光电二极管原理 光电二极管原理是什么

光敏二极管原理光敏二极管是一种特殊的二极管，它的特殊之处在于它可以感受到光线的强弱，并将光线转换成电信号。它的工作原理是：当光线照射到光敏二极管的P型半导体表面时，会产生电子和空穴，这些电子和空穴会在P型半导体表面形成一个电荷层，这个电荷层会影响到N型半导体表面的电子流动，从而产生电流。因此，当光线照射到光敏二极管时，就会产生电流，从而产生电信号。

光敏二极管，也称为光电二极管或光感二极管，是一种特殊的二极管，具有对光有敏感性的器件。它包含一个带有光敏材料的小孔，可以将光能转换为电能。当光照射到光敏二极管上时，光敏材料会产生光电子，这些光电子会在半导体材料中的空穴中流动，导致半导体的电子能带发生变化。这样，当照射光强度变化时，光敏二极管的电流也会发生变化。因此，光敏二极管可以用来测量光强度或作为光强度控制器。光敏二极管的电路特性与普通二极管类似，只是它们在工作时需要光照。在没有光照的情况下，光敏二极管的电流很小，因此它也可以用作光强度控制器。通常，光敏二极管的光敏材料是硅、锗或砷化镓。这些材料都是半导体材料，在照射光后，会产生光电子，导致半导体的电子能带发生变化。有一种常用的光敏二极管叫做光电池。光电池具有非常高的光电转换效率，因此它经常用于太阳能电池和太阳能跟踪系统中。

在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（Intrinsic）半导体，故称I层，因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。

　　光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极管、双极性晶体管等电子技术的物质基础。那么PIN光电二极管又是什么呢，与一般光电二极管在作用和工作原理上有什么区别呢，接下来小编就带着大家一起了解一下。　　　　PIN光电二极管简介及作用　　PIN光电二极管也叫做PIN结二极管或者是PIN二极管。这种二极管也涉及到两种半导体之间的PN结的运用，但与一般的光电二极管不同的是，PIN光电二极管在连接P型半导体和N型半导体之间还生成了一层I型半导体的物质，是用来吸收光辐射从而产生光电流的一种检测光信号的小型器件。简而言之，就是通过PIN层，将光信号转换成电信号。不仅反应灵敏，所需要的时间也很短。　　　　PIN光电二极管工作原理简介　　实际上PIN光电二极管内部的I型半导体是一种浓度很低的N型半导体。将低浓度的N型半导体渗入到PN结中间，能够有效扩大耗尽区的宽度，目的是减小扩散运动产生的影响，提高响应速度，即增强反应灵敏性。正是由于这种渗入到PN层的N型半导体浓度很低，几乎接近I型半导体，所以我们称这一层为I型层，PIN光电二极管也由此得名。　　　　在I层的两侧分别是浓度很高的P型半导体和N型半导体，由于这两层浓度很高，所以很薄，可以吸入的入射光也自然较少。I层本征半导体浓度很低，但相对较厚，所以几乎占据了整个耗尽区的空间。大部分入射光透过P层或N层直接被I层吸收，并迅速产生大量的电子，从而很快将光能转化成电能。　　　　半导体的应用仍然在探索当中。但PIN光电二极管早就被人们用来很好的将光信号转换成电信号。PIN光电二极管在设计时也会尽量增大PIN区的面积，以便能够接收更多的光信号，这样能转换和传输的电信号也会越多。光电传输就能更大效率地得到利用。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

光电二极管的工作原理：光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光电三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

光敏二、三极管以光激发载流子而改变导通电阻，自己不能产生能源，所以需要加反向偏压，光照越强，电流越大，无光照则几乎不导通。

将指针万用表置于r*1k挡，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3~10kω左右，反向电阻值为500kω以上。测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500kω以上减小至50~100kω之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。

光敏二极管（photodiode）是一种可以通过光线的强弱来控制电流的半导体器件。光敏二极管通常被用来检测光线的强弱，并转换成电信号。当光敏二极管接受到光线时，就会产生电流。这种电流通常是在很短的时间内产生的，因此，光敏二极管在检测光线的强弱时会有一定的滞后性。这是因为光敏二极管内部的电子有一定的质量，在接受光线的时候需要一定的时间才能被加速到足够的速度产生电流。此外，光敏二极管也有一定的响应时间。这是指，在接受光线的时候，光敏二极管内部的电子需要一定的时间才能将能量转化为电流。这个时间通常被称为光敏二极管的响应时间，它决定了光敏二极管在检测光线的强弱时的速度。总的来说，光敏二极管的滞后原理是指，在接受光线的时候，光敏二极管内部的电子需要一定的时间才能被加速到足够的速度产生电流，这就导致了光敏二极管在检测光线的强弱时存在一定的滞后性。

一、这里的电桥的四个桥臂分别是FETR2Rw的中心滑动端以上的电阻Rw的中心滑动端以下的电阻和R3二、FET是场效应管三、在光照下，光敏二极管导通，因此A点的电压会下降，由于A点电压就是场效应管的栅极电压，栅极电压下降会使场效应管的导通程度下降，导通沟道电阻增加，这就是R2上电流减小的原因。由于场效应管栅极和源极之间的电阻极大，几乎等于绝缘状态，所以A点和B点之间没有电流流过。流过R2的电流来自场效应管的漏极。无论光照强度大小有无，R2只要有电流，都是从电源E正极经开关K、场效应管漏极、场效应管源极、R2，然后再返回电源E的负极。

光敏二极管的特性有五个：光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似，都对电流有放大的作用，不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，它还要受光辐射的控制。一般情况下基极不引出，但有些的基极有引出，引出的基极有温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN结受到光辐射时，就会形成光电流，产生的光生电流由基极进入到发射极，进而在集电极回路中得到一个放大了的信号电流。用不同材料制作而成的光敏极管具有不同的光谱特性。典型光敏二极管电路图（一）典型光敏二极管电路图（二）图是光敏二极管的应用电路实例。因（a）是对数压缩电路，反馈电路中采用对数二极管VD，可以对输出电压进行对数压缩，测光范围较宽，一股用于模拟光信号电路。图（b）是定位用传感器电路．采用对偶型光敏二极管，放大VD1与VD2的差动信号。图（c）是与FE丁（VT）组合的调制光传感器电路．用于光控电路，响应速度快，噪声低，它是一种调制光等的交流专用放大器，但不适合于模拟信号电路中。典型光敏二极管电路图（三）典型光敏二极管电路图（四）图4-5是光敏二极管VD与运放A组合应用实例．图4-5（a）为无偏置方式，图4-5（b）为反向偏置方式。无偏置电路可以用于测量宽范围的入射光，例如照度计等，但响应特性比不上反向偏置的电路，可用反馈电阻Rf调整输出电压，如果Rf用对数二极管替代．则可以输出对数压缩的电压。反向偏置电路的响应速度快．输出信号与输入信号同相位典型光敏二极管电路图（五）典型光敏二极管电路图（六）如下图电路中通过压电元件传感器S将压力转换为电信号送至SD3或SD3A集成电路，并通过发光二极管显示。图中虚线框内两个等效电阻分别为工作室和补偿室（双电离室）。典型光敏二极管电路图（七）LM358该测试器可对发光二极管进行不区分极性地检测，从而判定其发光性能。在批量检测中，与用万用表等测试手段相比，省时省力、简单直观。电路如下图所示，一路运算放大器接成低频自激振荡器，在输出端间歇输出高电平或低电平。另一路运放接成反相器形式。当振荡电路输出高电平时，反相器则输出低电平；振荡电路输出低电平时，反相器输出高电平。若在两输出端跨接一支发光二极管，不论跨接的极性如何，发光二极管总是要随着振荡电路的振荡频率，间歇地导通发光。LED为电源指示管，兼作发光强度的比较管。运放IC可选用LM358或LM324。

光敏三极管(PhotoTransister)又称之为光电三极管，它的作用是将光信号转换为电信号提供给电路，是一种光电传感器。光敏三极管的基本结构和普通三极管一样，有两个PN结，吸收入射光，基区面积较大，发射区面积较小。 当光入射到基极表面，产生光生电子-空穴对，会在b-c结电场作用下，电子向集电极漂移，而空穴移向基极，致使基极电位升高，在c、e间外加电压作用下(c为+、e为-)大量电子由发射极注入，除少数在基极与空穴复合外，大量通过极薄的基极被集电极收集，成为输出光敏流。 总之，光敏三极管工作原理分为两个过程：一是光敏转换;二是光敏流放大。最大特点是输出电流大，达毫安级。但响应速度比光敏二极管慢得多，温度效应也比光敏二极管大得多。光敏三极管具有塑封、金属封装以及陶瓷封装等几种类型，它最大的特点就是输出电流大，而且在温度效应方面也比光敏二极管高很多。

一、光敏二极管的符号及其工作原理：（一）电路符号：PN LED — + 是一种将光信号变为电信号的半导体器件。（二）光敏二极管的结构： P区要比N区薄得多，管壳没有光线的入窗口或管壳做成透明。 光敏二极管在反向工作电压下工作： 1. 无光照： 反向电阻很大，通过管子的电流较小，约为0.1微安 2. 有光照： 反向电阻显著减小，反向电流显著增加，光电流的大小与光的强度，波长有关。二、光敏二极管的主要参数：1、最大工作电压Vrmax：光照条件下，反向电流不超过0.1微安所能承受的最高反向工作电压。Vrmax越大，管子性能越稳定。 2、暗电流ID：无光照条件下，在最高反向电压作用下所测得的反向电流。ID越小，管子性能越稳定，对光的敏感度就越高。3、 光电流IL：光敏二极管在光照条件下所产生的电流IL越大，性能就越好。N型： 2CU P型： 2DU 主要用于自动控制，光电耦合。

光敏电阻 ，纯阻性原件，遇光电阻变小光敏二极管，反向电压作用之下工作的。没有光照时反向电流很小，遇光方向电流大光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。遇光在PN结两端产生电压，接入电路就会有电流

相同点：工作原理理论都建立在光电效应上，结构中都具有光阴极。不同点：一、原理特点不同1、光电倍增管：光电倍增管建立在外光电效应、二次电子发射和电子光学理论基础上，结合了高增益、低噪声、高频率响应和大信号接收区等特征，是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光敏电真空器件，可以工作在紫外、可见和近红外区的光谱区。2、光电管：光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管，它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管，是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。二、结构上的区别1、光电倍增管：光电倍增管包括阴极室和由若干打拿极组成的二次发射倍增系统两部分。2、光电管：用碱金属（如钾、钠、铯等）做成一个曲面作为阴极，另一个极为阳极，两极间加上正向电压。三、特点不同1、光电倍增管：能在低能级光度学和光谱学方面测量波长200~1200纳米的极微弱辐射功率。2、光电管：光电管灵敏度低、体积大、易破损，已被固体光电器件所代替。参考资料来源：百度百科-光电倍增管百度百科-光电管

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PIN: 光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大， 放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。

光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管,它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管,是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。当光照强度增加时,pn结两侧的p区和n区因本征激发产生的少数载流子浓度增多,如果二极管反偏,则反向电流增大,因此,光电二极管的反向电流随光照的增加而上升。光电二极管是一种特殊的二极管,它工作在反向偏置状态下。常见的半导体材料有硅、锗等。如我们楼道用的光控开关。还有一种是电子管类型的光电管,它的工作原理用碱金属(如钾、钠、铯等)做成一个曲面作为阴极,另一个极为阳极,两极间加上正向电压,这样当有光照射时,碱金属产生电子,就会形成一束光电子电流,从而使两极间导通,光照消失,光电子流也消失,使两极间断开。光照射到某些物质上,引起物质的电性质发生变化。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。金属表面在光辐照作用下发射电子的效应,发射出来的电子叫做光电子。

光敏二极管所利用的是光生伏特效应（错误）。光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的，其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管工作原理：光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小一般小于0.1微安，称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子——空穴对，称为光生载流子。

　　光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极管、双极性晶体管等电子技术的物质基础。那么PIN光电二极管又是什么呢，与一般光电二极管在作用和工作原理上有什么区别呢，接下来小编就带着大家一起了解一下。　　　　PIN光电二极管简介及作用　　PIN光电二极管也叫做PIN结二极管或者是PIN二极管。这种二极管也涉及到两种半导体之间的PN结的运用，但与一般的光电二极管不同的是，PIN光电二极管在连接P型半导体和N型半导体之间还生成了一层I型半导体的物质，是用来吸收光辐射从而产生光电流的一种检测光信号的小型器件。简而言之，就是通过PIN层，将光信号转换成电信号。不仅反应灵敏，所需要的时间也很短。　　　　PIN光电二极管工作原理简介　　实际上PIN光电二极管内部的I型半导体是一种浓度很低的N型半导体。将低浓度的N型半导体渗入到PN结中间，能够有效扩大耗尽区的宽度，目的是减小扩散运动产生的影响，提高响应速度，即增强反应灵敏性。正是由于这种渗入到PN层的N型半导体浓度很低，几乎接近I型半导体，所以我们称这一层为I型层，PIN光电二极管也由此得名。　　　　在I层的两侧分别是浓度很高的P型半导体和N型半导体，由于这两层浓度很高，所以很薄，可以吸入的入射光也自然较少。I层本征半导体浓度很低，但相对较厚，所以几乎占据了整个耗尽区的空间。大部分入射光透过P层或N层直接被I层吸收，并迅速产生大量的电子，从而很快将光能转化成电能。　　　　半导体的应用仍然在探索当中。但PIN光电二极管早就被人们用来很好的将光信号转换成电信号。PIN光电二极管在设计时也会尽量增大PIN区的面积，以便能够接收更多的光信号，这样能转换和传输的电信号也会越多。光电传输就能更大效率地得到利用。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

光敏二极管是一种光电转换元件，老的叫法我们叫做光电二极管，光导管，光单元。他的封装形式有很多中，例如，金属壳封装（代表型号 LXD66MK , LXD44MK , LXD1010MK）这些在生产中一般都是工业级产品使用。由于他们的测量精度比较高，常用在分析仪器上面。开关上面光敏电阻用的比较多（代表型号 LXD20528 , LXD12528 ,LXD11537 等）。火焰探测上面也有用到例如（LXD7606，LXD12516）等等吧。在民用产品中，低成本的光敏二极管是关键，在玩具中，照明，光电开关多数有采用环氧树脂封装的光敏二极管，例如（LXD/GB5-A1DEL, LXD/GB5-A1DPS , LXD/GB5-A1ELB），也有采用光敏电阻的，因为光敏电阻便宜。（代表型号LXD5516，LXD5528 ,LXD5537 , LXD5549 ）,。还有光通讯领域，（LXD/GB3-A1ELS）,应用太多了。科研方面，主要看你那光敏二极管做什么产品用，实现一个什么效果。就这些，记得给分。还有你可以咨询一些这类的公司。www.lxdcn.com ，他们有在线的客服，你找他们可以咨询的。

1.光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增 光敏二极管加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2CU、2DU等系列。 　　2.光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。3.基本特性:(1)光谱特性 (2)伏安特性(3)光照特性(4)温度特 5)频率响应性编辑本段工作原理　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。 　　光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。 　　它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。 　　光敏二极管、光敏三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光敏三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光敏三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光敏二极管一样，光敏三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

光敏二极管的线性特性较差 , 而光敏晶体管有很好的线性特性是不正确的。光敏二极管，又叫光电二极管是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。工作原理：光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子——空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。

图示电路能随光线的强弱自动调节灯光的亮度。它主要是通过光敏二极管V11的光电藕合作用来控制晶体管V8集电极电流的大小，即控制电容C充电的快慢，也就控制了单结晶体管的导通时刻，改变了电灯两端的电压，使灯光亮度得到调节。当光线较强时，光敏二极管控制V8的集电极电流减小，电容C充电放慢，单结晶体管导通时刻后移，控制角增大，电灯两端电压减小，则灯光亮度减弱。当光线较弱时，情况相反。

利用雪崩倍增效应实现内部电流增益的半导体光电转换器件

光照很小时，电流 I 很小，Ui接近于5V。此时反相器输入端为逻辑高电平，因此输出低电平0V。光照逐渐变大时，电流I逐渐变大，Ui逐渐下降。当Ui低于反相器输入端的VIL时，判定为逻辑低电平，因此输出高电平5V。

首先你要明白光电管的原理。光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管，它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管，是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。当光照强度增加时，PN结两侧的P区和N区因本征激发产生的少数载流子浓度增多，如果二极管反偏，则反向电流增大，因此，光电二极管的反向电流随光照的增加而上升。光电二极管是一种特殊的二极管，它工作在反向偏置状态下。常见的半导体材料有硅、锗等。如我们楼道用的光控开关。还有一种是电子管类型的光电管，它的工作原理用碱金属（如钾、钠、铯等）做成一个曲面作为阴极，另一个极为阳极，两极间加上正向电压，这样当有光照射时，碱金属产生电子，就会形成一束光电子电流，从而使两极间导通，光照消失，光电子流也消失，使两极间断开。光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。金属表面在光辐照作用下发射电子的效应，发射出来的电子叫做光电子。光波长小于某一临界值时方能发射电子，即极限波长，对应的光的频率叫做极限频率。临界值取决于金属材料，而发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关，这一点无法用光的波动性解释。还有一点与光的波动性相矛盾，即光电效应的瞬时性，按波动性理论，如果入射光较弱，照射的时间要长一些，金属中的电子才能积累住足够的能量，飞出金属表面。可事实是，只要光的频率高于金属的极限频率，光的亮度无论强弱，光子的产生都几乎是瞬时的，不超过十的负九次方秒。正确的解释是光必定是由与波长有关的严格规定的能量单位(即光子或光量子)所组成。这种解释为爱因斯坦所提出。光电效应由德国物理学家赫兹于1887年发现，对发展量子理论起了根本性作用，在光的照射下，使物体中的电子脱出的现象叫做光电效应(Photoelectric effect)。 光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏打效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。光电效应里，电子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金属表面射出，与光照方向无关 ，光是电磁波，但是光是高频震荡的正交电磁场，振幅很小，不会对电子射出方向产生影响。所以随着加在光电管两端的正向电压的增大,回路中的光电流会增大并进而达到饱和。

CCD的工作原理 CCD是由在硅片上整齐排列的光敏二极管单元组成的，它们整齐地排成一矩形方阵（图6-1），其中每一个光敏单元称为像元，当光照射到硅片上的方阵时， 每一个像元中的原子在具有一定能量的光子作用下，电子从原子中逃逸，形成了一对自由电子和失去电子的原子空穴。投射到光敏单元上的光线越强，产生的电子—空穴越多。 在硅片上这些电子可以和空穴分离，并可以收集起来，电子—空穴对的分离和收集用半导体中的势阱就可以完成，就象用水桶收集雨水一样。图6-2中排列的水桶相当于排列的光敏单元（像元），它们象收集雨水似的收集由光子作用产生的电子。电子数主要取决于光照强度和收集（积分）时间的长短，收集完成后，最右边的桶将桶中的电荷倒入一设在输出端的电子测量单元，电荷/电压转换单元将电子转换成相应的电压，形成了一个像元的视频信号。最右边桶中的电子倒空后，又可以接收从旁边桶中倒入的电子，这样相邻桶之间不断向输出端倒换（移位）桶中的电荷，直至倒换（移位）到输出端的电子测量单元，转换成像元电压。 CCD的突出特点是以电荷作为信号的载体，不同于大多数以电流、电压为信号载体的器件。所以如何将成千上万个像元中的光感应所获得的电荷取出来是CCD图像传感器的关键。构成CCD的基本单元是MOS（金属—氧化物—半导体）结构，在半导体和金属栅电极之间加上足够的电压时，例如加上电压（10V）后，形成了一个能存储电荷的势阱，图6-3 （a），当光线射在这个二极管上时，能在势阱中产生与光能量成正比的电荷；同时，这个势阱还有累积功能，当光线在一时间段内照射时，它能将这一时间段内，由光线强弱产生的电荷累积起来。当多个栅极紧紧排列在一起（间隙宽度小于3μm），并在它们上面加上按一定规律变化的电压时，存储在势阱中的电荷就可以移动起来。 当电极②从2V变为10V时，电极①势阱中的电荷流向第②个电极，并和第一个电极平均分配，图6-3（b）和（c），也称电荷耦合，第①个电极由10V降为2V时，电极①中的电荷全部倒入电极②下的势阱，这样电极①中代表像元光照强度的电荷移位到电极②下的势阱了。这种电荷从一个电极（电荷寄存器）到另一个电极的移位就是CCD的基本动作，使用这种移位将阵列中的每一个像元电荷逐行、逐列地转移至输出端的电荷/电压转换单元，形成了以电压表示像元光照强度的视频信号。这也是为什么将CCD称为电荷耦合器件的原因。 CCD的结构 CCD的结构主要由下列功能块构成： a.光敏区（成像区）由MOS光积分电容或PN结构光电二极管阵列构成，将投影进来的光图像转换成电荷图像阵列，而且阵列中的每一个像元势阱，能像水桶似的在固定时间间隔内累加电荷。 b.电荷移位寄存器阵列：存储和移位像元电荷的寄存器阵列，光敏区光转换并累集完电荷后，将整个阵列的像元电荷转移到电荷移位寄存器的对应阵列中，然后按照电视扫描的规律，逐行、逐列地将电荷移位输出。 c.转移栅：光敏区和电荷移位寄存器由转移栅相连。通过转移栅上的控制电压的高低将光敏阵列与电荷移位寄存器阵列连接起来。当光敏区光注入，并不断积累电荷时（又称光积分），转移栅上加低电压将它们隔离起来，反之当光敏区光积累完成后，转移栅加高电压，光敏区所积累的信号电荷通过转移栅转移到电荷移位寄存器阵列，这种转移是极快的，只需一个极短的正脉冲就可完成转移动作。所以光敏区和电荷移位寄存区的连通时间很短，绝大部分时间是隔离的，在隔离期间它们分别作光电转换和移位输出的动作。 d.电荷/电压转换器和电压放大器：将移位寄存器输出的电荷转换成电压，并将其放大输出形成视频信号。 从上述CCD的结构可以看出，只要控制光敏区上的转移栅上的电压，就可以控制电荷累加的时间长短，这就是电子快门的基础。当电荷累集结束，并在转移栅上加一极短脉冲后，电荷就转移至电荷移位寄存器了，也就是CCD已获取了光图像。下面只是将电荷传送出去的扫描过程了。

工作原理就是通过光像进行转换，也是一种很好的信号；他们是通过芯片以及信号进行传输传递读取，排列顺序比较一致。

雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构（即N+PIP+型结构，P+一面接收光），工作时加较大的反向偏压，使得其达到雪崩倍增状态；它的光吸收区与倍增区基本一致（是存在有高电场的P区和I区）。在APD制造上，需要在器件表面加设保护环，以提高反向耐压性能；半导体材料以Si为优（广泛用于检测0.9um以下的光），但在检测1um以上的长波长光时则常用Ge和InGaAs（噪音和暗电流较大）。这种APD的缺点就是存在有隧道电流倍增的过程，这将产生较大的散粒噪音（降低p区掺杂，可减小隧道电流，但雪崩电压将要提高）。一种改进的结构是所谓SAM-APD：倍增区用较宽禁带宽度的材料（使得不吸收光），光吸收区用较窄禁带宽度的材料；这里由于采用了异质结，即可在不影响光吸收区的情况下来降低倍增区的掺杂浓度，使得其隧道电流得以减小（如果是突变异质结，因为ΔEv的存在，将使光生空穴有所积累而影响到器件的响应速度，这时可在突变异质结的中间插入一层缓变层来减小ΔEv的影响）。

电荷藕合器件图像传感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷，通过模数转换器芯片转换成数字信号，数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存，因而可以轻而易举地把数据传输给计算机，并清洁感光元件表面借助于计算机的处理手段，根据需要和想像来修改图像。CCD由许多感光单位组成，所有的感光单位所产生的信号加在一起，就构成了一幅完整的画面。CCD和传统底片相比，CCD 更接近于人眼对视觉的工作方式。只不过，人眼的视网膜是由负责光强度感应的杆细胞和色彩感应的锥细胞，分工合作组成视觉感应。 CCD经过长达35年的发展，大致的形状和运作方式都已经定型。CCD 的组成主要是由一个类似马赛克的网格、聚光镜片以及垫于最底下的电子线路矩阵所组成。目前有能力生产 CCD 的公司分别为：SONY、Philps、Kodak、Matsushita、Fujifilm和Sharp，大半是日本厂商。互补性氧化金属半导体CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。然而，CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。

光控路灯控制器是一种用来控制路灯的装置，它使用光传感器来感测周围环境的亮度。当环境亮度低于一定值时，光控路灯控制器会启动路灯，而当环境亮度达到一定值时，光控路灯控制器会关闭路灯。这样一来，就可以在白天的时候节省电力，在夜间保证路灯的正常工作。光控路灯控制器一般由光传感器、控制电路和开关三部分组成。当光传感器感测到周围环境的亮度时，会发出信号给控制电路。控制电路根据信号的大小来决定是否启动路灯。如果信号较大，则意味着环境较亮，控制电路会关闭路灯。如果信号较小，则意味着环境较暗，控制电路会启动路灯。光控路灯控制器的工作原理很简单，但它对于节省电力和保证路灯正常工作具有很大的意义。

负极接负极。 电阻分压电源电压的一半就好。外加正向电压不能使发光二极管超过其最大工作电流。

当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时，二极管进入雪崩击穿状态；在此以前，只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离，则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示M=1/[1-(V/VB)n]式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。

将光信号转换为电信号.

用半导体材料制成的晶体二极管具有单向导电的属性，即只允许电流从一个方向通过，不允许电流反方向通过。

1、B 解析：先行词是人,不能用which,而且做从句主语,whom只能用作宾语.且不能省略,排除D 只有B 代替人做主语 2、B 原因同上. 3、D 原因同1 4、C 解析：what不能用于定语从句,排除A. C that做从句主语,不能省略,排除B.it不能连接从句,排除D 5、C 翻译：尽管我认识他很久了,但是我不很了解他 though 尽管,引导让步状语从句 6、C 解析：ABD后面的名词都用单数形式,只有C后面的名词用复数.

而在键鼠外设这一方面，小到驱动下载安装，大到更换线材、各类鼠标的实用推荐等等问题同样经常给我们的日常生活与办公造成各种困惑。中关村在线键鼠频道作为一家专业的网络媒体，有义务为大家去解决这些问题。 中关村在线键鼠频道有意从最基本的问题做起，通过“鼠标经典十问”的方式让最广大的用户群得到最实用的鼠标知识，欲到达每位看完本文的用户能够在购买鼠标的时候不会再有各种困扰的目的。让每位用户都能够根据自己的需求买到让自己满意的鼠标。如果你是玩鼠标的老手，这篇文章并不适合你，他只是普及基础知识的文章，但是如果你对鼠标的很多概念并不了解，本文就是专门为你设计的。话不多说，下面让我们看看“鼠标经典十问”第五辑。经典第五问：鼠标微动是什么？ 很多用户在购买鼠标时，都会听到或者看到各种关于微动的介绍，什么华诺、欧姆龙等等，那么到底什么是鼠标的微动呢？微动开关的工作原理 鼠标微动是鼠标微动开关的简称。即在鼠标左右按键下面的元件，可以把它理解成开关是一种内部采用金属簧片触发的部件，当按键按下一次后，微动开关内的金属簧片触发一次，并且向电脑传送出一个电讯号，之后再复位。鼠标上所有的按键下，必然有一个微动开关，因此实际上微动开关就是鼠标的按键，鼠标外壳上按键的作用只是方便使用者按下微动开关。 鼠标微动是鼠标必不可少的一部分，众多鼠标微动中我们常见的有ormon（欧姆龙）、松下、zip、ttc、kailh（凯华）、huano（华诺）。其中ormon微动的出现率最高，ormon的微动中又分国产白点、国产灰点、日产白点、日产灰点以及日产红点等等。欧姆龙微动TTC微动（红圈内为微动开关）凯华微动（红圈内为微动开关）ZIP微动开关松下微动 其中国产白点微动由于批量大、货源充足再加上不错的手感和质量成为绝大多数鼠标的首选，偏向于专业的中高端游戏鼠标则多采用欧姆龙日产灰点微动。国产欧姆龙微动（识别方法为D2F后有个C字母，日本的只有D2F） 另外关于微动手感，更是仁者见仁智者见智，很多用户在看到有些人评价一款鼠标的微动偏软或者偏硬之后便会犹豫到底要不要买，但是每个人对鼠标的需求均不相同，使用习惯也不同，就和“小马过河”相似，只有自己用过了才知道。

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NVIDIA GeForce系列，特别稳定，位宽很好，但是Optimus虚拟化强，适于工作。

万圣节前夜最流行的游戏是“咬苹果”。游戏时，人们让苹果漂浮在装满水的盆里，然后让孩子们在不用手的条件下用嘴去咬苹果，谁先咬到，谁就是优胜者。

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单数“主语是一个句子中所要表达,描述的人或物,是句子叙述的主体。可由名词、代词、数词、 名词化的形容词、不定式、动名词和主语从句等来承担。谓语是用来说明主语做了什么动作或处在什么状态。谓语可以由动词来担任,一般放在主语 的后面。 宾语是动作的对象或承受者,常位于及物动词或介词后面

有致癌物质和容易爆炸1奶茶杯电子烟的烟液含有多种物质，而这些物质属致癌物会对人体呼吸道鼻肺泡等部位的细胞造成损伤2奶茶杯电子烟电池易爆炸电子烟需要用到电池，其中多为锂电池，易爆炸；3使烟油可以缓慢的流入雾化器中，把底座拧上雾化器即可，注意不要漏油。

CAN实现总线分配的方法，可保证当不同的站申请总线存取时，明确地进行总线分配。这种位仲裁的方法可以解决当两个站同时发送数据时产生的碰撞问题。不同于Ethernet网络的消息仲裁，CAN的非破坏性解决总线存取冲突的方法，确保在不传送有用消息时总线不被占用。甚至当总线在重负载情况下，以消息内容为优先的总线存取也被证明是一种有效的系统。虽然总线的传输能力不足，所有未解决的传输请求都按重要性顺序来处理。在CSMA/CD这样的网络中，如Ethernet，系统往往由于过载而崩溃，而这种情况在CAN中不会发生。扩展资料CAN的报文格式：在总线中传送的报文，每帧由7部分组成。CAN协议支持两种报文格式，其唯一的不同是标识符（ID）长度不同，标准格式为11位，扩展格式为29位。在标准格式中，报文的起始位称为帧起始（SOF），然后是由11位标识符和远程发送请求位 (RTR）组成的仲裁场。RTR位标明是数据帧还是请求帧，在请求帧中没有数据字节。参考资料来源：百度百科-CAN总线

小朋友,这样可不好哦!妈妈不给糖吃,一定是因为,它对你的牙齿不好。) 不给糖吃就捣蛋哟。　　1、万圣节来了，你要小心哦，外面有大鬼小鬼，不过千万不要害怕，教你一个办法：抓乱头发披黑衣，怎么吓人怎么画，怀揣一包大糖果，当当内奸很不错哦！它们发现不了你了，鬼混一晚很快乐哦！　　2、因为你“人小鬼大”，又爱做“小鬼当家”的事。“十万鬼圣王”派8位“鬼杰”，开心鬼、如意鬼、爱哭鬼、爱笑鬼、风流鬼、幸运鬼、聪明鬼、献媚贵，一起向你祝福，愿你万圣节开心快乐！　　3、请注意，在前方发现一个不明物体正在游走，别动，很可能是万圣节偷跑出来的鬼魂！请你双手合十，默念魔咒：万圣节快乐！这样才能保你万圣节平安开心！　　4、万圣节，猪八戒：大师兄，今天怎不去降妖除魔了？孙悟空：我是很慈悲的，让他们过节狂欢一天，明天再说吧！大鬼小鬼高矮胖瘦美丑鬼们，祝万圣节快乐，能爽就赶紧爽死，明天天一亮就快闪吧。

说到水流开关，想必大家都不会觉得陌生。水流开关是我们日常生活中十分常见的一种工具，它可以有效地控制我们使用的水的流量，为我们的生活带来方便。然而，许多人对于它的原理和具体作用却往往并不了解，掌握这些知识可以帮助我们更好地使用它因此，本文就将为大家介绍一下水流开关的原理及作用，从而供大家有需要的时候做下参考。 原理 1、流量开关由磁芯、复位弹簧、锻铜或聚碳外壳和传感器组成。外壳为H58锻铜或聚碳制造，磁芯采用钕铁硼永磁材料，传感器磁控开关则为进口中功率元件。进水端与出水端接口均为G1/2″标准管螺纹。 插入式安装，机械式流量开关，内置微动触发开关。使用磁铁同性相斥的原理进行水电隔离，它完全摒弃了普通靶式流量开关使用的波纹管式的水电隔离部件，工作时微动开关不与低温金属部件接触，也不会产生凝结水，也没有微动开关的锈蚀或接触不良，防护等级高达IP65可应用在具有腐蚀性的空气环境中，WFS22系列挡板式流量开关在结构上大大简化，可靠性、使用寿命、使用温度范围、工作压力及对使用环境的要求等多方面均远优于普通靶式流量开关，是普通靶式流量开关的更新换代产品。 水流开关安装位置： 安装位置一般安装在水泵出水口到设备出水口的这段管路中，不能安装在水泵的吸入口的管路上，这样容易使水泵无法正常吸水，水流开关也无法打开。 2、允许水平〔塑料部分在上)和垂直安装 3、安装挡板式流量开关时需要注意管道中的水流方向一定要和水流开关接 线盒上的箭头方向一致，否则水流开关无法工作。另外切勿用手扳动黑色塑料壳，否则水流开关将无法工作。 作用 1，检测管路中液体是否流动和流动的量(流量，也就是液体流动压力)是否达到要求，同时靠开关电接点输出(提供)一个信号的通断的状态。 2，设备系统靠检测有无信号或控制电流从此开关上通过(水流开关电接点的通、断状态)，来判断管路系统的工作状况，给出相应的控制或运行方式或措施; 通过上文的介绍，我们已经大致了解了水流开关的原理及其作用。从中我们可以看到，水流开关主要是由磁芯、复位弹簧、锻铜或聚碳外壳和传感器组成，在一定条件下有规律地组成，从而监视控制我们的水流情况。它不仅可以检测水流量是否达标，还可以判断机器运作的好坏，从而给出修复的方案或措施。可以说是一种用处极大的机器。

新建一个流程，在其中的 Analysis 小块中在commands中写入ansys80 －s read －i inputname －o outputname 就可以了注意你使用的版本！

　市面上常见的示波器是都有频谱显示功能滴，这个主要是使用了傅里叶变换（FFT）来进行了时域和频域的转换，但示波器的FFT和频谱分析仪在射频测试应用有什么区别呢？ 　　1. 适用的信号类型不同：示波器主要用途用来观察信号的时域特性（也就是电压随时间的变换特性），主要适用于基带信号的分析（正弦波，方波，比特流等未调制信号），而频谱分析仪主要针对射频信号（尤其是带了调制的复杂信号或者多频率信号，这样的信号在时间轴上几乎看不出任何规律）的分析。虽然示波器也可以通过FFT从频率域的角度显示信号，但它的性能指标一般不足以分析射频的，带调制的信号。 　　2. 测量的带宽不同：示波器的设计主要用于观察基带信号的，所以一般来说带宽都不是很宽，最常见的是几十到几百MHz。当然，随着数字电路技术的快速发展，基带信号的速率也在快速提升，所以，一些中高档的示波器也能到GHz这个数量级。而频谱分析仪主要用以分析载波及调制了的射频信号，所以频谱分析仪的频率范围通常要宽很多 　　3. 测量内容不同：示波器观察的是电压随时间的变换，所以通常看到的是正弦波，方波，比特流等，关注电压，周期，上升，下降沿，过冲，毛刺，以及多路信号间的时序等特征。而频谱分析仪看的是射频信号的功率，频率，失真（谐波和互调产物），调制后的带宽，泄漏到相邻信道的大小，噪声测试，以及复杂调制信号的深入分析（调制度，IQ星座图，调制误差等等） 　　4. 灵敏度不同：示波器看的都是基带信号并通过传导方式连接，信号幅度一般都较强，在几伏，十分之几或百分之几伏（功率在毫瓦级），而频谱分析仪很多时候需要测量发射信号频谱或从空中接受到的射频信号，功率往往比1毫瓦还低数个甚至十几个十次方的，换算过来就是几微伏甚至更低。　　5. 动态范围不同：所谓动态范围，是指同时观测大信号和小信号的能力。示波器在观测一个主信号刻度在伏特级的信号的时候，能方便观察的的细微信号或波动在零点几或零点零几伏。也就是说电压的十分之或百分之几的分辨率（功率的百分之或者万分之几）。而频谱分析仪可以同时观测的小信号可以是大信号的功率的百万分之一，千万分之一，一亿分之一。

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