输入-输出电压差较大的情况下效率低；DC-DC即开关稳压电源，主要优点是在输入-输出电压差较大的情况下转换效率高，还可以实现升压和反相，主要缺点是输出电压带有一定的纹波。

LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，就要考虑用开关型的DC-DC了，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DC-DC，升压是一定要选DC-DC的， 输入和输出之间的电压降不可以太低，可达到很高的效率。新的LDO线性稳压器可达到以下指标，不需要电流，包括LDO：低压降（LDO）线性稳压器的成本低LDO是低压降的意思，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管，最好是选用LDO稳压器、升/，如果压降太大，这有一段说明：输出噪声30μV。如果输入电压和输出电压很接近、成本相对较高。DC-DC转换器的优点是效率高。如果输入电压和输出电压不是很接近，效率。由於MOSFET的导通电阻很小，要在成本。 DC-DC转换器包括升压。P沟道MOSFET是电压驱动的，只要符合这个定义都可以叫DC-DC转换器，静态电流6μA，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器、可以输出大电流，PSRR为60dB，噪声和性能上比较，因而它上面的电压降非常低。它需要的外接元件也很少、静态电流小。但是；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。 DC-DC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换）、降压，噪音低。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大，静态电流小，效率不高，电压降只有100mV;降压和反相等电路，这些是它的突出优点，通常只需要一两个旁路电容，采用PNP晶体管的电路中。总之，所以大大降低了器件本身消耗的电流。随著集成度的提高；另一方面，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力，应为从上面的原理可以知道，降压，耗在LDO上能量太大，是选择DCDC还是LDO

一、稳压器的稳定性取决于回路增益和回路相移，LDO也不例外。二、通常所有的LDO都会要求其输出电容的ESR值在某一特定范围内，以保证输出的稳定性。 LDO制造商会提供一系列由输出电容ESR和负载电流组成的定义稳定范围的曲线，作为选择电容时的参考。这些推荐值可以从相关的Datasheet上看到。三、输出电容是用来补偿LDO稳压器的相位裕度，不合适的ESR会引起回路振荡。基本上所有的LDO应用中引起的振荡都是由于输出电容的ESR过高或过低。四、LDO的输出电容，一般地，钽电容是最好的选择。另一点非常重要，优质电容的ESR在－40℃到＋125℃温度范围内的变化小于2:1。然而，铝电解电容在低温时的ESR会变大很多，所以不适合作LDO的输出电容，应排除在外。五、应该注意，大的陶瓷电容（≥1uF）通常会用很低的ESR（＜20mΩ），这几乎会使所有的LDO稳压器产生振荡。如果使用陶瓷电容就要串联电阻以增加ESR。而且大的陶瓷电容的温度特性较差（例如Z5U型），也就是说在工作范围内的温度的上升和下降会使容值成倍的变化，所以它不推荐使用。六、可能你已注意到，某些LDO专门设计使用陶瓷电容，似乎与上面矛盾。已知有两款LDO，LP2985和LP2989，要求输出电容贴装超低ESR的陶瓷电容。 这种电容的ESR可以低到5～10mΩ。 也就是说，在如此低ESR的电容下，LP2985仍能够稳定工作。这是由于，在IC内部已经放置了钽输出电容来补偿零点，此LDO的零点已被集成在IC内部。这一做法是为了将可稳定的ESR的上限范围下降。可以查到，LP2985的ESR稳定范围是3Ω-500MΩ，因此它可以使用陶瓷电容。然而这样小的ESR却会使绝大多数的LDO稳压器引起振荡。七、结论很容易得出：未在内部添加零点的典型LDO，所选ESR的范围一般为100mΩ-5Ω，只能使用钽电容而不能使用陶瓷电容。因此外部电容产生的零点必须处于足够高的频率，这样就不能使带宽很宽。否则，高频极点会产生很大的相移从而导致振荡。

这类器件3.3V输出的很多，可以说举不胜举，例如TPS76033、TPS76333、TPS7333、TPS7233、TPS7133、NCP511SN33、NCP584HSN33......，3.5V的有NCP502SN35、NCP698SQ35、NCP600SN350、NCV8560MN350，3.8V的有TPS76038、TPS76138、TPS76338，4V的有NCP623MN-40，但是好象极少见4.2V的，4.8V的有一些。

从你的题目看，LDO是用来给运放提供一个稳定的供电电压，所以只要你选择的LDO的输出要在运放的允许输入范围之内就行了，另外还要看你整个系统的供电电压了，7805系列要求要2V的压差。另外，由于是给运放供电，对输出功率要求不高，可选择小功率的LDO（一般的LDO都满足这个条件）如果你要做出实物的话，还得顾及以下价格了，LDO便宜的几毛一个，贵的，我见过10块一个的

LDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。LDO的静态电流一般可以做到很小，如HT7550、7530，可以做到几个uA,DC/DC 转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC/DC 转换器分为三类：升压型DC/DC 转换器、降压型DC/DC 转换器以及升 降压型DC/DC 转换器。根据客户需求可采用三类控制。PWM 控制型效率高并具有良好的输出电压纹 波和噪声。PFM 控制型即使长时间使用，尤其小负载时具有耗电小的优点。 PWM/PFM 转换型小负载时实行PFM 控制，且在重负载时自动转换到PWM 控制。

一般有以下几个原因：1）稳压器本身质量问题，老化引起。2）负载电流大引起，测量电流看看。3）散热片小了，或者散热片与稳压器接触不良。

直流稳压电源

LDO 为低压差线性稳压器，这里将其用于对手机供电。需要评估的指标主要有两个：LDO 的供电电流和供电电压、LDO 的输出电压噪声抑制比。由于手机 是电池供电，因此测试该 LDO 芯片是最好选用锂电池给芯片供电。供电电流与供电电压的测试：选择一台具有存储功能的示波器，在对应测试点测试芯片的输出电压和输出电流(需要用数字万用表测)，观察结果看起输 出电压与输出电流是否满足手机的正常工作要求。

http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_1972282.HTM

LDO的输出电容，一般地，钽电容是最好的选择。另一点非常重要，优质电容的ESR在－40℃到＋125℃温度范围内的变化小于2:1。然而，铝电解电容在低温时的ESR会变大很多，所以不适合作LDO的输出电容，应排除在外。

没听过，是不是那种集成mos管、电感的开关电源芯片，外表引脚功能就像LDO一样

就是一种电压输入，两种电压输出。

LDO输出滤波电容的选择关键是注意ESR范围，一般的LDO大都选用钽电容，因为它具有较好的ESR稳定范围，有利于LDO工作的稳定。常用的铝电解电容容量大，ESR大；陶瓷电容低ESR，都不合适作LDO滤波电容器。满意。

传统的线性稳压器,如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上,否则就不能正常工作.但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v,显然是不满足条件的.针对这种情况,才有了LDO类的电源转换芯片. LDO 是一种线性稳压器.线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压.所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值.正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP.这种晶体管允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,通常为 200mV 左右；与之相比,使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右.负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备,其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似.更新的发展使用 CMOS 功率晶体管,它能够提供最低的压降电压.使用 CMOS,通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的.如果负载较小,这种方式产生的压降只有几十毫伏. DCDC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换）,只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器,包括LDO.但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DCDC. LDO是低压降的意思,这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低,噪音低,静态电流小,这些是它的突出优点.它需要的外接元件也很少,通常只需要一两个旁路电容.新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV,PSRR为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV.LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平,主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET,而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管.P沟道MOSFET是电压驱动的,不需要电流,所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面,采用PNP晶体管的电路中,为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力,输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积.由于MOSFET的导通电阻很小,因而它上面的电压降非常低. 如果输入电压和输出电压很接近,最好是选用LDO稳压器,可达到很高的效率.所以,在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器.虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用,LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长,同时噪音较低.如果输入电压和输出电压不是很接近,就要考虑用开关型的DCDC了,应为从上面的原理可以知道,LDO的输入电流基本上是等于输出电流的,如果压降太大,耗在LDO上能量太大,效率不高. DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路.DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小.随著集成度的提高,许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器.但是,这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高. 近几年来,随著半导体技术的发展,表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低,体积越来越小.由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率,因而不需要外部的大功率FET.例如对于3V的输入电压,利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出.其次,对于中小功率的应用,可以使用成本低小型封装.另外,如果开关频率提高到1MHz,还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器.有些新器件还增加许多新功能,如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等. 总的来说,升压是一定要选DCDC的,降压,是选择DCDC还是LDO,要在成本,效率,噪声和性能上比较.

LDO输出滤波电容的选择关键是注意ESR范围，一般的LDO大都选用钽电容，因为它具有较好的ESR稳定范围，有利于LDO工作的稳定。常用的铝电解电容容量大，ESR大；陶瓷电容低ESR，都不合适作LDO滤波电容器。满意。

LDO中的Dropout Voltage是指在某一负载条件下维持VOUT输出在SPEC.(如-1~+1%）以内的最小输入电压VIN与VOUT的差值，就是压降。当然不同公司的产品对Dropout定义略有不同。LDO中的low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器是使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

LDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。LDO 是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

LDO中的Dropout Voltage是指在某一负载条件下维持VOUT输出在SPEC.(如-1~+1%）以内的最小输入电压VIN与VOUT的差值，就是压降。当然不同公司的产品对Dropout定义略有不同。LDO中的low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器是使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

LDO中的Dropout Voltage是指在某一负载条件下维持VOUT输出在SPEC.(如-1~+1%）以内的最小输入电压VIN与VOUT的差值，就是压降。当然不同公司的产品对Dropout定义略有不同。LDO中的low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器是使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。 更新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。

LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右;与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。 　　更新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。 　　DC-DC的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换)，只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC。 　　LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降(LDO)线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30u03bcV，PSRR为60dB，静态电流6u03bcA(TI的TPS78001达到Iq=0.5uA)，电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流;另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。 　　如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。 　　如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，因为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。 　　DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大 　　电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。 　　近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。 　　总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。 　　LDO的四大要素 　　压差Dropout、噪音Noise、共模/纹波抑制比(PSRR)、静态电流Iq，这是LDO的四大关键数据。 　　产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。 　　在手机上用的LDO要求尽可能小的噪音(纹波)，在没有RF的便携式产品需求静态电流小的LDO。 　　LDO的工作条件 　　Vin = Vdrop + Vout。 　　且一般需要两个外接电容：Cin、Cout，一般采用钽电容或MLCC。　　注意：LDO是稳压器

LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右;与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。 　　更新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。 　　DC-DC的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换)，只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC。 　　LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降(LDO)线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30u03bcV，PSRR为60dB，静态电流6u03bcA(TI的TPS78001达到Iq=0.5uA)，电压降只有100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流;另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。 　　如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。 　　如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，因为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。 　　DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大 　　电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。 　　近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。 　　总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。 　　LDO的四大要素 　　压差Dropout、噪音Noise、共模/纹波抑制比(PSRR)、静态电流Iq，这是LDO的四大关键数据。 　　产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。 　　在手机上用的LDO要求尽可能小的噪音(纹波)，在没有RF的便携式产品需求静态电流小的LDO。 　　LDO的工作条件 　　Vin = Vdrop + Vout。 　　且一般需要两个外接电容：Cin、Cout，一般采用钽电容或MLCC。　　注意：LDO是稳压器

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直流斩波器又称为截波器，它是将电压值固定的直流电，转换为电压值可变的直流电源装置，是一种直流对直流的转换器已被广泛使用，如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。中文名斩波器又称截波器释义是一种直流对直流的转换器应用举例如直流电机的速度控制快速导航基本原理模块说明斩波器作用简述直流斩波是将固定的直流电压变换成可变的直流电压，也称为DC/DC变换。斩波器的工作方式有两种，一是脉宽调制方式，Ts（周期）不变，改变Ton（通用，Ton为开关每次接通的时间），二是频率调制方式，Ton不变，改变Ts（易产生干扰）。

LDO是线性直流稳压电源，DC/DC是开关型直流稳压电源。首先二者的稳压机理不同。线性电源（LDO）是通过调整管的阻抗变化使输出电压保持稳定，当输出电压由于输入电压升高或负载电流减小而出现输出电压偏离设定值而升高的趋势时，通过负反馈使调整管的阻抗增大，从而降低输出电压使之恢复设定值而保持稳定，当输入电压降低或负载电流增大而出现输出电压偏离设定值而降低的趋势时，则通过负反馈使调整管的阻抗减小，从而提高输出电压使之恢复设定值而保持稳定。开关稳压电源（DC/DC）是通过开关电路输出占空比或频率可调的脉冲，通过高频整流管、电感、电容形成知哦流输出电压，通过改变占空比或频率而调整输出电压。从性能指标上看，线性电源（LDO）的输出电压纹波小，但是在输入电压和输出电压相差较大时转换效率较低，只能降压不能升压；开关稳压电源（DC/DC）的纹波略大，但是在输入电压和输出电压相差较大时转换效率较高，并且能实现升压输出。

让你知道最大的负载能力 告诉你小毛驴可以驮多少重量 避免让你当大马使用

传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。更新的发展使用 CMOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 CMOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。DCDC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器，包括LDO。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫DCDC。LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30u03bcV，PSRR为60dB，静态电流6u03bcA，电压降只有100mV。LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了，应为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。总的来说，升压是一定要选DCDC的，降压，是选择DCDC还是LDO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。

LDO是线性直流稳压电源，DC/DC是开关型直流稳压电源。首先二者的稳压机理不同。线性电源（LDO）是通过调整管的阻抗变化使输出电压保持稳定，当输出电压由于输入电压升高或负载电流减小而出现输出电压偏离设定值而升高的趋势时，通过负反馈使调整管的阻抗增大，从而降低输出电压使之恢复设定值而保持稳定，当输入电压降低或负载电流增大而出现输出电压偏离设定值而降低的趋势时，则通过负反馈使调整管的阻抗减小，从而提高输出电压使之恢复设定值而保持稳定。开关稳压电源（DC/DC）是通过开关电路输出占空比或频率可调的脉冲，通过高频整流管、电感、电容形成知哦流输出电压，通过改变占空比或频率而调整输出电压。从性能指标上看，线性电源（LDO）的输出电压纹波小，但是在输入电压和输出电压相差较大时转换效率较低，只能降压不能升压；开关稳压电源（DC/DC）的纹波略大，但是在输入电压和输出电压相差较大时转换效率较高，并且能实现升压输出。

LDO中的Dropout Voltage是指在某一负载条件下维持VOUT输出在SPEC.(如-1~+1%）以内的最小输入电压VIN与VOUT的差值，就是压降，当然不同公司的产品对Dropout定义略有不同，LDO中的low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。扩展资料：LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器，这是相对于传统的线性稳压器来说的，传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件，针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。LDO 是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。参考资料来源：百度百科-LDO