霍尔法测磁场 1009 A 静电场描绘 1001 B 杨氏模量 1012 C 衍射光栅 1013 D 牛顿环 1000

是马斯洛
华生是行为主义的.
杜威是技能主义的代表.
霍尔是研究生理心理学的.

网上资料,供你参考
The Day After Tomorrow
actor: Dennis Quaid
What if we are on the brink of a new Ice Age? This is the question that haunts climatologist Jack Hall. Hall’s research indicates that global warming could trigger an abrupt and catastrophic shift in the planet’s climate. While Jack warns the White House of the impending climate shift, his 17 year-old son Sam finds himself trapped in New York City where he and some friends have been competing in a high school academic competition. He must now cope with the severe flooding and plummeting temperatures in Manhattan. Having taken refuge inside the Manhattan Public Library, Sam manages to reach his father by phone. Jack only has time for one warning: stay inside at all costs. As full-scale, massive evacuations to the south begin, Jack heads north to New York City to save Sam. But not even Jack is prepared for what is about to happen--to him, to his son, and to his planet.

根据声音可以判断出霍尔的好坏的,但是也只是一般的时候.霍尔坏了以后电机会发出很大的噪音.如果电机里的线短路了,电机的阻力会很大,感觉很明显.（要把控制器里断开）感觉说白了就是经验,一般情况下,电机是不会烧的.
还有一个方法,就是通过转动后轮来查看.这个我不懂,转动后轮,电机就变成发电机这样就有电了,通过检查电压可以判断霍尔的好坏.
如果正常的时候,你发现后轮的阻力很大,那么不是电机烧了就是控制器烧了.断开控制器和电机的连线,在动下车轮,如果还有阻力的话,就是电机短路了,如果没阻力的话就是控制器烧了.或是控制器以上部位有问题.

答：设载流子的电荷量为q,定向移动的速度的平均值为v,磁感应强度为B,
平衡时有
q*v*B=qE
得E=v*B
设L为金属片的宽度,电场为匀强电场,于是
U=E*L=v*B*L
设单位体积内的载流子数为n,则根据电流的定义有
I=n*q*V*s
式中S=L*d,是薄片的横截面积.消去v可得
U=(I*B)/(n*q*d)=K*I*B/d
其中K=1/(n*q)称为霍尔系数
U为霍尔电压

霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应.霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应.UH称为霍尔电势,其大小可表示为：
UH=RH/d*IC*B （1）
式中,RH称为霍尔系数,由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度.
设RH/d=K,则式（1）可写为：
UH=K*IC*B (2)
可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称为乘积灵敏度.K值越大,灵敏度就越高；元件厚度越小,输出电压也越大.
在式（2）中,若控制电流IC,为常数,磁感应强度B与被测电流成正比,就可以做成霍尔电流传感器；另外,若仍固定IC为常数,B与被测电压成正比,又可制成霍尔电压传感器.

In this paper,beam measurement of the bending brass and steel of the Young's modulus,New Integrated Hall displacement sensor measurement of beam bending displacement.Began a detailed article on the Hall Effect and Hall displacement sensor principle of the Note Then focus derived method of bending the Young's modulus formula.The article is behind the pilot,first measured brass samples Young's modulus,use measurement data to the Hall of displacement sensor calibration (sensitivity of the Hall element determining K) Then identified by the K value again measured and calculated steel samples of the Young's modulus,thus achieving a mechanical length measuring small changes into electrical measurement,the Young's modulus measurements more concise,accurate.
或者
In this paper,beam measurement of the bending brass and steel of the Young's modulus,New Integrated Hall displacement sensor measurement of beam bending displacement.Began a detailed article on the Hall Effect and Hall displacement sensor principle of the Note Then focus derived method of bending the Young's modulus formula.The article is behind the pilot,first measured brass samples Young's modulus,use measurement data to the Hall of displacement sensor calibration (sensitivity of the Hall element determining K) Then identified by the K value again measured and calculated steel samples of the Young's modulus,thus achieving a mechanical length measuring small changes into electrical measurement,the Young's modulus measurements more concise,accurate.

霍尔片与磁场垂直放置时,灵敏度最高.一般都是将它作为探测磁场有无的传感器使用,常用于无刷电机的速度控制.如用于磁感应强度的测量,还应有数据采集等一系列的电路才能完成.

根据霍尔电流I和磁场B的方向,实验测出霍尔电压的正负,由此确定霍尔系数的正负,即判定载流子的正负,是研究半导体材料的重要方法
U0的大小和霍尔电势UH同数量级或更大

是可以认为只考虑磁场的影响 自由电子的运道轨道为螺旋线.
在只有大小变化的磁场中运动的话,他的运动路径在垂直于磁场的平面内的投影就成了渐近线的形态.
大小方向都变化的磁场就比较复杂,不方便讨论.
发电的微观机理就是法拉第电磁感应定律的微观机理:就是不同符号带电粒子在磁场中的运动方向不同,导致带电粒子分别向导体两个方向聚集,产生了感生电动势.

讫今为止,已在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的

霍尔电压（一般称霍尔电势）的大小和方向与下述因素有关：
1、激励电流I
2、与激励电流垂直的磁感应强度分量B
3、器件材料（决定灵明度系数K）
4、霍尔电势的方向还与半导体是P型还是N型有关,两者方向相反
设霍尔电势为EH
则：EH=KIB
注：B为与电流垂直的磁感应强度分量

：设载流子的电荷量为q,定向移动的速度的平均值为v,磁感应强度为B,
平衡时有
q*v*B=qE
得E=v*B
设L为金属片的宽度,电场为匀强电场,于是
U=E*L=v*B*L
设单位体积内的载流子数为n,则根据电流的定义有
I=n*q*V*s
式中S=L*d,是薄片的横截面积.消去v可得
U=(I*B)/(n*q*d)=K*I*B/d
其中K=1/(n*q)称为霍尔系数
U为霍尔电压

加相同的电流与磁场,不管是何种载流子,载流子偏转方向总是一样.（从宏观上考虑,即电流与磁场都相同了,则安培力也一定相同；从微观上看,空穴运动方向与电流相同,电子运动方向相反,但电荷也为负,最终负号抵消,洛伦兹力...

三者方向互相垂直.
定义如下：当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应.
根据你的问题实验时应注意在不同温度相同的B,I下测Vh值的不同并画曲线.

在铁箱子或铁管子里做实验.

朝两个方向偏转霍尔元件的方向,如果电位差都减小,说明B与法线方向一致

是霍尔计数么?还是技术?如果是计数的话就比较简单了,用霍尔元器件做个接近开关,然后后面加个计数器,这个计数器的功能用软件灵活的去控制就可以了.如果想做高级点的,那么需要做编码器,不过这个对于你们现在来说难度太高,因为即便要做都么有工具和材料,巧妇难为无米之炊,建议做接近开关,最简单的.

和夹角有关,乘以cos

（1）根据左手定则，电子向bc端偏转，则ad端带正电，知ad端电势高．
（2）稳定时载流子，在沿宽度方向上受到的磁场力和电场力平衡
qvB=q
U
ab
解得 v=
U
Bab =
1.0× 10 -5
2.0×1.0× 10 -2 m/s=5×1 0 -4 m/s ．
（3）根据电流的微观表达式得，I=nqSv
则单位体积内的载流子个数 n=
I
qSv =
3.0
1.6× 10 -19 ×1.0× 10 -2 ×1.0× 10 -3 ×5× 10 -4 / m 3 =3.75×1 0 27 / m 3 ．
答：（1）ad端电势高．
（2）薄板中形成电流I的载流子定向运动的速率为5×10 ^-4 m/s．
（3）这块霍尔材料中单位体积内的载流子个数为为3.75×10 ²⁷ /m ³ ．

能设计,由V-I图像可知当外加磁场B和流径霍尔原件的电流I的其中一个值衡定时,霍尔电压与另外一值成正比关系,因此可以选择电阻率较低的霍尔原件设计电流表,只要得出霍尔电压,根据V-I关系即可读出电流I的值.

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转.当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累,从而形成附加的横向电场.
通有电流 I 的金属或半导体板置于磁感强度为 B 的均匀磁场中,磁场的方向和电流方向垂直,在金属板的第三对表面间就显示出横向电势差 U H 的现象称为霍耳效应.U H 就称为霍耳电势差.
实验测定,霍耳电势差的大小,和电流 I 及磁感强度B成正比,而与板的厚度d 成反比.即霍耳电势差 UH = RHIB/d ,

超导是某些金属或合金在低温条件下出现的一种奇妙现象,是由荷兰的物理学家卡麦林·昂纳斯最先发现的.
1908年,昂纳斯（1853—1926年）成功地液化了地球上最后一个“永久气体”——氦气,得到了接近绝对零度（0K＝-273.15℃）的低温：4.25K～1.15K.之后,他把目标转向了“极低温下金属电阻随温度变化规律的研究”.昂纳斯先是用铂丝,接着用纯度更高的水银做实验,他吃惊的发现水银在温度降至氦的沸点即4.2K时（相当于-269℃）,电阻竟意外地消失了.起初昂纳斯还以为是线路出现了故障,几经测定,最后他确信,水银在4.2K下会产生一种新的导电特性——“零电阻性’或“超导电性”.1911年4月28日,昂纳斯公布了这一发现,并在随后几篇论文中明确指出,某些材料在一定温度下能进入一种电阻为零的新物态.他将这种新物态命名为“超导态”,同时把具有从正常态（电阻不为零）转变为超导态能力的材料称作“超导体”,把能使超导体从正常导电状态变为超导电状态时的转变温度称为“临界温度”.他进一步用铅环做实验,当铅变为超导态时,九百安培的电流在铅环中流动不止,两年半以后毫无衰减.
昂纳斯的这一发现轰动了全世界的科学家,大家纷纷实验,并且想要揭开超导的奥秘,因为只有了解了超导现象的微观机理,才能使超导为人类作出更大的贡献.
现在,科学家已发现有上千种元素和化合物在低温下可以转化为超导态.对所谓“零电阻性”也已有共识：超导体即使有电阻,它的电阻率必然小于10-26“欧·米,而且只对直流电适用,若给超导体通入交流电,它仍会出现类似于常规电阻的“交流损耗”.从这个意义上讲,超导体似乎可以说是一种直流理想导体.

题目是电势差,不是“点势差”吧.所谓霍尔效应就是通电的金属导体中的电子在磁场中,受到洛伦兹力作用打向不同极板.电流是电子的定向移动产生的.在移动过程中,在磁场作用下受到洛伦兹力作用.所以有偏向力作用而移动金...

您好,3144是单极开关霍尔（只用磁钢S极工作：S极靠近,霍尔输出改变,S极远离霍尔输出恢复初始状态）,41F是双极锁存霍尔（用磁钢S和N极两个磁极工作：S极靠近,霍尔输出改变,N极靠近霍尔输出恢复初始状态）.在电参数上是一致的,您可以找下0H41f和OH3144了解下,希望可以帮到您!

交流电路的功率计算公式如下：
1、单相交流电路：P=UIcosφ
2、三相交流电路电：P=√3UIcosφ
不论是单相电还是三相电,功率P都与电压U及电流I的相位差φ有关,电压或电流传感器的相位误差,都会影响相位差φ的测量,进而影响功率测量的准确度.

1.有励磁电流通过螺线管,即有待测B
2.样品置于B中
3.样品有恒定电流通过.
在样品纵向就有霍尔电压产生,用导线输出测量电压,从而可以计算处螺线管的磁场.
霍尔电压的方向和样品,磁场B,样品上的电流方向有关,样品分为P型和N型,分别是空穴载流子,和电子载流子,根据洛仑兹力公式可以判断霍尔电压方向.

当电流垂直于外磁场方向通过导体时,在垂直于磁场和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象称为霍尔效应,该电势差称为霍尔电势差（霍尔电压）.

磁场偏离霍尔元件法向,则霍尔元件测量到的磁场为Bcos(cita),其中B为磁场,cita为法向与磁场之间的夹角.
旋转通电工作的霍尔元件直至其输出电压达到最大值.

霍尔效应和电磁感应不同之处只要在于：
霍尔效应需要载流体（导体或半导体）和外部磁场.载流体电流一般是直流电,外部磁场可以是恒定磁场,也可以是交变磁场.电磁感应只要有变化磁场即可,磁场必须是变化的.恒定磁场不会产生电磁感应.
两者也有相同之处,微观上讲,动生电动势和霍尔电势都是洛伦磁力作用的结果.

电导率 = （霍尔片长L*工作电流Is）/（电压U*霍尔片宽b*霍尔片高d）.在实验仪器上,标注有霍尔片的规格,直接代入公式就行了,注意单位的统一.Is -- A ,U -- V,L d b --- cm,电导率 ---欧姆*cm

霍尔片输出电压正比于磁场和工作电流的乘积,只有工作电流恒定,输出电压才与磁场成正比.
螺线管产生的磁场与励磁电流成正比,只有励磁电流恒定,其产生的磁场才可恒定.

D

光梳”是拥有一系列频率均匀分布的频谱，与未知频谱比较测定的未知频谱的具体频率。

霍尔效应要通过测两板间的电势差!如果不垂直的话,正负电荷不能完全聚于两板,所以两板间的电势差偏小,导致霍尔电压偏小!

A、根据左手定则知，电子向N点偏转，所以N点这一侧得到电子带负电，另一端失去电子带正电，所以M点的电势高于N点的电势．故A正确．
B、根据qvB=q
UH
d得，UH＝
vB
d，
由电流的微观定义式：I=nesv，n是单位体积内的电子数，e是单个导电粒子所带的电量，s是导体的横截面积，v是导电粒子运动的速度．
整理得：v=[I/nes]．
联立解得UH＝
IB
nesd，可知用霍尔元件可以测量地磁场的磁感应强度，保持电流不变，霍尔电压U_H与B成正比．故B、D正确．
C、霍尔元件能够把磁学量转换为电学量．故C正确．
故选：ABCD．

否则测出的霍尔电压将减小,测出的霍尔电压应该是理论值乘以偏离磁场的角度的余弦值.

看看建筑电工学,里面有答案的,我记得是直接计算出电压的!如果直接要测,我就不知道了

这是因为温差电效应和热磁效应以及热磁效应产生的温差引起的附加电压
差电现象
thermoelectric phenomena
导体中发生的热能和电能间的可逆转换现象.
导体中的几种温差电现象
①珀耳帖效应.当外加电流通过两种不同金属A和B的接触面时,接触面处会产生吸热或放热的现象,是J.C.A.珀耳帖于1834年发现的.略去焦耳热和热传导等不可逆现象,珀耳帖效应是可逆的,即当电流反向时,接触面处的吸、放热互换,如图1所示.吸收或放出的热量QII称为珀耳帖热.当有电量e通过接触面时,珀耳贴热与e成正比,即QII=IIABe,IIAB称为珀耳帖系数,与A、B材料的性质和温度有关.按经典电子论的解释,珀耳贴效应是因不同金属材料中自由电子的数密度不同而引起的.②汤姆孙效应.当电流通过存在温度梯度的均匀导体棒时,除产生焦耳热这一不可逆过程外,导体棒还会吸收或放出一定热量,是W.汤姆孙于1856年发现,故称为汤姆孙效应,吸收或放出的热量Q称为汤姆孙热.汤姆孙效应也是可逆过程,当电流反向时,吸、放热互换,如图2所示,图中T1>T2.当有电量e从温度T处运动到T+dT处时吸热dQ与e和温差dT的乘积成正比,即dQ=sedT,s称为汤姆孙系数,由金属材料的性质确定.按经典电子论的解释,汤姆孙效应是由金属中自由电子的热扩散造成.③塞贝克效应.用两种不同金属A和B接成回路,两接头处分别维持不同温度T0和T,就构成温差电偶（图3）,回路中将产生电动势,称温差电势.此现象首先由T.J.塞贝克在1821年发现,故称塞贝克效应.塞贝克效应也是可逆效应,当温差电偶从高温端吸热低温端放热时,回路中产生温差电动势,形成电流.若令回路中的电流逆向流动,则从低温端吸热,在高温端放热.塞贝克效应是珀耳帖效应和汤姆孙效应联合作用的结果.当T0固定时,温差电动势是温度T的函数.利用珀耳贴效应和汤姆孙效应的规律可证明如下结果
式中s A 和s B是金属A和B的汤姆孙系数.以上是温差电现象的两个基本公式,称汤姆孙关系式.
半导体中的温差电现象 半导体中也存在上述几种温差电现象,而且比金属导体显著得多.例如对金属,温差为1℃时的温差电动势仅几微伏,而半导体可达几毫伏.金属做的温差电偶一般只用来测温,半导体温差电偶可用作温差发电.半导体有很强的珀耳帖效应,可用于致冷.
应用
温差电偶又称热电偶,是通过测量温差电动势来测量温度的重要器件.实验和理论证明,若在两种金属A和B间串接第三种金属导体C,且C的两端保持同一温度T0(图4),则温差电动势与C的材料无关,这一特性使温差电偶便于同其他测量仪器(如电位差计)相连以测定电动势.温差电偶的测温范围很广,可在－200～2000℃范围内使用,从液态空气的低温到炼钢炉中的高温均可用温差电偶测定.温差电偶的测温灵敏度和准确度很高,可达10-3K以下,特别是铂和铑的合金制成的温差电偶稳定性很高,常用作标准温度计.温差电偶的测温端的面积和热容量均很小,可测量小范围内的温度或微小热量,这对研究金相变化、化学反应和小生物体的测温等有重要意义.将温差电偶的测温端封装在真空管内,并在端点焊上涂黑的金属片,可更有效地吸收辐射热,灵敏度也大大提高,是测定光辐射和红外线的重要检测器件.把许多温差电偶串接起来成为温差电堆,可增大温差电动势,从而提高测温灵敏度.

最佳吧
当施加的外磁场垂直于半导体中流过的电流时,会在半导体垂直于磁场和电流的方向上产生霍尔电动势

这个每个灵敏度不同,上面应该有写~这要看你用的是多少了~

霍尔效应测磁场,只能测出垂直于电流方向的磁场.
所以,必须保证电流方向与磁场方向垂直,否则测出的磁场只是垂直于电流方向的分量,测量值偏小.

测得的是垂直于元件方向的磁感强度分量

首先要学会根据电流和磁场判断电场力的方向,电场力的方向即半导体中载流子的受力方向（即判断出n型半导体的电子聚集到哪里,或p型半导体的空穴聚集到哪里）.
对这两种半导体来说,同样的电流和磁场,电场力方向是一样的,但两端电压正负恰好相反.
用文字大概也只能解释到这个程度了.如果能提供给你图或视频或许会更容易理解一些.

在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场,那么,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电势UH(称为霍尔电势电压),这种现象称为霍尔效应 .
霍尔电动势的大小正比于控制电流和磁感应强度.如果流过的电流越大,则电荷量就越多,霍尔电动势越高；如果磁感应强度越强,电子受到的洛仑兹力也越大,电子参与偏转的数量就越多,霍尔电动势也越高.此外,薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度对霍尔电动势的大小也会有影响.

电子或空穴

顺着地磁场和反着地磁场都测一次,取平均.

霍尔电压（一般称霍尔电势）的大小和方向与下述因素有关：
1、激励电流I
2、与激励电流垂直的磁感应强度分量B
3、器件材料（决定灵明度系数K）
4、霍尔电势的方向还与半导体是P型还是N型有关,两者方向相反
设霍尔电势为EH
则：EH=KIB
注：B为与电流垂直的磁感应强度分量

感生电动势,动生电动势顾名思义,是感应生成的电流,本来都是没有电流的.
霍尔效应是电子的积累作用产生的电场.