nand

本文调试的是W25N01GVxxIG/IT型号的NAND Flash，从各项调试的结果来看nRF52 的QSPI不支持NAND Flash的读写。 这里有几个原因造成： 1.NAND Flash的状态寄存器读取方式不一样。 从下图的对比可以看出，NAND Flash读取状态寄存器的指令中间还需要插入SR Address，但是nRF52 的QSPI模式只是发送0x05，然后直接读取状态，这显然是不能满足NAND Flash的时序，而判断是否Busy是nRF52 QSPI模块硬件实现的，这里无法修改它的时序！！！ 这里附上在NORDIC DevZone中看到的 回复 。 在SDK中也能看到，nRF52枚举的地址类型仅仅支持24-bit/32-bit，所以它更适合驱动NOR Flash。 总结： 使用nRF52 的QSPI尽量使用支持满足上述条件的NOR Flash！！

Ferdinand von Karl Ferdinand 是名字，Von Karl是姓。德国人（或者说外国人）都是把名字放前面的。和我们中国人刚好掉转。Von Karl 确实是一个贵族的家族姓。

Lhavetheekeysaneegapenandanotebookinmydesk英语意思是什么？Lhavetheekeysaneegapenandanotebookinmydesk英语意思是什么？我在我的办公桌上备有笔记本

SLC/MLC/TLC三者对比：速度差异：4:2:1；成本差异，4:2:1；寿命差异：100:10:1。为了提高利润，厂商不再生产“原生SLC”，而改用MLC屏蔽一半来充当SLC。现在，厂商也开始了不再生产“原生MLC”的尝试：用TLC屏蔽一半容量、来充当MLC，也就是各种所谓的3bit MLC技术创新……

nand scrub 0xc000000 0x4000000这条命令是没错的，也可以使用。结果失败要看是那种问题导致的失败：1.有可能超出nand大小，192M+64M = 256M2.最大可能是硬件损伤，这种坏块是擦不掉的，不过一般驱动会自动屏蔽坏块，使用无区别

Levinhand吉他是一个联合品牌，由Gibson和Martin在美国生产。Levin吉他被Martin收购后，成为中档价位的吉他制造厂，而Sigma则为其生产低价位的吉他。对于该品牌的吉他，有人认为其音质不错，但需要一定的技巧和经验才能发挥出它的潜力。也有人认为该品牌的吉他性价比比较高，适合初学者使用。总的来说，Levinhand吉他是一个比较不错的吉他品牌，其产品有较高的性价比，适合初学者使用。

FernandoOliveiraFernandoOliveira是一名剪辑师，主要作品有《黑柏林》。外文名：FernandoOliveira职业：剪辑师代表作品：《黑柏林》合作人物：SabrinaFidalgo

先说RAM吧！！由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM都可以统称RAM，random access memory的缩写，只是前面加了几个修饰词而已。SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。SDRAM：同步动态随机存储器，像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高，因为是动态的，所以必须有刷新电路，每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。DRAM：动态随机存储器，SDRAM只是其中的一种吧，没用过，不怎么清楚。ROM：只读存储器的总称。PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。EPRM：没见过，不知道什么东西。网上也找不到相关的东西。是EPROM吧？EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。而NAND呢，采用的是串行的接口，CPU从里面读取数据的速度很慢，所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面，然后CPU才能够执行。就跟电脑的硬盘样的。但是它的集成度很高，我的ARM9的开发板上面一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大，所以成本很低。还有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲剧了，假如擦除一块2M的NOR要一分钟，如果NAND的擦除速度比NOR还要慢，那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。NAND一般是用在那些要跑大型的操作系统的嵌入式产品上面，比如LINUX啊，WINCE啊。NOR可是可以跑，可以把LINUX操作系统剪裁到2M以内，一个产品难道只去跑系统吗？用户的应用程序呢！其实很多时候，一个嵌入式产品里面，操作系统占的存储空间只是一小部分，大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑，硬盘都是几百G，可是WINDOWNS操作系统所占的空间也不过几G而已。我知道的都说了，忘采纳

歌曲名:Rejoice (Hernandez) (Medley)歌手:Billy Ray Hearn & Tom Fettke专辑:The Majesty And Glory Of Christmas (42 Traditional Carols And Hymns)Where did I misplace my faithWhere did I set it downWhich one the day that I forgotWhat this was all aboutAnd I came so closeTo throwing it all awayBut I"m taking it back againSo come and rejoiceCome and rejoiceWhat was lost is foundWhen did I get so sensibleMake me a fool againMy life was a half empty glassNow it is full againAnd this road we takeIs never an easy placeBut somehow we"ve found our waySo come and rejoiceCome and rejoiceAnd you don"t even have to make a soundI feel it in your touchYou sing it with you eyesWhat was lost is foundSo come and rejoiceCome and rejoiceWhat was lost is what was lost isWhat was lost is foundWhat was lost is foundKatherine Jenkins - Rejoicehttp://music.baidu.com/song/2733602

你的strcut nand_chip *chip 不能传递的，指针只能通过接口中的参数传递，所以一般都是保存在结构的priv指针处，要用时从这里取出来即可。仅供参考

TraceyHernandezTraceyHernandez是一名演员，主要的作品有《丧尸出笼2:病毒》。外文名：TraceyHernandez职业：演员代表作品：《丧尸出笼2:病毒》合作人物：AnaClavell

Robin Tunney 详细资料身高： 163cm 更多中文名：罗宾·滕尼 生平罗宾汤尼在芝加哥艺术学院开始学习表演。暑假期间，她在话剧《公共汽车站》和《天赐的艾格尼丝》中表演。18岁时，她搬到洛杉矶，很快她在许多电视节目诸如《生活在继续》、《96级》、《法律和命令》、HBO的《梦想》和ABC电视台的微型系列节目《JFK：鲁莽的青年时期》，在这个节目中他扮演凯特·肯尼迪的角色。

Fernando Sucre 美剧《越狱》中的角色，越狱小组成员。Michael Scofield的室友。剧中最痴情的汉子，为了女友不惜越狱出逃。扮演者为Amaury Nolasco。 角色资料 编号：89775 所在位置： 通犯人A区，40号牢房 所犯罪行：两起恶性抢劫 刑期：17年 剩余刑期：9年10个月 距可保释时间：1年4个月 注释： Fernando Sucre 在芝加哥出生和长大，自从到Fox River 之后他就是模范犯人。他的罪行是携带退了子弹的火器抢劫一家酒铺。他这样做是想为他认识三年的女友Maricruz买订婚戒指。但他还没来得及逃跑警察就出现了，他立刻被捕。 之前Sucre和Maricruz已经约会两年了。6个月前，Maricruz找到一份工作，成了曼哈顿一主要时装零售商的买主，并搬到了纽约。 一个月之后，Sucre的侄子Hector也搬到了纽约。他告诉朋友说是公司调动他的，但了解他的人都怀疑是他向公司提出调动的，这样他可以接近Maricruz。 附加注释： 他的女朋友Maricruz Delgado 会来探监.他可以有一月一次的行房探监的机会。他属于C等犯人，可以参加监狱的生产活动。

　　DRAM与NAND的区别是： 　　1、DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。（关机就会丢失数据）。 　　2、NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

《Inception and Philosophy》（Botz-Bornstein, Thorsten 编）电子书网盘下载免费在线阅读链接: https://pan.baidu.com/s/1qX24AZtC41chbMGZnESdnA 提取码: an83书名：Inception and Philosophy作者：Botz-Bornstein, Thorsten 编出版社：Open Court出版年份：2011-11-1页数：288内容简介："Inception", starring Leonardo DiCaprio, is the most philosophical, thought-provoking, and disturbing movie since "The Matrix". It was the "existential heist film" of the year in 2010. The very idea that our dreams and reality are one and the same has caused many sleepless nights and deep, vexing conversations around the world. The natural association of the film with philosophical dream theories suggests that Inception is underpinned by deep philosophical urges. What is the nature of the world? Are there dreams within dreams? In "Inception and Philosophy", philosophers examine the complicated dream theme from various angles. Are our thoughts are our own? Is shared dreaming possible? Forty-three percent of "residents" of virtual worlds such as Second Life report that they feel as strongly about their virtual community as they feel about the real world. Are they walking away from the real world just as Cobb could have done and possibly did?

歌曲名:This Boy歌手:Franz Ferdinand专辑:You Could Have It So Much BetterFranz Ferdinand - This BoyIt seems this boy"s bathed in ridiculeToo forward, way too physicalIt"s time that I had anotherI"m always wanting more if there"s another oneGive me some more I"ll have another oneI"ll have a slice of your motherThis boy is so spectacularNot a boy but a wealthy bachelorI want a car I want a carI want a car I want a carI see losers losing everywhereIf I lose, I"ll only lose a careThat I might have for for anotherI am complete, invincibleIf I have one principleThen it"s to stand on You, brotherThis boy is so spectacularNot a boy but a wealthy bachelorI want a car I want a carI want a car I want a carI wanna wanna wanna...If I like cocaine I"m racing youFor organic fresh EchinaciaOne kick"s as good as anotherIf tired I"m tired of telling youI"m never tired I"m always better than youBye boy, run to your motherAnd this boy"s so spectacularNot a boy but a wealthy bachelorOh yes I am spectacularNot a boy but a wealthy bachelorI want a car I want a carI want a car I want a carI wanna wanna wanna...http://music.baidu.com/song/649214

会循环尝试4000次获取锁，如果4000次后还没成功获取就会休眠线程，等别人释放锁以后再唤醒。说老实话4000是不是也有点太多了……

法国。在ronandxo的介绍下，是法国洋酒。洋酒是指进口酒类的总称，包括烈酒、啤酒、葡萄酒、利口酒等，不同酒精含量的酒水品种。

应该可以这么分开读吧~~style nan da 咩哈~~我猜的哦~~stylenanda的衣服简约大方 我都好喜欢的

这个发音应该是有style,加上韩语ub09cub2e4。翻译过来就是我的风格。style是类型、风格的意思，ub09cub2e4是我的意思。

你好！这个发音应该是有style,加上韩语ub09cub2e4。翻译过来就是我的风格。style是类型、风格的意思，ub09cub2e4是我的意思。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

《Smeaton and Lighthouses》（Anonymous）电子书网盘下载免费在线阅读链接: https://pan.baidu.com/s/1nsTrnhzysGg5UXW2Z5qzSA 提取码: qe2v书名：Smeaton and Lighthouses作者：Anonymous页数：92内容简介：A Popular Biography, With An Historical Introduction And Sequel first publishedi n 1844. John Smeaton (1724-92) is regarded as the "father of civil engineering" and was responsible for the design of bridges, canals, harbours and lighthouses.

歌曲名:Say歌手:Marcos Hernandez专辑:C About MeWhat I wanted for us isn"t nothingLike the things we do to make us feel this isn"t realAnd although we both know that our egos go toe to toeTo show who really has the wheelWe do not see how easily we come ungluedAnd every word you say to me makes me confusedYou couldn"t even trust me (no diggity) when I left the houseYou need to try to love me (you gotta back it up) when I"m not aroundSo say what you want or say you don"t want me and I"ll be outWell I gotta bounce or say that you want meI am willing to bet that in timeYou would have said the same thing that I didAnd just assuming I"m alright, I must confessThat this loneliness and me dealing with all your shitIt goes right through meSo do we move i know we shouldWhen all the bad outweighs the goodI know we"d be better off aloneI"m not the guy to put up with your prideOh girl i gotta flySo say what you want or say you don"t want me and I"ll be outWell I gotta bounce or say that you want meBaby i"ve cried and prayed that I don"t have no moreMore for you deep insideCan you just please, just tell me nowThat you aint a part of my lifeSo say what you want or say you don"t want me and I"ll be outWell I gotta bounce or say that you want mehttp://music.baidu.com/song/14057666

歌曲名:I Got You歌手:Shenandoah专辑:Now And ThenNikki Flores - I Got Youooh heyeahoohi"ve been waiting for a long timefor someone who could make my dreams come trueyou"ll be with me for a long timehelping me through all that i have gotten throughand i"m thankful for everythingyou do for me boyand you know that i love youi"ll take care of anything you"ll ever needwhen your all by yourself baby(i got you)if you need someone call baby(i got you)theres no need to be lonely(i got you)and i know that you got me too boyhuh ay yeah yeahhuh ay yeah yeahhuh ay yeah yeahhuh huhwhen you smile at me it makes me weaki can count on you boyto be there when i"m fallingi didn"t have to change for you to seethat nothing can ever come between you and meand i need you for who you areand all that i am when i"m standing next to youi"m so lucky to have you in my lifewhen your all by yourself baby(i got you)if you need someone call baby(i got you)theres no need to be lonely(i got you)and i know that you got me too babyyour heart is with me and with no body else(nobody else)i"m trying to keep my cool but i cant help it (i cant help myself)i cant imagine life without your love (without your love)now and forever you"re all im thinking ofoohwhen your all by yourself (yeah)i got youtheres no need to be lonely (oh oh yeah)and i know that you got me through babywhen your all by yourself baby(when your all by yourself)if you need someone call baby(if you need me call)theres no need to be lonely(cuz theres no need to be lonely)and i know that you got me toowhen your all by yourself baby(i got you)if you need someone call baby(i got you)theres no need to be lonely(i got you)and i know that you got me tooall by yourself(i got you)if you need someone call mei got youwhen you"re all by yourselfand i know....http://music.baidu.com/song/2895498

歌曲名:Shenandoah歌手:Sissel专辑:SisselOh, Shenandoah, I long to see you,噢，仙那多，我渴望听到你的歌声，Away you rolling river.流淌吧，你滔滔流向远方。Oh, Shenandoah, I long to see you噢，仙那多，我渴望听到你的歌声，Away, I"m bound away,启航吧，我要驾船，Cross the wide Missouri.穿过宽阔的密苏里河。Oh, Shenandoah, I love your daughter,噢，仙那多，我爱你的女儿，Away you rolling river.流淌吧，你滔滔流向远方l take her "cross the rolling water我要和她一起渡过滔滔的流水Away, we"re bound away启航吧，我们要驾船，Cross the wide Missouri.穿过宽阔的密苏里河。Oh, Shenandoah, I"m bound to leave you,噢，仙那多，我就要离你去远航，Away you rolling river.流淌吧，你滔滔不绝地流向远方。Oh, Shenandoah, l"ll not deceive you,噢，仙那多，我决不背叛你，Away, I"m bound away,启航吧，我要驾船Cross the wide Missouri.穿过宽阔的密苏里河。歌手介绍：Sissel Kyrkjebo挪威著名的女歌手，以其空灵清澈的音色踏入歌坛超过10年。Sissel Kyrkjebo于1969年出生于挪威，4岁时就参加儿童合唱团，并开始在挪威电视台多次露面。从16岁出第一张唱片开始至今，已经是北欧斯堪地那维亚地区家喻户晓的天后，在家乡挪威450万人口中，她的5张唱片销售累计超过200万张。歌名由来：中文译名情人渡，这首歌十九世纪初起源于密西西比河和密苏里河流域之间，歌曲讲述了一位富有年轻英俊的商人爱上了印第安族长Shenandoah的女儿。歌曲深受水手们喜爱，于是随着他们的航程相传，十九世纪四十年代前，第一次在美国广为流传。Shenandoah现是一条小河的名称，全长40英里，在美国滨州和乔治亚州的阿帕拉契山脉间。因为Shenandoah太有名，整个区域的国家公园也是以“Shenandoah”命名。

你那个烧录文件是完整的么？还是存在有坏块？你这种芯片对坏块的管理的要求是怎么样的？

具体的方法： 看DATASHEET NOR Flash上数据线和地址线是分开的 NAND Flash上数据线和地址线是共用的 NOR FLASH/NAND FLASH 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天...

不可以。copy-back其实就是将一页中的内容复制flash的缓存中，然后从缓存中复制到另一页中，这中间你不能修改其内容，整个传输过程中没有用到外部存储器（flash的外部）。如果你修首先要将一页内容读取出来放到内存中，然后再修改，接下来再写进另一页。copy-back操作的两个页也是有限制的，对于某些多plane的flash，要求两个页都要在同一个plane才可以执行。

http://baike.baidu.com/view/2291392.html?wtp=tt百科里很全，我以前就是做闪存生意的，还有一种是nor闪存，各自的功能和特点不一样

yaoguai102说得没错， 楼主说到的读出写入的数据来比较的方式，可用于实时判断上一个流程写入的数据是否正确。 然而 将来 读取数据时，由于NAND Flash的特性，则需要判断存储的数据是否有错误，这时就由ecc来纠错了。 ecc纠错算法有好多种，多少字节内能纠错多少bit是由不同ecc算法的纠错能力来决定的，并非只能256Byte纠错一位。 ecc纠错码的存储位置实际上可以由你自己决定，一般是spare area也可以是data area，目的是针对不同架构的NAND Flash芯片如何方便你管理文件系统或兼容性了。

直接刷机就好了

很多同学使用笔记本作为自己的ARM开发和学习的平台，绝大多数笔记本都没有并口，也就是无法使用JTag调试和烧写程序到Nand Flash中，幸好我们还有JLINK，用JLINK烧写U-boot到Nor Flash中很简单，大部分NOR Flash都已经被JLink的软件SEGGER所支持，而新手在学习的时候经常会实验各种各样的命令，最悲剧的莫过于将NAND Flash中原有的bootloader给删除了，这时候开发板上电后由于没有bootloader，硬件没有被初始化，在NAND Flash中的操作系统也就无法被加载，开发板成“砖”了，这时候笔记本又无法利用JTag烧写程序进Nand Flash。起始这些可以利用JLink通过两种方法解决：一、方法一，利用NOR Flash。这种方法是利用JLink能够烧写程序到NOR Flash来完成的，首先利用J-FLASH ARM将u-boot.bin烧写进NOR Flash（记得烧写到NOR Flash的0x0起始地址处），然后设置开发板从NOR Flash启动，这时候系统进入U-boot命令行模式，这时候打开J-Link commander，输入命令：r 看JLink是否能识别开发板的信息（也就是判断JLink是否连接正常）。以下是在J-Link commander里的命令，先假设u-boot.bin在你电脑的D盘根目录下。1. speed 12000 //设置TCK为12M，下载程序时会很快 2. loadbin d:u-boot.bin 0x30000000注意：0x30000000是你想要下载u-boot.bin到开发板的内存地址，内存地址根据不同的开发板设定不同，因为本文中使用的是FL2440，片上系统是S3C2440，内存挂载的地址区域是0x30000000~0x33ffffff，我们只需要把u-boot.bin下载到这片区域即可，然后我们在U-boot命令行模式输入NAND Flash擦除和写入命令即可：nand erase 0 40000 // 擦除从0地址开始的大小为0x40000的Nnad Flash扇区，0x40000是待写入的U-boot.bin的大致长度，长度必须为NAND Flash页大小的整数倍，通常会需要比u-boot.bin实际长度长。nand write 30000000 0 40000 // 把前面下载到0x30000000的u-boot.bin烧写到Nand去然后我们再设置开发板从NAND Flash启动即可。二、方法二，直接通过JLink假如你的开发板没有NOR Flash或者是你使用的NOR Flash还未被J-FLASH ARM所支持，这时上面的方法你就无法使用了，这时候你需要一个初始化内存SDRAM的程序，这个程序完成的功能也就是配置好SDRAM的寄存器，使它能正常工作，fl2440的内存初始化程序下载地址：“2440init.bin”。你还需要准备一个特殊的u-boot_SDRAM.bin，它与你要烧写到NAND Flash的u-boot.bin有区别，u-boot_SDRAM.bin编译时需要在include/configs/开发板配置文件.h文件中添加：#define CONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT 1 //用来支持uboot在内存中直接运行添加这个宏定义之后，U-boot就跳过了内存初始化的部分，因为此时我们的内存已经先由“2440init.bin“初始化好了，再次初始化会出现内存数据的丢失。做好上面的准备工作之后，首先将开发板设为从NAND Flash启动，启动J-Link commander，先假设“u-boot.bin”和“2440init.bin”在电脑的D盘根目录下。loadbin d:2440init.bin 0 setpc 0 g 为什么需要把"2440init.bin"复制到0x0地址是因为S3C2440有4K的SRAM，它不需要初始化就可以直接执行程序，从NAND Flash启动时，这个SRAM的地址会挂载到0x0~0x1000的地址空间，我们先把"2440init.bin"复制到SRAM中运行，执行这部分后S3C2440的SDRAM内存就初始化好了（地址空间0x30000000~0x33ffffff）。也许有人会说为什么不一开始就把u-boot_SDRAM.bin放在SRAM中运行啊？SRAM只有4K的大小，而U-boot通常在100~300K，SRAM的空间显然不够，而"2440init.bin"的大小只有不到2K，它可以在SRAM中运行。内存初始化成功后，下载特制的u-boot_SDRAM.bin：h loadbin e:u-boot_SDRAM.bin 0x33f80000 setpc 0x33f80000 g

　　NAND设备存在坏块，为和上层文件系统接口，NAND设备的驱动程序必须给文件系统提供一个可靠的存储空间，这就需要ECC（Error Correction Code）校验，坏块标注、地址映射等一系列的技术手段来达到可靠存储目的。　　SSFDC软件规范中，详细定义了如何利用NAND设备每个页中的冗余信息来实现上述功能。这个软件规范中，很重要的一个概念就是块的逻辑地址，它将在物理上可能不连续、不可靠的空间分配编号，为他们在逻辑空间上给系统文件提供一个连续可靠的存储空间。　　表1给出了SSFDC规范中逻辑地址的标注方法。在系统初始化的时候，驱动程序先将所有的块扫描一遍，读出他们所对应的逻辑地址，并把逻辑地址和虚拟地址的映射表建好。系统运行时，驱动程序通过查询映射表，找到需要访问的逻辑地址所对应的物理地址然后进行数据读写。

NAND FLASH

只要是NAND FLASH，接口基本都是一样的，你这连接太奇怪了，是串行接口的？这东西不需要专用的机器的，板子上不是有CPU吗，写个程序去读写就行了。

1. 基本介绍NAND FLASH 和NOR FLASH 有很大的差别，NOR FLASH 可以通过地址和数据总线直接访问，而NAND FLASH 的访问需要通过NAND FLASH 控制器来实现。因为NOR FLASH 可以通过数据和地址总线直接访问，所以可以根据FLASH 的型号编写一个适用于所有硬件平台的通用的NOR FLASH 驱动程序。对NAND FLASH 而言，其访问和控制需要通过NAND FLASH 控制器来实现，而不同的MCU 都有自己的NAND FLASH 控制器。这就决定了NAND FLASH 不能象NOR FLASH 那样，编写一个通用的FLASH 驱动程序，适用于所有的硬件平台。对NAND FLASH，只能通过MCU + FLASH 组合的形式来编写相应的FLASH 驱动程序。要在 H-FLASHER 中添加自己的NAND FLASH 驱动，需要提供NAND FLASH 描述文件和对应的FLASH 驱动程序。H-FLASHER 通过分析NAND FLASH 描述文件来获取相关的信息，包括，NAND FLASH的容量，结构，ID 和驱动程序名称等。NAND FLASH 驱动程序是实际对FLASH 进行操作的一段二进制程序。H-FLASHER 通过与这段程序进行交互，来实现对FLASH 的操作。关于描述文件和驱动程序的相关信息，请查看下面的介绍。

不必须。主要看什么应用。举例子，有的需要大容量存储，可能就会选nand；有的可能要用xip，基本上就用nor了。有的直接用芯片内部的存储器就够了，那时候啥扩展都不用了。

谁说我们的uboot要用norflash启动？一般是开发过程中是先把uboot载到nor中，然后通过nor中的uboot再把uboot跟linux内核，根文件系统下到nandflash，它的最终位置应该是在nandflash。。。至于nor跟nand有什么区别，nor里面的代码可以直接运行，

bruce说的不准确喔flash都可以掉电保存的.而且跟内存相似的是norflash,nandflash不能像内存一样随机读取sd卡就是nandflash加上控制电路和接口

汉下白登道，胡窥青海湾。

容量为512M,NAND牌子的闪存

请教各位,先谢了!根据读写的block和page计算出来的nandflash不是norflash,在内存映射上没有地址读写要看datasheet,发送命令字和地址序列进行读写操作但是一般的cpu,像2410/2440上面都有操作nandflash的专门的寄存器熟悉寄存器的相关位的含义就可以操作nandflash了.这个没有物理地址对应的,要靠寄存器操作实现读写!nand是块设备,没有物理地址.

Ecc相关寄存器怎样设置跟Nand Flash无关吧，要看Nand flash的外围控制器（也成为IC）是怎样设计的，而且对于你驱动层来说，不需要知道怎样实现，只要IC设计部门告诉你怎样设置寄存器就可以了。

1、适用于RAM的一般是虚拟文件系统，Linux引入了虚拟文件系统VFS(Virtual File System)，为各类文件系统提供统一的操作界面和应用编程接口，/proc/下就是这样的文件系统，掉电会丢失； 2、NOR FLASH：JFFS主要用于NOR型闪存，基于MTD驱动层，JFFS是可读写的、支持数据压缩的、基于哈希表的日志型文件系统，并提供了崩溃/掉电安全保护，提供“写平衡”支持等功能，但是缺点：当文件系统已满或接近满时，因为垃圾收集的关系而使jffs2的运行速度大大放慢，不适合NAND FLASH上使用； 3、NAND FLASH： yaffs/yaffs2是专为嵌入式系统使用NAND型闪存而设计的一种日志型文件系统。与jffs2相比，它减少了一些功能(例如不支持数据压缩)，所以速度更快，挂载时间很短，对内存的占用较小。yaffs是跨平台的文件系统，除了Linux和eCos，还支持WinCE, pSOS和ThreadX等；yaffs与yaffs2的主要区别在于：前者仅支持小页(512 Bytes) NAND闪存，后者则可支持大页(2KB) NAND闪存。与JFFS相比，yaffs2在内存空间占用、垃圾回收速度、读/写速度等方面均有大幅提升。希望这个答案能够使你满意！

前者可直接在存储中执行指令，单片机的是后者

一、接口传输模式对I/O速度的影响 riple 采用ONFi 2.0提出的DDR接口，提高了I/O数据传输速率：源同步（缩小了建立保持时间要求）、双边沿触发（加倍了数据传输速率）。 riple二、Block结构和生产工艺对Array传输速度的影响 riple 与上一代NAND Flash相比，Page容量加倍，在Array传输时间基本不变的情况下，等效地加倍了Array传输速度。 riple 72nm到50nm的工艺改进，缩小了芯片面积，提高了芯片速度（读Array速度提升不明显，写Array速度提升了1倍），降低了功耗。 riple三、缓冲与缓存对速度的影响 riple Micron的NAND Flash的一大特点是：每一个Plane对应一个Page大小的缓冲（data register）和一个Page大小的缓存（cache register）。数据写入的顺序是：I/O -> cache register -> data register -> Plane，数据读出的顺序刚好相反。缓冲（data register）与缓存（cache register）之间的数据传输速度很快，data register可以把I/O操作和Array操作分隔开，形成I/O操作和Array操作的“两级流水线”。这种结构与上一代NAND Flash一样。（其实，4个Plane对应4个data register和1个cache register即可） riple四、多Plane操作对速度的影响 riple 4个Plane对应4组缓冲与缓存，每一组可以分别操作。2个Plane交替操作，可以实现“乒乓操作”，达到2倍的Array访问带宽。4个Plane交替操作，可以实现“乒乒乓乓操作”，达到4倍的Array访问带宽。在上一代的NAND Flash芯片中，采用2Plane结构是比较常见的。 riple五、200MB/s的读速度和100MB/s的写速度是怎样得到的 riple 读I/O时间：1Toggle/Byte x 6ns/Toggle x 4096Byte/Page = 24.6us/Page，与读Array时间30us/Page近似。在采用cache模式的读操作下，两级流水线的速度取决于“I/O速度”和“读Array速度”中较慢的一个，不采用多Plane操作，平均速度只能达到读Array速度，即4096Byte/30us =136MB/s；在2Plane模式下，读Array时间缩短至15us/Page，小于读I/O时间24.6us/Page，两级流水线的速度取决于“I/O速度”，平均速度达到I/O速度4096Byte/24.6us = 166MB/s，这与宣传中200MB/s的速度还有些差距。我们采用的I/O周期值是数据手册给出的，芯片实际能够运行的I/O速度往往要略高一些：在上面的分析中，只要I/O周期缩短至5ns/Toggle，“超频”后的读I/O时间就缩短至20us/Page，大于读Array时间15us/Page，两级流水线的速度仍然取决于“I/O速度”，这样一来平均读取速度就能达到4096Byte/20us =200MB/s。（从上面的分析看，如果不对I/O速度进行“超频”，平均读取速度是达不到200MB/s的，看来宣传还是略有夸张的） riple 写I/O时间：1Toggle/Byte x 6ns/Toggle x 4096Byte/Page = 24.6us/Page，与写Array时间160us/Page相差很多，单独采用cache模式不够，还要采用4Plane的“乒乒乓乓操作”，缩短写Array时间，尽量均衡流水线的两级操作时间。4Plane模式平均Array写操作时间为一次Array写操作时间的1/4，40us/Page。所以在cache模式配合4Plane模式的写操作下，流水线的速度等于流水线两级中最慢的“平均Array写速度”，可以近似为：4096Byte/40us = 102MB/s。 riple 从上面的分析可以看出，I/O速度限制了读取速度的最大值，在ONFi 3.0预计的400MB/s的I/O速度实现后，NAND Flash的平均读取速度也能够达到400MB/s（这回就要采用4Plane模式了）；Array传输速度限制了写入速度的最大值，如果不对芯片的内部结构和生产工艺进行改进的话，NAND Flash的平均写入速度很难进一步提高。

【Linux下nand flash驱动编写步骤简介】1. 了解硬件的nand flash的各个参数和工作原理具体参考nand flash的datasheet，主要包括，自己nand flash的厂商，型号等。Nand flash的页大小，oob大小，块大小，位宽8bit还是16bit。工作原理，上面已经做了一定描述，不清楚的，可以参考datasheet，多看看，就会明白很多。2. 按照linux下驱动编写规范编写nand flash驱动，可以参考其他已经有的驱动，比如内核源码中已经有的drivers/mtd/nand/s3c2410.c就是个很好的例子。自己以其为模板，实现自己板子的nand flash驱动。其实主要工作就是，实现static struct platform_driver s3c2410_nand_driver = { .probe = s3c2410_nand_probe, .remove = s3c2410_nand_remove, .suspend = s3c24xx_nand_suspend, .resume = s3c24xx_nand_resume, .driver = { .name = "s3c2410-nand", .owner = THIS_MODULE, },};中的XXX_nand_probe函数XXX_nand_remove函数XXX_nand_enable_hwecc，如果支持硬件ecc的话。对nand flash的读写，这两个函数，实现了对nand的具体操作。【Linux下Nand Flash驱动编写简单步骤】软件和硬件知识，都已经了解的话，由于上层的linux的 mtd框架中，已经完全封装好了，对nand flash的write page，write oob等相关函数的实现，那么剩下的只是相对来说已经是很少量的，关于nand 驱动具体内部操作方面的工作：1.初始化先是在nand 芯片初始化的时候，对其XXX_nand_init_chip（）给对应的芯片chip赋给对应的XXX_nand_read_buf和XXX_nand_write_buf等函数： chip->cmd_ctrl = XXX_nand_hwcontrol; chip->dev_ready = XXX_nand_devready; chip->read_buf = XXX_nand_read_buf; chip->write_buf = XXX_nand_write_buf;以实现后续的对nand芯片的操作。然后根据ecc类型，赋给对应的ecc的校验与纠错函数： chip->ecc.hwctl = XXX_nand_enable_hwecc; chip->ecc.calculate = XXX _nand_calculate_ecc;3. 实现上面提到的对应的各个函数，关于如何实现，参考一下其他nand驱动，就会理解很多了。4. 驱动测试，参考具体的 ldd3（Linux Device Driver version 3）的测试相关部分内容。说得很乱，希望对大家有些帮助。

norflash,nandflash,EEPROM都是些非易失性存储器，它们都是基于悬浮栅晶体管结构，但具体实现工艺上有差异。EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快.nandflash用于存储，而norflash除了存储数据功能外，还可以直接在上面运行程序。至于dataflash则是一个抽象概念，可以由norflash nandflash EEPROM构成。

厂家所说的4G指的是4 000 000 000字节，是按1000进制计算的，而电脑是按照1024进制计算的，所以标称为4G的NAND Flash理论容量是4 000 000 000 / 1024 / 1024 / 1024 = 3.72529G。再扣掉Mp4自身的系统软件所占的空间和文件系统所占的空间，剩余3.54G可用空间是正常的。至于说你的Flash有坏区，大可不必担心。所有的Flash都有坏区，只要起始地址没坏，Flash就可以正常使用。存储区如果有损坏，是会被自行替换的，无需用户参与。至于其它容量的Flash，按照相同的算法，都可以算出相应的理论容量。

扔掉

是的，只有一根数据线，其它的都是寻址的地址线，串行干扰会小些

觉得比较小

这是一颗全新的IC尺寸6x8mm，LGA-8封装，容量从1Gbit到8Gbit。Q 9196 Q 509 Q 33 QNAND flash内核，走SD 协议，完美兼容TF卡，只要有CPU直接SD 接口，可以直接使用。相对于T卡的好处，贴片式T卡可以直接焊在在PCB上，增加了产品的稳定性，另外尺寸比TF卡小，大概只有TF卡的五分之一，节省一个卡槽。 157贴片式的形式，也减少了TF卡反复插拔造成接触不良的问题，也增强了可靠性，不容易因为产品的碰撞导致TF卡的脱落。 1081最重要的一点是，我们的贴片式T卡是用芯片级的封装技术，使用 的NAND是属于比较好的wafer，保证是good die。不会像TF卡，所使用的wafer参差不齐，这也是我们比较好的一个优势，贴片式TF使用的是SLC NAND，擦写次数能到达10万次。 5657郭先生

NANDflash和NORflash的区别两种并行FLASHFlash存储器又称闪存，是一种可以在线多次擦除的非易失性存储器，即掉电后数据不会丢失，具体积小、功耗低、抗振性强等优点，为嵌入式系统中典型的两种存储设备。1、NOR型Flash：如SST39VF160，可以直接读取芯片内存储器的数据，速度比较快，但价格较高；芯片内执行（XIP，eXecuteInPlace），应用程序可以直接在Flash上运行，不必再把代码读到系统RAM中；2、NAND型Flash：如K9F2808U0C，内部数据以块为单位存储，地址线和数据线共用，使用控制信号选择；极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也快，应用NAND型的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。3、细述二者的差别：（1）、接口差别：NOR型Flash采用的SRAM接口，提供足够的地址引脚来寻址，可以很容易的存取其片内的每一个字节；NAND型Flash使用复杂的I/O口来串行的存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同，通常是采用8个I/O引脚来传送控制、地址、数据信息。（2）、读写的基本单位：NOR型Flash操作是以“字”为基本单位，而NAND型Flash以“页面”为基本单位，页的大小一般为512字节。（3）、性能比较：NOR型Flash的地址线和数据线是分开的，传输效率很高，程序可以在芯片内部执行，NOR型的读速度比NAND稍快一些；NAND型Flash写入速度比NOR型Flash快很多，因为NAND读写以页为基本操作单位。（4）、容量和成本：NAND型Flash具有较高的单元密度，容量可以做得比较大，加之其生产过程更为简单，价格较低；NOR型Flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB的产品中，这也说明NOR主要用在代码存储介质中，NAND适合数据存储在CompactFlash、PCCards、MMC存储卡市场上所占的份额最大。（5）、软件支持：NAND型和NOR型Flash在进行写入和擦除时都需要MTD（MemoryTechnologyDrivers，MTD已集成在Flash芯片内部，它是对Flash进行操作的接口。），这是它们的共同特点；但在NOR型Flash上运行代码不需要任何的软件支持，而在NAND型Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序，即内存技术驱动程序MTD。

nand flash的存储原理，大概上就是它的最小物理存储单元，能够将电子存储起来，即使在断电的情况下。每个存储单元有无电子的状态，就能制成数据的0和1。制作Flash的厂商，都提供的外围接口了，包括地址线和各种信号线什么的，还提供各种命令的发送规则。你所说的S3C2410应该属于控制芯片了，它在对flash读写过程，实际上是向下发送读写命令，当然还包括地址和数据，flash会对发送的命令进行相应的操作，完成读写的过程。希望答案对你有所帮助。

首先调用erase,将NAND全部擦除一遍,然后执行如下检测操作,如果页大于512字节,badblockpos = 0;badblockbytes = 2;如果页小于512字节,badblockpos = 5;badblockbytes = 1;读取每个block的前两页OOB区域的第badblockpos开始的后badblockbytes字节是否为0xff,如果是,那么说明该block是好的,否则该block是坏块[gliethttp_20080523]！UINT_T create_bbt(FlashBootType_T fbt){ UINT_T Retval; P_FlashProperties_T pFlashP = GetFlashProperties(fbt); UINT_T BlkSize,BlkNum; UINT_T flash_addr;#define page_size (2048)#define page_spare_size (64)#define block_size (64*page_size)#define tmp_buffer_addr (0x80200000 - page_size - page_spare_size)#define tmp_spare_buffer_addr (tmp_buffer_addr + page_size) int i,j; char *bbpos; bbpos = (char*)(tmp_spare_buffer_addr + 0); BlkSize = pFlashP->BlockSize; BlkNum = pFlashP->NumBlocks; for(i = 0;i < BlkNum;i++) { flash_addr = i * BlkSize; for(j = 0;j < 2;j++) { Retval = xdfc_read((UINT_T *)tmp_buffer_addr, flash_addr + j*page_size, page_size, (UINT_T *)tmp_spare_buffer_addr, GetNANDProperties()); if(Retval) { goto __create_bbt_mark; } if(bbpos[0] != 0xff)goto __create_bbt_mark; if(bbpos[1] != 0xff)goto __create_bbt_mark; } continue;__create_bbt_mark: RelocateBlock( i, &GetFMProperties()->BBT, fbt ); }}

2016年，由于中国几个主要手机大厂（OPPO，VIVO，华为）的需求持续火爆，导致这些工厂给memory大厂的FORCAST数量也是非常巨大，据传2016年下半年的预测量是上半年的二倍。但是三星，海力士，镁光，东芝等大厂的产能有限，并且对于大容量的NAND 制程纷纷转向3D，3D整个转产并不顺利，良率一直不高。以上的所有原因导致2016年DRAM和大容量的NAND Flash市场价格一直上涨，价格居高不下，一些主流晶圆大厂三星，海力士，镁光，东芝等纷纷调整产能，停掉一些利润不大的产线，积极出货大容量DRAM和NAND Flash（EMMC）。NAND FLASH行业由于大容量的利润随着价格不断飙涨，原厂利润也越来越好，这样导致很多原厂停产了小容量SLC等级的NAND Flash。三星停产K9F1G08U0E，东芝减产小容量NAND flash，海力士也准备停产掉1Gb 的H27U1G8F2CTR。Spansion的小容量产品全线提价，并且告知客户缺货。停产导致价格持续上涨，给中小型企业带来了巨大的压力，客户急需找到一个能够持续稳定供货，并且有一定技术实力的原厂。环顾整个小容量nandflash市场，目前只有韩国ATO solution公司能够完成这个使命。他们是一家专注于小容量SLC NAND flash的厂商，容量从256Mb到 1Gb都有涉及。而且所有物料能够长期供货。他们具备一条M8晶圆产线使用，并且是自己独立研发的1Gb nandflash的产品，不受到其他公司专利权限制。

西尔特5000以上都可以烧录，不过贵些，周立功的便宜些，你说下芯片型号，我帮你查一下哈

/*说明：测试nandflash的可靠性，有的时候nandflash写进去的内容会变位比如写进去1，可是存储的值变成了0，为了测试这种情况的频率写了下面的测试用例*//*nandflash挂载在/home/test目录下，通过不停的往test目录下写两个文件A,B（随便两个文件二进制文件都可以），写进去的文件名和顺序A0，B0，A1，B1，A2，B2....,每写进入一个文件读出来和A或者B比较*//*如果一旦发现写满了就删除文件重写继续写，一直持续下去，如果发现读出来的内容和写进入的内容就报错，然后再写一次，如果还错就退出程序*/ #include <stdio.h>#include <stdlib.h>#include <unistd.h>#include <string.h>#include <fcntl.h>#include <sys/statfs.h> //for statfs#include <sys/vfs.h> //for statfs#include <sys/types.h>#include <sys/stat.h> //for stat#include <sys/time.h>#include "errno.h"static int nandflash_wrong=0;int check_remain_space(void){ int stat_flag=0; int i; struct statfs nandflash_stat; long hdisk_remainder_space; char path_name_check[32]; struct stat name_buf_check;stat_flag = statfs("/home/test", &nandflash_stat);//获取nandflash的信息 if(stat_flag<0) { printf("get nandflash info error! "); return -1; }hdisk_remainder_space = (float)nandflash_stat.f_bsize * nandflash_stat.f_bfree / 1024;//检测磁盘空间 if(hdisk_remainder_space<8*1024) //至少保留8M的空间 { for(i=0;i<200;i++) { sprintf(path_name_check,"/home/test/A%d",i); stat(path_name_check,&name_buf_check); if(errno!=ENOENT) //文件存在，则删除 { unlink(path_name_check);//不能重名 } sprintf(path_name_check,"/home/test/B%d",i); stat(path_name_check,&name_buf_check); if(errno!=ENOENT) //文件存在，则删除 { unlink(path_name_check);//不能重名 } } sleep(20); //删除文件并不是立即删除，所以要等待文件删除之后再写,防止写的速度比删除速度快，导致磁盘被写满的情况而出错 return 1; } return 0;}int write_read_nandflash(int mark,unsigned int i,int file_size,char *write_buf,char *read_buf){ FILE *fp; char path_name[32]; unsigned long buf_count=0; struct stat name_buf;if( mark == 0 ) { sprintf(path_name,"/home/test/A%d",i);//生成不同的文件名A0，A1，A2，A3....... } else { sprintf(path_name,"/home/test/B%d",i);}stat(path_name,&name_buf); if(errno!=ENOENT) //文件存在，则删除 { unlink(path_name);//不能重名 sleep(3); } if((fp=fopen(path_name,"w"))==NULL) { printf("fopen failed! "); return -1; }fwrite(write_buf,file_size,1,fp); fclose(fp);// printf("write file name is:%s ",path_name); if((fp=fopen(path_name,"r"))==NULL) { printf("fopen failed! "); return -1; } fread(read_buf,file_size,1,fp);for(buf_count=0;buf_count<(file_size-1);buf_count++)//将master/slave文件写到nandflash中的内容读出来比较 { if(read_buf[buf_count]!=write_buf[buf_count]) {system("date");//出错的时候打印的系统时间 printf("file name is %s: ",path_name); unlink(path_name); sleep(3); if((fp=fopen(path_name,"w"))==NULL) { printf("fopen failed! "); return -1; } nandflash_wrong++; fwrite(write_buf,file_size,1,fp);//出错之后再写一次 fclose(fp);if((fp=fopen(path_name,"r"))==NULL) { printf("fopen failed! "); return -1; } fread(read_buf,file_size,1,fp); for(buf_count=0;buf_count<(file_size-1);buf_count++) { if(read_buf[buf_count]!=write_buf[buf_count]) { printf("file name is %s: ",path_name); printf("write twice failed! "); fclose(fp); return -1; } } } } fclose(fp); return 0;}int main(void){ int A_size,B_size; A_size=B_size=0; int A_fd,B_fd;char *A_buf_read=NULL; char *B_buf_read=NULL; char *A_buf_write=NULL; char *B_buf_write=NULL;unsigned int iteation=0;int ret;A_fd=0; A_fd=open("/home/A",O_RDONLY); if(A_fd<0) { printf("open A faild! "); return -1; } A_size=lseek(A_fd,0,SEEK_END); lseek(A_fd,0,SEEK_SET); A_buf_write=(char *)malloc(A_size);if(NULL == A_buf_write) { printf("A_buf_write malloc failed! "); close(A_fd); return -1; }A_buf_read=(char *)malloc(A_size); if(NULL == A_buf_read) { printf("A_buf_read malloc failed! "); close(A_fd); return -1; } if(read(A_fd,A_buf_write,A_size)<0) { close(A_fd); printf("read A file failed "); }close(A_fd); B_fd=0; B_fd=open("/home/B",O_RDONLY); if(B_fd<0) { printf("open B faild! "); return -1; } B_size=lseek(B_fd,0,SEEK_END); lseek(B_fd,0,SEEK_SET); B_buf_write=(char *)malloc(B_size);if(NULL == B_buf_write) { printf("B_buf_write malloc failed! "); close(B_fd); return -1; }B_buf_read=(char *)malloc(B_size); if(NULL == B_buf_read) { printf("B_buf_read malloc failed! "); close(B_fd); return -1; } if(read(B_fd,B_buf_write,B_size)<0) { printf("read B file failed "); close(B_fd); } close(B_fd);system("date");//测试开始，开始读写nandflash while(1) {if((ret=check_remain_space())<0)//检测磁盘空间，小于8M,要删除文件重新从A0，B0，A1，B1，A2，B2。。。。写 { printf("check space wrong "); return -1; } else if(ret==1) { iteation=0; }if(write_read_nandflash(0,iteation,A_size,A_buf_write,A_buf_read)<0)//write A to nand and read it to compare { printf("write_read nand flash wrong "); return -1; } if(write_read_nandflash(1,iteation,B_size,B_buf_write,B_buf_read)<0)//write B { printf("write_read nand flash wrong "); return -1; } iteation++; }return 0;}

一、NAND flash和NOR flash的性能比较1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

这是闪存特性决定的，P是衬底，在组织结构上，一个Block当中所有的存储单元是共用一个衬底的（Substrate）。当对某个衬底施加强电压，那么上面所有浮栅极（Floating Gate）的电子都会被吸出来。这就是Flash Erase操作。摘选自《深入浅出SSD》

系统源码和编译方法，[参见连接] ( https://community.nxp.com/docs/DOC-334274 )其中dtb文件针对LCD或HDMI修改的内容对iSpeaker无影响，不用去修改。我们会使用另外的dtb文件。 烧写SD方式也不采用这个文档中的方法，直接在linux命令行下如下操作： Nandflash使用zImage，dtb文件和SD卡中使用的完全一致。Uboot文件SD中使用的不能用于Nandflash，源码另见。 烧写Nandflash需要用SD卡系统盘启动，SD卡系统中需要已安装mtd-utils工具。系统启动后能正常看到mtd0~mtd4分区。按照下面步骤操作： $ flash_erase /dev/mtd0 0 0 $ flash_erase /dev/mtd1 0 0 $ flash_erase /dev/mtd2 0 0 $ kobs-ng init -x u-boot.imx --search_exponent=1 -v $ flash_erase /dev/mtd3 0 0 $ nandwrite -p /dev/mtd3 zImage $ nandwrite -p /dev/mtd3 -s 0x7e0000 imx.dtb $ ubiformat /dev/mtd4 -f ubi.img 其中使用ubi.img文件，在linux主机下制作方法如下： 使用的根文件系统和SD卡中的根文件系统一样，假设SD卡已插入linux主机usb接口，并将第二个分区挂载与/mnt下，首先在linux主机工作目录下建立文本文件ubifs.cfg，内容如下： [ubifs] mode=ubi image=ubifs.img vol_id=0 vol_type=dynamic vol_name=rootfs vol_flags=autoresize 然后执行如下命令： $ mkfs.ubifs -x zlib -m 2048 -e 124KiB -c 3965 -r /mnt ubifs.img $ ubinize -o ubi.img -m 2048 -p 128KiB -s 2048 -O 2048 ubifs.cfg

　　1. 区别　　NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行（1）NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S。与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms（3）当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。　　●NOR的读速度比NAND稍快一些。　　●NAND的写入速度比NOR快很多。　　●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　●大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　●NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。（4）接口差别　　NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，因此，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。（5）容量差别：NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储。（6）可靠性和耐用性－寿命(耐用性)　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。－位交换　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，在使用NAND闪存的时候，应使用EDC/ECC算法。用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。－坏块处理　　NAND器件中的坏块是随机分布的，NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。（7）易于使用　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。（8）软件支持在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。（9）在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行　　2. 趋势　　NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST， Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。2006年NAND将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时，NAND的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35%。Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。目前，NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中，这两个市场的增长非常迅速。而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。　　　　　　3. Samsung的S3C2440就能支持从NAND Flash和NOR Flash两种方式启动。

SRAM,STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 就是静态随即存储器SROM static read only memory 静态只读存储器ROM ,只读存储器RAM,随即存储器DRAM，英文全称Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器SDRAM,同步动态随机存储器 同步就是需要同步时钟NOR Flash 和 NAND Flash 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

可以看看这个，写得很清楚，http://wenku.baidu.com/view/4784877201f69e3143329482.html

性能差别:对于Flash的写入速度，其实是写入和擦除的综合速度，Nand Flash擦除很简单，而Nor Flash需要将所有位全部写0(这里要说明一下，Flash器件写入只能把1写为0，而不能把0写为1,也就说，其写入的方式是按照逻辑与来进行的，譬如原来地址上的...

nand flash 会产生坏块，发现后会对此坏块做记录，不影响使用。而nor flash不存在坏块问题。

Serial flash一般采用一类总线接口（如SPI总线）与CPU进行通信的，数据是一位一位发送的；Nor flash采用并行地址和数据总线形式与CPU进行通信，若数据总线宽度为16，则通信时要一次发送16位的并行数据；Nand flash没有独立的地址线和数据线，其通信方式是由I/O口和控制信号所决定，其地址与数据都是通过I/O来串行的读取。

【Linux下nand flash驱动编写步骤简介】1. 了解硬件的nand flash的各个参数和工作原理具体参考nand flash的datasheet，主要包括，自己nand flash的厂商，型号等。Nand flash的页大小，oob大小，块大小，位宽8bit还是16bit。工作原理，上面已经做了一定描述，不清楚的，可以参考datasheet，多看看，就会明白很多。2. 按照linux下驱动编写规范编写nand flash驱动，可以参考其他已经有的驱动，比如内核源码中已经有的drivers/mtd/nand/s3c2410.c就是个很好的例子。自己以其为模板，实现自己板子的nand flash驱动。其实主要工作就是，实现static struct platform_driver s3c2410_nand_driver = { .probe = s3c2410_nand_probe, .remove = s3c2410_nand_remove, .suspend = s3c24xx_nand_suspend, .resume = s3c24xx_nand_resume, .driver = { .name = "s3c2410-nand", .owner = THIS_MODULE, },};中的XXX_nand_probe函数XXX_nand_remove函数XXX_nand_enable_hwecc，如果支持硬件ecc的话。对nand flash的读写，这两个函数，实现了对nand的具体操作。【Linux下Nand Flash驱动编写简单步骤】软件和硬件知识，都已经了解的话，由于上层的linux的 mtd框架中，已经完全封装好了，对nand flash的write page，write oob等相关函数的实现，那么剩下的只是相对来说已经是很少量的，关于nand 驱动具体内部操作方面的工作：1.初始化先是在nand 芯片初始化的时候，对其XXX_nand_init_chip（）给对应的芯片chip赋给对应的XXX_nand_read_buf和XXX_nand_write_buf等函数： chip->cmd_ctrl = XXX_nand_hwcontrol; chip->dev_ready = XXX_nand_devready; chip->read_buf = XXX_nand_read_buf; chip->write_buf = XXX_nand_write_buf;以实现后续的对nand芯片的操作。然后根据ecc类型，赋给对应的ecc的校验与纠错函数： chip->ecc.hwctl = XXX_nand_enable_hwecc; chip->ecc.calculate = XXX _nand_calculate_ecc;3. 实现上面提到的对应的各个函数，关于如何实现，参考一下其他nand驱动，就会理解很多了。4. 驱动测试，参考具体的 ldd3（Linux Device Driver version 3）的测试相关部分内容。说得很乱，希望对大家有些帮助。

不是，TF包括了TF卡主控，NANDFLASH,NANDFLASH是用来存储数据的，主控是用来操作的。比方TF主控是除了硬盘以外的电脑部件，nandflash就是硬盘

　　我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。　　相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。　　NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。

　　1. 区别　　NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行（1）NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S。与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms（3）当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。　　●NOR的读速度比NAND稍快一些。　　●NAND的写入速度比NOR快很多。　　●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　●大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　●NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。（4）接口差别　　NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，因此，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。（5）容量差别：NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储。（6）可靠性和耐用性－寿命(耐用性)　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。－位交换　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，在使用NAND闪存的时候，应使用EDC/ECC算法。用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。－坏块处理　　NAND器件中的坏块是随机分布的，NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。（7）易于使用　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。（8）软件支持在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。（9）在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行　　2. 趋势　　NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST， Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。2006年NAND将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时，NAND的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35%。Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。目前，NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中，这两个市场的增长非常迅速。而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。　　　　　　3. Samsung的S3C2440就能支持从NAND Flash和NOR Flash两种方式启动。

ram

1.采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧写，烧写过程实时校验写入数据，绝对保证数据的正确；2.支持多种软硬件平台的NAND Flash数据烧写，内置针对多种软硬件平台的量身定做的坏块管理及烧写方式，极大的提高烧录良品率。3.烧录速度快，512Byte小页面Flash速度约1.8MB/秒（带校验），2048Byte以上大页面SLC架构Flash编程速度约3MB/秒（带校验），2048Byte以上大页面MLC架构Flash编程速度约2.5MB/秒（数据全部比对校验）。4.标配4.3寸超大真彩液晶屏，一切操作可视化，触摸屏及按键双输入方式，无需连接电脑,方便用户实时观察烧录过程；5.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧写方式：（1）母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash;（2）文件方式烧写:用户可将指定文件置于SD卡或烧写器内置硬盘，本方式读出文件内容按指定方式（可支持特殊文件系统）写入Flash;6.可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作：（1）对母片拷贝方式，可设置特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间；（2）可读取指定Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布；（3）可独立擦除指定的Flash，可独立扫描指定Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于屏幕；（4）可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况；（5）可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于屏幕，并可顺序浏览每一处不同；7.可根据用户的特殊要求快速修改软件，按你的特殊要求量身定做烧录方式(坏块管理方式)，修改周期不超过3个工作日，且可定制特殊的文件系统的管理；

NAND擦除的时候以block为单位是这种芯片的特性,擦除的时候有专门的命令,可以找相应NAND的DATASHEET看一下。

没数据就量产，不行只能扔了。

你好，1，出现这种问题。请尝试格式化。如果格式化不行的话 建议量产。2，如果优盘中有数据比较重要，建议找专业人士修复。

很多同学使用笔记本作为自己的ARM开发和学习的平台，绝大多数笔记本都没有并口，也就是无法使用JTag调试和烧写程序到NandFlash中，幸好我们还有JLINK，用JLINK烧写U-boot到NorFlash中很简单，大部分NORFlash都已经被JLink的软件SEGGER所支持

如果你想知道这个，首先你要明白什么是page ,什么是WL，什么是BLock. 多少个page 组成一个BLock，然后多少个BLock 组成一个PLane.

eMMC是IC芯片；MMC是一个接口协定（一种卡式），能符合这接口的内存器都可称作mmc储存体（mmc卡）。简单的说eMMC是MMC卡的IC芯片（但不一定是，一般mmc卡独有的包装方式会不同于emmc)。NAND Flash 是一种存储介质，要在上面读写数据，外部要加主控和电路设计。eMMC是NAND flash+主控IC ，对外的接口协议与SD、TF卡类似；对厂家而言简化了电路设计，降低了成本。使用emmc的好处是，除了得到大容量的空间（这一点，只用NAND FLASH多堆叠也可以做到），还有就是emmc可以管理NAND （坏块处理，ECC)等。