光敏电阻，光敏二极管，光敏三极管，硅光电池各有什么特点

光敏二极管原理光敏二极管是一种特殊的二极管，它的特殊之处在于它可以感受到光线的强弱，并将光线转换成电信号。它的工作原理是：当光线照射到光敏二极管的P型半导体表面时，会产生电子和空穴，这些电子和空穴会在P型半导体表面形成一个电荷层，这个电荷层会影响到N型半导体表面的电子流动，从而产生电流。因此，当光线照射到光敏二极管时，就会产生电流，从而产生电信号。

光敏二极管，也称为光电二极管或光感二极管，是一种特殊的二极管，具有对光有敏感性的器件。它包含一个带有光敏材料的小孔，可以将光能转换为电能。当光照射到光敏二极管上时，光敏材料会产生光电子，这些光电子会在半导体材料中的空穴中流动，导致半导体的电子能带发生变化。这样，当照射光强度变化时，光敏二极管的电流也会发生变化。因此，光敏二极管可以用来测量光强度或作为光强度控制器。光敏二极管的电路特性与普通二极管类似，只是它们在工作时需要光照。在没有光照的情况下，光敏二极管的电流很小，因此它也可以用作光强度控制器。通常，光敏二极管的光敏材料是硅、锗或砷化镓。这些材料都是半导体材料，在照射光后，会产生光电子，导致半导体的电子能带发生变化。有一种常用的光敏二极管叫做光电池。光电池具有非常高的光电转换效率，因此它经常用于太阳能电池和太阳能跟踪系统中。

在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（Intrinsic）半导体，故称I层，因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。

　　光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极管、双极性晶体管等电子技术的物质基础。那么PIN光电二极管又是什么呢，与一般光电二极管在作用和工作原理上有什么区别呢，接下来小编就带着大家一起了解一下。　　　　PIN光电二极管简介及作用　　PIN光电二极管也叫做PIN结二极管或者是PIN二极管。这种二极管也涉及到两种半导体之间的PN结的运用，但与一般的光电二极管不同的是，PIN光电二极管在连接P型半导体和N型半导体之间还生成了一层I型半导体的物质，是用来吸收光辐射从而产生光电流的一种检测光信号的小型器件。简而言之，就是通过PIN层，将光信号转换成电信号。不仅反应灵敏，所需要的时间也很短。　　　　PIN光电二极管工作原理简介　　实际上PIN光电二极管内部的I型半导体是一种浓度很低的N型半导体。将低浓度的N型半导体渗入到PN结中间，能够有效扩大耗尽区的宽度，目的是减小扩散运动产生的影响，提高响应速度，即增强反应灵敏性。正是由于这种渗入到PN层的N型半导体浓度很低，几乎接近I型半导体，所以我们称这一层为I型层，PIN光电二极管也由此得名。　　　　在I层的两侧分别是浓度很高的P型半导体和N型半导体，由于这两层浓度很高，所以很薄，可以吸入的入射光也自然较少。I层本征半导体浓度很低，但相对较厚，所以几乎占据了整个耗尽区的空间。大部分入射光透过P层或N层直接被I层吸收，并迅速产生大量的电子，从而很快将光能转化成电能。　　　　半导体的应用仍然在探索当中。但PIN光电二极管早就被人们用来很好的将光信号转换成电信号。PIN光电二极管在设计时也会尽量增大PIN区的面积，以便能够接收更多的光信号，这样能转换和传输的电信号也会越多。光电传输就能更大效率地得到利用。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

光电二极管的工作原理：光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光电三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

光敏二、三极管以光激发载流子而改变导通电阻，自己不能产生能源，所以需要加反向偏压，光照越强，电流越大，无光照则几乎不导通。

将指针万用表置于r*1k挡，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3~10kω左右，反向电阻值为500kω以上。测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500kω以上减小至50~100kω之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。

光敏二极管（photodiode）是一种可以通过光线的强弱来控制电流的半导体器件。光敏二极管通常被用来检测光线的强弱，并转换成电信号。当光敏二极管接受到光线时，就会产生电流。这种电流通常是在很短的时间内产生的，因此，光敏二极管在检测光线的强弱时会有一定的滞后性。这是因为光敏二极管内部的电子有一定的质量，在接受光线的时候需要一定的时间才能被加速到足够的速度产生电流。此外，光敏二极管也有一定的响应时间。这是指，在接受光线的时候，光敏二极管内部的电子需要一定的时间才能将能量转化为电流。这个时间通常被称为光敏二极管的响应时间，它决定了光敏二极管在检测光线的强弱时的速度。总的来说，光敏二极管的滞后原理是指，在接受光线的时候，光敏二极管内部的电子需要一定的时间才能被加速到足够的速度产生电流，这就导致了光敏二极管在检测光线的强弱时存在一定的滞后性。

一、这里的电桥的四个桥臂分别是FETR2Rw的中心滑动端以上的电阻Rw的中心滑动端以下的电阻和R3二、FET是场效应管三、在光照下，光敏二极管导通，因此A点的电压会下降，由于A点电压就是场效应管的栅极电压，栅极电压下降会使场效应管的导通程度下降，导通沟道电阻增加，这就是R2上电流减小的原因。由于场效应管栅极和源极之间的电阻极大，几乎等于绝缘状态，所以A点和B点之间没有电流流过。流过R2的电流来自场效应管的漏极。无论光照强度大小有无，R2只要有电流，都是从电源E正极经开关K、场效应管漏极、场效应管源极、R2，然后再返回电源E的负极。

光敏二极管的特性有五个：光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似，都对电流有放大的作用，不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，它还要受光辐射的控制。一般情况下基极不引出，但有些的基极有引出，引出的基极有温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN结受到光辐射时，就会形成光电流，产生的光生电流由基极进入到发射极，进而在集电极回路中得到一个放大了的信号电流。用不同材料制作而成的光敏极管具有不同的光谱特性。典型光敏二极管电路图（一）典型光敏二极管电路图（二）图是光敏二极管的应用电路实例。因（a）是对数压缩电路，反馈电路中采用对数二极管VD，可以对输出电压进行对数压缩，测光范围较宽，一股用于模拟光信号电路。图（b）是定位用传感器电路．采用对偶型光敏二极管，放大VD1与VD2的差动信号。图（c）是与FE丁（VT）组合的调制光传感器电路．用于光控电路，响应速度快，噪声低，它是一种调制光等的交流专用放大器，但不适合于模拟信号电路中。典型光敏二极管电路图（三）典型光敏二极管电路图（四）图4-5是光敏二极管VD与运放A组合应用实例．图4-5（a）为无偏置方式，图4-5（b）为反向偏置方式。无偏置电路可以用于测量宽范围的入射光，例如照度计等，但响应特性比不上反向偏置的电路，可用反馈电阻Rf调整输出电压，如果Rf用对数二极管替代．则可以输出对数压缩的电压。反向偏置电路的响应速度快．输出信号与输入信号同相位典型光敏二极管电路图（五）典型光敏二极管电路图（六）如下图电路中通过压电元件传感器S将压力转换为电信号送至SD3或SD3A集成电路，并通过发光二极管显示。图中虚线框内两个等效电阻分别为工作室和补偿室（双电离室）。典型光敏二极管电路图（七）LM358该测试器可对发光二极管进行不区分极性地检测，从而判定其发光性能。在批量检测中，与用万用表等测试手段相比，省时省力、简单直观。电路如下图所示，一路运算放大器接成低频自激振荡器，在输出端间歇输出高电平或低电平。另一路运放接成反相器形式。当振荡电路输出高电平时，反相器则输出低电平；振荡电路输出低电平时，反相器输出高电平。若在两输出端跨接一支发光二极管，不论跨接的极性如何，发光二极管总是要随着振荡电路的振荡频率，间歇地导通发光。LED为电源指示管，兼作发光强度的比较管。运放IC可选用LM358或LM324。

光敏三极管(PhotoTransister)又称之为光电三极管，它的作用是将光信号转换为电信号提供给电路，是一种光电传感器。光敏三极管的基本结构和普通三极管一样，有两个PN结，吸收入射光，基区面积较大，发射区面积较小。 当光入射到基极表面，产生光生电子-空穴对，会在b-c结电场作用下，电子向集电极漂移，而空穴移向基极，致使基极电位升高，在c、e间外加电压作用下(c为+、e为-)大量电子由发射极注入，除少数在基极与空穴复合外，大量通过极薄的基极被集电极收集，成为输出光敏流。 总之，光敏三极管工作原理分为两个过程：一是光敏转换;二是光敏流放大。最大特点是输出电流大，达毫安级。但响应速度比光敏二极管慢得多，温度效应也比光敏二极管大得多。光敏三极管具有塑封、金属封装以及陶瓷封装等几种类型，它最大的特点就是输出电流大，而且在温度效应方面也比光敏二极管高很多。

1、普通二极管在正向电压作用下处于导通状态，在反向电压作用下处于截止状态，仅仅能通过相当微弱的反向电流。 2、光电二极管工作在反向电压作用下，我们将无光照时极微弱的反向电流称为暗电流，将有光照时迅速增至几十微安的反向电流称为光电流。光强的变化引起反向电流的变化，即将光信号转换为电信号，可作为光电传感器件存在于电路中。 3、当有光照时，反向电流又是如何增大的呢?有光照时，携带能量的光子进入PN结，将能量传递给共价键上的束缚电子，束缚电子能量增至一定程度就后挣脱共价键的束缚，成为光生载流子，同时产生电子空穴对。载流子在反向电压作用下发生漂移，从而使得反向电流迅速增大，且其增大的程度与光强成正比。

一、光敏二极管的符号及其工作原理：（一）电路符号：PN LED — + 是一种将光信号变为电信号的半导体器件。（二）光敏二极管的结构： P区要比N区薄得多，管壳没有光线的入窗口或管壳做成透明。 光敏二极管在反向工作电压下工作： 1. 无光照： 反向电阻很大，通过管子的电流较小，约为0.1微安 2. 有光照： 反向电阻显著减小，反向电流显著增加，光电流的大小与光的强度，波长有关。二、光敏二极管的主要参数：1、最大工作电压Vrmax：光照条件下，反向电流不超过0.1微安所能承受的最高反向工作电压。Vrmax越大，管子性能越稳定。 2、暗电流ID：无光照条件下，在最高反向电压作用下所测得的反向电流。ID越小，管子性能越稳定，对光的敏感度就越高。3、 光电流IL：光敏二极管在光照条件下所产生的电流IL越大，性能就越好。N型： 2CU P型： 2DU 主要用于自动控制，光电耦合。

相同点：工作原理理论都建立在光电效应上，结构中都具有光阴极。不同点：一、原理特点不同1、光电倍增管：光电倍增管建立在外光电效应、二次电子发射和电子光学理论基础上，结合了高增益、低噪声、高频率响应和大信号接收区等特征，是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光敏电真空器件，可以工作在紫外、可见和近红外区的光谱区。2、光电管：光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管，它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管，是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。二、结构上的区别1、光电倍增管：光电倍增管包括阴极室和由若干打拿极组成的二次发射倍增系统两部分。2、光电管：用碱金属（如钾、钠、铯等）做成一个曲面作为阴极，另一个极为阳极，两极间加上正向电压。三、特点不同1、光电倍增管：能在低能级光度学和光谱学方面测量波长200~1200纳米的极微弱辐射功率。2、光电管：光电管灵敏度低、体积大、易破损，已被固体光电器件所代替。参考资料来源：百度百科-光电倍增管百度百科-光电管

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PIN: 光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大， 放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。

光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管,它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管,是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。当光照强度增加时,pn结两侧的p区和n区因本征激发产生的少数载流子浓度增多,如果二极管反偏,则反向电流增大,因此,光电二极管的反向电流随光照的增加而上升。光电二极管是一种特殊的二极管,它工作在反向偏置状态下。常见的半导体材料有硅、锗等。如我们楼道用的光控开关。还有一种是电子管类型的光电管,它的工作原理用碱金属(如钾、钠、铯等)做成一个曲面作为阴极,另一个极为阳极,两极间加上正向电压,这样当有光照射时,碱金属产生电子,就会形成一束光电子电流,从而使两极间导通,光照消失,光电子流也消失,使两极间断开。光照射到某些物质上,引起物质的电性质发生变化。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。金属表面在光辐照作用下发射电子的效应,发射出来的电子叫做光电子。

光敏二极管所利用的是光生伏特效应（错误）。光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的，其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管工作原理：光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小一般小于0.1微安，称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子——空穴对，称为光生载流子。

　　光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极管、双极性晶体管等电子技术的物质基础。那么PIN光电二极管又是什么呢，与一般光电二极管在作用和工作原理上有什么区别呢，接下来小编就带着大家一起了解一下。　　　　PIN光电二极管简介及作用　　PIN光电二极管也叫做PIN结二极管或者是PIN二极管。这种二极管也涉及到两种半导体之间的PN结的运用，但与一般的光电二极管不同的是，PIN光电二极管在连接P型半导体和N型半导体之间还生成了一层I型半导体的物质，是用来吸收光辐射从而产生光电流的一种检测光信号的小型器件。简而言之，就是通过PIN层，将光信号转换成电信号。不仅反应灵敏，所需要的时间也很短。　　　　PIN光电二极管工作原理简介　　实际上PIN光电二极管内部的I型半导体是一种浓度很低的N型半导体。将低浓度的N型半导体渗入到PN结中间，能够有效扩大耗尽区的宽度，目的是减小扩散运动产生的影响，提高响应速度，即增强反应灵敏性。正是由于这种渗入到PN层的N型半导体浓度很低，几乎接近I型半导体，所以我们称这一层为I型层，PIN光电二极管也由此得名。　　　　在I层的两侧分别是浓度很高的P型半导体和N型半导体，由于这两层浓度很高，所以很薄，可以吸入的入射光也自然较少。I层本征半导体浓度很低，但相对较厚，所以几乎占据了整个耗尽区的空间。大部分入射光透过P层或N层直接被I层吸收，并迅速产生大量的电子，从而很快将光能转化成电能。　　　　半导体的应用仍然在探索当中。但PIN光电二极管早就被人们用来很好的将光信号转换成电信号。PIN光电二极管在设计时也会尽量增大PIN区的面积，以便能够接收更多的光信号，这样能转换和传输的电信号也会越多。光电传输就能更大效率地得到利用。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

光敏二极管是一种光电转换元件，老的叫法我们叫做光电二极管，光导管，光单元。他的封装形式有很多中，例如，金属壳封装（代表型号 LXD66MK , LXD44MK , LXD1010MK）这些在生产中一般都是工业级产品使用。由于他们的测量精度比较高，常用在分析仪器上面。开关上面光敏电阻用的比较多（代表型号 LXD20528 , LXD12528 ,LXD11537 等）。火焰探测上面也有用到例如（LXD7606，LXD12516）等等吧。在民用产品中，低成本的光敏二极管是关键，在玩具中，照明，光电开关多数有采用环氧树脂封装的光敏二极管，例如（LXD/GB5-A1DEL, LXD/GB5-A1DPS , LXD/GB5-A1ELB），也有采用光敏电阻的，因为光敏电阻便宜。（代表型号LXD5516，LXD5528 ,LXD5537 , LXD5549 ）,。还有光通讯领域，（LXD/GB3-A1ELS）,应用太多了。科研方面，主要看你那光敏二极管做什么产品用，实现一个什么效果。就这些，记得给分。还有你可以咨询一些这类的公司。www.lxdcn.com ，他们有在线的客服，你找他们可以咨询的。

1.光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增 光敏二极管加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2CU、2DU等系列。 　　2.光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。3.基本特性:(1)光谱特性 (2)伏安特性(3)光照特性(4)温度特 5)频率响应性编辑本段工作原理　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。 　　光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。 　　它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。 　　光敏二极管、光敏三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光敏三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光敏三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光敏二极管一样，光敏三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

光敏二极管的线性特性较差 , 而光敏晶体管有很好的线性特性是不正确的。光敏二极管，又叫光电二极管是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。工作原理：光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子——空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。

图示电路能随光线的强弱自动调节灯光的亮度。它主要是通过光敏二极管V11的光电藕合作用来控制晶体管V8集电极电流的大小，即控制电容C充电的快慢，也就控制了单结晶体管的导通时刻，改变了电灯两端的电压，使灯光亮度得到调节。当光线较强时，光敏二极管控制V8的集电极电流减小，电容C充电放慢，单结晶体管导通时刻后移，控制角增大，电灯两端电压减小，则灯光亮度减弱。当光线较弱时，情况相反。

利用雪崩倍增效应实现内部电流增益的半导体光电转换器件

光照很小时，电流 I 很小，Ui接近于5V。此时反相器输入端为逻辑高电平，因此输出低电平0V。光照逐渐变大时，电流I逐渐变大，Ui逐渐下降。当Ui低于反相器输入端的VIL时，判定为逻辑低电平，因此输出高电平5V。

首先你要明白光电管的原理。光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管，它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管，是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。当光照强度增加时，PN结两侧的P区和N区因本征激发产生的少数载流子浓度增多，如果二极管反偏，则反向电流增大，因此，光电二极管的反向电流随光照的增加而上升。光电二极管是一种特殊的二极管，它工作在反向偏置状态下。常见的半导体材料有硅、锗等。如我们楼道用的光控开关。还有一种是电子管类型的光电管，它的工作原理用碱金属（如钾、钠、铯等）做成一个曲面作为阴极，另一个极为阳极，两极间加上正向电压，这样当有光照射时，碱金属产生电子，就会形成一束光电子电流，从而使两极间导通，光照消失，光电子流也消失，使两极间断开。光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。金属表面在光辐照作用下发射电子的效应，发射出来的电子叫做光电子。光波长小于某一临界值时方能发射电子，即极限波长，对应的光的频率叫做极限频率。临界值取决于金属材料，而发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关，这一点无法用光的波动性解释。还有一点与光的波动性相矛盾，即光电效应的瞬时性，按波动性理论，如果入射光较弱，照射的时间要长一些，金属中的电子才能积累住足够的能量，飞出金属表面。可事实是，只要光的频率高于金属的极限频率，光的亮度无论强弱，光子的产生都几乎是瞬时的，不超过十的负九次方秒。正确的解释是光必定是由与波长有关的严格规定的能量单位(即光子或光量子)所组成。这种解释为爱因斯坦所提出。光电效应由德国物理学家赫兹于1887年发现，对发展量子理论起了根本性作用，在光的照射下，使物体中的电子脱出的现象叫做光电效应(Photoelectric effect)。 光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏打效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。光电效应里，电子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金属表面射出，与光照方向无关 ，光是电磁波，但是光是高频震荡的正交电磁场，振幅很小，不会对电子射出方向产生影响。所以随着加在光电管两端的正向电压的增大,回路中的光电流会增大并进而达到饱和。

CCD的工作原理 CCD是由在硅片上整齐排列的光敏二极管单元组成的，它们整齐地排成一矩形方阵（图6-1），其中每一个光敏单元称为像元，当光照射到硅片上的方阵时， 每一个像元中的原子在具有一定能量的光子作用下，电子从原子中逃逸，形成了一对自由电子和失去电子的原子空穴。投射到光敏单元上的光线越强，产生的电子—空穴越多。 在硅片上这些电子可以和空穴分离，并可以收集起来，电子—空穴对的分离和收集用半导体中的势阱就可以完成，就象用水桶收集雨水一样。图6-2中排列的水桶相当于排列的光敏单元（像元），它们象收集雨水似的收集由光子作用产生的电子。电子数主要取决于光照强度和收集（积分）时间的长短，收集完成后，最右边的桶将桶中的电荷倒入一设在输出端的电子测量单元，电荷/电压转换单元将电子转换成相应的电压，形成了一个像元的视频信号。最右边桶中的电子倒空后，又可以接收从旁边桶中倒入的电子，这样相邻桶之间不断向输出端倒换（移位）桶中的电荷，直至倒换（移位）到输出端的电子测量单元，转换成像元电压。 CCD的突出特点是以电荷作为信号的载体，不同于大多数以电流、电压为信号载体的器件。所以如何将成千上万个像元中的光感应所获得的电荷取出来是CCD图像传感器的关键。构成CCD的基本单元是MOS（金属—氧化物—半导体）结构，在半导体和金属栅电极之间加上足够的电压时，例如加上电压（10V）后，形成了一个能存储电荷的势阱，图6-3 （a），当光线射在这个二极管上时，能在势阱中产生与光能量成正比的电荷；同时，这个势阱还有累积功能，当光线在一时间段内照射时，它能将这一时间段内，由光线强弱产生的电荷累积起来。当多个栅极紧紧排列在一起（间隙宽度小于3μm），并在它们上面加上按一定规律变化的电压时，存储在势阱中的电荷就可以移动起来。 当电极②从2V变为10V时，电极①势阱中的电荷流向第②个电极，并和第一个电极平均分配，图6-3（b）和（c），也称电荷耦合，第①个电极由10V降为2V时，电极①中的电荷全部倒入电极②下的势阱，这样电极①中代表像元光照强度的电荷移位到电极②下的势阱了。这种电荷从一个电极（电荷寄存器）到另一个电极的移位就是CCD的基本动作，使用这种移位将阵列中的每一个像元电荷逐行、逐列地转移至输出端的电荷/电压转换单元，形成了以电压表示像元光照强度的视频信号。这也是为什么将CCD称为电荷耦合器件的原因。 CCD的结构 CCD的结构主要由下列功能块构成： a.光敏区（成像区）由MOS光积分电容或PN结构光电二极管阵列构成，将投影进来的光图像转换成电荷图像阵列，而且阵列中的每一个像元势阱，能像水桶似的在固定时间间隔内累加电荷。 b.电荷移位寄存器阵列：存储和移位像元电荷的寄存器阵列，光敏区光转换并累集完电荷后，将整个阵列的像元电荷转移到电荷移位寄存器的对应阵列中，然后按照电视扫描的规律，逐行、逐列地将电荷移位输出。 c.转移栅：光敏区和电荷移位寄存器由转移栅相连。通过转移栅上的控制电压的高低将光敏阵列与电荷移位寄存器阵列连接起来。当光敏区光注入，并不断积累电荷时（又称光积分），转移栅上加低电压将它们隔离起来，反之当光敏区光积累完成后，转移栅加高电压，光敏区所积累的信号电荷通过转移栅转移到电荷移位寄存器阵列，这种转移是极快的，只需一个极短的正脉冲就可完成转移动作。所以光敏区和电荷移位寄存区的连通时间很短，绝大部分时间是隔离的，在隔离期间它们分别作光电转换和移位输出的动作。 d.电荷/电压转换器和电压放大器：将移位寄存器输出的电荷转换成电压，并将其放大输出形成视频信号。 从上述CCD的结构可以看出，只要控制光敏区上的转移栅上的电压，就可以控制电荷累加的时间长短，这就是电子快门的基础。当电荷累集结束，并在转移栅上加一极短脉冲后，电荷就转移至电荷移位寄存器了，也就是CCD已获取了光图像。下面只是将电荷传送出去的扫描过程了。

工作原理就是通过光像进行转换，也是一种很好的信号；他们是通过芯片以及信号进行传输传递读取，排列顺序比较一致。

雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构（即N+PIP+型结构，P+一面接收光），工作时加较大的反向偏压，使得其达到雪崩倍增状态；它的光吸收区与倍增区基本一致（是存在有高电场的P区和I区）。在APD制造上，需要在器件表面加设保护环，以提高反向耐压性能；半导体材料以Si为优（广泛用于检测0.9um以下的光），但在检测1um以上的长波长光时则常用Ge和InGaAs（噪音和暗电流较大）。这种APD的缺点就是存在有隧道电流倍增的过程，这将产生较大的散粒噪音（降低p区掺杂，可减小隧道电流，但雪崩电压将要提高）。一种改进的结构是所谓SAM-APD：倍增区用较宽禁带宽度的材料（使得不吸收光），光吸收区用较窄禁带宽度的材料；这里由于采用了异质结，即可在不影响光吸收区的情况下来降低倍增区的掺杂浓度，使得其隧道电流得以减小（如果是突变异质结，因为ΔEv的存在，将使光生空穴有所积累而影响到器件的响应速度，这时可在突变异质结的中间插入一层缓变层来减小ΔEv的影响）。

电荷藕合器件图像传感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷，通过模数转换器芯片转换成数字信号，数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存，因而可以轻而易举地把数据传输给计算机，并清洁感光元件表面借助于计算机的处理手段，根据需要和想像来修改图像。CCD由许多感光单位组成，所有的感光单位所产生的信号加在一起，就构成了一幅完整的画面。CCD和传统底片相比，CCD 更接近于人眼对视觉的工作方式。只不过，人眼的视网膜是由负责光强度感应的杆细胞和色彩感应的锥细胞，分工合作组成视觉感应。 CCD经过长达35年的发展，大致的形状和运作方式都已经定型。CCD 的组成主要是由一个类似马赛克的网格、聚光镜片以及垫于最底下的电子线路矩阵所组成。目前有能力生产 CCD 的公司分别为：SONY、Philps、Kodak、Matsushita、Fujifilm和Sharp，大半是日本厂商。互补性氧化金属半导体CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。然而，CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。

光控路灯控制器是一种用来控制路灯的装置，它使用光传感器来感测周围环境的亮度。当环境亮度低于一定值时，光控路灯控制器会启动路灯，而当环境亮度达到一定值时，光控路灯控制器会关闭路灯。这样一来，就可以在白天的时候节省电力，在夜间保证路灯的正常工作。光控路灯控制器一般由光传感器、控制电路和开关三部分组成。当光传感器感测到周围环境的亮度时，会发出信号给控制电路。控制电路根据信号的大小来决定是否启动路灯。如果信号较大，则意味着环境较亮，控制电路会关闭路灯。如果信号较小，则意味着环境较暗，控制电路会启动路灯。光控路灯控制器的工作原理很简单，但它对于节省电力和保证路灯正常工作具有很大的意义。

负极接负极。 电阻分压电源电压的一半就好。外加正向电压不能使发光二极管超过其最大工作电流。

当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时，二极管进入雪崩击穿状态；在此以前，只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离，则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示M=1/[1-(V/VB)n]式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。

将光信号转换为电信号.

用半导体材料制成的晶体二极管具有单向导电的属性，即只允许电流从一个方向通过，不允许电流反方向通过。

好报纸

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CAN总线通信硬件原理图(采用TJA1050TCAN总线驱动器)F040中内置CAN总线协议控制器，只要外接总线驱动芯片和适当的抗干扰电路就可以很方便地建立一个CAN总线智能测控节点。本设计中采用PHILIP公司的TJA1050TCAN总线驱动器。CAN总线通信硬件原理图如图3所示。图中F040的CAN信号接收引脚RX和发送引脚TX并不直接连接到TJA1050T的RXD和TXD端，而是经由高速光耦6N137进行连接，这样做的目的是为了实现CAN总线各节点的电气隔离。为了实现真正意义上完全的电气隔离，光耦部分的VA和VB必须通过DC-DC模块或者是带有多个隔离输出的开关电源模块进行隔离。为防止过流冲击，TJA1050T的CANH和CANL引脚各通过一个5Ω的电阻连接到总线上。并在CANH和CANL脚与地之间并联2个30P的电容，用于滤除总线上高频干扰。而防雷击管D1和D2可以起到发生瞬变干扰时的保护作用。TJA1050T的8脚连接到F040的一个端口用于模式选择，TJA1050T有两种工作模式用于选择，高速模式和静音模式。TJA1050T正常工作在高速模式，而在静音模式下，TJA1050T

字数太多，分太少，懒得翻

那是一个安全保护装置，

youth 或 teenager.

感谢题主的邀请，我来说下我的看法：笔者也在百度里看过很多这方面的问题，但结果都是答非所问，说了一大堆CAN总线的百科，并没有说CAN总线的传输原理，下面，我就依照我的知识解答下这个问题：CAN总线是一种主要应用在汽车通讯或者是工业生产控制的通讯总线，总之，它是要传达信息的。不过，不管是工业生产环境里还是汽车中，这些地域的情况都很糟糕，对于信息传输的影响很大，偶尔还会对其进行干扰，因此，CAN总线想要正常工作的话，就要有强悍的抗干扰能力，这得益于它的结构和数据传输原理：因为CAN总线节点之间是通过屏蔽双绞线互相连接的，也就是缠绕在一起的两根屏蔽数据线，而且，这两根线分别连接不同的CAN接口，一个电压高叫CAN高，另一个电压低叫CAN低，分别连接它们的这两根双绞线在传输信息的时候，它们之间的电压会有一个差值，高电压会推着低电压前进，这个就是差分电压信号，这也就是CAN总线的数据传输原理。由于是电压差传输信息，所以只要两根线路之间有差值，CAN总线就能正常工作，抗干扰能力自然就强，但是如果外界干扰过大，让CAN总线都无法承受的话，那就换个地方工作吧！如果你还想了解更多有关CAN总线或者CAN分析仪的事情，请前往GCGD官网进行咨询。

（1）首先将我们的英文特色课程的概况和亮点介绍给家长，分为某某些部分（结合真实情况），在这一部分一定要结合实际， 套路之一：提出一些传统教学的缺点，然后，提出自己的课程，多夸夸它怎么与众不同？（2）然后将特色英语课程的范例生动地展示给家长（就是针对某个知识讲一小段），让家长能够在课例中，直观地感受到该课程的…性，…性，…性（结合实际提出的几个亮点夸），在这个部分一定要是家长直观的直接的感受到课程的种种优点，要是拿出必杀技的阶段。（3）最后点题升华，展示出以往幼儿学习的杰出代表，让家长感觉到孩子跟着这个课程学也能，向展示中的儿童一样………

美国品牌雷神。RealisticOptimus是美国著名品牌雷神三分频封闭式书架音箱，于1976年推出，箱体实木制一只高音两只中音配置，外放声音20Hz至20kHz。

正常现象。如果嘴唇靠近机身太近还会有点烫，如果是高档电子烟就不会出现这种状况，电子烟是靠机身内部的雾化器产生烟雾，雾化器通过快速震动将烟油转化成烟雾，有点热是正常现象，很多电子烟都设置了过热保护，就是连续抽几口就不会产生烟雾了，怕过热损坏机芯。如果烟发热可以放在手心搓一会机身并暂停使用一会。

CAN现场总线监控系统原理和应用设计CAN（ControllerAreaNetwork）总线监控系统是一种用于监控和分析CAN总线数据的工具。它主要应用于车辆网络、工业控制、家用电器等领域。CAN总线监控系统的原理如下：1.采集：监控系统通过CAN总线接口接收到的数据，并将其存储在内存中。2.分析：监控系统通过算法分析数据，以了解数据中的信息和数据之间的关系。3.可视化：监控系统将分析出的信息呈现在用户界面中，以便用户直观地了解系统的运行状态。CAN总线监控系统的应用设计包括以下几个方面：1.硬件设计：选择合适的CAN总线接口，以便将CAN总线数据采集到监控系统中。2.软件设计：根据需求设计监控系统的软件，以便将数据分析、存储和呈现给用户。3.用户界面设计：设计一个简单易用的用户界面，以便用户更好地了解监控系统的状态。4.数据存储：设计一个高效的数据存储方案，以便快速存储和读取监控到的数据，方便进行后续分析。5.数据分析：设计一套算法来分析监控到的数据，包括数据的解析、故障诊断、性能评估等。6.实时监控：设计监控系统以实时监控CAN总线数据，并实时呈现给用户。7.报警功能：根据监控系统分析出的结果，设计报警功能，在发生异常情况时及时通知用户。总的来说，CAN总线监控系统的设计要考虑到数据采集、分析、存储、呈现、实时监控和报警功能等方面。它的正确设计可以帮助用户更好地了解系统的运行情况，并在发生故障时及时采取措施。

鼠标微动是鼠标微动开关的简称。即在鼠标左右按键下面的元件，可以把它理解成开关是一种内部采用金属簧片触发的部件，当按键按下一次后，微动开关内的金属簧片触发一次，并且向电脑传送出一个电讯号，之后再复位。鼠标上所有的按键下，必然有一个微动开关，因此实际上微动开关就是鼠标的按键，鼠标外壳上按键的作用只是方便使用者按下微动开关。鼠标按键的原理鼠标按键按下后，伴随轻微的一声“咔嗒”声，鼠标按键会被触发，然后就可以按照你的需求进行双击、单击、拖动等操作。这个发出“咔嗒”声的小开关，就是鼠标微动。它可以在极短的行程范围内，实现电路的导通与断开。受到鼠标内部空间及布局限制，微动开关有着各种各样的外貌，高矮大小胖瘦各不相同，毕竟鼠标内除了左右按键这种空间及布局相对宽泛的位置，还有滚轮下按的鼠标中键，DPI调节键、以及各种各样的侧键、边键等。

单数“主语是一个句子中所要表达,描述的人或物,是句子叙述的主体。可由名词、代词、数词、 名词化的形容词、不定式、动名词和主语从句等来承担。谓语是用来说明主语做了什么动作或处在什么状态。谓语可以由动词来担任,一般放在主语 的后面。 宾语是动作的对象或承受者,常位于及物动词或介词后面

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