电阻

光敏电阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器，其工作原理是基于内光电效应。光照愈强，阻值就愈低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。光敏电阻的特殊性能，随着科技的发展将得到极其广泛应用。光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化

光敏电阻是半导体材料，无光照时，载流子极少，导电性能不好。随着光照的增强，载流子增多，导电性能增强。

因为光敏电阻和光的颜色有关系，和光的强度有关系，强度越高阻值越大。

光敏电阻或光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。结构原理光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器，表面还涂有防潮树脂，具有光电导效应。光敏电阻的工作原理是基于内光电效应，即在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻。为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。当光敏电阻受到光照时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，成为自由电子，同时产生空穴，电子—空穴对的出现使电阻率变小。光照愈强，光生电子—空穴对就越多，阻值就愈低。当光敏电阻两端加上电压后，流过光敏电阻的电流随光照增大而增大。入射光消失，电子—空穴对逐渐复合，电阻也逐渐恢复原值，电流也逐渐减小。光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。当有光照时，材料中激发出自由电子和空穴，其电阻值减小，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻器的光照特性在大多数情况下是非线性的，只有在微小的范围内呈线性，光敏电阻器的电阻值有较大的离散性（电阻变化、范围大无规律）。光敏电阻器的灵敏度是指光敏电阻器不受到光照是的电阻值（暗阻）和受到光照时电阻值（亮阻）的相对变化值。光敏电阻的暗阻和亮阻间阻值之比约为1500：1，暗阻值越大越好，使用时给其施加直流或交流偏压，MG型光敏电阻器适用于可见光。其主要用于各种自动控制电路、光电计数、光电跟踪、光控电灯、照相机的自动暴光及彩色电视机的亮度自动控制电路等场合。

光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻如图所示。为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。构成光敏电阻的材料有金属的硫化物、硒化物、碲化物等半导体。 半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。当光敏电阻受到光照时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，成为自由电子，同时产生空穴，电子—空穴对的出现使电阻率变小。光照愈强，光生电子—空穴对就越多，阻值就愈低。当光敏电阻两端加上电压后，流过光敏电阻的电流随光照增大而增大。入射光消失，电子-空穴对逐渐复合，电阻也逐渐恢复原值，电流也逐渐减小。

光照增强，光敏电阻的阻值增大。光敏电阻，入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体 及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。扩展资料参数特性 ：（1）光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下，当有光照射时，流过的电流称为光电流，外加电压与光电流之比称为亮电阻，常用“100LX”表示。（2）暗电流、暗电阻。光敏电阻在一定的外加电压下，当没有光照射的时候，流过的电流称为暗电流。外加电压与暗电流之比称为暗电阻，常用“0LX”表示。（3）灵敏度。灵敏度是指光敏电阻不受光照射时的电阻值（暗电阻）与受光照射时的电阻值（亮电阻）的相对变化值。（4）光谱响应。光谱响应又称光谱灵敏度，是指光敏电阻在不同波长的单色光照射下的灵敏度。若将不同波长下的灵敏度画成曲线，就可以得到光谱响应的曲线。（5）光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出，随着的光照强度的增加，光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度，则电阻值变化减小，然后逐渐趋向平缓。在大多数情况下，该特性为非线性。参考资料来源：百度百科-光敏电阻

你发错版了,以后应发在工程或物理才对. 阻值减小只是因为电阻特性而已,其阻值与入射光量有关,而与电压、电流无关 也就是说为了找到阻值减小的而去试验才得到或发现的. 光敏电阻的工作原理是基于内光电效应.在半导体光敏材料两端装上电极引线,将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻如图所示.为了增加灵敏度,两电极常做成梳状.构成光敏电阻的材料有金属的硫化物、硒化物、碲化物等半导体. 半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少.当光敏电阻受到光照时,价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带,成为自由电子,同时产生空穴,电子—空穴对的出现使电阻率变小.光照愈强,光生电子—空穴对就越多,阻值就愈低.当光敏电阻两端加上电压后,流过光敏电阻的电流随光照增大而增大.入射光消失,电子-空穴对逐渐复合,电阻也逐渐恢复原值,电流也逐渐减小. 光敏电阻的主要参数 光敏电阻主要参数有亮电阻、暗电阻、时间常数、光谱特性、温度系数和照度指数等. ①亮电阻：一般规定在a光源,色温(2854±50)k,照度1001x条件下测得. ②暗电阻：在01x下测得,由于它会随时间延长而增加,所以规定时间30s. ③时间常数：当光敏电阻在01x上升到1001x时,电阻到达稳定状态的63％所需的时间,也称为惯性,编程器. ④光谱特性：表示光敏电阻对不同波长的光照敏感程度,光谱响应最敏感的波长称为光谱响应峰值. ⑤温度系数：温度变化1℃,亮电阻的相对变化,一般规定在1001x下试. ⑥照度指数：表征光照与亮电阻的关系曲线称为照度指数,一般在照度为llx、101x、1001x、10001x分段测试. 典型光敏电阻参数举例. ·光敏电阻mg41—2：外径尺寸9．2mm；额定功率20mw；亮电阻《1～10kgl；暗电阻》0．1～10mgl；使用环境温度-40～70~c；时间常数《20ms；最高工作电压100v. ·光敏电阻mg41—4：外径尺寸9．2mm；额定功率100mw；亮电阻《100～200fl；暗电阻》50～1000mfl；使用环境温度一40～70~c；时间常数

光敏电阻阻值随光强变化，光线越强，阻值越小。光敏电阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。扩展资料工作原理光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。参考资料来源：百度百科－光敏电阻

光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。

在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压，其中便有电流通过，受到适当波长的光线照射时，电流就会随光强的增加而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。光敏电阻是采用半导体材料制作，利用内光电效应工作的光电元件。它在光线的作用下其阻值往往变小，这种现象称为光导效应，因此，光敏电阻又称光导管。　　结构原理　　光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器，表面还涂有防潮树脂，具有光电导效应。光敏电阻的工作原理是基于内光电效应，即在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻。为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。　　半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。当光敏电阻受到光照时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，成为自由电子，同时产生空穴，电子—空穴对的出现使电阻率变小。光照愈强，光生电子—空穴对就越多，阻值就愈低。当光敏电阻两端加上电压后，流过光敏电阻的电流随光照增大而增大。入射光消失，电子—空穴对逐渐复合，电阻也逐渐恢复原值，电流也逐渐减小。　　光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。当有光照时，材料中激发出自由电子和空穴，其电阻值减小，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。　　光敏电阻器的光照特性在大多数情况下是非线性的，只有在微小的范围内呈线性，光敏电阻器的电阻值有较大的离散性（电阻变化、范围大无规律）。　　光敏电阻器的灵敏度是指光敏电阻器不受到光照是的电阻值（暗阻）和受到光照时电阻值（亮阻）的相对变化值。光敏电阻的暗阻和亮阻间阻值之比约为1500：1，暗阻值越大越好，使用时给其施加直流或交流偏压，MG型光敏电阻器适用于可见光。其主要用于各种自动控制电路、光电计数、光电跟踪、光控电灯、照相机的自动暴光及彩色电视机的亮度自动控制电路等场合。它的工作原理是：用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，然后接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。光敏电阻的原理结构如图所示。在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子—空穴对增加了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将逐渐复合，光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压，其中便有电流通过，受到适当波长的光线照射时，电流就会随光强的增加而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。光敏电阻是利用半导体光电导现象来探测光信号的器件。它可以是单晶薄片、多晶薄片、烧结成的多晶薄膜、真空蒸发薄膜、化学淀积薄膜或溅射膜等。

　　光敏电阻，又称为光导管，主要制作材料为硫化镉、硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等化学物质，这些物质有一个共同点，就是在特定波长的光照条件下，阻值能够迅速减小。原因则是因为光照产生的参与导电的载流子，能够在外加电场的作用下作漂移运动，电子流向电源的正极，空穴则流向电源的负极，电阻的阻值迅速降低。　　　　光敏电阻的工作原理主要是基于光电效应，在半导体的两端装上电极引线，再装上管壳，就组成了最简单的光敏电阻。而一般情况下，为了增加电阻的灵敏度，会将两端的电极做成梳状，半导体材料一般是金属的硫化物、硒化物和碲化物等，通常采用的方法也是涂敷、喷涂等手段进行封装。　　　　光敏电阻的显著特点就是具有光电特性，所谓的光电特性指的是电阻的阻值会随着入射光的增强而减小，当入射光的强度变弱的时候，电阻的阻值反而会增大，利用的是半导体的光电效应的原理。一般用在对于光的测量、控制还有光电转换的用途中，常用的光敏电阻由半导体材料制成的，在黑暗条件下，光敏电阻的阻值可达到1-10M欧;在强光的条件下，阻值则是达到了几百甚至几千欧姆。光敏电阻对于光的敏感性的程度与人对可见光的感应十分接近，只要是人眼可以感受到的光，都会引起光敏电阻的阻值的变化。　　　　光敏电阻的第二个特点就是伏安特性，因为光敏电阻本质是电阻，因此符合欧姆定律，也就是光敏电阻的伏安特性。　　温度特性指的是光敏电阻的相对光电导率会随着温度的升高而下降。光敏电阻的时间相应比其他的光电器件略大，频率的响应也要较低，且具有其自己的特殊性。还具有光谱响应、噪声特性等特点。　　　　根据光敏电阻的特点，可以将光敏电阻分为三种类型：紫外光敏电阻，红外光敏电阻，可见光敏电阻。其中紫外光敏电阻主要是用于探测紫外线，包括有硫化镉、硒化镉光敏电阻器等;红外光敏电阻则是广泛用于国防、科学研究和工农业生产中，例如导弹制导、天文探测、人体病变探测、红外光谱、红外通信等用途中;可见光敏电阻则是用途最为广泛的光敏电阻，主要用于各种光电控制系统中，如路灯等照明系统的自动亮灭系统、照相机的自动曝光装置、光电计数器等装置中。

光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻如图所示。为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。构成光敏电阻的材料有金属的硫化物、硒化物、碲化物等半导体。 　半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。当光敏电阻受到光照时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，成为自由电子，同时产生空穴，电子—空穴对的出现使电阻率变小。光照愈强，光生电子—空穴对就越多，阻值就愈低。当光敏电阻两端加上电压后，流过光敏电阻的电流随光照增大而增大。入射光消失，电子-空穴对逐渐复合，电阻也逐渐恢复原值，电流也逐渐减小。祝事事顺利，生活愉快！如果我的解答对你有帮助，一定要选为最佳答案鼓励我一下哦。

1、工作原理：光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。2、结构原理：光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器，表面还涂有防潮树脂，具有光电导效应。光敏电阻的工作原理是基于内光电效应，即在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻。

工作原理光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。扩展资料：优缺点优点①在强光照射下光电转换线性较差;②光电驰豫过程较长,光电导的驰豫现象：即光照后,半导体的光电导随光照时间逐渐上升,经一段时间到达定态值。光照停止后,光电导逐渐下降;③频率响应(器件检测变化很快的光信号的能力)很低。 内部的光电效应和电极无关（光电二极管才有关），即可以使用直流电源灵敏度和半导体材料、以及入射光的波长有关环氧树脂胶封装 (Coated with epoxy) 可靠性好 (Good reliability) 体积小 (Small volume) 灵敏度高 (High sensitivity) 反应速度快 (Quick response) 光谱特性好 (Good spectrum characteristic)缺点①在强光照射下光电转换线性较差;②光电驰豫过程较长,光电导的驰豫现象：即光照后,半导体的光电导随光照时间逐渐上升,经一段时间到达定态值。光照停止后,光电导逐渐下降;③频率响应(器件检测变化很快的光信号的能力)很低。受温度影响较大，响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高），是耗材。参考资料：百度百科---光敏电阻

就是随着外界光线强弱变化而变化的电阻！

根据伏安特性，固定2个常量（电压和照度），电流越大，电阻越小，此时光敏电阻等同于电阻

你好，光敏二极管是一种采用PN结单向导电性能的结型光电器件，也叫光电二极管，能够将光信号变成电信号的探测器件，通过在PN结加上反向电压，在光的照射下反向导通，光敏二极管所用材料一般有硅、锗等。光敏二极管一般有ZDU型和ZCU型两种。一般常用的是ZCU型,它是全密封、金属外壳、顶部有玻璃窗口。光敏二极管具有体积小、重量轻、使用寿命长、灵敏度高等特点。光敏电阻,当光照着时,阻值会变小.光电二极管和光电三极管,是配对使用的,一般是制作在一起,当光电二极管发光时,光源直接照在光电三极管的基极上,这时,它的"集电极和发射极"就导通了,光的强弱直接关系到两极导通角的大小.固态继电器就是根据这原理,用小电流去控制大电流,用低电压去控制高电压的.

半导体特性

光照在光敏电阻上时，光敏电阻减小，当光照度变弱时电阻增大。

将外界环境中的光线能量转换为电能。1、外壳用于对周围环境进行量测。2、内部电阻片用于将光线能量转换为电能。

光敏电阻是光改变材料电阻值，光电效应是光对材料产生光压，从而产生电压。相同点就是光作用在材料上，使材料属性发生改变。

这是由RG光敏电阻控制的光控电路。工作原理如下：RP和R1、RG组成VT1的基极偏置电阻。RG受光照阻值变小，VT1基极电压下降；反之，无光照时，基极电压抬高。1、有光照。VT1基极电压降低，VT1截止，发射极电压接近0V，VT2截止，继电器K不动作。2、无光照。VT1基极电压上升，VT1导通，电流流过R2，VT1发射极电压抬升，VT2导通，集电极电压接近0V，继电器K被施加约12V电压，激励动作。

光敏电阻响应时间的测量原理是基于光电效应。当光敏电阻受到光线照射时，其电阻值会发生变化，变化程度与光线强度成反比。在测量光敏电阻响应时间时，需要使用一个电路来测量光敏电阻的电阻值变化。具体方法是在电路中连接一个电源、一个电阻和一个光敏电阻，当光敏电阻受到光线照射时，其电阻值会发生变化，从而影响电路中的电流大小。通过测量电路中的电流变化，可以计算出光敏电阻的响应时间。在实际应用中，还需要考虑温度、湿度等因素对光敏电阻的影响，以及光敏电阻的响应速度。因此，在测量光敏电阻响应时间时，需要进行修正和调整，以得到准确的结果。

这是由RG光敏电阻控制的光控电路。工作原理如下：RP和R1、RG组成VT1的基极偏置电阻。RG受光照阻值变小，VT1基极电压下降；反之，无光照时，基极电压抬高。1、有光照。VT1基极电压降低，VT1截止，发射极电压接近0V，VT2截止，继电器K不动作。2、无光照。VT1基极电压上升，VT1导通，电流流过R2，VT1发射极电压抬升，VT2导通，集电极电压接近0V，继电器K被施加约12V电压，激励动作。

光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器，其工作原理是基于内光电效应。光照愈强，阻值就愈低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。光敏电阻的特殊性能，随着科技的发展将得到极其广泛应用。[1]光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。

光敏电阻是用半导体制作的，半导体有一个特性，对温度，压力，光照，声音等等外界因素敏感，当条件变化时，电阻大小随之变化。光敏电阻就是电阻随着光照电阻值发生变化。从而有利于自动控制。

光敏电阻又称光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

一、光敏电阻的特性1、时延特性当光敏电阻受到脉冲光照射时，光电流要经过 一段时间才能达到稳定值，而在停止光照后，光电流 也不立刻为零，这就是光敏电阻的时延特性。2、光照特性从光敏电阻的光照特性曲线可以看出，随着的光照强度的增加，光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度，则电阻值变化减小，然后逐渐趋向平缓。在大多数情况下，该特性为非线性。3、伏安特性在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与电 流之间的关系称为伏安特性。在给定偏压下,光照度较大，光电流也越大。在一定的光照度下，所加的电 压越大，光电流越大，而且无饱和现象。但是电压不能无限地增大，超过最高工作电压和最大额定电流，可能导致光敏电阻永久性损坏。二、工业运用光敏电阻属半导体光敏器件，除具灵敏度高，反应速度快，光谱特性及r值一致性好等特点外，在高温，多湿的恶劣环境下，还能保持高度的稳定性和可靠性，可广泛应用于照相机、太阳能庭院灯、草坪灯、验钞机、石英钟、音乐杯、礼品盒、迷你小夜灯、光声控开关、路灯自动开关以及各种光控玩具、光控灯饰、灯具等光自动开关控制领域。扩展资料光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。参考资料来源：百度百科-光敏电阻

　　光敏电阻是受到不同波长的光照射时拥有不同阻值的电阻。利用这个对光敏感的特性，光敏电阻主要被运用在测量、控制和光电转换领域。因性质和用途都与普通电阻不同，光电阻需要被关注的参数也是与传统电阻不一样，主要有：　　　　1、暗电阻与暗电流　　在室温且没有光线照射的环境下，对光敏电阻进行电阻测量，所测的稳定电阻便为暗电阻，也被称为暗阻，不同电压下的电流则称之为暗电流。　　　　2、亮电阻与光电流　　同理，在室温且一定强度光线照射的环境下，测得的光敏电阻阻值为亮电阻，也叫亮阻。而测得的电流也就叫光电流。　　　　3、灵敏度　　灵敏度是指光敏电阻的暗电阻与亮电阻的相对变化。它主要表示了光敏电阻对照射光的敏感度，是光敏电阻的主要参数之一。　　　　4、最高工作电压　　最高工作电压是指光敏电阻在额定功率下工作时所能承受的最高电压。这个参数主要表示光敏电压的使用范围，也是在实际应用中首先要注意的参数。　　5、伏安特性曲线　　伏安特性可谓电阻的属性，光敏电阻的伏安特性是指在一定光照情况下的电阻两端电压及光电流之间的关系，一般光敏电阻的光电流都会随着两端电压的增大而增大，呈现正相关关系。　　6、光谱特性曲线　　也称为光谱响应或光谱灵敏度。对于不同波长的单色照射光，光敏电阻对其灵敏度都不一样，对不同波长的单色光照射下的光敏电阻灵敏度进行统计画成曲线，可以得到光谱特性曲线。　　7、光照特性曲线　　光照特性是指光敏电阻阻值随着光照强度变化而变化的特点。根据不同强度光照下的光敏电阻阻值可以绘制光照特性曲线，光照特性曲线一般不是线性的。一般光敏电阻阻值会随着光照强度的增加而剧烈减少，但会随着光照强度的继续增加而平缓减少。　　8、延时特性　　当照射光为脉冲式照射光时，光敏电阻的光电流并不能第一时间达到稳定数值，而当移除照射光时，流经光敏电阻的电流也不能立刻到达稳定数值。这说明光敏电阻对光的响应存在延时性。　　9、温度特性　　光敏电阻与普通电阻一样会受温度的影响，对于光敏电阻而言，温度会严重影响其对照射光的灵敏度，一般光敏电阻在高温下的灵敏度较低温下的灵敏度低。　　光敏电阻工作原理　　光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。　　入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻如图所示。为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。构成光敏电阻的材料有金属的硫化物、硒化物、碲化物等半导体。 半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。当光敏电阻受到光照时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，成为自由电子，同时产生空穴，电子—空穴对的出现使电阻率变小。光照愈强，光生电子—空穴对就越多，阻值就愈低。当光敏电阻两端加上电压后，流过光敏电阻的电流随光照增大而增大。入射光消失，电子-空穴对逐渐复合，电阻也逐渐恢复原值，电流也逐渐减小。

光敏电阻，也称作光电阻、光敏电阻器，是一种光电子器件，它的阻值会随着照射入射光强度的变化而变化。光敏电阻偏置电路主要由光敏电阻、恒流源、放大电路等组成。当光照射到光敏电阻上时，电阻的阻值会发生变化，进而改变恒流源输出的电流，最终由放大电路放大输出的电压。这种电压的变化可以用来检测光照强度。光敏电阻的工作原理是利用光敏元件的光电效应，即光照射到元件上时会产生光电流。这种光电流可以通过把光敏电阻作为电路中的一个阻值元件来检测。当光敏电阻置于恒流源与放大电路之间时，照射到光敏电阻上的光会产生光电流，进而改变电阻的阻值，导致恒流源输出的电流发生变化，最终通过放大电路放大输出的电压。由于光敏电阻的阻值与照射光强度成正比，因此输出电压也与照射光强度成正比。这样就可以通过检测输出电压的变化来测量照射光强度。光敏电阻电路极其简单，稳定可靠，并且对工作电压和电流有极低的要求，因此被广泛用于光强度测量，特别是在环境监测，农业，医疗等领域中。光敏电阻可以分为多种类型，常见的有红外光敏电阻、紫外光敏电阻、可见光敏电阻等，它们对于不同波长的光敏性不同，所以在应用上需要根据具体要求来选择。光敏电阻还可以分为半导体型和非半导体型两种。半导体型光敏电阻是以硅为主体材料，其阻值随着照射光强度的增大而减小；非半导体型光敏电阻是以铬酸钠等非半导体材料为主体材料，其阻值随着照射光强度的增大而增大。光敏电阻也可以与其他元器件结合使用，来提高光敏电阻的灵敏度和线性度，如将光敏电阻与运算放大器结合使用可以提高其灵敏度，并且还可以使其具有更高的动态范围和更低的噪声。

光敏电阻又称光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻光敏电阻的概述：光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器，光敏电阻属半导体光敏器件，除具灵敏度高，反应速度快，光谱特性及R值一致性好等特点外，在高温，多湿的恶劣环境下，还能保持高度的稳定性和可靠性，可广泛应用于照相机，太阳能庭院灯，草坪灯，验钞机，石英钟，音乐杯，礼品盒，迷你小夜灯，光声控开关，路灯自动开关以及各种光控玩具，光控灯饰，灯具等 光自动开关控制领域。敏电阻器符号表示光敏电阻器是一种对光敏感的元件，它的电阻值能随着外界光照强弱变化而变化。光敏电阻器在电路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示，下图是其电路图形符号。图A表示的是新符号，图B表示的是旧符号。光敏电阻的工作原理光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子 空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器。主要用于光的测量、光的控制、和光电转换。光敏电阻器都制成薄片结构，以便能够吸收更多的光能。该类电阻器的特点是入射光越强，电阻值就越小，入射光越弱，电阻值就越大。如声控灯中采用了光敏电阻器作为白天控制灯光的装置。光敏电阻的结构：通常由光敏层、玻璃基片和电极等组成的。指针万用表测量光敏电阻好坏的方法遮光检测。检测时，将万用表拨到电阻一K档，用一张黑色纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无穷大、值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已经烧坏，不能继续使用。对光检测。将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减小。此值越小说明光敏电阻性能越好，若此值很大甚至无穷大，说明光敏电阻内部开路损坏，也不能继续使用。闪光检测。将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用黑色纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑色纸片的晃动而左右摆动，如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻已经损坏。用数字万用表测量光敏电阻好坏。首先把万用表迢到电阻档二十K，因为光敏电阻没有正负极之分，所以红黑表笔随便接光敏两端，万用表显示阻值0.86千欧，然后用手遮挡光敏的感光区域，改变其光照的强度，万用表显示的阻值9.5千欧左右，阻值有明显的变化，说明这个光敏电阻是好的。如果阻值没有变化，则光敏就是坏的。

　　光敏电阻，又称为光导管，主要制作材料为硫化镉、硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等化学物质，这些物质有一个共同点，就是在特定波长的光照条件下，阻值能够迅速减小。原因则是因为光照产生的参与导电的载流子，能够在外加电场的作用下作漂移运动，电子流向电源的正极，空穴则流向电源的负极，电阻的阻值迅速降低。　　　　光敏电阻的工作原理主要是基于光电效应，在半导体的两端装上电极引线，再装上管壳，就组成了最简单的光敏电阻。而一般情况下，为了增加电阻的灵敏度，会将两端的电极做成梳状，半导体材料一般是金属的硫化物、硒化物和碲化物等，通常采用的方法也是涂敷、喷涂等手段进行封装。　　　　光敏电阻的显著特点就是具有光电特性，所谓的光电特性指的是电阻的阻值会随着入射光的增强而减小，当入射光的强度变弱的时候，电阻的阻值反而会增大，利用的是半导体的光电效应的原理。一般用在对于光的测量、控制还有光电转换的用途中，常用的光敏电阻由半导体材料制成的，在黑暗条件下，光敏电阻的阻值可达到1-10M欧;在强光的条件下，阻值则是达到了几百甚至几千欧姆。光敏电阻对于光的敏感性的程度与人对可见光的感应十分接近，只要是人眼可以感受到的光，都会引起光敏电阻的阻值的变化。　　　　光敏电阻的第二个特点就是伏安特性，因为光敏电阻本质是电阻，因此符合欧姆定律，也就是光敏电阻的伏安特性。　　温度特性指的是光敏电阻的相对光电导率会随着温度的升高而下降。光敏电阻的时间相应比其他的光电器件略大，频率的响应也要较低，且具有其自己的特殊性。还具有光谱响应、噪声特性等特点。　　　　根据光敏电阻的特点，可以将光敏电阻分为三种类型：紫外光敏电阻，红外光敏电阻，可见光敏电阻。其中紫外光敏电阻主要是用于探测紫外线，包括有硫化镉、硒化镉光敏电阻器等;红外光敏电阻则是广泛用于国防、科学研究和工农业生产中，例如导弹制导、天文探测、人体病变探测、红外光谱、红外通信等用途中;可见光敏电阻则是用途最为广泛的光敏电阻，主要用于各种光电控制系统中，如路灯等照明系统的自动亮灭系统、照相机的自动曝光装置、光电计数器等装置中。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

　　光敏电阻器的工作原理是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器。主要用于光的测量、光的控制、和光电转换。光敏电阻器都制成薄片结构，以便能够吸收更多的光能。该类电阻器的特点是入射光越强，电阻值就越小，入射光越弱，电阻值就越大。如声控灯中采用了光敏电阻器作为白天控制灯光的装置。　　结构：通常由光敏层、玻璃基片（或树枝防潮膜）和电极等组成的。　　特性：光敏电阻器是利用半导体光电导效应制成的一种特殊电阻器，对光线十分敏感，它的电阻值能随着外界光照强弱（明暗）变化而变化。它在无光照射时，呈高阻状态；当有光照射时，其电阻值迅速减小。

光敏电阻传感器工作原理光敏电阻传感器是一种光电传感器，它的工作原理是：当光照射到光敏电阻上时，光敏电阻的电阻值会发生变化，从而改变电路中的电流或电压，从而实现对光照强度的测量。光敏电阻传感器的工作原理是：当光照射到光敏电阻上时，光敏电阻的电阻值会发生变化，从而改变电路中的电流或电压，从而实现对光照强度的测量。当光照射到光敏电阻上时，光敏电阻的电阻值会发生变化，从而改变电路中的电流或电压，从而实现对光照强度的测量。当光照强度变化时，光敏电阻的电阻值也会发生变化，从而改变电路中的电流或电压，从而实现对光照强度的测量。

光敏电阻的工作原理 是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体 及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子—空穴对了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到波长的光线照射时，电流就会随光强的而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。欢迎采纳 希望帮到你

光敏电阻工作原理和光电效应比较光敏电阻是一种光敏元件，它的工作原理是：当光照射到光敏电阻上时，光敏电阻的电阻值会发生变化，从而改变电路中的电流。光电效应是指当光照射到一定物质上时，物质会产生电流或电压的现象。光电效应的原理是：当光照射到物质上时，物质中的电子会受到光的能量而被激发出来，从而产生电流或电压。两者的区别在于：光敏电阻是一种光敏元件，它的工作原理是：当光照射到光敏电阻上时，光敏电阻的电阻值会发生变化，从而改变电路中的电流；而光电效应是指当光照射到一定物质上时，物质会产生电流或电压的现象。

光敏电阻的工作原理是基于光电导效应，这句话是正确的，详细介绍如下：一、光敏电阻简介：1、光敏电阻或光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。2、光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器，其工作原理是基于内光电效应。光照愈强，阻值就愈低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。光敏电阻的特殊性能，随着科技的发展将得到极其广泛应用。二、光电导效应：1、光电导效应，又称为光电效应、光敏效应，是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。即光电导效应是光照射到某些物体上后，引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。2、光电导效应是两种内光电效应中的一种。 所谓内光电效应, 是指受到光照的半导体的电导率发生变化或产生光生电动势的现象

光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。结构原理光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器，表面还涂有防潮树脂，具有光电导效应。光敏电阻的工作原理是基于内光电效应，即在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻。为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。当光敏电阻受到光照时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，成为自由电子，同时产生空穴，电子—空穴对的出现使电阻率变小。光照愈强，光生电子—空穴对就越多，阻值就愈低。当光敏电阻两端加上电压后，流过光敏电阻的电流随光照增大而增大。入射光消失，电子—空穴对逐渐复合，电阻也逐渐恢复原值，电流也逐渐减小。光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。当有光照时，材料中激发出自由电子和空穴，其电阻值减小，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻器的光照特性在大多数情况下是非线性的，只有在微小的范围内呈线性，光敏电阻器的电阻值有较大的离散性（电阻变化、范围大无规律）。以上内容参考百度百科-光敏电阻

光敏电阻，也称为光电阻或光敏电阻器，是一环境光照强度变化而改变其电阻值的电子元件基于光吸收和电导性变化的原理工作。光料，通常是硫化镉（CdS）或硫化铟（In等材料，它们具有特殊的光电特性。这些半导会受到光照强度的影响而发生变化。工作原理如下：当光线照射到光敏电阻上时，光能使半导体材料中的电子获得足够的能量，从价带跃迁至导带，形成电子空穴对。 . 电子空穴对的产生会增加材料的载流子密度，从而提高其电导性能，使电阻值减小。当光源移走或光照强度降低时，电子空穴对会重新复合，减少载流子密度，导致电导性能下降，电阻值增加。因此，光敏电阻的电阻值与光照强度呈反相关关系。光照越强，电阻值越低；光照越弱，电阻值越高。这使得光敏电阻可以被用作光感应元件和环境光控制的传感器。请点击输入图片描述需要注意的是，为了减少其他因素对测量结果的干扰，通常会将光敏电阻与一个恒定电流源或电压源连接，以保持一定作条件，并通过测量整体电路的电流或电压变与光照强度相关的信息。光敏电阻在自动、光敏开关、光感应器、光敏计等各种应用中发挥重要作用，提供了基于光照强度的检测、监控和控制功能。

光敏电阻是一种光电效应器件，它的电阻值会随着照射光强度的变化而变化。这种变化可以用来检测光强度。原理是在电阻材料中添加光敏材料，使得材料导电性能受到光的影响而发生变化，进而改变电阻值。光敏电阻一般是由n型半导体材料制成，当光照射在电阻上时，会在半导体表面产生电子-空穴对，这些电子-空穴对会增加半导体导电性，由此降低电阻值。通常，在黑暗状态下，光敏电阻电阻值很高，而在照射光下电阻值会降低。这种变化可以通过测量电阻值来检测光强度。

光敏电阻，也称光电阻或光敏电阻器，是一种电阻器，其电阻值会受到光照的影响而发生变化。当光照强度增加时，其电阻值会减小，而当光照强度减小时，其电阻值会增大。这种变化是由于光照强度对电子的散射和吸收影响造成的。光敏电阻的工作原理是利用光照强度对电子的散射和吸收影响来改变其电阻值。具体来说，当光照强度增加时，电子会被散射到电子能带中，从而增加电子密度，降低电阻值；当光照强度减小时，电子会被吸收到电子能带中，从而降低电子密度，增加电阻值。光敏电阻常用于光控开关、光传感器、光监测等领域，是光电子学中常见的一种元器件。

这些电路比较简单，百度下就有的，给你个参考吧；http://zhidao.baidu.com/question/116640495.html

555简易电子琴

应该是放大电路

白炽灯（Incandescent Lamp,Incandescent light bulb）是将灯丝通电加热到白炽状态，利用热辐射发出可见光的电光源。白炽灯是纯电阻电路。

1.五个电阻串联（四个也可，最好五个）。。。可获得4个分压2.用多路复用器--电子开关(多进一出的模式) 将每个分压连到复用器的输入 端，输出连接比较器的一个输入端3 比较器的另一个输入接四分之一电压源（可再加个电阻分压，如果要求严格，要加电压基准源的）4 复用器的控制端接单片机。比较器的输出接单片机单片机软件的工作过程是这样的：让复用器不断的循环工作（四个控制脚），同时检测比较器的输出电平，电平高低转换时的复用器的控制脚的电平状态 就是要得到的数字值。。。。

接地变压器通过隔离开关接至主变压器次级首端，与主变同时投入或退出运行，不应兼做所用变压器。接地变压器通过断路器接至母线，可以兼做所用变压器。<中压系统中性点接地方式选用技术导则>江苏省电力公司企业标准Q/GDW-10-375-2008

首先，你设法把光敏电阻的阻值变化变成电压或者电流的变化，放大后经过比较器，设置可调节的阀值电压，把393的输出接到单片机的IO口

在电路中，有火线就有零线，无论是工作零线还是保护零线，又或者是中性线，下面家居杂坛就来给大家说说火线和零线到底是什么关系。我们首先来看看在三相电中零线有啥作用，与火线是什么关系：在三相四线制系统中，如果能够保证三相负载完全的对称，那么零线就可有可无；但是对于大多数场合基本不可能做到三相完全平衡，那么零线就出现了；三相电中的零线的作用是给负荷侧的中性点也就是星点提供一个零电位，开避免出现三项的不平衡问题；如果没有零线或者是零线断了，那么三相负荷的中性点点位就会位移，中性点点位位移造成的后果就是三相电压不平衡，有可能烧毁电器甚至引起火灾，另一方面是很多电器都不能使用；所以，在三相电中，零线的作用就是防止三相不平衡造成危害。我们在来看单相电中零线的作用以及火线和零线的关系：在居民用电系统中，有一根火线，一根工作零线就是我们所说的零线，一根保护零线就是我们所说的地线；这里要说的零线就是工作零线，它是参与电路工作的，任意一根火线和零线之间的电压就是 220V，所以火线和零线之间的电压差就是220V；另外零线对地线之间没有电压，因为他们的来源都是变压器的中性点；所以，在单相电中只有火线和零线同时存在，而且火线和零线之间的电压是220V左右时，我们的家用电器才能正常工作，电路才能构成一个完整的回路。通过上面的论述，我们就可以看出，无论是在三相电中还是在单相电中，火线和零线都必须存在，否则电路不可能正常使用，三相完全平衡的三相电除外。

（1）根据电路图连接实物电路图，实物电路图如图所示；（2）由电路图可知，合上开关S 1 、S 2 ，只有一个电阻电阻接在电源两端，电压表测电源电压，电压表的读数变为U 2 ，因此电源电动势E=U 2 ；由电路图可知，开关S 1 保持断开，合上开关S 2 ，两电阻串联接在电源两端，电压表测其中一个电阻电压，此时电压表的读数为U 1 ，此时电路电流I=I R +I r = U 1 R + U 1 r ，E=U 1 +IR，即U 2 =U 1 +（ U 1 R + U 1 r ）R，解得r= U 1 R U 2 -2 U 1 ；故答案为：（1）实物电路图如图所示；（2） U 1 R U 2 -2 U 1 ．

红外测温仪的测温原理是自然界中温度高于绝对零度(-273℃)的任何物体，随时都向外辐射出电磁波（红外线），因此红外线是自然界中存在最广泛的电磁波，并且热红外线不会被大气烟云所吸收。随着科技的日新月异，利用红外线这一特性，采用应用电子技术和计算机软件与红外线技术的结合，用来检测和测量热辐射。物体表面对外辐射热量的大小，热敏感传感器获取不同热量差，通过电子技术和软件技术的处理，呈现出明暗或色差各不相同的图像，也就是我们通常说的红外线热成像；将辐射源表面热量通过热辐射算法运算转换后，实现了热像与温度之间的换算。

T2和T3是两种相似度好高的材料，有肉眼无法分辨，需要有专业的检测设备才能分辨。因为两种材料价格也不一样，所以市场上也有很多人把T3当T2来卖，所以在选择时要注意。

两个电阻串联，可以分压，这一点你理解吧？电阻的特性是阻抗与信号频率无关。电感的感抗与信号的频率成正比。电容的容抗与信号的频率成反比。这样，当你将电阻与电容串联，或电感与电容串联时，电容上的分取的电压值就与频率有关，频率越高，电容的容抗越低，分取的电压也越低，这就是低通滤波器。同样的串联电路，前后对调一下，从电感或电阻上取信号，就是高通滤波器。通过组合，还可设计带通或带阻滤波器。至于什么时候要用，取决于你是否希望抑制信号中的某些频率成份。

热电偶温度计：热电偶温度计的原理-----热电偶温度计的原理是将「电流计－铜线－铁线－铜线」串联成一个回路，此时铁线的两端和铜线连接处，会形成两个「接合处」(junction)，如果这两个接合处的温度不同，它们之间就会产生电压，在微安培计可测量出流经铁线和铜线上的微弱电流。要将热电偶用作温度计，必须先作下面的校准。把一个接合处放入冰水中，把另一个接合处放入沸水中，记下这时的电流强度，这便是温差100℃时的电流值。对两种已知的金属导线来说，电流值跟两接合处的温度差成正比，量度范围很大，即由-200℃到1700℃，灵敏度很高。水银温度计：由于水银的凝固点（-38.87℃）与沸点（356.7℃）的关系，故它的计量只能在这个范围之内，可以测高温．若用以测低温，则必受限制．

只通电流，不加磁场，采用电流和磁场换向的对称测量法。在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集。此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移。扩展资料霍尔效应的本质固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的空穴。参考资料来源：百度百科-霍尔效应

NDF 是这个电子元件的牌子 NDF品牌的

没有什么不同。电阻对交流电和直流电都是一视同仁的。

答案： 解析： 　　电阻对电流的阻碍作用的大小叫做阻抗(即电阻)，阻抗是由电阻本身的性质决定的，与通过的电流无关．因此，电阻对直流电路和交流电路的阻碍作用是一样的； 　　电感线圈对电流电阻碍作用叫做感抗，感抗是由线圈的性质和通电电流的频率两个方面决定的．因此，电感对直流电路无阻碍作用，对交流电路有阻碍作用．且表现为：“通直流，阻交流，通低频，阻高频”的特点． 　　电容器对电流电阻碍作用叫做容抗，容抗是由电容器的性质和通电电流的频率两个方面决定的．因此，电容对直流阻止作用，对交流电路有导通作用．且表现为：“隔直流，通交流，阻低频，通高频”的特点．

a、电阻对直流电和交流电的阻碍作用相同．故a正确；b、电感的特性：通直流，阻交流．通低频，阻高频，故b错误；c、电容器的特性：通交流，隔直流，通调频，阻低频，故c错误；d、交变电流的频率增加时，电感的阻碍增加，而电容的阻碍减小，对于电阻则不变．故d错误．故选：a．

很高深。

电容对直流点表现为充电或放电，对交流电表现为滤波，滤除直流部分；电感对直流电就等同于一根导线，有电磁效应；对交流电则会发生感生电流效应，即电感。电阻对交流直流都是电阻特性。没有区别

当电容器上电压发生变化，相应地极板电荷量亦有变化，于是便形成了电流，也就是通过了交流电流。直流电电压不会周期性变化，则电容极板上的电荷量亦不会变化，电流便为零，也就是直流电不能通过电容器。电阻是直流电、交流电都能通过。

看符号么，R是电阻，C是电容，个人瞎猜 ，没想过这个问题，是不是有个电容坏了！

电路中加电容和上拉电阻的作用是什么？ 加上拉电阻： 1、让电路保持稳定的状态，避免误触发； 2、当有高频干扰信过来时，可以通过上拉对电源泄放掉； 3、很多口线和讯号线是开漏输出，因此要加上拉，如IIC; 4、为了阻抗匹配，多是讯号完整性考虑。 至于电容，用法太多，要看具体电路，我想在这里您说的可能是滤波作用。 在电路设计中，上拉电阻的作用是什么？ 上拉就是将不确定的讯号通过一个电阻嵌位在高电平！电阻同时起限流作用！上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。上下拉电阻： 1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V）， 这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。 2、OC闸电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。 3、为加大输出引脚的驱动能力，有的微控制器管脚上也常使用上拉电阻。 4、在CMOS晶片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗， 提供泄荷通路。 5、晶片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高晶片输入讯号的噪声容限增强抗干扰能力。 6、提高汇流排的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。 7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。 上拉电阻：就是从电源高电平引出的电阻接到输出 1，如果电平用OC(集电极开路，TTL)或OD(漏极开路，COMS)输出，那么不用上拉电阻是不能工作的， 这个很容易理解，管子没有电源就不能输出高电平了。 2，如果输出电流比较大，输出的电平就会降低（电路中已经有了一个上拉电阻，但是电阻太大，压降太高），就可以用上拉电阻提供电流分量， 把电平“拉高”。（就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上， 让它的压降小一点）。当然管子按需要该工作线上性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现闸电路电平的匹配。 需要注意的是，上拉电阻太大会引起输出电平的延迟。（RC延时） 一般CMOS闸电路输出不能给它悬空，都是接上拉电阻设定成高电平。 下拉电阻：和上拉电阻的原理差不多， 只是拉到GND去而已。 那样电平就会被拉低。 下拉电阻一般用于设定低电平或者是阻抗匹配(抗回波干扰)。详情请登入 :bbs.studydz./thread-134-1-1.了解。 上拉电阻和下拉电阻的作用 上拉就是将不确定的讯号通过一个电阻嵌位在高电平！电阻同时起限流作用！下拉同理！ 上拉是对器件注入电流，下拉是输出电流；弱强只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分；对于非集电极（或漏极）开路输出型电路（如普通闸电路）提升电流和电压的能力是有限的，上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。 上下拉电阻： 1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V）， 这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。上拉电阻2、OC闸电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。 3、为加大输出引脚的驱动能力，有的微控制器管脚上也常使用上拉电阻。 4、在CMOS晶片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗， 提供泄荷通路。 5、晶片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高晶片输入讯号的噪声容限增强抗干扰能力。 6、提高汇流排的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。 7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。 上拉电阻： 就是从电源高电平引出的电阻接到输出 1，如果电平用OC(集电极开路，TTL)或OD(漏极开路，CMOS)输出，那么不用上拉电阻是不能工作的， 这个很容易理解，管子没有电源就不能输出高电平了。 2，如果输出电流比较大，输出的电平就会降低（电路中已经有了一个上拉电阻，但是电阻太大，压降太高），就可以用上拉电阻提供电流分量， 把电平“拉高”。（就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上， 让它的压降小一点）。当然管子按需要该工作线上性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现闸电路电平的匹配。 上拉电阻和下拉电阻是共同应对PN接面的发散性，使PN接面工作的起跑线趋于一致。单讲上拉电阻是提供基本工作点，下拉电阻是提供工作点的稳定性。 上拉电阻的作用 上拉就是将不确定的讯号通过一个电阻嵌位在高电平,电阻同时起限流作用, 1TTL驱动CMOS时,如果TTL输出最低高电平低于CMOS最低高电平时,提高输出高电平值 2 OC门必须加上拉,提高电平值 3 加大输出的驱动能力(微控制器较常用) 4 CMOS晶片中(特别是门的晶片),为防静电干扰,不用的引脚也不悬空,一般上拉,降低阻抗,提供泄荷通路 5 提高输出电平,提高晶片输入讯号的噪声容限,增强抗干扰 6 提高汇流排抗电磁能力,空脚易受电磁干扰 7 长线传输中加上拉,是阻抗匹配抑制反射干扰 上拉是对器件注入电流，下拉是输出电流,弱强只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分,对于非集电极（或漏极）开路输出型电路（如普通闸电路）提升电流和电压的能力是有限的，上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。上拉电阻： 就是从电源高电平引出的电阻接到输出 1，如果电平用OC(集电极开路，TTL)或OD(漏极开路，CMOS)输出，那么不用上拉电阻是不能工作的， 这个很容易理解，管子没有电源就不能输出高电平了。 2，如果输出电流比较大，输出的电平就会降低（电路中已经有了一个上拉电阻，但是电阻太大，压降太高），就可以用上拉电阻提供电流分量， 把电平“拉高”。（就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上， 让它的压降小一点）。当然管子按需要该工作线上性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现闸电路电平的匹配。上，就是指高电平；所谓下，是指低电平。上拉，就是通过一个电阻将讯号接电源，一般用于时钟讯号资料讯号等。下拉，就是通过一个电阻将讯号接地，一般用于保护讯号。这是根据电路需要设计的，主要目的是为了防止干扰，增加电路的稳定性。 上拉电阻、下拉电阻的作用？ 上拉，就是把电位拉高，比如拉到VCC 下拉，就是把电压拉低，拉到GND 一般就是刚上电的时候，埠电压不稳定，为了让他稳定为高或低，就会用到上拉或下拉电阻。 有些晶片内部集成了上拉电阻，所以外部就不用上拉电阻了。但是有一些开漏的，外部必须加上拉电阻。 上拉电阻和下拉电阻的作用是什么，最好详细点 所谓上，就是指高电平；所谓下，是指低电平。上拉，就是通过一个电阻将讯号接电源，一般用于时钟讯号资料讯号等。下拉，就是通过一个电阻将讯号接地，一般用于保护讯号。 这是根据电路需要设计的，主要目的是为了防止干扰，增加电路的稳定性。 假如没有上拉，时钟和资料讯号容易出错，毕竟，CPU的功率有限，带很多BUS线的时候，提供高电平讯号有些吃力。而一旦这些讯号被负载或者干扰拉下到某个电压下，CPU无法正确地接收资讯和发出指令，只能不断地复位重启。 假如没有下拉，保护电路极易受到外界干扰，使CPU误以为被保护物件出问题而采取保护动作，导致误保护。 上拉下拉，要根据电路要求来设定。 微控制器中上拉电阻的作用是什么？ 由于P0口内部没有上拉电阻，是开漏的，不管它的驱动能力多大，相当于它是没有电源的，需要外部的电路提供，绝大多数情况下P0口是必需加上拉电阻的。 1.一般51微控制器的P0口在作为地址/资料复用时不接上拉电阻。 2.作为一般的I/O口时用时，由于内部没有上拉电阻，故要接上上拉电阻！ 3.当p0口用来驱动PNP管子的时候，就不需要上拉电阻，因为此时的低电平有效； 4.当P0口用来驱动NPN管子的时候，就需要上拉电阻的，因为此时只有当P0为1时候，才能够使后级端导通。 简单一点说就是它要驱动LCD显示屏显示就必须要有电源驱动，否则亮不了，而恰好P0口没有电源，所以就要外接电源，接上电阻是起到限流的作用；如果接P1、P2、P3埠就不用外接电源和电阻了。 隔离电容和隔离电阻的作用是什么 隔离电容，是利用电容器“通交流、隔直流”的性质，用在需将直流隔断的地方，如放大器级间的耦合，即常用的阻容耦合，将前一级的集电极(讯号输出端)与下一级的基极(讯号输入端)用电容器相连线，交流讯号能顺利通过，但前后级之间没有直流上的联络。 电阻隔离，是利用平衡电桥两组对角端子之间不能传递讯号的原理。如电话机中的消侧音电路、通讯中的二/四线转换电路…… 上拉电阻和下拉电阻的的作用及选用 上拉电阻和下拉电阻都是为了确保逻辑闸电路的输入端在无驱动时保持到高或低电平。该电阻的选取需要考虑的因素主要有： 1、逻辑闸的输入偏置电流的大小：该电流流过上下拉电阻时产生的压降应小于规定的范围，如下拉电阻上的压降应小于低电平的门槛电平（通常是0.8V）但设计时应小于0.3V，留0.5V的余量，防止噪声干扰。 2、驱动能力，电阻越小，驱动负载就越大，功耗越大。要综合平衡。 3、对于总线上的上下拉电阻还要考虑阻抗匹配问题

绝缘电阻测试仪的工作原理及应用绝缘电阻测试仪的工作原理动圈2通过限流电阻与手摇发电机的正端相串联，被测绝缘电阻R接到绝缘电阻表的“线”和“地”之间，与动圈1和发电机相串联，在“线”端钮外的虚线是保护环，起屏蔽作用，它与手摇发电机的负端相连。在测量Rx时，随Rx的改变，I1改变，而I2基本不变。Rx趋于0时，I1最大，指针在转动力矩和反作用力矩的作用下偏转到最大位置，即“0”位置。Rx趋于∞时，I1趋于0，指针在反作用力矩的作用下偏转到最小位置，即“∞”位置，所以，绝缘电阻表可以测量0至∞之间的电阻。绝缘电阻测试仪在工作时，自身产生高电压，而测量对象又是电气设备，所以必须正确使用，否则就会造成人身或设备事故。使用前要做好以下准备：(1)测量前必须将被测设备电源切断，并对地短路放电，决不允许设备带电进行测量，以保证人身和设备的安全。(2)对可能感应高压电的设备，必须消除这种可能性后，再能进行测量。(3)被测物表面要清洁，减小接触电阻，确保测量结果的正确性。(4)测量前要检查绝缘电阻表是否处于正常工作状态，主要检查其“0”和“∞”两点。即摇动手柄，使电机达到额定转速，绝缘电阻表在短路时应指在“0”位置，开路时应指在“∞”位置。(5)绝缘电阻表使用时应放在平稳、牢固的地方，且远离大的外电流导体和外磁场。做好上述准备工作就可正式进行测量了。在测量时，还要注意绝缘电阻表的正确接线，否则将引起不必要的误差甚至错误。绝缘电阻表的接线柱共有三个：一个为“L”（线端），一个为“E”（地端），再一个为“G”（屏蔽端，也叫保护环)。一般被测绝缘电阻都接在“L”、“E”端之间，但当被测绝缘体表面漏电严重时，必须将被测物的屏蔽环或不须测量的部分与“G”端相连接。这样漏电流就经由屏蔽端“G”直接流回发电机的负端形成回路，而不再流过绝缘电阻表的测量机构(动圈)。这样就从根本上消除了表面漏电流的影响，特别应该注意的是在测量电缆线芯和外表之间的绝缘电阻时，一定要接好屏蔽端钮“G”，因为当空气湿度大或电缆绝缘表面不干净时，其表面的漏电流很大。为防止被测物因漏电而对其内部绝缘测量所造成的影响，一般在电缆外加一个金属屏蔽环，与绝缘电阻表的“G”端相连。当用绝缘电阻测试仪摇测电器设备的绝缘电阻时，一定要注意“L”和“E”端不能接反。正确的接法是：“L”线端钮接被测设备导体，“E”地端钮接地的设备外壳，“G”屏蔽接被测设备的绝缘部分。如果将“L”和“E”接反了，“G”将失去屏蔽作用而给测量带来很大误差。另外，因为“E”端内部引线同外壳的绝缘程度比“L”端与外壳的绝缘程度要低，当绝缘电阻测试仪放在地上使用时，采用正确接线方式时，“E”端对仪表外壳和外壳对地的绝缘电阻，相当于短路，不会造成误差，而当“L”与“E”接反时，“E”对地的绝缘电阻同被测绝缘电阻并联，而使测量结果偏小，给测量结果带来较大误差。参考资料来源于:中国电力试验设备网.

第七章 绝缘电阻表与接地电阻测试仪 模块1：绝缘电阻表的结构和测量原理（TYBZ01107001） 【模块描述】本模块包含绝缘电阻表的结构和测量原理。通过结构介绍和原理讲解，掌握绝缘电阻表的分类、模拟和数字绝缘电阻表的结构和测量原理。 【正文】 绝缘电阻表的检定是强制检定项目。绝缘电阻表实际使用相当广泛，并直接关系到电气设备的正常运行和工作人员的人身安全。 一、绝缘电阻表分类： 1．按结构原理分： （1) 手摇式兆欧表：测试电压有100V～2500V，量程上限达2500MΩ，应用广泛。但操 作费力，测量准确度低（受手摇速度、刻度非线性、倾斜角度影响），输出电流小，抗反击能力弱，不适合变压器等大型设备的测量。但因其价格低廉，不仅未被取代，仍有一定市场。 （2） 数字式绝缘电阻表：测量电路中有了数字集成电路以后，手摇式兆欧表被数字 式绝缘电阻表取代。单片机的发展使得数字式兆欧表又更加智能化，计时、计算、储存一并完成。测试电压在5000V以上有了10000V，甚至15000V，可直接读取吸收比和极化指数，测量上限达到100TΩ以上，有自放电回路，抗反击能力强，在电力系统得到广泛应用。 二、指针式兆欧表的结构及工作原理 1．指针式兆欧表的结构 指针式兆欧表是由一台手摇直流发电机和电磁式比率表组成。 指针式兆欧表的测量机构是电磁式比率表，由磁路、电路、指针等部分组成。磁路部分由永久磁铁、极掌、圆柱形铁芯等构成。电路部分由两个可动的线圈构成。可动线圈成丁字形交叉放置，且共同固定在转动轴上。当通入电流后，两个动圈内部的电流方向相反。 手摇直流发电机一般由发电机、摇动手柄、传动齿轮等组成。发电机的容量很小，但能产生较高的电压。常见的电压等级有100V、250V、500V、1000V、2500V等。发电机发出的电压越高，测量绝缘电阻值的范围越大。 2．指针式兆欧表的工作原理 电路部分有两个可动的线圈。可动线圈2通过限流电阻，与发电机串联；被测绝缘电阻RX与可动线圈1及发电机相串联。当线圈通电时，可动线圈1的电流I1和气隙磁场相互作用，产生转动力矩M1，可动线圈2的电流I2与气隙磁场相互作用，产生转动力矩M2。但它们方向相反，其中M1为转动力矩，M2则为反作用力矩。指针的偏转角只决定于两只可动线圈电流的比值，和其他因素无关。被测绝缘电阻RX不同时，I1则不同，而I2基本不变，因此指针有不同的偏转角。 由于这种仪表的结构中没有产生反作用力矩的游丝，所以，在使用之前仪表的指针可随意停在标尺的任意位置上。 手摇发电机发出电压的高低，随手摇速度快慢而异。手摇发电机发出的电压不稳定，但是，由于指针偏转角决定于两个可动线圈电流的比值，故指针不会因手摇速度不同而停留在不同的位置，指示不同的RX值。这是因为手摇速度慢时，I1减小，I2也同时按比例减小，始终保持电流的比值不变，这样指针偏转角也就保持一定。 三、数字式绝缘电阻表的工作原理 数字式绝缘电阻表利用电子电路，采用DC/DC变换技术，产生直流高压电源，施加在被试品上，采用电流电压法测量原理，采集流经试品的电流，进行分析处理，再变换成相应 的绝缘电阻值，由模拟式指针表头或数字表显示。数字式绝缘电阻表的测量原理见图TYBZ01107001-1。 R RERRx 图TYBZ01107001-1 数字绝缘电阻表原理图 图中Rx为等效试品的绝缘电阻；Ro为采样电阻，Rm为用作限流和滤波的附加电阻； 两者组成采样电路；Es表示高压测试电源电势，Ri为其等效内阻。 测试电源输出正端接E，负端接G，测量采样电阻串接于G、L之间，L端钮输出负高压，G的电位接近于负高压。 随着科学技术的发展，计算机技术的普及，数字式绝缘电阻表与以往的指针式兆欧表有了很大的不同，一块表有两个或两个以上的输出电压、有二个以上的输出短路电流，可以根据不同的试品对电流和电压进行相应的调整，可以显示时间、绝缘电阻值，对吸收比和极化指数进行计算后显示，对上述数据可以在机器内进行记录存储。同时这些参数还可以通过RS232或USB接口输出到计算机进行处理和保存。数字式绝缘电阻表还有放电回路，能自动对被试品放电，不怕被试品电流反击。数字式绝缘电阻表的原理框图见图TYBZ01107001-2。 E L G 图TYBZ01107001-2 数字式绝缘电阻表的原理框图 从图中可知，数字式绝缘电阻表的工作过程为：经按键操作，启动直流高压源给被测试品供电，通过电阻分压器取得电压取样信号，通过与试品串联的电流取样电阻得到电流信号，电流和电压信号经信号处理，通过A/D转换装置送入微处理器进行数据处理，并将处理 结果传送给显示屏显示，完成整个测量过程。 【思考与练习】 1．为什么指针式兆欧表使用前指针会停留在标尺的任意位置上。 2．画出数字式绝缘电阻表的测量原理图。 3．简述数字式绝缘电阻表的工作过程。

你问的恶有问题....因该是为什么会有电阻或者电阻产生原因...因为电流在导体中是会受到阻碍的这个阻碍作用叫做电阻..电阻式可以没有的不过那种介质的工作环境很苛刻..需要低温什么的...

磁敏材料能通过磁阻效应将磁信号转换成电信号。磁阻效应包括材料的电阻率随磁场而变化和元件电阻值随磁场而变化两种现象。前者称磁电阻率效应或物理磁阻效应，后者称为磁电阻效应或几何磁阻效应。 磁敏电阻材料主要是电子迁移率大的半导体材料，还有铁镍钴合金。常用的半导体有InSb(或InSb-NiSb共晶材料)、砷化铟(InAs)和砷化镓(GaAs)等材料，一般用N型。高纯度InSb和InAs的电子迁移率分别为5.6～6.5 m/(V·s)和2.0～2.5m/(V·s)。InSb的禁带宽度小，受温度影响大。GaAs的禁带宽度大，电子迁移率也相当大[0.8 m/(V·s)]，受温度影响小，且灵敏度也高。镍钴合金和镍铁合金的电阻温度系数小，性能稳定，灵敏度高，且具有方向性，可制作强磁性磁阻器件，用于磁阻的检测等方面。用半导体材料制作的磁敏电阻器、无触点电位器、模拟运算器和磁传感器等应用于测量、计算机、无线电和自动控制等方面。半导体InSb-NiSb磁敏电阻器用于磁场、电流、位移和功率测量及模拟运算器等方面，其阻值为10Ω～1kΩ，相对灵敏度6～18 (B=1 T)，温度系数-2.9%～0.09% (1/℃) (B=1 T)，极限工作频率1～10 MHz。在测量小于0.01T的弱磁场时，必须附加以偏置磁场才能进行。Ni-Co薄膜磁敏电阻器主要用于探测磁场方向、磁带位置检测、测量和控制转速或速度以及无触点开关等方面。阻值有1、10、250kΩ，相对灵敏度2%以上(3×10T下)，温度系数3000±500×10(1/℃)，感应磁场3×10T以上，工作温度-55～150℃。在检测磁场反转或可逆磁场以下的磁信号时，也应采用偏置磁场。 半导体磁敏电阻 通常半导体磁敏电阻是由基片、半导体电阻条(内含短路条)和引线三个主要部分组成的。基片又叫衬底，一般是用0.1~ 0.5mm厚的云母、玻璃作成的薄片，也有使用陶瓷或经氧化处理过的硅片作基片的。电阻条一般是用锑化锢(InSb)或砷化铟(InAs)等半导体材料制成的半导体磁敏电阻条，在制造过程中，为了提高磁敏电阻的阻值，缩小其体积、提高灵敏度常把它作成如图1所示的结构。半导体材料的电阻率 ρ 随外磁场强度变化而变化的现象叫作半导体的物理磁阻效应或叫作磁阻率效应。这是由于在外施磁场的作用下，流经半导体磁敏电阻的载流子受洛仑兹力的作用使其流动路径发生偏斜，从而造成它从一个电极流到另一个电极所流过的途经(即载流子运动的轨迹)要比无磁场作用时所通过的途经要长，故其电阻值增大。我们把载流子在磁场作用下的平均偏斜角度 θ 叫作平均霍尔角。它与外施磁场及载流有如下关系：式中为电子迁移率； B为外施磁场的磁感应强度。从式(1 )可以看出：半导体磁敏电阻材料的载流子迁移率越大，其偏斜的平均霍尔角就越大，电阻的变化就越大。这种电阻的变化和磁场强度的关系大致可以认为：在弱磁场的作用下，半导体磁敏电阻的相对变化率R/R0与所施磁场的磁感应强度B的平方成正比；而在强磁场的作用下，半导体磁敏电阻的相对变化率ΔR/ R0则与所施磁场的磁感应强度B成正比。强磁性金属薄膜磁敏电阻 强磁性金属薄膜磁敏电阻器件的结构如图2所示，和半导体磁敏电阻一样，它也是由基片、强磁性金属薄膜的电阻体和内外引线三部分组成的。基片一般是用厚为0.1~ 0.5mm的玻璃片、高频陶瓷片或经氧化处理的硅片制成；电阻体通常是采用半导体平面工艺中的真空镀膜(或溅射)、光刻、腐蚀工艺而制成的;内引线是用硅铝丝或金丝采用超声压焊或金丝球焊而焊接的，外引线是用非磁性的铜片等材料焊接的。 1）磁阻比：指在某一规定的磁感应强度下，磁敏电阻器的阻值与零磁感应强度下的阻值之比。2）磁阻系数：指在某一规定的磁感应强度下，磁敏电阻器的阻值与其标称阻值之比。3）磁阻灵敏度：指在某一规定的磁感应强度下，磁敏电阻器的电阻值随磁感应强度的相对变化率。

按时间原则控制的转子串电阻启动控制电路是一种常用于交流电机启动的控制电路。该电路主要通过串联在电动机转子电路中的电阻，降低电动机的起动电流，实现平稳启动。具体的工作原理如下：电动机启动时，将电阻串联在电动机转子电路中，电阻值一般为电动机额定电流下的启动电流与额定电流之比，通常为3~5倍。启动时，电阻的作用是限制电动机的启动电流，使电动机产生较小的转矩，同时提供足够的时间让电动机逐渐加速，防止过高的起动电流对电网造成影响。随着电动机的加速，电阻会逐渐减小，直到完全绕过，此时电动机达到额定转速，电阻不再起作用。一般情况下，在电动机转速达到80%~90%时，电阻已经完全绕过，此时电动机已经进入正常工作状态，电阻不再起作用。总之，按时间原则控制的转子串电阻启动控制电路是通过控制转子电路中的电阻来控制电动机的起动电流和转矩，实现电动机平稳启动，避免对电网和电动机本身的损害，是一种比较常用的交流电机启动方式。

你家的电阻会发光？！

1．仪表工作原理绝缘电阻测试仪由中大规模集成电路组成。本表输出功率大，短路电流值高，输出电压等级多（有四个电压等级）。工作原理为由机内电池作为电源经DC/DC变换产生的直流高压由E极出经被测试品到达L极，从而产生一个从E到L极的电流，经过I/V变换经除法器完成运算直接将被测的绝缘电阻值由LCD显示出来。2．仪表电路框图如图所示：仪表电路框图3．仪表使用范围本仪表是电力、邮电、通信、机电安装和维修以及利用电力作为工业动力或能源的工业企业部门常用而必不可少的仪表。它适用于测量各种绝缘材料的电阻值及变压器、电机、电缆及电器设备等的绝缘电阻。BY2671H绝缘电阻测试仪

这是个三相逆变器，六个三极管受控于前边变频芯片，然后轮流导通，相位相差120度，电阻的作用有两个，一个是三极管基极限流，一个是为了三极管能更容易匹配

所谓压敏电阻（英文简称MOV），就是一种非线性伏安特性的限压型保护器件。目前，市面上应用于低压电器浪涌保护的压敏电阻多为氧化锌为主体材料，掺杂多种金属氧化物，采用典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷电路保护器件。MOV具有对称的伏安特性曲线，在实际应用中，压敏电阻一般并联在电路中，当电路正常运行时，处于高阻状态，不影响电路的工作，当电路出现异常电压并达到MOV导通电压时，MOV迅速由高阻状态变为低阻状态，释放异常电压导致的瞬时过电流，同时把异常瞬态过压钳制在一个安全水平范围之内，从而保护后级电路免遭异常电压的破坏。压敏电阻主要特性1）压敏电阻优点• 多种浪涌吸收能力：标准、高浪涌、超高浪涌，压敏电阻的物理尺寸决定其浪涌吸收能力；• 广泛的可变电阻电压范围18V-1800V，其精度通常在10%上下，能够满足低压到高压的应用需求；• 单体通流量可达到几百安培至几十千安培，东沃电子直径为53mm的压敏电阻单体在8/20us波形的单次通流量可达到70KA；• 响应速度快ns级，比TVS管慢些，比气体放电管快；• 尺寸多样化，各种引线形式：直、弯和其他特殊引线类型；2）压敏电阻缺点• 寄生电容大，在高频信号系统中会引起高频信号传输畸变；• 一种老化型元器件，在大功率电源端口保护时，常与气体放电管串联使用，减缓老化，延长使用寿命；压敏电阻自身的优劣特性，决定了其应用环境，一般主要应用于AC交流输入端防雷和浪涌保护中。压敏电阻选型指南1）压敏电阻电压值要大于实际电路中的电压峰值，即连续施加在压敏电阻两端的电源电压，要小于压敏电阻规格书中的“最大持续工作电压值”；2）压敏电阻的箝位电压要小于被保护设备承受的最大电压；3）压敏电阻的标称放电电流要大于线路中可能出现的最大浪涌电流；4）对于高频率传输信号的线路，电容要尽量的小；5）要考虑使用环境，具体要求的浪涌电压情况；具体还需要根据电路设计需求来定夺，专业的事情找专业的人做，少走弯路。压敏电阻选型，东沃免费提供选型服务，目前东沃供应的压敏电阻有：05D系列、07D系列、10D系列、14D系列、20D系列、25D系列。

1 固定电感器 :一般采用带引线的软磁工字磁芯，电感可做在10-22000uh之间，Q值控制在40左右。2 阻流圈：他是具有一定电感得线圈，其用途是为了防止某些频率的高频电流通过，如整流电路的滤波阻流圈，电视上的行阻流圈等。 3 行线性线圈：用于和偏转线圈串联，调节行线性。由工字磁芯线圈和恒磁块组成，一般彩电用直流电流1.5A电感116-194uh频率：2.52MHZ 4 行振荡线圈： 由骨架，线圈，调节杆，螺纹磁芯组成。一般电感为5mh调节量大于+-10mh.电感线圈的品质因数和固有电容(1)电感量及精度 线圈电感量的大小，主要决定于线圈的直径、匝数及有无铁芯等。电感线圈的用途不同，所需的电感量也不同。例如，在高频电路中，线圈的电感量一般为0.1uH—100Ho 电感量的精度，即实际电感量与要求电感量间的误差，对它的要求视用途而定。对振荡线圈要求较高，为o．2-o．5％。对耦合线圈和高频扼流圈要求较低，允许10—15％。对于某些要求电感量精度很高的场合，一般只能在绕制后用仪器测试，通过调节靠近边沿的线匝间距离或线圈中的磁芯位置来实现o (2)线圈的品质因数 品质因数Q用来表示线圈损耗的大小，高频线圈通常为50—300。对调谐回路线圈的Q值要求较高，用高Q值的线圈与电容组成的谐振电路有更好的谐振特性；用低Q值线圈与电容组成的谐振电路，其谐振特性不明显。对耦合线圈，要求可低一些，对高频扼流圈和低频扼流圈，则无要求。Q值的大小，影响回路的选择性、效率、滤波特性以及频率的稳定性。一般均希望Q值大，但提高线圈的Q值并不是一件容易的事，因此应根据实际使用场合、对线圈Q值提出适当的要求。 线圈的品质因数为： Q=ωL/R 式中： ω——工作角频； L——线圈的电感量； R——线圈的总损耗电阻线圈的总损耗电阻，它是由直流电阻、高频电阻(由集肤效应和邻近效应引起)介质损 耗等所组成。" 为了提高线圈的品质因数Q，可以采用镀银铜线，以减小高频电阻；用多股的绝缘线代替具有同样总裁面的单股线，以减少集肤效应；采用介质损耗小的高频瓷为骨架，以减小介质损耗。采用磁芯虽增加了磁芯损耗，但可以大大减小线圈匝数，从而减小导线直流电阻，对提高线圈Q值有利。 (3)固有电容 线圈绕组的匝与匝之间存在着分布电容，多层绕组层与层之间，也都存在着分布电容。这些分布电容可以等效成一个与线圈并联的电容Co，如图示。此主题相关图片如下：这个电容的存在，使线圈的工作频率受到限制，Q值也下降。图示的等效电路，实际为一由L、R、和Co组成的并联谐振电路，其谐振频率称为线圈的固有频率。为了保证线圈有效电感量的稳定，使用电感线圈时，都使其工作频率远低于线圈的固有频率。为了减小线圈的固有电容，可以减少线圈骨架的直径，用细导线绕制线圈，或采用间绕法、蜂房式绕法。 此主题相关图片如下：(4)线圈的稳定性 电感量相对于温度的稳定性，用电感的温度系数αL表示 式中：L2和L1分别是温度为t2和t1时的电感量。 对于经过温度循环变化后，电感量不再能恢复到原来值的这种不可逆变化，用电感的不稳定系数表示 式中：L和L1，分别为原来和温度循环变化后的电感量。 温度对电感量的影响，主要是因为导线受热膨胀，使线圈产生几何变形而引起的。减小这一影响的方法．可采用热法(绕制时将导线加热，冷却后导线收缩，以保证导线紧紧贴合在骨架上)温度增大时，线圈的固有电容和漏电损耗增加，也会降低线圈的稳定性。改进的方法是，将线圈用防潮物质浸渍或用环氧树脂密封，浸渍后由于浸渍材料的介电常数比空气大，其线匝间的分布电容增大。同时，还引入介质损耗，影响Q值。 (5)额定电流 主要是对高频扼流团和大功率的谐振线圈电感器、变压器检测方法与经验 1、?色码电感器的的检测　　将万用表置于R×1挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种情况进行鉴别：A、?被测色码电感器电阻值为零，其内部有短路性故障。B、?被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，则可认为被测色码电感器是正常的。　　2、?中周变压器的检测A、?将万用表拨至R×1挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐一检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。B、?检测绝缘性能　　将万用表置于R×10k挡，做如下几种状态测试：　　(1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值；　　(2)初级绕组与外壳之间的电阻值；　　(3)次级绕组与外壳之间的电阻值。　　上述测试结果分出现三种情况：　　(1)阻值为无穷大：正常；　　(2)阻值为零：有短路性故障；　　(3)阻值小于无穷大，但大于零：有漏电性故障。　　3、?电源变压器的检测　　A、?通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象。如线圈引线是否断裂，脱焊，绝缘材料是否有烧焦痕迹，铁心紧固螺杆是否有松动，硅钢片有无锈蚀，绕组线圈是否有外露等。B、?绝缘性测试。用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，说明变压器绝缘性能不良。C、?线圈通断的检测。将万用表置于R×1挡，测试中，若某个绕组的电阻值为无穷大，则说明此绕组有断路性故障。D、?判别初、次级线圈。电源变压器初级引脚和次级引脚一般都是分别从两侧引出的，并且初级绕组多标有220V字样，次级绕组则标出额定电压值，如15V、24V、35V等。再根据这些标记进行识别。E、?空载电流的检测。(a)、?直接测量法。将次级所有绕组全部开路，把万用表置于交流电流挡(500mA，串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V交流市电时，万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的10％～20％。一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超出太多，则说明变压器有短路性故障。(b)、?间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个10?/5W的电阻，次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后，用两表笔测出电阻R两端的电压降U，然后用欧姆定律算出空载电流I空，即I空=U/R。F、?空载电压的检测。将电源变压器的初级接220V市电，用万用表交流电压接依次测出各绕组的空载电压值(U21、U22、U23、U24)应符合要求值，允许误差范围一般为：高压绕组≤±10％，低压绕组≤±5％，带中心抽头的两组对称绕组的电压差应≤±2％。G、?一般小功率电源变压器允许温升为40℃～50℃，如果所用绝缘材料质量较好，允许温升还可提高。H、?检测判别各绕组的同名端。在使用电源变压器时，有时为了得到所需的次级电压，可将两个或多个次级绕组串联起来使用。采用串联法使用电源变压器时，参加串联的各绕组的同名端必须正确连接，不能搞错。否则，变压器不能正常工作。I、电源变压器短路性故障的综合检测判别。电源变压器发生短路性故障后的主要症状是发热严重和次级绕组输出电压失常。通常，线圈内部匝间短路点越多，短路电流就越大，而变压器发热就越严重。检测判断电源变压器是否有短路性故障的简单方法是测量空载电流(测试方法前面已经介绍)。存在短路故障的变压器，其空载电流值将远大于满载电流的10％。当短路严重时，变压器在空载加电后几十秒钟之内便会迅速发热，用手触摸铁心会有烫手的感觉。此时不用测量空载电流便可断定变压器有短路点存在。大功率片状绕线型电感 大功率片状绕线型电感器主要用于DC/DC变换器中，用作储能元件或大电流LC滤波元件(降低噪声电压输出)。它以方形或圆形工字型铁氧体为骨架，采用不同直径的漆包线绕制而成，如图所示：老式DC／DC变换器的工作频率仅几十kHz(如30—50kHz)，如今新型DC/DC变换器的频率高于200kHz，老式低频电感不适用了。在铁氧体底部沉积导电材料，经烧结后形成焊接的电极。此主题相关图片如下：大功率片状绕线型电感器型号不统一，尺寸也不相同，这里仅介绍一种圆形工字形铁氧体骨架构成的电感器，其尺寸、电感量范围及直流电阻范围如表所示：由表可以看出，同一尺寸的骨架可以采用不向直径漆包线来绕制、绕的匝数不同，故其电感量及直流电阻值是一个范围 电阻越小，线径越大尺寸也越大，这是个矛盾。此主题相关图片如下：标准的大功率电感量基数为1 2.2 3.3 4.7 5.6 6.8 8.2。常用的电感量范围为1——330uH。有时需要在试验中调整电感量，以获得最佳数值。作为大功率片状电感器还有下列两个主要参数：最大电流及工作频率。电感线圈的使用 (1)磁场辐射的影响电感线圈装在线路板上有立式与卧式两种方式，要注意其磁场的辐射对邻近器件工作的影响。如卧式电感器的引线是从两端引出，装在线路板上多是横卧着，它的线圈都绕在棒形的磁芯上，它工作时，磁力线在周围散发，见图(a)。不仅有效导磁系数低，而且其磁场辐射会影响邻近部件的工作，特别在高频工作时影响更大。所图(b)示。此主题相关图片如下：电感线圈的磁场辐射立式电感器无此缺点，其线圈都绕在“工”形或“王”形磁芯上，甚至绕在很薄的“工”形的磁芯上，工作时磁力线很少散发．有效导磁系数较高，磁场辐射小，对邻近部件影响小。同时占空系数小，分布电容也小。如图(b)(2)工作频率与磁芯材料的关系由于电感器的基体是铁氧体磁芯，其工作频率自然要受磁芯材料工作频率的限制，必须慎重选择。有关术语及定义1.初始磁导率μi 初始磁导率是磁性材料的磁导率(B/H)在磁化曲线事始端的极限值，即 μi=1/μ0 lim:H→0 B/H式中为μ0真空磁导率(4π×10^-7H/m) H为磁场强度(A/m) B磁通密度(T) 2.有效磁导率μe：在闭合磁路中，如果漏磁可忽略，可以用有效磁导率来表征磁芯的性能。 μe=L/μ0N2*Le/Ae式中L为装有磁芯的线圈的电感量(H) N为线圈匝数 Le为有效磁路长度(m) Ae为有效截面积(m^2)3.饱和磁通密度Bs(T)：磁化到饱和状态的磁通密度。见图1。4.剩余磁通密度Br(T)从饱和状态去除磁场后，剩余的磁通密度。见图1。 5.矫顽力He(A/m)从饱和状态去除磁场后，磁芯继续被反向磁场磁化，直至磁通密度减为零，此时的磁场强称为矫顽力。见图1。6.损耗因素tanδ根据因数是磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗三者之和 tanδ=tanδh+tanδe+tanδr式中tanδh为磁滞损耗因数 tanδe为涡流损耗因数 tanδr为剩余损耗因数7.相对损耗因数tanδ/u相对损耗因数是损耗因数与磁导率之比：tanδ/ui（适用于材料）tanδ/ue（适用于磁路中含有气隙的磁芯）8.品质因数Q品质因数为损耗因数的倒数：Q=1/tanδ9.温度因数αu(1/K)温度系数为温度在T1和T2范围内变化时，每变化1K相应的磁导率的相对变化量：αu=U2-U1/U1*1/T2-T1(T2>T1)式中U1为温度为T1时的磁导率 U2为温度为T2时的磁导率10.相对温度系数αur(1/K)温度系数和磁导率之比，即αur=U2-U1/(U2)^2*1/T2-T1(T2>T1)11.居里温度Tc(℃)在该温度下材料由铁磁性（或亚铁磁性）转变顺磁性。见图2。12.减落因数DF：在恒温下，完全退磁的磁芯的磁导率随时间的衰减变化，即DF=U1-U2/logT2-T1*1/(U1)^2(T2>T1)式中U1为退磁后T1分钟的磁导率 U2为退磁后T2分钟的磁导率 13.电阻率ρ(Ω/m)具有单位截面积和单位长度的磁性材料的电阻。14.密度d(kg/m3)单位体积材料的重量，即d=W/V式中W为磁芯的重量 (kg)V为磁芯的体积(m3)15.功率损耗Pc(KW/m3、W/KG)磁芯在高磁场密度下的单位体积损耗或单位重量损耗。该磁通密度可表示为Bm=E/4.44fNAe式中E为施加在线圈上的电压有效值(V)Bm为磁通密度的峰值 （T）f为频率(Hz)N为线圈匝数Ae为有效截面积(m2)目前。功率损耗的常用测量方法包括乘积电压表法和波形记忆法。16.电感因数AL(nH/N2)电感因数定义为具有一定形状和尺寸的磁芯上每一匝线圈产生的电感量，即AL=L/N^2式中L为装有磁芯的线圈的电感量(H) N为线圈匝数。电感的检验普通电感的检验（如：工字电感、色环电感）只需检验其电感量和电流量即可，如果公司对电感的检验有更高的要求，请参阅以下几个国标（别找我要，我也没有），如果那位朋友有这方面的资料，请跟贴，或发到我的信箱：lyh_leo@163.comGB/T 8554-1998 电子和通信设备用变压器和电感器 测量方法及试验程序 GB/T 9623-1988 通信用电感器和变压器磁芯 第一部分: 总规范 (可供认证用) GB/T 16512-1996 抑制射频干扰固定电感器 第1部分 总规范 GB/T 16513-1996 抑制射频干扰固定电感器 第2部分 分规范 试验方法和一般要求的选择

对于电流源而言，理想的电流源内阻是为无穷大，在电流源外串联电阻就相当于一个电阻串联在一个无穷大电阻上，没有丝毫作用。而电压源恰恰相反，理想的电压源内阻是为无穷小，在电压源外并联电阻就相当于一个电阻并联在一个无穷小电阻上，没有丝毫作用。

压敏电阻有什么用？压敏电阻的最大特点是当加在它上面的电压低于它的阀值"UN"时，流过它的电流极小，相当于一只关死的阀门，当电压超过UN时，它的阻值变小，这样就使得流过它的电流激增而对其他电路的影响变化不大从而减小过电压对后续敏感电路的影响。利用这一功能，可以抑制电路中经常出现的异常过电压，保护电路免受过电压的损害。例如：我们家用的彩电的电源电路中就使用了氧化锌压敏电阻，这里使用的压敏电阻压敏电压为470V，当瞬态的浪涌电压最大值（非有效值）超过470V时，压敏电阻就是体现他的钳位特性，把过高的电压拉低，让后级电路工作在一个安全的范围内。

电阻应变片工作原理是基于金属导体的应变效应，即金属导体在外力作用下发生机械变形时，其电阻值随着所受机械变形的变化而发生变化。当试件受力在该处沿电阻丝方向发生线变形时，电阻丝也随着一起变形（伸长或缩短），因而使电阻丝的电阻发生改变（增大或缩小）。 电阻应变片工作原理是基于金属导体的应变效应，即金属导体在外力作用下发生机械变形时，其电阻值随着所受机械变形的变化而发生变化。也就是当试件受力在该处沿电阻丝方向发生线变形时，电阻丝也随着一起变形（伸长或缩短），因而使电阻丝的电阻发生改变（增大或缩小），变化值和应变片粘贴的构件表面的应变成正比，最后通过应变仪的惠斯顿电桥将电阻信号转换成电压信号，再通过应变仪进行放大、滤波、模数转换等就可以显示出应变值，有的在软件里输入弹性模量，可以直接显示应力值，还可以进行应变花计算等功能。

热电阻的测温原理是基于导体或半导体的电阻值随温度变化而变化这一特性来测量温度及与温度有关的参数。热电阻大都由纯金属材料制成，目前应用最多的是铂和铜，现在已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。热电阻通常需要把电阻信号通过引线传递到计算机控制装置或者其它二次仪表上。热电阻的优点：1、压簧式感温元件，抗振性能好；2、测温精度高；3、机械强度高，耐高温耐压性能好；4、进口薄膜电阻元件，性能可靠稳定。扩展资料热电阻安装的注意事项：1、热电阻应尽量垂直装在水平或垂直管道上，安装时应有保护套管，以方便检修和更换。2、测量管道内温度时，元件长度应在管道中心线上(即保护管插入深度应为管径的一半)。3、温度动圈表安装时，开孔尺寸要合适，安装要美观大方。4、高温区使用耐高温电缆或耐高温补偿线。5、要根据不同的温度选择不同的测量元件。一般测量温度小于400℃时选择热电阻。6、接线要合理美观，表针指示要正确。参考资料来源：百度百科-热电阻

电阻：分压 限流 泄放；电容：滤波 隔直 通交。