在PN结原理讲解中，漂移电流和扩散电流平衡，怎么理解呀？

【答案】：P型、N型半导体通过一定的工艺相互“接触”后，在它们的交界处会出现浓度差，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，即P区的空穴要向N区扩散，N区的电子要向P区扩散。由于载流子的扩散运动，P区的空穴向N区扩散，并会与N区的电子复合；同理，N区的电子向P区扩散，并会与P区的空穴复合。这样在交界面P区一侧出现负离子区，在N区一侧出现正离子区。正、负离子是不能移动的，称为空间电荷区。从而形成了一个由N区指向P区的内建电场(用势垒电压Uψ表示)。内建电场的出现阻止P区的多数载流子空穴向N区继续扩散和N区的多数载流子电子向P区继续扩散。同时，内建电场使P区的少数载流子电子向N区漂移，也使N区的少数载流子空穴向P区漂移。当漂移运动和扩散运动处于动态平衡状态时，形成稳定的空间电荷区，即PN结形成。

PN结的工作原理如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。由此可见PN结正向导电时，其电阻是很小的。如果PN结加反向电压，此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。因此，PN结在反向电压下，其电阻是很大的。由以上分析可以得知：PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。这说明：PN结具有单向导电性。

最通俗来讲PN结起到阻碍载流子扩散作用（广西都安拉烈）

PN结的势叠电压对温度很敏感，温度越高，势叠电压越大，工作电流就减小，这种微细变化被精密电路捕捉到就是环境温度了

2：平衡，不动我在3给你讲原理就知道了 3：原理：PN结是由P型半导体和N型半导体构成的，这些我不讲，书上 有 定义。我重点说下形成过程。 P区

可以这么理解，对于PN结来说，有助于多子扩散的外加电压为正偏电压，阻碍多子扩散的外加电压为反偏电压。

在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。

三极管的构成是由PNP结或NPN结

1、硅为半导体的主体材料，其原子最外层是四个电子。渗入少量磷后，由于周围的硅只需要四个外来电子与其组成共价键，所以就余出一个自由电子。2、一只二极管没有接入电路前当然视为开路状态。3、“开路中半导体中的离子不能任意移动”的说法确实值得商榷。其实固体中的离子主体无论开路闭路都不能移动，但掺杂半导体中的电子和掺杂半导体离子中的空穴在封闭电路中却能在电压的作用下定向移动，而掺杂半导体中的电子和掺杂半导体离子中的空穴在开路条件下却会随机地一刻不停地左突右撞，宏观统计上看相当于没动。在闭合电路中，当存在电压作用时，掺杂半导体离子中的空穴会向电压降低的方向移动，而掺杂半导体中的电子则向相反的方向移动。

【答案】：光照PN结在PN结上产生光生电动势的效应称为光生伏打效应．在光的照射下，半导体中的原子因吸收光子能量而受到激发．如果光子能量大于禁带宽度，在半导体中就会产生电子-空穴对．在PN结扩散区以内(如果PN结空间电荷区外不存在杂质浓度不均匀等原因引起的内建电场)产生的电子-空穴对，一旦进入PN结的空间电荷区，就会被空间电荷区的内建电场所分离．非平衡空穴被拉向P区，非平衡电子被拉向N区．结果在P区边界将积累非平衡空穴，在N区边界将积累非平衡电子，产生一个与平衡PN结内建电场方向相反的光生电场．如果PN结处于开路状态，光生载流子只能积累于PN结两侧产生．这时在PN结两端测得的电位差即开路电压就是光生电动势．

摘要：pnp三极管的结构为半导体的基本片上制作两个相近的PN结，然后再将正块半导体分成三部分组成。了解了pnp三极管的结构后，继续了解一下pnp三极管工作原理是什么，pnp三极管工作原理比较简单，主要的是利用的半导体之间的连接进行集电工作。具体的pnp三极管的结构包括哪些以及pnp三极管工作原理是什么，一起到文中来看看吧！一、pnp三极管的结构包括哪些pnp三极管，不知道大家有没有见过呢?pnp三极管是日常生活中比较常见的一种商品，虽然用的不多，但是它的作用是非常大的。pnp三极管的结构包括哪些?晶体三极管是半导体的基本器材之一，主要作用是电流放大的作用，主要是电子电路的核心元件，它的功能就是电流放大和开关的作用。pnp三极管主要结构是半导体的基本片上制作两个相近的PN结，然后再将正块半导体分成三部分组成。二、pnp三极管工作原理是什么晶体三极管按照材料可以分为以下两种，分别是锗管和硅管，不管哪一种的结构形式，而我们使用最多的就是硅NPN和锗PNP两种三极管，其工作原理主要的是利用的半导体之间的连接进行集电工作。PNP三极管工作原理详解：对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量，但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

你的问题还挺多，要分开来慢慢解释。1、LED发光：要搞清楚这个问题，首先，你需要了解PN结的形成原理。PN结是一个“由P型和N型半导体材料组成的半导体器件”中，其P型与 N型半导体材料相互结合的部分。P型材料有着“多数可以移动的正电荷（空穴）”和 “少数固定不动的负电荷（负离子）”；N型材料有着“多数可以移动的负电荷（自由电子）”和 “少数固定不动的正电荷（正离子）”；当P型和N型材料接触时，通过结合处，P型材料中的正电荷向N型材料中扩散，而N型材料中的负电荷则向P型材料中扩散。这些扩散的正电荷 与 负电荷相遇而结合，原有的正电荷和负电荷（载流子）消失。因此在结合处的附近区域（结区）中，有一段距离缺少正电荷或负电荷（载流子），但是在这一区域却分布着带电的固定电荷（固定不动的“负离子”或固定不动的“正离子”），这一区域称为空间电荷区 。P 型半导体一边的没有参与扩散的“负离子” ，N 型半导体一边的没有参与扩散的“正离子”，在空间电荷区产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。（内建电场）在上面所述的基础上，就可以理解以下几个问题1、LED的发光，既不是PN结，也不是非PN结，而是当LED接通外部电源后，外来的载流子打破空间电荷区的平衡后产生的。因为空间电荷区有阻力，所以载流子要突破这个区域需要能量，当这个能量积累到一定的程度，载流子就可以由P区进入N区，这个进入的过程也是能量释放的过程，在这个过程中，载流子把电势能转换成了光能和热能。单个载流子所释放出的光能是极其微弱的，并且只是一闪而过，不能持续，所以要想有一个持续而又明亮的发光过程，就必须有一个持续的外部电源以及更多的载流子参与进来。因为这样的一个过程除了发光，同时还在发热，有发热则说明器件在进行有效工作的同时，自身还在产生消耗，这个消耗对器件本身有着老化和破坏的作用，因此，LED的寿命跟制作这个LED的材料还有它的工作环境有关系，通常所述的3万小时寿命是指在实验室的相对理想的环境下达到的，实际使用中没有这么长，甚至会因为过度的电压或电流而导致LED瞬间烧毁。光伏效应：光照并不是去导通PN结，在理解这个问题时，你要确定一点，“光”也是能量的一种形式。当光照射到已形成PN结的半导体材料上面，会让这个半导体材料获得一定的能量，这个能量导致P型和N型半导体材料产生出更多的载流子（空穴和自由电子）。因为在光照前，PN结已经形成，也就是内建电场也已形成，由于内建电场是有方向性的，所以光照形成的载流子（光生载流子），会按照这个方向在内建电场中流动（空穴流向N，自由电子流向P），这一动作导致了内建电场的减小。只要光照是持续的，那么，内建电场最终会小到能让光生载流子轻松的突破PN结，从而产生电流，这个时候，这个被光照的半导体材料就具备了能够对外提供电动势的能力。综上所述，在一个拥有PN结的半导体器件中，非PN结部分最大的作用就是产生PN结，只有PN结形成后，这个器件才能拥有上述光照或光电转换的功能。因此，PN结不存在“消耗完”这个概念，只要相结合的P型材料和N型材料还在，这个PN结会永远的存在下去，我们只是利用外力来突破这个PN结，从而达到我们需要的目的。至于半导体器件的寿命，这跟制造半导体器件的材料构成、制造工艺以及使用环境有关，厂商给出的寿命都是在特定的实验室环境下通过测试和推算得出的。（就好像一团泥巴，你用特定的水流量来冲击他，冲击时间是1分钟，完成后，这团泥巴被水冲掉了十分之一的重量，那么推算一下，这团泥巴在这个特定的水流量下，也许可以经受住10分钟的冲击，那我就说他在这个状态下的寿命是10分钟）满意请采纳

IE=IB+IC=IB+β·IB 放大时的电流应该是这样的吧？

这个你看看教科书不就行了。我的答案你参考参考吧。采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PNP是另一种类型三极管。它的工作原理和NPN三极管相似，只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。后面你是不是想知道晶体管硅管锗管的门坎电压啊。一般硅管0.5V，锗管0.1V。

你随便找本模拟电路的书,上面都有的

pn结工作原理：如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。PN结的应用根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管。利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器。利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

简述pn结的形成及原理为扩散作用。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面，在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区为PN结的工作原理。PN结导通形成电流：从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区接负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。

LED和光电探测器是利用光电效应，LED是通过电转换成光，光电探测器是通过光转换成电子。具体看PN结的工作原理。PN结原理　　PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。　　在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子数量多于空穴数量，而P型半导体区内的空穴数量多于电子数量，所以在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。　　最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。　　如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。　　PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。

PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。PN结（PN junction） 一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。 在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿和雪崩击穿。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

pn结是什么：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。杂质半导体：N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中。由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候。会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。

1.pn结的基本特性：从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧加大。这就是PN结的特性（单向导通、反向饱和漏电或击穿导体），也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。2.PN结：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。拓展资料：PN结的形成：PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

　　随着测温技术的迅速发展,新的测温传感器不断出现,如光纤温度传感器、微波温度传感器、超声波温度传感器、核磁共振温度传感器、PN结温度传感器等在一些领域获得了广泛的应用。　　与管道系统元件的力学性能和尺寸特性相关、用于参考的字母和数字组合的标识。它由字母PN和后跟无因次的数字组成。　　注1：字母PN后跟的数字不代表测量值，不应用于计算目的，除非在有关标准中另有规定。　　注2: 除与相关的管道元件标准有关联外，术语PN不具有意义。　　注3: 管道元件允许压力取决于元件的PN数值、材料和设计以及允许工作温度等，允许压力在相应标准的压力温度等级表中给出。

1、正向导通，反向截止！当正向电压达到一定值时（硅管0.7V，锗管0.3V）左右时，电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的，因此它的特性曲线一般是非线性的.2、有两种载流子，即电子和空穴。3、受温度影响比较大，因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度，因此设计或者运用时常需要考虑温度问题。

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。向左转|向右转扩展资料pn结工作原理：如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。由此可见PN结正向导电时，其电阻是很小的。加反向电压时PN结变宽，反向电流很小；如果PN结加反向电压。此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。因此，PN结在反向电压下，其电阻是很大的。由以上分析可以得知：PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。这说明：PN结具有单向导电性。参考资料来源：百度百科-PN结

pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。拓展资料采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。参考资料百度百科 PN结

PN结是构成二极管的，而NPN或PNP是三极管，它是由两个PN结构成的。这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍，但是其内部结构只有有个了解认识就行了，不用深入研究，没有实际的用途。还是主要学习PN结的作用。PN结作用：正向特性：正向导性，即给PN结一个正向的电压它就导通，一般压降为0.3-0.7V。反向特性：可以做稳压管使用。即在反向电流允许的范围内，可以起到稳压的作用，稳压二极管就是这个原理。PNP或NPN的作用：也主要是三极管的应用啦。一般三极管有三个工作状态：放大状态：即起信号放大的作用，主要用在放大电路中。功放电路常用到的。截止和饱和导通状态：这主要是起开关的作用的。在截止状态下可以理解为三极管的CE间是开路的，即断开的，而在饱和导通状态下可以理解为三极管的CE间是短路的。开关作用也是常见到的，如在振荡电路中，或开关电路的开关功率管都是工作在开关状态下的。以上只是基本的知识，要想理解的深一点，还是要多学习一下电路的。

pn结的特性如下：pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键。多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。

PN结的导通就是在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。 如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这是PN结的截止.因此PN结具用单向导电性。 不知道这样讲你明白了没有!

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以反向电流是很小的，

这种问题，最好自己看书或者网上搜索

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。 PN结：一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。 在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿和雪崩击穿。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。

耗尽层就是在PN结附近，其中的载流子因扩散而耗尽，只留下不能移动的正负离子的区域，又称空间电荷区。在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子，N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

光伏效应原理

PNP: 主要电流成分：空穴电流BE结正偏，其耗尽层的发射区一侧空穴的准费米能级降低，积累空穴，空穴向基区扩散增强；BE结内载流子浓度稀少，复合忽略，绝大部分空穴进入基区；由于基区很薄，且施主浓度很低，所以复合也很少，空穴可以进一步扩散至BC结；而BC结反偏，其耗尽层在基区一侧的空穴会被Vbe和PN结的内建电场共同扫入集电区。这样就形成了Ibc。----此外BE结处还会有少量基区的电子扩散入发射区。但基区掺杂远小于发射区，估此电流可忽略。

绝对的完美一双手不流汗也不发抖交叉在微笑的背后暗藏危险的轮廓在你最放松的时候绝不带着任何感情就下手从来不回头开始的感觉不会痛不会痛放大的瞳孔就像作梦幸福的错觉很温暖很包容也许还期待这是致命的冲动你不懂我不懂究竟杀手为什么存在因为爱还是未知的未来心情放松摇摆music☆~~心放松摇摆身体直摇摆在你三百米之外数着心跳等待所有念头全抛开锁起来进来这美丽的悲哀这是爱就是爱全世界都不明白感觉饥饿难耐需要你填满空白锁进来进来这美丽的悲哀这是爱就是爱只有你明白自己看吧

忠心狗狗墓旁守护主人10年，最近…他们终于团聚了……当你看到这张图片时，一定不会陌生：这只狗狗名叫Capitan，在10年前就被报道过，当时它出名的原因是忽然失踪，最后被发现的地方竟是去世主人的墓旁，而且怎么叫都不肯回家。因为这件事，很多人都知道了Capitan，但人们不知道的是，直到2018年，整整10年，它一直都在那里……让Capitan忠心守护的主人名叫Miguel Guzman，他们一起生活在阿根廷。12年前，Miguel把Capitan带回了家，全家都很喜欢Capitan，Capitan也很快便融入了这个温暖的家庭。但和其它家庭成员相比，Capitan还是最粘Miguel。它最喜欢的事，就是在Miguel看报的时候，依偎在他身旁打盹，一人一狗静静相伴，那是Capitan度过的最安心的一段时光。就这样，Capitan和Miguel有了非常深的感情，Capitan很忠诚，它就像一个守护者一样，时刻守护着Miguel。然而谁也没想到，意外会来的这样快……Capitan来到这个家才一年，Miguel就离开了人世，留下了妻子、儿子和它……主人的去世，让Capitan无比悲痛，“说好的相伴一辈子，为什么先离开……？”Miguel走后，Capitan就和主人的妻子Veronica、还有小主人Damian一起生活。但是就在Miguel去世几个月以后，有一天，Capitan忽然不见了！家人几乎把所有可能的地方都找遍了，但仍然没有Capitan的消息。他们甚至做了最坏的打算，Capitan可能被陌生人带走，也可能遭遇了不测……就这样过了半个月，Veronica带着儿子去给丈夫扫墓，但眼前的一幕让他们惊呆了……在Miguel的墓前站着一只狗狗，是Capitan！Veronica无法相信眼前的画面，这个墓地离他们的家足足十几公里，而且她从来没有带Capitan来过Miguel的墓，没人知道它是怎样找到的这里。墓地的工作人员也很诧异，他们说，大概十天前这只狗狗就来了，并且准确的找到了Miguel的墓碑，然后就没有离开过。Veronica说：“Capitan看到我们后便朝我们跑来，发出哀嚎的声音，好像是在哭泣……”后来，Veronica和儿子想把Capitan带回家，但每次回去没多久，它便又跑回这里。这件事很快便传开了，几乎家家户户都知道了Capitan的惊人举动，大家都说，它一定是感知到了Miguel，他们之间的某种联系，指引它找到主人。最后，Veronica不再强迫Capitan回家，她明白，只有待在Miguel的墓旁，Capitan才能安心。从那以后，Capitan再也没有离开过墓地，一直守护在Miguel的墓旁。Veronica拜托了墓地的工作人员照顾Capitan，大家也十分乐意帮助这只忠心的狗狗。他们会给Capitan喂食，Capitan生病了会带它去医院看病。前来墓地扫墓的人们也都认识Capitan，听了它的事迹都十分感动。Capitan就这样守护着主人，直到今年，已经10年有余。就在前不久，我们得知，Capitan离开了人世，它终于可以和心爱的主人团聚了……这只狗狗，用自己的一生，诉说了忠诚。祝福Capitan和Miguel在天堂幸福快乐，也希望大家能好好爱护身边的狗狗。你的一生可以有很多人可它的一生就只有你。

1、01010010，01000000，00001001，010010012、按全展开，11001001,c9h3、00010100,00010100 11101011,11101100

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一枪毕命

2.在下面80x86指令中，合法的是（ ） A.ADD[BX],01H B.SHL CL,AX C.OUT 258H,AL D.MOV BX,01H 3.Inter 8086微处理器是（ ）位处理器 A.8 B.16 C.32 D.46 4.3片8259A级联，最多可管理的中断级数为22级 5.要禁止8259A的IR0的中断请求，则其中断屏蔽操作指令字OCW1应为（ ） A.80H B.28H C.E8H D.01H 6.在计算机系统中，可用于传送中断请求和中断相应信号的是（ ） A.地址总线 B.数据总线 C.控制总线 D.都不对 7.8255A的方式选择控制字应写入（ ） A.A口 B.B口 C.C口 D.控制口 8.在8086环境下，对单片方式使用的8259A进行初始化时，必须放置的初始化命令字为（ ） A.ICW1,ICW2,ICW3 B.ICW1,ICW2,ICW4 C.ICW1,ICW3,ICW4 D.ICW2,ICW3,ICW4 9.6166为2Kx8位的SRAM芯片，它的地址线条数为（ ） A.11 B.12 C.13 D.14 填空 1.在8086CPU的9个标志位中，有3位为控制标志，它们是DF,TF及______ 2.主机与外设之间的数据传送控制方式通常有三种，它们是程序控制方式，DMA方式及______，其中______方式的数据传输率最高 3.一个中断向量占_____个字节 4.8259A设定为固定优先级时，IR0优先级_____，IR7优先级_____ 5.若8259AICW2的初始值为40H，则在中断响应周期数据总线上出现的与IR5对应的中断类型码为______ 6.现用2Kx8位的静态RAM芯片构成8Kx16位存储器，供需此种芯片____片，若CPU输出的地址信号为20位，则可用于进行片选译码的片外地址为____位 7.指令“MOV AX,BX”源操作数的寻址方式为_______ 8.设（DS）=2000H,(DI)=1000H，指令“MOV AX,[DI+2000H]”源操作有效地址为______，物理地址为_____ 9.存储器的存取速度可用______和______两个时间参数来衡量，其中后者比前者大 10.在存储器的层次结构中,越远离CPU的存储器，其存取速度_____，存储容量_____,价格_____ 11.在Intel80x86系统中，若一个32位（4字节）的存储字11223344H的地址为10000H,则10000H的字节单元内容为______，10003H的字节单元内容为______ 12.中断返回指令IRET总是排在______选择： 2、D 3、B 4、2*8+8-2=22 5、D 6、C 7、D 8、B 9、A 填空： 1、IF(中断允许标志位) 2、中断方式；DMA 3、4个字节 4、最高；最低 5、4DH 6、8；13 7、寄存器寻址 8、3000H；23000H 9、存取时间；存取周期 10、越满；越大；越便宜 11、44H；11H 12、最后（这个不保证对）

就好看法

用BP作为基址寄存器,寻址的空间为堆栈段

提篮式桌灯Cesta 提篮式桌灯Cesta 提篮式桌灯Cesta 设计师：Miguel Mila 1931年生于巴塞隆纳的贵族世家，因此从小Miguel Mila便于设计有着不解之缘；最初的设计经历始于和哥哥Alfonso Mila合开的设计工作室，从事室内设计和建筑等相关工作，当时时经50年代，西班牙并没有工业基础，所有的东西均手工制造，这样的环境让Miguel Mila更深刻的了解设计，并熟稔各式的传统工艺技术。 后来Miguel Mila开始致力于灯具和家具的设计，并和两位朋友一同成立了自己的公司Tramo，更积极的投入设计工作。Miguel Mila被视为是50年代灯具先驱，事实上，他本身也几乎同于Catalan现代设计的代表，许多作品，均被视为经典中的经典之作。2008年获得Compasso dOro殊荣，开表扬他对西班牙设计的贡献。 提篮式桌灯Cesta 提篮式桌灯Cesta 提篮式桌灯Cesta 出自Miguel Mila 1964年的经典作品， Cesta即为西班牙文中Basket篮子之意，也因此Cesta的设计，就成为一盏可以轻易移动的小型灯款。热加弯技术处理的樱桃木材质，为Cesta带来贴近自然、原始的纯朴风味，乳白色等罩散发出来的灯光效果、晕黄而温暖，置于桌面、或和室地面，都可以找到最适切的完美诠释。随处为你带来暖暖的幸福美感。

：1、重新安装网卡驱动程序（建议去网卡官方网站下载相应型号最新版驱动程序进行安装）；2、全盘查杀病毒，重启电脑后重新安装网卡驱动程序，再进行检测；3、重新安装系统，并安装网卡驱动程序（重装系统之前，一定要提前备份重要资料）；4、更换一块网卡，并重新安装驱动程序。

这款功率管名称是mos场效应管，参数是11a600vn道沟，可以使用任意8a以上，600v以上功率管（8n60）替换，前面字母不需要管，符合11n60几个字符的就可以替换（用15n60或者11n80这样的替换会更好）。场效应管自身特点，通常难得损坏，需要查找功率管周边元件有没有锈蚀，有没有过热焊点发虚。几个体积最大的功率电阻都要万用表测试是否正常（尤其是那个150k欧3w的电阻，是启动电阻）。

嘿嘿！写成中文了！第一个念(改恰)爆头都是这！第二个(角普海偶儿)第三个(某停黑偶儿)第四个(各啦停海偶儿)第五个(部鲁斯某比？)六七八就说不上来了！我最多打死九个！声音很粗！银色爆头是打中了头部！黄金是打中了眉心！

三千左右，还行

headshot 爆头 害得肖特 英[u02c8hedu02ccu0283u0254t] 美[u02c8hu025bdu02ccu0283ɑt]