基于mosfet的固态继电器工作的原理是什么

MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)线性稳压器是一种电路，用于将输入电压稳定地调整为所需的输出电压。线性稳压器工作原理基于非线性特性，使用一个可变电阻来控制输出电压。输入电压变化时，可变电阻会自动调整以维持稳定的输出电压。MOS线性稳压器主要由三部分组成：一个MOSFET晶体管，一个电阻和一个运放。MOSFET晶体管作为可变电阻，它的电流控制特性提供了调整电阻的能力。电阻和运放用来组成环路，使得MOSFET晶体管能正确地工作。运放用来放大输入电压的微小变化，以便更精确地控制MOSFET的电流。MOS线性稳压器的优点在于其高效率和低成本。由于MOSFET晶体管具有很高的阻抗，因此它需要非常小的电流来控制电压。这意味着线性稳压器可以在很低的电流下工作，从而降低了散热量和功率损耗。MOS线性稳压器的缺点在于其稳定性较差。当MOSFET晶体管的温度发生变化时，其电阻会发生变化，导致输出电压的变化。另外，在高频下，MOSFET晶体管的电磁干扰和噪声会影响线性稳压器的性能。MOS线性稳压器的应用范围较广，如在电源电路、数字电路、模拟电路、通信电路中都有广泛使用。而且由于MOS线性稳压器的低成本，其在消费类电子产品中的应用也非常广泛另外需要注意的是，在设计MOS线性稳压器时，还需要考虑其其他因素，如噪声、纹波和线性度等。噪声：MOS线性稳压器的噪声是由MOSFET晶体管中的1/f噪声和运放中的噪声共同产生的，在高噪声环境下会影响输出电压的稳定性。纹波：纹波是指输出电压中的微小波动，通常是由于电路中电容和电感的影响导致的。线性度：线性度指的是输出电压对输入电压的变化率的精确度。为了解决这些问题，通常使用一些技术和方法来提高MOS线性稳压器的性能，如使用低噪声运放、使用滤波电路来减小纹波、使用负反馈来提高线性度等.

力MOS场效应晶体管 电力MOS场效应管 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一种单极型的电压控制全控型器件。 特点——用栅极电压来控制漏极电流 输入阻抗高 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 电力MOSFET的种类 按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 电力MOSFET主要是N沟道增强型。 电力MOSFET的结构 小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS） 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 电力MOSFET的基本特性 (1)静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。 (2)MOSFET的漏极伏安特性（即输出特性）： 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应GTR的饱和区） 工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时导通。 通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 (3)动态特性 开通过程 开通延迟时间td(on) 上升时间tr 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和 关断过程 关断延迟时间td(off) 下降时间tf 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和 MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 电力MOSFET的主要参数 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有： (1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额 (2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额 (3)栅源电压UGS—— UGS86>20V将导致绝缘层击穿 。 (4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS 另一种介绍说明： 场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、结构与分类 图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区（用P 表示），形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。在形成PN结过程中，由于P 区是重掺杂区，所以N一区侧的空间电荷层宽度远大 二、工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。 1．栅源电压UGS对导电沟道的影响（设UDS＝0） 在图Z0123所示电路中，UGS ＜0，两个PN结处于反向偏置，耗尽层有一定宽度，ID=0。若|UGS| 增大，耗尽层变宽，沟道被压缩，截面积减小，沟道电阻增大；若|UGS| 减小，耗尽层变窄，沟道变宽，电阻减小。这表明UGS控制着漏源之间的导电沟道。当UGS负值增加到某一数值VP时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（VP称为夹断电压）此时，漏源之间的电阻趋于无穷大。管子处于截止状态，ID＝0。 2．漏源电压UGS对漏极电流ID的影响（设UGS＝0） 当UGS＝0时，显然ID＝0；当UDS＞0且尚小对，P N结因加反向电压，使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位，使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在UDS较小时，沟道呈现一定电阻，ID随UDS成线性规律变化（如图Z0124曲线OA段）；若UGS再继续增大，耗尽层也随之增宽，导电沟道相应变窄，尤其是近漏端更加明显。 由于沟道电阻的增大，ID增长变慢了（如图曲线AB段），当UDS增大到等于|VP|时，沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为漏源两极间的场强已足够大，完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS （这种情况如曲线B点）：当UDS＞|VP|再增加时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分，形成夹断区 。 由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多，所以比|VP|大的那部分电压基本上降在夹断区上，使夹断区形成很强的电场，它完全可以把沟道中向漏极漂移的电子拉向漏极，形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的电子也基本保持不变，管子呈恒流特性（如曲线BC段）。但是，如果再增加UDS达到BUDS时（BUDS称为击穿电压）进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能，这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使ID急剧增加而出现击穿现象（如曲线CD段）。 由此可见，结型场效应管的漏极电流ID受UGS和UDS的双重控制。这种电压的控制作用，是场效应管具有放大作用的基础。 三、特性曲线 1．输出特性曲线 输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时，漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线，如图Z0124所示。由图可知，各条曲线有共同的变化规律。UGS越负，曲线越向下移动）这是因为对于相同的UDS，UGS越负，耗尽层越宽，导电沟道越窄，ID越小。 由图还可看出，输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。 ◆可变电阻区：预夹断以前的区域。其特点是，当0＜UDS＜|VP|时，ID几乎与UDS呈线性关系增长，UGS愈负，曲线上升斜率愈小。在此区域内，场效应管等效为一个受UGS控制的可变电阻。 ◆恒流区：图中两条虚线之间的部分。其特点是，当UDS＞|VP|时，ID几乎不随UDS变化，保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制，两者变量之间近乎成线性关系，所以该区域又称线性放大区。 ◆击穿区：右侧虚线以右之区域。此区域内UDS＞BUDS，管子被击穿，ID随UDS的增加而急剧增加。 2．转移特性曲线 当UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。实验表明，当UDS＞|VP|后，即恒流区内，ID 受UDS影响甚小，所以转移特性通常只画一条。在工程计算中，与恒流区相对应的转移特性可以近似地用下式表示：Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp) 式GS0127中VP≤UGS≤0，IDSS是UGS＝0时的漏极饱和电流。

气体传感器的原理及发展方向http://news.zfa.cn/indexpage/zzym/zzym.jsp?id=10141&name=dzdjt

IRF640是一种N-MOSFET（N型场效应管），它具有较高的电流增益和较低的漏电流。它的工作原理是，当在源极和漏极之间施加一个正向电压时，在源极和漏极之间就会形成一个电场，这个电场会使漏极的电子流动，从而使漏极的电流增加，从而使源极的电流减少。

是一个MOS管，就是金属氧化物半导体绝缘栅型场效应管，K1271是N沟道的MOS管，全名2SK1271，NEC公司生产，耐压1400V，可过5-10A电流最大功率240W。 MOS管与双极型晶体管区别（百度百科，MOS管）：双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。 　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。

前面的回答是对的，图中是有问题。要不然没有意义。 pmos就是相当于开关，当栅极接低电平时，它的漏极和源极就连通了，相当于开关闭合。在你的电路中源极接的是3.3V，漏极接的是D+，即当U1CONNECT给一个低电平时，开关闭合，D+的引脚就接通了3.3V。当U1CONNECT给一个高电平时，开关断开，D+的电压就只看U1D+的值了。就这样了。

错了，你不能用电阻接地。还有就是电压是不需要引的，只需要导线通上电，电压就来了，注意是并联哦。

我觉得应该是以下两个原因：1.目前电力mosfet大多采用了垂直导电结构，增大了通过电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。2.电力mosfet多了个低掺杂n区，该区由于掺杂浓度低，使得其接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，因此能承受高电压。

（1）MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。（2）MOSFET对于静电放电（ESD）的抵抗能力较差，因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。（3）JFET一般是耗尽型的器件，而MOSFET可以有增强型器件。因此，在使用时，JFET的栅极只能外加反向电压，对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型，则输入电压信号较大时也能够正常工作。 （4）JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。2.功率MOSFET的结构和工作原理　　　　功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。2.1功率MOSFET的结构　　　　功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。　　　　按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。　　　　功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。2.2功率MOSFET的工作原理　　　　截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。　　　　导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面　　当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。2.3功率MOSFET的基本特性2.3.1静态特性；其转移特性和输出特性如图2所示。　　漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs　　　　MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。2.3.2动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。　　　　开通过程；开通延迟时间td(on) —up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；　　　　上升时间tr— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。　　　　开通时间ton—开通延迟时间与上升时间之和。　　　　关断延迟时间td(off) —up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小为零的时间段。　　　　下降时间tf— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGS晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来的大电容，所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。　　功率MOSFET的情况有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒（而不是每微秒）的能力来估量。但尽管如此，它也存在动态性能的限制。这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解。　　　　图4是功率MOSFET的结构和其相应的等效电路。除了器件的几乎每一部分存在电容以外，还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管。（就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样）。这几个方面，是研究MOSFET动态特性很重要的因素。　　首先MOSFET结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。当反向di/dt很大时，二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺，它有可能进入雪崩区，一旦超越其雪崩能力就有可能将器件损坏。作为任一种PN结二极管来说，仔细研究其动态特性是相当复杂的。它们和我们一般理解PN结正向时导通反向时阻断的简单概念很不相同。当电流迅速下降时，二极管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET的复杂性。 　　　　功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时，寄生的双极性晶闸管才开始发难。然而在严峻的动态条件下，因dv/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。此时这个寄生的双极性晶体管就会起动，有可能给MOSFET带来损坏。所以考虑瞬态性能时对功率MOSFET器件内部的各个电容（它是dv/dt的通道）都必须予以注意。 　　　　瞬态情况是和线路情况密切相关的，这方面在应用中应给予足够重视。对器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相应的问题。3.高压MOSFET原理与性能分析　　在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以2.4-2.6次方增长，其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流，以折中额定电流、导通电阻和成本之间的矛盾。即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导通损耗占MOSFET总损耗的2/3-4/5，使应用受到极大限制。 3.1降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法 　　　　3.1.1 不同耐压的MOSFET的导通电阻分布。不同耐压的MOSFET，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOSFET，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOSFET的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。由此可以推断耐压800V的MOSFET的导通电阻将几乎被外延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOSFET结构所导致的高导通电阻的根本原因。 　　　　3.1.2 降低高压MOSFET导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流子导电虽能降低导通压降，但付出的代价是开关速度的降低并出现拖尾电流，开关损耗增加，失去了MOSFET的高速的优点。 　　　　以上两种办法不能降低高压MOSFET的导通电阻，所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOSFET关断时，设法使这个通道以某种方式夹断，使整个器件耐压仅取决于低掺杂的N-外延层。基于这种思想，1988年INFINEON推出内建横向电场耐压为600V的COOLMOS，使这一想法得以实现。内建横向电场的高压MOSFET的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图5所示。　　与常规MOSFET结构不同，内建横向电场的MOSFET嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOSFET关断时，垂直的P与N之间建立横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。 　　　　当VGS＜VTH时，由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成，并且D，S间加正电压，使MOSFET内部PN结反偏形成耗尽层，并将垂直导电的N区耗尽。这个耗尽层具有纵向高阻断电压，如图5（b）所示，这时器件的耐压取决于P与N-的耐压。因此N-的低掺杂、高电阻率是必需的。 　　　　当CGS＞VTH时，被电场反型而产生的N型导电沟道形成。源极区的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOSFET将明显降低。 　　　　通过以上分析可以看到：阻断电压与导通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与导通电阻功能分开，解决了阻断电压与导通电阻的矛盾，同时也将阻断时的表面PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。 　　3.2内建横向电场MOSFET的主要特性 　　　　3.2.1 导通电阻的降低。INFINEON的内建横向电场的MOSFET，耐压600V和800V，与常规MOSFET器件相比，相同的管芯面积，导通电阻分别下降到常规MOSFET的1/5， 1/10；相同的额定电流，导通电阻分别下降到1/2和约1/3。在额定结温、额定电流条件下，导通电压分别从12.6V，19.1V下降到6.07V，7.5V；导通损耗下降到常规MOSFET的1/2和1/3。由于导通损耗的降低，发热减少，器件相对较凉，故称COOLMOS。 　　　　3.2.2 封装的减小和热阻的降低。相同额定电流的COOLMOS的管芯较常规MOSFET减小到1/3和1/4，使封装减小两个管壳规格，如表1所示。　　表1封装与电流、电压额定值　　由于COOLMOS管芯厚度仅为常规MOSFET的1/3，使TO-220封装RTHJC从常规1℃/W降到0.6℃/W；额定功率从125W上升到208W，使管芯散热能力提高。 　　　　3.2.3 开关特性的改善。COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET，很明显，由于QG，特别是QGD的减少，使COOLMOS的开关时间约为常规MOSFET的1/2；开关损耗降低约50%。关断时间的下降也与COOLMOS内部低栅极电阻(＜1Ω＝有关。 　　　　3.2.4 抗雪崩击穿能力与SCSOA。目前，新型的MOSFET无一例外地具有抗雪崩击穿能力。COOLMOS同样具有抗雪崩能力。在相同额定电流下，COOLMOS的IAS与ID25℃相同。但由于管芯面积的减小，IAS小于常规MOSFET，而具有相同管芯面积时，IAS和EAS则均大于常规MOSFET。 　　　　COOLMOS的最大特点之一就是它具有短路安全工作区（SCSOA），而常规MOS不具备这个特性。COOLMOS的SCSOA的获得主要是由于转移特性的变化和管芯热阻降低。COOLMOS的转移特性如图6所示。从图6可以看到，当VGS＞8V时，COOLMOS的漏极电流不再增加，呈恒流状态。特别是在结温升高时，恒流值下降，在最高结温时，约为ID25℃的2倍，即正常工作电流的3-3.5倍。在短路状态下，漏极电流不会因栅极的15V驱动电压而上升到不可容忍的十几倍的ID25℃，使COOLMOS在短路时所耗散的功率限制在350V×2ID25℃，尽可能地减少短路时管芯发热。管芯热阻降低可使管芯产生的热量迅速地散发到管壳，抑制了管芯温度的上升速度。因此，COOLMOS可在正常栅极电压驱动，在0.6VDSS电源电压下承受10ΜS短路冲击，时间间隔大于1S，1000次不损坏，使COOLMOS可像IGBT一样，在短路时得到有效的保护。 3.3关于内建横向电场高压MOSFET发展现状 　　　　继INFINEON1988年推出COOLMOS后，2000年初ST推出500V类似于COOLMOS的内部结构，使500V，12A的MOSFET可封装在TO-220管壳内，导通电阻为0.35Ω，低于IRFP450的0.4Ω，电流额定值与IRFP450相近。IXYS也有使用COOLMOS技术的MOSFET。IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封装的超级MOSFET，额定电流分别为35A，59A，导通电阻分别为0.082Ω，0.045Ω，150℃时导通压降约4.7V。从综合指标看，这些MOSFET均优于常规MOSFET，并不是因为随管芯面积增加，导通电阻就成比例地下降，因此，可以认为，以上的MOSFET一定存在类似横向电场的特殊结构，可以看到，设法降低高压MOSFET的导通压降已经成为现实，并且必将推动高压MOSFET的应用。 　　3.4 COOLMOS与IGBT的比较 　　　　600V、800V耐压的COOLMOS的高温导通压降分别约6V，7.5V，关断损耗降低1/2，总损耗降低1/2以上，使总损耗为常规MOSFET的40%-50%。常规600V耐压MOSFET导通损耗占总损耗约75%，对应相同总损耗超高速IGBT的平衡点达160KHZ，其中开关损耗占约75%。由于COOLMOS的总损耗降到常规MOSFET的40%-50%，对应的IGBT损耗平衡频率将由160KHZ降到约40KHZ，增加了MOSFET在高压中的应用。 　　　　从以上讨论可见，新型高压MOSFET使长期困扰高压MOSFET的导通压降高的问题得到解决；可简化整机设计，如散热器件体积可减少到原40%左右；驱动电路、缓冲电路简化；具备抗雪崩击穿能力和抗短路能力；简化保护电路并使整机可靠性得以提高。4.功率MOSFET驱动电路 　　　　功率MOSFET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大，输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为： 　　　　功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络，它的工作速度与驱动源内阻抗有关。由于 CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS，开关管的开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。　　开关管关断过程中，CISS通过ROFF放电，COSS由RL充电，COSS较大，VDS（T）上升较慢，随着VDS(T)上升较慢，随着VDS（T）的升高COSS迅速减小至接近于零时，VDS（T）再迅速上升。 　　　　根据以上对功率MOSFET特性的分析，其驱动通常要求：触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度；②开通时以低电阻力栅极电容充电，关断时为栅极提供低电阻放电回路，以提高功率MOSFET的开关速度；③为了使功率MOSFET可靠触发导通，触发脉冲电压应高于管子的开启电压，为了防止误导通，在其截止时应提供负的栅源电压；④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流，功率管极间电容越大，所需电流越大，即带负载能力越大。4.1几种MOSFET驱动电路介绍及分析　　4.1.1不隔离的互补驱动电路。图7（a）为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低。适用于不要求隔离的小功率开关设备。图7（b）所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特点是结构简单。　　功率MOSFET属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。由于MOSFET存在结电容，关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小，关断速度较快，但它不能提供负压，故抗干扰性较差。为了提高电路的抗干扰性，可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路，产生一个负压，电路原理图如图8所示。　　当V1导通时，V2关断，两个MOSFET中的上管的栅、源极放电，下管的栅、源极充电，即上管关断，下管导通，则被驱动的功率管关断；反之V1关断时，V2导通，上管导通，下管关断，使驱动的管子导通。因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路充放电，包含有V2的回路，由于V2会不断退出饱和直至关断，所以对于S1而言导通比关断要慢，对于S2而言导通比关断要快，所以两管发热程度也不完全一样，S1比S2发热严重。　　该驱动电路的缺点是需要双电源，且由于R的取值不能过大，否则会使V1深度饱和，影响关断速度，所以R上会有一定的损耗。　　4.1.2隔离的驱动电路　　（1）正激式驱动电路。电路原理如图9（a）所示，N3为去磁绕组，S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小，且从速度方面考虑，一般R2较小，故在分析中忽略不计。　　其等效电路图如图9（b）所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1，它做为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可知，占空比D越小、R1越大、L越大，磁化电流越小，U1值越小，关断速度越慢。该电路具有以下优点：　　①电路结构简单可靠，实现了隔离驱动。　　②只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。　　③占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。　　该电路存在的缺点：一是由于隔离变压器副边需要噎嗝假负载防振荡，故电路损耗较大；二是当占空比变化时关断速度变化较大。脉宽较窄时，由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。　　（2）有隔离变压器的互补驱动电路。如图10所示，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。　　导通时隔离变压器上的电压为（1-D）Ui、关断时为D Ui，若主功率管S可靠导通电压为12V，而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/[（1-D）Ui]。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。该电路具有以下优点：　　①电路结构简单可靠，具有电气隔离作用。当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。　　②该电路只需一个电源，即为单电源工作。隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，且有较高的抗干扰能力。　　但该电路存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。当D较小时，负向电压小，该电路的抗干扰性变差，且正向电压较高，应该注意使其幅值不超过MOSFET栅极的允许电压。当D大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压，此时应该注意使其负电压值不超过MOAFET栅极允许电压。所以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合。　　（3）集成芯片UC3724/3725构成的驱动电路　　电路构成如图11所示。其中UC3724用来产生高频载波信号，载波频率由电容CT和电阻RT决定。一般载波频率小于600kHz，4脚和6脚两端产生高频调制波，经高频小磁环变压器隔离后送到UC3725芯片7、8两脚经UC3725进行调制后得到驱动信号，UC3725内部有一肖特基整流桥同时将7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。一般来说载波频率越高驱动延时越小，但太高抗干扰变差；隔离变压器磁化电感越大磁化电流越小，UC3724发热越少，但太大使匝数增多导致寄生参数影响变大，同样会使抗干扰能力降低。根据实验数据得出：对于开关频率小于100kHz的信号一般取（400～500）kHz载波频率较好，变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯，其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路仅适合于信号频率小于100kHz的场合，因信号频率相对载波频率太高的话，相对延时太多，且所需驱动功率增大，UC3724和UC3725芯片发热温升较高，故100kHz以上开关频率仅对较小极电容的MOSFET才可以。对于1kVA左右开关频率小于100kHz的场合，它是一种良好的驱动电路。该电路具有以下特点：单电源工作，控制信号与驱动实现隔离，结构简单尺寸较小，尤其适用于占空比变化不确定或信号频率也变化的场合。

这个就是NMOS管，内部D极与S极有反向保护二极管。当G极电压大于S极是，管子导通；反之，闭合。你分析这个管子的时候就当普通的NMOS管去分析就好了。

逻辑板也叫屏驱动板,中心控制板,TCON板。通过处理移位寄存器存储将图像数据信号,时钟信号转换成屏能够识别的控制信号,行列信号RSDS控制屏内的MOSFET管工作而控制液晶分子的扭曲度。

与一般双极性晶体管的二次击穿不同，MOSFET雪崩击穿过程主要是由于寄生晶体管被激活造成的。MOSFET由于工作在高频状态下，其热应力、电应力环境都比较恶劣，一般认为如果外部电气条件达到寄生三极管的导通门槛值，则会引起MOSFET故障。在实际应用中，必须综合考虑MOSFET的工作条件以及范围，合理地选择相应的器件以达到性能与成本的最佳优化。

AAT4610A是美国先进模拟科技公司（AATI）于2005年新推出的一种过电流保护电路，适配带USB接口的各种计算机外设及便携式系统。其同类产品还有美国Vishay公司生产的SiP4610A。AAT4610A的内部电路主要包括欠电压闭锁电路、过热保护电路、比较放大器、P沟道MOSFET（带续流二极管）、1.2V基准电压源和限流保护电路。当欠压锁定阈值电压为1.8V时，将P沟道MOSFET关断；当电压恢复正常时自动使P沟道MOSFET导通。AAT4610A的应用非常简单，只需串联在需要限流保护的电路中即可，需要控制的电流从IN端流入，从OUT端流出。C1、C2分别为输入端、输出端的滤波电容，宜采用陶瓷电容。RSET为极限电流设定电阻，其电阻值取决于所需极限电流ILIMIT，设定范围是130mA～1A。在决定RSET的阻值时，必须考虑ILIMIT的变化。造成ILIMIT变化的原因有以下3种因素。（1）从输入端到输出端的电压变化，这是由于P沟道功率MOSFET的压降而造成的；（2）极限电流随温度而变化；（3）极限电流还受输出电流的影响。

1、r22太大，一般取几十欧姆；2、驱动Q6的电荷是通过+12V到D8到CC5再到负载，对CC5充电得的。所以需要在Q6关断的时候对CC5进行充电，负载阻抗太大，充电时间常数太大，或者负载在Q6关断后电势仍然高于12V，无法充电。3、SD是内部上拉到5V的，必须外部给个逻辑低电平。

书号：48488ISBN：978-7-111-48488-2作者：王廷才印次：　责编：　开本：16字数：362千字定价：32.0所属丛书：普通高等教育“十一五”国家级规划教材 高等职业技术教育机电类规划教材 机械工业出版社精品教材装订：平出版日期：2015-02-26　　　　 前言　　第1章 变频器的认识　　1.1 变频器概述　　1.1.1 变频器的发展　　1.1.2 变频器的分类　　1.1.3 变频器的应用　　1.2 异步电动机变频调速原理　　1.2.1 异步电动机变频调速机理　　1.2.2 三相异步电动机的机械特性　　1.2.3 三相异步电动机的变频起动　　1.2.4 三相异步电动机的变频制动　　1.3 变频器的结构与主要技术参数　　1.3.1 变频器的外形　　1.3.2 变频器的基本原理结构　　1.3.3 变频器的铭牌　　1.3.4 主要技术参数　　本章小结　　习题1　　第2章 变频器常用电力电子器件　　2.1 功率二极管　　2.1.1 功率二极管的结构与伏安特性　　2.1.2 功率二极管的主要参数　　2.1.3 功率二极管的选用　　2.1.4 功率二极管的分类　　2.2 晶闸管　　2.2.1 晶闸管的结构　　2.2.2 晶闸管的导通和阻断控制　　2.2.3 晶闸管的阳极伏安特性　　2.2.4 晶闸管的参数　　2.2.5 晶闸管的门极伏安特性及主要参数　　2.2.6 晶闸管触发电路　　2.2.7 晶闸管的保护　　2.3 门极可关断（GTO）晶闸管　　2.3.1 CTO晶闸管的结构与工作原理　　2.3.2 GTO晶闸管的特性与主要参数　　2.3.3 GTO晶闸管的门极控制　　2.3.4 GTO晶闸管的缓冲电路　　2.4 电力晶体管（GTR）　　2.4.1 GTR的结构　　2.4.2 GTR的参数　　2.4.3 二次击穿现象　　2.4.4 CTR的驱动电路　　2.4.5 GTR的缓冲电路　　2.5 功率MOS场效应晶体管（P-MOSFET）　　2.5.1 P-MOSFET的结构　　2.5.2 P-MOSFET的工作原理　　2.5.3 P-MOSFET的特性　　2.5.4 P-MOSFET的主要参数　　2.5.5 P-MOSFET的栅极驱动　　2.5.6 P-MOSFET的保护　　2.6 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）　　2.6.1 IGBT的结构与基本工作原理　　2.6.2 IGBT的基本特性　　2.6.3 IGBT的主要参数　　2.6.4 IGBT的驱动电路　　2.7 集成门极换流晶闸管（ICCT）　　2.7.1 IGCT的结构与工作原理　　2.7.2 IGCT的特点　　2.7.3 ICCT变频器　　2.8 智能功率模块（IPM）　　2.8.1 IPM的结构　　2.8.2 IPM的主要特点　　2.8.3 IPM选择的注意事项　　本章小结　　习题2　　第3章 交-直-交变频技术　　第4章 交-交变频技术　　第5章 高（中）压变频器　　第6章 变频器的接线端子与功能参数　　第7章 变频器的控制方式　　第8章 变频调速系统的选择与操作　　第9章 变频器的安装与维护　　第10章 变频器应用实例　　第11章 变频器技术实训　　附录　　参考文献

有源功率因数校正PFC电路主要有升压型、降压型、升压－－降压型和回扫型等基本电路形式，其中升压型有源PFC电路在一定输出功率下可减小输出电流，减小输出滤波电容的容值和体积，故在电子镇流器中广泛应用。升压型有源PFC电路在控制方法上，有电感电流断续传导模式和峰值电流控制模式。其电路原理图如图2所示。电路工作原理如下：Q1导通时，D5截止，电容C1向负载放电；Q1截止，电感L1储能经D5对电容C1充电。由于Q1和D5交替导通，使整流器输出电流经电感L1连续。这样输入电流也连续。图中，R1取样输入电压，保证通过电感L1的电流跟随输入电压按正弦规律变化，通过L1的高频电流包络正比于输入电压，其平均电流呈正弦波形，使输入电流呈正弦波；R2取样输出电压，控制APFC控制器的输出占空比，稳定输出电压。 目前，APFC专用芯片很多，在电子镇流器中应用广泛，具体电路不做详细介绍，可参阅参考文献。4 利用自振荡半桥PWM驱动器设计的APFC电路 在某些自振荡半桥PWM驱动器电路中，可以利用PWM驱动器输出固定频率的脉冲来作APFC控制，这里介绍两种典型电路。4．1利用自振荡输出波形控制的APFC电路 电路原理图如图3所示。升压电感L1、二极管D5、电容C2和开关管Q3等组成APFC电路。由于PWM驱动器U1输出脉冲的频率和占空比都是固定的，Q3导通时，D5截止，C2向负载放电；Q3截止时，电感L1产生的突变电势使D5正向偏置而导通，电感L1通过D5向C2和负载释放储能，此时整流二极管电流经电感L1连续，使输入电流波形连续，呈正弦波形，可将线路功率因数提高到0．95以上，使输入电流总谐波失真度（THD）降低到10％以下。4．2 利用自振荡PWM驱动器的定时电路图3利用自振荡PWM驱动器输出波形控制的APFC原理电路图图4利用自振荡PWM驱动器的定时器设计的APFC原理电路图和波形图设计的APFC电路自振荡半桥PWM驱动器的振荡器是一个类似555的定时振荡器，CT端为锯齿波，可以用一电路产生同频、占空比可调的APFC电路。其原理电路如图4所示。 自振荡PWM驱动器的CT端波形为锯齿波，送到比较器U2的正端；将直流输出电压分压送到比较器U2的负端。当C点的电压小于D点时，E点为高电平，Q4导通；当B点为高电平时，F点为高电平，Q3导通，电感L1储能，电容C2向后级供电。当C点电压高于D点时，E点为低点平，不论F点电平状态，Q4截止，Q3截止，电感L1经D5向C2和后级释放储能。这样二极管电流经电感L1连续，各点相关波形如图4（B）所示。 从波形上可以看出F点波形脉冲宽度小于A或B，而且可调，但小于50％；通过调整R1、R2的分压比，可调整输出电压和输出功率，构成可调输出电路，这在开关电源和电子镇流器中有较广泛的应用。5 利用TOPSwitch开关构成的APFC电路 TOPSwitch是一种离线式PWM开关，其内部集PWM控制器和MOSFET开关管为一体。由其构成的APFC电路如图5所示。在图5中，控制器U1、电感L1、二极管D5、D6和电容C1构成APFC电路，当控制器U1的C端（控制端）达到设定电压时，U1被启动。电阻R1取样输入瞬时电压，电阻R2取样输出电压，U1的控制端输入电流影响输出占空比，其占空比与输入电流成反比，随输入电压线性变化。通过U1的调整，输入平均电流呈正弦波形，且与输入电压保持同相位，是一种固定频率电流断续模式的APFC电路。可将线路功率因数提高到0．98左右。 此外，还可利用紧凑型自振荡半桥PWM驱动器（如IR51HXX系列）构成类似图4和图5的APFC电路。紧凑型自振荡半桥PWM驱动器是集紧凑型自振荡PWM电路和两只MOSFET管于一身，具有电路简单、紧凑的特点，只适合于节能灯和小型开关电源电路。6 结束语 有源功率因数校正技术应用在高压钠灯电子镇流器上，使其输入侧的功率因数提高到0．99以上，将总谐波失真度降低到10％以下，反馈到电网的谐波大为减少，起到了节约能源、降低消耗和减少电网污染的作用。

LNK304在一个IC上面集成了一个700V的功率MOSFET、振荡器、简单的开/关控制电路、高压开关电流源、频率调制、逐周期的电流限制及过温保护。中文名LNK304属性集成电路器件作用替代输出电流小的特定电源用途家用电器及计时器原理作用用例TA说原理IC就是集成电路器件。就是在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。器件在启动及工作期间的功率消耗直接由漏极引脚的电压来提供，因此，在BUCK及反激式控制器中可节省偏置供电的相关电路。作用用来替代输出电流小于360mA的所有线性及电容降压式非隔离电源。其系统成本与所替代的电源相等，但性能更好、效率更高。

wanna是英文的一个单词缩写，这个单词是想的意思，如果一个女生给你发wanna是什么意思呢？女生发wanna到底是什么意思 ？ 女生发wanna是什么意思 wanna相当于want to汉语意思是;想要,希望,要。如果戏言按音译则可能为;完了。拼音晚安,分开了就是我爱你,爱你，意思就是这个女生生比较喜欢你的意思。wanna是什么意思 wanna=wantto 这个词起源于美国的日常用语；而拼写方式则起源于网络聊天室.目的是便于发音,以及打字方便 “wanna”的用法就和”wantto”一样.只是把后面词替换成前面的就行了 需要注意的是这个词是日常生活中朋友之间对话用的,所以建议正式场合还是不要用.还有书写的时候除了聊天以外,也建议不要使用wanna暗示什么 1、每天都和你聊天，但是就是要跟你保持距离，若即若离的感觉，要么考验你，要么把你当备胎，要么真的就是享受让人追的那个过程 2、晚安嘛，要是多想的话，就是暧昧一下，少想的话，就是给“你吃了吗？”一个意思，关键点不在晚安，而在于你们聊天的内容，以及她回复你的速度，数字量3、你说女神，应该还没有男朋友吧，所以，加油，喜欢就说出来，一不小心让别人捷足先登就不好了，就冲你女神每天和你聊天，每晚还互道晚安，就说明，她也不是很讨厌你的，加油！花开堪折直须折，莫待无花空折枝~

金属铜的价格一黄埔港铜精矿为例，大概在7000元/吨浮动。价格不一。各城市地区都有所不同。各品种也会有所差异。参考资料：我的钢铁网从事信息服务、网上交易、网上分销、网上采购、网站建设、解决方案等，是一个专注于钢铁业的电子商务公司。上海钢联电子商务股份有限公司成立于2000年4月30日，资产超过3亿元，在职员工超过2000名。上海钢联是集钢铁资讯、电子商务、网络技术服务为一体的全国性大型综合IT服务企业，提供专业的钢铁资讯交互平台、一站式钢铁电子商务服务。通过旗下“我的钢铁网”，上海钢联首创了钢材、炉料、特钢、有色、国际等五大资讯频道，提供综合资讯、产经纵横、统计资料、钢厂资讯、下游动态等资讯内容；借助旗下英文网与世界知名钢厂和贸易商交流合作；凭借旗下研究中心(MRI)洞察与剖析，及时提供《钢市动态与分析》周刊、《我的钢铁网研究报告》月刊、《Mysteel Weekly》、《Mysteel Daily》等系列研究产品，辅助企业和政府决策。2005年上海钢联荣获上海名牌称号，并通过ISO9000管理体系认证；2009再次入选“中国行业电子商务网站Top100”。上海钢联电子商务股份有限公司（旗下核心子公司为钢铁行业B2B网站我的钢铁网）经证监会发审委审核“过关”，2011年6月8日正式在深交所登陆创业板，开盘价为29.58元，总市值达到11.25亿。参考资料：百度百科-我的钢铁网

又到了为小伙伴们解惑的时候了✺◟(∗❛ัᴗ❛ั∗)◞✺，wanna是口语中的非正式表达，是want to的缩写形式，而want是标准的英语词汇，用于所有类型的语言环境，包括正式和非正式场合。这里就给大家总结了一个它们基础知识的表格，可以先简单了解一下先：了解完它们的基础知识后，现在就来看看它们的具体区别吧ლ(・∀・ )ლ区别一：语言环境不同wanna是口语中的非正式表达，是want to的缩写形式，而want是标准的英语词汇，用于所有类型的语言环境，包括正式和非正式场合。例句：①I wanna go to the park. 我想去公园。②I want to go to the park. 我想去公园。区别二：语法规则不同wanna一般后面直接跟动词的原型，表示“想要做某事”，而want则可以后面跟名词，也可以跟不定式，表示“想要某物”或“想要做某事”。例句：①I wanna eat some ice cream. 我想吃一些冰淇淋。②I want some ice cream. 我想要一些冰淇淋。区别三：使用范围不同由于wanna是口语和非正式语境中的用词，因此在正式的写作或者演讲中不建议使用。而want则无此限制，可以在各种语境中使用。例句：①I don"t wanna work today. 我今天不想工作。②I don"t want to work today. 我今天不想工作。

光波浴房作为一种新型的卫浴用品开始受到消费者的关注。光波浴房是风靡于欧美的第三代保健沐浴设备，它以5.6微米至15微米的远红外线为主要能量，采取世界流行的低温出汗技术，在沐浴的同时还可轻松地享受音乐，对人体有良好的保健作用。从表面看，远红外光波浴房很像桑拿房。一样的木制结构、一样的坐椅，但是工作原理却完全不同。桑拿房内部有一个电热炉，通过泼水产生高温蒸汽，蒸汽传导热量促使人体排汗。而光波浴房的原理则是利用远红外线辐射，因为人本身既是远红外线的发射源，也是接受器，光波浴房发射出的远红外线接近人体细胞固有的频率，所以它能渗入皮肤及皮下组织达4厘米至5厘米，产生共振效应，使分子运动变得活跃，细胞活动也随之变得活跃起来，这样就起到增加血液流动速度，加速新陈代谢的作用。由于这一频率的远红外线只对人体起作用，所以光波浴房工作时，空气是不升温的，但人体在低温环境下也会出汗。　　由于不需要高温蒸汽，光波浴房[1]与桑拿房相比就有了许多优点：首先是更舒适，空气可以流通，没有憋闷感，还可以在小屋内听听音乐，看看书；第二是它的理疗作用，远红外波浴房对肩周炎、颈椎病等病症有治疗作用；第三，光波浴房有着更方便的温度调节和控制装置，比桑拿房更节能。光波浴房的功能　　美体塑身：光波照射可以排除体内多余脂肪，达到美容、减肥、塑身功效。　　缓解疼痛：远红外可扩张毛细血管，促进血液循环，增加病痛部位的供氧量，所以能起到消炎，减少疼痛的作用。　　强心健体：享受光波浴强心健体，30分钟可消耗1000大卡的热量，相当于长跑10公里出汗量。　　心情愉快：美妙的音乐、和谐的光波有利于缓解人们精神压力，松弛身心。具体搜索重庆科美娅吧。

在起锚的时候，船舶必须向前开动，开动之后同时缓慢收回锚链，在离锚较近的地方，拉直锚链，此时锚杆在锚链的拉力作用下会抬起，锚再利用杠杆的原理将锚爪从底层中起出。 大型的船只都有船锚，船锚的作用是防止船被浪冲走，因为有的船锚确实非常的巨大和笨重，所以很多人就好奇，船锚是怎么收回的呢，下面让我们一起去了解吧。 01 抛锚后船如果在水平面内移动，锚会在河床上拖动勾住河床上的凸起，阻止船的移动。但是对船竖直方向的移动没有多大作用。大点的船起锚用的是起锚机，其实就是电动机卷起铁链，把锚垂直拉起来。这时候锚不会抓住河床或海底，除了本身的重力不会有其余的阻力。 02 船舶在码头停靠，会有直定抛锚点会有人指挥抛锚，不是随便就能抛锚的，就算没有指定的地点也会有人对水测试找到适合抛锚点。 03 真正的船锚的重量与船只的重量是没法相比的，之所以能拉住船，奥妙就在船锚的设计上。 04 船锚分为锚链与抓钩，当船只靠岸抛锚时，锚钩就会随着锚链深入水底，因为锚链的设计都是要比水深，所以锚链到了深水处就会平躺在水底。 05 锚抓就会插入深水里的淤泥，将船只固定在特定的位置。只要船锚固定住了船只，无论多重的海轮多大的风浪都很难把船只打离港口，当然如果海浪能把锚链拉直的话，船只就危险了。

第一：三转以后衣服肯定得穿防的，防8就行，第二：武器合4个G20比较好些因为3转剑平砍比JN快，武器合G以后就不开JN了，把经验留着4转有用，第三：3转你也不可能PK去所以武器合武G的不划算，剑三转PK也是垃圾，3转枪PK还行，第四：气功你可以先加（回柳身法）希望对你有帮助谢谢！

光波康复理疗仪这个主要是通过脉冲治疗，另外就是场效应热疗和超音波治疗等原理理疗，对慢性的损伤疼痛还是有一定的治疗作用的，这个副作用一般来说也没有明显的副作用的，主要是自己的使用的过程中严格的按照说明操作来做，注意尽量的不要把治疗电极一前一后放置心脏等位置。3、光波治疗仪是有多种的功能，有推拿，按摩等多种保健功能，一般是不会有什么副作用的，适合用于疲劳所致的软组织酸痛不适等情况。4、光波理疗仪利用脉冲治疗频率高，渗透能力强，可刺激人体更深层次经络和穴位，直达病灶。具有多功能脉冲治疗、场效应热疗、超音波治疗和激光治疗等多种疗法。5、意见建议：注意不要把治疗电极一前一后放置心脏两侧。使用过程中，如感觉不适时，请立即暂停使用。两电极最好成对贴于相对称的部位或邻近配穴治疗。

在起锚的时候，船舶必须向前开动，开动之后同时缓慢收回锚链，在离锚较近的地方，拉直锚链，此时锚杆在锚链的拉力作用下会抬起，锚再利用杠杆的原理将锚爪从底层中起出。 大型的船只都有船锚，船锚的作用是防止船被浪冲走，因为有的船锚确实非常的巨大和笨重，所以很多人就好奇，船锚是怎么收回的呢，下面让我们一起去了解吧。 详细内容 01 抛锚后船如果在水平面内移动，锚会在河床上拖动勾住河床上的凸起，阻止船的移动。但是对船竖直方向的移动没有多大作用。大点的船起锚用的是起锚机，其实就是电动机卷起铁链，把锚垂直拉起来。这时候锚不会抓住河床或海底，除了本身的重力不会有其余的阻力。 02 船舶在码头停靠，会有直定抛锚点会有人指挥抛锚，不是随便就能抛锚的，就算没有指定的地点也会有人对水测试找到适合抛锚点。 03 真正的船锚的重量与船只的重量是没法相比的，之所以能拉住船，奥妙就在船锚的设计上。 04 船锚分为锚链与抓钩，当船只靠岸抛锚时，锚钩就会随着锚链深入水底，因为锚链的设计都是要比水深，所以锚链到了深水处就会平躺在水底。 05 锚抓就会插入深水里的淤泥，将船只固定在特定的位置。只要船锚固定住了船只，无论多重的海轮多大的风浪都很难把船只打离港口，当然如果海浪能把锚链拉直的话，船只就危险了。

我从技术角度去分析WG80的枪，只能算是中品，拿上，感觉心理不舒服，因为不是JP嘛！打怪，不效率，虽说技能打的比平砍多，但，技能慢~不效率，不如平砍！而平砍~WG80的枪是不行的！满G枪~牛比小号必备装备，有人看你装备，你想不得意都不行！是绝对的小号JP，。打怪，平砍会让刀刀了什么的别的职业羡慕的要死~简直就是两年前的火枪队队长再现·但是，随着级别的提升，技能的威力越来越大，以倍数相加的WG枪自然就显得更加重要！所以，建议三转后换96%--WG100%（不想用卖都好卖）的7武器！所以，强烈建议你：2转就是现在，用满G枪！

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2023上海国际紧固件工业博览会展览时间：2023年5月22-24日 展览地点：上海世博展览馆（ 上海浦东新区国展路1099号）展出面积：42,000 M2展商数量：800 家标准摊位：2,000 个预计观众：海内外36,000+主办单位：中国机械通用零部件工业协会、中国机械通用零部件工业协会紧固件分会、上海爱螺展览有限公司、汉诺威米兰展览(上海)有限公司1号馆（原材料、设备、模具及耗品馆） 2号馆（紧固件成品馆） 同期活动：1、2023中国?上海国际紧固件工业博览会开幕式2、中国紧固件行业百年庆典，文化交流主题展3、上海钢联电子商务股份有限公司（我的钢铁网）&紧固件分会“紧固件用冷镦钢线材价格指数”首发会4、2023Mysteel全国工业线材暨紧固件产业链高峰论坛5、全国紧固件先进技术，智能化、数字化推广应用主题讲座协办单位：上海钢联电子商务股份有限公司（我的钢铁网）、上海市紧固件工业协会、广东省紧固件行业协会、江苏省机械工业协会紧固件分会、安徽省紧固件协会、河北省紧固件行业协会、浙江省紧固件行业协会、重庆市紧固件行业协会、宁波紧固件工业协会、宁波镇海区紧固件行业协会、东莞市紧固件行业协会、乐清市紧固件行业协会、平湖市紧固件五金行业协会、兴化市戴南紧固件行业协会、阳江市紧固件行业协会、永年县标准件协会、邢台市紧固件行业协会、沙河市通用零部件产业办公室、杭州市紧固件行业商会、深圳市紧固件行业协会、温州市紧固件行业协会、阳江市机械装备行业协会、海盐县紧固件同业商会、嘉兴市紧固件进出口企业协会、嘉善县紧固件行业协会

武功，外国，蜈蚣，务工，瓦工，瓦罐，挖沟，倭瓜，违规，围观，微光，围攻……

爱啦啦(海楠) new 十分钟MV(李孝利) new DJ串烧 前几天那个 千滴泪 分手的第七天 new 当泪流干的时候 你的承诺 走了你还有谁 坐上火车去拉萨 自由飞翔 擦干你的泪水 爱上你是一个错 难道爱一个人有错吗 香烟爱上火柴 为爱停留(郑源) 下辈子也要找到你 如果你是我眼中的一滴泪 忘不了的伤 爱情里没有谁对谁错 手心里的海 忍不住流泪 感动天感动地 怨苍天变了心 红雪莲(高樱) 曾经爱过你 我爱你你却爱着他 有一种爱叫做放手(阿木) 不要在寂寞的时候说爱我 缘份五月 不管还有多少个明天 留不住你的温柔 有没有人告诉你 放生(范逸臣) 分手了就不要想起我 会有天使替我来爱你 再见(张震岳) 思念是一种病(张震岳) 全世界最伤心的人 对不起我的最爱(杨川平) 你的温柔给了谁(杨川平) 遇(aimini) 谁是谁的谁 遇上你是我的缘 没有你的日子真的好孤单 你是我的幸福吗？ 多情人都把灵魂给了谁 当我想起你(王思思) 爱你一辈子(王思思) 我们的爱 第一次恋爱 我不愿错过 表白(萧亚轩) 两个人(蔡妍) 老人与海 爱死了昨天 无缘 车站 那一刻 爱恨是你 樱花的眼泪 爱你爱的好疲惫 这辈子我们还能在一起吗 冰吻 爱的最真 我是真的爱你 爱大了受伤了 连哭都是我的错 你这该死的温柔(马天宇) 痛哭的泪 不想让你哭 没你我该怎么过 找一个爱你的理由 爱上别人的人 做你的爱人 缘分让我爱上你 你是我一生最爱的人 爱上你的美(雨天) 我不想看见你哭(雨天) 过火(张信哲) 今天你爱了吗 你会恨我吗 绝情人 偶爱你 等一分钟 情愿为你受伤 我的爱回不来 今天你要嫁给我 不愿放开你的手 别说你还爱着我 爱你是个错误 爱人(音乐爱情故事) 当猫爱上蝴蝶(感人) 泪的告白(泪の告白) 宝贝我爱你(音乐剧) 飞舞 心醉 刺心 樱花草 只对你有感觉 爱我就别伤害我 不再回头 死心塌地 死了都要爱 秋天不回来 人一旦变了心(汤潮) 爱你永不后悔 不要再来伤害我 为什么相爱不能在一起 想着你睡不着 其实我很在乎你 赤道和北极 多一天爱一点 真爱(王子变青蛙主题曲) my love promis don"t come easy Scarborough Fair 此情可待 昨日重现 希望你爱我 对你有感觉 爱你今生到永远 到底让我等多久 想你的时候你是否会想我 求佛 哭了 小宝贝 你的选择 一个人哭(郑源) 不要就这样离开(郑源) 我不恨你(郑源) 我不后悔(郑源) 一万个理由(郑源) 喜欢你没道理 爱上你这样的女人 等你(谢军) 相思(谢军) 回到初恋(谢军) 皇帝(胡彦斌) 功夫(张娜拉) 全世界下雨(张娜拉) 把心交出来(李琛) 爱上你我很快乐 老鼠不再爱大米 那些曾为你流下的眼泪 让你快乐是我努力的重点 你不是我的月亮我不是你的云 千年泪(tank) 三国恋(tank) 单车恋人 命中注定 新欢旧爱 明明很爱你 如果再给我一次机会 你说我容易吗 等你等得胡子都长了 你愿意做我女友吗 你不对我好我就不对你好 QQ爱 猪头哥哥 我的乌鸦男友(海楠) 不值得 爱我别走(张震岳) 那一夜 分手那天 爱海滔滔 习惯一个人 感应(蒙恩使女) 水蜜桃声明(朱安禹) 我还能相信谁 嘟啊嘟 冰吻(DJ版) 童话(DJ版) 分手那天(DJ版) 你到底爱谁(DJ版) 老鼠爱大米(DJ版) 爱你永不后悔(DJ版) 不怕不怕(DJ版) 不怕不怕(英文版) ◇免费点歌送15个Q币◇ 爱情转移 爱转角 发现爱 爱我要加倍(王蓉) 寻宝(张韶涵) 幻想爱(张韶涵) 不安静(bad) 诀别诗(胡彦斌) 绝不放手(黄征) 梦想之城(羽泉) 我说爱你一万遍 葬爱 美观 别碰我 蝴蝶泉边(黄雅莉) 爱的卡路里(蜜雪薇琪) 末班车 留心(花儿乐队) 大喜宙(花儿乐队) 我的果汁分一半给你 放开(爱乐团) 真的好爱你 爱情木瓜(1983) 等爱走了以后(1983) 我难过(5566) 好久不见(5566) 为谁疯狂(蓝狐) 分开旅行(刘若英) 刺激2007 离歌(信乐团) 打工行 礼物 好姑娘 我是个好老公 爱情乞丐 我们都是好孩子 不够勇敢 诗人的眼泪 雨人(周华健) 认真的雪(薛之谦) 白色恋人(游鸿明) 北极星的眼泪(游鸿明) 恋上另一个人(游鸿明) 爱一回伤一回(游鸿明) 红色石头(李智楠) 花田错 大城小爱 香水百合 隐形的翅膀 香水有毒 恋爱达人 无尽的爱 美丽的神话 讲不出再见 披着羊皮的狼 寂寞沙洲冷 再见北极雪 夜曲 发如雪 我不怕(潘玮柏) 反转地球(潘玮柏) 快乐崇拜(潘玮柏) 不得不爱(潘玮柏) 爱上未来的你 那女孩对我说 大舌头(吴克群) 嘻唰唰(花儿乐队) 化蝶飞(花儿乐队) 我们能不能不分手 娃娃(张韶涵) 希望(陈慧琳) 希望(超女五强) 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爱我还是他(陶喆) 我们的故事(陶喆) 天黑(阿杜) 坚持到底(阿杜) 他一定很爱你(阿杜) 毕业(阿杜) 离别(阿杜) 天天看到你(阿杜) 下雨的时候会想你(阿杜) 痛哭的人(伍佰) 浪人情歌(伍佰) 挪威森林(伍佰) 美丽新世界(伍佰) 再度重相逢(伍佰) 情人(刀郎) 冲动的惩罚(刀郎) 2002年的第一场雪 手心里的温柔(刀郎) new 江南(林俊杰) 一千年以后 被风吹过的夏天 编号89757(林俊杰) 我们的爱(F.I.R) 千年之恋(F.I.R) 见习爱神(Twins) 我很想爱他(Twins) 下一站天后(Twins) Super Star(S.H.E) 星光(S.H.E) 紫藤花(S.H.E) 波斯猫(S.H.E) 恋人未满(S.H.E) Beauty Up My(S.H.E) 一眼万年(S.H.E) 他还是不懂(S.H.E) Pretty boy(m2m) The day you went away 哎呀(王蓉) 水煮鱼(王蓉) 爸爸妈妈(王蓉) 我不是黄蓉(王蓉) 挥着翅膀的女孩 太委屈(陶晶莹) 姐姐妹妹站起来 羽毛(王心凌) 爱你(王心凌) 睫毛弯弯(王心凌) Da Da Da(王心凌) 第一次爱的人(王心凌) 花的嫁纱(王心凌) 我会好好的(王心凌) Honey(王心凌) 彩虹的微笑(王心凌) 玩美(蔡依林) 舞娘(蔡依林) 恋爱百分百(蔡依林) 布拉格广场(蔡依林) 爱笑的眼睛(徐若瑄) 潘多拉(姜昕) 欧若拉(张韶涵) 潘朵拉(张韶涵) 遗失的美好(张韶涵) 温柔的慈悲(阿桑) 一直很安静(阿桑) 寂寞在唱歌(阿桑) 猪之歌(香香) 老鼠爱大米(香香) 哎哟哎哟对不起 放假了(张含韵) 想唱就唱(张含韵) 最想念的季节 酸酸甜甜就是我 不怕不怕(郭美美) 谁谁谁(闪亮三姐妹) 寂寞惹的祸(闪亮三姐妹) 芭比(bob)触电 芭比(bob)异想的甜蜜 光彩第二街 蝴蝶 火花(高耀太) 七年的爱 眉飞色舞(郑秀文) 独家试唱(郑秀文) 替换(陈慧琳) 不得了/花花宇宙(陈慧琳) 不如跳舞(陈慧琳) 跳舞街(陈慧娴) 自已美(周鹏) 咚巴啦(周鹏) 踏浪(徐怀钰) 叮咚(徐怀钰) 分飞(徐怀钰) 我是女生(徐怀钰) 后来(刘若英) 为爱痴狂(刘若英) 当爱在靠近(刘若英) 很爱很爱你(刘若英) 一辈子的孤单 原来你也在这里 一个人的精彩 最熟悉的陌生人 勇气(梁静茹) 古灵精怪(梁静茹) 爱你不是两三天 宁夏(梁静茹) 遇见(孙燕姿) 绿光(孙燕姿) 天黑黑(孙燕姿) 开始懂了(孙燕姿) 原来爱情这么伤 记事本(陈慧琳) 好心分手(卢巧音) 独立(蜜雪薇琪) 那么骄傲(金海心) 悲伤的秋千(金海心) 把耳朵叫醒(金海心) 蝶恋(刘亦菲) 第三天(谢雨欣) 天仙子(谢雨欣) 爱忧伤(胡佳琛) 期待(张敬轩) 断点(张敬轩) 过云雨(张敬轩) 十年(陈奕迅) 包袱(胡彦斌) 宣言(胡彦斌) 小薇(黄品源) 你怎么舍得我难过 狠不下心(黄品源) 那么爱你为什么(黄品源) 黄昏(小刚) 我的心太乱(小刚) 手放开(李圣杰) 痴心绝对(李圣杰) 冷酷到底(羽泉) 最美(羽泉) 奔跑(羽泉) 这一生只为你(羽泉) 那些花儿(朴树) 白桦林(朴树) 丁香花(唐磊) 我的女孩(Y2K) 曾经最美(朱铭捷) 一生有你 在他乡(迷乡) 再见了最爱的人 爱你(阿木) 无所谓(杨坤) 回心转意(黑龙) 2006新回心转意 相信自己(零点乐队) 你爱不爱我 多少爱可以重来 无地自容 别让爱你的人流泪 分手的拥抱 杀破狼 六月的雨 逍遥叹 红颜 栀子花开(何炅) 六色彩虹(欧得洋) 孤单北半球(欧得洋) 单身情歌(林志炫) 蒙娜丽纱的眼泪 方向(许巍) 蓝莲花(许巍) 曾经的你(许巍) 完美生活(许巍) 盛夏的果实(莫文蔚) 我爱你(中国娃娃) 单眼皮女生(中国娃娃) 鸭子(苏慧伦) 味道(辛晓琪) 独角戏(许茹芸) 相见恨晚(彭佳慧) 别问我是谁(王馨平) 加速度(瞿颖) 约定(周惠) 好想好好爱你(周蕙) 狠狠爱(徐若瑄) 爱就爱了(陈琳) 星语心愿(张柏芝) 爱的代价(张艾嘉) 闷(王菲) 红豆(王菲) 刀马旦(李玟) 看海(周迅) 飘摇(周迅) 胆小鬼(梁咏琪) 凹凸(梁咏琪) 伤痕(林忆莲) 至少还有你 一生爱你千百回 亲密爱人(梅艳芳) 女人花(梅艳芳) 昨天 心愿 稻草人(汪蕊) 黑金鱼(司文) 今生最爱(王程明) 蝴蝶花(水木年华) 完美世界(水木年华) 感恩的心(欧阳菲菲) 烟花三月 逝去的爱 大大世界 知心爱人 美丽心情 水晶之恋(于波) 玻璃夕阳(曹宇) 不要隐身(郑箫) 爱到尽头(雨天) 剁椒鱼头 吉祥三宝 吉祥馒头 闪亮天使(司雯嘉) 让爱住我家(我爱我的家) 桃花朵朵开(阿牛) 因为是女子(中文版) 因为是女子(KISS) 因为爱上你(孙思怡) 东南西北风 七天七世纪 点然一根烟 一千零一个愿望 毕业了、青春散场了 坐在巷口的那对男女 到底什么时候才会想起我 爱你在心口难开 乌兰巴托的爸爸 乌兰巴托的夜 女友嫁人新郎不是我 愤怒的情人(汤潮) 爱你我就不会后悔(汤潮) 我在你眼里到底算什么 你的眼睛背叛了你的心 没有钱你会爱我吗 没有人比你更爱我 爱我一生一世好不好 我是一个被爱伤过的人 方便面 终极一班 北京一夜 北京土著 菠萝菠萝蜜 上帝是女孩 不想失去你 北京的月亮(阿牛) 祝福你一生 你从什么时候不在爱我 黄玫瑰(黄灿) 我的名字叫依莲 给我一个不伤心的理由 9999滴眼泪 白狐(陈瑞) 梦醉西楼(陈瑞) 蓝眼泪 花开的地方 你的方向(女声) 你的方向(五洋) 隔世离空的红颜(五洋) 我和草原有个约定 让泪化作相思雨 分手在那个秋天 甜蜜约定 云中漫步 放弃我是你的错 闪着泪光的决定 只欠秋天(马天宇) 你说的话让我心疼 我会好好过(李玖哲) 你爱的是我还是你自己 不要用我的爱来伤害我 一直站在被你伤害的地方 My Girl 花儿爱上忘情草 我的爱有罪 天使恋人(刘芮伊) 听着情歌流眼泪 爱在心中说不出口 爱情没有那么美 我很丑温柔还有用吗 难道你嫌我伤的不够深 广岛之恋(张洪量/莫文蔚) 不要轻易说分手 我是不是你最爱的人 上辈子欠你一滴泪 如果你能爱我有多好 爱上你是我今生唯一的决定 玫瑰花的葬礼 爱不在就放手

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2023上海紧固件展，5月22-24日，连续举办好多届了，一直在上海世博展览馆举办的。国内规模最大的紧固件展，1号馆设备、材料、模具、耗品；2号馆紧固件成品，展会面积5万平方米！1号馆（原材料、设备、模具及耗品馆） 2号馆（紧固件成品馆） 同期活动：1、2023中国?上海国际紧固件工业博览会开幕式2、中国紧固件行业百年庆典，文化交流主题展3、上海钢联电子商务股份有限公司（我的钢铁网）&紧固件分会“紧固件用冷镦钢线材价格指数”首发会4、2023Mysteel全国工业线材暨紧固件产业链高峰论坛5、全国紧固件先进技术，智能化、数字化推广应用主题讲座协办单位：上海钢联电子商务股份有限公司（我的钢铁网）、上海市紧固件工业协会、广东省紧固件行业协会、江苏省机械工业协会紧固件分会、安徽省紧固件协会、河北省紧固件行业协会、浙江省紧固件行业协会、重庆市紧固件行业协会、宁波紧固件工业协会、宁波镇海区紧固件行业协会、东莞市紧固件行业协会、乐清市紧固件行业协会、平湖市紧固件五金行业协会、兴化市戴南紧固件行业协会、阳江市紧固件行业协会、永年县标准件协会、邢台市紧固件行业协会、沙河市通用零部件产业办公室、杭州市紧固件行业商会、深圳市紧固件行业协会、温州市紧固件行业协会、阳江市机械装备行业协会、海盐县紧固件同业商会、嘉兴市紧固件进出口企业协会、嘉善县紧固件行业协会

1、微波、光波炉杀菌都是靠蒸发微生物体内水份使其死亡。 2、从基本原理上讲相同功率下微波比光波有效。 3、因为微波是自内而外的、而光波依然是靠辐射自外而内的。 4、光波通常是指电磁波谱中的可见光。 5、是自然界中物质运动的最快速度。 6、光波是横波、其中电场强度E和磁感应强度B彼此相互垂直、并且都与传播方向垂直。

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第一步：杀菌消炎、排脓清毒 。光盾超强的超光距透射激光光波，当时照，当时就起效，杀菌灭毒，排毒清脓，并通过透射技术，将粘膜组织及毛细血管里的病菌病毒统统杀灭。第二步：修复粘膜组织、恢复系统正常功能 。随着炎症消除，病毒病灶被清排出来，粘膜组织开始进行修复生长，系统功恢复正常，鼻腔不干了、咽喉不肿了、听力正常了，你会不由自主地深深呼吸一口这难得的清新空气！第三步：清除血液中炎性物质源，完善免疫系统功能 。光盾强大的超光距光波能将血液中的过敏源及炎性物质进行清除，并提升鼻腔、咽腔及耳腔免疫系统功能，机体纯净，免疫功能完善，就算是再次感染，也能有效抵御，不会复发。

你要是拜师了.用WG刀效果好.没拜师用G刀.到3转在用WG

光波康复理疗，字面意思是光波治疗，光波有很多种紫外线红外线等等目前I比较流行的是频谱治疗仪，三十多年市场验证，频谱治疗仪主要是靠发射远红外线照射病患部位造成生物内生热效应，从而达到康复理疗效果频谱治疗仪对慢性病、皮肤病、伤口愈合、脊椎、腰椎、风湿等等慢性病有很好的康复理疗效果！--------------------------阿木康复器材店

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"“万物生长靠太阳”，太阳有95%均为红外线，红外线维持地球表面平均15℃，最适合人类生长发育。利用红外线治疗疾病的方法就叫红外线疗法。奥科维的红外能量健康仪正是运用红外线的独特作用，具有见效快，操作简单，应用广泛的特点。 奥科维红外能量健康仪的治疗作用主要是温热作用。1、改善局部血液循环。机体吸收红外线以后转变成热，从而引起血管扩张，血流加速，改善局部血液循环，改善局部组织营养状态，组织细胞的活力和再生能力增加，故对肿胀炎症的消退有明显效果。 2、消炎镇痛。血液循环改善，将炎性产物渗出带走，吞噬细胞的吞噬能力加强，热还可以降低神经末梢的兴奋性，痛阀提高，故可以消炎、镇痛。 3、促进肿胀消退。循环改善，渗出物吸收。 4、提高免疫力。红外线照射区白细胞聚集，吞噬能力加强，而且还激活抗氧化系统，维持内环境的稳定。 5、促进伤口愈合。对溃疡、烧伤和伤口照射时，可由于温度升高，水分蒸发使渗出物减少，干燥，促使肉芽增长，加速伤口愈合。 6、缓解肌肉痉挛。红外线热作用下缓解骨骼肌和平滑肌痉挛。 7、其他。减少术后粘连，软化瘢痕，减轻瘢痕挛缩。对软组织的损伤、血肿均有治疗效果。 奥科维红外能量健康仪坚持使用，效果更佳，祝早日康复。 "

如意金箍棒是谁打造的？说起金箍棒的来历，它可能要比绝大多数神仙的年龄还大，而且金箍棒的锻造者其实也不难猜，西游记里十件法宝九件都出自他手，相信你已经猜到他是谁了，其锻造者就是太上老君。 太上老君锻造金箍棒的初衷，并不是为了打造出一把神兵利器，而是作为工具锻造的。金箍棒原名灵阳棒，它最初的作用就是拿来当做天地交合的神器。盘古只是负责打通天地并没有创造出万物，一个混沌的世界是不可能自己长出生物来的。所以灵阳棒就是作为天地融合的媒介而被创造，因为金箍棒有一个特点就是可以无限伸长，正好连接天地，交合万物。 金箍棒第二大能力就是可以治水。大禹治水的时候，就曾找太上老君借金箍棒测量水位。大禹原本想要将大水导入海中，但发现无法治根，只是一时缓和了水患。其实水下住有很多妖魔鬼怪，在水底兴风作浪，等大禹借到金箍棒以后每当发现哪里有水灾泛滥，便把金箍棒插入海底，这些妖怪抵挡不住金箍棒的灵气便不敢在放肆下去了。 而金箍棒最后一个能力，就是被孙悟空给开发出来的。虽然金箍棒早年一直被当做工具存在，但经过了万年岁月，吸收天地灵气，也让金箍棒有了斩妖除魔的能力。碰巧当时孙悟空还差一个顺手的兵器，看中金箍棒便将它拿来当武器使用了。 传说大禹治水时留下的定海神针，作者也没有交代到底有几根。如果像船锚，可以把船定在海面上。也就是说原理是一样，唯独只有这一根。为什么要定海呢？古代也一样有台风，有大浪。当然要足够强大的东西才能定住海面，使风浪速度放缓慢，对陆地的伤害就没有那么严重。 我们又回归到问题上来，这个棒子为什么是135000斤重。这是巧合还是有什么其他的原因？中国古代盛行迷信。从《易经》的角度来看这个问题，也许就明白了。一生二，而生三，三生万物。《易经》以一”开始以一”结束，从一而终就是这么来的。一”是阳性的代表，也就是表示刚强，坚韧。135都是奇数，唯独有几个零。中国古代数学是没有零这个概念，也就说万物从一而生而旺。一”是奇数也是阳性的代表，中国古代数学把奇数归类为阳性。为什么会这样呢？一个和一个配对，形成二，由二引申出三。奇数图形总是形成针尖麦芒，只有这样的性状构成复杂的世界。 所以孙悟空用的定海神针，后面不应该是几个零，而是太重人们无法估量，只好写一个数字。唯独一个一”又觉得不够严谨，那就干脆用《易经》的话来描述它的重量，一、三、五”。问题又来了，为什么不用一、二、三”或者一、一、一”。造假就要有造假的样子，什么都一、二、三”，那这个世界成什么样子了？问题答案的玄机在金箍棒的功能上，它可以大可以小，还可以分身。这些就说明了问题，大和小的重量可以不变，但是分身呢？如果可以分重量那就没有使用价值了。 《西游记》中孙悟空的如意金箍棒重一万三千五百斤。这个如意金箍棒的背后是有玄机的，西游记书上写道：如意金箍棒是孙悟空从东海龙宫得到。”实际情况，如意金箍棒是孙悟空的师傅，菩提老祖给的。 西游记中菩提老祖只有一个徒弟，就是孙悟空。孙悟空学艺的时候，遇到的师兄和师弟，都是菩提老祖虚化的，因为孙悟空在取经的路上，不管遇到多么大的困难。没有得到任何师兄师弟的帮助。说明孙悟空的师兄师弟都是虚化来的。菩提老祖只有孙悟空一个徒弟。 如意金箍棒是太上老君送给大禹治水用的定海神针。那和菩提老祖又有什么关系呢？菩提老祖其实是太上老君变化而来。孙悟空是女娲补天时，剩下的一块宝石，这块宝石变成了孙悟空。这块宝石没有变成孙悟空之前，女娲娘娘和太上老君在33层天上开大会，是女娲娘娘和太上老君决定把这块石头变成孙悟空，有太上老君当孙悟空的师傅，这样孙悟空的一生，是有女娲娘娘和太上老君共同安排的。而菩提老祖是由太上老君变化而来，菩提老祖一直不让孙悟空说出他的师傅是谁，孙悟空一生都没有告诉任何一个人和神仙，他有师傅。所有的人和神仙只知道孙悟空是石猴。 《黄帝内经难经》中写过人的气息数。人一日一夜，凡一万三千五百息，脉行54度，周于身。”金箍棒是由太上老君亲手打造的神器，等同于凡人一昼夜的喘气次数，这也是金箍棒为何一万三千五百斤的原因。

　　CPI破5可能使短期调控政策接踵而至，近期仍有加息可能。同时欧债危机引发的避险买盘将维持美元强势，对沪钢形成一定压力。后市行情可能趋于平淡，获利了结情绪升温将使得螺纹钢上行阻力重重。随着商品逐渐向基本面回归，螺纹钢生产成本的上升将成为其未来价格的支撑因素，螺纹钢中长期看好，短期政策面的影响使得沪钢挑战前期高点的风险较大。

我的主题曲—江语晨爱乘以无限大—元若蓝我们的歌—王力宏大丈夫--Jolin撑腰--罗志祥 甜甜的-周杰伦 三个心愿-阿沁+飞儿 爱上爱的味道-张韶涵 C大调-张韶涵 18爱不爱-翼势力 离开地球表面-五月天 哲学家-范玮琪 桃花源-蔡依林 日不落-蔡依林 无法抗拒-潘玮柏 瘦瘦的-梁静茹 幸福氧气-卓文萱(她的歌都满不错的.) 爱啦啦-海楠 《加油歌》花儿乐队的！节奏感很强，还可以编排舞蹈！《向前冲》阿雅的！方大同、五月天的歌，旋律不错，都很阳光。郭采洁《快一点》萧亚轩的《AND I KNOW》萧萧《放了> 曹格<海边的卡夫卡>F.I.R 的《get high》蔡依林的《马德里不思议》Blue 的 《one love》（英文的但是很经典。。）王蓉的《哎呀》韩雪 的 《爱的水晶鞋》梁静茹的《爱你不是两三天》《宁夏》王力宏的《大城小爱》金莎的 《不可思议》《落入凡间的天使》《爱的罗曼斯》 《触电》 芭比娃娃 张韶涵的香水百合牡丹江（我最喜欢，歌词好）花恋蝶（好听）昆明湖（好听）一如既往夕阳花之魅下一个天亮一颗心的距离情画国王皇后（这个有点搞笑）独唱情歌北极圈 HIHI BYEBYE 青春舞曲欢乐颂甜甜的只对你有感觉 我就是喜欢你结果咧 爱x无限大 紧箍咒国王皇后 把耳朵叫醒 爱似水仙 在树上唱歌 不潮不用花钱 i miss you （仅仅题目是英文、歌词是中文）出神入化舞台再见小时候快乐崇拜棉花糖樱花草热力开场热浪 给我一首歌的时间即使知道要见面爱的城堡梁山伯与朱丽叶稻香小酒窝 水仙 爱情女神我的答铃我要飞happy2000听见幸福瓶盖发生什么事恨自己三只小熊知足倔强我想牵着你的手

wanna和want的区别为：一、指代不同1、wanna：want to或want a的代写。2、want：要，想要。二、后接词不同1、wanna：后接动词原形。2、want：后接名词、代词或动词不定式。三、引证用法不同1、wanna：wanna被看成是美国英语里的俚语。2、want：want的基本意思是“想”“要”，指人希望、愿意或决心做某事或获得某物，是日常用语，强调主观愿望。引申可表示“缺少”“缺乏”“不够”“差”“没有”“应该”等。

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光波炉又叫光波微波炉，它和普通微波炉的最大区别，就在于其加热方式。普通的微波炉，内部的烧烤管普遍使用铜管或者石英管。铜管在加热以后很难冷却，容易导致烫伤；而石英管的热效不太高。 光波炉的烧烤管由石英管或者铜管换成了卤素管（即光波管），能够迅速产生高温高热，冷却速度也快，加热效率更高，而且不会烤焦，从而保证食物色泽。从成本上来讲，光波管成本只比铜管或者石英管增加几元钱，所以，现在光波管在微波炉技术上的使用非常普遍。 实质：光波是微波炉的辅助功能，只对烧烤起作用。没有微波，光波炉只相当于普通烤箱。市场上的光波炉都是光波、微波组合炉，在使用中既可以微波操作，又可用光波单独操作，还可以光波微波组合操作。也就是说，光波炉兼容了微波炉的功能。

wanna和want的区别为： 一、指代不同 1、wanna：want to或want a的代写。 2、want：要，想要。 二、后接词不同 1、wanna：后接动词原形。 扩展资料 　　2、want：后接名词、代词或动词不定式。 　　三、引证用法不同 　　1、wanna：wanna被看成是美国英语里的俚语。 　　2、want：want的基本意思是“想”“要”，指人希望、愿意或决心做某事或获得某物，是日常用语，强调主观愿望。引申可表示“缺少”“缺乏”“不够”“差”“没有”“应该”等。

厨房用品早就不是旧式的类型了，经过更新换代，那些老式的灶台，危险的煤气，早就被洁净的新能源产品所替代了，比如微波炉、电磁炉、烤箱等等，除此之外，还有一种是类似微波炉的灶具，叫做光波炉，接下来就让我们为大家介绍一下光波炉原理以及使用方法吧!光波炉原理：光波炉的加热原理是利用光波而不是微波，光波加热相对于微波有更多不同的特性。光波炉实际上是利用一种灯发热，再利用高效能的反射盘把发出的热能集中传递到一个能耐高温的玻璃面板上。通过这个玻璃面板，高速将热量传递到满载食物的需要加热容器内。光波炉利用的这种发热等实际是上一种依靠远红外线卤素灯管(HalogenLight)发热，因此，光波炉有可以叫做远红外线卤素炉。通过这种卤素灯管发热后，再利用高效能的反射集中热量，就像凸透镜一样将热能集中起来，最后将这种高温通过耐高温的微晶玻璃面板传热。用户就就可以将摆放食物的器皿放在这种面板上加热了。这种传热的热效率约89%-93%左右，与高热传递的电磁炉热效率差不多，同样能达到快速加热食物的目的。正是由于这种加热方法，只要是耐高温的器皿就可以用于这种加热，并没有特别的限制。光波炉使用方法：1、在光波炉内可使用多种耐高温容器，但如果选择了微波烹调火力，最好不要使用金属或带金属的容器。因为金属对微波有反射作用，不仅使食物较难熟，被反射的微波还会损坏微波炉的部件，影响使用寿命。2、若烹饪冷冻食品，要先解冻。解冻时应注意：①使用微波低功率档，使之均匀解冻;②对一些厚薄不一的食品，在解冻到一半时，为防止某部分煮熟，可先暂停一会儿，而后再继续解冻;③一次解冻的食品不宜太多，也不宜太厚，肉类食品的厚度最好不超过3厘米，其它食品的厚度不超过5至7厘米。3、忌用光波炉加热密封的罐装、袋装食品，这容易造成密封品爆炸破裂，但特殊标明的微波食品除外。如果为防止水分蒸发，在装食物的容器上加上保鲜膜，应刺上一些小孔。4、忌用光波炉油炸食品。油炸食品一般要求缓缓加热进行，而光波和微波加热速度都很快，容易发生危险。以上就是小编为大家介绍的光波炉原理的相关知识，希望能为您的装修带去参考。