很多声光控延时电路，都是用可控硅来控制的，我想问的是可控硅触发后，为什么又会自己断开？

1、单相通用型可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器。 2、其核心部件采用国外生产的高性能、高可靠性的军品级可控硅触发专用集成电路。输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。 3、现场调试一般不需要示波器即可完成。它可广泛的应用于工业各领域的电压电流调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧及各种整流装置等。

两边都是交流

正在学习中，大咖们指教

可以用，C1、R3没有什么用处，去掉。R1的阻值换成10K，C2,0.2uf左右即可（耐压不低于630）。

可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。 1：电路原理：电路图如下 　 　 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过零点时，可控硅自关断。当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。 2：元器件选择 　调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻。D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例。

是三极管原理。三极管最简单的说法是小阀门通，大江河水就通。

晶闸管的触发电路原理晶闸管是一种可控硅三极管，它的触发电路原理是通过控制门电压来控制通过晶闸管的电流。当门电压为正值时，晶体管就会导通，电流通过晶体管；当门电压为负值时，晶体管就会断开，电流不能通过晶体管。因此，晶闸管的触发电路就是通过控制门电压来控制电流通断。

普通可控硅最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。一个最简单的单相半波可控整流电路 可控硅整流电路的波形中，发现可控硅承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢? 为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使可控硅承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。 怎样才能做到同步呢?请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在可控硅没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，可控硅VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了可控硅的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。

可控硅的4种触发方式：1、强电触发: 采用MOC3061、MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。 采用触发二极管（DB3）电路与这种结构相似。2、变压器隔离触发: 这是工业上最常用结构，优点是强弱电隔离触发波形好，缺点是长脉冲触发时变压器体积太大，成本高电路复杂。元器件工作在100V脉冲环境，可靠性一般。3、隔离电源直流触发: 图片上的这种触发结构，缺点是功耗较大，发热量大。优点是强弱隔离触发电流大，低频长脉冲、高频脉冲串等都适用，电路简单成本低，元器件工作在20V脉冲环境。可靠性好。这种机构的移相触发器经半年多实际使用(10kw变压器负载，镀铝机蒸发舟加热)，极少出现烧保险丝和烧可控硅现象，原来是采用变压器触发结构，经常烧保险丝，可控硅也有损坏。4、其过零触发控制方式由于对电网无污染 ,在许多调功设备中都采用这种触发方式。可控硅作为大功率电子器件在工程中得到广泛应用 ,

可控硅的4种触发方式：1、强电触发: 采用MOC3061、MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。 采用触发二极管（DB3）电路与这种结构相似。2、变压器隔离触发: 这是工业上最常用结构，优点是强弱电隔离触发波形好，缺点是长脉冲触发时变压器体积太大，成本高电路复杂。元器件工作在100V脉冲环境，可靠性一般。3、隔离电源直流触发: 图片上的这种触发结构，缺点是功耗较大，发热量大。优点是强弱隔离触发电流大，低频长脉冲、高频脉冲串等都适用，电路简单成本低，元器件工作在20V脉冲环境。可靠性好。这种机构的移相触发器经半年多实际使用(10kw变压器负载，镀铝机蒸发舟加热)，极少出现烧保险丝和烧可控硅现象，原来是采用变压器触发结构，经常烧保险丝，可控硅也有损坏。4、其过零触发控制方式由于对电网无污染 ,在许多调功设备中都采用这种触发方式。可控硅作为大功率电子器件在工程中得到广泛应用 ,

可控硅整流用得比较多吧。触发频率和被整流的交流电一样。用555触发器（后面那种我没听说过），可一定时触发。蛮好的阿

问题1:图一的确有问题.问题2:有了VD2,VD1就工作在直流半波状态,光耦合器还是工作在直流电压下的。问题3:G的电流在正负电压是一个方向的.

~36V的交流电压经过桥式整流以后变成100Hz的直流电（注意：电路中没有滤波！整流输出的是脉动直流，波形是正弦正半周的半波）。BT33E是一只单结晶体管，与R4+Rp和C构成锯齿波张弛振荡电路。振荡频率一般几百Hz，BP用来调整振荡频率（实际上是调整C的充电时间），也是第一个锯齿波尖峰与零点的时间差，也就是移相角（控制角）。因此，在一个半波内有多个锯齿，锯齿波的包络线就是半波波形。当交流电压过零瞬间，整流后的直流电压也为零，晶闸管3CT被迫关断。张弛振荡器停振，因此，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。

以你这种说法，应该是变压器的问题。50伏变压器R1通路最大能够提供50毫安电流。而24伏变压器只能提供十几毫安电流。触发无法正常工作。即使能够勉强工作。触发功率太小也不能触打开发可控硅。

你要去确定是交流电才可以使用可控硅控制，不然就用三极管控

可控硅的3种触发方式： 1、强电触发：采用MOC3061、MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。 采用触发二极管电路与这种结构相似。 2、变压器隔离触发：这是工业上最常用结构，优点是强弱电隔离触发波形好，缺点是长脉冲触发时变压器体积太大，成本高电路复杂，元器件工作在100V脉冲环境，可靠性一般。 3、隔离电源直流触发：采用变压器触发结构，经常烧保险丝，可控硅也有损坏，其过零触发控制方式由于对电网无污染 ,在许多调功设备中都采用这种触发方式，可控硅作为大功率电子器件在工程中得到广泛应用。

单片机触发可控硅半波和全波控制如下。1、单片机控制可控硅的触发。2、原理结构图单片机控制可控硅触发电路中。3、选用MCS96系列单片机中的8098型号。4、通过单片机程序控制可控硅的触发角，达到触发与电源同步的目的。

你好：——★1、这个电路的触发回路有问题：脉冲变压器二次侧的触发电流经过可控硅控制极、6～12V电池形成回路。改成24V时，触发电压低于24V，所以不能触发。——★2、解决的办法有两个：①、把脉冲变压器二次侧与电阻R4同时改接到电流表前；②、重新绕制脉冲变压器，增加二次侧的圈数。——★3、第一个办法，会改变输出控制：原电路在没有连接电池时，没有触发回路、没有电压输出；改接后，在没有连接电池时也会有电压输出，但不影响使用。 【补充】：——1、“原电路变压器输出50v我的变压器输出24V”......二极管稳压后也是梯形波（严格地说是正弦波顶部被削平）。变压器输出24V，20V稳压后的梯形波上平台变得很小，与不触发有一定的关系。——2、用万能表电压档，测量脉冲变压器一次侧，看有没有触发电压。如有触发电压，应把二次线圈增加圈数。

我有现成的三相触发控制器，不过你要告诉我你的可控硅是多大的

R2、C1、与D1、D2一起构成了工频同步信号提取电路，交流220V经R2、C1阻容分压，D1、D2双向限幅后得到同步脉冲信号，同步信号的意义在于为双向可控硅触发信号提供触发时间基准，其它元器件的作用你在问题中已描述，在此不再赘述。

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MOC3081，看看这款专用的光耦

为了能控制住输出电压，是的，如果是直流电压源，只要触发一次，可控硅就可以导通，但如果要关断必须用另一种方式将电流撤去才行，这种作用作用并不大。 而可控硅使用的大多数是在交流对直流的转换电路中，就是整流电路，这里可控硅可以在阳极阴极之间出现电压的正半波中选择触发角，使之导通，之后可依靠在过零点及负半波自动截止，下个正半波可以再触发重新导通，可见选择好触发角就可以控制住可控硅的导通角，达到控制输出电压的目的。

10种健脾养胃的食物，胃病食疗的首选 俗话说胃病“三分治七分养”。跟控制疾病相比，其实预防更重要，有胃病困扰的人不妨 多注重饮食调养预防更严重的胃病，那么有什么方法可以不用打针吃药就能改善我们的胃呢?给大家推荐10种健脾养胃的食物。 1、牛奶 味甘、性平，归肺、胃经。 作用：补肺胃，生津液，润大肠。宜于阴虚胃痛，津亏便秘;近代用于治疗消化性溃疡病、习惯性便秘。腹泻、脾虚证、湿证者忌食。 2、粥类 粥类容易消化，尤其八宝粥，里面含有花生、杏仁、白糖等，热量更高更丰富，对胃有好处。而新鲜的花生富含蛋白质、脂肪，能有效地保护胃。确定适合养胃的早餐食物，原则有三：易消化，防刺激，多营养。如：鸡蛋羹、鸡蛋汤、煮鸡蛋、大豆、豆制品、蔬菜、水果等。 3、汤水 比较养胃的东西首选不是粥，而是汤，汤还不能是肉汤。肉汤也含酸多，菜汤较好，什么菠菜、粉丝、鸡蛋能上的都上。再加点鸡精调味。 4、主食 最养胃的，是面条。米中含酸多，所以少吃米饭。如果熬粥，少放点苏打进去，对胃有好处。另外就是饼干。 5、苹果 味甘、性凉。 作用：健脾补气益胃，生津润燥。宜于脾虚食少，胃阴亏虚，阴虚胃痛。 6、包心菜 有健脾养胃、 缓急止痛、解毒消肿、清热利水的作用，可用于内热引起的胸闷、口渴、咽痛、小便不通、耳目不聪、睡眠不佳、关节不利和腹腔隐痛等症。其含有的维生素C等成 分具有止痛及促进溃疡愈合的作用。卷心菜与薏米、陈皮、蜂蜜同煨可用于治疗胃脘胀痛、上腹胀满及胃、十二指肠溃疡，与赤小豆、冬瓜、冰糖煨熟可消肿利水。 大便溏泻及脾胃虚弱者不宜多吃。卷心菜富含防衰老的抗氧化成分，具有提高免疫力、增进身体健康的功效。钾对防治高血压很有益处。维生素K有助于防止血液凝 固，增强骨质。维生素U具有保护黏膜细胞的作用，据说对胃火及胃溃疡的预防与治疗有较好的效果。

可控硅快速的关和开，造成主电流快速的变化其大小，形成的波形称为谐波。

用MFC可控硅模块控制交流的应用很广泛，单结晶体管交流调压电路就是一种典型的交流调压电路。调压原理是：通过改变单结晶体管发出触发脉冲的导通角度来控制MFC可控硅的导通时间，来实现交流调压。此电路中，单结晶体管是接在交流电路中的，通过半波整流和降压获取工作电源。 通常在调压电路中，触发电路由控制电路产生，控制电路工作在直流电路中。其实，不必深究是否是直流控制交流，只要知道MFC可控硅模块的控制原理就行了，其最基本的原理就是用触发脉冲控制可控硅模块的导通，用较小的触发电流控制较大电流的负载工作。

可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。它们共同的作用就是可以用较小的电流（或电压）去控制较大的电流，同时都具有单向导电性，均可作为整流和逆变元件使用，。但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。扩展资料可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。今日半导体元件的材料通常以硅为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗的混合物所发展的硅锗制程。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓，因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。参考资料：百度百科-可控硅百度百科-MOSFET百度百科-IGBT

可以的！在5V电源+端串联一个100欧电阻限流接到触发极G，零端接到TI极(靠近G极的那个极,单向管叫阴接），双向可控硅就一个触发极G，这样只要这个5V电源为高电平时，双向可控硅T1,T2极就可以导通，0V时截止,而且电流是双向的，完全可以达到您的要求。 你这里有"可控硅"和"双向可控硅"两种提法,不知就是同一个双向可控硅还是一个双向可控硅和另一个可控硅(应该是单向),如果是前者,我的回答是对的,电路也方便。如果是后者就不这么简单,电路要复杂些,但为什么要用可控硅和双向可控硅转来转去呢?就一个双向可控硅肯定是可以的.

mtc110a1600v工作原理是采用脉冲变压器触发的编程控制的精准过零电路，在加上动态放电技术的保护电路。电容器切除时产生的过电压和非精准过零电路的弧光能量，可控硅投切，那配套快速熔断器，快速熔断器保护可控硅，经过电路设计完善，熔断器采用普通熔断器，灵敏度低。mtc110a1600v可控硅要使晶闸管导通，一是在它的阳极与阴极之间外加正向电压，二是在它的控制极与阴极之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。mtc110a1600v工作原理mtc110a1600v可控硅如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。mtc110a1600v可控硅使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源的开关S或使阳极电流小于维持导通的最小值称为维持电流。mtc110a可控硅如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。mtc110a1600v可控硅最主要的作用之一就是稳压稳流。可控硅在自动控制控制，机电领域，工业电气及家电等方面都有广泛的应用。可控硅是一种有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称点火使其道通。mtc110a1600v可控硅一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个值以下。

一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。　　在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。　　可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。　　可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。　　可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。　　可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。1、可控硅元件的结构　　不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。2、工作原理　　可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示　　当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。　　由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。　　由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性　　当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向（2）正向特性　　当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压　　由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，见图2中的BC段2、触发导通图5 阳极和控制极均加正向电压图1、可控硅结构示意图和符号图3、可控硅在电路中的主要用途是什么?　　普通可控硅最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，可控硅被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，可控硅导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。 4、在桥式整流电路中，把二极管都换成可控硅是不是就成了可控整流电路了呢?　　在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成可控硅就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了5、可控硅控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?可控硅触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小可控硅触发大可控硅的触发电路，等等。 6、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?　　单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压UE<UABR>7、怎样利用单结晶体管组成可控硅触发电路呢?　　我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期 8、在可控整流电路的波形图中，发现可控硅承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?　　为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使可控硅承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。 怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在可控硅没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，可控硅VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了可控硅的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。双向可控硅的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。 转的……感谢原创。

以过零触发电路作为驱动模块1、以过零触发电路作为直流调速功率放大电路的驱动模块，该模块采用光耦合隔离技术，具有结构简单，稳定性好，驱动能力强，功耗低的特点，但只能在触发信号的控制下在高压侧产生栅极驱动电压．驱动电压驱动双向可控硅通过控制触发脉冲的触发角的大小，从而实现对直流电机的调速控制。2、双硅跟单硅不同 控制极加的是一个交流触发电压 触发电压来自于R2和R3的分压后 经光耦控制可控硅的导通 从而控制负载工作还是停止 在这里光耦只是起到一个无触点开关的作用 即便去掉光耦 负载也能够工作 只是停止不了 所以光耦在这里就相当于电灯的一个开关 通过调整触发脉冲频率来控制可控硅的导通角

单相通用型可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器，其核心部件采用国外生产的高性能、高可靠性的军品级可控硅触发专用集成电路。输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。现场调试一般不需要示波器即可完成。它可广泛的应用于工业各领域的电压电流调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧及各种整流装置等，

可控硅的4种触发方式：1、强电触发: 采用MOC3061、MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。 采用触发二极管（DB3）电路与这种结构相似。2、变压器隔离触发: 这是工业上最常用结构，优点是强弱电隔离触发波形好，缺点是长脉冲触发时变压器体积太大，成本高电路复杂。元器件工作在100V脉冲环境，可靠性一般。3、隔离电源直流触发: 图片上的这种触发结构，缺点是功耗较大，发热量大。优点是强弱隔离触发电流大，低频长脉冲、高频脉冲串等都适用，电路简单成本低，元器件工作在20V脉冲环境。可靠性好。这种机构的移相触发器经半年多实际使用(10kw变压器负载，镀铝机蒸发舟加热)，极少出现烧保险丝和烧可控硅现象，原来是采用变压器触发结构，经常烧保险丝，可控硅也有损坏。4、其过零触发控制方式由于对电网无污染 ,在许多调功设备中都采用这种触发方式。可控硅作为大功率电子器件在工程中得到广泛应用 ,

可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。它们共同的作用就是可以用较小的电流（或电压）去控制较大的电流，同时都具有单向导电性，均可作为整流和逆变元件使用， 但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。

软起动中的输出可控硅是靠模拟信号控制导通量的，不能用门电路。

一、可控硅的概念和结构？　　　　晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。　　 可控硅　　 二、晶闸管的主要工作特性　　　　为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢? 可控硅　　这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。　　晶闸管的特点： 是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。　　 怎样测试晶闸管的好坏　　三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?　　普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。　　 四、晶闸管在电路中的主要用途是什么?　　　　普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。　　 可控硅　　五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?　　在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。　　六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?　　晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路。　　七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?　　单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。　　八、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢?　　单结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期。　　九、在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?　　为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。　　怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，晶闸管VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。　　双向晶闸管的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。　　　　十、可控硅元件的工作原理及基本特性电路　　可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示　　图1 可控硅等效图解图　　当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。　　由于BG1和BG2所构成的正反馈作用, 可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断c 所以一旦的。　　由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表1　　表1 可控硅导通和关断条件　　状态 条件 说明 　　从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位　　2、控制极有足够的正向电压和电流　　两者缺一不可 　　维持导通 1、阳极电位高于阴极电位　　2、阳极电流大于维持电流　　两者缺一不可 　　从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位　　2、阳极电流小于维持电流　　任一条件即可 　　2、基本伏安特性　　可控硅的基本伏安特性见图2　　图2 可控硅基本伏安特性 　　（1）反向特性　　当控制极开路,阳极加上反向电压时（见图3）,J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向击穿。　　图3 阳极加反向电压　　（2）正向特性　　当控制极开路,阳极上加上正向电压时（见图4）,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫：正向转折电压　　图4 阳极加正向电压　　由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。　　这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图2中的BC段　　3、触发导通　　在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。　　图5 阳极和控制极均加正向电压　　　　十一、可控硅参数符号　　参数符号说明: 　　IT(AV)--通态平均电流 　　VRRM--反向重复峰值电压　　IDRM--断态重复峰值电流 　　ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流　　VTM--通态峰值电压　　IGT--门极触发电流 　　VGT--门极触发电压　　IH--维持电流 　　dv/dt--断态电压临界上升率　　di/dt--通态电流临界上升率 　　Rthjc--结壳热阻 　　VISO--模块绝缘电压 　　Tjm--额定结温 　　VDRM--通态重复峰值电压　　IRRM--反向重复峰值电流 　　IF(AV)--正向平均电流 　　十二、如何鉴别可控硅的三个极　　鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。 　　阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。 　　控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。 　　若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。 　　可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 　　一、 可控硅的结构和特性 　　■可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种（见图表-25）。螺旋式的应用较多。 　　■可控硅有三个电极----阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P 型导体和N 型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结。其结构示意图和符号见图表-26。 　　■从图表-26中可以看到，可控硅和只有一个PN 结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 　　■可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。 　　■首先，我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN 型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP 型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。这样就可画出图表-27（C）的等效电路图来分析。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea ，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1 的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1 将产生基极电流Ib1 ，经放大，BG1 将有一个放大了β1 倍的集电极电流IC1 。因为BG1 集电极与BG2 基极相连，IC1 又是BG2 的基极电流Ib2 。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）放大了β2 的集电极电流IC2 送回BG1 的基极放大。如此循环放大，直到BG1 、BG2 完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。 　　■可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1 基极的电流已不只是初始的Ib1 ，而是经过BG1 、BG2 放大后的电流（β1 *β2 *Ib1 ）这一电流远大于Ib1 ，足以保持BG1 的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea 或降低Ea ，使BG1 、BG2 中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea 极性反接，BG1 、BG2 由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea 接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。 　　■可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。 　　 [编辑本段]二、可控硅的主要参数　　可控硅的主要参数有： 　　1、 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。 　　2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。 　　3、 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 　　4、 控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。 　　5、 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。 　　■近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。　　可控硅　　可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。　　可控硅的分类　　按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（SCR）即单向可控硅、双向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。　　可控硅的触发　　过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。 　　非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。 　　可控硅的主要参数　　可控硅的主要参数: 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。

两相直流电机?你的是步进电机吗？

控制极电流过大你在控制极串个电阻看看

丫的它不控制电流的强弱，只起到控制通断作用，只要一通，电流能有多强有多强。开通可控硅需要给它的门极和阴极之间加一个脉冲。

触发部分的设计要看可控端的电压和电流。举个例子：如果可控硅两端的电压最大值是311V，而它的控制电流要在15mA以下，你可以大概选个中间值，就6mA吧。那么用311V/50K=6.22mA。其实你用100K电阻都还行，只不过灯光会暗点，因为这电阻大小决定每个周期导通时间长短。扩展资料可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。参考资料来源：百度百科-可控硅

可控硅并不是产生谐波的原因，没有可控硅的非线性负载照样会产生谐波。非线性负载才是产生谐波的原因。

如果实现对交流电压的控制有这么几种形式： 1.就是控制变压器的输出抽头的触点，可以通过继电器，接触器，可控硅等实现。 2.可以通过变频器原理的调压技术，实际上就是一个可调输出电压的逆变器。 要控制可控硅的导通角要首先有过零检测电路。 过零检测可以采用比较器实现。 可控硅实现交流电调压实际是调功，一般有两种方案1，调节单位时间内交流脉冲个数。 2，是通过控制可控硅的导通角来调节电流大小。全导通为180度，一般工作在60到140度左右 一般第二种方式比较常用。 单片机控制可控硅导通角度关键在交流电过零检测电路。一般思路单片机检测到交流电零点时产生中断，经一段时间延时后触发可控硅。 50HZ市电而言，延时时间必须在10毫秒以内。将这一个延时时间分成N份即N级调节输出功率。延时时间越短可控导通角度越大输出功率越大，延时时间越长可控导通角度越小输出功率越小。

你这个电路有问题，工作不起来的

智能硬件操作

电阻计算方式是电网电压峰值除以3063的ITSM （一般是1A），即220*1.414/1=311,一般取330欧

360欧电阻是防止误触发可控硅的。可控硅触发电流是在T1和G脚间，负半周时你再分析一下怎么可能通过360欧在T1和G脚间形成触发电流。

简单的阻容触发电路

如果悬赏分多一些这个问题就可以解决了。

根据负载，选择过零触发或者移相触发。

可控硅是一种新型的半导体器件,它有体积小,重量轻,效率高,寿命长,动作快以及使用方便等优点。目前,交流调压器多采用可控硅调压。下面介绍的是一种用可控硅为主要器件来实现自动调压的电路。 2 总体设计方案 2．1 可控硅交流调压电路设计思路 （1）电网提供220伏（有效值）50赫兹,通过整流电路变成单向的脉动 电流。 （2）将单向脉动支流电送到可控硅,经电阻降压,作为触发电路的直流电源。 （3）通过对电容的冲放电来控制张弛振荡器。 （4）形成一个尖脉冲送到可控硅的控制极。 （5）调节电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,来改变可控硅的导通时刻从而改变输出电压。 2．2 可控硅交流调压电路的原理方框图如图1所示 图1 可控硅交流调压方框图 （1）整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。 （2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。 （3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。 （4）张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。 （5）冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。 2．3 电路原理图 图2 交流调压电路的原理图 2．4 工作原理 图中TVP抗干扰普通电源电路。采用双向TVP管子。它对于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸 收。 整流电路采用桥式整流,由4只二极管组成,D1,D2,D3,D4组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏交流电通过负载电阻Rc,二极管D1到D4整流,在可控硅SCH的A ,K两极形成一个脉动的直流电压。该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流的正半周时,整流电路通过电阻R1,可变电阻W1对电容充电。当充电电压T1管的峰值电压Up时,管子由截止变为导通。于是电容C通过T1管的e1,b1结和R2迅速的放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过0点时,可控硅自行关断。当交流电在负半周时C又重新充电…周而复始。改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。 2．5 参数的选择 （1）二极管D1,D2,D3,D4于300伏,整流电流大于0.3安的硅流二极管。型号2CZ21B, 2CZ83E。 （2）晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额定平均电流大于1安的可控硅整流器件。型号 国产3CT。 （3）调压电位器选用阻值围470千欧的WH114—1型的合成炭膜电位器。 （4）电阻R1选用功率为1瓦的金属膜电阻。 （5）电阻R2,R3,R4选用功率为1/8瓦的炭膜电阻。 参考文献 [1] 崔体人.元器件选用大全 .杭州：浙江科学出版社 1998。 [2] 方德寿.实用电子技术手册 .北京：国防工业出版社 1999。 [3] 谢自美.电子线路设计实验测试 .武汉：华中理工大学出版社 1994。 [4] 电气学会编.电工电子技术手册.北京：科学出版社 2004。 心得体会 这次实习给我的最大感受就是自己的知识太贫乏。拿到这个题目后却不知道如何下手了。平时学的知识都很零碎的存在脑袋里。用的时候去不能系统的组织起来。还有就是自己的计算机知识太差劲了，连以前过的计算机基础知识，由于经常不用而忘记了。所以设计这电路费了很大的劲。 刚开始对电路不很懂。不过通过这些实习。我理解了交流调压电路的原理,功能,作用。还有许多参数,每一步都不好走。终于把它给弄明白了。 通过这次实习让我学会了查资料。以前都没怎么进图书馆。开始设时,为了一个参数的选择,不得不在图书馆翻一本又一本的厚厚的书。还有为了看论文的格式而浏览了很多的网页。真的快达到废寝忘食的地步了。 实习让我明白了平常都是眼高手低。很多东西决的自己会,其实知道的只是一些皮毛。我想学任何东西都是要深入进去的,而不是只学到表面的。我对自己的专业知识也有了一个新的认识,我知道还有很多东西需要自己去努力,认真的学习。