电力MOSFET及IGBT均为电压驱动型器件，其驱动电路是否需要提供驱动电流及驱动功率?

这是IGBT三个极，，G相当于三极管的B极，C和E极与三极管的一致，，看看IGBT说明书或是IGBT上应该有这几个极的标识，仔细找找看

igbt驱动电路原理IGBT(Insulated-GateBipolarTransistor)驱动电路的原理是通过控制IGBT的门源电压来控制其导通与断开。当门源电压高于一定的阈值电压，IGBT导通；当门源电压低于该阈值电压，IGBT断开。驱动电路的主要功能是提供一个适当的门源电压来控制IGBT的导通和断开，并且需要保证其具有足够的电流能力来驱动IGBT开关时的电流需求。驱动电路通常由以下几部分组成：1.开关电路：负责在需要时对门源电压进行快速升降，使IGBT导通或断开。2.启动电路：用于在IGBT刚刚开始导通时，提供一个逐渐增加的门源电压，以缓解IGBT开关时的电流冲击。3.保护电路：用于在发生故障时保护IGBT免受损坏，例如防止过流、过温等情况的发生。4.驱动信号生成电路：用于生成驱动信号，以控制IGBT导通和断开。驱动电路的设计是非常复杂的，需要考虑到很多因素，例如电流、电压、功率、温度等，因此设计出的驱动电路需要经过严密的测试和评估才能确保其正确性和可靠性。正确的IGBT驱动电路不仅可以确保IGBT开关时的电流和电压变化平稳，还可以防止IGBT因过流或过温等原因损坏。此外，驱动电路的设计还需要考虑到系统的整体效率和成本等因素，以确保其在实际应用中的可行性。总的来说，IGBT驱动电路是IGBT模块的关键部分，对于IGBT开关的效率和可靠性具有决定性的影响。

调整好驱动电压就好了

对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。5)IGBT的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有IGBT的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。输出特性与转移特性：IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。IGBT与MOSFET的对比：MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

只要vcc和vee的电压正确就不用担心a314j的vo端子输出电压不足（但事实上这个电路中vee电压是0v）。c18c19是vcc和vee的储能电容，d3d4是限制输出电压不高于vcc和不低于vee的，r16是驱动导通q6的限流电阻（阻值是根据igbt的ge结电容大小和盲区时间来设定的），d7是为了能迅速防掉igbt的ge结电容中的电荷强制控制igbt快速关断。c22r20是用来抑制关断速度过快使igbt内部寄生电感释放出极高的尖峰电压的。

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用，在实际使用中除IGBT自身外，IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考。IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。由于门极的测量电压太低(VGE=0V )而不是门极的门槛电压，在实际开关中存在的米勒效应（Miller 效应）在测量中也没有被包括在内，在实际使用中的门极电容Cin值要比IGBT 数据手册中给出的电容Cies 值大很多。因此，在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中仅仅只能作为一个参考值使用。确定IGBT 的门极电荷对于设计一个驱动器来说，最重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷)，如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数，那么我们就可以运用公式计算出：门极驱动能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]门极驱动功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驱动器总功率 P = PG + PS（驱动器的功耗）平均输出电流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW最高开关频率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值电流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 最高开关频率IoutAV :单路的平均电流QG : 门极电压差时的 IGBT门极总电荷RG extern : IGBT 外部的门极电阻RG intern : IGBT 芯片内部的门极电阻但是实际上在很多情况下，数据手册中这个门极电荷参数没有给出，门极电压在上升过程中的充电过程也没有描述。这时候最好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所给出的测试方法测量出开通能量E，然后再计算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE这种方法虽然准确但太繁琐，一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷：如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=4.5Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=2.2Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）如果IGBT数据手册中已经给出了正象限的门极电荷曲线，那么只用Cies 近似计算负象限的门极电荷会更接近实际值：门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT当为各个应用选择IGBT驱动器时，必须考虑下列细节：· 驱动器必须能够提供所需的门极平均电流IoutAV 及门极驱动功率PG。驱动器的最大平均输出电流必须大于计算值。· 驱动器的输出峰值电流IoutPEAK 必须大于等于计算得到的最大峰值电流。· 驱动器的最大输出门极电容量必须能够提供所需的门极电荷以对IGBT 的门极充放电。在POWER-SEM 驱动器的数据表中，给出了每脉冲的最大输出电荷，该值在选择驱动器时必须要考虑。另外在IGBT驱动器选择中还应该注意的参数包括绝缘电压Visol IO 和dv/dt 能力。

igbt驱动原理IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)驱动原理是指如何通过控制IGBT的栅极电压来控制其导通与否。IGBT是一种电源电路中常用的高效率半导体开关器件，它具有很高的开关速度、小的漏电流、高的额定电压和功率密度等优点。它的驱动原理是通过调整栅极电压以控制IGBT的导通性。驱动电路通过控制IGBT的栅极电压，实现IGBT的导通和断开。当栅极电压达到预定的阈值时，IGBT会导通；当栅极电压低于预定的阈值时，IGBT就会断开。驱动电路可以使用晶体管、整流器等组件来调整栅极电压。总的来说，IGBT驱动原理是通过控制IGBT的栅极电压来实现其导通和断开，从而实现控制电路中的电流。

IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

vo输出是a314j，a314j里面就是两个开关管，上啦与下拉，一般0.5-2A，输出电压不足一般先看电源及该组电压的滤波电容（还要看看不足到什么情况），多数与后面的电路无关。从该电路来看VEE应该不是负压，一般IGBT是要负压的，主要根据后面的IGBT特性来看的。GP4063就不用负压关断，4-6V就可打开。希望对你有帮助。

IGBT驱动电路是驱动IGBT模块以能让其正常工作，并同时对其进行保护的电路。

说不上具体情况，但是感觉Q2与Q3两部分电路是一样的，应该是靠L3工作在不同的工作状态。

基于2SD106的IGBT驱动电路设计与应用引言 　　IGBT驱动电路的关键是驱动保护电路设计，良好的驱动电路必须保证IGBT的开关损耗量尽可能小。在IGBT承受短路电流时，如能实现可靠关断，则可以保护IGBT。 　　由于大功率的IGBT模块在开通关断时，需要瞬间大电流。本系统选择2SD106AI-17作为驱动模块，该模块驱动能力强，驱动峰值电流达到6A，隔离能力强，具有完善灵活的保护电路。 　　本文设计的驱动电路应用在混合动力汽车的异步电机的逆变器系统中，三相全桥逆变器选用IGBT型号为UPEC的FF400R12KE3，考虑到开关频率高和逆变器空间等因素的限制，最终采用CONCEPT公司的驱动模块2SD106AI-17。在实际运行中，该模块具有较好的驱动能力和较强的可靠性。 2SD106AI-17驱动模块简介 　　2SD106AI-17是瑞士CONCEPT公司生产的SCALE系列驱动模块之一，是驱动大功率IGBT和MOSFET专用模块，内部集成了短路和过流保护电路、欠压监测电路。该SCALE驱动板采用ASIC设计，仅用15V电源驱动，开关频率可大于100kHz，具有高可靠性和使用寿命长等特性。它有两个驱动输出通道，可以选择两种不同的工作模式，适合两个单管和半桥驱动，曾获得1998年度ABB优秀电力电子项目称号。 　　2SD106AI-17跟其他型号的SCALE系列驱动模块的内部结构差不多，都是由电子接口LDI 、智能栅极驱动IGD和15V D C/DC电源组成，其方框图如图１所示。当外部输入PWM信号后，由LDI进行编码处理，为保证信号不受外界条件的干扰，处理过的信号在进入IGD前需用高频隔离变压器进行电气隔离。从隔离变压器另一侧接收到的信号首先在IGD单元进行解码，并把解码后的PWM信号进行放大（±15V/±15A），以驱动外接大功率IGBT。当智能门极驱动单元IGD内的保护电路检测到IGBT发生过流和短路故障时 ，由封锁时间逻辑电路和状态确认电路产生相应的响应时间和封锁时间，并把此时的状态信号进行编码送到逻辑控制单元LDI。LDI单元对传送来的IGBT工作状态信号进行解码处理，使之在控制回路中得以处理 。为防止2SD106AI-17的两路输出驱动信号相互干扰，由DC/DC转换器提供彼此隔离的电源供电。同时，还提供了电源监测电路，当控制电源电压低于10~11V时，模块会自动把IGBT封锁，同时产生一个错误信号。 图1 SCALE驱动模块的内部原理图(略)驱动电路设计 图2为2SD106AI-17的典型驱动电路，下面详细介绍驱动电路的设计过程。 图2 2SD106AI-17的驱动电路(略) 2SD106AI-17的工作模式选择

在此根据长期使用 IGBT 的经验并参考有关文献对 IGBT 的门极驱动问题做了一些总结，希望对广大 IGBT 应用人员有一定的帮助。1 IGBT 门极驱动要求1.1 栅极驱动电压因 IGBT 栅极 - 发射极阻抗大，故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动，但 IGBT 的输入电容较 MOSFET 大，所以 IGBT 的驱动偏压应比 MOSFET 驱动所需偏压强。图 1 是一个典型的例子。在 +20 ℃情况下，实测 60 A ， 1200 V 以下的 IGBT 开通电压阀值为 5 ～ 6 V ，在实际使用时，为获得最小导通压降，应选取 Ugc ≥ (1.5 ～ 3)Uge(th) ，当 Uge 增加时，导通时集射电压 Uce 将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中 Uge 增加，集电极电流 Ic 也将随之增加，使得 IGBT 能承受短路损坏的脉宽变窄，因此 Ugc 的选择不应太大，这足以使 IGBT 完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力 ( 在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用 IGBT 时， +Uge 在满足要求的情况下尽量选取最小值，以提高其耐短路能力 ) 。1.2 对电源的要求对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于 IGBT 是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使 IGBT 迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止 IGBT 关断时产生的 du/dt 误使 IGBT 导通，应加上一个 -5 V 的关栅电压，以确保其完全可靠的关断 ( 过大的反向电压会造成 IGBT 栅射反向击穿，一般为 -2 ～ 10 V 之间 ) 。1.3 对驱动波形的要求从减小损耗角度讲，门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽量陡峭，前沿很陡的门极电压使 IGBT 快速开通，达到饱和的时间很短，因此可以降低开通损耗，同理，在 IGBT 关断时，陡峭的下降沿可以缩短关断时间，从而减小了关断损耗，发热量降低。但在实际使用中，过快的开通和关断在大电感负载情况下反而是不利的。因为在这种情况下， IGBT 过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压 Ldi/dt ，并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成 IGBT 或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升和下降速度时，应根据电路中元件的耐压能力及 du/dt 吸收电路性能综合考虑。1.4 对驱动功率的要求由于 IGBT 的开关过程需要消耗一定的电源功率，最小峰值电流可由下式求出：I GP = △ U ge /R G +R g ；式中△ Uge=+Uge+|Uge| ； RG 是 IGBT 内部电阻； Rg 是栅极电阻。驱动电源的平均功率为：P AV =C ge △ Uge 2 f,式中． f 为开关频率； Cge 为栅极电容。1.5 栅极电阻为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡，减小 IGBT 集电极的电压尖峰，应在 IGBT 栅极串上合适的电阻 Rg 。当 Rg 增大时， IGBT 导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使 IGBT 损坏。应根据 IGBT 的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中，还应根据实际情况予以适当调整 ) 。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏 IGBT ，建议在栅射间加入一电阻 Rge ，阻值为 10 k Ω左右。1.6 栅极布线要求合理的栅极布线对防止潜在震荡，减小噪声干扰，保护 IGBT 正常工作有很大帮助。a ．布线时须将驱动器的输出级和 lGBT 之间的寄生电感减至最低 ( 把驱动回路包围的面积减到最小 ) ；b ．正确放置栅极驱动板或屏蔽驱动电路，防止功率电路和控制电路之间的耦合；c ．应使用辅助发射极端子连接驱动电路；d ．驱动电路输出不能和 IGBT 栅极直接相连时，应使用双绞线连接 (2 转/ cm) ；e ．栅极保护，箝位元件要尽量靠近栅射极。1.7 隔离问题由于功率 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，主要的途径及其优缺点如表 1 所示。表1 驱动电路与控制电路隔离的途径及优缺点利用光电耦合器进行隔离优点：体积小、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制，适用于 PWM 控制器缺点1 、共模干扰抑制不理想2 、响应速度慢，在高频状态下应用受限制3 、需要相互隔离的辅助电源利用脉冲变压器进行隔离优点：响应速度快，共模干扰抑制效果好缺点：1 、信号传送的最大脉冲宽度受磁芯饱和特性的限制，通常不大于 50 %，最小脉宽受磁化电流限制2 、受漏感及集肤影响，加工工艺复杂2 典型的门极驱动电路介绍2.1 脉冲变压器驱动电路脉冲变压器驱动电路如图 2 所示， V1 ～ V4 组成脉冲变压器一次侧驱动电路，通过控制 V1 、 V4 和 V2 、 V3 的轮流导通，将驱动脉冲加至变压器的一次侧，二次侧通过电阻 R1 与 IGBT5 栅极相连， R1 、 R2 防止 IGBT5 栅极开路并提供充放电回路， R1 上并联的二极管为加速二极管，用以提高 IGBT5 的开关速度，稳压二极管 VS1 、 VS2 的作用是限制加在 IGBT5g-e 端的电压，避免过高的栅射电压击穿栅极。栅射电压一般不应超过 20 V 。图 2 脉冲变压器驱动电路2.2光耦隔离驱动电路光耦隔离驱动电路如图 3 所示。由于 IGBT 是高速器件，所选用的光耦必须是小延时的高速型光耦，由 PWM 控制器输出的方波信号加在三极管 V1 的基极， V1 驱动光耦将脉冲传递至整形放大电路 IC1 ，经 IC1 放大后驱动由 V2 、 V3 组成的对管 (V2 、 V3 应选择β >100 的开关管 ) 。对管的输出经电阻 R1 驱动 IGBT4 ， R3 为栅射结保护电阻， R2 与稳压管 VS1 构成负偏压产生电路， VS1 通常选用 1 W/5.1 V 的稳压管。此电路的特点是只用 1 组供电就能输出正负驱动脉冲，使电路比较简洁。图 3 光耦隔离驱动电路2.3 驱动模块构成的驱动电路应用成品驱动模块电路来驱动 IGBT ，可以大大提高设备的可靠性，目前市场上可以买到的驱动模块主要有：富士的 EXB840、841，三菱的 M57962L，落木源的KA101、KA102，惠普的 HCPL316J、3120 等。这类模块均具备过流软关断、高速光耦隔离、欠压锁定、故障信号输出功能。由于这类模块具有保护功能完善、免调试、可靠性高的优点，所以应用这类模块驱动 IGBT 可以缩短产品开发周期，提高产品可靠性。 EXB840 和 M57962 很多资料都有介绍，KA101和KA102的资料可以从百度搜索，这里就简要介绍一下惠普公司的 HCPL316J 。典型电路如图 4 所示。图 4 由驱动模块构成的驱动电路HCPL316J 可以驱动 150 A/1200 V 的 IGBT ，光耦隔离， COMS/TTL 电平兼容，过流软关断，最大开关速度 500 ns ，工作电压 15 ～ 30 V ，欠压保护。输出部分为三重复合达林顿管，集电极开路输出。采用标准 SOL-16 表面贴装。HCPL316J 输入、输出部分各自排列在集成电路的两边，由 PWM 电路产生的控制信号加在 316j 的第 1 脚，输入部分需要 1 个 5 V 电源， RESET 脚低电平有效，故障信号输出由第 6 脚送至 PWM 的关闭端，在发生过流情况时及时关闭 PWM 输出。输出部分采用 +15 V 和 -5 V 双电源供电，用于产生正负脉冲输出， 14 脚为过流检测端，通过二极管 VDDESAT 检测 IGBT 集电极电压，在 IGBT 导通时，如果集电极电压超过 7 V ，则认为是发生了过流现象， HCPL316J 慢速关断 IGBT ，同时由第 6 脚送出过流信号。3、 结语通过对 IGBT 门极驱动特点的分析及典型应用电路的介绍，使大家对 IGBT 的应用有一定的了解。可作为设计 IGBT 驱动电路的参考。

我也说做变频器硬件的，这个问题我也系统的了解过，一般厂家都会加的，阻值2K-10K不等，主要是防止震荡的，阻尼电阻！

Rg：是IGBT驱动电阻；VD3、R3、ZD1、C3组成稳压电路给恒流源供电，其中VD3负责整流和隔离；VQ1、VQ2、VQ3、VQ4、R12、R11是个恒流源与VD1、CM配合实现控制IGBT开通dv/dt，原理是当IGBT开通过快导致IGBT的C极电压下降过快时（也就是dv/dt过高），这时电容CM的充电电流也加大，充电电流有部份来自IGBT的驱动电流（通过g点对驱动电流分流），这样就可以降低IGBT的开通速度，由此降低开通dv/dt；VQ5、VQ6、VQ7、VQ8、R21、R22也是个恒流源与VD2、CM配合实现控制IGBT关断dv/dt，原理和上述一样，不过这是个反过程，当IGBT关断过快时它是注入电流至IGBT门极，降低IGBT关断速度。这是我个人理解，只做参考！

为本地器件提供能量的储能器件。从电子网得知igbt驱动电路的电解电容作用是为本地器件提供能量的储能器件。电容是电容量的简称，用于表征电子元件在给定电势差下的储电能力，常用字母C表示。

igbt驱动电路,说白了就是把您的控制信号（DSP,ARM,MCU,PLC等）隔离放大后，具有一定的电压（正负压）和电流输送给IGBT，从而控制IGBT通断。另，你附图的这个型号还有检测IGBT Vce 提供过流保护功能附件中有一份中文说明书，你可以参考下

IGBT驱动器正常输出波形的测试 所有带保护功能的驱动器和驱动板，用户如要测试正常的静态(不加主电情况下)输出波形，需要注意以下几点：如果功率管IGBT或MOSFET已经连接在电路中了，则加上驱动电源和PWM输入信号，就可以在输出端用示波器看到相应的输出信号。如果功率管没有接，只是在做一个输出测试，那么必须将应接功率管集电极和发射极(或漏极和源极)的两点予以短路才行。因为如果集电极或漏极悬空，那么驱动器或驱动板将认为功率管处于短路状态而启动内部的保护机制，这时看到的将是驱动器输出的保护信号波形，无论是波形形状还是周期都与输入的PWM信号完全不同。IGBT驱动器短路保护功能的测试IGBT在应用中要解决的主要问题就是如何在过流、短路和过压的情况下对IGBT实行比较完善的保护。过流故障一般需要稍长的时间才使电源过热，因此对它的保护都由主控制板来解决。过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt在寄生电感上产生了较高的电压，这需要用缓冲电路来钳制，或者适当降低关断的速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏IGBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由驱动电路或驱动器立刻加以保护。因此驱动器的短路保护功能设计的是否完善，对电源的安全运行至关重要。拿到一个驱动电路，使用前先测试一下它的短路保护功能是否完善，是很有必要的。本文介绍两种测试方法。1、第一种测试方法图中PWM信号送到驱动器的信号输入端，故障后再启动电容Creset＝10nF，Dhv是高反压快恢复管，限流电阻Rlimit＝10－100R，电容C＝10－470uF。示波器可在驱动器的输入和输出端监测。如果不接Creset，则驱动器输出端输出的是约1ms的脉冲，也就是IGBT每1ms短路一次。考虑到有的IGBT在这种情况下时间长了仍有可能过热烧毁，接入10nF的Creset后，则为约12ms短路一次，保证了IGBT的安全。过流动作阈值设置电阻Rn的选取，请根据所试驱动器说明中的关于Rn的说明和所试验IGBT的正向伏安特性曲线选取合适的阻值。在单管电路的开关电源中，接入适当的Creset后，可以省去通常的短路信号反馈光耦，仅靠落木源驱动器自身就能保证IGBT的安全运行，这也是落木源产品的特点之一。2、第二种测试方法与第一种方法类似，只是不让IGBT始终保持短路，用手工来短路A、B两点。这种短路试验比第一种更严酷，对驱动器的要求也更高，因为手工短路，不可能一下接实，实际是一连串的通断过程。落木源的驱动器可以保证您的IGBT的安全。注意：实验时一定注意人身安全，最好在工频输入处加一个隔离变压器。

太多了 问详细点

近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种高性能、低损耗和低噪音的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素：（1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。输入电容Ciss包括栅——源之间的电容CGS和栅——漏之间的电容CGD。 MOSFET和 IGBT的开通和关断实质上是对其输入电容的充放电过程，栅极电压VGS的上升时间tr和下降时间tf决定输入回路的时间常数，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是输入回路电阻，其中包括驱动电源的内阻Ri。从上式中可以知道驱动电源的内阻越小，驱动速度越快。（2）驱动电路延迟时间要小。开关频率越高，延迟时间要越小。（3）大功率IGBT在关断时，有时须加反向电压，以防止受到干扰时误开通。　　（4）驱动信号有时要求电气隔离。以PWM DC-DC全桥变换器为例，其同一桥臂的两只开关管的驱动信号S上和S下相差1800，是刚好相反的，即一只开关管开通，另一只开关管要关断，或者同时关断。其中，两只上臂的开关管之间和下臂的开关管必须隔离。对于中小功率的驱动电路，用脉冲变压器的方法实现隔离最为简单，而在大功率的应用场合，则要使用集成驱动器驱动。

说区别要结合前级保护电路，单纯谈高低电平没啥意思

15V左右

输入信号“高电平”，上方三极管（2N3904）导通，下方三极管（2N3906）关断，输出高电平（信号电阻更小，驱动力更强），推动IGBT导通。输入信号“低电平”，上方三极管（2N3904）关断，下方三极管（2N3906）导通，输出低电平，促使IGBT关断。

IGBT成为绝缘栅型场效应管GTO门极可关断晶闸管GTR巨型晶闸管MOSFETx0dx0a如果你采用的是王兆安的第五版的那么书上的结论如下：x0dx0a1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点：x0dx0a原方N1到副方N2出项两种导通：x0dx0a正向：C3放电—R1—V1（触发导通）—L—触发GTOx0dx0aC1放电—R2—V2—L—GTOx0dx0a反向关断：C4放电—关断GTO—门级—L—V3x0dx0a剩下三种推到方法类似....x0dx0a2GTR:图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成，主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路x0dx0a3MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。

两个芯片的工作电压不同，单片机或FPGA这面是5V，驱动电路这面要求是正负15V，加光耦最简单可靠。

IR2110不隔离，不能起到光耦的隔离作用

这个不好说，具体要看你的驱动器驱动能力如何，还要看你选择的IGBT类型。一般我们先选择好满足要求的IGBT，通过计算IGBT驱动峰值电流，IGP=【Vge（on）+Vge（off）】/Rg，之后再选择驱动器的电流驱动能力大于2倍IGP的驱动器。只要满足这个条件，一个驱动器能同时驱动两个igbt应该没有问题

安装步骤：1、IGBT模块的安装：为了使接触热阻变小，推荐在散热器与IGBT模块的安装面之间涂敷散热绝缘混合剂。涂敷散热绝缘混合剂时，在散热器或IGBT模块的金属基板面上涂敷。如图1所示。随着IGBT模块与散热器通过螺钉夹紧，散热绝缘混合剂就散开，使IGBT模块与散热器均一接触。2、螺钉的夹紧方法：螺钉应以推荐的夹紧力矩范围予以夹紧。如果该力矩不足，可能使接触热阻变大，或在工作中产生松动。反之，如果力矩过大，可能引起外壳破坏。将IGBT模块安装在由挤压模制作的散热器上时，IGBT模块的安装与散热器挤压方向平行，这是为了减小散热器变形的影响。扩展资料：gbt接线注意事项：1、栅极与任何导电区要绝缘，以免产生静电而击穿，IGBT在包装时将G极和E极之问有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触G极，直到 G极管脚进行永久性连接后，方可将G极和E极之间的短接线拆除。2、在大功率的逆变器中，不仅上桥臂的开关管要采用各自独立的隔离电源，下桥臂的开关管也要采用各自独立的隔离电源，以避免回路噪声，各路隔离电源要达到一定的绝缘等级要求。3、在连接IGBT 电极端子时，主端子电极间不能有张力和压力作用，连接线（条）必须满足应用，以免电极端子发热在模块上产生过热。控制信号线和驱动电源线要离远些，尽量垂直，不要平行放置。4、光耦合器输出与IGBT输入之间在PCB上的走线应尽量短，最好不要超过3cm。5、驱动信号隔离要用高共模抑制比（ CMR）的高速光耦合器，要求 tp《0.8μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250 等。6、IGBT模块驱动端子上的黑色套管是防静电导电管，用接插件引线时，取下套管应立即插上引线；或采用焊接引线时先焊接再剪断套管。

对于大功率igbt，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压vge负偏压-vge和门极电阻rg的大小，对igbt的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压的变化对igbt的开通特性、负载短路能力和dvce/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dvce/dt电流引起的误触发等问题(见表1)。表1igbt门极驱动条件与器件特性的关系由于igbt的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响igbt能否正常工作。为使igbt能可靠工作。igbt对其驱动电路提出了以下要求。1)向igbt提供适当的正向栅压。并且在igbt导通后。栅极驱动电路提供给igbt的驱动电压和电流要有足够的幅度，使igbt的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证igbt不退出饱和区。igbt导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，vge越高，vds傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是，vge并非越高越好，一般不允许超过20v，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，igbt损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15v为宜。2)能向igbt提供足够的反向栅压。在igbt关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的igbt处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，最好给处于截止状态的igbt加一反向栅压(幅值一般为5～15v)，使igbt在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。igbt栅极极限电压一般为+20v，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于igbt多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。5)igbt的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有igbt的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。输出特性与转移特性：IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。IGBT与MOSFET的对比：MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断晶闸管 GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下：1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点： 原方N1到副方N2出项两种导通： 正向：C3放电—R1—V1（触发导通）—L—触发GTO C1放电—R2—V2—L—GTO 反向关断：C4放电 —关断GTO—门级—L—V3 剩下三种推到方法类似....2 GTR: 图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成，主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路3 MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。

对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。5)IGBT的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有IGBT的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。

IGBT成为绝缘栅型场效应管GTO门极可关断晶闸管GTR巨型晶闸管MOSFET如果你采用的是王兆安的第五版的那么书上的结论如下：1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点：原方N1到副方N2出项两种导通：正向：C3放电—R1—V1（触发导通）—L—触发GTOC1放电—R2—V2—L—GTO反向关断：C4放电—关断GTO—门级—L—V3剩下三种推到方法类似....2GTR:图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成，主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路3MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。

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IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。 GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET驱动电路的特点是：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

本人新入门学习，请问这是哪本书呀？谢谢！

不清楚你指的是那种具体的板，但是驱动电路与IGBT之间的电路板一般是栅极保护板或者是驱动放大板，栅极保护板起到保护IGBT栅极，防止电压过高烧毁IGBT的作用，驱动放大板一般用在较大功率的变频器上，这是以为大功率的变频器所使用的IGBT功率比较大，一般的驱动电路无法驱动这么大功率的IGBT，这就需要对驱动信号进行放大，因此需要加一块驱动放大板，起到增大驱动功率的作用。

【1】两个三极管构成推挽驱动（即：Q11和Q9以共发射极方式工作有很低的输出阻抗，Q11在脉冲上升沿导通，Q9则负责在下降沿导通），以保障驱动脉冲有陡峭的边沿，降低IGBT的功耗；【2】关于4个并联的电阻，可能是你绘制的电路有错，根据此图，一下子看不出它们的作用。但因为它们是串联在IGBT的发射极，按常识估计应该是电流采样电阻，正确地电路应该是，一端接发射极，另一端接地或者电源的中点（如果采用的是双电源）。采用4只电阻并联的原因是为了得到很小的电阻和增加电阻的耗散功率，因为IGBT在工作时发射极会有非常大的电流，通过采集它们上面的电压检测IGBT的工作电流。

就IGBT本身来说有两种工作状态，一是导通状态，二是关闭状态。

从电路上看，是为了将Fault信号与控制电路隔离，最左边的Fault_IGBT信号端应该是接到控制芯片（比如MCU）的，电路里的发光二极管是用来显示错误信号的，不过它这个电路里的位置有点怪，它应该是在R2的下端，光耦的上专端和Fault_IGBT信号属端都应该接到它的阴极才对啊。这样有错误信号的时候灯会亮，而且MCU也会检测到明确的错误信号

门级电阻一般先按照IGBT说明书上给的值参考在自己去实验出一个理想的值具体的您可以参考http://www.pwrdriver.com/tech/rg.php这个写的比较详细

IGBT是场效应管和大功率晶体管的复合，所以门极与另外两极之间电阻很大。对IGBT本身消耗功率影响比较大的是开关时间，门极的电容造成的影响。门极电容导致开通时间和关断时间较长，所以处于放大区的时间较长，导致耗散功率较大。要减少耗散功率，就要尽可能提高开关速度，现在的驱动电路都具有这个功能。

推挽电路每个管只负责一半的功率。

栅极电阻Rg的作用1、消除栅极振荡 绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射（或栅源）极之间是容性结构，栅极回路的寄生电感又是不可避免的，如果没有栅极电阻，那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡，因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。2、转移驱动器的功率损耗 电容电感都是无功元件，如果没有栅极电阻，驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上，使其温度上升很多。3、调节功率开关器件的通断速度 栅极电阻小，开关器件通断快，开关损耗小；反之则慢，同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高，从而产生较大的干扰，严重的将使整个装置无法工作，因此必须统筹兼顾。 栅极电阻的选取1、栅极电阻阻值的确定 各种不同的考虑下，栅极电阻的选取会有很大的差异。初试可如下选取：IGBT额定电流(A) 50 100 200 300 600 800 1000 1500 Rg阻值范围(Ω) 10~20 5.6~10 3.9~7.5 3~5.6 1.6~3 1.3~2.2 1~2 0.8~1.5 不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求，可在其参数手册的推荐值附近调试。2、栅极电阻功率的确定 栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定，一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。 IGBT栅极驱动功率 P＝FUQ，其中：F 为工作频率；U 为驱动输出电压的峰峰值；Q 为栅极电荷，可参考IGBT模块参数手册。例如，常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V，负电压-9V，则U=24V，假设 F=10KHz，Q=2.8uC可计算出 P=0.67w ，栅极电阻应选取2W电阻，或2个1W电阻并联。 设置栅极电阻的其他注意事项1、尽量减小栅极回路的电感阻抗，具体的措施有：a) 驱动器靠近IGBT减小引线长度； b) 驱动的栅射极引线绞合，并且不要用过粗的线； c) 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近； d) 栅极电阻使用无感电阻； e) 如果是有感电阻，可以用几个并联以减小电感。2、IGBT 开通和关断选取不同的栅极电阻 通常为达到更好的驱动效果，IGBT开通和关断可以采取不同的驱动速度，分别选取 Rgon和Rgoff（也称 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。 IGBT驱动器有些是开通和关断分别输出控制，如落木源TX-KA101、TX-KA102等，只要分别接上Rgon和Rgoff就可以了。 有些驱动器只有一个输出端，如落木源TX-K841L、TX-KA962F，这就要在原来的Rg 上再并联一个电阻和二极管的串联网络，用以调节2个方向的驱动速度。3、在IGBT的栅射极间接上Rge＝10－100K 电阻，防止在未接驱动引线的情况下，偶然加主电高压，通过米勒电容烧毁IGBT。落木源驱动板常见型号上(如：TX-DA962Dx、TX-DA102Dx)已经有Rge了，但考虑到上述因素，用户最好再在IGBT的栅射极或MOSFET栅源间加装Rge。

LM7915是负15V；一般在IGBT的驱动当中，为了保证完全关断0V可能做不到。因此在要求较高的关断应用中使用负压来进行关断；实际中-5V,-15V都可以来完成这个工作；当然-15V更好。一般情况下-5V就足够了。

IGBT系列高频驱动板，主要采用SG3525A作为PWM脉冲形成，输出脉冲频率范围20KHZ—60KHZ,脉冲间隔互为180度，死区时间可以自行调整。可适用于IGBT全桥逆变串联谐振感应加热装置调频调功。功率范围：10KW—120KW,该控制板接线少，控制集中，没有调试，工作电源电压为三路交流双18V/1A及四个22V/0.5A的电源。具有过流，过压，却水，多种状态指示，并提供开关型霍尔保护接口和线性霍尔保护接口，有全桥逆变IGBT驱动电路，此板可直接组装IGBT高频感应加热装置。