pn结的工作原理？详解

【答案】：P型、N型半导体通过一定的工艺相互“接触”后，在它们的交界处会出现浓度差，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，即P区的空穴要向N区扩散，N区的电子要向P区扩散。由于载流子的扩散运动，P区的空穴向N区扩散，并会与N区的电子复合；同理，N区的电子向P区扩散，并会与P区的空穴复合。这样在交界面P区一侧出现负离子区，在N区一侧出现正离子区。正、负离子是不能移动的，称为空间电荷区。从而形成了一个由N区指向P区的内建电场(用势垒电压Uψ表示)。内建电场的出现阻止P区的多数载流子空穴向N区继续扩散和N区的多数载流子电子向P区继续扩散。同时，内建电场使P区的少数载流子电子向N区漂移，也使N区的少数载流子空穴向P区漂移。当漂移运动和扩散运动处于动态平衡状态时，形成稳定的空间电荷区，即PN结形成。

PN结的工作原理如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。由此可见PN结正向导电时，其电阻是很小的。如果PN结加反向电压，此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。因此，PN结在反向电压下，其电阻是很大的。由以上分析可以得知：PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。这说明：PN结具有单向导电性。

最通俗来讲PN结起到阻碍载流子扩散作用（广西都安拉烈）

PN结的势叠电压对温度很敏感，温度越高，势叠电压越大，工作电流就减小，这种微细变化被精密电路捕捉到就是环境温度了

2：平衡，不动我在3给你讲原理就知道了 3：原理：PN结是由P型半导体和N型半导体构成的，这些我不讲，书上 有 定义。我重点说下形成过程。 P区

可以这么理解，对于PN结来说，有助于多子扩散的外加电压为正偏电压，阻碍多子扩散的外加电压为反偏电压。

在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。

三极管的构成是由PNP结或NPN结

1、硅为半导体的主体材料，其原子最外层是四个电子。渗入少量磷后，由于周围的硅只需要四个外来电子与其组成共价键，所以就余出一个自由电子。2、一只二极管没有接入电路前当然视为开路状态。3、“开路中半导体中的离子不能任意移动”的说法确实值得商榷。其实固体中的离子主体无论开路闭路都不能移动，但掺杂半导体中的电子和掺杂半导体离子中的空穴在封闭电路中却能在电压的作用下定向移动，而掺杂半导体中的电子和掺杂半导体离子中的空穴在开路条件下却会随机地一刻不停地左突右撞，宏观统计上看相当于没动。在闭合电路中，当存在电压作用时，掺杂半导体离子中的空穴会向电压降低的方向移动，而掺杂半导体中的电子则向相反的方向移动。

【答案】：光照PN结在PN结上产生光生电动势的效应称为光生伏打效应．在光的照射下，半导体中的原子因吸收光子能量而受到激发．如果光子能量大于禁带宽度，在半导体中就会产生电子-空穴对．在PN结扩散区以内(如果PN结空间电荷区外不存在杂质浓度不均匀等原因引起的内建电场)产生的电子-空穴对，一旦进入PN结的空间电荷区，就会被空间电荷区的内建电场所分离．非平衡空穴被拉向P区，非平衡电子被拉向N区．结果在P区边界将积累非平衡空穴，在N区边界将积累非平衡电子，产生一个与平衡PN结内建电场方向相反的光生电场．如果PN结处于开路状态，光生载流子只能积累于PN结两侧产生．这时在PN结两端测得的电位差即开路电压就是光生电动势．

摘要：pnp三极管的结构为半导体的基本片上制作两个相近的PN结，然后再将正块半导体分成三部分组成。了解了pnp三极管的结构后，继续了解一下pnp三极管工作原理是什么，pnp三极管工作原理比较简单，主要的是利用的半导体之间的连接进行集电工作。具体的pnp三极管的结构包括哪些以及pnp三极管工作原理是什么，一起到文中来看看吧！一、pnp三极管的结构包括哪些pnp三极管，不知道大家有没有见过呢?pnp三极管是日常生活中比较常见的一种商品，虽然用的不多，但是它的作用是非常大的。pnp三极管的结构包括哪些?晶体三极管是半导体的基本器材之一，主要作用是电流放大的作用，主要是电子电路的核心元件，它的功能就是电流放大和开关的作用。pnp三极管主要结构是半导体的基本片上制作两个相近的PN结，然后再将正块半导体分成三部分组成。二、pnp三极管工作原理是什么晶体三极管按照材料可以分为以下两种，分别是锗管和硅管，不管哪一种的结构形式，而我们使用最多的就是硅NPN和锗PNP两种三极管，其工作原理主要的是利用的半导体之间的连接进行集电工作。PNP三极管工作原理详解：对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量，但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

你的问题还挺多，要分开来慢慢解释。1、LED发光：要搞清楚这个问题，首先，你需要了解PN结的形成原理。PN结是一个“由P型和N型半导体材料组成的半导体器件”中，其P型与 N型半导体材料相互结合的部分。P型材料有着“多数可以移动的正电荷（空穴）”和 “少数固定不动的负电荷（负离子）”；N型材料有着“多数可以移动的负电荷（自由电子）”和 “少数固定不动的正电荷（正离子）”；当P型和N型材料接触时，通过结合处，P型材料中的正电荷向N型材料中扩散，而N型材料中的负电荷则向P型材料中扩散。这些扩散的正电荷 与 负电荷相遇而结合，原有的正电荷和负电荷（载流子）消失。因此在结合处的附近区域（结区）中，有一段距离缺少正电荷或负电荷（载流子），但是在这一区域却分布着带电的固定电荷（固定不动的“负离子”或固定不动的“正离子”），这一区域称为空间电荷区 。P 型半导体一边的没有参与扩散的“负离子” ，N 型半导体一边的没有参与扩散的“正离子”，在空间电荷区产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。（内建电场）在上面所述的基础上，就可以理解以下几个问题1、LED的发光，既不是PN结，也不是非PN结，而是当LED接通外部电源后，外来的载流子打破空间电荷区的平衡后产生的。因为空间电荷区有阻力，所以载流子要突破这个区域需要能量，当这个能量积累到一定的程度，载流子就可以由P区进入N区，这个进入的过程也是能量释放的过程，在这个过程中，载流子把电势能转换成了光能和热能。单个载流子所释放出的光能是极其微弱的，并且只是一闪而过，不能持续，所以要想有一个持续而又明亮的发光过程，就必须有一个持续的外部电源以及更多的载流子参与进来。因为这样的一个过程除了发光，同时还在发热，有发热则说明器件在进行有效工作的同时，自身还在产生消耗，这个消耗对器件本身有着老化和破坏的作用，因此，LED的寿命跟制作这个LED的材料还有它的工作环境有关系，通常所述的3万小时寿命是指在实验室的相对理想的环境下达到的，实际使用中没有这么长，甚至会因为过度的电压或电流而导致LED瞬间烧毁。光伏效应：光照并不是去导通PN结，在理解这个问题时，你要确定一点，“光”也是能量的一种形式。当光照射到已形成PN结的半导体材料上面，会让这个半导体材料获得一定的能量，这个能量导致P型和N型半导体材料产生出更多的载流子（空穴和自由电子）。因为在光照前，PN结已经形成，也就是内建电场也已形成，由于内建电场是有方向性的，所以光照形成的载流子（光生载流子），会按照这个方向在内建电场中流动（空穴流向N，自由电子流向P），这一动作导致了内建电场的减小。只要光照是持续的，那么，内建电场最终会小到能让光生载流子轻松的突破PN结，从而产生电流，这个时候，这个被光照的半导体材料就具备了能够对外提供电动势的能力。综上所述，在一个拥有PN结的半导体器件中，非PN结部分最大的作用就是产生PN结，只有PN结形成后，这个器件才能拥有上述光照或光电转换的功能。因此，PN结不存在“消耗完”这个概念，只要相结合的P型材料和N型材料还在，这个PN结会永远的存在下去，我们只是利用外力来突破这个PN结，从而达到我们需要的目的。至于半导体器件的寿命，这跟制造半导体器件的材料构成、制造工艺以及使用环境有关，厂商给出的寿命都是在特定的实验室环境下通过测试和推算得出的。（就好像一团泥巴，你用特定的水流量来冲击他，冲击时间是1分钟，完成后，这团泥巴被水冲掉了十分之一的重量，那么推算一下，这团泥巴在这个特定的水流量下，也许可以经受住10分钟的冲击，那我就说他在这个状态下的寿命是10分钟）满意请采纳

IE=IB+IC=IB+β·IB 放大时的电流应该是这样的吧？

这个你看看教科书不就行了。我的答案你参考参考吧。采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PNP是另一种类型三极管。它的工作原理和NPN三极管相似，只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。后面你是不是想知道晶体管硅管锗管的门坎电压啊。一般硅管0.5V，锗管0.1V。

你随便找本模拟电路的书,上面都有的

pn结工作原理：如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。PN结的应用根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管。利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器。利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

简述pn结的形成及原理为扩散作用。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面，在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区为PN结的工作原理。PN结导通形成电流：从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区接负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

LED和光电探测器是利用光电效应，LED是通过电转换成光，光电探测器是通过光转换成电子。具体看PN结的工作原理。PN结原理　　PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。　　在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子数量多于空穴数量，而P型半导体区内的空穴数量多于电子数量，所以在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。　　最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。　　如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。　　PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。

PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。PN结（PN junction） 一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。 在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿和雪崩击穿。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

pn结是什么：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。杂质半导体：N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中。由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候。会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。

在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区。在出现了空间电荷区以后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区就形成了一个内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

1.pn结的基本特性：从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧加大。这就是PN结的特性（单向导通、反向饱和漏电或击穿导体），也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。2.PN结：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。拓展资料：PN结的形成：PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

　　随着测温技术的迅速发展,新的测温传感器不断出现,如光纤温度传感器、微波温度传感器、超声波温度传感器、核磁共振温度传感器、PN结温度传感器等在一些领域获得了广泛的应用。　　与管道系统元件的力学性能和尺寸特性相关、用于参考的字母和数字组合的标识。它由字母PN和后跟无因次的数字组成。　　注1：字母PN后跟的数字不代表测量值，不应用于计算目的，除非在有关标准中另有规定。　　注2: 除与相关的管道元件标准有关联外，术语PN不具有意义。　　注3: 管道元件允许压力取决于元件的PN数值、材料和设计以及允许工作温度等，允许压力在相应标准的压力温度等级表中给出。

1、正向导通，反向截止！当正向电压达到一定值时（硅管0.7V，锗管0.3V）左右时，电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的，因此它的特性曲线一般是非线性的.2、有两种载流子，即电子和空穴。3、受温度影响比较大，因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度，因此设计或者运用时常需要考虑温度问题。

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。向左转|向右转扩展资料pn结工作原理：如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。由此可见PN结正向导电时，其电阻是很小的。加反向电压时PN结变宽，反向电流很小；如果PN结加反向电压。此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。因此，PN结在反向电压下，其电阻是很大的。由以上分析可以得知：PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。这说明：PN结具有单向导电性。参考资料来源：百度百科-PN结

pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。拓展资料采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。参考资料百度百科 PN结

PN结是构成二极管的，而NPN或PNP是三极管，它是由两个PN结构成的。这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍，但是其内部结构只有有个了解认识就行了，不用深入研究，没有实际的用途。还是主要学习PN结的作用。PN结作用：正向特性：正向导性，即给PN结一个正向的电压它就导通，一般压降为0.3-0.7V。反向特性：可以做稳压管使用。即在反向电流允许的范围内，可以起到稳压的作用，稳压二极管就是这个原理。PNP或NPN的作用：也主要是三极管的应用啦。一般三极管有三个工作状态：放大状态：即起信号放大的作用，主要用在放大电路中。功放电路常用到的。截止和饱和导通状态：这主要是起开关的作用的。在截止状态下可以理解为三极管的CE间是开路的，即断开的，而在饱和导通状态下可以理解为三极管的CE间是短路的。开关作用也是常见到的，如在振荡电路中，或开关电路的开关功率管都是工作在开关状态下的。以上只是基本的知识，要想理解的深一点，还是要多学习一下电路的。

pn结的特性如下：pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键。多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。

PN结的导通就是在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。 如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这是PN结的截止.因此PN结具用单向导电性。 不知道这样讲你明白了没有!

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以反向电流是很小的，

这种问题，最好自己看书或者网上搜索

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。 PN结：一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。 在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿和雪崩击穿。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。

耗尽层就是在PN结附近，其中的载流子因扩散而耗尽，只留下不能移动的正负离子的区域，又称空间电荷区。在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子，N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下,载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽,,耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

光伏效应原理

PNP: 主要电流成分：空穴电流BE结正偏，其耗尽层的发射区一侧空穴的准费米能级降低，积累空穴，空穴向基区扩散增强；BE结内载流子浓度稀少，复合忽略，绝大部分空穴进入基区；由于基区很薄，且施主浓度很低，所以复合也很少，空穴可以进一步扩散至BC结；而BC结反偏，其耗尽层在基区一侧的空穴会被Vbe和PN结的内建电场共同扫入集电区。这样就形成了Ibc。----此外BE结处还会有少量基区的电子扩散入发射区。但基区掺杂远小于发射区，估此电流可忽略。

建议清洗节气门

headshot

呵呵，26年的车了，最多不超过4k

问别人去干嘛非得问我

The Ready Set Killer Stu-u-uck in a limbo (Here we go)Me and my sins go (Toe to toe oh-oh-oh)I played a vicious part (Whoa-oh)I"ve broken my fair share of hea-ar-ar-artsI"m about to blowSo if you come around then you should know-oh-oh-ohI"ll tear you up in twoGo aheadWalk it off if you know what"s best for youOoh-ooh-ooh-ooh-ooh-ooh-oohI"m no good for you (Oh-oh)This heart ain"t built for two soRun away, run away"Cause I"m no, I"m no, I"m noGood for youI"m no good for you (Oh-oh)Get love and I bet you lose soRun away, run away"Cause I"m no, I"m no, I"m noGood for youI"m a, I"m a, I"m a love killerI"m a, I"m a, I"m a love killerI"m a, I"m a, I"m Lo-oh-oh-oh-ohL-L-Lower than real low (Here we go)Take your heart like a repo (No no no oh-oh)You dug yourself into (Whoa-oh)A pretty mess that I made for you-oo-oo-ooI"ve a lot to showFor the time you"re gonna loseBy the time I go-oh-oh-ohI"ll tear you up in twoGo aheadWalk it off if you know what"s best for youOoh-ooh-ooh-ooh-ooh-ooh-oohI"m no good for you (Oh-oh)This heart ain"t built for two so转载来自 ※ Mojim.com　魔镜歌词网 Run away, run away"Cause I"m no, I"m no, I"m noGood for youI"m no good for you (Oh-oh)Get love and I bet you lose soRun away, run away"Cause I"m no, I"m no, I"m noGood for youI"m a, I"m a, I"m a love killerI"m a, I"m a, I"m a love killerI"m a, I"m a, I"m Lo-oh-oh-oh-ohBootleg emotionsBottled up explosionsIntoxicating you (Intoxicating you)Now you know the truthI"m your sentencingThey"re exiting through your skinIntoxicating you (Intoxicating you)Ninety-seven proofI"m no good for youThis heart ain"t built for two soRun away, run away"Cause I"m no, I"m no, I"m noGood for youI"m no good for you (Oh-oh)Get love and I bet you lose soRun away, run away"Cause I"m no, I"m no, I"m noGood for youI"m a, I"m a, I"m a love killerI"m a, I"m a, I"m a love killerI"m a, I"m a, I"m Lo-oh-oh-oh-oh

killer杀手

马格纳托毁灭者(Magnataur Destroyer) 浑身雪白的中老年马格纳托人，是整个部落的战斗核心。 等级 10 对地攻击力 76-85(平均80.5) 魔法回复 1.25 食物耗费 8 对空攻击力 61-68(平均64.5) 射程 近战/50 攻击类型 混乱 攻击间隔 1.5/1.35 白天视距 140 攻击方式 近程/远程 生命值 2100 夜晚视距 80 护甲类型 重型 生命回复 一直 移动速度 快速(300) 护甲强度 3 魔法值 500 　　　　冰弹(Frost Bolt) ：甩出一块高速的碎冰片，击中敌人造成100点伤害，并且使敌人眩晕5秒 持续时间 间隔时间 法力耗费 作用距离 作用范围 作用目标 5秒 9秒 75 60 一个单位 所有敌军单位 雷霆一击 (Slam)：用沉重的身躯重击大地，产生的震动对周围单位造成70点的伤害并将其震晕4秒（英雄2秒）。免疫外壳 (Spell Immunity)：成熟的皮肤保护着马格纳托免受魔法的伤害。（被动技能）马格纳托撕裂者(Magnataur Reaver)有丰富经验的马格纳托战士，会利用冰雪和地形与你纠缠，最凌厉的招式是甩出破碎的冰片将你击昏。并且他们善于对空攻击。 等级 8 对地攻击力 54-61(平均57.5) 魔法回复 0.875 食物耗费 6 对空攻击力 41-45(平均43) 射程 近战/50 攻击类型 混乱 攻击间隔 1.5/1.35 白天视距 140 攻击方式 近程/远程 生命值 1500 夜晚视距 80 护甲类型 重型 生命回复 一直 移动速度 快速(300) 护甲强度 2 魔法值 350 　　　　冰弹(Frost Bolt) ：甩出一块高速的碎冰片，击中敌人造成100点伤害，并且使敌人眩晕5秒 持续时间 间隔时间 法力耗费 作用距离 作用范围 作用目标 5秒 9秒 75 60 一个单位 所有敌军单位 免疫外壳 (Spell Immunity) （同上魔免外壳描述）马格纳托武士(Magnataur Warrior)战斗力很强的马格纳托人，常年的冰天雪地的险恶生活使他们练就了一身结实的肌肉和筋骨。 等级 5 对地攻击力 27-30(平均28.5) 魔法回复 N/A 食物耗费 4 对空攻击力 － 射程 近战 攻击类型 普通 攻击间隔 1.5 白天视距 140 攻击方式 近程 生命值 900 夜晚视距 80 护甲类型 重型 生命回复 一直 移动速度 快速(300) 护甲强度 2 魔法值 － 　　　　免疫外壳 (Spell Immunity)（同上魔免外壳描述）

模拟电子技术，数字电子技术，高电压绝缘技术，电气工程概论，电力系统分析等等，需要相关复习资料推荐去61电力网。

eiaseis

【专升本快速报名和免费咨询：https://www.87dh.com/xl/ 】北方工业大学高职升本科专业介绍：通信工程已经公布，从培养目标、专业特色、主要课程及就业去向几个方面分别做了详细的讲解，详情如下：北方工业大学高职升本科专业介绍：通信工程点击查看：北京高职升本科题库试题专业介绍通信工程专业一直是行业发展速度快、人才需求量大、就业质量高的热门前景专业，也是北方工业大学重点专业之一。该专业在掌握电子电路与计算机应用工具课程基础上，深入学习通信系统与通信网络工作过程中的信息传输和信号处理的原理和应用，熟练实践移动通信、光纤通信、网络交换、移动互联、物联网等与就业直接相关的多方向通信工程技术，学生毕业可直接读研、出国深造并能在移动、华为、联通、电信、大唐、三星及微软等国内外知名通信企业从事研究、设计、开发、制造、运营等工作。师资力量通信工程系专业师资力量雄厚，拥有15名教师，其中教授3人，副教授6人，讲师7人。其中75%的教师获得国际国内知名高校工学博士学位，100%的教师拥有硕士以上学位。师资队伍结构合理、专业知识前沿、专业背景突出，有北京市高层次学术人才1名、北京市中青年骨干人才3名，组织部优秀人才4名，全国及省市级课程教学大赛奖10余项。此外还聘请了北大、清华、北邮及华为、联通、移动等国内著名高校教授与知名通信专家定期为学生授课讲座，名校名企合作紧密。专业实力通信工程系目前拥有1个国家信息与通信工程一级硕士点和通信与信息系统和信号与信息处理等2个二级硕士点，以及电子与通信工程领域工程硕士点1个，北京市电子信息类专业群1个。在校本科生近500人，在学研究生近50人，依托北京市专业群，开展了每年选派优秀学生到清华、北邮、北航、北理工等知名高校学习2-3年的“双培育才”项目，同时积极开展与国外教育资源结合，培养更高层次人才，签订了中英3+2硕博连读项目。我校优秀毕业生经过选拔可以到英国中央兰开夏大学攻读博士学位。通信工程系具备培养本科、硕士及与海外名校联合培养博士学位能力。科研项目：国家科技支撑项目1项国家自然基金项目3项国家863项目2项省市级项目8项承担了大量企业横向课题在国内国际核心刊物和会议上发表论文300余篇授权国家发明专利10项，获软件著作权20余项。开设课程电子类课程：电路分析、数字电子技术、模拟电子技术计算机类课程：计算机基础、C语言及其应用、微机原理与接口技术、嵌入式系统设计计算机网络通信类课程：通信电子电路、电磁场与电磁波、通信原理、通信网理论、网络与交换、移动互联、物联网、智能导航技术、光纤通信、多媒体通信、移动通信、3G/4G通信、互联互通工程实践等。目前已形成“教、研、学”相结合，以培育专业人才和服务社会为宗旨的、涵盖“通信原理”、“通信技术”、“通信网”“嵌入式通信系统”四个课程群方向的特色教学团队。实验室与实践基地专业基础实验室2个：通信原理与通信电子电路专业技术实验室5个：移动通信、光纤通信、微波通信、多媒体通信、网络与交换等专业工程实践平台：移动基站网络、网络互联互通、网络交换、手机测试、3G/4G室外感知、移动网络规划、移动网络路测等。名企合作工程实践基地2个：北京移动2G/ 3G/4G基站工程基地、大唐移动基站生产测试基地，深圳光通信工厂实践基地。学生大赛实践设计性大赛-锻炼设计开发技能：全国大学生电子设计大赛、北京市大学生电子设计大赛、工信部电子人才设计大赛、信息杯嵌入式设计大赛工程性大赛-锻炼直接就业技能：大唐杯全国移动通信技术大赛、北京市移动通信工程技术大赛(目前北京市唯一)-优秀选手有机会直接大唐读研或就业研究生大赛-锻炼研究生自主创新能力。2005年来，学生参加各类大赛获全国一等奖2项，二等奖4项，三等奖，“挑战杯”、北京市级、省部级各类奖210项以上，奖项数位于全校前列。考研、出国通信工程专业考研、出国升学率一直位于全校前列，专业毕业生近30%考上北京大学、中科院、北京邮电大学、北京航空航天大学、西安电子科技大学、北京交通大学、电信研究院等国内著名大学和知名企业硕士研究生;15%出国到美国康奈尔大学、约翰霍普金斯大学、英国帝国理工大学等著名学府深造，其中08级宋曦阳、11级刘耕辰等多名学子申请获得全美知名高校硕博连读全额奖学金。就业前景通信行业是当前的最热门行业之一，国家工信部发放4G商用牌照、准备与布局5G等一系列支持国策，行业发展势头十分看好，未来通信专业人才需求趋势更迅猛。“通信工程”专业毕业生就业率一直稳定98%以上，呈逐年递增的趋势，行业就业相关度非常高，其中大部分毕业生在北京地区的相关通信行业就业，不乏有中国移动、中国联通、中国电信、华为、中兴、大唐电信、三星、微软等国内外知名企业工作，受到用人单位的广泛好评，锻炼成为单位技术骨干，有些甚至成为行业翘楚。专业导学通信工程系已形成了“导专业”“导课程”“导思想”“导问题”“导家长”“导考研”“导出国”的分层次专业辅助教学团队，积累了解决“厌学”“逃学”“逆反”各类学习及生活问题的丰富经验，近五年已有四十多名入学成绩差及挂科多的学生，取得明显进步，有些甚至成为很优秀学生考上研究生及出国深造。专业培养本专业按理工类招生，标准学制年限四年，授予工学学士学位。北方工业大学高职升本科专业介绍：通信工程已经公布，更多北京统招高职升本科资讯，请关注北京统招高职升本科栏目页面。相关阅读：2023年各省专升本报名指南专升本有疑问、不知道如何总结专升本考点内容、不清楚专升本报名当地政策，点击底部咨询官网，免费领取复习资料：https://www.87dh.com/xl/

据韩国SNEResearch公布的调研数据显示，2019年全球动力锂电池销量约为116.6GWH。其中，前十大公司的销量总和为101.3GWH锂离子电池，占全球总销量的86.87%，充分说明当前电力电池领域，市场十分集中。 数据显示，全球前十大动力锂电池厂家中，中国的宁德时代、比亚迪、AESC（被远景收购）、国轩、力神共5大锂电企业。其中宁德时代在2019年的销量为32.5GWH，市场占比上升为27.87%，稳居全球第一名。中国前五大公司的动力锂电池销量就占到了全球总量的45.1%，接近全球动力锂电池销量的一半。中国的动力锂电池公司已经成为全球市场中的领头羊。 全球前三大公司巨头是：中国宁德时代、日本松下、韩国LGchem。全球锂电池生产整体来看，全球动力锂电池领域已形成中国、日本、韩国三足鼎立之势，世界前十大公司全部是中日韩三国，且占据了近90%市场份额，而欧洲和美国缺乏重量级的相关公司。 根据韩国市场调研机构SNE Research最新数据显示，2020年全球动力电池在电动 汽车 上的装机量达137GWh。其中，宁德时代以34GWh的装机量，成为全球最大动力电池企业，市场份额24.82%。值得一提的是，这也是自2017年以来，宁德时代连续第四次卫冕全球冠军。下面根据具体情况综合介绍全球十大锂电池巨头如下： 一、宁德时代（中国） 占有率参考值：27.87% 装机量：34GWH 全球地位 ：全球头号锂电池巨头。国际顶尖车企供应链的锂离子动力电池制造商。 概述及技术特点： 宁德时代新能源 科技 股份有限公司成立于2011年，是中国率先具备国际竞争力的动力电池制造商之一，专注于新能源 汽车 动力电池系统、储能系统的研发、生产和销售，致力于为全球新能源应用提供一流解决方案，核心技术包括在动力和储能电池领域，材料、电芯、电池系统、电池回收二次利用等全产业链研发及制造能力。 值得一提的是，宁德时代在2017年动力锂电池出货量全球遥遥领先，达到11.84GWh，并成功在全球市场上占据一席之地，也成为国内率先进入国际顶尖车企供应链的锂离子动力电池制造商。尤其是2017年动力电池装机量超过松下成为全球第一；2018和2019年，宁德时代先后成为全球 汽车 巨头大众、戴姆勒、捷豹路虎、PSA、沃尔沃和丰田等国际一流车企的供应商。 宁德时代入选"2019福布斯中国最具创新力企业榜"，2019《财富》未来50强榜单宁德时代排名第4。 入选2019中国品牌强国盛典榜样100品牌。2021年7月，宁德时代正式推出钠离子电池。 宁德时代已布局8大基地：上海，福建宁德、青海西宁、江苏溧阳、四川宜宾、江西宜春、广东肇庆和德国图林根。 宁德时代的前身是新能源 科技 有限公司（简称ATL），ATL于1999年正式成立，新科的曾毓群，梁少康、陈棠华是最初的创始人。ATL公司成立凭借的就是用100多万美金购买的贝尔实验室的聚合物锂电池专利，但当时这个专利存在一个巨大漏洞——反复充电有鼓胀问题，电池存在爆炸风险。曾毓群迎难而上最终解决了难题，做到了电池的商业化，并申请了新的专利。这项技术从此成为了ATL的立身之本。值得一提的是，2004解决了苹果MP3锂电池循环次数低的问题成功杀入了苹果产业链，一跃成为全球产业巨头。 ATL后来整体被日本TDK以1亿美元收购。2008年6月，陈棠发在曾毓群的家乡宁德蕉城兰田，斥资2亿美元投资的全国最大的聚合物锂离子电池项目奠基。 宁德时代最大特点就是主攻续航能力更高的三元锂电池。若当时选择了磷酸铁锂电池，则安全性更高，但电池容量天花板低；三元电池则是容量高，但安全性低。值得一提的是，当时国内电动车老大比亚迪就选择了更加安全的领酸铁锂电池，而宁德时代则ALL IN了三元电池。 宁德时代十分注重研发，拥有研发人员3300多人，占了23%的比例。宁德时代早在2017年研发经费占当年营业收入的比例为8.16%，且公开授权的专利已超过2800项。如果说韩国LG技术储备更全面，日本松下电池技术更领先，那么宁德时代则二者兼具，性能平衡。比如2019年宁德时代的成本就比海外电池同行低15%左右。值得一提的是，宁德时代进入特斯拉供应链，充分体现宁德产品的性能卓越，超越海外龙头松下及LG。 宁德时代朋友圈十分强大。在国内与客户合资联姻，尤其对海外品牌多点突破，重要公司以股权形式锁定切入高端自主品牌供应链。在国内品牌客户方面，宁德时代与宇通集团、上汽集团、北汽集团、吉利集团、福汽集团、中车集团、东风集团和长安集团等行业内整车龙头企业保持长期战略合作，也与蔚来 汽车 等新兴整车企业（包括互联网车企、智能车企等）开展合作，并且积极布局智能 汽车 领域。全球巨头中，宝马及特斯拉的大单也纷至沓来。 二、松下（日本） 占有率参考值：24.1% 装机量：25GWH 全球地位： 世界锂电池三大巨头之一，在诸多领域领先世界而享誉全球。松下是美国 汽车 巨头特斯拉的电池供应商。 概述及技术特点： 松下是享誉世界的日本跨国性公司，在全世界设有230多家公司，早在2001年全年的销售总额为610多亿美元，是世界制造业500强的第26名。松下Panasonic其品牌产品涉及家电、数码视听电子、办公产品、航空等，松下在诸多领域领先世界而享誉全球。 松下电器产业株式会社创建于1918年，创始人是被誉为“经营之神”的松下幸之助先生。创立之初是由3人组成的小作坊，其中之一是后来 三洋 的创始人井植岁男先生。经过几代人的努力，如今已经成为世界著名的国际综合性电子技术企业集团。 日本松下公司曾经与美国电动 汽车 巨头特斯拉 汽车 签署协定，依照协定内容，松下将在未来四年为特斯拉的Model S车型供给电池组，松下必须保证足够的电池供给。此次合作将有助于特斯拉实现Model S车型的销售利润增加。 据悉，松下和特斯拉经过长期尽力已经共同研发出了镍基锂电池组，该电池组将运用到特斯拉的Model S车型中。 据外媒报道，2021年10月25日，在一场媒体圆桌会议上，松下首次发布了该公司新电池，即4680原型电池。这款先进电池的存储容量是现有电池的5倍。松下电池部门负责人Kazuo Tadanobu表示，这款电池的发布将有助于深化松下与特斯拉的商业合作。松下在日本建立了一条4680电池的测试线。特斯拉表示，4680电池直径为46毫米，高度为80毫米，不仅能存储更多的电量，还能将电池的生产成本减半。特斯拉希望在2030年前将4680电池的产量提高100倍。 特斯拉 4680 锂电池与 2020 年 9 月首次发布。这款产品单体电芯直径为 46mm、高度为 80mm，能量密度也提升到了 300kWh/kg。电池采用激光加工的无极耳技术，总体上可减轻重量、提高生产速度，综合来看能使电动车续航里程提升 16%，输出功率提升 6 倍，并且成本还降低了 14%。 日本拥有享誉世界的匠人精神，但松下绝对算得上是个“异类”。1992年，索尼率先发明锂离子电池。1998年，松下生产的18650圆柱电池已经在世界各大笔记本电脑上实现批量装配。不同于索尼在家电领域的止步不前，松下选择通过跨界将这款电池发扬光大。而这个领域就是 汽车 领域。在索尼发明锂电池的同年，松下就已经为电动车打造了初代镍氢电池。1993年，由丰田出资80.5%，松下出资19.5%的松下电动 汽车 能源株式会社成立。1997年，全世界首辆混合动力 汽车 丰田普锐斯问世，搭载的正是松下制造的方形镍氢电池。2013年，“日本重振战略”将氢能源提到国策层面，丰田放弃纯电方向，在回到混动路线的同时，开始全力研发氢能源车。松下主力转而开始为特斯拉量身定制纯电方案，业余仍继续为丰田提供混动方案。由此，松下独霸业界的圆柱电池工艺与特斯拉笑傲江湖的BMS电控技术开始了合作，共同开启新能源车的纯电时代。 值得一提的是，在共同打造了惊艳世人的Model S与Model X系列后，松下的动力电池工艺在Model3上登峰造极。比如松下电池+天衣无缝的特斯拉电控+Model 3。 松下若与龙头老大宁德时代相比，松下的技术方面更加先进成熟，而市场占有量方面无疑宁德时代遥遥领先。比如特斯拉选择松下18650锂电池的原因之一，是其以NCA为正极，并且设计了复杂的电池管理系统，从而尽可能保证和提高了电池工作的高效性与安全性。 三、LG Chem （韩国） 占有率参考值：10.55% 装机量：31GWH 全球地位： 全球四大电池企业中唯一一个化学材料业务出身的企业。LG Chem是中国制造的Model Y车型的唯一电池供应商、欧洲市场的主要电池供应商，美国电动 汽车 的主要电池供应商。 概述及技术特点： 韩国LG集团于1947年成立于韩国首尔，位于首尔市永登浦区汝矣岛洞20号。是领导世界产业发展的国际性企业集团。LG集团目前在171个国家与地区建立了300多家海外办事机构。事业领域覆盖化学能源、电子电器、通讯与服务等领域。LG Chem韩国电池制造研发企业。 LG化学曾经是全球四大电池企业中唯一一个化学材料业务出身的企业，因此在电化学领域与业布局深广。LG公司是第一批进入锂电池行业的企业，对软包、圆柱技术理解十分深刻，市占率稳定在全球前三。在动力电池方面，LG公司研发投入非常果断，且借鉴消费锂电产业化经验，走软包三元路线，迅速绑定一线主机厂，被普遍认为是最具潜力的动力电池龙头。LG公司的客户囊括海外一线车企巨头，比如大众、戴姆勒、通用、现代起亚等。长期来看，LG海外市占率预计达到30%，在国内市场，LG拟与吉利建立合资电池厂，预计未来份额有望达到10%。技术上，LG最早开始布局劢力软包，覆盖大部分核心专利，压缩其他软包对手空间。软包电池全球市占率大约16%，但LG具备安全性、高能量密度、形状灵活等明显优势，预计未来份额将不断提升。供应链方面，LG绝大部分三元正极自产，隔膜、电解液曾自供。 LG Chem曾经在欧洲市场凭借着雷诺Zoe、奥迪e-tron、保时捷Taycan、奔驰EQC、捷豹I-PACE等车型的强劲销售，而这些车型均由LG Chem提供 汽车 电池。更重要的是，LG在中国凭借着特斯拉Model 3的强势销售，装机量大幅上升，尤其是今年第二季度实现了其动力电池业务 历史 上最好的单季业绩，销售额达到约为165亿人民币，营业利润1555亿韩币，约为人民币9亿元。 LG Chem是中国制造的Model Y车型的唯一电池供应商，同时LG又是欧洲市场的主要电池供应商，而且LG Chem是美国电动 汽车 的主要电池供应商，它还是国产特斯拉model 3合作的主要电池供应商。LG Chem的电池主要供给特斯拉在上海工厂生产的Model 3中使用。LG Chem将在明年投资5亿美元，将其南京工厂的2170个圆柱形电池的年产能提高8GWh。另外，LG Chem在中国制造的电池还将出口一部分到特斯拉的德国和美国工厂使用，这标志着LG Chem随着特斯拉在全球扩张而成为主要供应商之一。 四、比亚迪（中国） 占有率参考值：9.52% 装机量：10GWH 全球地位： 比亚迪作为全球领先的二次充电电池制造商。比亚迪的刀片电池在全球独树一帜。 概述及技术特点： 比亚迪股份有限公司创立于1995年，2002年7月31日在香港主板发行上市，公司总部位于中国广东深圳，是一家享誉世界的拥有IT， 汽车 及新能源三大产业群的高新技术民营企业。 比亚迪在广东、北京、陕西、上海、天津等地共建有九大生产基地，并在美国、欧洲、日本、韩国、印度等国和中国台湾、香港地区设有分公司或办事处。 比亚迪公司IT产业主要包括二次充电电池、充电器、电声产品、连接器、液晶显示屏模组、塑胶机构件、金属零部件、五金电子产品、手机按键、键盘、柔性电路板、微电子产品、LED产品、光电子产品等以及手机装饰、手机设计、手机组装业务等。比亚迪主要大客户包括诺基亚、摩托罗拉、三星等国际通讯业顶端客户群体。 比亚迪作为全球领先的二次充电电池制造商，其IT 及电子零部件产业已覆盖手机所有核心零部件及组装业务，镍电池、手机用锂电池、手机按键在全球的市场份额均已达到第一位。比亚迪曾经被全球权威刊物《亚洲货币》评为“2002年最佳上市公司管理奖”第一名。值得一提的是，2008年9月27日，美国著名投资者"股神"沃伦·巴菲特的投资旗舰伯克希尔·哈撒韦公司旗下附属公司中美能源控股公司宣布以每股8港元的价格认购比亚迪 2.25亿股股份，约占比亚迪本次配售后10%的股份，交易总金额约为18亿港元（相当于2.3亿美元。巴菲特的投资表示了对比亚迪发展前景和品牌价值的认可。 比亚迪曾与德国戴姆勒 汽车 公司订立谅解备忘录，就电动 汽车 展开合资合作。因双方在电动 汽车 架构及电池技术与电力驱动体系中的先进经验将可实现融合。 比亚迪与盐湖股份等合作成立的“青海盐湖比亚迪资源开发有限公司”设立后，启动建设“年产3万吨电池级碳酸锂项目”。比亚迪与阿森纳足球俱乐部达成合作，成为阿森纳的官方全球独家 汽车 和巴士合作伙伴。比亚迪成为百度Apollo计划第一百位合作伙伴。比亚迪与长安 汽车 达成战略合作，拟成立动力电池合资公司。 比亚迪基于铁电池核心技术实现能源储存，形成对智能网的技术支持。依托先进的铁电池技术，比亚迪电池储能电站可以满足能源存储、削峰调谷的需求，通过均衡用电，解决智能网在建设中的储能难题，形成对智能网的技术支持，对风能、太阳能等新能源功率波动进行平滑。同时，比亚迪储能电站相比于抽水蓄能、压缩空气储能、飞轮储能等现有储能技术，具有明显的成本和运行寿命优势，储能效率更是高达90%以上，远高于抽水蓄能的60-70%，经济效益十分突出，需求巨大，应用前景广阔。 比亚迪的纯电动车主要使用两种电池，一种是三元锂电池，另外一种是磷酸铁锂电池。比亚迪作为国内新能源 汽车 的先行者，是最早一批推出新能源 汽车 的车企。比如秦，e6等车型就是在这时候推出的。这时候比亚迪的纯电动车上面采用的就是磷酸铁锂电池，毕竟比亚迪之前一直在研发的就是磷酸铁锂电池，磷酸铁锂电池也是它的拳头产品。 值得一提的是，比亚迪曾经推出了刀片电池，也就是磷酸铁锂电池。刀片电池在结构上进行了革新，比如相同体积能够提高50%的能量密度，已经赶上了同期三元锂电池的能量密度。重要的是，成本还大幅降低了30%，同时安全性还得到了大幅提高。因此，比亚迪的刀片电池别具一格，十分有特色，并且是独家产品。 相比宁德时代使用的是三元材料电池，三元材料的特点能量密度更高，但安全性许多差一些。比亚迪使用的是磷酸铁锂电池，能量密度不如三元材料，但安全系数更高。事实上，宁德时代赌三元材料电池技术，更多是时代的产物，比如新能源有大量的政府补贴，而补贴的条件是，续航越久补贴越高。所有新能源车企想要拿到补贴必须使用国产电池技术。 比亚迪更注重安全，没有刻意去追求能量密度。比如比亚迪的刀片电池维修难度上远远好于宁德时代，因为刀片电池可以只管坏的一部分。宁德时代电池在充电速度上明显优于刀片电池。 五、三星SDI（韩国） 占有率参考值：3.6% 装机量：8GWH 全球地位： 全球小型消费锂电池市场三星SDI独占鳌头。宝马推出了纯电动 汽车 Megacity动力电池供货商。 概述及技术特点： 三星集团是韩国最大的跨国企业集团 ， 业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。三星集团成立于1938年，由李秉喆创办。三星集团是家族企业，李氏家族世袭，旗下各个三星产业均为家族产业，并由家族中的其他成员管理。 旗下子公司包含:三星电子、三星SDI、三星SDS、三星电机、三星康宁、三星网络、三星火灾、三星证券、三星物产、三星重工、三星工程、三星航空和三星生命等，其中三家子公司被美国《财富》杂志评选为世界500强企业。三星电子是旗下最大的子公司，2009年全球500强企业中，三星电子占据了第40位的一席之地。全球最受尊敬企业排名第50位，三星的品牌价值排名第19位。 从广发证券之前发布的研究报告获悉：在全球十大锂电池企业中，日本有两家，韩国有两家，剩下全部是中国企业，其中宁德时代及比亚迪是中国的龙头。据起点研究统计，日本的松下和索尼曾经占了全球16.7%的销售额，韩国的LG化学和三星SDI占据了22.5%，其余的绝大多数由中国生产。早在2000年，三星SDI开始进军动力电池领域。2015年三星SDI100%收购MagnaSteyr从事电池业务的子公司MSBS，从此三星SDI构建立起从电池单元、模块到电池组完整的电动 汽车 电池业务体系。在全球小型消费锂电池市场中，可以说三星SDI独占鳌头。但在动力电池领域，相比当时的全球巨头松下和LG化学，三星SDI无论营业收入还是动力电池出货量都稍逊一筹。 2009年，宝马推出了纯电动 汽车 Megacity，SBLimotive成为Megacity动力电池供货商，为三星SDI打开了动力电池市场。2014年7月,三星SDI与宝马签订电动 汽车 电池扩大供货及共同开发新一代电池材料的谅解备忘录，进一步巩固了三星SDI与宝马在动力电池上的伙伴关系。值得一提的是，三星SDI已被选为30多个 汽车 电气化项目的核心的电池供应商，并且项目数量在不断增加。比如首次安装三星SDI电池的 汽车 有Fiat500e(纯电动 汽车 )，宝马i3(纯电动 汽车 )，宝马i8(插电式混合动力车)以及许多OEM厂商的其他车型。 三星SDI与松下、LG化学不同，三星SDI动力电池封装形式以方形为主，同时积极跟进21700电池的生产，正极材料主要采用三元NCM和NCA材料。方形硬壳电池能够生产大容量单体电池。另外，方形电池壳体多为铝合金、不锈钢等材料，内部采用卷绕式或叠片式工艺，对电芯的保护作用优于于铝塑膜电池(即软包电池)，电芯安全性相对圆柱型电池也有了较大改善。方形电池的不足之处在于型号太多，工艺很难统一。 三星SDI依靠三星集团雄厚的资本、研发及资源实力，在动力电池领域大显身手。三星SDI除了方形动力电池外，还坚持发展圆柱动力电池和固态电池。特别是在固态电池方面，比如三星SDI在2019底特律车展上，特别提出了“固态电池技术发展蓝图”，力争在未来的电动 汽车 市场中拥有技术竞争主导权。苹果公司创始人乔布斯曾经说：“创立经久不衰的公司需要伟大的产品。”这句话也适用于动力电池企业。事实上，在动力电池行业深度洗牌过程中，决定动力电池企业命脉的核心竞争力在于产品品质、性能与差异化特征，谁都不会例外。

head bust!

【专升本快速报名和免费咨询：https://www.87dh.com/xl/ 】天津农学院高职升本科专业介绍：软件工程专业已经公布。从专业特色、主要课程、就业方向等几个方面做了详细的讲解，详情如下：天津农学院高职升本科专业介绍：软件工程专业点击查看：天津高职升本科视频课程点击查看：天津高职升本科题库试题软件工程专业设立于2005年，现有在校生480名，专职教师11名，其中高级职称教师3名，博士学位教师4名。2012年天津农学院被批准为天津市市级示范性软件学院建设单位，2013年天津农学院与天津市大学软件学院开展联合办学，软件工程专业实施3+1软件人才培养模式(在天津农学院学习3年，在天津市大学软件学院学习实践1年)，2023年天津农学院被批准为天津市特色化示范性软件学院建设单位。该专业面向国内外电子信息化建设发展的需求，培养具有扎实的软件理论和知识基础、对软件开发过程有整体了解、掌握软件工程领域前沿技术、具有国际竞争能力、能从事大型软件项目的系统分析、设计、编程、测试和软件项目管理等工作的复合型、实用性高层次软件工程技术人才;该专业设置农业信息化应用、农业大数据库应用、农业人工智能等专业方向，采取提高收费标准、加大教学投入、探索校企合作的模式。通过三年的业务知识学习和一年的专业技能实训，培养学生运用软件工具分析问题与解决问题的综合能力，培养学生致力于终身学习并追求职业发展规划的素养，培养学生具有高度社会责任感并推动软件产业健康发展的目标，培养学生具备国际视野、高层次、复合型实用软件人才的素质。培养目标本专业面向软件产业发展和都市型现代农业应用需求，培养德、智、体、美、劳等方面全面发展、具备扎实的信息及软件理论基础、掌握计算机软件工程方法、技术与规范、熟悉现代农业信息分析与处理技术、熟练使用各类主流软件开发工具、具有较强实际操作和解决问题能力的应用型软件工程人才。毕业生可获得以下几方面的知识和能力工程知识、问题分析、解决方案、研究、使用现代工具、工程与社会、环境和可持续发展、职业规范、个人和团队、沟通、项目管理、终身学习等。主要课程软件工程概论、C/C++程序设计、计算机网络、数据库系统、数据结构、C#.Net/Java程序设计、操作系统、微机原理与汇编、ASP.net/JavaWeb程序设计、算法分析与设计、软件测试技术、软件工程和团队开发、软件设计模式与体系结构等，以及具体应用方向对应的专业课程。主要实践性教学环节包括军事训练3周，教学实训与实习31周，专业社会实践4周，毕业实习与毕业设计20周，共58周。培养要求本专业学生主要学习计算机与程序设计的基本知识与理论，学习软件工程的方法与技术以及农业信息技术等方面的基本内容，受到系统性、工程化软件开发的基本训练，具备综合运用所学知识分析和解决实际问题的基本能力，毕业生能运用所学知识从事相关领域软件系统开发、管理和评价等方面的工作，也可从事IT技术应用推广和培训工作。培养本专业学生的爱国主义情怀，坚定政治信仰，使学生具有社会主义核心价值观的素养，自觉将其所学的专业知识应用于国家和社会发展。就业方向毕业生能在软件研发企业、其他企事业单位或政府部门从事应用软件设计、编程、测试，以及应用系统维护和运行管理等方面的工作，也可从事应用推广和技术培训工作。天津农学院高职升本科专业介绍：软件工程专业已经公布，更多天津高职升本科资讯，请关注天津高职升本科栏目页面。专升本有疑问、不知道如何总结专升本考点内容、不清楚专升本报名当地政策，点击底部咨询官网，免费领取复习资料：https://www.87dh.com/xl/

head shot