电子器件

你会发现奇葩超出你的想象～

1、微电子学是电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的学科。它以实现电路和系统的集成为目的的。微电子学中实现的电路和系统又成为集成电路和集成系统，是微小化的；在微电子学中的空间尺寸通常是以微米（μm，1μm=10 u2212 6m）和纳米（nm，1nm=10 u2212 9m）为单位的。2、微电子技术是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术，特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。微电子学与微电子技术的区别：微电子技术便是微电子学中各项工艺技术的总称，它包括系统和电路设计、工艺技术、材料制备、自动测试等一系列专门技术。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。作为电子学的分支学科，它主要研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学，以实现电路的系统和集成为目的，实用性强。微电子学又是信息领域的重要基础学科，在这一领域上，微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学，是研究信息载体的科学，构成了信息科学的基石，其发展水平直接影响着整个信息技术的发展。微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。微电子学是一门综合性很强的边缘学科，其中包括了半导体器件物理、集成电路工艺和集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容；涉及了电磁学，量子力学、热力学与统计物理学、固体物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、图论、化学等多个领域。微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体（智能化）、网络化和个体化。要求系统获取和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确可靠的处理和传输这些信息并及时地把有用信息显示出来或用于控制。所有这些都只能依赖于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低功耗是信息技术无止境追求的目标，是微电子技术迅速发展的动力。

我今年考的 最后差5分上了专硕 只要你愿意学以前学没学过不要紧的最重要的是你的兴趣和态度 至于竞争什么的像这种学校专业又是好的竞争肯定激烈 你只要努力肯定能成功，祝你成功

+的意思是高掺杂浓度。 源极金属板将N+和P连接在一起，可以等效为源极和漏极间寄生了一个二极管，用于导通反向电压，防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，

微电子啊，可以去各种半导体公司，如：飞思卡尔，因特尔，德州仪器，英飞凌。还有各种研究生，主要是中国电子科技集团下面的研究所。当然以上都不是那么容易进，要求，你非常牛或者学校特别好。

设计上：会出现很多新的效应影响器件特性，要合理设计。工艺上：能否实现越来越小的结构。

一个是搞科学研究，一个搞仪器开发的！一个重理论，一个重实践。都很有钱途

路过，做任务

要求：所有几何尺寸，包括横向和纵向尺寸，都缩小k倍；衬底掺杂浓度增大k倍；电源电压下降k倍。CV等比例缩小定律要求：所有几何尺寸都缩小k倍；电源电压保持不变；衬底掺杂浓度增大k2倍影响：集成度增大k2倍电路的速度提高k2倍功耗k倍增大，功耗密度k3倍增加QCE等比例缩小定律产生的背景：深亚微米工艺技术的应用各种便携式设备的发展对降低电路的功耗提出了更高的要求，因此电源电压必须降低从实用考虑又不希望电源电压变化太快要求：器件尺寸k倍缩小，电源电压α/k倍（1

∵1nm=10-9m∴50nm=50×10-9m=5×10-8m．故填5×10-8m．

电容的定义是电荷对电压的微分，因此C-V曲线的计算正是从Q-V曲线求导计算出来的。实际上MOS结构的C-V曲线测量可以分三种情况讨论，第一种就是只加直流电压信号，且电压的改变速率较小，反应在测量中就是步长较小；第二种就是在第一种所加的直流电压信号上叠加小信号的交流电压；第三种是在第二种情况下加快直流电压信号的改变速率，也就是增大电压改变的步长。这三种情况所得到的的C-V关系各不相同。第二种情况与第一种情况C-V曲线的偏离主要是因为MOS结构的反型电荷来源于热产生，而热产生需要一个特征时间，如果我逐渐延长交流小信号的周期，使得第二种请况能够变成第一种情况的C-V关系，那么我就可以得到热产生的特征时间。详细情况你可以参考施敏的《半导体器件物理》，另外还有一本专门讲MOS结构的书《MOS Physics and Technology》

这个主要是针对MOSFET的，看看萨支唐方程中的β因子你会发现它只和沟道宽长比有关，和具体的宽度长度数值无关，因此当你放大或缩小器件尺寸时性能不变，也就是说采用不同工艺尺寸加工的MOSFET性能基本相同。当然实际上是会有所变化的，还要考虑短窄沟道效应的影响、同时对频率特性也会有影响等。

多子和少子都是只掺杂半导体里面的载流子不掺杂的半导体成为本征半导体里面的电子空穴是平衡的也是一样多的掺了N型材料（一般是五族的P）的称为N型半导体多子就是电子掺了P型材料（一般是三族的硼）的称为P型半导体多子就是空穴

电子和空穴，分别带负电和正电

晶体管原理就是微电子器件第二版的叫晶体管原理与设计第三版叫做微电子器件前几天在卓越网上买了一本微电子器件

微电子器件（Microelectronic Devices）主要是指能在芯片上实现的电阻、电容、晶体管，有的特殊电路也将用到电感。另一种说法是，微电子器件常是指芯片中的线宽在一微米上下的器件，更小的称作纳米电子器件（nano-electronic devices）。微电子器件包括，微电阻：microresistor微电容器：microcapacitor微电感器：microinductor 微晶体管：microtransistor

其他的不说CPU就是微电子器件

电子管:第一台电子计算机集成电路:个人电脑二极管:无发光二极管:无

氧化层介电常数。1、在计算微电子器数据时，Id是漏极电流，un是电子迁移率，eox是氧化硅的介电常数，tox是氧化物厚度，W是晶体管的宽度，L是晶体管的栅极长度。2、微电子元器件是利用微电子工艺技术实现的微型化电子系统芯片和器件，这样可以使电路和器件的性能、可靠性大幅度提高，体积和成本大幅度降低。

是，直流电流激励。在强大的直流电流激励下，微电子器件中的金属原子会发生移动迁移，这就是电迁移现象。在电迁移过程中，金属原子的移动方向一般与电流的方向相同，这就会使金属原子向着阳极移动，造成阴极出现金属空洞，而阳极出现金属原子堆积，当阴阳极金属量出现差异时，即会造成阴极金属截面积减小的情况发生，造成线路阴极处的阻值增大，降低微电子器件的运行速度，同时在工作时，因内部线路电阻值上升，造成局部的放热量上升，易导致线路熔毁现象出现，最终造成电气失效。

1、微电子学是电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的学科。它以实现电路和系统的集成为目的的。微电子学中实现的电路和系统又成为集成电路和集成系统，是微小化的；在微电子学中的空间尺寸通常是以微米（μm，1μm=10 u2212 6m）和纳米（nm，1nm=10 u2212 9m）为单位的。2、微电子技术是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术，特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。微电子学与微电子技术的区别：微电子技术便是微电子学中各项工艺技术的总称，它包括系统和电路设计、工艺技术、材料制备、自动测试等一系列专门技术。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。作为电子学的分支学科，它主要研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学，以实现电路的系统和集成为目的，实用性强。微电子学又是信息领域的重要基础学科，在这一领域上，微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学，是研究信息载体的科学，构成了信息科学的基石，其发展水平直接影响着整个信息技术的发展。微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。微电子学是一门综合性很强的边缘学科，其中包括了半导体器件物理、集成电路工艺和集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容；涉及了电磁学，量子力学、热力学与统计物理学、固体物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、图论、化学等多个领域。微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体（智能化）、网络化和个体化。要求系统获取和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确可靠的处理和传输这些信息并及时地把有用信息显示出来或用于控制。所有这些都只能依赖于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低功耗是信息技术无止境追求的目标，是微电子技术迅速发展的动力。

目前，制造电脑所用的电子器件是超大规模集成电路。超大规模集成电路（Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）是一种将大量晶体管组合到单一芯片的集成电路，其集成度大于大规模集成电路。集成的晶体管数在不同的标准中有所不同。从1970年代开始，随着复杂的半导体以及通信技术的发展，集成电路的研究、发展也逐步展开。计算机里的控制核心微处理器就是超大规模集成电路的最典型实例，超大规模集成电路设计（VLSI design），尤其是数字集成电路，通常采用电子设计自动化的方式进行，已经成为计算机工程的重要分支之一。在一块芯片上集成的元件数超过10万个，或门电路数超过万门的集成电路，称为超大规模集成电路。超大规模集成电路是20世纪70年代后期研制成功的，主要用于制造存储器和微处理机。64k位随机存取存储器是第一代超大规模集成电路，大约包含15万个元件，线宽为3微米。超大规模集成电路的集成度已达到600万个晶体管，线宽达到0.3微米。用超大规模集成电路制造的电子设备，体积小、重量轻、功耗低、可靠性高。利用超大规模集成电路技术可以将一个电子分系统乃至整个电子系统“集成”在一块芯片上，完成信息采集、处理、存储等多种功能。例如，可以将整个386微处理机电路集成在一块芯片上，集成度达250万个晶体管。超大规模集成电路研制成功，是微电子技术的一次飞跃，大大推动了电子技术的进步，从而带动了军事技术和民用技术的发展。超大规模集成电路已成为衡量一个国家科学技术和工业发展水平的重要标志，也是世界主要工业国家，特别是美国和日本竞争最激烈的一个领域。

现市场上主要可见的应该是两类(我是这样认为的).1. 光纤通讯器件 其中包括光有源器件(例如激光器,光收发模块等),光无源器件(例如光纤耦合器,光纤光开关,光分波器等)2.光电照明器件 例如 LED灯具,或者说其它发光照明灯具,或发光装饰灯具.终上,可以理解为, 产品需要电转光,或光转电, 或其它光电相关功能,就属于光电器件中.

微电子工艺是制作微电子器件的水平，一个是物，一个是制物的流程工艺

太多了，说不过来

分为三大类：①发光二极管 （LED） 和激光二极管（LD）：将电能转换成光辐射的电致发光器件。发光管的发散角大，光谱范围宽，寿命长，可靠性高，调制电路简单，成本低，广泛用于速率不太高、传输距离不太远的通信系统，以及显示屏和自动控制等。激光管的光谱较窄、发散角小、方向性强、色散小，于1962 年研制成功后，得到迅速发展，广泛用于大容量、长距离的光纤通信系统以及光电集成电路。缺点是温度特性差，寿命比 LED 短。②光电探测器或光电接收器：通过电子过程探测光信号的器件。即将射到它表面上的光信号转换为电信号，如 PIN光电二极管和雪崩光电二极管（ APD ）等，目前广泛用于光纤通信系统。③ 太阳电池。将光辐射能转换成电能的器件。1954年应用硅PN结首先研制成太阳电池。它能把阳光以高效率直接转换成电能，以低运行成本提供永久性的电力，并且没有污染，为最清洁的能源。根据其结构不同，其效率可达5%～20%。

光电子器件应用范围十分广阔，如家用摄像机、手机相机、夜视眼镜、微光摄像机、光电瞄具、红外探测、红外制导、红外遥感、指纹探测、导弹探测、医学检测和透视等等，从军用产品扩展到民用产品，其使用范围难以胜数，是一个巨大的产业。

问题一：光电子器件主要包括哪些种类 现市场上主要可见的应该是两类(我是这样认为的). 1. 光纤通讯器件 其中包括光有源器件(例如激光器,光收发模块等),光无源器件(例如光纤耦合器,光纤光开关,光分波器等) 2.光电照明器件 例如 LED灯具,或者说其它发光照明灯具,或发光装饰灯具. 终上,可以理解为, 产品需要电转光,或光转电, 或其它光电相关功能,就属于光电器件中. 问题二：光电子器件是指什么？ 光电子器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变，它是光电子技术的关键和核心部件。大路上许多LED的显示或者是某些店铺的一些名称品牌的显示所用到的技术都是来源于光电子器件。感兴趣的话，可以自己到百度上搜索“师兄指路”，不同学校的师兄师姐有关于光电子器件的介绍，了解的越多学起来也更不费劲。 问题三：光电子器件的主要内容 《光电子器件（第2版）》着重讲授光电子探测与成像器件的基础理论和基本知识。主要内容有:半导体光电 探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD 和CMOS 成像器件、致冷和非致冷红外 成像器件、紫外成像器件、X 射线成像器件。《光电子器件（第2版）》适合电子科学与技术、光电子技术、物理电子学等专业本科生作为教材使用,也可供 相近专业的研究生阅读,同时可供从事光电子器件研究和从事光电子技术的技术人员参考。 书 名: 光电子器件作　者：汪贵华出版社： 国防工业出版社出版时间： 2009年01月ISBN: 9787118060355开本： 16开定价: 32.00 元 《光电子器件》着重讲授光电子探测与成像器件的基础理论和基本知识。主要内容有：半导体光电探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD和CMOS成像器件、致冷和非致冷红外成像器件、紫外成像器件、X射线成像器件。《光电子器件》适合电子科学与技术、光电子技术、物理电子学等专业本科生作为教材使用，也可供相近专业的研究生阅读，同时可供从事光电子器件研究和从事光电子技术的技术人员参考。 第1章 光电导探测器第2章 结型光电探测器第3章 光电阴极与光电倍增管第4章 微光像增强器第5章 摄像管第6章 CCD和S成像器件第7章 致冷型红外成像器件第8章 微测辐射热计红外成像器件第9章 热释电探测器和成像器件第10章 紫外探测与成像器件第11章 X射线探测与成像器件参考文献…… 问题四：光电子器件的介绍 利用电-光子转换效应制成的各种功能器件。光电子器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变，它也有别于早期人们袭用的光电器件。光电子器件是光电子技术的关键和核心部件，是现代光电技术与微电子技术的前沿研究领域，是信息技术的重要组成部分。 问题五：光电子器件的原理是什么？有哪些东西会用到这个？ 光电子器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变，它是光电子技术的关键和核心部件。大路上许多LED的显示或者是某些店铺的一些名称品牌的显示所用到的技术都是来源于光电子器件。感兴趣的话，可以自己到百度上搜索“师兄指路”，不同学校的师兄师姐有关于光电子器件的介绍，了解的越多学起来也更不费劲。 问题六：光电子学的器件类别 光电子器件主要有作为信息载体的光源、辐射探测器、控制与处理用元件器件、光学纤维、显示显像器件。作为信息载体的光源 　热辐射的过程是很难进行快速控制的，但可以对它发出的光束加以调制、滤波或其他处理，使光束在传播途中带上信息。热辐射以外的发光光源自然也可以在传播过程中带上信息，但更主要的是在发射过程中就带上信息。通常，采用低压即可驱动的半导体PN结发光二极管，尤其是高亮度半导体发光二极管和半导体激光器。它们具有反应快、易调制、体积小和光强大等优点。激光具有良好的单色性、相干性、方向性和高光强，这些性能有利于光通信和其他应用。 即光-电和光-光转换器，分为利用光电效应的和热效应的两类。①光电效应：分为外光电效应和内光电效应。外光电效应就是光电子发射效应，利用这种效应的器件都是真空电子器件。例如，光电倍增管，其光电阴极能将光信号转换成一维（时间）电子信号,经多次次级发射,电子倍增电极把信号增强后从阳极输出。这种器件的灵敏度高，甚至可用它组成光子计数器，用以探测单个光子。已研制成二维（空间）光子计数器，用以检测极微弱的光信息。又如像增强管，将 X射线或紫外线转换成光电阴极敏感的光，或采用对红外线灵敏的光电阴极，它使成像光电阴极上的光图像发射出相应的光电子，这些光电子经加速并成像后轰击荧光屏，输出可见光，发出更亮的光图像。它是一种光－光转换器件。这就是 X射线或紫外线像增强管和红外变像管的工作原理。这种器件能起扩展人眼对电磁波波段敏感范围的作用。利用内光电效应的器件，都是半导体器件。其主要原理是光电导和光生电动势两种效应。光电导型探测器由单一半导体制成，或制成二极管，称为半导体光电二极管。受光照时，其电阻发生变化。其中光电二极管通常在反向偏压条件下工作。如果反向偏压足够高，载流子通过PN结的电流直接反映出单位时间内探测器所接收的光能。光电二极管也可在不加偏压的条件下工作。这时，辐射的照射将使PN结的两端产生电动势，其短路电流正比于所接受的辐射功率。红外热成像系统的探测器通常是光电导型。常用的有碲镉汞、碲锡铅、锗掺汞探测器等。它们都必须在低温下工作，以降低探测器的热噪声。②热效应：利用热效应的探测器通称为热敏型探测器，主要是利用物体因受辐射照射后温度升高所引起的电阻的改变、温差电动势的产生、自发极化的改变等效应来测量辐射功率。这类探测器都用在红外波段，优点是响应率与波长无关,在室温下也能探测长波辐射等,但响应时间比光电型探测器长得多。 光的主要特征有强度、光谱、偏振、发光时间和相干性等。光束在传播中，则有方向性、发散或会聚等特征。控制元件的功能在于改变光的这些特征。为了使光束偏转、聚焦和准直等，常使用反射镜、透镜、棱镜和光束分离器等。反射镜常使用金属膜或介质膜，后者的反射系数高并具有选择性。利用全反射可制成反射镜，用于倒像、转像、分束和全反射等。为改变光束的其他特征，常用的元件有滤光片、棱镜、光栅、偏振片、斩光器、受电场控制的电光晶体和液晶等。电光开关不仅可以改变光强和偏振，还可控制光通过的持续时间，是广泛应用的一种器件。其结构是在相互正交的两块偏振片之间放进一块双折射晶体，在晶体上加一电场，则通过晶体的光偏振方向将发生旋转，转角的大小决定于电场的强度。因此，调节电场的强度就可以改变透射光的强度；改变电场的作用时间则可调制光的持续时间。利用声波对光的衍射效应，可控制光束的频率、光强和传播方向。在接近布喇格衍射的条件下，声光的相互作用使光束偏转。声频改变时，偏转角也相应地按比例变化。在衍射效应较小时，衍射光的强度与声波的强度成正比。利用信息调......>> 问题七：光器件的基本内容 将电信号转换成光信号的器件称为光源，主要有半导体发光二极管（LED）和激光二极管（LD）。将光信号转换成电信号的器件称为光检测器，主要有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）。这些年来，光纤放大器成为光有源器件的新秀，当前大量应用的是掺铒光纤放大器（EDFA），正在研究并很有应用前景的是拉曼光放大器。光无源器件是不需要外加能源驱动工作的光电子器件。包括光纤连接器、光纤耦合器、波分复用器、光衰减器和光隔离器等，是光传输系统的关节。光连接器是光无源器件中应用最广、数量最多的器件，耦合器和波分复用器次之，其它器件使用量较少。随着光通信技术的发展，密集波分复用器、大端口数矩阵光开关的需求将会逐渐增加。光器件行业处于光通信产业链的中游，为下游光系统设备商提供器件、模块、子系统等产品。光器件行业的产品较为广泛，根据功能划分，光器件行业分为无源器件和有源器件，有源器件在光器件行业中的比重高达 78%。实力较强的厂商既生产有源器件也生产无源器件，且以有源、高端产品为主，不少企业专攻某一产品领域。 问题八：光学元件常见的材料有哪些 常用的零件的材料主要有： 低碳钢：垫片、链片、齿轮、凸轮等； 中碳钢：轴、键、螺栓、齿轮、连杆等； 高碳钢：轧辊、弹簧、弹性夹头等； 铸铁：机床床身、发动机箱体、壳体等； 铝与铝合金：电器元件、航天航空用零件、散热器等； 铜与铜合金：电器元件、散热器、造纸器具、日常生活用品； 轴承合金：滑动轴承等。 问题九：什么是半导体异质结？异质结在半导体光电子器件中有哪些作用 半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构 异质结图册 ，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的导带底和价带顶都位于宽带材料的禁带中，ΔEc和ΔEv的符号相反，GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP都属于这一种。在Ⅱ型异质结中，ΔEc和ΔEv的符号相同。具体又可以分为两种:一种所示的交错式对准，窄带材料的导带底位于宽带材料的禁带中，窄带材料的价带顶位于宽带材料的价带中。另一种如图1(c)所示窄带材料的导带底和价带顶都位于宽带材料的价带中 Ⅱ型异质结的基本特性是在交界面附近电子和空穴空间的分隔和在自洽量子阱中的局域化。由于在界面附近波函数的交叠，导致光学矩阵元的减少，从而使辐射寿命加长，激子束缚能减少。由于光强和外加电场会强烈影响Ⅱ型异质结的特性，使得与Ⅰ型异质结相比，Ⅱ型异质结表现出不寻常的载流子的动力学和复合特性，从而影响其电学、光学和光电特性及其器件的参数。ic.big-bit/news/list-75 问题十：经营范围:光电子器件都包括什么 去看看

一、第一代(1946~1958)：电子管二、第二代(1958~1964)：晶体管三、第三代(1964~1971)：集成电路四、第四代(1971年以后)：大规模集成电路

电脑的基本电子器件按其发展过程，经历了电子管电脑、晶体管电脑、集成电路电脑和超大规模集成电路电脑。电子管电脑——世界上第一台计算机“ENIAC”于1946年在美国宾夕法尼亚大学诞生。美国国防部用它来进行弹道计算。它是一个庞然大物，用了18000个电子管，占地170平方米，重达30吨，耗电功率约150千瓦，每秒钟可进行5000次运算，这在现在看来微不足道，但在当时却是破天荒的。 ENIAC以电子管作为元器件，所以又被称为电子管计算机，是计算机的第一代。电子管计算机由于使用的电子管体积很大，耗电量大，易发热，因而工作的时间不能太长。晶体管电脑——晶体管制造的电子计算机。国外第二代电子计算机的生存期大约是1957-1964年。其软件开始使用面向过程的程序设计语言，如fortran、algol等。中国第一台晶体管计算机于1967年制成，运算速度为每秒五万次。集成电路电脑——采用中、小规模集成电路制造的电子计算机。1964年开始出现，60年代末大量生产。中国于1970年研制成第一台集成电路计算机。超大规模集成电路电脑——1967年和1977年分别出现了大规模和超大规模集成电路。由大规模和超大规模集成电路组装成的计算机，被称为第四代电子计算机。美国ILLIAC-IV计算机，是第一台全面使用大规模集成电路作为逻辑元件和存储器的计算机，它标志着计算机的发展已到了第四代。1975年，美国阿姆尔公司研制成470V/6型计算机，随后日本富士通公司生产出M-190机，是比较有代表性的第四代计算机。英国曼彻斯特大学1968年开始研制第四代机。1974年研制成功ICL2900计算机，1976年研制成功DAP系列机。1973年，德国西门子公司、法国国际信息公司与荷兰飞利浦公司联合成立了统一数据公司。共同研制出Unidata7710系列机。希望我能帮助你解疑释惑。

PS.原题还有（3）（3）为确定碱式碳酸铝铵的组成，进行如下实验：①准确称取5.560g样品，在密闭体系中充分加热到300℃使其完全分解且固体质量不再变化；②产生的气态物质依次通过足量浓硫酸和碱石灰装置吸收，碱石灰装置增重1.760g；③最后称得剩余固体质量为2.040g。根据以上实验数据计算碱式碳酸铝铵样品的化学组成（写出计算过程）。答案（1）防止生成Al(OH)3沉淀（2分）（2）a+3b=c+2d（2分）（3）化学式为：NH4Al(OH)2CO3（共6分）解析：n(Al2O3)=2.040g/102g·mol－1=0.0200mol，n(Al3+)=0.0400mol。（1分）通过浓硫酸洗气瓶吸收的是NH3和H2O，通碱石灰吸收的是CO2n(CO2)=1.760g/44g·mol－1=0.0400mol，n(CO32－)=0.0400mol。 （1分）根据化合物质量为 5.560g及化合物中化合价代数和为0，列方程：17 n(OH－)+ 18n(NH4+)=5.560—0.0400×60—0.0400×27n(NH4+)+0.0400×3= n(OH－)+ 0.0400×2计算得n(OH－)=0.0800 mol、n (NH4+)=0.0400mol则n(NH4+)：n(Al3+)：n(OH－) ：n(CO32－)=1：1：2：1所以化学式为：NH4Al(OH)2CO3（算出CO32－、Al3+的物质的量各得1分， 算出NH4+、OH－的物质的量各得2分，共6分）如有疑问请追问求采纳O(∩_∩)O~

从事的工作主要包括：（1）抽取样品；（2）使用仪器设备检测电子元件的电学、热学、光学、力学性能及稳定性、可靠性性能；（3）检验原材料外购件的外观及理化性能；（4）测试半导体分立器件、集成电路；（5）检验压电石英晶体、石英晶体元器件；（6）检验继电器成品；（7）检验电子陶瓷成品；（8）分测、检验铁氧体材料、元器件；（9）记录、教育处、判定检验数据；910）协助主检人员完成检验报告；（11）检查、维护仪器设备；（12）负责检验室卫生、安全工作。下列工种归入本职业：巡回检验工，成品检验工，原材料外购件检验工，半导体器件、集成电路试验工，压电石英晶体检验工，石英晶体元器件检验工，继电器成品检验工，电子陶瓷试验检测工，铁氧体材料、元件分测工，铁氧体材料、元器件检验工

一样的微电子材料与器件是微电子产业的基础。微电子器件通常分为集成电路器件、分立器件、光电器件和传感器等, 其中集成电路器件又分为微处理器、逻辑电路、模拟电路和存储器等器件。多晶硅、集成电路常用的硅抛光片、外延片、SOI片, 以及IC 制造过程中的氧化、涂光刻胶、掩模对准、曝光、显影、腐蚀、清洗、扩散、封装等工艺所需的引线框架、塑封料、键合金丝、超净高纯化学试剂、超高纯气体等均属于微电子材料。[1]微电子材料 主要是大直径（400mm）硅单晶及片材技术，大直径（200mm）硅片外延技术，150mmGaAs和100mmInP晶片及其以它们为基的III－V族半导体超晶格、量子阱异质结构材料制备技术，GeSi合金和宽禁带半导体材料等

电力电子器件又称为功率器件，通常工作于高电压、大电流的条件下，普遍具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点。而信息电力电子一般是指小功率的器件，放大能力特别是电压放大能力比较强，噪声小，但功率放大能力弱，一般工作在低电压、微电流的场合。

差别就在于功率。大功率器，允许大电流高电压。

你是问用全控型电力电子器件组成的斩波器比普通晶闸管组成的斩波器有什么好处吧。全控型电力电子器件组成的斩波器有更高的效率，更好的控制性能，更小的体积。全控型电力电子器件指的是能够通过控制电流的方向和开关时间等参数来调节电流大小的电子器件。常见的全控型电力电子器件主要包括：可控硅（SCR）、普通双向可控硅（TRIAC）、反型双向可控硅（RCT）、基孔双极输出三极管（GBT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。晶闸管（SiliconControlledRectifier，SCR）是一种半导体电子器件，由四层PNPN结构组成。其主要应用是在电力电子系统中作为开关元件，用于控制高电压、高电流的电流方向和电能输送，以实现交、直流的电能变换和控制。

电压控制型器件CMOS 一般输入内阻高 输出小 频率高 电压也可做高 电流型 一般功率大 体积相性也大 用在低压大电流电路

主要工作在开通和关断两种状态，随着其开关频率的增高，器件的开关损耗会增大。

电阻---功率电容---容值二极管-----功率三极管-----功率

电压型的驱动功率应该小，电流型的反而大一些。电压型也称为场控器件，顾名思义，只要门极相对源极（以MOS为例）的电势高于门限，即可开通。而门极输入阻抗很高，除了需要给结电容充电的微小电流之外，几乎不需要电流，所以需要的驱动功率很小。

电压驱动型的电力电子器件反并联一个二极管是为了吸收反向电势（电压），以保护电子器件不被反向电压所击穿。　　反向并联的二极管，通常都叫“反向保护二极管”。尤其是电压驱动型的电路，产生的反向感应电压较高，很容易击穿电子器件。　　反向感应电压现象，是指一旦关机或断电时，电路中的电流会从最大值或正常值，一下子变为0。这一瞬变过程，会引起电感线圈中的磁场突变，而突然变化的磁场，就会产生一个反向的高压，即反向感应电压现象。　　假如，没有反向保护二极管，反向电压就直接加在电子器件上，电子器件的反向电压承受能力不高的话，就很容易被击穿而产生故障。有了反向保护二极管就可以将反向电压直接短路了，从而保护电力电子器件免受反向电压之苦。

不属于，薄膜电容属于电子元件才是

SCR叫普通晶闸管。属于双极型的器件，阻断电压高，通态压降低，电流容量大，但工作频率低，使用大中容量变流设备。IGBT复合型器件，是GTR和MOS的混合也具有通态压降低，电流容量大的优点，更具有，输入阻抗高，响应速度快，控制简单的优点。SCR频率最高才差不多十的四次方，但是功率很大，IGBT十的八次方频率。

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开或关，一个电压为低，一个电流低，自然功率低。

晶闸管、可关断晶闸管、电力晶体管、电力MOS管、绝缘栅双极型晶体管

一般情况下，电力电子器件工作在开关状态，发热原因主要有两个因素引起的：电路电子器件自身的功率损耗（主要因素）；驱动电路向其注入的功率（次要因素）。解决办法：在器件封装过程中注意散热设计，必要的时候安装散热器或采取其他合理的风冷、水冷等冷却措施。

流过电流大小由加在控制端的电压大小决定

二者的作用不同，目的不同缓冲电路是为了避免在开通和关断电力电子器件的过程中出现过大的电流和电压而损坏电力电子器件，因为电力电子器件很昂贵而且很脆弱经不起过大的电流和电压，而软开关电路是为了降低开通和关断电力电子器件造成的开关损耗，从而提高效率。实际中，由于很多电力电子电路采用PWM控制，从而使得电力电子器件开通和关断很频繁，而开通和关断是存在损耗的，如果不采取措施则损耗很大，造成整个电力电子装置的效率很低。

通常情况下电力电子器件功率损耗主要是器件发热，谐波，容抗，感抗等原因造成器件功率损耗。

.B:MOSFETC:IGBT.

电力电子器件与电子信息期间的相同点与不同点是什么？他们的相同点都是信息性的不同点就是先进和一个被淘汰的。

电力电子器件是用半导体做的高速电子开关，其开关的速度远远高于机械开关，高的可以达到3MHz（也就是每秒钟开关3百万次），普通的也有几千次或者几万次。而机械开关，无论如何达不到这么高的开关频率。另外，在电路中使用机械开关，还不可避免的会出现打火（出现火星，如果周围有易燃物的话，会引发火灾），机械疲劳等情况，一般开关数万次以上，就很有可能出现误动作，或者干脆因为金属疲劳损坏了。机械开关相对使用比较简单，价格也还算便宜。不过对搞电子的人来说，机械开关的使用频度和重要性远赶不上以MOSFET，IGBT，固态继电器为代表的电子开关。

电力电子器件有整流模块、逆变模块，也就是igbt这种使用的最多

你的问题够大、多了，要回答全需要图文并茂，够成论文了。简单回答，可以一起探讨。寄生二极管的作用是避免因为在关断状态时源极和漏极可能出现的反向电压，导致电压过高而击穿管子。MOS管有可能因为漏源电压变化率过大或者漏极电流过大而产生失控的后果。晶闸管包括GTO是有二次击穿的问题。晶闸管串联时，并联电阻由于半导体器件非线性和参数离散性，所以起不到动态均压的作用，只能起到静态均压的作用。电力电子器件主要工作在饱和区或截止区，这时损耗较小，但栅极电压（门极电压）对主电路电流有着约束关系，实际电路要求驱动电路上升前沿陡，有一定的驱动功率，在尽可能短时间内使其快速导通或关断。

通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件，又称为自关断器件；这类器件很多，门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor—GTO），电力场效应晶体管（Power MOSFET），绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）均属于此类[1]。

功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用。由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高，中国功率器件市场一直保持较快的发展速度。国家统计局数据显示，2010年中国功率器件行业共有规模以上企业498家，全行业实现销售收入1015.11亿元，同比增长6.86%;实现利润总额85.27亿元，同比增长47.54%。从企业经济类型来看，三资企业数量最多，其企业数量占行业数量的47.19%。从企业数量、销售收入以及资产规模来看，江苏、广东和浙江等省所占的份额居多。

数电应用于低压环境下，器件的额定值对电压、电流的要求低，而电力电子器件多用于相对高的电压整流和逆变中，其额定值对电压电流要求高，若用数电器件可能造成器件损坏，电路不能正常工作。

防止步骤错乱。电力电子器件需要信息电子电路来控制，电力电子器件的系统组成不能出错，防止步骤错乱，所以要安装如图所示装置。

功耗，电压，电流

发动机系统中电力电子技术的应用目前的汽车普遍存在着同时使用多种电源的现象，通过电力电子技术可以使汽车中的不同功能都能最大限度的发挥出自身功效。例如，使功率管理和能量管理达到最佳效果，提高其运作的可靠性和效率。燃油喷射装置中电力电子系统的应用由电力电子进行控制的燃油喷射装置，其优越的工作性能使之在当前汽车行业中得到了广泛使用。由电力电子进行控制的燃油喷射装置能够最大限度的提高发动机的工作性能，保证发动机在进行功率输出时能够有效的净化空气和节约燃油。自动变速器中电力电子系统的应用自动变速器通常可以通过对发动机的工作状态、车速、转速、载荷以及各种发动机工作中的各种参数的判断与计算，整合后对变速杆的位置进行自动化的改变，从而合理的控制变速器的换挡工作，使变速器达到最佳换挡时间和最佳档位。电子稳定控制系统电子稳定控制系统具有功能全面的特点，同时对各种功能进行了改进。电子稳定控制系统不同于普通控制系统，它在对汽车驱动轮进行控制的同时，也能够对从动轮进行有效的控制。可变电压系统概括汽车制造业利用电力电子技术对变压器进行了改良，将可变压系统取代了电池电压的转换方式。为了保证发动机系统的能量流向与结构能够保持一致，在原有系统的基础上，可变电压系统采用了升压变换器，从而解决了原有系统体积大、能量损耗多的现状，优化了整个系统的性能。请添加详细解释

SI器件和SIC器件的比较两者主要是性能不同。SiC是什么?碳化硅(SiC)是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 β-SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α-SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。相比于Si器件，SiC功率器件的优势：作为一种宽禁带半导体材料，SiC对功率半导体可以说是一个冲击。这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上;在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。SiC器件的工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃。因为这些特性，SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于Si 器件难以胜任的场合。以SiC肖特基二极管为例，它是速度最快的高压肖特基二极管，无需反向恢复充电，可大幅降低开关损耗、提高开关频率，适用于比采用硅技术的肖特基二极管高得多的操作电压范围，例如，600V SiC肖特基二极管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二极管可以用作48~60V快速输出开关电源的整流二极管，而1，200V SiC肖特基二极管与硅IGBT组合后可以作为理想的续流二极管。采用硅材料的MOSFET在提高器件阻断电压时，必须加宽器件的漂移区，这会使其内阻迅速增大，压降增高，损耗增大。阻断电压范围在1，200~1，800V的硅MOSFET不仅体积大，而且价格昂贵。IGBT虽然在高压应用时可降低导通功耗，但若开关频率增加时，开关功耗亦随之增大。因此IGBT在高频开关电源上亦有其本身的限制。而用SiC做衬底的MOSFET，可轻易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其开关特性(结电容值，开关损耗，开关波型等)则与100多伏的硅MOSFET相若，导通电阻更可低至毫欧值。在高压开关电源应用上，完全可取代硅IGBT并可提高系统的整体效率以及开关频率。价格差异：单就Si器件和SiC器件的价差来看，确实有较大的差异，但如果从SiC器件带来的系统性能提升来看，将会发现其带来的总体效益远远超过两类器件的价差。在SiC特别适合的高压应用中，如果充分发挥SiC器件的特性，这一整体优势表现得非常明显。

限制di/dt,du/dt。

1、 缓冲电路的作用与基本类型电力电子器件的缓冲电路(snubber circuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。晶闸管开通时，为了防止过大的电流上升率而烧坏器件，往往在主电路中串入一个扼流电感，以限制过大的di/dt，串联电感及其配件组成了开通缓冲电路，或称串联缓冲电路。晶闸管关断时，电源电压突加在管子上，为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率，以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发，需要在晶闸管的两端并联一个RC网络，构成关断缓冲电路，或称并联缓冲电路。 GTR、GTO等全控型自关断器件在实际使用中都必须配用开通和关断缓冲电路;但其作用与晶闸管的缓冲电路有所不同，电路结构也有差别。主要原因是全控型器件的工作频率要比晶闸管高得多，因此开通与关断损耗是影响这种开关器件正常运行的重要因素之一。例如，GTR在动态开关过程中易产生二次击穿的现象，这种现象又与开关损耗直接相关。所以减少全控器件的开关损耗至关重要，缓冲电路的主要作用正是如此，也就是说GTR和功率MOSFET用缓冲电路抑制di/dt和du/dt，主要是为了改变器件的开关轨迹，使开关损耗减少，进而使器件可靠地运行。 没有缓冲电路时GTR开关过程中集电极电压uCE和集电极电流iC的波形，开通和关断过程中都存在uCE和iC同时达到最大值的时刻;因此出现了瞬时的最大开关损耗功率Pon和Poff，从而危及器件的安全。所以，应采用开通和关断缓冲电路，抑制开通时的di/dt，降低关断时的du/dt，使uCE和iC的最大值不会同时出现。 GTR开关过程中的uCE和iC的轨迹，其中轨迹1和2是没有缓冲电路的情况，开通时uCE由UCC(电源电压)经矩形轨迹降到0，相应地iC由0升到ICM;关断时iC由ICM经矩形轨迹降到0，相应地uCE由0升高到UCC。不但集电极电压和电流的最大值同时出现，而且电压和电流都有超调现象，这种情况下瞬时功耗很大，极易产生局部热点，导致GTR的二次击穿而损坏。加上缓冲电路后，uCE和iC的开通与关断轨迹分别如3和4所示，由可见，其轨迹不再是矩形，避免了两者同时出现最大值的情况，大大降低了开关损耗，并且最大程度地利用于GTR的电气性能。GTR的开通缓冲电路用来限制导通时的di/dt，以免发生元件的过热点，而且它在GTR逆变器中还起着抑制贯穿短路电流的峰值及其di/dt的作用。GTO的关断缓冲电路不仅为限制GTO关断时再加电压的du/dt及过电压，而且对降低GTO的关断损耗，使GTO发挥应有的关断能力，充分发挥它的负荷能力起重要作用。IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于IGBT的工作频率可以高达30~50kHz;因此很小的电路电感就可能引起颇大的LdiC/dt，从而产生过电压，危及IGBT的安全。PWM逆变器中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。在iC下降过程中IGBT上出现了过电压，其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。 为开通时的uCE和iC波形，增长极快的iC出现了过电流尖峰iCP，当iCP回落到稳定值时，过大的电流下降率同样会引起元件上的过电压而须加以吸收。逆变器中IGBT开通时出现尖峰电流，其原因是由于在刚导通的IGBT负载电流上叠加了桥臂中互补管上反并联的续流二极管的反向恢复电流，所以在此二极管恢复阻断前，刚导通的IGBT上形成逆变桥臂的瞬时贯穿短路，使iC出现尖峰，为此需要串入抑流电感，即串联缓冲电路，或放大IGBT的容量。 综上所述，缓冲电路对于工作频率高的自关断器件，通过限压、限流、抑制di/dt和du/dt，把开关损耗从器件内部转移到缓冲电路中去，然后再消耗到缓冲电路的电阻上，或者由缓冲电路设法再反馈到电源中去。此缓冲电路可分为两在类，前一种是能耗型缓冲电路，后一种是反馈型缓冲电路。能耗型缓冲电路简单，在电力电子器件的容量不太大，工作频率也不太高的场合下，这种电路应用很广泛。

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。例如隔离栅晶体管,既具有MOS功率场效应晶体管的栅控特性，又具有双极型功率晶体管的电流传导性能，它容许的电流密度比双极型功率晶体管高几倍。静电感应晶闸管保存了晶闸管导通压降低的优点，结构上避免了一般晶闸管在门极触发时必须在门极周围先导通然后逐步横向扩展的过程，所以比一般晶闸管有更高的开关速度，而且容许的结温升也比普通晶闸管高。这些新器件，在更高的频率范围内满足了电力电子技术的要求。功率集成电路指在一个芯片上把多个器件及其控制电路集合在一起。其制造工艺既概括了第一代功率电子器件向大电流、高电压发展过程中所积累起来的各种经验，又综合了大规模集成电路的工艺特点。这种器件由于很大程度地缩小了器件及其控制电路的体积，因而能够有效地减少当器件处于高频工作状态时寄生参数的影响，这对提高电路工作频率和抑制外界干扰十分重要。 2014年，美国奥巴马政府连同企业一道投资1.4亿美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute ，发展新一代宽禁带电力半导体器件 。

1、开关器件，在switch的过程中的损耗，recovery什么的2、 开关器件在导通时的损耗（器件具体损耗要看手册并且根据提供者给出的软件仿真测试））3 、除了开关器件，电力二极管在导通和恢复过程中也有很大的能量损耗4 、开关器件（IGBT mosfet什么的）的电容和电感能量转化造成的电能损失，整体上来说就是 Won Woff WD WC WLon的就是导通时的，off开关过程中的，D是二极管的，C L是电感电容的。扩展资料：各种电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。功率二极管是二端(阴极和阳极)器件，其器件电流由伏安特性决定，除了改变加在二端间的电压外，无法控制其阳极电流，故称不可控器件。普通晶闸管是三端器件，其门极信号能控制元件的导通，但不能控制其关断，称半控型器件。可关断晶闸管、功率晶体管等器件，其门极信号既能控制器件的导通，又能控制其关断，称全控型器件。后两类器件控制灵活，电路简单，开关速度快，广泛应用于整流、逆变、斩波电路中，是电动机调速、发电机励磁、感应加热、电镀、电解电源、直接输电等电力电子装置中的核心部件。这些器件构成装置不仅体积小、工作可靠，而且节能效果十分明显(一般可节电10%～40%)。

没有任何关系

电力晶闸管scr，门极可关断晶闸管gto，电力三极管gtr

20世纪50年代，电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。60年代发展起来的晶闸管，因其工作可靠、寿命长、体积小、开关速度快，而在电力电子电路中得到广泛应用。70年代初期，已逐步取代了汞弧闸流管。80年代，普通晶闸管的开关电流已达数千安，能承受的正、反向工作电压达数千伏。在此基础上，为适应电力电子技术发展的需要，又开发出门极可关断晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管等一系列派生器件，以及单极型MOS功率场效应晶体管、双极型功率晶体管、静电感应晶闸管、功能组合模块和功率集成电路等新型电力电子器件。各种电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。功率二极管是二端(阴极和阳极)器件，其器件电流由伏安特性决定，除了改变加在二端间的电压外，无法控制其阳极电流，故称不可控器件。普通晶闸管是三端器件，其门极信号能控制元件的导通，但不能控制其关断，称半控型器件。可关断晶闸管、功率晶体管等器件，其门极信号既能控制器件的导通，又能控制其关断，称全控型器件。后两类器件控制灵活，电路简单，开关速度快，广泛应用于整流、逆变、斩波电路中，是电动机调速、发电机励磁、感应加热、电镀、电解电源、直接输电等电力电子装置中的核心部件。这些器件构成装置不仅体积小、工作可靠，而且节能效果十分明显(一般可节电10%～40%)。单个电力电子器件能承受的正、反向电压是一定的，能通过的电流大小也是一定的。因此，由单个电力电子器件组成的电力电子装置容量受到限制。所以，在实用中多用几个电力电子器件串联或并联形成组件，其耐压和通流的能力可以成倍地提高，从而可极大地增加电力电子装置的容量。器件串联时，希望各元件能承受同样的正、反向电压；并联时则希望各元件能分担同样的电流。但由于器件的个异性，串、并联时，各器件并不能完全均匀地分担电压和电流。所以，在电力电子器件串联时，要采取均压措施；在并联时，要采取均流措施。电力电子器件工作时，会因功率损耗引起器件发热、升温。器件温度过高将缩短寿命，甚至烧毁，这是限制电力电子器件电流、电压容量的主要原因。为此，必须考虑器件的冷却问题。常用冷却方式有自冷式、风冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸发冷却式等。

常用全控型电力电子器件有哪几种？[1]门极可关断晶闸管（Gate Turn Off THyristor，GTO）。GTO可以通过在门极施加脉冲电流使其开通或关断，所以它是电流控制型的全控型器件。电力晶体管（Giant Transistor，GTR），GTR也是电流控制型器件。电力场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）。常说的MOSFET就属于这一类，即绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor FET，MOSFET），为了与一般MOSFET相区别，也称为电力MOSFET（Power MOSFET）。电力MOSFET属于电压控制性器件。绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）。电压控制型器件。2.单相桥式整流电路带电阻性负载，输入正弦交流电压的有效值为220V。考虑晶闸管2倍的安全裕量，应选取额定电压为多少伏的晶闸管？[2]单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。按照2倍安全裕量选取，晶闸管的额定电压应不小于：sqrt(2)*220*2=1.414*220*2=622.16V参考文献：[1] 王兆安，黄俊主编，电力电子技术，第四版，机械工业，北京，pp. 21-33。[2] 王兆安，黄俊主编，电力电子技术，第四版，机械工业，北京，pp. 47。

电力电子器件组成的系统，一般由（）组成。 A.控制电路 B.驱动电路 C.电力电子器件 D.保护电路 正确答案：ABCD

电力电子器件的分类共有四大类！ 其中每类又能分出多种不同类型： 一、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类： 1、半控型器件，例如晶闸管； 2、全控型器件，例如（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效 应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）； 3、不可控器件，例如电力二极管。 二、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类： 1、电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）； 2、电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。 三、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类： 1、脉冲触发型，例如晶闸管、GTO； 2、电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。 四、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类： 1、双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR； 2、单极型器件，例如MOSFET、SIT； 3、复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）和IGBT。

主要分为开关管损耗和磁性器件损耗，开关管损耗包括导通损耗和开关损耗，磁性器件损耗包括铁损和铜损，具体怎么计算你要看一下相关方面的资料！~

导通时器件有压降产生功耗，开关切换过程中电压电流交叠产生功耗。我不知道这样解释有什么不清楚的地方。开关器件工作在开关状态，但是在开通状态下器件的电阻不是0，MOS管有导通电阻，IGBT有导通压降，流过一定的电流就会产生功耗（热量），开关转换过程中电压电流不为0的交叉时间内也会有功耗。关断状态下也有漏电流。一共三点。总结：因为实际的器件不是理想中的开关。

可控硅 IGBT

外因：主要来自系统操作过程和雷击等外因 操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起 雷击过电压：由雷击引起内因：主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的续流二极管在换相结束后，不能立即恢复阻断能力，有较大的反向电流流过，当恢复阻断能力后，反向电流急剧减小，会因线路电感在器件两端感应出过电压。 关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压

电力电子器件太多了，你上面列举的IGBT、SCR、P-MOSFET只是功率开关类，事实上此类用的多的还有N-MOS、BJT等；理想的电力电子功率开关器件，最好是耐压耐流无限大、导通阻抗无限小、开通关断传输延迟时间等无限小，上述的器件各有各的优点，看用在什么场合；高频小容量建议采用MOSFET，具体是P型还是N型看拓扑，MOSFET没有电流拖尾效应，比较适合工作在高频下；直流输电系统目前国内技术比较领先，但是比较少，只是建了几块试验田，好像有些东西还涉密~~你可以试试看搜搜论文。才疏学浅，不知道能不能帮到你。

为了提高效率、减少电力电子器件本身的损耗，电力电子器件都是在开关状态下工作的。

IGBT

主要参数有：1、最大工作电压（耐压），2、最大工作电流，3、控制电压或电流。其它参数有：开关频率、关断漏电流。