什么是半导体功率器件？

功率器件是指能够承受高电流、高电压、高功率的电子元器件。常见的功率器件有场效应管、双极性晶体管、继电器、晶闸管、二极管、可控硅、三极管等等。这些器件广泛应用于电源、电机控制、变换器、逆变器、照明、通信和电子产品等领域。总的来说，功率器件可以分为半导体和电磁式两大类。其中，半导体功率器件具有体积小、可靠性高、响应速度快等特点，而电磁式功率器件则具有大功率、大电流等优势，常用于高压高功率领域。

　　功率器件即输出功率比较大的电子元器件，是电子元件和电子器件的总称,是功率放大器。功率放大是利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。主要由电子元件业、半导体分立器件和集成电路业等部分组成。功率电子器件大量被应用于电源，伺服驱动，变频器，电机保护器等功率电子设备。 　　优势： 　　1、器件能够快速恢复，以满足越来越高的速度需要。 　　2、通态压降降低。 　　3、电流控制能力增大。 　　4、额定电压耐压高。 　　5、温度与功耗。

1、功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等。2、功率半导体器件是电力电子电路的重要组成部分，一个理想的功率半导体器件应该具有好的静态和动态特性，在截止状态时能承受高电压且漏电流要小。在导通状态时，能流过大电流和很低的管压降。在开关转换时，具有短的开、关时间。通态损耗、断态损耗和开关损耗均要小。

功率半导体器件和一般器件的区别主要在于其承受电流和电压的能力以及应用场景不同。功率半导体器件是用于高电压和高电流应用的半导体器件，其承受电流和电压的能力比一般器件要高得多。常见的功率半导体器件有晶闸管、功率二极管、MOSFET、IGBT等，它们广泛应用于电力电子、电机驱动、电动汽车、太阳能、风能等领域。一般器件则是指用于低电压和低电流应用的半导体器件，例如二极管、晶体管、场效应管等。这些器件通常用于电子产品中，例如电视、手机、电脑等。此外，功率半导体器件和一般器件的工作原理也有所不同。功率半导体器件需要承受较高的电流和电压，因此其结构和材料设计上会有所不同，例如IGBT的结构就比MOSFET复杂。而一般器件则主要用于信号放大、开关控制等低功率应用，其结构和材料设计相对简单。因此，功率半导体器件和一般器件虽然都是半导体器件，但其承受电流和电压的能力、应用场景和工作原理等方面有所不同。

功率半导体器件是指用于控制和调节大功率电流和电压的半导体器件。根据使用场景和工作原理的不同，常见的功率半导体器件可分为以下几类：1. 功率二极管（Power Diode）：用于电路中的整流、保护和逆变等方面。2. 功率MOSFET（Power MOSFET）：金属-氧化物-半导体场效应晶体管，主要用于功率放大、开关和调节等应用。3. 功率BJT（Power Bipolar Junction Transistor）：双极型结型晶体管，广泛应用于高频功率放大器、开关和稳压器等电路。4. 功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：绝缘栅极双极型晶体管，结合了MOSFET和BJT的特性，适用于高功率应用，如电机控制和变频器。5. 功率Thyristor（SCR、GTO、IGCT）：可控硅、隔栅双极型晶闸管、绝缘栅控闸流晶闸管等，广泛用于高功率开关和调节电路。6. 功率MCT（MOS-Controlled Thyristor）：MOS控制晶闸管，融合了MOSFET和晶闸管的特性，常用于高电压和高频率应用。7. 功率SiC（Silicon Carbide）和功率GaN（Gallium Nitride）器件：基于碳化硅和氮化镓的功率半导体器件，具有高温度、高电压和高频率等优势，适用于高效率和高性能的功率电子系统。这些是常见的功率半导体器件分类，每种器件都具有其特殊的特性和应用场景，可根据具体的需求进行选择和应用。

功率器件指工作时能够提供比较大功率的半导体器件。由于半导体器件工作电压一般都不太高，所以功率器件的工作电流都比较大。

功率器件和集成电路都是电子元器件的一种，但它们的用途和工作原理有所不同。功率器件主要是用于控制和传输高电流或高电压的电力系统中，如电机驱动、交流变换器等。功率器件可以承受较大的功率损耗，因此需要具有较好的散热性能和高可靠性。而集成电路则是小型化的电路板，在集成电路中，许多个晶体管、电容器、电阻器等被制成一个个的微小晶片，然后这些晶片被组装在一块电路板上，形成一个完整的电路系统。集成电路可以承受的电流和电压较小，适用于数字电子产品中。两者之间的关系在于，功率器件和集成电路均为电子器件，都扮演着电路中不同的角色。功率器件提供了强大的功率输出，集成电路则提供了高密度的电路和更小的尺寸。现在，随着技术的发展，高集成度功率器件也开始被应用于电机驱动中，这样就可以达到功率输出大、体积小、功耗低的特点。

在氮化镓功率器件领域，新选择是磷化铟功率器件。磷化铟是一种新材料，具有优异的半导体特性，如高移动性、高饱和漂移速度、高电子迁移率等，这些特性使其适合用于制造功率器件。磷化铟功率器件的优点包括：1. 高频特性优异：磷化铟的高移动性和高电子迁移率使得磷化铟功率器件在高频特性方面有很大优势，能够实现更高的开关频率，从而更高效地转换能量。2. 功率密度大：磷化铟功率器件的热稳定性好，故其功率密度可以比氮化镓功率器件更高，能够实现更高的功率输出。3. 容易实现集成化：磷化铟功率器件的制造工艺与传统的半导体器件相似，设备成熟度高，可以容易地实现集成化，从而降低生产成本。目前在磷化铟功率器件的研发方面，一些国内外企业和研究机构已经取得了一系列阶段性的研究成果，越来越多的人对其性能和市场前景给予了极高的关注。

功率器件的饱和速度越快，其工作频率就越高。在高频率下，功率器件需要更快地切换，才能保证输出电压或电流的稳定性，而饱和速度快的功率器件，可以更快地切换，从而适应更高的工作频率，因此功率器件的饱和速度越快，其工作频率就越高。

瞬时过流，过压，欠压，过载，短路异常，控制电路，逆变器本身的保护，如过电流、过电压、低电压设定一个限制，变频器在运行时，如果超过极限值，即使是很短的时间内，它将保护，停止输出的保护作用，是逆变器的输出没有电压，这是保护变频器。防止你的功率使用过大，自动跟你切断电源。功率方向保护就是利用功率方向继电器(或功率方向元件)判断短路功率的方向以选择启动相应保护装置动作的一种保护。

汽车典型应用的功率器件的电压分类主要有低压（12V）、中压（48V）和高压（200V），而电流分类则主要有低电流（小于1A）、中电流（1A-10A）和高电流（大于10A）。

外延工艺是根据不同硅源（SIH2CL2、SIHCL3、SICL4），在1100-1180℃温度下在硅片表面再长一层/多层本征（不掺杂）、N型（掺PH3）或P型（掺B2H6）的单晶硅，并把硅层的厚度和电阻率，厚度和电阻率的均匀性、表面的缺陷控制在允许范围内。功率半导体器件的外延生产工艺技术标准一般要求达到厚度40-80±5um, 厚度和电阻率均匀性控制在5%以内。

防止漏电。为了防止电气设备绝缘损坏或产生漏电流时，使平时不带电的外露导电部分带电而导致电击，所以功率器件终端环不能接地。

好。1、华为功率器件部门具有强大的技术实力和研发能力。2、华为功率器件部门注重创新和技术突破。

二极管不可控；晶闸管、门极可关断晶闸管属于半控器件；剩下的电力晶体管、电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于全控器件。电力二极管属于单极型器件，电力晶体管属于双极型器件，电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于复合型电力电子器件。在可控的器件中，绝缘栅双极型晶体管容量最大，电压驱动的是电力场效应管，属于电流驱动的是电力晶体管。

电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。功率半导体器件通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上。功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备。扩展资料电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。80年代初期出现的MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。参考资料来源：百度百科-电力电子器件

一般指能流大电流的器件如铁封的三极管 铁封的二极管 等

功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。这些设备都是自动化系统中必不可少的，因此，我们了解它们是必要的。近年来，随着应用日益高速发展的需求，推动了功率电子器件的制造工艺的研究和发展，功率电子器件有了飞跃性的进步。器件的类型朝多元化发展，性能也越来越改善。大致来讲，功率器件的发展，体现在如下方面：1． 器件能够快速恢复，以满足越来越高的速度需要。以开关电源为例，采用双极型晶体管时，速度可以到几十千赫；使用MOSFET和IGBT，可以到几百千赫；而采用了谐振技术的开关电源，则可以达到兆赫以上。2． 通态压降（正向压降）降低。这可以减少器件损耗，有利于提高速度，减小器件体积。3． 电流控制能力增大。电流能力的增大和速度的提高是一对矛盾，目前最大电流控制能力，特别是在电力设备方面，还没有器件能完全替代可控硅。4． 额定电压：耐压高。耐压和电流都是体现驱动能力的重要参数，特别对电力系统，这显得非常重要。5． 温度与功耗。这是一个综合性的参数，它制约了电流能力、开关速度等能力的提高。目前有两个方向解决这个问题，一是继续提高功率器件的品质，二是改进控制技术来降低器件功耗，比如谐振式开关电源。总体来讲，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合，功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT，特别是IGBT获得了更多的使用，开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件。

上述提到的器件都属于功率开关器件。若按参与导电的载流子是一种还是两种，可分为单极器件和双极器件。其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通，而不像是二极管过了导通电压就能直接导通，但其关断不能通过门极关断，而是将电流减小至某个值以下，或是直接的换向关断。GTO是Gate Turn-off Thyristor， 为门极可关断晶闸管，即可以通过控制门极关断晶闸管。GTR应该是Giant Transistor，为巨型晶体管，导通工作时要求发射结集电结均正偏，与普通BJT工作类似。以上的器件主要用于大电流，高压，低频场合。而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。而IGBT，为Insulated Gate Bipolar Transistor，是绝缘栅双极场效应管，为电压控制电流，栅控器件，其工作频率比普通的双极器件高，电流处理能力比MOSFET要强，一般用于中高频中高压领域。

消耗功率的都算。电阻等。

1.器件换流2.电网换流3.负载换流4.强迫换流

狭义的功率器件是指电了线路中作为功率放大的部件。例如：音响系统中的输出级功放中的电子元器件就属于功率器件,还有电磁炉中的IGBT也是。功率元件一般指独立单个的电子零件，如大功率晶体管,晶闸管,双向晶闸等。由于功率器件是在高电压高电流的环境下工作，因此绝缘性能，耐热和通风散热性能是非常重要指标，而这些指标又与器件的选用材料外形设计有关，相应的就与价格有关。例如，一个机械手控制电路中的大功率器件，可以有风冷式散热，也可以有半导体散热。前者功耗较大，维护麻烦；而后者就刚好相反。

科普一下，碳化硅其实是一种最典型的第三代宽禁带半导体材料，它具有开关速度快，关断电压高和耐高温能力强等优点。而利用碳化硅功率器件设计的电机控制器，能大幅提高永磁同步电机驱动系统的效率及功率密度。碳化硅器件应用于主驱，还能够提升电动汽车的续航能力。XPT蔚来驱动科技第二代电驱系统电机中，就应用了碳化硅模块。得益于碳化硅独特的物理特性，ET7的永磁同步电机、异步感应电机的效率及功率密度也得到了大幅度提升。具体不妨百度一下。

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SiC肖特基二极管已经有10年以上历史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出现，GaN功率器件更是刚刚才在市场上出现。他们谁会成为未来新兴功率器件市场的主角？我们现在应该选用他们吗？ 在这些新兴功率器件中，我们选取了其中最具代表性的产品逐一介绍，在对比中触摸他们的发展脉搏，看看谁将在未来新兴功率器件市场中胜出？我们又该如何选择？ 高效、高可靠性：SiC BJT产品可实现较高的效率、电流密度和可靠性，并且能够顺利地进行高温工作。此外，SiC BJT有优良的温度稳定性，在高温工作的特性跟常温时没有差别。SiC BJT其实具备了所有IGBT的优点并同时解决了所有使用IGBT设计上的瓶颈。由于IGBT是电压驱动，而SiC BJT 是电流驱动，设计工程师要用SiC BJT取代IGBT，开始时可能会不习惯，但是器件供应商，如飞兆半导体，一般都会提供参考设计，以帮助工程师设计驱动线路。将来这方面的专用驱动芯片推出后，使用SiC BJT就会更简化。 损耗低，可降低成本：SiC BJT的Vce降低了47%，Eon降低了60%，Eoff降低了67%。SiC BJT可提供市场上最低的传导损耗，室温时，每平方厘米Ron小于2.2毫欧姆。SiC BJT可提供最小的总损耗，包括驱动器损耗。SiC BJT是有史以来最高效的1200V 功率转换开关，SiC BJT实现了更高的开关频率，其传导和开关损耗较IGBT低(30-50%)，从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。 2KW从400V到800V的升压电路，用硅IGBT实现时只能实现25KHz开关频率，而且需要用到5个薄膜电容，而用SiC BJT实现时，不仅开关频率可做到72KHz，而且只需要用到2个薄膜电容，散热器尺寸、电感尺寸都降低三分之一，亦即可用更小的电感，从而大大节省系统总BOM成本。 提高电源的开关频率，实现高频化：传统IGBT最大缺点是开关速度慢，工作频率低，它在关断时有个电流尾巴会造成很高的关断损耗。SiC BJT开关速度快又没有IGBT关断是电流尾巴，所以开关损耗很低。 在相同额定耐压情况下，SiC BJT的导通内阻也比IGBT的VCE(sat) 来得低，这可以减少传导损耗。SiC BJT最佳的应用场合是大于3000W功率的电源设计，这类电源很多是用IGBT来做开关器件，以达到成本及效率上的最佳化。设计工程师如果用SiC BJT来取代IGBT，是可以很容易把电源开关频率大幅提升，从而缩小产品的体积以并提升转换效率。由于频率的提升，在设计上也可以减少周边电路所需的电感，电容的数目，有助于节省成本。另一方面，SiC BJT的开关速度很快，可在

功率器件是IC的一种，强电IC。IC设计范围广，主要指逻辑芯片的设计。前景都一般。

差别就在于功率。大功率器，允许大电流高电压。

1、功率半导体股票主要有捷捷微电、扬杰科技、闻泰科技、新洁能、华润微、斯达半导、通富微电等。2、捷捷微电：江苏捷捷微电子股份有限公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售。拟募资不超过11.95亿元，进军车规级功率半导体领域。3、扬杰科技：根据企业销售情况、技术水平、半导体市场份额等综合情况，公司连续数年被中国半导体行业协会评选为“中国半导体功率器件十强企业”，2019年位列第一。4、闻泰科技：旗下的安世半导体在二极管、晶体管、ESD保护器件、MOSFET等细分领域保持行业排名前三的领先地位。5、新洁能：公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，在中国半导体行业协会发布的2016年、2017年、2018年和2019年中国半导体功率器件企业排行榜中，公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。6、华润微：公司在半导体设计、制造、封装测试等领域均取得多项技术突破与经营成果，已成为中国本土具有重要影响力的综合性半导体企业，自2004年起连续被工信部评为中国电子信息百强企业。7、斯达半导：根据全球著名市场研究机构IHS在2019年发布的最新报告，2018年度公司在全球IGBT模块市场排名第八，市场占有率2.2%，是唯一进入前十的中国企业。8、通富微电：通富微电子股份有限公司专业从事集成电路的封装和测试，拥有年封装15亿块集成电路、测试6亿块集成电路的生产能力，是中国国内目前规模最大、产品品种最多的集成电路封装测试企业之一。

场效应管k30h603能用H25R1203代替的、这个是功率管，后者可以替换前者，性能和参数比前者还要好点。 k30h603是驱动芯片，其参数是电压输出范围是1.1V-1.85V，开关频率80KHz。输入电压范围为2.7V～5.5V，主频率3600。它是集成有CMOS 控制电路和DMOS 功率器件的芯片，利用它可以与主处理器、电机和增量型编码器构成一个完整的运动控制系统。可以用来驱动直流电机、步进电机和继电器等感性负载。驱动芯片采用标准的TTL逻辑电平信号控制，具有两个使能控制端，在不受输入信号影响的情况下允许或禁止器件工作，有一个逻辑电源输入端，使内部逻辑电路部分在低电压下工作；可以外接检测电阻，将变化量反馈给控制电路

车企要强化自身技术储备，投资功率半导体，其实不是选修课，而是必修课。文 /《汽车人》齐策​今年下半年，汽车芯片供应进一步缓解。而全球车企对于前两年“缺芯”的折磨，仍然记忆犹新，它们纷纷自己掏钱投资芯片产能。十大类芯片里面，汽车常用的有主控芯片、MCU功能芯片、功率半导体、存储芯片、通信芯片及其它芯片（传感芯片为主）六大类。而现在仍能得到车企大量投资的，主要是功率半导体、控制类芯片（MCU和MPU等）和算力芯片。这两年供应出问题的，主要也在这三类里面。功率半导体快速增长不过高算力芯片（GPU、CPU和车载Soc）为高制程芯片，为少数大设计公司和代工厂垄断，技术门槛比较高，车企一时很难插手。MCU芯片受重视程度很高，但算力芯片发育起来之后，随着新一代架构逐渐问世，MCU的重要性有所下滑。功率半导体的技术进化很快，新能源汽车产业已经成为功率器件需求增加最快的用户，2025年更会成为绝对需求量最大的用户。功率半导体属于成熟制程（90nm-300nm之间），其技术发展和产能并不遵循摩尔定律。顺便说一句，功率半导体和功率芯片，虽然都用来实现功率转换、开关、整流等功能，是电能转换与电路控制的核心，但两者概念范围有所不同。前者包括功率器件（比如二极管、晶体管、闸晶管等），也包含功率IC（即功率芯片）。而功率器件则包括电源管理、驱动、AC/DC（数模转换）、DC/DC（直流变换）。显然，前者既包括分立器件，也包括集成电路，而后者专指集成电路。虽然《汽车人》讨论的重点是IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅），都是分立器件，但它们经常被集成到一个大的混合模块里面。因此，本文不再区分两者。根据一家设在波士顿的研究所数据，如果从价值角度，燃油车里面MCU芯片价值占比最高（23%），其次为功率半导体（21%），传感器芯片排名第三（13%）。在纯电车型中，功率半导体价值占比达到55%，其次是MCU芯片（11%）和传感器芯片（7%）。2022年，新能源汽车的单车功率半导体价值量达458.7美元，约为传统燃油车的5倍。而量价齐升带动，汽车领域功率半导体市场份额逐年提高，金额约为160亿美元。虽然这已是一两年前的数据，但可以大略了解功率半导体的重要性。这两年，随着电气化的深入，DC/DC模块、电机控制系统、BMS、高压电路的需求量急剧上升，功率半导体的需求水涨船高。在所有车用半导体里面，功率半导体占比已经达到35%，全球市场年交易价值超过200亿美元。这一数字还在快速提升。国内产能现状当前中国的新能源车占了全球近60%的比例，对IGBT的需求占了43%。而碳化硅市场要小得多，2023年预计衬底（碳化硅的晶圆片，占价值60%以上）的全球市场规模只有10亿美元左右，但同样也在快速增长。去年，国内IGBT自给率只有10%，存在巨大缺口。而今年预计自给率就飞速增长到33%。显然，跨国厂商和国内资本，三年内对此进行了密集投资，导致国内产能上来了。碳化硅也必然走IGBT的路线。从静态局面来看，SiC美欧日占了上风，去年，SiC材料的70%来自美国公司。欧洲也拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链，日本则在SiC模块和应用开发方面占据领先优势。中国目前已具备完整的碳化硅产业链，在材料制备和封测应用等部分环节具有国际竞争力。《汽车人》可以预见，最终两者都将演绎中国奋起直追，然后占据全球50%以上产能的传统戏码。有人认为，人们比较熟悉的所有硅基芯片，都算第一代半导体，而砷化镓、磷化铟等为第二代，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体（击穿电压很高）为第三代半导体。第三代最大的好处，就是抗高温、高功率、高压、高频和高辐射。这让其在大功率快充、大功率电机和主逆变器方面大显身手。这都是电动车现在拼命升级的几个能力，让碳化硅变得炙手可热。如果IGBT已经建立稳固的现实需求，碳化硅的需求则代表未来业内生态。不过，后者的产能还受到很大制约。碳化硅晶锭生产，目前国内的水平是这样的：在长晶炉里15-20天，大概能长出35mm。而国外普遍水平是同样时间50mm。目前，实验室里面创造的世界记录是15天生长130mm（重复性有待验证，尚未量产）。好消息是长晶炉等设备已实现国产化，未来三到五年窗口期，国内产能会上一个大台阶。车企加速投资重要又短缺，而且还赚钱，下游资金介入上游也就有了理由。汽车企业也不例外。继2022年之后，2023年上半年，车企投资功率器件的热潮有增无减。事实上，这已经变成全行业的共识（一级供应商同样大手笔投资）。除了保供（提升供应链关键环节的掌控能力），其实技术上有更充分的理由。几乎所有车企都同意，必须将三电核心技术掌握在自己手里。现在流行的“N合一”电机，车载多种设备要求的升压和五花八门的AC/DC、DC/DC变换，系统集成化要求，几乎每一样控制系统都离不开对功率半导体的技术掌握。车企要强化自身技术储备，投资功率半导体，其实不是选修课，而是必修课。从2021年到今年，车企投资功率半导体，成为一股越来越强劲的浪潮。不过，和电池投资有点相似，车企投资功率半导体，也有自己孵化、合资合作和战投三种方式。自己孵化的典型，莫过于比亚迪。吉利、长城和奇瑞，孵化产能则晚得多。比亚迪从2005年开始探索IGBT生产，到2018年推出IGBT 4.0芯片，去年开始介入碳化硅生产。吉利2022年成立了自己的功率半导体公司，今年3月该公司成功实现IGBT产品流片，今年装车应该问题不大。长城筹备的功率半导体生产线正在紧锣密鼓地建设，年底前可能会投产。奇瑞也在4年前开始启动IGBT生产链，目前旗下IGBT模块项目还在筹备中。车企介入都是最近几年的事情，选择投资某个供应商的比“自研自投”的要多。完成碳化硅晶体管、SBD、驱动IC车规级验证的瞻芯电子，成为各路资本的宠儿。2022年，瞻芯电子先后得到上汽集团、广汽集团、北汽集团（2020年）、小鹏的多轮投资（其中小鹏独家投资一轮）。类似的投资一年有几十起。合资与战投虽然都是成为股东，但区别在于合资要参与经营，而战投一般不介入日常运营。也就是说，与上游供应商达成合资协议，更有利于协同上下游业务，对供应链和技术掌控力更强一些。2021年，中国一汽与亿马半导体合资公司的碳化硅项目投产，年产30万个模块。2022年，广汽与株洲中车时代合资，开展IGBT产业化应用。2023年6月，深蓝与斯达半导体合资。更早的2019年，东风与中国中车组建“智新半导体”，研发IGBT模块。2023年理想与三安半导体合资成立”斯科半导体”，产能还在规划中。这三种战略合作方式，绝大多数主流车企都或多或少地涉及，完全置身事外的几乎没有。国内的闻泰科技（收购了荷兰的安世半导体）、士兰微、斯达半导等一大批功率半导体企业，已经获得了多个主机厂、一级供应商资本的支持，正在寻求国产替代进程。功率半导体创业热潮，今年已经进入后半程。与中国品牌热情度相似，跨国公司今年集体在碳化硅上发力。光是今年上半年，大众汽车、现代-起亚、宝马、福田汽车、极氪、纬湃科技，都投资了安森美的SiC项目。Wolfspeed、意法半导体等，也获得了多个主机厂的长期供货合同。这些协议的价值超过29亿美元。其实这只是冰山一角，SiC器材厂商这两年从未停止过扩产。上半年，全球与SiC相关的项目资本支出，加起来可能超过千亿人民币。对于一个年交易价值10亿美元的市场来说，这预示着两年内将迎来市场爆发。打通了生产流程和技术障碍之后，晶圆生长率的落后，依照历史经验会快速得到改善。中国占有率将从微不足道快速提升至全球重要地位，甚至是头号供应国。只要有庞大的需求牵引，进而便打通了生产技术，这类演变在历史上已经多次发生。既然中企在IGBT占有率上提升很快，SiC应该也不例外。【版权声明】本文系《汽车人》原创稿件，未经授权不得转载。【本文来自易车号作者汽车人传媒，版权归作者所有,任何形式转载请联系作者。内容仅代表作者观点，与易车无关】

　　功率器件即输出功率比较大的电子元器件，是电子元件和电子器件的总称,是功率放大器。功率放大是利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。主要由电子元件业、半导体分立器件和集成电路业等部分组成。功率电子器件大量被应用于电源，伺服驱动，变频器，电机保护器等功率电子设备。 　　优势： 　　1、器件能够快速恢复，以满足越来越高的速度需要。 　　2、通态压降降低。 　　3、电流控制能力增大。 　　4、额定电压耐压高。 　　5、温度与功耗。

　　功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等。 　　功率半导体器件是电力电子电路的重要组成部分，一个理想的功率半导体器件应该具有好的静态和动态特性， 在截止状态时能承受高电压且漏电流要小。在导通状态时，能流过大电流和很低的管压降。在开关转换时，具有短的开、关时间。通态损耗、断态损耗和开关损耗均要小。

1、功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等。 2、功率半导体器件是电力电子电路的重要组成部分，一个理想的功率半导体器件应该具有好的静态和动态特性，在截止状态时能承受高电压且漏电流要小。在导通状态时，能流过大电流和很低的管压降。在开关转换时，具有短的开、关时间。通态损耗、断态损耗和开关损耗均要小。

还不错。半导体功率器件公司上班待遇好。1、人员平均工资5000-20000不等。2、有交通补助，饭补，电话费补助，缴纳五险、公司周围交通便利，餐饮方便。

功率半导体器件，嘿嘿，本人的本行。功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，简单来说，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。给个数量吧，电压处理范围从几十V~几千V，电流能力最高可达几千A。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等等。早期的功率半导体器件：大功率二极管、晶闸管等等，主要用于工业和电力系统（正因如此，早期才被称为电力电子器件）后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展，现在功率半导体器件已经非常广泛啦，在计算机、通行、消费电子、汽车电子为代表的4C行业（computer、communication、consumerelectronics、cartronics），功率半导体器件可以说是越来越火，现在不是要节能环保吗，低碳生活，那就需要对能量的处理进行合理的管理，power是啥？通俗的理解不就是功率P=IV吗，所以就需要对电压电流的运用进行有效的控制，这就与功率器件密不可分！功率管理集成电路（PowerManagementIC，也被称为电源管理IC）已经成为功率半导体器件的热点，发展非常迅速噢！功率半导体器件，在大多数情况下，是被作为开关使用（switch），开关，简单的说，就是用来控制电流的通过和截断。那么，一个理想的开关，应该具有两个基本的特性：1，电流通过的时候，这个理想开关两端的电压降是零2，电流截断的时候，这个理想开关两端可以承受的电压可以是任意大小，也就是0~无穷大因此，功率半导体器件的研究和发展，就是围绕着这个目标不断前进的。现在的功率半导体器件，已经具有很好的性能了，在要求的电压电流处理范围内，可以接近一个比较理想的开关。好了，扯了这么多，举几个功率半导体器件的例子吧，刚才已经说了，功率二极管，晶闸管，还有功率BJT（就是功率双极型晶体管）这些都是第一代产品了，比较老的了，第二代是以功率MOSFET为代表的新型功率半导体器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。VDMOS即（verticaldouble-diffusionMOSFET）是纵向器件，多用于分立器件；LDMOS即（Lateraldouble-diffusionMOSFET），是横向器件，其三个电极均在硅片表面，易于集成，多用于功率集成电路领域。IGBT即（InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极型晶体管），可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。IGBT目前非常火啊，国内才刚刚起步，大量需要IGBT的高技术人才，这个有钱途的。扯了好多啊，先就这么多吧，要细说的话，可以说一天。希望我的回答对你有帮助，一字一句都是原创，望采纳

上述提到的器件都属于功率开关器件。若按参与导电的载流子是一种还是两种，可分为单极器件和双极器件。其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通，而不像是二极管过了导通电压就能直接导通，但其关断不能通过门极关断，而是将电流减小至某个值以下，或是直接的换向关断。GTO是Gate Turn-off Thyristor， 为门极可关断晶闸管，即可以通过控制门极关断晶闸管。GTR应该是Giant Transistor，为巨型晶体管，导通工作时要求发射结集电结均正偏，与普通BJT工作类似。以上的器件主要用于大电流，高压，低频场合。而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。而IGBT，为Insulated Gate Bipolar Transistor，是绝缘栅双极场效应管，为电压控制电流，栅控器件，其工作频率比普通的双极器件高，电流处理能力比MOSFET要强，一般用于中高频中高压领域。

电路设计的可靠性 转自：北大未名站BBS 整理：段长亮 在系统方案设计时应遵循如下原则： 1. 简化方案 系统的可靠性是由组成系统的各个单元直到每个元件的可靠性决定的，所以应该尽量提高元器件或独立单元的可靠性。 从失效率的角度, 系统的失效率是其所有组成元件的总和, 避免一个元件失效的最好方法是在系统中省去这个元件。所以, 只要能满足系统的性能和功能指标，就尽可能地简化系统结构。当然，如果某种附加有利于提高系统可靠性, 则是必要的, 例如抗干扰设计、容错设计、雍余设计等。 2. 避免片面追求高性能指标和过多的功能 随著技术的发展, 产品的性能和功能 应该是越来越强的，但在一定阶段内和力所能及的技术条件下，应注意协调高指标 与可靠性的关系。如果给系统定下过高的指标，势必使系统复杂化, 一方面使用过多的元器件, 直接降低了系统的可靠性；另一方面增加了设计中的不合理、不可靠隐患的机 会。 3. 合理划分软硬件功能 这是微机化仪表特有的问题，由于微机的参与，软件在 数据处理、逻辑用分析、通信和分时处理等方面具有硬件难以比 拟的功能，而且软件在通过实践的验证后, 就不存在失效性的问题。在方案设计时, 能够方便地用软件完成的功能一定要坚决地贯彻“以软代硬＂的原则。另一方面就微机化仪表而言, 功能再强大的软件也需要硬 件的支持, 如果软件担负的任务过多, 既增加开发的难度又 不易保证软件的可靠性。所以需要合理地划分软硬件功能, “ 以软 代硬”至少要在CPU 时间资源允许的 前提下进行。现在有很多可编程的集成芯片, 一方面简化了硬件电路，提高了其可靠性 , 另一方面又促成了更进一步“以软 代硬＂的可能。微机化仪表是由软件和硬件构成的，两者必然相辅相成, 不能偏废任何 一方。 4. 尽可能用数字电路代替模拟电路 数字电路稳定性好、抗干扰能力强、可标准化设计、易于器件集成制造。数字式集 成电路代替模拟式是电子技术发展 的 一个趋势。另外, 还要尽可能多地采用集成芯片且集成度越高越好，集成芯片密封性好 、机械性能好、焊点少, 其失效率比同样功能的分离电路要低得多。 5. 变被动为主动 影响系统可靠性的因素很多，在发生的时间和程度上的随机性 也很大，在设计方案时, 对易遭受不可靠因素干扰的薄弱环 节应主动地采取可靠性保障措施，以免在问题发生时被动地应付。抗干扰技术和容错设 计是变被动为主动的两个重要手段。、元器件的合理选用 可以说, 系统的彻底失效都是以元器件的失效而告终的。所 以，在设计和研制微机化仪表时, 合理地使用元器件, 是保障系 统可靠性的基本技术。合理地使用一方面是指设计阶段, 根据应用条件，选择合适的器 件及其工作点; 另一方面是指研制阶段对 器件进行筛选，使用可靠的器件。下面讨论若干基本元器件的设计选用。 1. 分离半导体器件的使用 在电路设计时, 对分离器件主要从电应力、工作频率、型号 互换等方面考虑。 (1)电压应力: 半导体器件均有其耐压的极限值 , 如三极管、极 限值等。 当所加的电压大于半导体器件的极限电压值时, 将会 出现瞬时击穿或永久性击穿, 前者引起器件电参数的变化，后者使之突发性失效。除明 显的设计和调试错误外，器件性能的分散 性、连锁反应、感性负载等都是造成器件意外击穿的因素. (2)电流应力: 器件所承 受的最大电流 。半导体器件工作时， 因其自身电阻的存在，必然产生热量，在温度和电流的综合作用下，器件内温度超过极 限将导致失效。与电流应力密切相关的因 素是工作温度，所以工作温度较高时, 应考虑降低器件的参数等级, 或者采取良好的散 热措施。对于功率器件, 功率、温度、散热始终是设计时必须综合考虑的因素。 (3)工作频率：由于PN 结的电容效应, 半导体器件有其工作频率的限制，一般多考虑 上限频率的影响，工作频率超过该极限 则器件的性能将下降甚至失效。另外也不亦用高频器件代替低频器件, 那样噪声系数将 增大。 (4)型号互换: 器件互换性有利于减少MTTR 指标。互换时主 要考虑参数的匹配, 如额定工作电压、电流、功率、工作频率范围等。同样功能的分离 电路 要低得多。 2. 固定电阻和电位器 固定电阻和电位器可按照其制造材料分类，如合金型(线绕、 合金箔) 、薄膜型(碳膜、金属膜) 和合成型(合成实芯、合 成薄膜、玻璃釉) 等, 随着电子技术的发展，新型品种也不断出现。 在使用固定电阻和电 位器时, 应考虑下列事项: (1)阻值稳定性: 电阻的阻值会因其材料的“老化”而变化, 这是个缓变的过程。电 阻值更经常地受温度的影响，因此 在精密电路中, 电阻的温度漂移系数是个重要指标。 (2)工作频率：当电阻工作在高 频时, 其工作参数受分布 电容、趋肤效应、介质损耗及引线电感等因素影响而变化。 (3)功率负荷: 当电阻器 件承受的功率超过额定值时, 将因 温度升高而失 效。电阻器的额定功率也是与温度关联的指标，如果工作温度高于指定的 温度, 则应适当降低额定指标使用。 (4)噪声 在设计微弱信号前置放大器时, 电阻的噪声系数是一个值得重视的指标。 在常见的电阻器件中, 碳膜、金属膜和精密合金箔电阻 的性能以次递增; 线绕电阻温度稳定性最好, 常用于精密测量仪器中。在实际电路设计时 , 应参考国家技术标准和生产厂家 提供的资料, 按照上述事项进行取舍。另外选用时还要考虑器件的体积、安装形式等因 素的影响。 必须注意的是, 电位器无 论是性能指标还是可靠性，都比同类的固定电阻要差很多，一般其失效率比固定电阻要 大10~100倍。所以, 在电路中尽量少用电位器，同时对某些可能因电位器失效造成严重故障的电路应采取相应的容错措施， 如开路、短路保护等。 3. 电容器的选用 电容器根据其介质材料的不同可分为无机介质、有机介质和电解介 质三类，若考虑具体的材料则种类众多、性能各异，电容器的选用可从以下方面考虑。 (1)频率范围：电容器是工作在交流状态的，所以应首先考虑其频率特性。 电容器由 于自身电感、引线电感的影响，存 在一个固有的谐振频率。为保证其容抗特性，必须使工作频率小于该谐振频率; 另外， 介质的频率特性也限制其应用的上限 频率。没有工作高、低特性皆好的电容器，瓷、云母介质的电容器是高频段器件; 有机 高分子聚合物多为中频段器件; 电解介质电容工作在低频 段。 (2)容量稳定性: 温度和制造工艺会影响电容器容量的稳定性, 在频率谐振电路中, 对电容值的稳定性有较高的要求。在 高频段，云母介质优于瓷介质; 在低频段钽介质电容器优于铝电解电容 器；单就稳定性 而言, 聚苯乙烯电容器最好。 (3)噪声性能: 电容器的漏电将产生噪声, 对于低噪声电路的电容器要选用损耗角正 切值小的电 容器。常用的电解电容的噪声最大。 (4)电压负荷: 电容器承受直流电压的能力较强，但对于交流和脉动的电压则较弱, 一般随着频率的增大, 所能承受的额 定电压要下降。电解电容器、高分子聚合物电容器、无机介质电容器在这一指标上性能 递增。 (5)承受功率：对于用于电源滤波这类场合的电容器, 应该 考虑其承受功率负荷的问题, 当电流脉动较大时, 电容器的温度也会升高, 性能指标下 降, 最终导致被击穿失效。 电容器的选 用比电阻要复杂, 对电路性能和可靠性的影响也更直接更大。电容器的失效形式为漂移 、短路和开路等, 电容器的结构比电阻器复杂, 是失效率相对较高的器件。 4. 集成芯片的选择 集成芯片随着微电子技术的发展，在品种、规模、性能和电性能参数等方面已达到了很高的水平，是电子电路中应用最 为广泛的器件。集成芯片是由成千上万个半导体单元在一块硅片上构成的电路，其专业化的设计充分考虑了电路的合理性和 可靠性，器件制造工艺先进、精密，所以集成芯片具有性能优越、稳定性好和分散性小等特点。另外，集成芯片封装紧密, 不易受环境的干扰。所以 由集成芯片构成的电路比相应的分离器件电路在性能和可靠性上具有无可比拟的优势, 在仪表设计时应优先考虑使用集成芯片。 集成芯片可分模拟和数字两 大类，具体品种繁多, 其选择应参考生产厂家提供的技术资料结合具体电路进行, 总的要求是外围器件的参数选择正确、整个电路工作在额定状态和条件下。 在选择集成芯片时, 除器件具体功能外, 还需要考虑以下具有普遍性的因素。 (1)数字器件: 电源电压范围、信号状态与电平阀值、关门电阻、扇出系数、最高工作功率、单门延时、噪声容限、工作温度范围、功耗及封装等。 速度和功耗是数字器件的两个硬指标, 在很大程度上决定器件的使用范围，高速低功耗也是与计算机的发展相适应的。 在通用的数字器件中, 74LS系列的TTL 器件具有较快的速度, 但功耗相对较大; CMOS器件的电源范围较宽，抗干扰性能好, 但 速度不如74LS 系列的快; 74HC 则兼顾两者的优点, 具有74LS 的高速和CMOS 的低功耗, 在各项性能指标上均优于74LS 系列, 可完全替代74LS 系列的器件。许多超大规模的集成芯片如CPU 、可编程I/O芯片等存在着不同工艺制造的同类芯片, 应优先选择其中低功耗的CMOS 类型。 (2)模拟器件: 单电源还是双电源供电及电压范围、功耗、输入电阻、输入信号电压幅值、输出电阻、输出功率、截止频 率、增益、共模抑制比、线性度、噪声系数、温度漂移以及封装等。 模拟芯片的重点是要保证其精度和稳定性, 而影响精度和 稳定性的因素很多, 所以选择模拟集成芯片的难度比数字器件的要大。因此，在电路设计时, 能够用数字器件代替模拟器件的地方就尽量选用数字 器件。 总体上在选用基本元器件时, 应遵守以下原则: (1)对所要使用的元器件的品种、规格、型号及生产厂家等 因素进行比较，列出元器件优选清单。如有条件, 最好做到定点供应, 以减小器件性能的分散性。 (2)不仅要根据电路功能要求选用元器件，还要根据到器件的性能参数。在设计和选用中, 应保证器件工作在电气和环境条件的额定值内。 (3)尽可能压缩系统器件的品种、规格，提高元器件的复用率。 (4)优先选用功能强、可靠性高的大规模集成芯片 三. 系统可靠性保障的其它问题 可靠性技术除了元器件选用和以后专门论述的电磁兼容性设计、故障自诊断和软件可靠性设计外，还有很多基本问题必 须考虑，限于篇幅及内容的涉及面, 仅在下面做以简单的介绍以提请注意。 1. 热设计 在微机化仪表中，功率损失多以热能耗散的形式表现出来，当系统工作时, 内部的温度就会升高; 同时, 系统的环境温度也影响其内部温度。由于许多元器件的失效与温度有密切的关系，所以热设计的正确与否是影响系统工作稳定性和可靠性的主要因素之一。 热设计包括散热、加热和制冷三大方面，对电子电路，通常考虑的是散热问题。 (1)对功率器件 要根据其对散热面积的要求使用散热片，条件允许时还可将功率器件安装在金属机壳上以增大散热面积并 直接对外散热。功率器件与散热片的接触应保证最佳的导热性能，必要时可使用散热胶以增加接触面的导热系数。 (2)合理安排元器件布局，功率发热器件应尽量安装于上部; 对温度敏感的元器件要远离系统内部的发热元件。电源通常是系统内部较大的热源，要安排好其位置并尽量使其直接向其直接向系统外部散热。垂直排列的电路板比水平叠加的散热效果要好。当系统工作时, 内部的温度就会升高; 同时, 系统的环境温度也影响其内部温度。由于许多元器件的失效与温度有密切的关系，所以热设计的 正确与否是影响系统工作稳定性和可靠性的主要因素之一。热设计包括散热、加热和制冷三大方面，对电子电路，通常 考虑的是散热问题。 (3)在防尘要求较低时, 可在机箱上开设通风孔。为系统整机或关键功率器件设置散热风扇的效果很好。 (4)不能单纯追求仪表体积的小型化, 否则会降低系统内部的散热效果。 (5)选择低功耗的器件也是热设计的要求，对于集成芯片，选择CMOS 型器件可以成数量级地减少器件的功耗。对于功率器件, 应选择内阻小的器件。 2. 容差与漂移设计 任何元器件、模块的参数间的配合都存在一定的“公差”和漂移 , 这个误差应控制在精度允许的范围内。但当该误差对 系统的影响超出了一定的限度，系统就会发生故障, 容差与漂移设计就是要减少这种不 可靠因素对系统的影响，其做法是通 过分析计算, 得到各个元器件、子系统参数变化对系统影响的程度，找出最优的元器件 参数组合，使误差和漂移对系统的影响最小。 这种设计思路 也常主动地被用来实现硬件的补偿设计, 如使用热敏电阻进行温度补 偿等。 3. 瞬态过应力的防护设计 微机化仪表工作在电源通、断的瞬间、脉冲信号输入等非连续的状态时，系统内部 电路会产生电压或电流脉冲，其幅值 或经某种形式的放大后的幅值，可能比正常信号高很多，形成浪涌电压或浪涌电流，超 过器件的额定应力值, 从而造成元器件的损坏。 对稳态系统的分析可借助理论或测试手段，相对简单; 对过渡过程的分析，则比较 困难，需要根据具体情况仔细地分析， 才能通过针对性地测试去确定可能产生瞬间过应力的单元。一般容性器件易产生浪涌电 流；而感性器件则易产生浪涌电压。 可能比正常信号高很多，形成浪涌电压或浪涌电流，超过器件的额定应力值, 从而造成 元器件的损坏。 4. 可维护性设计 可靠性包括增加MTBF 和减少MTTR 两个方面，可维护性设计就是要减少系统的MTTR, 属人机工程的范畴。以下是实际设计中常用的措施。 对关键部件及关键状态要设置测试点并予以表明，以便维护维修时测试。 对需 要调整的部件要提供方便，便于工具到达和调节。 功能插件采用规范的尺寸和安装结构形式，结构上应防止插反或插混等错误的操作 。 机箱和内部安排应考虑维修和安装的方便。 系统说明书中应附有常见故障的现象、原因和对策的说明，以便用户在力所能及的 范围内自行维护。对易损元器件应提供备件。 5. 电气互连的可靠性设计 电气互连主要指元器件的引脚焊点、模块间的接插件、总线插件等, 电气互连是电子电路中故障率较高的部分，因此, 也是可靠性设计时需要高度重视的部分。合理地设计系统模块、采用先进可靠的连接技术、选用质量可信的连接器件是电气互连 可靠性设计的要求。良好规范的电气互连设计也是可维护性设计的要求之一。 6. 机械防振设计 仪表系统在制造、运输、及实际使用中都会受到不同程度的机械振动, 有些车载、船载仪表系统更是始终工作在振动环境之下。振动会对仪表系统的元器件和整机结构造成机械性损坏，使系统在振动环境下不致 鸹 乃至正常运行的设计就是机械防振设计。机械防振设计的重点在系统接插件、系统模板和质量较大器件的固定。 7. 气候环境防护设计 气候环境是微机化仪表在制造、储藏和使用中都不可避免的影响因素，当某些环境因素影响较强而系统又无相应对策也是可靠性设计时需要高度重视的部分。 合理地设计系统模块、系统设计时, 必须根据系统可能工作的环境，进行气候环境保护设计; 在实际选用仪表时, 同一 类系统除了根据量程进行分档外，就是根据使用条件进行分档, 可见气候环境保护设计的 重要性。通常需要考虑的气候环境因 素是: 温度、湿度、气压、雨、雪、盐雾、腐蚀性气氛、沙尘及辐射等。才能通过针对性地测试去确定可能产生问题的地方

功率半导体器件系指作为功率放大使用的器件.具体分为:PNP和NPN型三极管,场效应晶体管.每种晶体管按照功率分类都有大中小之分,不管功率的大小,其工作原理都是一样的.即将小信号放大到需要的幅度或功率.或起开关作用

主要有二极管、三极管、晶闸管、MOSFET和IGBT。1、二极管是基础性器件，主要用作整流，虽然原理成熟，但受产品稳定性及客户认证壁垒影响，国产化率仍然较低。2、三极管主要适用于消费电子等产品，用于开关或功率放大，国外厂商仍占据市场份额的前列，国内厂商在附加值较低的部分已完成了国产替代。3、晶闸管主要用于工业领域，属于电流控制型开关器件，市场整体规模较小。4、MOSFET和IGBT是主要的功率器件，其中MOSFET适用于消费电子、网络通信、工业控制、汽车电子。

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功率半导体器件的阻断电压指的是该器件可以承受的最大电压，超过该电压器件将会失去控制并损坏。在一些电路应用中，常需要使用阻断电压较高的功率半导体器件来保证电路的可靠性和稳定性，例如在高压直流输电系统中需要使用具有高阻断电压的开关管。另外，功率半导体器件的阻断电压还与其材料、结构以及制造工艺等因素有关。

1、减小功率器件的损耗：选择导通内阻小，导通下降低的功率器件；设计流过功率器件的电流峰值尽量小；利用谐振技术实现软开关，让流过功率器件的电流和电压实现错位等。2、降低电磁干扰的强度：设计有效的外围滤波电路；在存在电压尖峰的地方加吸收电路；改变功率器件导通或关断的速率；改变PCB板关键位置的走线；在功率器件引脚处串入磁珠；依据实际情况选择导通或反向恢复时间不同的功率器件。3、提供变换效率的措施需要具体问题具体对待，整体的思路就是：首先要进行功率损耗分析，通过测量或者计算得出主要器件的功率损耗，然后想办法进行优化。

功率半导体是弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造之间的桥梁，是国民经济的重要基础，在国民经济各领域和国防工业中无所不在。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。随着中国经济的快速发展以及国际IT制造业向中国国内转移，中国国内电子信息制造业快速发展，在此带动下，近年来中国功率半导体市场取得了快速的增长，目前已成为全球最大的功率半导体应用市场。2010年，中国功率半导体市场规模突破千亿元，达到1,127.5亿元，较2009年大幅增长27.13%，2006-2010年的复合增长率达到10.80%。未来中国经济仍将继续保持持续较快增长的发展势头，物联网、新能源、节能环保、智能电网以及高铁等新兴产业将会得到很大的发展，作为现代产业发展的基础，功率半导体器件将在各领域得到更广泛的应用，中国功率半导体市场将持续保持较好的增长态势，市场规模将持续扩大。更多http://ic.big-bit.com/news/203283.html

可控的功率半导体器件有：功率MOSFET: 包括VDMOST和LDMOSTIGBT: 也包括纵向IGBT和横向IGBT，双极器件普通的可控硅或者称为晶闸管难以实现关断，但是也有门极可关断晶闸管GTO

单新能源市场的加速发展，就新能源车、充电桩、光伏发电等领域，就为上游相关企业带去巨大成长机会。半导体功率器件不仅只用于新能源市场，目前也使用于5G、物联网、智能制造等新兴市场方面，所以半导体功率器件领域未来有着巨大的成长空间。下面就重点为大家讲解一下半导体功率器件领域龙头--新洁能的投资价值。 在开始分析新洁能前，我整理好的半导体功率器件龙头股名单分享给大家，点击就可以领取：宝藏资料！半导体功率器件行业龙头股一览表 一、公司角度 公司介绍：新洁能主要是做MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售的，它的产品系列种类多样，广泛应用于消费电子、汽车电子、新能源汽车、充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。经过多年打拼，新洁能的功率器件在国内市场上有很领先的占有率，厉害的是，已经属于国内比较领先的半导体功率器件设计企业。 大概了解公司基础概况后，接下来好好来聊聊公司独特的投资价值。 亮点一：领先的核心技术，较高的技术壁垒 对于新洁能的功率半导体产品来说，依然在不断的丰富产品的类型，是国内最早同时拥有沟槽型、超结、屏蔽栅功率MOSFET 及IGBT 四大产品平台的本土企业之一；{也是国内率先掌握MOSFET、IGBT超结理论核心技术，并量产屏蔽栅和超结功率 MOSFET 的企业之一。而且，新洁能还促成了设置有自主知识产权的核心技术体系，对重点技术存在专利保护，对于同一个行业竞争者和潜在竞争者，均达成了较高的技术壁垒。 亮点二：紧跟最先进的技术梯队，推进国产替代进程 新洁能经过自主创新筑建竞争壁垒，不断针对于产品系列更新升级，将所处产业链扩展；并在研发设计领域紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，持续缩小与国际一流功率半导体厂商的技术水平差，眼下总体已达到国际先进水平，成为我国举足轻重的功率半导体设计企业，持续改进功率半导体国产和进口的差距，一点点实现了对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，成为当之无愧的行业龙头。 由于篇幅受限，更多关于新洁能的深度报告和风险提示，我整理在这篇研报当中，点击即可查看：【深度研报】新洁能点评，建议收藏！ 二、行业角度 半导体功率器件是电子制造业不可或缺的，涉及到了网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。再加上技术创新等系列因素的影响，物联网、5G、新能源等新兴应用领域作为半导体功率器件将慢慢在其市场上占据重要位置。在下游领域有着较快发展速度的环境下，也会给半导体功率器件提供爆炸式的增长机会，尤其是国内逐渐攻克在功率半导体高端产品方面的技术瓶颈，及国内企业为了可以做到供应链安全，对国产替代拥有巨大需求。该行业未来潜力非常巨大。 从全局来看，新洁能坐上了半导体功率器件行业的头把交椅，未来发展潜力十足，新洁能未来必定会有强势表现。但是文章具有一定的滞后性，如果想更准确地知道新洁能未来行情，直接点击链接，有专业的投顾帮你诊股，看下新洁能估值是高估还是低估：【免费】测一测新洁能现在是高估还是低估？应答时间：2021-12-08，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看

单新能源市场的加速发展，就新能源车、充电桩、光伏发电等领域，这也为上游相关企业的发展带来了很大的成长机会。半导体功率器件其实也不仅用于新能源市场，对于5G、物联网、智能制造等新兴市场，也能够广泛应用，所以半导体功率器件领域未来有着良好的发展前景。下面就重点分析半导体功率器件领域龙头——新洁能的投资价值。 在开始分析新洁能前，我整理好的半导体功率器件龙头股名单分享给大家，点击就可以领取：宝藏资料！半导体功率器件行业龙头股一览表 一、公司角度 公司介绍：新洁能主要经营MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计和销售，其产品系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、新能源汽车、充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。经过多年摸爬滚打，在国内，新洁能的功率器件有着比较领先的市场占有率，厉害的是，已经属于国内比较领先的半导体功率器件设计企业。 大家差不多知道公司基础概况后，接下来好好来聊聊公司独特的投资价值。 亮点一：领先的核心技术，较高的技术壁垒 对于新洁能来说，还在丰富功率半导体产品的类别，是国内最早同时拥有沟槽型、超结、屏蔽栅功率MOSFET 及IGBT 四大产品平台的本土企业之一；{也是国内率先掌握MOSFET、IGBT超结理论核心技术，并量产屏蔽栅和超结功率 MOSFET 的企业之一。而且，新洁能还设立了具有自主知识产权的核心技术体系，在重要技术上还具备专利保护，对于同样行业竞争者和潜在竞争者，均组成了比较高的技术壁垒。 亮点二：紧跟最先进的技术梯队，推进国产替代进程 新洁能通过自主创新来构建竞争壁垒，不断针对于产品系列更新升级，积极延伸所处产业链；在研发设计领域追随英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，持续向国际一流功率半导体厂商看齐，眼下总体已达到国际先进水平，成为国内地位领先和市场占有率高的功率半导体设计企业，积极改进功率半导体国产替代的脚步，逐步实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，成为行业领军企业。 由于篇幅受限，更多关于新洁能的深度报告和风险提示，我整理在这篇研报当中，点击即可查看：【深度研报】新洁能点评，建议收藏！ 二、行业角度 几乎半导体功率器件能够用于所有的电子制造业，覆盖了网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。随着技术创新等因素带来的影响，半导体功率器件的重要应用市场将逐渐被物联网、5G、新能源等新兴应用领域占据。在下游领域快速增长的状况下，半导体功率器件也将获得超大的增长机会，尤其国内在功率半导体方面逐步冲破在高端产品上的技术瓶颈，以及国内企业为了获得安全的供应链，对于国产替代的需求变得非常巨大。该行业未来可期。 总体而言，新洁能作为半导体功率器件龙头企业，未来发展前景十分不错，相信新洁能一定会有美好的未来。但是文章具有一定的滞后性，如果想更准确地知道新洁能未来行情，直接点击链接，有专业的投顾帮你诊股，看下新洁能估值是高估还是低估：【免费】测一测新洁能现在是高估还是低估？应答时间：2021-12-08，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看

单新能源市场的快速建设（新能源车、充电桩、光伏发电等），能够为上游相关企业带来很大的发展机会。对于半导体功率器件来说，不只是在新能源市场可以应用，目前也使用于5G、物联网、智能制造等新兴市场方面，所以半导体功率器件领域未来有着广阔的市场空间。下面就重点分析半导体功率器件领域龙头——新洁能的投资价值。 在开始分析新洁能前，我整理好的半导体功率器件龙头股名单分享给大家，点击就可以领取：宝藏资料！半导体功率器件行业龙头股一览表 一、公司角度 公司介绍：新洁能将MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售作为公司的主营业务，产品系列还是非常齐全的，广泛应用于消费电子、汽车电子、新能源汽车、充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。经过多年的奋斗，尤其是在国内，新洁能的功率器件确实有着非常领先的市场占有率，在国内，可以说是遥遥领先的半导体功率器件设计企业。 简单了解公司基础概况后，接着来给大家说说公司独特的投资价值。 亮点一：领先的核心技术，较高的技术壁垒 新洁能也在增加功率半导体产品的类型，是国内最早同时拥有沟槽型、超结、屏蔽栅功率MOSFET 及IGBT 四大产品平台的本土企业之一；{也是国内率先掌握MOSFET、IGBT超结理论核心技术，并量产屏蔽栅和超结功率 MOSFET 的企业之一。并且，新洁能还建立了具备有自主知识产权的核心技术体系，对关键技术具有专利保护，对于同一个行业竞争者和潜在竞争者，均达成了较高的技术壁垒。 亮点二：紧跟最先进的技术梯队，推进国产替代进程 新洁能经过自主创新筑建竞争壁垒，不断针对于产品系列更新升级，对所处产业链持续创新；在研发设计这方面公司向英飞凌（Infineon）等国外一线品牌靠拢，持续降低与国际一流功率半导体厂商的差值，现阶段总体已接近国际先进水平，成为国内地位领先和市场占有率高的功率半导体设计企业，持续改进功率半导体国产和进口的差距，逐步实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，真正成为行业龙头。 由于篇幅受限，更多关于新洁能的深度报告和风险提示，我整理在这篇研报当中，点击即可查看：【深度研报】新洁能点评，建议收藏！ 二、行业角度 几乎半导体功率器件能够用于所有的电子制造业，分别有网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。在技术创新等因素的驱动下，物联网、5G、新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场。在下游领域快速增长的状况下，也会给半导体功率器件提供爆炸式的增长机会，尤其是国内逐渐攻克在功率半导体高端产品方面的技术瓶颈，以及国内企业为了确保供应链的安全性，在国产替代方面拥有很大的市场需求。该行业未来进步空间不小。 总的来说，新洁能乃是半导体功率器件行业的龙头企业，未来发展一片光明，新洁能未来必定会有不俗表现。但是文章具有一定的滞后性，如果想更准确地知道新洁能未来行情，直接点击链接，有专业的投顾帮你诊股，看下新洁能估值是高估还是低估：【免费】测一测新洁能现在是高估还是低估？应答时间：2021-12-08，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看