电动车电动机霍尔元件工作原理是什么？

霍尔效应是电学中的一种现象，它指的是当磁通量通过一个导体时，会在该导体上产生电动势。霍尔元件（HallEffectsensor）是利用这一现象来测量磁场强度的传感器。霍尔元件通常由一块导电材料（如铂，铬等）制成，它的工作原理是通过在导电材料的一面施加一磁场，然后在另一面测量产生的电压来推断磁场的强度。当磁通量通过导体时，会在导体上产生一个电动势差，这个电动势差的大小与磁通量和导体长度的方向有关。在霍尔元件中，导体的长度方向与磁场的方向相垂直，所以磁场强度与在霍尔元件上产生的电动势差成正比。根据霍尔效应原理,在霍尔元件上输入磁通量,可以检测出磁通量在霍尔元件上产生的电动势.通过这个电动势,就可以得出磁通量的值.

霍尔元件测速工作原理霍尔元件测速工作原理是基于霍尔效应的原理，霍尔效应是指在磁场中，电流通过一个磁性材料时，会产生一个磁场，而当磁场发生变化时，会产生一个电动势。霍尔元件就是利用这种原理来测量物体的速度。它由一个磁性材料和一个电缆组成，当物体移动时，磁场会发生变化，从而产生一个电动势，这个电动势可以通过电缆传递到测量仪表，从而测量物体的速度。

霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，是一种基于霍尔效应的磁传感器。霍尔效应是指通电导体在垂直于外加磁场的作用下，可在垂直于电流方向及磁场方向的方向上产生电势差。电势差的大小与外加磁场的磁感应强度及导体内流过的电流成正比。

霍尔效应原理如下：霍尔效应的概念：在交流电的作用下，当通有交变电流时，导体两端将产生磁场并感应出电动势；而当通入直流电流时，则会产生相反方向的磁场并感应出电动势；如果同时存在两种不同频率和强度的交变电场和磁场作用在导线上时就会产生自感现象。当导线处于交变磁场与交变电场之间时会发生电磁感应现象而产生一个自感电动势e1，此值的大小与外加电压及导线的电阻成正比。若将此电源用导线连接起来便构成了一个闭合回路，由于该回路中的任一节点所接通的节点的电位均相等且方向相同.故称为同向性负载，此时若将电源断开后重新接入电路仍可得到原先的功率输出.这就是所谓的"霍耳效应"。霍耳效应的应用：（1）应用在电动机上：利用这一原理可以设计出一种无刷电动机（简称永磁电机），这种电动机结构简单、运行可靠、维护方便并且成本低等优点而被广泛应用到工业生产和日常生活中去。（2）应用在发电机上：由于没有励磁绕组所以不存在换向火花问题。（3）应用于自动控制装置中。（4）用于测量仪表。

　　霍尔元件应用霍尔效应的半导体。　　所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。　　利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为:　　UH=RHIB/d （1） RH=1/nq（金属） （2）　　式中 RH――霍尔系数；n――单位体积内载流子或自由电子的个数；q――电子电量；I――通过的电流；B――垂直于I的磁感应强度；d――导体的厚度。　　对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式（2）不同，此处从略。　　由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。　　若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。　　利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。　　如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。

霍尔电路是一种通过检测磁场变化来探测物体位置和运动的电路。它通常由一个霍尔元件和一些放大器和滤波电路组成。霍尔元件可以是霍尔效应管、霍尔效应晶体管或其他霍尔效应器件。当磁场经过霍尔元件时，其电阻会发生变化，从而产生电信号。通过放大器和滤波电路对这个电信号进行处理，就可以得到磁场强度和方向的信息。霍尔电路广泛应用于汽车、机械、电力、电子等领域中，如在汽车中用于检测发动机转速，在机械中用于检测轴承磨损等。

Eq=qvb.

所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。霍尔电位差UH的基本关系为 　　UH=RHIB/d 　　RH=1/nq（金属） 式中 RH——霍尔系数： n——单位体积内载流子或自由电子的个数 q——电子电量； I——通过的电流； B——垂直于I的磁感应强度； d——导体的厚度。 利用上式就能测量磁场。

有三个线头，+—A正负接电源，产品内部的霍尔元件在通电后开始工作扫描磁铁的动作，当磁铁从N极转到S极时霍尔元件断开，反之通，循环即产生方波信号，通过A端子输出！！！

A、根据左手定则，电子向C侧面偏转，C表面带负电，D表面带正电，所以D表面的电势高，则U CD ＜0．CD间存在电势差，之间就存在电场，电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，有 q U b =qvB ，I=nqvS=nqvbc，则U= BI nqc ．故A错误，B、C正确．D、在测定地球两极上方地磁场强弱时，应将元件的工作面保持水平，让磁场垂直通过．故D正确．故选BCD．

用1只电阻串接在霍尔元件中,霍尔1头接电源+,另一头电阻接电源地;电阻与霍尔的接头便是信号输出到检测端.上述电路也可以电源+-换过来试试.电阻与霍尔电路的等效电阻有关,大约电阻在K~数十K范围.比如:5V电压,无磁场情况下,信号端的直流电压大约1/2Vcc=2.5V左右即可.试试

电流霍尔元件工作原理电流霍尔元件（HallEffectsensor）是一种用来检测磁场强度的传感器。它的工作原理是当在磁场中通过一个导体时，导体内部会产生一个电动势差，这个电动势差叫做霍尔效应。霍尔元件通过检测这个电动势差来测量磁场强度。

A、电子最终在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，有evB＝eUHL，解得UH=vBL，则将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面时，B增大，则UH将变大．故A正确．BC、地球赤道上方的地磁场方向水平，两极上方的磁场方向竖直，在测地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持竖直．在测量两极磁场强弱时，霍尔元件的工作面应水平．故B正确，C错误．D、改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角，需将磁场进行分解，在垂直于工作面方向上的磁感应强度小于原磁场磁感应强度的大小，则UH将发生变化．故D正确．本题选错误的，故选：C．

A、运动电荷最终电荷在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、d，则有：qUb=qvB，电流的微观表达式为：I=nqvS=nqvbd，所以U=BInqd．B越大，前、后表面的电势差U越大．电流越大，前、后表面的电势差U越大．故AB正确，C错误．D、改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角，需将磁场进行分解，在垂直于工作面方向上的磁感应强度小于原磁场磁感应强度的大小，则UH将发生变化．故D正确．故选：ABD．

BC

霍尔元件是一种半导体磁电器件，它是利用霍尔效应来进行工作的。早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应，1910年就有人用铋制成了霍尔元件，用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱，当时并没有引起什么重视。1948年后，由于半导体技术的迅速发展，人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗（Ge），接着，在1958年前后，人们又对化合物半导体——锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）进行了大量的研究，并制成了较为满意的元件。这时霍尔效应以及它所具有的广泛的应用才受到了人们普遍的重视。霍尔元件应用霍尔效应的半导体。所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由确定。

工作原理：霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁感应强度。磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。扩展资料：霍尔传感器是一种磁传感器。用它可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔传感器以霍尔效应为其工作基础，是由霍尔元件和它的附属电路组成的集成传感器。霍尔传感器在工业生产、交通运输和日常生活中有着非常广泛的应用。霍尔传感器按被检测对象的性质可将它们的应用分为：直接应用和间接应用。前者是直接检测受检对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，这个磁场是被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量转变成电学量来进行检测和控制。参考资料：百度百科-霍尔传感器

霍尔元件的工作原理：所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。扩展资料：霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。常用的半导体材料N型硅、N型锗、锑化铟、砷化铟和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In型固溶体等。其中N型锗容易加工，其霍尔常数、温度性能、输出线性都较好，应用非常普遍锑化铟元件由于在高温时霍尔常数大，所以输出较大，但对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大；砷化铟的霍尔常数较小，温度系数也较小，输出线性好；砷化镓的温度特性和输出线性好，是较理想的材料，但价格较贵。参考资料来源：百度百科-霍尔元件

霍尔元件 一、霍尔元件的工作原理：所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。 利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为 UH=RHIB/d （18） RH=1/nq（金属） （19） 式中 RH——霍尔系数： n——载流子浓度或自由电子浓度； q——电子电量； I——通过的电流； B——垂直于I的磁感应强度； d——导体的厚度。 对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式与式（19）不同，此处从略。 由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。 若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差与电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。 利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。 如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。 霍尔元件应用霍尔效应的半导体。 二、霍尔元件的特性： 1、霍尔系数（又称霍尔常数）RH 在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。 另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。 2、霍尔灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度） 霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通常可以表征霍尔常数。 3、霍尔额定激励电流 当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。 4、霍尔最大允许激励电流 以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。 5、霍尔输入电阻 霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。 6、霍尔输出电阻 霍尔输出电极间的电阻值称为输入电阻。 7、霍尔元件的电阻温度系数 在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。 8、霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点） 在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。 9、霍尔输出电压 在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。 10、霍尔电压输出比率 霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率 11、霍尔寄生直流电势 在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称寄生直流电势。 12、霍尔不等位电势 在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。 13、霍尔电势温度系数 在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。它同时也是霍尔系数的温度系数。 14、热阻Rth 霍尔元件工作时功耗每增加1W，霍尔元件升高的温度值称为它的热阻，它反映了元件散热的难易程度， 单位为： 摄氏度/w 无刷电机霍尔传感器AH44E 开关型霍尔集成元件，用于无刷电机的位置传感器。 引脚定义（有标记的一面朝向自己）：（左）电源正；（中）接地；（右）信号输出 体积(mm)：4.1*3.0*1.5 安装时注意减少应力与防静电

电流方向一定的时候，不同电荷的载流子受到的洛轮兹力的方向相反

有三个线头，+—A正负接电源，产品内部的霍尔元件在通电后开始工作扫描磁铁的动作，当磁铁从N极转到S极时霍尔元件断开，反之通，循环即产生方波信号，通过A端子输出！！！

不接地线只会以最高速转动，俗称飞车，接上地线不转那是霍尔坏了，转把工作原理是，旋动转把磁铁靠近霍尔越近霍尔输出电压越高，电机转速也就越快

霍尔元件是磁敏元件，要想用来测转速，就必须在被测的旋转体上装一个磁体，旋转时，每当磁体经过霍尔元件，霍尔元件就发出一个信号，经放大整形得到脉冲信号，也有的霍尔元件可以直接输出脉冲信号，送运算，两个脉冲的间隔时间就是周期，由周期可以换算出转速，也可计数单位时间内的脉冲数，再换算出转速。

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A、根据左手定则，电子向C侧面偏转，C表面带负电，D表面带正电，所以D表面的电势高，则U CD ＜0．CD间存在电势差，之间就存在电场，电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，有 q U b =qvB，I=nqvS=nqvbc，则U= BI nqc ．故A、B错误．C、在测地球赤道上方的地磁场强弱时，磁场方向为水平方向，则元件工作面应保持竖直．故C错误．D、在测地球两极上方的地磁场强弱时，磁场方向为竖直方向，则元件的工作面应保持水平，故D正确．故选D．

ABD 根据霍尔元件原理有 ，A对；增加I的大小，电荷定向移动的速度v增大，B对C错；改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角，垂直电流的磁感强度的分量减小，UH将减小，D对；

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霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速,如录象机的磁鼓,电脑中的散热风扇等;是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用.咯, 希望对你有所帮助.

霍尔元件（Halleffectsensor）是一种用于测量磁场强度和方向的电子器件。温度补偿是指在测量磁场强度时，对于温度的影响进行校准。这是通过在测量过程中同时测量温度，并使用这些数据来校准霍尔元件的输出来实现的。温度会影响霍尔元件的磁传感器，磁传感器本身也会有温度漂移。为了减小温度影响，需要对霍尔元件进行温度补偿。具体的实现方式有很多种，比如说通过使用附加的温度传感器、使用热电偶等。

在进行换刀是可检测刀位信号，然后再反馈到系统，完成换刀动作。

带电粒子在磁场中受力偏转

霍尔是一个物理学家的名字 也是一种元器件 就是用这位物理学家的名字命名的 原理是某元件被磁性照射就会有电信号产生

A、电子最终在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，evB=eUHL得：UH=vBL，则将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面时，B增大，则UH将变大．故A正确．B、C、地球赤道上方的地磁场方向水平，两极上方的磁场方向竖直；在测地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持竖直，在测量两极磁场强弱时，霍尔元件的工作面应水平．故B错误，C错误．D、改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角，需将磁场进行分解，在垂直于工作面方向上的磁感应强度小于原磁场磁感应强度的大小，则UH将发生变化．故D正确．故选：AD．

霍尔传感器是利用霍尔效应实现磁电转换的一种传感器。霍尔效应：长宽厚分别为L，b，d的半导体薄皮，当被置于磁感应强度为B的磁场时，如果在其相对的两边通以控制电流I，且磁场方向与电流方向正交，则在半导体的另外两边将产生一个大小与控制电流I和磁感应强度B乘积成正比的电势Uh，这种现象称为霍尔效应。工作原理：当N型半导体霍尔元件通以电流I时，其中的自由电荷即载流子受到洛伦兹力作用，，使电子向垂直于B和自由电子运动方向偏转，方向符合右手螺旋定则，即在不同表面出现电荷的积聚。由于电荷积聚产生静电场，即为霍尔电场，该电场对电子的作用力与洛伦兹力方向相反，阻止电子继续偏转，两者逐渐达到动态平衡。产生稳定的霍尔电势输出。

霍尔效应：当电流垂直于外磁场通过导体时，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，称为霍尔效应。 原理：在均匀强磁场B中放入一块板状金属导体，并与磁场B方向垂直，在金属板中沿与磁场B垂直的方向通以电流I的时候，在金属板上下表面之间会出现横向电势差UH，这种现象称为霍尔效应，电势差UH 称为霍尔电势差。 应用：ABS系统中速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器等等。

1、半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。 2、原理简述如下：激励电流I从a、b端流入，磁场B由正上方作用于薄片，这时电子e的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力FL的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的c、d方向产生电场E。电子积累得越多，FE也越大，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电动势EH就是霍尔电势。 3、由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。

BC

就是传感器啊

不接地线只会以最高速转动，俗称飞车，接上地线不转那是霍尔坏了，转把工作原理是，旋动转把磁铁靠近霍尔越近霍尔输出电压越高，电机转速也就越快 接正和信号线霍耳处于没电状态·正和信线是相通的"此时处于运转状态!接上负线，霍耳处于带电工作状态，此时转把里的磁铁会派上用场!霍耳本身就是一磁开关!从一极无电流转到最大电流从正流入信号线

A、电子最终在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，evB= e U H L 得：U H =vBL，则将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面时，B增大，则U H 将变大．故A正确．B、C、地球赤道上方的地磁场方向水平，两极上方的磁场方向竖直；在测地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持竖直，在测量两极磁场强弱时，霍尔元件的工作面应水平．故B错误，C错误．D、改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角，需将磁场进行分解，在垂直于工作面方向上的磁感应强度小于原磁场磁感应强度的大小，则U H 将发生变化．故D正确．故选：AD．

qybfyyj 网友简述了霍尔的原理，利用霍尔元件产生的电位差，可以向指定原件输出一定的电平信号，是的电路产生动作，这样就实现了磁信号到电信号的转换。

你好，你可以去百度文库找，或者在网上找，关于这方面的资料很多，并且很具体。我现在跟你讲也说不清楚，你可以先看看资料！

先确定需要的电阻功率，其原理是把机械的动能全部转化为消耗在电阻上的热能。这样计算出来的就是系统所需要的电阻的功率。然后，根据所选用的制动单元所

两个 没有关系的东西，怎么能取代 呢

相杀！ 比如2C 等着数，很实惠的招。

雨伞 [ yǔ sǎn ] umbrella 英[u028cmu02c8brelu0259] 美[u028cmu02c8bru025blu0259] 近义词或词组 bumbershoot | unbrella | unbrealla

你好，1.雨伞是：umbrella音标：[u028cmu02c8brelu0259]复数：umbrellas例句：Heranbackforanumbrella.他跑回去拿雨伞。2.冰淇淋是：icecream 音标：[au026askri:m] 复数：icecreams例句：Doyouwantanicecream?想来份冰激凌吗？如有帮助还望采纳~

尹子维 饰演 terry

（1）画出电源符号，从正极出发，依次画出开关、滑动变阻器、灯泡、电流表的符号，到电源的负极，滑动变阻器要连入右半段，电压表并联在灯泡两端．如图．（2）电压表使用的0～3V，每一个大格代表1V，每一个小格代表0.1V，电压为1.2V．电流表使用的0～0.6A，每一个大格代表0.2A，每一个小格代表0.02A，电流为0.4A．P=UI=1.2V×0.4A=0.48W．（3）滑片向B滑动，连入电路的电阻丝变短，电阻变小，总电阻变小，电流增大，根据P=I 2 R，电阻不变，电流增大，功率增大，灯泡变亮．（4）R= U 2 P ，灯丝电阻不变， U 2 P 比值不变，两者成正比，U 2 随P的增大而成倍增大，可以判断U 2 和P是过原点的直线．故答案为：（1）如上图；（2）1.2；0.4；0.48；（3）增大；（4）A．

我上完奥数毕业后，可妈妈却还让我上奥数，但是我己经上了6年了，我不想上了，1至5年级数学以前能考90分以上，到了六年级学奥数，数学大量失分多，上次期末考87分，你们问我该不该上