请问什么叫可控硅模块，他的工作原理是什么，用在哪些方面？

1.可控硅触发变压器的工作原理用于可控硅触发的脉冲变压器就是,某些用于脉冲点火的变压器也是。但这种直流是脉动的，而不是平稳的。变压器的工作原理是电磁感应原理，即原边交变的电流在铁芯激发交变的磁场，副边的线圈在交变的磁场中产生交变的感应电动势。平稳的直流电不可能有这种“电生磁-磁生电”的持续变换过程。因此，没有直接用于直流电传输的变压器。把交流电转变为直流电叫做“整流”。通常利用具有单向导电性二极管作为整流元件，可以组成半波整流、全波整流、桥式整流、倍压整流等整流电路。将直流电转换为交流电叫做“逆变”。2.难点解答：你所说，不可以，因为没法控制触发电路！可以考虑采用各式各样的触发芯片！如555，TCA785，KJ系统等太多了

可控硅整流原理和二极整流原理是一样的（区别就是可以控制导通时间从儿控制输出的电流或电压大小）注意事项： 一般认为 可控硅的结温度 ，控制角度大小（注意是导通角度还是关断角度） 输出电流大小 负载类型与保护等等吧（好象大功率的整流柜还需要根据并联可控硅个数注意其均流度，以及直流电路的消磁等等）知识有限，可能不全面！

　　可控硅工作原理及作用　　　　可控硅的三个电极分别称为阳极阴极和控制电极。当设备的阳极连接到负电位时。当正电位加到器件的阳极时，在一定的电压范围内，器件仍处于关断状态，阻抗很高。然而，当正电压大于一定的电压时，该器件迅速转变为低电阻传导状态。当加在可控硅阳极和阴极之间的电压低于磨合电压时，该器件就会关闭。　　这时，如果在控制电极上施加适当幅度的正电压，可控硅就能迅速被激发并开启。一旦晶闸管被打开，控制电极就会失去其控制功能。也就是说，在栅极电压开启后，晶闸管仍然是开启的，只有当器件中的电流降低到一定值以下或阴阳极之间的电压降低到零或负值时，器件才能恢复到关闭状态。

BT138是双向可控硅，在两旁供给一点的电流（不管电流方向）左边和之间两个引脚就导通了（有一定的压降）。可控硅一经触发不管触发电流是否存在它都一直导通的，直到电流不能维持可控硅的导通，可控硅才关闭。

可控硅是利用单向导通原理，与二极管一样起到交流电整流为直流电的作用。所谓可控硅就是可以通过“触发极”的控制来改变整流后的直流电压。改变输出直流电压的原理是：改变触发极脉冲的相位，从而改变可控硅的导通角，最终改变输出电压。

控制可控硅的导通角变化，使负载有不同的电压和电流。参考调光灯、点焊机电路。

三相还是单相？

硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。 用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢? 　　普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表红表笔接的是控制极G，黑表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。 工作原理：可控硅的工作条件：1. 可控硅承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，可控硅都处于关短状态。2. 可控硅承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下可控硅才导通。3. 可控硅在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，可控硅保持导通，即可控硅导通后，门极失去作用。4. 可控硅在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，可控硅关断。从可控硅的内部分析工作过程：可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,可控硅的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0。若门极电流为Ig,则可控硅阴极电流为Ik=Ia+Ig。从而可以得出可控硅阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式。硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化。当可控硅承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故可控硅的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当可控硅在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了可控硅的阳极电流Ia.这时，流过可控硅的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。可控硅已处于正向导通状态。式（1—1）中，在可控硅导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,可控硅仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。可控硅在导通后，门极已失去作用。在可控硅导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，可控硅恢复阻断状态。

硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?　　普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表红表笔接的是控制极G，黑表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。工作原理：可控硅的工作条件：1.可控硅承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，可控硅都处于关短状态。2.可控硅承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下可控硅才导通。3.可控硅在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，可控硅保持导通，即可控硅导通后，门极失去作用。4.可控硅在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，可控硅关断。从可控硅的内部分析工作过程：可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,可控硅的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0。若门极电流为Ig,则可控硅阴极电流为Ik=Ia+Ig。从而可以得出可控硅阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式。硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化。当可控硅承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故可控硅的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当可控硅在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了可控硅的阳极电流Ia.这时，流过可控硅的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。可控硅已处于正向导通状态。式（1—1）中，在可控硅导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,可控硅仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。可控硅在导通后，门极已失去作用。在可控硅导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，可控硅恢复阻断状态。

单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的，当A、K之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小，也难以判别两控制极是否已经短路如阴极A接黑表笔，阴极K接红表比时，万用表的指针发生偏转，就说明这单向可控硅已经遭到损坏。

1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic。2.此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，条件如下：A、从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位，2、控制极有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。B、维持导通1、阳极电位高于阴极电位，2、阳极电流大于维持电流，两者缺一不可。C、从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位，2、阳极电流小于维持电流，任一条件即可。触发导通在控制极G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

可控硅可以并联也可以串联使用，根据其额定电压额定电流以及线路的需要而定。可控硅是靠改变导通角来工作。

通过变压器把电压变到需要的电压，然后用晶闸管进行可控整流，向控整流电路的形式分：单相半波相控整流，单相全控桥式整流，单相半控桥式整流，三相半波相控整流，三相全控桥式整流，三相桥式半控整流，带平衡电抗器双反星形整流等。可控整流的原理为最简单的理解为：当晶闸管的阳极和阴极之间承正向电压并且门极加触发信号晶闸管导通，并且去掉门极的触发信号晶闸管依然维持导通。当晶闸管的阳极和阴极之间承受反向电压并且门极不管加不加触发信号晶闸管关断。

励磁机对于发电机有什么作用:永磁极随转子旋转，产生交流电，交流电一部分作为AER的电源，一部分通过逆变器整流成直流为转子建立磁场。通过调节导通角可以改变发电机的端电压（空载时）进而实现并网，在并网时调节向电网的无功输出。 工作原理:众所周知，同步发电机要用直流电流励磁。在以往的他励式同步发电机中，其直流电流是有附设的直流励磁机供给。直流励磁机是一种带机械换向器的旋转电枢式交流发电机。其多相闭合电枢绕组切割定子磁场产生了多相交流电，由于机械换向器和电刷组成的整流系统的整流作用，在电刷上获得了直流电，再通过另一套电刷，滑块系统将获得的直流输送到同步发电机的转子，励磁绕组去励磁，因此直流励磁机的换向器原则上是一个整流器，显然可以用一组硅二节管取代，而功率半导体器件的发展提供了这个条件。将半导体元件与发电机的轴固结在一起转动，则可取消换向器、滑块等滑动接触部分、利用二极管换成直流电流。直流送给转子励磁、绕组励磁。这就是无刷系统。 下面我们以典型的几种不同发电机励磁系统，介绍它的工作原理。 一、相复励励磁原理 左图为常用的电抗移相相复励励磁系统线路图。由线形电抗器DK把电枢绕组抽头电压移相约90°、和电流互感器LH提供的电压几何叠加，经过桥式整流器ZL整流，供给发电机励磁绕组。负载时由电流互感器LH供给所需的复励电流，进行电流补偿，由线形电抗器DK移相进行相位补偿。 二、三次谐波原理 左图为三次谐波原理图，对一般发电机来源，我们需要的是工频正弦波，称为基波，比基波高的正弦波都称为谐波、其中三次谐波的含量最大，在谐波发电机定子槽中，安放有主绕组和谐波励磁绕组（s1、s2），而这个绕组之间没有电的联系。谐波绕组将绕组中150HZ谐波感应出来，经过ZL桥式整流器整流，送到主发电机转子绕组LE中进行励磁。 三、可控硅直接励磁原理 由左图可以看出，可控硅直接励磁 是采用可控硅整流器直接将发电机输出的任一相一部分能量，经整流后送入励磁绕组去的励磁方式，它是由自动电压调节器（AVR），控制可控硅的导通角来调节励磁电流大小而维持发电机端电压的稳定。 四、无刷励磁原理 无刷励磁主要用于西门子、斯坦福、利莱等无刷发电机。它是利用交流励磁机，其定子上的剩磁或永久磁铁（带永磁机）建立电压，该交流电压经旋转整流起整流后，送入主发电机的励磁绕组，使发电机建压。自动电压调节器（AVR）能根据输出电压的微小偏差迅速地减小或增加励磁电流，维持发电机的所设定电压近似不变。 回答者： Anz1314 - 二级 2006-12-21 09:57楼上两位很专业。概括一下吧：电厂用来发电的发电机，磁场不是由永久性磁铁提供的，而是由转子线圈通入直流电形成的。主要是便于控制大小，还可减轻转子重量。而给转子线圈提供直流的就叫励磁机。励磁机实际上是一个直流发电机，它的励磁线圈与发电机的不同，是定子而非转子，励磁机定子线圈的这个直流由励磁调节器提供，这是一个比较复杂的设备，除提供励磁机的直流电外，还要根据发电机运行的要求，自动跟踪并改变励磁的大小，以保证发电机电压在允许的范围。励磁机发出的电流是转子线圈输出的，通过换向，把交流电转换成直流电，提供给发电机的转子线圈。 回答者： 糊涂虫孙 - 五级 2006-12-22 11:31我也不知道 正在学习中 回答者： 山野一粗汉 - 二级 2006-12-30 15:20同步发电机主要作用是发电。定子上有三相对称绕组，每相有相同的匝数和空间分布，其轴线在空间互差120°电角度。转子上有磁极，磁极绕组通以直流电流历次，产生恒定方向的磁场。当原动机拖动发电机转子以转速n(r/min)旋转时，磁力线将切割定子绕组的导体，根据电磁感应定律，定子绕组中将感应出交变电动势。每经过一对刺激，感应电动势就交变一周。若电机有P对极，则感应电动势的频率f=pn/60(单位为赫兹Hz)。三想绕组在空间位置上有120°的相位差，其感应电动势在时间相位上也存在120°的相位差。若在三相绕组的出现端接上三相负载，便有电能输出，定子电流与磁场相互作用产生的电磁转矩与原动机的拖动转矩相平衡，既发电机将机械能转换成电能。同步电机的转子转速n与定子感应电动势的频率f有严格的关系n=60f/p，称之为同步关系。 最后建议：如果你对这方面有兴趣或者正在和即将从事这方面的工作，希望你可以到专门的国家电网电力书店购买相关书籍。

双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 　 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。　由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。　 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化　2,触发导通　 在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。一、可控硅的概念和结构？晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。0 && image.height>0){if(image.width>=510){this.width=510;this.height=image.height*510/image.width;}}">图2二、晶闸管的主要工作特性为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢?0 && image.height>0){if(image.width>=510){this.width=510;this.height=image.height*510/image.width;}}">图3这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。晶闸管的特点： 是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的四、晶闸管在电路中的主要用途是什么?普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路。七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。八、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢?单结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期。九、在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。0 && image.height>0){if(image.width>=510){this.width=510;this.height=image.height*510/image.width;}}">怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，晶闸管VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。双向晶闸管的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。

交流电的波形，你知道的。相应的零点检测电路及单片机电路能让可控硅在交流电的过零点触发可控硅导通，或者过零点再延迟多少mS导通可控硅，或者有规律的让其在某个过零点导通等等。可控硅调速就是让交流电的波形中的某半个周期、某一周期、某几周期周期性的有效(可控硅导通)或无效(可控硅不导通)来达到输出的电源有效值不同，来达到调速的目的；还可以让每一半波的某一部份无效也可以达到调速的目的。同时还需要考虑的是调速后造成的负面影响，如对其它电路的干扰以及电机的抖动问题。所以，室内风机的额定工作电压标称值通常是一百多伏，而不是常用的220V。

怎么这么简单的问题弄的这么复杂呢。

控制极加上正向电压

简介可控硅晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。工作特性可控硅为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，首先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这说明要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。晶闸管的特点：是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。工作原理可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路，从晶闸管的内部分析工作过程：可控硅基本伏安特性晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管，当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0，晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1Ic2Ic0或Ia=a1Iaa2IkIc0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=IaIg从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0Iga2)/（1-（a1a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图三所示。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig，由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2，产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。当a1和a2随发射极电流增加而（a1a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia，这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。可控硅导通和关断条件表状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可主要参数可控硅1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。4、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。参数符号说明IT()--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF()--正向平均电流主要用途可控硅普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形(c)及(d)，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。结构和特性三极度可控硅可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先，可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基极电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。其次，可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1β2Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。可控硅的种类可控硅可控硅有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。如何鉴别可控硅的三个极普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结(a)，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R10或R1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。常用封装形式常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-、SOT-89、TO-251、TO-252等。典型应用电路(图1)是一种由继电器J、电源（＋12V）、开关K1和微动开关K2组成的锁存器电路。当电源开关K1闭合时，因J回路中的开关K2和其触点J－1是断开的，继电器J不工作，其触点J－2也未闭合，所以电珠L不亮。一旦人工触动一下K2，J得电激活，对应的触点J－1、J－2闭合，L点亮。此时微动开关K2不再起作用（已自锁）。要使电珠L熄灭，只有断开电源开关K1使继电器释放，电珠L才会熄灭。该电路具有锁存器（J－1自锁）的功能。(图2)电路是用单向可控硅SCR代替图1中的继电器J，仍可完成图1的锁存器功能，即开关K1闭合时，电路不工作，电珠L不亮。当触动一下微动开关K2时，SCR因电源电压通过R1对门极加电而被触发导通且自锁，L点亮，此时K2不再起作用，要使L熄灭，只有断开K1。图2电路也具有锁存器的功能。典型应用电路主要生产厂家主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN，SEMIKRON，EUPEC，IR，JBL等。术语IT()--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻ⅥSO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF()--正向平均电流PGM--门极峰值功率PG----门极平均功率延伸阅读1、栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。2、关于转换电压变化率当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。3、关于转换电流变化率当负载电流增大，电源频率的或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况最易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。4、关于可控硅开路电压变化率DVD/DT在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。5、关于连续峰值开路电压VDRM在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的最大值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰（毛刺）电压加到双向可控硅(晶闸管)上。

把三相工频交流电源经过三相桥式整流，变为可调的直流电源，再经电抗滤波，滤波后输至单相逆变桥，经脉冲控制，使单相桥对角线交替开关成为单相1000赫兹的中频电流，谐振回路由感应线圈和补偿电容组成，将电流送到感应圈，而使感应器中的金属炉料产生中频涡流，炉料随之加热乃至熔化

它说你在安装前务必了解下列信息：接着这个叶面被分为概括、系统要求、免责声明和安装方法四个部分。

/cast [combat,harm,nostance:3]狂暴姿态; [nocombat,nostance:1]战斗姿态; [combat,harm,stance:3]拦截; [nocombat,stance:1]冲锋 /cast 斩杀 /startattack 非战斗状态下，切换战斗姿态冲锋；战斗状态下，切换狂暴姿态拦截；可以斩杀时斩杀非战斗状态，冲锋更好，关键看你的怒气够不够了，你的问题1，压制攻击宏，2转换姿态，在1姿态冲锋，也就是非战斗姿态冲锋，和在3姿态（狂暴）拦截，3是在这些姿态呀撕裂，但是宏好像乱码了还是设置没有正确，建议照上面的方法改！改宏你点技能，就会出现上面的英文的，你直接打汉字也可以！

系统被360搞坏了。直接换个验证过的系统盘重装系统就行了，这样就可以全程自动、顺利解决系统无法启动的问题了。用u盘或者硬盘这些都是可以的，且安装速度非常快。但关键是：要有兼容性好的（兼容ide、achi、Raid模式的安装）并能自动永久激活的、能够自动安装机器硬件驱动序的系统盘，这就可以全程自动、顺利重装系统了。方法如下： 1、U盘安装：用ultraiso软件，打开下载好的系统安装盘文件（ISO文件），执行“写入映像文件”把U盘插到电脑上，点击“确定”，等待程序执行完毕后，这样就做好了启动及安装系统用的u盘，用这个做好的系统u盘引导启动机器后，即可顺利重装系统了； 2、硬盘安装：前提是，需要有一个可以正常运行的Windows系统，提取下载的ISO文件中的“*.GHO”和“安装系统.EXE”到电脑的非系统分区，然后运行“安装系统.EXE”，直接回车确认还原操作，再次确认执行自动安装操作。(执行前注意备份C盘重要资料！)； 3、图文版教程：有这方面的详细图文版安装教程怎么给你？不能附加的。会被系统判为违规的。地址在“知道页面”右上角的…………si xin zhong…………有！望采纳！

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①用弹簧测力计测物体重力，记作G②把物体放入有适量水的量筒中并浸没，记下弹簧测力计的示数F物体密度=G×液体密度/（G-F）

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一位美国大兵

实验器材:溢水杯、小水桶(有刻度)、重物(有刻度)、弹簧测力计、水 实验分析:要验证阿基米德原理，即证明F= G，F可由称重法求出，G即排开液体的浮 排浮排 重力，不能直接用弹簧秤测力计测出，应借助小水桶间接测量。 1、实验步骤:将溢水杯装满水(为保证装满，可多加一些水，使溢水杯中的水自然溢出)。 2、观察弹簧测力计的量程和分度值。 3、用弹簧测力计测出小水桶的重力G。 1 4、如下左图所示，将小水桶放在溢水杯的溢水口处。用弹簧测力计测出重物的重力 5、如下中图所示，将挂在弹簧测力计下的重物浸没(可使物体排开水的体积较 为稳定，减小误差)在水中。记录下此时弹簧测力计的示数F。 6、测出装有从烧杯中溢出的水的小水桶和水的总重力G。 3 小水桶的重力G 小水桶和溢出水的总重力G溢出水的重力 G= G - G 13排31 物体的重力G 物体在水中时测力计示数F 物体所受浮力F= G - F 2浮2 7、比较F与G的大小。 实验结论:在误差允许的范围内，F= G，即阿基米德原理成立浮排实验拓展:用实验仪器也可向学生证明 V= V，加深学生对排开液体体积的理解和计算排浸方法。 由于物体和接溢出水的小水桶都有刻度，所以在实验过程中我们可以从物体的刻 度上读出物体浸入水中的体积V;同时，我们也可从小水桶的刻度上读出溢出浸 水的体积V，比较这两个数据，即可得到V= V的结论

楼上这个肯定不行的 能用我把我的电脑桌吃掉还有 你防御天赋点出战神 武器天赋点出主宰 不就可以战斗中冲锋了吗？

要想把单词背得又快又好，就要掌握一点的背诵英语单词的方法，下面给到你十二种方法 ，你可以根据自身情况来选择。一、运用读音规则记忆法英语是拼音文字，根据英语这一特点，使语音与单词中的字母有机的结合，以增强单词的记忆。就是利用英语国际音标来识记单词。国际音标是标识标记英语语音的符号系统。如果熟悉并掌握国际音标及规则字母、字母组合的发音,就可以根据音标来直接拼写英语单词,尤其是一些比较长又难于识记的单词.二、字母组合变化记忆法英语单词中以某个单词为基础，加、减、换、调一个字母就成了另一个新单词。三、比较记忆法比较是人们认识客观世界的重要手段，有比较才有鉴别，不经过比较就很难弄清事物的相互关系。四、联想记忆法联想是记忆的基础。联想记忆单词就是充分运用发散思维展开自己的想象力，由此及彼、由点到面，由一个单词尽可能多地联系到与它相关的各种形式、结构及用法等。五、分类记忆法英语词汇极其丰富，如果能把单词分门别类地进行记忆，是大有好处的。六、重复记忆法重复能深化记忆的“痕迹”。七、语境记忆法记忆英语单词与环境有关。八、图表记忆法利用图表法可以把零星、分散的材料组织起来，从整体记忆。九、对称图像思维记忆英语单词中常常会出现一些对称现象,这简直同建筑物毫无两样了。十、象形记忆法象形词是就是人们利用单词整体或局部结构的象形性（形状）、特征、动作而创造出来的。十一、感官记忆法感官记忆法是把耳、口、眼、手调动起来，把听、说、读、写统一起来，尽可能地用多个感官， 达到记忆目的的方法，这样做的好处是沟通大脑皮层各部分之间的联系，反复运动使相关信息反复刺激大脑中各个相应的神精中枢，加深了大脑皮层上的记忆痕迹，可以有效提高记忆效果。十二、卡片记忆法卡片记忆，为了充分利用组块原理扩大短时记忆容量，就是让学生自制词汇卡片，写上单词的词形、词性、词义、音标、搭配等，看一面，尝试着记忆另一面。随身携带，随时随地进行词汇记忆。

2.3.测定步骤2.3.1.干燥试样质量(m1)的测定称量前把试样表面附着的灰尘及细碎颗粒刷净，在电热干燥箱中于(110±5)℃下烘干至恒量，即干燥至最后两次称量质量差不超过0.1%为止，并在干燥器中自然冷却至室温，称量每个试样的质量(m1)，精确至0.01g。2.3.2.试样的浸渍把试样放入浸液槽内，并置于抽真空装置中，抽真空至其剩余压力小于2500Pa，试样在此真空度下保持约5min，然后在约3min内缓慢注入浸液，直至试样完全淹没，再继续抽真空5min，停止抽气，将浸液槽取出，在空气中静置30min，使试样充分饱和。2.3.3.饱和试样悬浮在液体中质量(m2)的测定将饱和试样迅速移至带溢流管容器的浸液中，当浸液完全淹没试样后，将试样吊在天平的挂钩上称量饱和试样悬浮在浸液中的质量(m2)，精确至0.01g,测量浸液温度，精确至±1℃。2.3.4.饱和试样质量(m3)的测定从浸液中取出试样，用饱和了浸液的棉毛巾小心地擦去多余的液滴，但不能把气孔中液体吸出，迅速称量饱和试样在空气中的质量(m3)，精确至0.01g。3.结果计算:3.1.显气孔率(Pa)按下式计算:(1)3.2.体积密度(ρb)按下式计算:(2)式中:m1:干燥试样的质量，gm2:饱和试样的表观质量，gm3:饱和试样在空气中质量，g:在试验温度下，浸渍液体的密度，g/cm3。

OLT: optical line terminal(光线路终端），用于连接光纤干线的终端设备。功 能1、向ONU(光网络单元）以广播方式发送以太网数据；2、发起并控制测距过程，并记录测距信息；3、为ONU分配带宽；即控制ONU发送数据的起始时间和发送窗口大小．EPON无源光网络系统中的局端设备（OLT），是一个多业务提供平台，同时支持IP业务和传统的TDM业务。放置在城域网边缘或社区接入网出口，收敛接入业务并分别传递到IP网。EPON无源光网络系统组网灵活，下联半径20公里范围内处于业务接入点的多个终端, 构成 EPON系统网络。该系统可支持多种业务模式，适应多种工作环境，为用户提供FTTx系列解决方案。OLT除了提供业务汇聚的功能外，还是集中网络管理平台。在OLT上可以实现基于设备的网元管理和基于业务的安全管理和配置管理。不仅可以监测、管理设备及端口，还可以进行业务开通和用户状态监测，而且还能够针对不同用户的QoS/SLA要求进行带宽分配。OLT路由功能测试方法可用CDRouter进行全自动测试有OLT的典型组网方式如下图：一方面将承载各种业务的信号在局端进行汇聚，按照一定的信号格式送入接入网络以便向终端用户传输，另一方面将来自终端用户的信号按照业务类型分别送入各种业务网中可分为三部分核心部分：包括汇聚分发、业务处理和ODN适配功能业务部分：提供业务接口功能，包括接口适配、接口保护等，以及在需要时具有特定业务的信令处理和媒质传输制式的转换功能公共部分：包括供电与OAM功能详细的可以看一下百度百科：http://baike.baidu.com/link?url=L-aM86BYjvWrhBxsT76pUxiHn5zIdNDBC02on1BqQRYaMmuoXdsVUB0uwdQEB_dLBN8m3Tb6NGx5DhXPEz0sja

http://renfelix.bokee.com/3945676.html

中文名：芝宝发音：/zipou/美国人乔治·布雷斯代(他的绰号“Mr．ZIPPO”)是ZIPP0的创始人，就是他创造了代表雄性美感的ZIPPO打火机。 1932年，美国人乔治·布雷斯代，看到一个朋友笨拙地用一个廉价的奥地利产打火机点烟后，为了掩饰那令人尴尬的打火机，耸了耸肩，对他说:"它很实用!"。事后布雷斯代发明了一个设计简单，不受气压或低温影响的打火机。并将其定名为ZIPPO，这是受当时的另一项伟大的发明--拉链（ZIPPER）的启发，以"它管用"为宗旨而定名的。女孩送男孩ZIPPO火机是有特殊意义的,有三种说法：1、非你不嫁2、希望和你一辈子在一起3、呵呵！在韩国，女孩送男孩打火机，无论他是否抽烟，就是表示“点燃了爱情之火”......当《廊桥遗梦》(《The Bridges of Madison County》)中，罗伯特·金凯(RobertKincaid)掏出他的“骆驼”牌香烟和Zippo打火机时，可能也让我们想到，跟这个美国最后一个牛仔一样，Zippo是一份情怀，一种心情和一生的牵挂。所以，一直以来，女孩都相信：优质的ZIPPO只适合优秀的品质男人！ 0.27英寸厚的镀铬铜制外罩，再加上0.18英寸厚的不锈钢内衬，构成了ZIPPO坚固的外壳；玻璃纤维制成的火芯可以永久地保证燃烧的可靠性，可以使用73000次的燧石轮---无处不体现了ZIPPO的简单、坚固、实用。ZIPPO，对女孩来说，不仅仅只是一件礼物，更是一种宣言，是一种文化，一种只属于自己的、他人无法复制的情感文化。ZIPPO早已超越了打火机的本身，更是有着动人故事的打火机，是一个值得信赖并伴随一生的忠实伴侣。

很老式的烫发不管怎么样烫了头发都会有异味拉你的头发是看软化到位没烫头发都会让头发受损

/castrandom 压制,致死 哪个能用用哪个

过去时啊。你叙述书中内容时用过去时。你叙述这本书讲了什么就用一般时。比如这是一本历史书，你在说书中一千年以前的事时当然用过去时，但你要是说“写本书讲了一千年以前发生的某事”肯定就是一般时了

OLT就是无源光网络局端设备

刹车之后把手里边有一个限位开关。限位开关一动作控制器里边就会自动的断电的。这个是靠控制器断电的。

二战时期美国大兵开始用的，那会性价比较低，美国部队使用很普遍。。。

你是哪个版本的

OLT: optical line terminal(光线路终端），用于连接光纤干线的终端设备。

（1）①图甲和图乙，物体浸入液体的体积是相同的，水的密度大于酒精的密度，弹簧测力计测得的拉力F1＜F2，说明物体浸入水中受到的浮力大，所以物体浸在液体中的体积相同时，液体密度越大，浮力越大．②图乙和图丙，液体的密度相同，物体浸入液体的体积越大，弹簧测力计测得的拉力F2＞F3，说明浸入的液体的体积越大受到的浮力越大，所以液体密度相同时，浸在液体中的体积越大，浮力越大．③图丙和图丁，物体排开液体的体积相同，液体的密度相同，物体在不同深度，弹簧测力计测得的拉力F3=F4，说明物体受到的浮力相同，所以浮力大小跟物体浸没在液体中的深度无关．（2）①由图A知，烧杯中没有倒满水不能充当溢水杯．所以错误之处是烧杯中没有倒满水．②经分析，正确的实验步骤是：AEDBC．③FD-FB是物体浸入液体时受到的浮力，FC-FE是物体排开液体的重力，如果FD-FB=FC-FE时，物体浸入液体受到的浮力大小等于物体排开液体的重力，阿基米德原理就成立．故答案为：（1）①物体浸在液体中的体积相同时，液体密度越大，浮力越大；②液体密度相同时，浸在液体中的体积越大，浮力越大；③浮力与浸没的深度无关．（2）①A中水没有装满；②DEABC（B，C在最后，前面A，D，E顺序无关）；③FD-FB=FC-FE．

有不少的女生都希望自己能拥有一头头光滑柔顺的漂亮长发发型的，因为这些头发做过柔顺处理以后，会比没有做头发之前会变得更完美的，有时候自己也可以做头发的，自己做头发的过程也不是太难的，这些头发柔顺过程也不是太复杂的，现在我们就一起来看看自己怎么便头发柔顺吧，学习了这些技巧以后，自己也能让自己的头发变美的。想要让自己的头发主为美，想要自己做头发，这时候你就要选择一些适合的洗护产品，有些洗发用品是有柔顺的效果的，洗了以后就能让自己变得比较的柔顺，这一种方法得到的柔顺头发的效果不够好。不过我们也可以选择一些拉发的方法，以前很多人都是到美发店里去做的，因为自己没有拉发的工具，现在自己有了拉发的工具以后，你就可以在家里做了，头发柔顺过程了很简单。现在我们就看看自己怎么使头发柔顺吧，自己先把头发清洗干净，然后再用软化剂把头发给软化，头发软化了以后，就可以再把头发清洗干净，接下来就要用到一些拉发的工具了。

烧录器在大陆是叫编程器。因为台湾的半导体产业发展的早，到大陆后,客户之所以叫它为“编程器”是因为现在英文名为PROGRAMMER，这个英文名与一般编写软件程式设计师是同名，所以就叫“编程器”。烧录器实际上是一个把可编程的集成电路写上数据的工具,烧录器器主要用于单片机（含嵌入式）/存储器(含BIOS)之类的芯片的编程（或称刷写）。烧录器在功能上可分万用型烧录器、量产型烧录器、专用型烧录器。专用型烧录器价格最低，适用芯片种类较少，适合以某一种或者某一类专用芯片编程的需要， 例如仅仅需要对PIC系列编程。全功能通用型一般能够涵盖几乎（不是全部）所有当前需要编程的芯片，由于设计麻烦，成本较高，限制了销量，最终售价极高， 适合需要对很多种芯片进行编程的情况。像比如：ISD1700烧录器，他针对的是ISD1700全系统语音芯片，ISD1700烧录器又可以分为多片烧录器和单片拷贝机，还有如：PM50烧录器，PM60烧录器，ISD3340烧录器烧录器英文名为PROGRAMMER，有人叫WRITER，更早期有人叫BURNER，这种机器是用来烧录〔PROGRAM〕一种称为可烧录的IC 〔PROGRAMABLE IC〕，可烧录这些IC内部的CELL〔细胞〕资料，造成不同的功能，以前的IC大部份都是固定功能的IC〔DEDICATED ID〕，所以设计者若设计一片电路板必须用上多种不同的固定功能的IC，对大量生产者需准备很多类型的IC，自从可烧录的IC出现后，设计者只要准备一种 IC便可把它烧录成不同功能的IC，备料者只采购一种IC即可，备料方便，但须准备烧录器去烧录它。在可程式元件选择众多的今日，您可以轻易 地将数佰万位元的程式和资料永久地保存在FLASH / EPROM中，或是将百来颗的传统数位元件塞进一个指甲般大小的CPLD / FPGA之中；也可以将整个微电脑化为一颗单晶片。只要研发工程师有创意就有可能在他的实验桌上，完成这件现今认为稀松平常的事。回想在微处理器刚兴起的年代，只有部份的公司有能力去开光罩，订作一个MASK ROM或是一个ASIC，其中除了费用昂贵外，还要承受著很大的风险和不少的库存压力。随著半导体厂商的推陈出新，陆续出现了可以由使用者程式化的元件，例如储存资料的非挥发性记忆体PROM、EPROM、EEPROM、FLASH EPROM…等等，容量由早期的几K bits到2002年可能供货的1 G bits。而早期只能用TTL来设计的数位电路也逐渐地被PLD所替代，由简单的PAL到现在百万GATE COUNT级CPLD / FPGA。再配和上IC烧录器厂商提供的工具日新月异，让“在桌上就可以定制IC”的美梦成真。

汽油金属打火机

这个牌子还是很不错的，可以考虑一下

[stance:1]加到宏2的cast后面就可以了吧

先用弹簧秤侧石头重力放2个小桶，套着，最好一大一下。靠着怕是不成，较小的桶里盛满水。测量大桶的重力。用细线系住石块，另一端用弹簧秤勾住。浸没在水中。读出此时弹簧秤示数。两次示数之差就是浮力大小。此时水被排出到大桶里。测量大桶和桶中水的共同的重力求出水的重力。比较水的重力和浮力大小，看是否相等。