单向可控硅NEC2P4M原理，工作原理

可控硅工作原理是什么呢？不知道的小伙伴来看看小编今天的分享吧！可控硅分为单向可控硅、双向可控硅，两者原理分别是：1、单向可控硅（晶闸管）结构原理：单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。2、双向可控硅（晶闸管）结构原理：双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的（都从N层引出），所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极，而是把与控制极相近的叫做第一电极A1，另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。以上就是小编今天的分享了，希望可以帮助到大家。

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可控硅的工作原理为：1、要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。2、但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源（图3中的开关S）或使阳极电流小于维持导通的最小值（称为维持电流）。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。可控硅最主要的作用之一就是稳压稳流。 可控硅在自动控制控制，机电领域，工业电气及家电等方面都有广泛的应用。可控硅是一种有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通。一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个值以下。

可控硅，又称可控整流器，是一种电子元器件，其特点是能够通过外部控制信号来控制其电流或电压。它一般由三极管和四极管组成，其中三极管起到开关的作用，而四极管则是用来控制三极管的开关状态的。可控硅的控制电压原理是通过控制四极管的电压来控制三极管的导通状态。当四极管的电压达到一定的阈值时，三极管就会导通；当四极管的电压降低到另一个阈值时，三极管就会断开。这样就可以通过控制四极管的电压来控制三极管的导通状态，从而实现控制电压的目的。通过控制三极管的导通状态来控制电压，可以在很多应用场景中使用，比如在调节电压的电源设计中，可控硅可以用来实现输出电压的精确调节；在AC-DC交流直流转换器中，可控硅可以用来实现PWM（脉宽调制）控制；在逆变器中，可控硅可以用来实现输出频率的调节等。对于可控硅的使用来说,常见的有两种类型，SCR和GTO，两者差别在于：SCR是通过控制反向电压以控制其导通，而GTO是通过控制正向电压来控制导通的。总的来说可控硅是一种非常重要的电子元器件，在很多电力电子应用中都有着广泛的应用。另外，可控硅还有一些其他的特点，比如：高压高电流:可控硅能承受较高的电压和电流，适用于大功率电路中。高效率:可控硅的导通电阻小，可以有效降低电路中的损耗。快速响应:可控硅导通和断开速度快，在高频电路中有着很好的性能。可控硅在很多工业领域中都有着广泛的应用，如电力系统，电机控制，逆变器，调速器，负荷控制等。最后需要注意的是，可控硅在使用过程中需要严格控制其工作环境和工作参数，避免出现故障或烧毁。

一、可控硅的工作原理：1、双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。2、双向可控硅除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示。3、用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列就可以工作。二、主要作用：1、普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。以最简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。2、通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。3、α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。扩展资料：1、可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。2、可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。3、在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。4、一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。参考资料：百度百科-可控硅

可控硅模块是一种电子元件，它具有可控导通和断开电流的能力。它是由一个电极接触可控硅片的半导体材料构成的，电极之间通过电流控制可控硅片的导通状态。当电流通过可控硅模块时，可控硅片会变成导电状态，从而使输入电流能够流到输出端。当电流停止流过可控硅模块时，可控硅片会变成断电状态，从而使输入电流无法流到输出端。可控硅模块常用于控制电力设备和电子设备的开关，也可用于调节电流大小。

可控硅是把交流电转换为大小可以调节的直流的无触点的开关,广泛运用于电力切换领域(高速切换=每秒种上万次),普通可控硅因为无触点,噪音低,无火花,安全耐用,常用在电机调速,灯光调光领域.可控硅有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

一、可控硅的工作原理可控硅是可控硅整流器的简称。它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。图3-29是它的结构、外形和图形符号。可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。图3-30是可控硅的伏安特性曲线。图中曲线I为正向阻断特性。无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(UB0)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。曲线Ⅱ为导通工作特性。可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流IH时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。曲线Ⅲ为反向阻断特性。当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。利用这种特性可用于整流、开关、变频、交直流变换、电机调速、调温、调光及其它自动控制电路中。

可控硅调压器工作原理可控硅（siliconcontrolledrectifier，SCR）调压器是一种电子电路，它通过控制SCR的导通状态来控制电路中电压和电流的大小。工作原理：1.电源通过限流电阻限制电流大小，并经过控制电路将电源输入到SCR的控制端。2.当控制电路向SCR的控制端输入适当的电压信号时，SCR的控制端将向正极导通，从而使SCR导通。3.一旦SCR导通，它就不再需要控制电路的电压信号，并将保持导通状态直到从正极向负极的电流减小到足够小的水平，使SCR自动关断。4.当SCR关闭后，可以再次通过控制电路的电压信号来控制它的导通状态。通过控制SCR的导通状态，可以控制电路中的电压和电流，从而实现调整电压的目的。

　　可控硅整流的原理如下： 　　可控硅整流的晶闸管T在工作过程中，阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。 　　可控硅整流是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成，它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。 　　可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

可控硅（ControlledSilicon）是一种半导体材料，具有较高的电导率，通常用于电力电子器件的开关应用中。可控硅调功器是一种利用可控硅来调节电流的电子器件。它通常由一个可控硅桥式开关和一个调节电路组成。当可控硅调功器的控制信号为正电压时，可控硅桥式开关会打开，允许电流流过；当控制信号为负电压时，可控硅桥式开关会关闭，不允许电流流过。调节电路可以调节可控硅桥式开关的打开/关闭阈值，从而调节电流的流动。可控硅调功器可以用来调节电力系统中的电流，也可以用来调节电机的转速，广泛应用于电力电子系统中。

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可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成

其原理根据负载RL上有电压UL输出。Ug到来得早，可控硅导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。可控硅：可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现的一种是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。

可控硅的工作原理图

可控硅的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路，当A-K之间加有正向电压，G-K之间加有控制电压的时候，可控硅触发导通。晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。

不知道是什么样的可控硅，又不知道是什么样的触发电路，谁也没有办法，也不知道该如何使用。

1、可控硅励磁系统的起励主要依靠初励电流完成。同步发电机在原动机带动下旋转后会产生一定的残余输出电压，由于整流单元的可控硅元件有一定的导通压降，当这个残压较低时，就不能保证同步发电机的自激起励，必须依靠初励电流建立一个低的输出电压保证可控硅元件可靠导通，完成同步发电机建压过程。IEC3自并励磁系统依靠厂用直流合闸电源经起励单元提供初励电流，同步发电机起励时自动投入，当机端电压达到10%时自动解除。2、可控硅励磁只是励磁的一种方式,就是用可控硅调整励磁电流。可控硅励磁的作用就是励磁的作用。

可控硅调功器以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为核心来控制电源功率。其通过对电压、电流和功率的精确控制，从而实现精密控温。并且凭借其先进的数字控制算法，优化了电能使用效率。对节约电能起了重要作用。扩展资料三相电力调整器由触发板、专用散热器、风机、外壳等组成。核心部分使用0控制板与德国西门康可控硅模块；散热系统采用高效散热、低噪音风机。整机带有控制板所有的功能。整机电流容量从40A到800A有7个等级。三相可控硅调功调压器是运用数字电路触发可控硅实现调压和调功。调压采用移相控制方式，调功有定周期调功和变周期调功两种方式。该控制板带锁相环同步电路、自动判别相位、缺相保护、上电缓起动、缓关断、散热器超温检测、恒流输出、电流限制、过流保护、串行工作状态指示等功能。参考资料来源：百度百科-可控硅调功器参考资料来源：百度百科-调功器

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目录单向可控硅工作原理单向可控硅的引脚区分单向可控硅的性能检测可控硅的使用注意事项双向可控硅的工作原理

可控硅在自动控制控制，机电领域，工业电气及家电等方面都有广泛的应用。可控硅是一种有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称点火使其道通，一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个值以下。区别：1、性质不同：可控硅开关是晶体闸流管的简称。开关的词语解释为开启和关闭。2、特点不同：开关其中有一个或数个电子接点。接点的闭合表示电子接点导通，允许电流流过，开关的开路表示电子接点不导通形成开路，不允许电流流过。其中有一个或数个电子接点。接点的闭合表示电子接点导通，允许电流流过。可控硅开关其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等特点。3、原理不同：可控硅开关是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为V，VT表示。开关有时会在接点上电镀抗腐蚀金属。一般会镀在接点的接触面，以避免因氧化物而影响其性能。有时接触面也会使用非金属的导电材料，如导电塑胶。扩展资料：注意事项：1、开关电源的输入电压可以是220V或是110V，根据电路设计合理选择输入电压档位。否则会造成开关电源的损害。2、注意分辨开关电源输出电压接线柱的地线端和零线端。并确保开关电源接地可靠。3、开关电源的金属外壳电源外壳一般与地（FG）连接，要可靠接地，以确保安全，不可误将外壳接在零线上。4、在安装开关电源完毕通电试行之前，请再次检查和校对各接线端子上的连接，确信输入和输出，交流和直流，单相和多相，正极和负极，电压值和电流值等正确无疑，方可通电运行。参考资料来源：百度百科-可控硅开关参考资料来源：百度百科-开关

可控硅是一种电子元件，它可以用来在电路中控制电流的流动。在触发电路中，可控硅可以用来控制电路的开关状态。可控硅有三个端口：输入端、控制端和输出端。当控制端接受到输入信号时，可控硅就会将电流传递到输出端。例如，当控制端接受到高电平信号时，可控硅就会打开，将电流从输入端传递到输出端；当控制端接受到低电平信号时，可控硅就会关闭，不再传递电流。可控硅在很多电子设备中都有应用，比如电视、电脑等。它们可以用来控制电路的开关状态，从而控制设备的工作状态。

1、性能特点：可控硅：电压低，电流低，速度快，封装小。固态继电器：电压高，电流高，速度慢，封装大。2、工作原理：可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向反馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化。状态说明 从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可 维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可 从导通到关1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可 3、基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，特性发生了弯曲，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，特性发生了弯曲，弯曲处的是UBO叫，正向转折电压 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似4、触发导通在控制极G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

工作原理：有控制的二极管，利用控制极的通电时间长短，控制电流通过的时间，从而调节通过的电流（电压）大小；作用：1、整流；2、调节电流（电压）。

可控硅调压器（SiliconControlledRectifier,SCR）是一种三极可控硅二极管。它通常由三个极接口：Anode（A），Cathode（K）和Gate（G）组成。SCR工作时，在Anode和Cathode之间通过一个电压，使得Anode导通。但是，如果仅仅是这样，SCR就是一个普通的硅二极管。真正的“可控”在于Gate极。当Gate极被正向电压驱动时，Anode极与Cathode极之间的导通电流将会增加。当Gate电压消失时，Anode与Cathode之间的导通电流也会消失。这样，通过控制Gate极的电压，就可以控制Anode与Cathode之间导通电流的大小。一般来说,可控硅调压器一般用来控制电压或电流脉冲中的幅度和宽度,例如，在电力电子领域中，可控硅调压器可以用来调节输出电压，控制功率输出等等。

就是双向或单向可控硅。

可控硅调功器是一种电子调功器，它使用可控硅作为控制元件，可以控制电路中的电流或电压，从而调节电路的功率。可控硅调功器的工作原理是：当电流通过可控硅时，可控硅会产生一个电压，这个电压可以控制电流的大小，从而控制电路的功率。可控硅调功器的优点是：它可以控制电路的功率，而且可以调节电流的大小，从而控制电路的功率。

bt131可控硅工作原理是进行双向可控硅。双向可控硅是一种硅可控整流器件，称作双向晶闸管。这种器件在电路中能实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

可控硅调光器原理可控硅调光器原理是基于可控硅材料的电热效应。可控硅是一种电动效应很强的材料，当它接受电流通过时，它的温度会上升。这种温度上升会导致材料的绝缘性能下降，从而导致电流增加。当电流达到一定程度时，可控硅的温度会达到高温区域，材料的绝缘性能会急剧下降，电流会急剧增加，从而导致热效应。这种热效应可以用来控制灯具的亮度。

　　可控硅分为单向的和双向的,符号也不同.单向可控硅有三个PN结,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极.　　单向可控硅有其独特的特性:当阳极接反向电压,或者阳极接正向电压但控制极不加电压时,它都不导通,而阳极和控制极同时接正向电压时,它就会变成导通状态.一旦导通,控制电压便失去了对它的控制作用,不论有没有控制电压,也不论控制电压的极性如何,将一直处于导通状态.要想关断,只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向.　　双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列(电极引脚向下,面对有字符的一面时).加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时,就能改变其导通电流的大小.　　与单向可控硅的区别是,双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时,其导通方向就随着极性的变化而改变,从 而能够控制交流电负载.而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通,所以可控硅有单双向之分.　　电子制作中常用可控硅,单向的有MCR-100等,双向的有TLC336等。

可控硅是把交流电转换为大小可以调节的直流的无触点的开关,广泛运用于电力切换领域(高速切换=每秒种上万次),普通可控硅因为无触点,噪音低,无火花,安全耐用,常用在电机调速,灯光调光领域.鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏.

1.可控硅触发变压器的工作原理用于可控硅触发的脉冲变压器就是,某些用于脉冲点火的变压器也是。但这种直流是脉动的，而不是平稳的。变压器的工作原理是电磁感应原理，即原边交变的电流在铁芯激发交变的磁场，副边的线圈在交变的磁场中产生交变的感应电动势。平稳的直流电不可能有这种“电生磁-磁生电”的持续变换过程。因此，没有直接用于直流电传输的变压器。把交流电转变为直流电叫做“整流”。通常利用具有单向导电性二极管作为整流元件，可以组成半波整流、全波整流、桥式整流、倍压整流等整流电路。将直流电转换为交流电叫做“逆变”。2.难点解答：你所说，不可以，因为没法控制触发电路！可以考虑采用各式各样的触发芯片！如555，TCA785，KJ系统等太多了

可控硅是把交流电转换为大小可以调节的直流的无触点的开关,广泛运用于电力切换领域(高速切换=每秒种上万次),普通可控硅因为无触点,噪音低,无火花,安全耐用,常用在电机调速,灯光调光领域.

双向可控硅触发电路工作原理与可控硅的结构和工作特性有着密切的联系，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。我们可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，但关键是它多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。具体工作原理你可参考如下网址资料： http://www.cntronics.com/public/tool/kbview/kid/720/cid/13

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可控硅整流桥提供励磁电流，二极管和电阻灭磁用，电容和电阻组成吸收回路，脉冲变压器给可控硅提供触发信号。

A是阳极；K是阴极；G是控制极；当控制极有合适的电流后会使A-K导通，至A-K间低于维持电流后截止，在此期间无论控制极是否有电流均不影响其导通。

可控硅 [编辑本段]可控硅知识　　　　 一、可控硅的概念和结构？　　　　晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。　　 可控硅　　 二、晶闸管的主要工作特性　　　　为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢? 可控硅　　这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。　　晶闸管的特点： 是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。　　 怎样测试晶闸管的好坏　　三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?　　普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。　　 四、晶闸管在电路中的主要用途是什么?　　　　普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自功控制等方面。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。　　 可控硅　　五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?　　在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。　　六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?　　晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路。　　七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?　　单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。　　八、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢?　　单结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期。　　九、在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?　　为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。　　怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，晶闸管VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。　　双向晶闸管的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。　　　　十、可控硅元件的工作原理及基本特性电路　　可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示　　图1 可控硅等效图解图　　当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。　　由于BG1和BG2所构成的正反馈作用, 可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断c 所以一旦的。　　由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表1　　表1 可控硅导通和关断条件　　状态 条件 说明 　　从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位　　2、控制极有足够的正向电压和电流　　两者缺一不可 　　维持导通 1、阳极电位高于阴极电位　　2、阳极电流大于维持电流　　两者缺一不可 　　从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位　　2、阳极电流小于维持电流　　任一条件即可 　　2、基本伏安特性　　可控硅的基本伏安特性见图2　　图2 可控硅基本伏安特性 　　（1）反向特性　　当控制极开路,阳极加上反向电压时（见图3）,J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向击穿。　　图3 阳极加反向电压　　（2）正向特性　　当控制极开路,阳极上加上正向电压时（见图4）,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫：正向转折电压　　图4 阳极加正向电压　　由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。　　这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图2中的BC段　　3、触发导通　　在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。　　图5 阳极和控制极均加正向电压　　　　十一、可控硅参数符号　　参数符号说明: 　　IT(AV)--通态平均电流 　　VRRM--反向重复峰值电压　　IDRM--断态重复峰值电流 　　ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流　　VTM--通态峰值电压　　IGT--门极触发电流 　　VGT--门极触发电压　　IH--维持电流 　　dv/dt--断态电压临界上升率　　di/dt--通态电流临界上升率 　　Rthjc--结壳热阻 　　VISO--模块绝缘电压 　　Tjm--额定结温 　　VDRM--通态重复峰值电压　　IRRM--反向重复峰值电流 　　IF(AV)--正向平均电流 　　十二、如何鉴别可控硅的三个极　　鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。 　　阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。 　　控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。 　　若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。 　　可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 　　一、 可控硅的结构和特性 　　■可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种（见图表-25）。螺旋式的应用较多。 　　■可控硅有三个电极----阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P 型导体和N 型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结。其结构示意图和符号见图表-26。 　　■从图表-26中可以看到，可控硅和只有一个PN 结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 　　■可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。 　　■首先，我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN 型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP 型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。这样就可画出图表-27（C）的等效电路图来分析。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea ，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1 的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1 将产生基极电流Ib1 ，经放大，BG1 将有一个放大了β1 倍的集电极电流IC1 。因为BG1 集电极与BG2 基极相连，IC1 又是BG2 的基极电流Ib2 。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）放大了β2 的集电极电流IC2 送回BG1 的基极放大。如此循环放大，直到BG1 、BG2 完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。 　　■可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1 基极的电流已不只是初始的Ib1 ，而是经过BG1 、BG2 放大后的电流（β1 *β2 *Ib1 ）这一电流远大于Ib1 ，足以保持BG1 的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea 或降低Ea ，使BG1 、BG2 中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea 极性反接，BG1 、BG2 由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea 接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。 　　■可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。 [编辑本段]二、可控硅的主要参数　　可控硅的主要参数有： 　　1、 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。 　　2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。 　　3、 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 　　4、 控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。 　　5、 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。 　　■近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。　　可控硅　　可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。　　可控硅的分类　　按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（SCR）即单向可控硅、双向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。　　可控硅的触发　　过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。 　　非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

下面我们以典型的几种不同发电机励磁系统，介绍它的工作原理。 一、相复励励磁原理 左图为常用的电抗移相相复励励磁系统线路图。由线形电抗器DK把电枢绕组抽头电压移相约90°、和电流互感器LH提供的电压几何叠加，经过桥式整流器ZL整流，供给发电机励磁绕组。负载时由电流互感器LH供给所需的复励电流，进行电流补偿，由线形电抗器DK移相进行相位补偿。 二、三次谐波原理 左图为三次谐波原理图，对一般发电机来源，我们需要的是工频正弦波，称为基波，比基波高的正弦波都称为谐波、其中三次谐波的含量最大，在谐波发电机定子槽中，安放有主绕组和谐波励磁绕组（s1、s2），而这个绕组之间没有电的联系。谐波绕组将绕组中150HZ谐波感应出来，经过ZL桥式整流器整流，送到主发电机转子绕组LE中进行励磁。 三、可控硅直接励磁原理 由左图可以看出，可控硅直接励磁 是采用可控硅整流器直接将发电机输出的任一相一部分能量，经整流后送入励磁绕组去的励磁方式，它是由自动电压调节器（AVR），控制可控硅的导通角来调节励磁电流大小而维持发电机端电压的稳定。 四、无刷励磁原理 无刷励磁主要用于西门子、斯坦福、利莱等无刷发电机。它是利用交流励磁机，其定子上的剩磁或永久磁铁（带永磁机）建立电压，该交流电压经旋转整流起整流后，送入主发电机的励磁绕组，使发电机建压。自动电压调节器（AVR）能根据输出电压的微小偏差迅速地减小或增加励磁电流，维持发电机的所设定电压近似不变。

可控硅调压原理可控硅调压是指通过改变硅元件的温度来改变其电性能。这种调压方法主要应用于硅晶体管，硅整流器等硅器件。其原理是由于硅材料的温度系数，当硅元件的温度升高时，其电性能会发生变化。通过调节硅元件的温度，可以改变其电性能，从而达到调节输出电压或电流的目的。

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。扩展资料：1、可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。2、可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。

双向可控硅触发电路工作原理与可控硅的结构和工作特性有着密切的联系，它是由四层半导体材料组成的，有三个pn结，对外有三个电极：第一层p型半导体引出的电极叫阳极a，第三层p型半导体引出的电极叫控制极g，第四层n型半导体引出的电极叫阴极k。我们可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，但关键是它多了一个控制极g，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。具体工作原理你可参考如下网址资料：http://www.cntronics.com/public/tool/kbview/kid/720/cid/13

与磁电式一样,只不过注意两点,一应该将档位调到有二极管标识的位置,另外数字万用表的红表笔是正极

双向可控硅原理_双向可控硅好坏判断双向可控硅原理 双向可控硅：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。 先看下图的工作原理： 如果想简单一点只要记住一句话即可，只要在G端有信号，那么T1-T2这条路就是通的，只有G在零点的时候才不会导通，主要来看一下应用吧。 来看一个电路图，其实双向可控硅多数用在交流电路中。 简单介绍一下，Q5是三极管，U2是个光耦，BT1就是双向可控硅，R144是一个压敏电阻，正常工作时候相当于断路，超过470V才起作用，CN5接负载，也就是说我只要给AirPumpSwitch一个信号，可控硅就是导通的了，不管是在交流电正负部分。 双向可控硅特点及应用 双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2，一个门极G，门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进...(详情查看)(详情查看)(详情查看)(详情查看)(详情查看)

你好，这个模块的工作原理我简单的说一下。就是可以使它正反电流急剧可以控制，并导通。在电路中形成了正反面。孔控制极端的电流消失，对吗？谢谢。

可控硅（ControlledSilicon）是一种特殊的二极管，它的电流特性可以通过调节电压来控制。这使得可控硅成为一种常用的电压调节元件。可控硅的工作原理是利用电流与电压的特殊关系来控制电流流动。在给定电压范围内，可控硅的电流增长是非线性的，且会在一个特定的电压（称为“压控点”）处出现转折。由于可控硅的压控点可以通过调节电压来控制，因此可以使用可控硅来调节电压。在可控硅中，通常使用电流限制电路来控制电流的流动。当输入电压小于压控点时，电流流动会被限制，因此输出电压也会相应降低。当输入电压大于压控点时，电流流动会增加，因此输出电压也会升高。这样，就可以使用可控硅来调节电压了。可控硅通常用于电源电路、调节电压输出、降低电压输出等应用。它的主要优点是结构简单、成本低廉、可靠性高。

其原理根据负载RL上有电压UL输出。Ug到来得早，可控硅导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。可控硅：可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现的一种是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。

可控硅调速器原理可控硅调速器是一种电动调速器，它使用可控硅作为控制元件，可以控制电机的转速。可控硅调速器的工作原理是：可控硅的控制电路将控制信号转换为电流，然后将电流输入到可控硅的控制端，可控硅的控制端将电流转换为电压，然后将电压输入到电机的控制端，电机的控制端将电压转换为电流，然后将电流输入到电机的转子，从而控制电机的转速。