第1章 薄膜与高新技术第2章 真空技术基础2.1 真空的基本知识2.2 真空的表征2.3 气体分子与表面的相互作用第3章 真空泵与真空规3.1 真空泵3.2 真空测量仪器——总压强计第4章 真空装置的实际问题4.1 排气的基础知识4.2 材料的放气4.3 排气时间的估算4.4 实用的排气系统4.5 检漏4.6 大气温度与湿度对装置的影响4.7 烘烤用的内部加热器4.8 化学活性气体的排气第5章 气体放电和低温等离子体5.1 带电粒子在电磁场中的运动5.2 气体原子的电离和激发5.3 气体放电发展过程5.4 低温等离子体概述5.5 辉光放电5.6 弧光放电5.7 高频放电5.8 磁控放电5.9 低压力、高密度等离子体放电第6章 薄膜生长与薄膜结构6.1 薄膜生长概述6.2 吸附、表面扩散与凝结6.3 薄膜的形核与生长6.4 连续薄膜的形成6.5 薄膜的生长过程与薄膜结构6.6 非晶态薄膜6.7 薄膜的基本性质6.8 薄膜的粘附力和内应力6.9 电迁移第7章 表面结构与薄膜的外延生长7.1 理想表面结构7.2 清洁表面结构7.3 实际表面结构7.4 薄膜的外延生长7.5 影响薄膜外延的因素第8章 薄膜沉积的共性问题8.1 成膜工艺与膜材料简介8.2 源和膜的成分——如何得到所需要的膜成分8.3 附着强度——如何提高膜层的附着强度8.4 台阶涂敷,绕射着膜率,孔底涂敷——如何在大凹凸表面沉积厚度均匀的膜层8.5 等离子体及其在薄膜沉积中的作用——膜质的改善、新技术的开发8.6 基板的传输机构8.7 膜层中的针孔和超净工作间第9章 真空蒸镀9.1 概述9.2 镀料的蒸发9.3 蒸发源9.4 蒸发源的蒸气发射特性与基板配置9.5 蒸镀装置及操作9.6 合金膜的蒸镀9.7 化合物膜的蒸镀9.8 脉冲激光熔射（PLA）9.9 分子束外延技术第10章 离子镀和离子束沉积10.1 离子镀的原理10.2 离子镀的类型及特点10.3 离子束沉积10.4 离子束混合第11章 溅射镀膜11.1 离子溅射11.2 溅射镀膜方式11.3 磁控溅射源11.4 溅射镀膜的实例第12章 化学气相沉积（CVD）12.1 热氧化、氮化12.2 热CVD12.3 等离子体CVD（PCVD）12.4 光CVD（photo CVD）12.5 有机金属CVD（MOCVD）12.6 金属CVD58512.7 半球形晶粒多晶Si?CVD（HSG?CVD）12.8 铁电体的CVD12.9 低介电常数薄膜的CVD第13章 干法刻蚀13.1 干法刻蚀与湿法刻蚀13.2 等离子体刻蚀——激发反应气体刻蚀13.3 反应离子刻蚀（RIE）13.4 反应离子束刻蚀（RIBE）13.5 气体离化团束（GCIB）加工技术13.6 微机械加工13.7 干法刻蚀用离子源的开发第14章 平坦化技术14.1 平坦化技术的必要性14.2 平坦化技术概要14.3 不发生凹凸的薄膜生长14.4 沉积同时进行加工防止凹凸发生的薄膜生长14.5 薄膜生长后经再加工实现平坦化14.6 埋入技术实例14.7 化学机械研磨（CMP）技术14.8 气体离化团束（GCIB）加工平坦化14.9 镶嵌法布线及平坦化14.10 平坦化技术与光刻制版术第15章 薄膜材料15.1 金属薄膜材料15.2 无机、陶瓷薄膜材料15.3 有机、聚合物薄膜材料15.4 半导体薄膜材料第16章 薄膜材料的应用16.1 表面改性16.2 超硬膜用于切削刀具16.3 能量变换薄膜与器件16.4 传感器16.5 半导体器件16.6 记录与存储16.7 平板显示器16.8 金刚石薄膜的应用16.9 太阳能电池16.10 发光器件第17章 薄膜材料的评价表征及物性测定17.1 薄膜材料评价表征的特殊性17.2 薄膜材料评价表征方法及其选择17.3 薄膜材料的评价表征17.4 相关技术和装置17.5 薄膜材料评价表征举例17.6 薄膜材料的物性测定附录A 各种元素的温度—蒸气压特性附录B 元素的电离电位附录C 物理常数表附录D（新旧）常用计量单位对照与换算附录E 能量换算表、压力换算表及气体的性质表附录F 半导体大规模集成电路的发展预测附录G 示屏的图像分辨率等级、图像分辨率（像素数）和宽高比附录H 元素周期表附录I 薄膜技术与薄膜材料领域常用缩略语注释参考文献
