三极管，MOS管如何工作的问题

MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)线性稳压器是一种电路，用于将输入电压稳定地调整为所需的输出电压。线性稳压器工作原理基于非线性特性，使用一个可变电阻来控制输出电压。输入电压变化时，可变电阻会自动调整以维持稳定的输出电压。MOS线性稳压器主要由三部分组成：一个MOSFET晶体管，一个电阻和一个运放。MOSFET晶体管作为可变电阻，它的电流控制特性提供了调整电阻的能力。电阻和运放用来组成环路，使得MOSFET晶体管能正确地工作。运放用来放大输入电压的微小变化，以便更精确地控制MOSFET的电流。MOS线性稳压器的优点在于其高效率和低成本。由于MOSFET晶体管具有很高的阻抗，因此它需要非常小的电流来控制电压。这意味着线性稳压器可以在很低的电流下工作，从而降低了散热量和功率损耗。MOS线性稳压器的缺点在于其稳定性较差。当MOSFET晶体管的温度发生变化时，其电阻会发生变化，导致输出电压的变化。另外，在高频下，MOSFET晶体管的电磁干扰和噪声会影响线性稳压器的性能。MOS线性稳压器的应用范围较广，如在电源电路、数字电路、模拟电路、通信电路中都有广泛使用。而且由于MOS线性稳压器的低成本，其在消费类电子产品中的应用也非常广泛另外需要注意的是，在设计MOS线性稳压器时，还需要考虑其其他因素，如噪声、纹波和线性度等。噪声：MOS线性稳压器的噪声是由MOSFET晶体管中的1/f噪声和运放中的噪声共同产生的，在高噪声环境下会影响输出电压的稳定性。纹波：纹波是指输出电压中的微小波动，通常是由于电路中电容和电感的影响导致的。线性度：线性度指的是输出电压对输入电压的变化率的精确度。为了解决这些问题，通常使用一些技术和方法来提高MOS线性稳压器的性能，如使用低噪声运放、使用滤波电路来减小纹波、使用负反馈来提高线性度等.

固态继电器(SSR)是一种电子设备，它可以在接受到控制信号时通过晶体管来控制负载的电流。基于MOSFET的固态继电器使用一个MOSFET来控制负载电流。当控制信号为高电平时，MOSFET导通，允许电流流入负载；当控制信号为低电平时，MOSFET断开，阻止电流流入负载。

力MOS场效应晶体管 电力MOS场效应管 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一种单极型的电压控制全控型器件。 特点——用栅极电压来控制漏极电流 输入阻抗高 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 电力MOSFET的种类 按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 电力MOSFET主要是N沟道增强型。 电力MOSFET的结构 小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS） 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 电力MOSFET的基本特性 (1)静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。 (2)MOSFET的漏极伏安特性（即输出特性）： 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应GTR的饱和区） 工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时导通。 通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 (3)动态特性 开通过程 开通延迟时间td(on) 上升时间tr 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和 关断过程 关断延迟时间td(off) 下降时间tf 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和 MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 电力MOSFET的主要参数 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有： (1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额 (2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额 (3)栅源电压UGS—— UGS86>20V将导致绝缘层击穿 。 (4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS 另一种介绍说明： 场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、结构与分类 图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区（用P 表示），形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。在形成PN结过程中，由于P 区是重掺杂区，所以N一区侧的空间电荷层宽度远大 二、工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。 1．栅源电压UGS对导电沟道的影响（设UDS＝0） 在图Z0123所示电路中，UGS ＜0，两个PN结处于反向偏置，耗尽层有一定宽度，ID=0。若|UGS| 增大，耗尽层变宽，沟道被压缩，截面积减小，沟道电阻增大；若|UGS| 减小，耗尽层变窄，沟道变宽，电阻减小。这表明UGS控制着漏源之间的导电沟道。当UGS负值增加到某一数值VP时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（VP称为夹断电压）此时，漏源之间的电阻趋于无穷大。管子处于截止状态，ID＝0。 2．漏源电压UGS对漏极电流ID的影响（设UGS＝0） 当UGS＝0时，显然ID＝0；当UDS＞0且尚小对，P N结因加反向电压，使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位，使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在UDS较小时，沟道呈现一定电阻，ID随UDS成线性规律变化（如图Z0124曲线OA段）；若UGS再继续增大，耗尽层也随之增宽，导电沟道相应变窄，尤其是近漏端更加明显。 由于沟道电阻的增大，ID增长变慢了（如图曲线AB段），当UDS增大到等于|VP|时，沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为漏源两极间的场强已足够大，完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS （这种情况如曲线B点）：当UDS＞|VP|再增加时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分，形成夹断区 。 由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多，所以比|VP|大的那部分电压基本上降在夹断区上，使夹断区形成很强的电场，它完全可以把沟道中向漏极漂移的电子拉向漏极，形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的电子也基本保持不变，管子呈恒流特性（如曲线BC段）。但是，如果再增加UDS达到BUDS时（BUDS称为击穿电压）进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能，这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使ID急剧增加而出现击穿现象（如曲线CD段）。 由此可见，结型场效应管的漏极电流ID受UGS和UDS的双重控制。这种电压的控制作用，是场效应管具有放大作用的基础。 三、特性曲线 1．输出特性曲线 输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时，漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线，如图Z0124所示。由图可知，各条曲线有共同的变化规律。UGS越负，曲线越向下移动）这是因为对于相同的UDS，UGS越负，耗尽层越宽，导电沟道越窄，ID越小。 由图还可看出，输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。 ◆可变电阻区：预夹断以前的区域。其特点是，当0＜UDS＜|VP|时，ID几乎与UDS呈线性关系增长，UGS愈负，曲线上升斜率愈小。在此区域内，场效应管等效为一个受UGS控制的可变电阻。 ◆恒流区：图中两条虚线之间的部分。其特点是，当UDS＞|VP|时，ID几乎不随UDS变化，保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制，两者变量之间近乎成线性关系，所以该区域又称线性放大区。 ◆击穿区：右侧虚线以右之区域。此区域内UDS＞BUDS，管子被击穿，ID随UDS的增加而急剧增加。 2．转移特性曲线 当UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。实验表明，当UDS＞|VP|后，即恒流区内，ID 受UDS影响甚小，所以转移特性通常只画一条。在工程计算中，与恒流区相对应的转移特性可以近似地用下式表示：Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp) 式GS0127中VP≤UGS≤0，IDSS是UGS＝0时的漏极饱和电流。

气体传感器的原理及发展方向http://news.zfa.cn/indexpage/zzym/zzym.jsp?id=10141&name=dzdjt

IRF640是一种N-MOSFET（N型场效应管），它具有较高的电流增益和较低的漏电流。它的工作原理是，当在源极和漏极之间施加一个正向电压时，在源极和漏极之间就会形成一个电场，这个电场会使漏极的电子流动，从而使漏极的电流增加，从而使源极的电流减少。

是一个MOS管，就是金属氧化物半导体绝缘栅型场效应管，K1271是N沟道的MOS管，全名2SK1271，NEC公司生产，耐压1400V，可过5-10A电流最大功率240W。 MOS管与双极型晶体管区别（百度百科，MOS管）：双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。 　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。

前面的回答是对的，图中是有问题。要不然没有意义。 pmos就是相当于开关，当栅极接低电平时，它的漏极和源极就连通了，相当于开关闭合。在你的电路中源极接的是3.3V，漏极接的是D+，即当U1CONNECT给一个低电平时，开关闭合，D+的引脚就接通了3.3V。当U1CONNECT给一个高电平时，开关断开，D+的电压就只看U1D+的值了。就这样了。

我觉得应该是以下两个原因：1.目前电力mosfet大多采用了垂直导电结构，增大了通过电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。2.电力mosfet多了个低掺杂n区，该区由于掺杂浓度低，使得其接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，因此能承受高电压。

（1）MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。（2）MOSFET对于静电放电（ESD）的抵抗能力较差，因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。（3）JFET一般是耗尽型的器件，而MOSFET可以有增强型器件。因此，在使用时，JFET的栅极只能外加反向电压，对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型，则输入电压信号较大时也能够正常工作。 （4）JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。2.功率MOSFET的结构和工作原理　　　　功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。2.1功率MOSFET的结构　　　　功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。　　　　按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。　　　　功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。2.2功率MOSFET的工作原理　　　　截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。　　　　导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面　　当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。2.3功率MOSFET的基本特性2.3.1静态特性；其转移特性和输出特性如图2所示。　　漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs　　　　MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。2.3.2动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。　　　　开通过程；开通延迟时间td(on) —up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；　　　　上升时间tr— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。　　　　开通时间ton—开通延迟时间与上升时间之和。　　　　关断延迟时间td(off) —up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小为零的时间段。　　　　下降时间tf— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGS晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来的大电容，所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。　　功率MOSFET的情况有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒（而不是每微秒）的能力来估量。但尽管如此，它也存在动态性能的限制。这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解。　　　　图4是功率MOSFET的结构和其相应的等效电路。除了器件的几乎每一部分存在电容以外，还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管。（就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样）。这几个方面，是研究MOSFET动态特性很重要的因素。　　首先MOSFET结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。当反向di/dt很大时，二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺，它有可能进入雪崩区，一旦超越其雪崩能力就有可能将器件损坏。作为任一种PN结二极管来说，仔细研究其动态特性是相当复杂的。它们和我们一般理解PN结正向时导通反向时阻断的简单概念很不相同。当电流迅速下降时，二极管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET的复杂性。 　　　　功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时，寄生的双极性晶闸管才开始发难。然而在严峻的动态条件下，因dv/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。此时这个寄生的双极性晶体管就会起动，有可能给MOSFET带来损坏。所以考虑瞬态性能时对功率MOSFET器件内部的各个电容（它是dv/dt的通道）都必须予以注意。 　　　　瞬态情况是和线路情况密切相关的，这方面在应用中应给予足够重视。对器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相应的问题。3.高压MOSFET原理与性能分析　　在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以2.4-2.6次方增长，其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流，以折中额定电流、导通电阻和成本之间的矛盾。即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导通损耗占MOSFET总损耗的2/3-4/5，使应用受到极大限制。 3.1降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法 　　　　3.1.1 不同耐压的MOSFET的导通电阻分布。不同耐压的MOSFET，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOSFET，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOSFET的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。由此可以推断耐压800V的MOSFET的导通电阻将几乎被外延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOSFET结构所导致的高导通电阻的根本原因。 　　　　3.1.2 降低高压MOSFET导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流子导电虽能降低导通压降，但付出的代价是开关速度的降低并出现拖尾电流，开关损耗增加，失去了MOSFET的高速的优点。 　　　　以上两种办法不能降低高压MOSFET的导通电阻，所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOSFET关断时，设法使这个通道以某种方式夹断，使整个器件耐压仅取决于低掺杂的N-外延层。基于这种思想，1988年INFINEON推出内建横向电场耐压为600V的COOLMOS，使这一想法得以实现。内建横向电场的高压MOSFET的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图5所示。　　与常规MOSFET结构不同，内建横向电场的MOSFET嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOSFET关断时，垂直的P与N之间建立横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。 　　　　当VGS＜VTH时，由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成，并且D，S间加正电压，使MOSFET内部PN结反偏形成耗尽层，并将垂直导电的N区耗尽。这个耗尽层具有纵向高阻断电压，如图5（b）所示，这时器件的耐压取决于P与N-的耐压。因此N-的低掺杂、高电阻率是必需的。 　　　　当CGS＞VTH时，被电场反型而产生的N型导电沟道形成。源极区的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOSFET将明显降低。 　　　　通过以上分析可以看到：阻断电压与导通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与导通电阻功能分开，解决了阻断电压与导通电阻的矛盾，同时也将阻断时的表面PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。 　　3.2内建横向电场MOSFET的主要特性 　　　　3.2.1 导通电阻的降低。INFINEON的内建横向电场的MOSFET，耐压600V和800V，与常规MOSFET器件相比，相同的管芯面积，导通电阻分别下降到常规MOSFET的1/5， 1/10；相同的额定电流，导通电阻分别下降到1/2和约1/3。在额定结温、额定电流条件下，导通电压分别从12.6V，19.1V下降到6.07V，7.5V；导通损耗下降到常规MOSFET的1/2和1/3。由于导通损耗的降低，发热减少，器件相对较凉，故称COOLMOS。 　　　　3.2.2 封装的减小和热阻的降低。相同额定电流的COOLMOS的管芯较常规MOSFET减小到1/3和1/4，使封装减小两个管壳规格，如表1所示。　　表1封装与电流、电压额定值　　由于COOLMOS管芯厚度仅为常规MOSFET的1/3，使TO-220封装RTHJC从常规1℃/W降到0.6℃/W；额定功率从125W上升到208W，使管芯散热能力提高。 　　　　3.2.3 开关特性的改善。COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET，很明显，由于QG，特别是QGD的减少，使COOLMOS的开关时间约为常规MOSFET的1/2；开关损耗降低约50%。关断时间的下降也与COOLMOS内部低栅极电阻(＜1Ω＝有关。 　　　　3.2.4 抗雪崩击穿能力与SCSOA。目前，新型的MOSFET无一例外地具有抗雪崩击穿能力。COOLMOS同样具有抗雪崩能力。在相同额定电流下，COOLMOS的IAS与ID25℃相同。但由于管芯面积的减小，IAS小于常规MOSFET，而具有相同管芯面积时，IAS和EAS则均大于常规MOSFET。 　　　　COOLMOS的最大特点之一就是它具有短路安全工作区（SCSOA），而常规MOS不具备这个特性。COOLMOS的SCSOA的获得主要是由于转移特性的变化和管芯热阻降低。COOLMOS的转移特性如图6所示。从图6可以看到，当VGS＞8V时，COOLMOS的漏极电流不再增加，呈恒流状态。特别是在结温升高时，恒流值下降，在最高结温时，约为ID25℃的2倍，即正常工作电流的3-3.5倍。在短路状态下，漏极电流不会因栅极的15V驱动电压而上升到不可容忍的十几倍的ID25℃，使COOLMOS在短路时所耗散的功率限制在350V×2ID25℃，尽可能地减少短路时管芯发热。管芯热阻降低可使管芯产生的热量迅速地散发到管壳，抑制了管芯温度的上升速度。因此，COOLMOS可在正常栅极电压驱动，在0.6VDSS电源电压下承受10ΜS短路冲击，时间间隔大于1S，1000次不损坏，使COOLMOS可像IGBT一样，在短路时得到有效的保护。 3.3关于内建横向电场高压MOSFET发展现状 　　　　继INFINEON1988年推出COOLMOS后，2000年初ST推出500V类似于COOLMOS的内部结构，使500V，12A的MOSFET可封装在TO-220管壳内，导通电阻为0.35Ω，低于IRFP450的0.4Ω，电流额定值与IRFP450相近。IXYS也有使用COOLMOS技术的MOSFET。IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封装的超级MOSFET，额定电流分别为35A，59A，导通电阻分别为0.082Ω，0.045Ω，150℃时导通压降约4.7V。从综合指标看，这些MOSFET均优于常规MOSFET，并不是因为随管芯面积增加，导通电阻就成比例地下降，因此，可以认为，以上的MOSFET一定存在类似横向电场的特殊结构，可以看到，设法降低高压MOSFET的导通压降已经成为现实，并且必将推动高压MOSFET的应用。 　　3.4 COOLMOS与IGBT的比较 　　　　600V、800V耐压的COOLMOS的高温导通压降分别约6V，7.5V，关断损耗降低1/2，总损耗降低1/2以上，使总损耗为常规MOSFET的40%-50%。常规600V耐压MOSFET导通损耗占总损耗约75%，对应相同总损耗超高速IGBT的平衡点达160KHZ，其中开关损耗占约75%。由于COOLMOS的总损耗降到常规MOSFET的40%-50%，对应的IGBT损耗平衡频率将由160KHZ降到约40KHZ，增加了MOSFET在高压中的应用。 　　　　从以上讨论可见，新型高压MOSFET使长期困扰高压MOSFET的导通压降高的问题得到解决；可简化整机设计，如散热器件体积可减少到原40%左右；驱动电路、缓冲电路简化；具备抗雪崩击穿能力和抗短路能力；简化保护电路并使整机可靠性得以提高。4.功率MOSFET驱动电路 　　　　功率MOSFET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大，输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为： 　　　　功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络，它的工作速度与驱动源内阻抗有关。由于 CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS，开关管的开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。　　开关管关断过程中，CISS通过ROFF放电，COSS由RL充电，COSS较大，VDS（T）上升较慢，随着VDS(T)上升较慢，随着VDS（T）的升高COSS迅速减小至接近于零时，VDS（T）再迅速上升。 　　　　根据以上对功率MOSFET特性的分析，其驱动通常要求：触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度；②开通时以低电阻力栅极电容充电，关断时为栅极提供低电阻放电回路，以提高功率MOSFET的开关速度；③为了使功率MOSFET可靠触发导通，触发脉冲电压应高于管子的开启电压，为了防止误导通，在其截止时应提供负的栅源电压；④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流，功率管极间电容越大，所需电流越大，即带负载能力越大。4.1几种MOSFET驱动电路介绍及分析　　4.1.1不隔离的互补驱动电路。图7（a）为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低。适用于不要求隔离的小功率开关设备。图7（b）所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特点是结构简单。　　功率MOSFET属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。由于MOSFET存在结电容，关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小，关断速度较快，但它不能提供负压，故抗干扰性较差。为了提高电路的抗干扰性，可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路，产生一个负压，电路原理图如图8所示。　　当V1导通时，V2关断，两个MOSFET中的上管的栅、源极放电，下管的栅、源极充电，即上管关断，下管导通，则被驱动的功率管关断；反之V1关断时，V2导通，上管导通，下管关断，使驱动的管子导通。因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路充放电，包含有V2的回路，由于V2会不断退出饱和直至关断，所以对于S1而言导通比关断要慢，对于S2而言导通比关断要快，所以两管发热程度也不完全一样，S1比S2发热严重。　　该驱动电路的缺点是需要双电源，且由于R的取值不能过大，否则会使V1深度饱和，影响关断速度，所以R上会有一定的损耗。　　4.1.2隔离的驱动电路　　（1）正激式驱动电路。电路原理如图9（a）所示，N3为去磁绕组，S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小，且从速度方面考虑，一般R2较小，故在分析中忽略不计。　　其等效电路图如图9（b）所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1，它做为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可知，占空比D越小、R1越大、L越大，磁化电流越小，U1值越小，关断速度越慢。该电路具有以下优点：　　①电路结构简单可靠，实现了隔离驱动。　　②只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。　　③占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。　　该电路存在的缺点：一是由于隔离变压器副边需要噎嗝假负载防振荡，故电路损耗较大；二是当占空比变化时关断速度变化较大。脉宽较窄时，由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。　　（2）有隔离变压器的互补驱动电路。如图10所示，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。　　导通时隔离变压器上的电压为（1-D）Ui、关断时为D Ui，若主功率管S可靠导通电压为12V，而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/[（1-D）Ui]。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。该电路具有以下优点：　　①电路结构简单可靠，具有电气隔离作用。当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。　　②该电路只需一个电源，即为单电源工作。隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，且有较高的抗干扰能力。　　但该电路存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。当D较小时，负向电压小，该电路的抗干扰性变差，且正向电压较高，应该注意使其幅值不超过MOSFET栅极的允许电压。当D大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压，此时应该注意使其负电压值不超过MOAFET栅极允许电压。所以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合。　　（3）集成芯片UC3724/3725构成的驱动电路　　电路构成如图11所示。其中UC3724用来产生高频载波信号，载波频率由电容CT和电阻RT决定。一般载波频率小于600kHz，4脚和6脚两端产生高频调制波，经高频小磁环变压器隔离后送到UC3725芯片7、8两脚经UC3725进行调制后得到驱动信号，UC3725内部有一肖特基整流桥同时将7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。一般来说载波频率越高驱动延时越小，但太高抗干扰变差；隔离变压器磁化电感越大磁化电流越小，UC3724发热越少，但太大使匝数增多导致寄生参数影响变大，同样会使抗干扰能力降低。根据实验数据得出：对于开关频率小于100kHz的信号一般取（400～500）kHz载波频率较好，变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯，其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路仅适合于信号频率小于100kHz的场合，因信号频率相对载波频率太高的话，相对延时太多，且所需驱动功率增大，UC3724和UC3725芯片发热温升较高，故100kHz以上开关频率仅对较小极电容的MOSFET才可以。对于1kVA左右开关频率小于100kHz的场合，它是一种良好的驱动电路。该电路具有以下特点：单电源工作，控制信号与驱动实现隔离，结构简单尺寸较小，尤其适用于占空比变化不确定或信号频率也变化的场合。

这个就是NMOS管，内部D极与S极有反向保护二极管。当G极电压大于S极是，管子导通；反之，闭合。你分析这个管子的时候就当普通的NMOS管去分析就好了。

逻辑板也叫屏驱动板,中心控制板,TCON板。通过处理移位寄存器存储将图像数据信号,时钟信号转换成屏能够识别的控制信号,行列信号RSDS控制屏内的MOSFET管工作而控制液晶分子的扭曲度。

与一般双极性晶体管的二次击穿不同，MOSFET雪崩击穿过程主要是由于寄生晶体管被激活造成的。MOSFET由于工作在高频状态下，其热应力、电应力环境都比较恶劣，一般认为如果外部电气条件达到寄生三极管的导通门槛值，则会引起MOSFET故障。在实际应用中，必须综合考虑MOSFET的工作条件以及范围，合理地选择相应的器件以达到性能与成本的最佳优化。

AAT4610A是美国先进模拟科技公司（AATI）于2005年新推出的一种过电流保护电路，适配带USB接口的各种计算机外设及便携式系统。其同类产品还有美国Vishay公司生产的SiP4610A。AAT4610A的内部电路主要包括欠电压闭锁电路、过热保护电路、比较放大器、P沟道MOSFET（带续流二极管）、1.2V基准电压源和限流保护电路。当欠压锁定阈值电压为1.8V时，将P沟道MOSFET关断；当电压恢复正常时自动使P沟道MOSFET导通。AAT4610A的应用非常简单，只需串联在需要限流保护的电路中即可，需要控制的电流从IN端流入，从OUT端流出。C1、C2分别为输入端、输出端的滤波电容，宜采用陶瓷电容。RSET为极限电流设定电阻，其电阻值取决于所需极限电流ILIMIT，设定范围是130mA～1A。在决定RSET的阻值时，必须考虑ILIMIT的变化。造成ILIMIT变化的原因有以下3种因素。（1）从输入端到输出端的电压变化，这是由于P沟道功率MOSFET的压降而造成的；（2）极限电流随温度而变化；（3）极限电流还受输出电流的影响。

1、r22太大，一般取几十欧姆；2、驱动Q6的电荷是通过+12V到D8到CC5再到负载，对CC5充电得的。所以需要在Q6关断的时候对CC5进行充电，负载阻抗太大，充电时间常数太大，或者负载在Q6关断后电势仍然高于12V，无法充电。3、SD是内部上拉到5V的，必须外部给个逻辑低电平。

书号：48488ISBN：978-7-111-48488-2作者：王廷才印次：　责编：　开本：16字数：362千字定价：32.0所属丛书：普通高等教育“十一五”国家级规划教材 高等职业技术教育机电类规划教材 机械工业出版社精品教材装订：平出版日期：2015-02-26　　　　 前言　　第1章 变频器的认识　　1.1 变频器概述　　1.1.1 变频器的发展　　1.1.2 变频器的分类　　1.1.3 变频器的应用　　1.2 异步电动机变频调速原理　　1.2.1 异步电动机变频调速机理　　1.2.2 三相异步电动机的机械特性　　1.2.3 三相异步电动机的变频起动　　1.2.4 三相异步电动机的变频制动　　1.3 变频器的结构与主要技术参数　　1.3.1 变频器的外形　　1.3.2 变频器的基本原理结构　　1.3.3 变频器的铭牌　　1.3.4 主要技术参数　　本章小结　　习题1　　第2章 变频器常用电力电子器件　　2.1 功率二极管　　2.1.1 功率二极管的结构与伏安特性　　2.1.2 功率二极管的主要参数　　2.1.3 功率二极管的选用　　2.1.4 功率二极管的分类　　2.2 晶闸管　　2.2.1 晶闸管的结构　　2.2.2 晶闸管的导通和阻断控制　　2.2.3 晶闸管的阳极伏安特性　　2.2.4 晶闸管的参数　　2.2.5 晶闸管的门极伏安特性及主要参数　　2.2.6 晶闸管触发电路　　2.2.7 晶闸管的保护　　2.3 门极可关断（GTO）晶闸管　　2.3.1 CTO晶闸管的结构与工作原理　　2.3.2 GTO晶闸管的特性与主要参数　　2.3.3 GTO晶闸管的门极控制　　2.3.4 GTO晶闸管的缓冲电路　　2.4 电力晶体管（GTR）　　2.4.1 GTR的结构　　2.4.2 GTR的参数　　2.4.3 二次击穿现象　　2.4.4 CTR的驱动电路　　2.4.5 GTR的缓冲电路　　2.5 功率MOS场效应晶体管（P-MOSFET）　　2.5.1 P-MOSFET的结构　　2.5.2 P-MOSFET的工作原理　　2.5.3 P-MOSFET的特性　　2.5.4 P-MOSFET的主要参数　　2.5.5 P-MOSFET的栅极驱动　　2.5.6 P-MOSFET的保护　　2.6 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）　　2.6.1 IGBT的结构与基本工作原理　　2.6.2 IGBT的基本特性　　2.6.3 IGBT的主要参数　　2.6.4 IGBT的驱动电路　　2.7 集成门极换流晶闸管（ICCT）　　2.7.1 IGCT的结构与工作原理　　2.7.2 IGCT的特点　　2.7.3 ICCT变频器　　2.8 智能功率模块（IPM）　　2.8.1 IPM的结构　　2.8.2 IPM的主要特点　　2.8.3 IPM选择的注意事项　　本章小结　　习题2　　第3章 交-直-交变频技术　　第4章 交-交变频技术　　第5章 高（中）压变频器　　第6章 变频器的接线端子与功能参数　　第7章 变频器的控制方式　　第8章 变频调速系统的选择与操作　　第9章 变频器的安装与维护　　第10章 变频器应用实例　　第11章 变频器技术实训　　附录　　参考文献

有源功率因数校正PFC电路主要有升压型、降压型、升压－－降压型和回扫型等基本电路形式，其中升压型有源PFC电路在一定输出功率下可减小输出电流，减小输出滤波电容的容值和体积，故在电子镇流器中广泛应用。升压型有源PFC电路在控制方法上，有电感电流断续传导模式和峰值电流控制模式。其电路原理图如图2所示。电路工作原理如下：Q1导通时，D5截止，电容C1向负载放电；Q1截止，电感L1储能经D5对电容C1充电。由于Q1和D5交替导通，使整流器输出电流经电感L1连续。这样输入电流也连续。图中，R1取样输入电压，保证通过电感L1的电流跟随输入电压按正弦规律变化，通过L1的高频电流包络正比于输入电压，其平均电流呈正弦波形，使输入电流呈正弦波；R2取样输出电压，控制APFC控制器的输出占空比，稳定输出电压。 目前，APFC专用芯片很多，在电子镇流器中应用广泛，具体电路不做详细介绍，可参阅参考文献。4 利用自振荡半桥PWM驱动器设计的APFC电路 在某些自振荡半桥PWM驱动器电路中，可以利用PWM驱动器输出固定频率的脉冲来作APFC控制，这里介绍两种典型电路。4．1利用自振荡输出波形控制的APFC电路 电路原理图如图3所示。升压电感L1、二极管D5、电容C2和开关管Q3等组成APFC电路。由于PWM驱动器U1输出脉冲的频率和占空比都是固定的，Q3导通时，D5截止，C2向负载放电；Q3截止时，电感L1产生的突变电势使D5正向偏置而导通，电感L1通过D5向C2和负载释放储能，此时整流二极管电流经电感L1连续，使输入电流波形连续，呈正弦波形，可将线路功率因数提高到0．95以上，使输入电流总谐波失真度（THD）降低到10％以下。4．2 利用自振荡PWM驱动器的定时电路图3利用自振荡PWM驱动器输出波形控制的APFC原理电路图图4利用自振荡PWM驱动器的定时器设计的APFC原理电路图和波形图设计的APFC电路自振荡半桥PWM驱动器的振荡器是一个类似555的定时振荡器，CT端为锯齿波，可以用一电路产生同频、占空比可调的APFC电路。其原理电路如图4所示。 自振荡PWM驱动器的CT端波形为锯齿波，送到比较器U2的正端；将直流输出电压分压送到比较器U2的负端。当C点的电压小于D点时，E点为高电平，Q4导通；当B点为高电平时，F点为高电平，Q3导通，电感L1储能，电容C2向后级供电。当C点电压高于D点时，E点为低点平，不论F点电平状态，Q4截止，Q3截止，电感L1经D5向C2和后级释放储能。这样二极管电流经电感L1连续，各点相关波形如图4（B）所示。 从波形上可以看出F点波形脉冲宽度小于A或B，而且可调，但小于50％；通过调整R1、R2的分压比，可调整输出电压和输出功率，构成可调输出电路，这在开关电源和电子镇流器中有较广泛的应用。5 利用TOPSwitch开关构成的APFC电路 TOPSwitch是一种离线式PWM开关，其内部集PWM控制器和MOSFET开关管为一体。由其构成的APFC电路如图5所示。在图5中，控制器U1、电感L1、二极管D5、D6和电容C1构成APFC电路，当控制器U1的C端（控制端）达到设定电压时，U1被启动。电阻R1取样输入瞬时电压，电阻R2取样输出电压，U1的控制端输入电流影响输出占空比，其占空比与输入电流成反比，随输入电压线性变化。通过U1的调整，输入平均电流呈正弦波形，且与输入电压保持同相位，是一种固定频率电流断续模式的APFC电路。可将线路功率因数提高到0．98左右。 此外，还可利用紧凑型自振荡半桥PWM驱动器（如IR51HXX系列）构成类似图4和图5的APFC电路。紧凑型自振荡半桥PWM驱动器是集紧凑型自振荡PWM电路和两只MOSFET管于一身，具有电路简单、紧凑的特点，只适合于节能灯和小型开关电源电路。6 结束语 有源功率因数校正技术应用在高压钠灯电子镇流器上，使其输入侧的功率因数提高到0．99以上，将总谐波失真度降低到10％以下，反馈到电网的谐波大为减少，起到了节约能源、降低消耗和减少电网污染的作用。

LNK304在一个IC上面集成了一个700V的功率MOSFET、振荡器、简单的开/关控制电路、高压开关电流源、频率调制、逐周期的电流限制及过温保护。中文名LNK304属性集成电路器件作用替代输出电流小的特定电源用途家用电器及计时器原理作用用例TA说原理IC就是集成电路器件。就是在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。器件在启动及工作期间的功率消耗直接由漏极引脚的电压来提供，因此，在BUCK及反激式控制器中可节省偏置供电的相关电路。作用用来替代输出电流小于360mA的所有线性及电容降压式非隔离电源。其系统成本与所替代的电源相等，但性能更好、效率更高。

这哩，∕ ↓↓↓看这 .V：y x 0 5 2 4 0 0 2 4...每天都更新，最低佰部以上，各种 类型的都有。..丹顶鹤（学名：Grus japonensis）：是鹤类中的一种，大型涉禽，体长120-160厘米。颈、脚较长，通体大多白色，头顶鲜红色，喉和颈黑色，耳至头枕白色，脚黑色，站立时颈、尾部飞羽和脚黑色，头顶红色，其余全为白色；飞翔时仅次级和三级飞羽以及颈、脚黑色，其余全白色，特征极明显，极易识别。幼鸟头、颈棕褐色，体羽白色而缀栗色。常成对或成家族群和小群活动。迁徙季节和冬季，常由数个或数十个家族群结成较大的群体。有时集群多达40-50只，甚至100多只。但活动时仍在一定区域内分散成小群或家族群活动。夜间多栖息于四周环水的浅滩上或苇塘边，主要以鱼、虾、水生昆虫、软体动物、蝌蚪、沙蚕、蛤蜊、钉螺以及水生植物的茎、叶、块根、球茎和果实为食。分布于中国东北，蒙古东部，俄罗斯乌苏里江东岸，朝鲜，韩国和日本北海道。

1、船锚作业原理：锚爪是锚抓入泥土中最为重要的部分，当船舶抛锚之后，锚在锚链的牵引下沉至水底。在水底由于锚杆的作用锚腕所在平面会垂直于水底，此时锚爪就会与水底接触，船舶的锚链长度往往大于水深，因此在水底部分的锚链处于平躺状态。 2、当船舶收到扰动的时候（如顶浪）锚链就会被拉动，处于水底的锚在锚链连接处会受到一个水平力的作用，同时船锚自身的重力作用于锚爪与水底的接触点，两力合成使得锚向斜下方运动，这就是锚入土的过程，锚拉入水底之后便可以为船舶提供停泊的能力。 3、船锚对于船相当于汽车中的手刹车，是确保船舶安全的一种不可缺少的设备，船锚的作用主要就是固定稳定船的，最好是在水里面钩住固定的东西，船在水中停住的另外一个因素就是锚链，锚链的自重也是固定船的重要因素。

找到文件 删除 能后整理碎片 就好了

wanna =want to 想要做.仅用于口语,后面接动词原形.例句与用法:1.You wanna cigarette?你想要支香烟吗?2.I wanna hold your hand.我想握住你的手.3.Oh,if Tony were going,I wanna go to camp,too!哦!假使Tony要去训...

<<shabu shab>>

1、光波炉的加热原理是利用光波而不是微波,光波加热相对于微波有更多不同的特性.光波炉实际上是利用一种灯发热,再利用高效能的反射盘把发出的热能集中传递到一个能耐高温的玻璃面板上。 2、通过这个玻璃面板，高速将热量传递到满载食物的需要加热容器内。 3、光波炉利用的这种发热等实际是上一种依靠远红外线卤素灯管（HalogenLight）发热，因此，光波炉有可以叫做远红外线卤素炉。通过这种卤素灯管发热后，再利用高效能的反射集中热量，就像凸透镜一样将热能集中起来，最后将这种高温通过耐高温的微晶玻璃面板传热。用户就就可以将摆放食物的器皿放在这种面板上加热了。 4、这种传热的热效率约89%-93%左右，与高热传递的电磁炉热效率差不多，同样能达到快速加热食物的目的。正是由于这种加热方法，只要是耐高温的器皿就可以用于这种加热，并没有特别的限制。由于不是采用电磁场引起的发热，也就没有电磁炉产生的电池辐射大了，所有用户都可以安心使用。食物的加热也不会像微波炉一样把食物水分蒸发掉。光波炉是无火煮食中比较安全又环保健康的煮食用具。

船舶借助锚对水底的抓力、锚链与水底的阻力和锚链的重力来对抗风、流等外力作用，保持定位。不是任何地方都可以抛锚的，最佳的底质是沙石底，泥底其次，礁石底质就很难抛锚，可能难以差生抓力，也可能被岩石卡住难以起锚。水深太大，比如在大洋上，三、四千米的水深，也不能抛锚。船锚的条件和操作：抛锚时，不能用太快的速度，要慢慢将锚放下，速度过快会导致锚及锚链的难以刹住，可能损坏锚机，甚至可能产生其它严重后果。船会继续放下一定长度的锚链，使大部分锚链都平铺在海底。这时向后动车，将锚链向后微微拖动，锚爪D在锚身重力和锚链拉力的共同作用下，就插入沙石中。此时，船舶会稍微收回一些锚链。一般而言，放出的锚链长度应该是水深的3-5倍。锚链过长，则增大的船舶的回旋范围，易于与其它抛锚船只碰撞。锚链过短，则易于向上牵动锚身，使锚松动，失去抓地效果。在锚抓抓地后，相当于打了一个地桩，而锚链在放下后，基本上只有与底质水平的拉力，在这个角度上，锚的抓力是最大的。在起锚时，船舶向前动车，同时慢慢收回锚链，在离锚较近处，拉直锚链，此时锚杆的A点在锚链的拉力下将抬起，锚将以锚冠B为轴，利用杠杆的原理将锚爪D从底质中起出，然后船舶继续收回锚链，直至将锚拉出水面。

lala love on my mind

不同的燃气表的查询方式可能有些区别，示范中指的是下图中的燃气表。在没有插入IC卡时，燃气表上的液晶屏上是没有任何显示的，所以也就看不到剩余的燃气量。2/6

光波炉的加热原理是利用光波而不是微波，光波加热相对于微波有更多不同的特性.光波炉实际上是利用一种灯发热，再利用高效能的反射盘把发出的热能集中传递到一个能耐高温的玻璃面板上。通过这个玻璃面板，高速将热量传递到满载食物的需要加热容器内。 光波炉利用的这种发热等实际是上一种依靠远红外线卤素灯管（Halogen Light）发热，因此，光波炉有可以叫做远红外线卤素炉。通过这种卤素灯管发热后，再利用高效能的反射集中热量，就像凸透镜一样将热能集中起来，最后将这种高温通过耐高温的微晶玻璃面板传热。用户就就可以将摆放食物的器皿放在这种面板上加热了。 这种传热的热效率约89%-93%左右，与高热传递的电磁炉热效率差不多，同样能达到快速加热食物的目的。正是由于这种加热方法，只要是耐高温的器皿就可以用于这种加热，并没有特别的限制。由于不是采用电磁场引起的发热，也就没有电磁炉产生的电池辐射大了，所有用户都可以安心使用。食物的加热也不会像微波炉一样把食物水分蒸发掉。光波炉是无火煮食中比较安全又环保健康的煮食用具。

船锚的原理：船锚从上到下结构分别是锚卸扣，螺栓，锚杆，锚柄，锚腕，两边的对称部分则称作锚爪。锚爪是锚抓入泥土中最为重要的部分，当船舶抛锚之后，锚在锚链的牵引下沉至水底。在水底，由于锚杆的作用锚腕所在平面会垂直于水底，此时锚爪就会与水底接触。船舶的锚链长度往往大于水深，因此在水底部分的锚链处于平躺状态。当船舶收到扰动的时候，如顶浪时，锚链就会被拉动，处于水底的锚在锚链连接处会受到一个水平力的作用，同时船锚自身的重力作用于锚爪与水底的接触点，两力合成使得锚向斜下方运动，这就是锚入土的过程。锚拉入水底之后便可以为船舶提供停泊的能力，需要注意的是这种能力不仅仅是一个锚就能完成的，还有很长的锚链也起到了重要的作用。扩展资料：船锚的作用：1、锚要起作用，最基本的条件是在海底等钩住东西。如果锚链不够长，锚不会起作用。如果海底是平坦的，或者是锚钩住的东西不是固定的，或者是钩的不太牢，如果是风平浪静还可以，一但海浪过大，造成锚钩不住东西，会使锚失去其作用，这叫“走锚”，船在抛锚期间，出现走锚，是非常危险的。2、锚链的重量对于船来说是可以忽略不计的，那点，不会起多大作用的。一般来说，抛锚时的船，锚链都是笔直的，你认为这个时候锚链会有什么摩擦力吗? 如果你在海边，会发现有很多的小渔船，锚链是粗绳子。3、在船上面看，锚链是直的，但是在水下有一段是和海床接近于平行，其实是贴着海底的锚提供抓力，而后通过锚链传递给船舶，借此抵抗海流、风浪的外载荷对于定位的影响。之所以有一段是贴着海底的，是要考虑到受力的影响，有一段贴着海底，可以提供一个裕度，在一定范围内是可以的。

《我的答铃》原版英文名叫《LaLaLoveOnMyMind》原唱是由波兰女歌手AnnWinsborn演唱的。

光波炉是利用光波管发热，微波炉是利用微波能量。微波杀菌可以对陶瓷类、塑胶类、玻璃类餐具、口罩类物品，但不可以对金属类的餐具杀菌。光波杀菌可以对陶瓷类、金属类、玻璃类餐具杀菌，但不能对塑料类餐具杀菌。

原版英文名叫《La La Love On My Mind 》，原唱是由波兰女歌手Ann Winsborn演唱的。 《我的答铃》英文版歌词： La la la la la la Mhmm... You"re the la love of my life One way ticket and of life to live Pockets full of sunshine Lots of love to give Longing for your kisses Longing for your arms to be holding me. I took the Friday night ***ht Paris here I come Couldn"t live without you You"re the only one Got the note you wrote me – know it all by heart Oh nothing"s gonna keep us apart. There is only... La la love on my mind, Gonna leave my la la love on the line, Baby just surrender, you"ll be la lucky tonight. Looking out for ooh la la la l"amour And I"m gonna la la love you toujours. There"s no doubt about it, You"re the la love of my life. Don"t care about my suitcase, Gonna grab a cab, Let your arms unfold me Give you all I have Boy you got me dreamin" You"re a kiss away In your arms I"m going to stay There is only... La la love on my mind, Gonna leave my la la love on the line, Baby just surrender, you"ll be la lucky tonight. Looking out for ooh la la la l"amour And I"m gonna la la love you toujours. There"s no doubt about it, You"re the la love of my life. There"s no doubt about it You"re the la love of my life

一般都是WG的 像医生一样的

我想买一台，怎么能加入团购

　　1、光波炉的加热原理是利用光波而不是微波,光波加热相对于微波有更多不同的特性.光波炉实际上是利用一种灯发热,再利用高效能的反射盘把发出的热能集中传递到一个能耐高温的玻璃面板上。 　　2、通过这个玻璃面板，高速将热量传递到满载食物的需要加热容器内。 　　3、光波炉利用的这种发热等实际是上一种依靠远红外线卤素灯管（HalogenLight）发热，因此，光波炉有可以叫做远红外线卤素炉。通过这种卤素灯管发热后，再利用高效能的反射集中热量，就像凸透镜一样将热能集中起来，最后将这种高温通过耐高温的微晶玻璃面板传热。用户就就可以将摆放食物的器皿放在这种面板上加热了。 　　4、这种传热的热效率约89%-93%左右，与高热传递的电磁炉热效率差不多，同样能达到快速加热食物的目的。正是由于这种加热方法，只要是耐高温的器皿就可以用于这种加热，并没有特别的限制。由于不是采用电磁场引起的发热，也就没有电磁炉产生的电池辐射大了，所有用户都可以安心使用。食物的加热也不会像微波炉一样把食物水分蒸发掉。光波炉是无火煮食中比较安全又环保健康的煮食用具。

这是因为钢铁期货在国际市场得到了追捧，再加上用钢市场需求大，所以说钢材市场火爆的行情。

1、船锚作业原理：锚爪是锚抓入泥土中最为重要的部分，当船舶抛锚之后，锚在锚链的牵引下沉至水底。在水底由于锚杆的作用锚腕所在平面会垂直于水底，此时锚爪就会与水底接触，船舶的锚链长度往往大于水深，因此在水底部分的锚链处于平躺状态。 2、当船舶收到扰动的时候（如顶浪）锚链就会被拉动，处于水底的锚在锚链连接处会受到一个水平力的作用，同时船锚自身的重力作用于锚爪与水底的接触点，两力合成使得锚向斜下方运动，这就是锚入土的过程，锚拉入水底之后便可以为船舶提供停泊的能力。 3、船锚对于船相当于汽车中的手刹车，是确保船舶安全的一种不可缺少的设备，船锚的作用主要就是固定稳定船的，最好是在水里面钩住固定的东西，船在水中停住的另外一个因素就是锚链，锚链的自重也是固定船的重要因素。

wanna 与 want 的区别如下所示。1. 释义区别:- "Wanna" 是口语中对 "want to" 的简化形式，表示想要或希望。例句：I wanna go to the beach this weekend.（我想这个周末去海滩。）- "Want" 是正式的动词，表示想要、希望或需要。例句：I want to buy a new car.（我想买辆新车。）2. 用法区别:- "Wanna" 是非标准的口语表达，通常只在口语交流或非正式书面文本中使用。例句：I wanna eat pizza for dinner.（我想今晚吃披萨。）- "Want" 是标准的动词，可在口语和书面语中使用。例句：I want to improve my English skills.（我想提高我的英语水平。）3. 使用环境区别:- "Wanna" 多用于非正式的口语交流、社交场合或亲密关系之间的对话。例句：Do you wanna hang out later?（你想待会出去玩吗？）- "Want" 则可用于正式或非正式的场合，包括书面文本、商务交流等。例句：I want to discuss the project with you tomorrow.（我明天想和你讨论这个项目。）4. 形象区别:- "Wanna" 常与非正式、亲切的形象联系在一起，展现出轻松和随意的态度。例句：I wanna have a chat with you about our plans.（我想和你聊一聊我们的计划。）- "Want" 则更中性，没有特别的形象或情感色彩。例句：I want to make a reservation for dinner tonight.（我想预定今晚的晚餐。）5. 影响范围区别:- "Wanna" 属于口语缩写，范围相对较窄，主要用于一般对话或非正式场合。例句：I wanna go home and take a nap.（我想回家打个盹。）- "Want" 是标准的动词形式，影响范围更广泛，适用于各种正式和非正式的环境。例句：I want to travel the world and explore different cultures.（我想环游世界，探索不同的文化。）

阿啦蕾吧！

攻击和武功攻击。

1、光波房的原理是利用远红外线辐射产生温热效应。光波照射可以排除体内多余脂肪,达到美容、减肥、塑身功效。 2、光波房又称谓：远红外桑拿房、光波浴房、远红外光波房、远红外光波房、汗蒸房、发汗房等。 3、适用领域：酒店、公寓、度假村、疗养院、美容院、医院、运动员训练中心以及家庭。

林俊杰2007年全新大碟《西界》，首波主打《杀手》，唱片发行公司海蝶音乐，发行时间2007.6.29。 专辑曲目：01. 独白、02. 杀手 (2007新加坡SAMSUG WGG活动主题曲)、03.杀手@续、04. 西界、05. 无聊、06. 单挑、07. K-O、08. 大男人·小女孩 (新加坡 新传媒电视剧《手足》插曲)、09.L-O-V-E、10. 发现爱、11. 不流泪的机场、12. Baby Baby (2007“管制药品管理局”反毒广告主题曲)、13. 自由不变 (动画电影《东海战》主题曲).　　

1、光波炉的加热原理是利用光波而不是微波,光波加热相对于微波有更多不同的特性.光波炉实际上是利用一种灯发热,再利用高效能的反射盘把发出的热能集中传递到一个能耐高温的玻璃面板上。 2、通过这个玻璃面板，高速将热量传递到满载食物的需要加热容器内。 3、光波炉利用的这种发热等实际是上一种依靠远红外线卤素灯管（HalogenLight）发热，因此，光波炉有可以叫做远红外线卤素炉。通过这种卤素灯管发热后，再利用高效能的反射集中热量，就像凸透镜一样将热能集中起来，最后将这种高温通过耐高温的微晶玻璃面板传热。用户就就可以将摆放食物的器皿放在这种面板上加热了。 4、这种传热的热效率约89%-93%左右，与高热传递的电磁炉热效率差不多，同样能达到快速加热食物的目的。正是由于这种加热方法，只要是耐高温的器皿就可以用于这种加热，并没有特别的限制。由于不是采用电磁场引起的发热，也就没有电磁炉产生的电池辐射大了，所有用户都可以安心使用。食物的加热也不会像微波炉一样把食物水分蒸发掉。光波炉是无火煮食中比较安全又环保健康的煮食用具。 更多关于光波炉原理,工作原理是什么，进入：https://www.abcgonglue.com/ask/aa8f071615826423.html?zd查看更多内容

1、读作：英 [u02c8wu0252nu0259] 美 [u02c8wɑu02d0nu0259]。 2、是want to的缩写。 3、释义：应该。 4、例句：We ought to and can produce more petroleum. 我们应该并且能够生产更多的石油。

有一种方式！按钮底部的支柱都是船锚型的，底板还有两条平衡可活动的杆。当有一个按钮按下时，就会导致平衡可活动的杆发生两个动作：两根杆在按钮按下时，被挤开。按钮完全按下时，两根杆就会恢复原来的样子。这个时候，按钮底部的船锚型下三角的卡头就会被两条杠卡主，按钮就能一直保持按下的状态。如果开关板上有另一个按钮按下的时候。两条平衡的杆又会被另外一个按钮撑开，就会导致原来按下的按钮没有被两条杆给卡主而弹出来。当另外一个按钮完全按下时，两条杠又恢复原来的样子。

微波、光波炉杀菌都是靠蒸发微生物体内水份使其死亡，从基本原理上讲相同功率下微波比光波有效，因为微波是自内而外的，而光波依然是靠辐射自外而内的。

2023年5月22-24日，全球三大紧固件专业展之一的上海国际紧固件工业博览会将在上海世博展览馆举办！1号馆（原材料、设备、模具及耗品馆） 2号馆（紧固件成品馆） 同期活动：1、2023中国?上海国际紧固件工业博览会开幕式2、中国紧固件行业百年庆典，文化交流主题展3、上海钢联电子商务股份有限公司（我的钢铁网）&紧固件分会“紧固件用冷镦钢线材价格指数”首发会4、2023Mysteel全国工业线材暨紧固件产业链高峰论坛5、全国紧固件先进技术，智能化、数字化推广应用主题讲座协办单位：上海钢联电子商务股份有限公司（我的钢铁网）、上海市紧固件工业协会、广东省紧固件行业协会、江苏省机械工业协会紧固件分会、安徽省紧固件协会、河北省紧固件行业协会、浙江省紧固件行业协会、重庆市紧固件行业协会、宁波紧固件工业协会、宁波镇海区紧固件行业协会、东莞市紧固件行业协会、乐清市紧固件行业协会、平湖市紧固件五金行业协会、兴化市戴南紧固件行业协会、阳江市紧固件行业协会、永年县标准件协会、邢台市紧固件行业协会、沙河市通用零部件产业办公室、杭州市紧固件行业商会、深圳市紧固件行业协会、温州市紧固件行业协会、阳江市机械装备行业协会、海盐县紧固件同业商会、嘉兴市紧固件进出口企业协会、嘉善县紧固件行业协会如果满意我的回答，请采纳一下！

泳儿的"告白" 很抒情~很伤感袁唯仁VS黄淑惠: 想念-- 目前为止听过最好听的情歌对唱王菲的"暗涌" 风格很独特~~超赞哦

wanna 与 want 的区别如下所示。1. 释义区别:- "Wanna" 是口语中对 "want to" 的简化形式，表示想要或希望。例句：I wanna go to the beach this weekend.（我想这个周末去海滩。）- "Want" 是正式的动词，表示想要、希望或需要。例句：I want to buy a new car.（我想买辆新车。）2. 用法区别:- "Wanna" 是非标准的口语表达，通常只在口语交流或非正式书面文本中使用。例句：I wanna eat pizza for dinner.（我想今晚吃披萨。）- "Want" 是标准的动词，可在口语和书面语中使用。例句：I want to improve my English skills.（我想提高我的英语水平。）3. 使用环境区别:- "Wanna" 多用于非正式的口语交流、社交场合或亲密关系之间的对话。例句：Do you wanna hang out later?（你想待会出去玩吗？）- "Want" 则可用于正式或非正式的场合，包括书面文本、商务交流等。例句：I want to discuss the project with you tomorrow.（我明天想和你讨论这个项目。）4. 形象区别:- "Wanna" 常与非正式、亲切的形象联系在一起，展现出轻松和随意的态度。例句：I wanna have a chat with you about our plans.（我想和你聊一聊我们的计划。）- "Want" 则更中性，没有特别的形象或情感色彩。例句：I want to make a reservation for dinner tonight.（我想预定今晚的晚餐。）5. 影响范围区别:- "Wanna" 属于口语缩写，范围相对较窄，主要用于一般对话或非正式场合。例句：I wanna go home and take a nap.（我想回家打个盹。）- "Want" 是标准的动词形式，影响范围更广泛，适用于各种正式和非正式的环境。例句：I want to travel the world and explore different cultures.（我想环游世界，探索不同的文化。）