二极管

数字万用表二极管档位测出来的是二极管的导通电压和截止电压。 当数字万用表红（+）表笔接二极管的正极，黑（-）表笔接二极管的负极，正常时数字万用表显示的是0.6（NPN型硅材料）左右，为二极管的正向导通电压；反之，当数字万用表红（+）表笔接二极管的负极，黑（-）表笔接二极管的正极，正常时数字万用表显示的是“1”，为二极管的反向截止电压。 如果数字万用表红（+）表笔接二极管的正极，黑（-）表笔接二极管的负极，显示为“0”，则表明该二极管已经短路；显示为“1”，这表明该二极管已经开路。 以上方法同样适用于三极管PN结好坏的判断。

二氧化碳是气体激光器，二极管激光器好像就是半导体激光器，很少有人这么叫，他们的工作原理是不一样的

峰值检波器工作原理： 峰值检波器，它是一个能记忆信号峰值的电路，其输出电压的大小，一直追随输入信号的峰值，而且保持在输入信号的最大峰值。当Vi>Vo时：信号由（+）端加入，OPA的输出Va为正电压，二极管D导通，于是输出电流经D对电容C充电一直充至与Vi相等之电压。（当D导电时此电路作用如同—电压跟随器） 当Vi<Vo时：OPA的输出Va为逆向偏压，相当于开路，于是电容C既不充电也不放电，维持于输入之最大值电压。

按LZ的想法，就是：Uin→电阻R→5V稳压二极管→地；光是这样一条线路，是可行的，正确的。但做出5V 的电压，不是只想出个5V，而是后端的电路需要5V供电，而且，后端的5V负载，其等效电阻不知道，其工作电流也是不知道（可变）的。一个不知道的等效电阻RL，并联在5V稳压管旁边，这会造成电阻R与RL进行分压，如果不足5V将导致后端无法工作，为了保证它足够5V，那么R就要非常小，这会导致R电流非常大，功率也非常大，不具备可行性。三极管搭建的射极跟随稳压电路，可以很好的解决负载不详（等效电阻可变，负载电流可变）的问题，带载能力较强。

功率1W 稳压值：12V

7y77

1；R代表电阻D代表二极管这些只是在电路里的简称，我这里就有这些书不过太多了没法都写上来啊，R电阻；还分12种材料和8种类用途还分功率，2；C代表电容分17种材料9种类用途还分耐压和容量及封装3；D代表二极管；4；T或B带表变压器或线圈5；3极管有GB，T，或QB，太多了没法都给你你还是买本书把我的这个书也有年头了93年出版的

用半导体材料制成的晶体二极管具有单向导电的属性，即只允许电流从一个方向通过，不允许电流反方向通过。

将光信号转换为电信号.

当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时，二极管进入雪崩击穿状态；在此以前，只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离，则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示M=1/[1-(V/VB)n]式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。

负极接负极。 电阻分压电源电压的一半就好。外加正向电压不能使发光二极管超过其最大工作电流。

雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构（即N+PIP+型结构，P+一面接收光），工作时加较大的反向偏压，使得其达到雪崩倍增状态；它的光吸收区与倍增区基本一致（是存在有高电场的P区和I区）。在APD制造上，需要在器件表面加设保护环，以提高反向耐压性能；半导体材料以Si为优（广泛用于检测0.9um以下的光），但在检测1um以上的长波长光时则常用Ge和InGaAs（噪音和暗电流较大）。这种APD的缺点就是存在有隧道电流倍增的过程，这将产生较大的散粒噪音（降低p区掺杂，可减小隧道电流，但雪崩电压将要提高）。一种改进的结构是所谓SAM-APD：倍增区用较宽禁带宽度的材料（使得不吸收光），光吸收区用较窄禁带宽度的材料；这里由于采用了异质结，即可在不影响光吸收区的情况下来降低倍增区的掺杂浓度，使得其隧道电流得以减小（如果是突变异质结，因为ΔEv的存在，将使光生空穴有所积累而影响到器件的响应速度，这时可在突变异质结的中间插入一层缓变层来减小ΔEv的影响）。

光照很小时，电流 I 很小，Ui接近于5V。此时反相器输入端为逻辑高电平，因此输出低电平0V。光照逐渐变大时，电流I逐渐变大，Ui逐渐下降。当Ui低于反相器输入端的VIL时，判定为逻辑低电平，因此输出高电平5V。

利用雪崩倍增效应实现内部电流增益的半导体光电转换器件

光敏二极管的线性特性较差 , 而光敏晶体管有很好的线性特性是不正确的。光敏二极管，又叫光电二极管是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。工作原理：光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子——空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。

1.光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增 光敏二极管加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2CU、2DU等系列。 　　2.光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。3.基本特性:(1)光谱特性 (2)伏安特性(3)光照特性(4)温度特 5)频率响应性编辑本段工作原理　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。 　　光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。 　　它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。 　　光敏二极管、光敏三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光敏三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光敏三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光敏二极管一样，光敏三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

光敏二极管是一种光电转换元件，老的叫法我们叫做光电二极管，光导管，光单元。他的封装形式有很多中，例如，金属壳封装（代表型号 LXD66MK , LXD44MK , LXD1010MK）这些在生产中一般都是工业级产品使用。由于他们的测量精度比较高，常用在分析仪器上面。开关上面光敏电阻用的比较多（代表型号 LXD20528 , LXD12528 ,LXD11537 等）。火焰探测上面也有用到例如（LXD7606，LXD12516）等等吧。在民用产品中，低成本的光敏二极管是关键，在玩具中，照明，光电开关多数有采用环氧树脂封装的光敏二极管，例如（LXD/GB5-A1DEL, LXD/GB5-A1DPS , LXD/GB5-A1ELB），也有采用光敏电阻的，因为光敏电阻便宜。（代表型号LXD5516，LXD5528 ,LXD5537 , LXD5549 ）,。还有光通讯领域，（LXD/GB3-A1ELS）,应用太多了。科研方面，主要看你那光敏二极管做什么产品用，实现一个什么效果。就这些，记得给分。还有你可以咨询一些这类的公司。www.lxdcn.com ，他们有在线的客服，你找他们可以咨询的。

　　光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极管、双极性晶体管等电子技术的物质基础。那么PIN光电二极管又是什么呢，与一般光电二极管在作用和工作原理上有什么区别呢，接下来小编就带着大家一起了解一下。　　　　PIN光电二极管简介及作用　　PIN光电二极管也叫做PIN结二极管或者是PIN二极管。这种二极管也涉及到两种半导体之间的PN结的运用，但与一般的光电二极管不同的是，PIN光电二极管在连接P型半导体和N型半导体之间还生成了一层I型半导体的物质，是用来吸收光辐射从而产生光电流的一种检测光信号的小型器件。简而言之，就是通过PIN层，将光信号转换成电信号。不仅反应灵敏，所需要的时间也很短。　　　　PIN光电二极管工作原理简介　　实际上PIN光电二极管内部的I型半导体是一种浓度很低的N型半导体。将低浓度的N型半导体渗入到PN结中间，能够有效扩大耗尽区的宽度，目的是减小扩散运动产生的影响，提高响应速度，即增强反应灵敏性。正是由于这种渗入到PN层的N型半导体浓度很低，几乎接近I型半导体，所以我们称这一层为I型层，PIN光电二极管也由此得名。　　　　在I层的两侧分别是浓度很高的P型半导体和N型半导体，由于这两层浓度很高，所以很薄，可以吸入的入射光也自然较少。I层本征半导体浓度很低，但相对较厚，所以几乎占据了整个耗尽区的空间。大部分入射光透过P层或N层直接被I层吸收，并迅速产生大量的电子，从而很快将光能转化成电能。　　　　半导体的应用仍然在探索当中。但PIN光电二极管早就被人们用来很好的将光信号转换成电信号。PIN光电二极管在设计时也会尽量增大PIN区的面积，以便能够接收更多的光信号，这样能转换和传输的电信号也会越多。光电传输就能更大效率地得到利用。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

光敏二极管所利用的是光生伏特效应（错误）。光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的，其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管工作原理：光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小一般小于0.1微安，称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子——空穴对，称为光生载流子。

PIN: 光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大， 放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。

网上有现成的光电开关买，可以按你的电机功率大小来选。

光敏电阻 ，纯阻性原件，遇光电阻变小光敏二极管，反向电压作用之下工作的。没有光照时反向电流很小，遇光方向电流大光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。遇光在PN结两端产生电压，接入电路就会有电流

一、光敏二极管的符号及其工作原理：（一）电路符号：PN LED — + 是一种将光信号变为电信号的半导体器件。（二）光敏二极管的结构： P区要比N区薄得多，管壳没有光线的入窗口或管壳做成透明。 光敏二极管在反向工作电压下工作： 1. 无光照： 反向电阻很大，通过管子的电流较小，约为0.1微安 2. 有光照： 反向电阻显著减小，反向电流显著增加，光电流的大小与光的强度，波长有关。二、光敏二极管的主要参数：1、最大工作电压Vrmax：光照条件下，反向电流不超过0.1微安所能承受的最高反向工作电压。Vrmax越大，管子性能越稳定。 2、暗电流ID：无光照条件下，在最高反向电压作用下所测得的反向电流。ID越小，管子性能越稳定，对光的敏感度就越高。3、 光电流IL：光敏二极管在光照条件下所产生的电流IL越大，性能就越好。N型： 2CU P型： 2DU 主要用于自动控制，光电耦合。

1、普通二极管在正向电压作用下处于导通状态，在反向电压作用下处于截止状态，仅仅能通过相当微弱的反向电流。 2、光电二极管工作在反向电压作用下，我们将无光照时极微弱的反向电流称为暗电流，将有光照时迅速增至几十微安的反向电流称为光电流。光强的变化引起反向电流的变化，即将光信号转换为电信号，可作为光电传感器件存在于电路中。 3、当有光照时，反向电流又是如何增大的呢?有光照时，携带能量的光子进入PN结，将能量传递给共价键上的束缚电子，束缚电子能量增至一定程度就后挣脱共价键的束缚，成为光生载流子，同时产生电子空穴对。载流子在反向电压作用下发生漂移，从而使得反向电流迅速增大，且其增大的程度与光强成正比。

光敏二极管的特性有五个：光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似，都对电流有放大的作用，不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，它还要受光辐射的控制。一般情况下基极不引出，但有些的基极有引出，引出的基极有温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN结受到光辐射时，就会形成光电流，产生的光生电流由基极进入到发射极，进而在集电极回路中得到一个放大了的信号电流。用不同材料制作而成的光敏极管具有不同的光谱特性。典型光敏二极管电路图（一）典型光敏二极管电路图（二）图是光敏二极管的应用电路实例。因（a）是对数压缩电路，反馈电路中采用对数二极管VD，可以对输出电压进行对数压缩，测光范围较宽，一股用于模拟光信号电路。图（b）是定位用传感器电路．采用对偶型光敏二极管，放大VD1与VD2的差动信号。图（c）是与FE丁（VT）组合的调制光传感器电路．用于光控电路，响应速度快，噪声低，它是一种调制光等的交流专用放大器，但不适合于模拟信号电路中。典型光敏二极管电路图（三）典型光敏二极管电路图（四）图4-5是光敏二极管VD与运放A组合应用实例．图4-5（a）为无偏置方式，图4-5（b）为反向偏置方式。无偏置电路可以用于测量宽范围的入射光，例如照度计等，但响应特性比不上反向偏置的电路，可用反馈电阻Rf调整输出电压，如果Rf用对数二极管替代．则可以输出对数压缩的电压。反向偏置电路的响应速度快．输出信号与输入信号同相位典型光敏二极管电路图（五）典型光敏二极管电路图（六）如下图电路中通过压电元件传感器S将压力转换为电信号送至SD3或SD3A集成电路，并通过发光二极管显示。图中虚线框内两个等效电阻分别为工作室和补偿室（双电离室）。典型光敏二极管电路图（七）LM358该测试器可对发光二极管进行不区分极性地检测，从而判定其发光性能。在批量检测中，与用万用表等测试手段相比，省时省力、简单直观。电路如下图所示，一路运算放大器接成低频自激振荡器，在输出端间歇输出高电平或低电平。另一路运放接成反相器形式。当振荡电路输出高电平时，反相器则输出低电平；振荡电路输出低电平时，反相器输出高电平。若在两输出端跨接一支发光二极管，不论跨接的极性如何，发光二极管总是要随着振荡电路的振荡频率，间歇地导通发光。LED为电源指示管，兼作发光强度的比较管。运放IC可选用LM358或LM324。

一、这里的电桥的四个桥臂分别是FETR2Rw的中心滑动端以上的电阻Rw的中心滑动端以下的电阻和R3二、FET是场效应管三、在光照下，光敏二极管导通，因此A点的电压会下降，由于A点电压就是场效应管的栅极电压，栅极电压下降会使场效应管的导通程度下降，导通沟道电阻增加，这就是R2上电流减小的原因。由于场效应管栅极和源极之间的电阻极大，几乎等于绝缘状态，所以A点和B点之间没有电流流过。流过R2的电流来自场效应管的漏极。无论光照强度大小有无，R2只要有电流，都是从电源E正极经开关K、场效应管漏极、场效应管源极、R2，然后再返回电源E的负极。

光敏二极管（photodiode）是一种可以通过光线的强弱来控制电流的半导体器件。光敏二极管通常被用来检测光线的强弱，并转换成电信号。当光敏二极管接受到光线时，就会产生电流。这种电流通常是在很短的时间内产生的，因此，光敏二极管在检测光线的强弱时会有一定的滞后性。这是因为光敏二极管内部的电子有一定的质量，在接受光线的时候需要一定的时间才能被加速到足够的速度产生电流。此外，光敏二极管也有一定的响应时间。这是指，在接受光线的时候，光敏二极管内部的电子需要一定的时间才能将能量转化为电流。这个时间通常被称为光敏二极管的响应时间，它决定了光敏二极管在检测光线的强弱时的速度。总的来说，光敏二极管的滞后原理是指，在接受光线的时候，光敏二极管内部的电子需要一定的时间才能被加速到足够的速度产生电流，这就导致了光敏二极管在检测光线的强弱时存在一定的滞后性。

将指针万用表置于r*1k挡，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3~10kω左右，反向电阻值为500kω以上。测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500kω以上减小至50~100kω之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。

光敏二、三极管以光激发载流子而改变导通电阻，自己不能产生能源，所以需要加反向偏压，光照越强，电流越大，无光照则几乎不导通。

光电二极管的工作原理：光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光电三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

　　光电二极管在日常生活的应用非常广泛。它跟一般的二极管在结构和功能上几乎一致，也是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电的特性。所谓PN结就是连接P型半导体和N型半导体两者的接触面。虽然叫做结，但实际上并不是一个结点。PN结是半导体二极管、双极性晶体管等电子技术的物质基础。那么PIN光电二极管又是什么呢，与一般光电二极管在作用和工作原理上有什么区别呢，接下来小编就带着大家一起了解一下。　　　　PIN光电二极管简介及作用　　PIN光电二极管也叫做PIN结二极管或者是PIN二极管。这种二极管也涉及到两种半导体之间的PN结的运用，但与一般的光电二极管不同的是，PIN光电二极管在连接P型半导体和N型半导体之间还生成了一层I型半导体的物质，是用来吸收光辐射从而产生光电流的一种检测光信号的小型器件。简而言之，就是通过PIN层，将光信号转换成电信号。不仅反应灵敏，所需要的时间也很短。　　　　PIN光电二极管工作原理简介　　实际上PIN光电二极管内部的I型半导体是一种浓度很低的N型半导体。将低浓度的N型半导体渗入到PN结中间，能够有效扩大耗尽区的宽度，目的是减小扩散运动产生的影响，提高响应速度，即增强反应灵敏性。正是由于这种渗入到PN层的N型半导体浓度很低，几乎接近I型半导体，所以我们称这一层为I型层，PIN光电二极管也由此得名。　　　　在I层的两侧分别是浓度很高的P型半导体和N型半导体，由于这两层浓度很高，所以很薄，可以吸入的入射光也自然较少。I层本征半导体浓度很低，但相对较厚，所以几乎占据了整个耗尽区的空间。大部分入射光透过P层或N层直接被I层吸收，并迅速产生大量的电子，从而很快将光能转化成电能。　　　　半导体的应用仍然在探索当中。但PIN光电二极管早就被人们用来很好的将光信号转换成电信号。PIN光电二极管在设计时也会尽量增大PIN区的面积，以便能够接收更多的光信号，这样能转换和传输的电信号也会越多。光电传输就能更大效率地得到利用。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（Intrinsic）半导体，故称I层，因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。

光敏二极管，也称为光电二极管或光感二极管，是一种特殊的二极管，具有对光有敏感性的器件。它包含一个带有光敏材料的小孔，可以将光能转换为电能。当光照射到光敏二极管上时，光敏材料会产生光电子，这些光电子会在半导体材料中的空穴中流动，导致半导体的电子能带发生变化。这样，当照射光强度变化时，光敏二极管的电流也会发生变化。因此，光敏二极管可以用来测量光强度或作为光强度控制器。光敏二极管的电路特性与普通二极管类似，只是它们在工作时需要光照。在没有光照的情况下，光敏二极管的电流很小，因此它也可以用作光强度控制器。通常，光敏二极管的光敏材料是硅、锗或砷化镓。这些材料都是半导体材料，在照射光后，会产生光电子，导致半导体的电子能带发生变化。有一种常用的光敏二极管叫做光电池。光电池具有非常高的光电转换效率，因此它经常用于太阳能电池和太阳能跟踪系统中。

光敏二极管原理光敏二极管是一种特殊的二极管，它的特殊之处在于它可以感受到光线的强弱，并将光线转换成电信号。它的工作原理是：当光线照射到光敏二极管的P型半导体表面时，会产生电子和空穴，这些电子和空穴会在P型半导体表面形成一个电荷层，这个电荷层会影响到N型半导体表面的电子流动，从而产生电流。因此，当光线照射到光敏二极管时，就会产生电流，从而产生电信号。

光敏二极管工作时加有反向电压，没有光照时，其反向电阻很大，只有很微弱的反向饱和电流（暗电池）。当有光照时，就会产生很大的反向电流（亮电流），光照越强，该亮电流就越大。光敏二极管是一种光电转换二极管，所以又叫光电二极管。测量光敏二极管时，先用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表的R×1k档其正、反向电阻。正常时，正向电阻值在10~20kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。再去掉黑纸或黑布，使其光信号接收窗口对准光源，正常时正、反向电阻值均会变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。

光敏二极管（Photodiode）和光敏电阻（Photocell）都是光敏器件，用于接收光信号并转化为电信号。它们的工作原理和性能特点有一些区别：光敏二极管：- 工作原理：光敏二极管是一种基于内光电效应的半导体器件。当光照射到光敏二极管的极板上时，光能会激发半导体中的电子-空穴对的形成，从而产生电流。光敏二极管通常有两个极板：阳极和阴极。当光照射到阳极时，会产生电流输出。- 特点：1. 响应速度快：光敏二极管器件的响应速度通常很快，能够在纳秒级别的时间内响应光信号。2. 灵敏度高：光敏二极管对光的敏感度较高，能够接收到相对较弱的光信号。3. 输出电流：光敏二极管的输出电信号是电流信号，可以直接测量输出电流的大小。光敏电阻：- 工作原理：光敏电阻是一种基于内光电效应的器件。在光敏电阻材料中，光照射会改变其电阻值。其光电导特性是由于光照射导致电子和空穴的形成和移动，从而改变电阻。- 特点：1. 响应速度较慢：光敏电阻的响应速度相对较慢，通常在毫秒级甚至更长的时间内响应光信号。2. 灵敏度较低：光敏电阻对光的敏感度较低，通常只能接收到相对较强的光信号。3. 输出电压：光敏电阻的输出为电阻值的变化，需要通过外部电路将其转化为电压信号进行测量。因此，光敏二极管和光敏电阻在工作原理、响应速度、灵敏度和输出方式等方面存在一些区别。选择使用哪种光敏器件取决于具体的应用需求和性能要求。

光敏电阻的阻值随光强的增强而变小

你好，光敏二极管是一种采用PN结单向导电性能的结型光电器件，也叫光电二极管，能够将光信号变成电信号的探测器件，通过在PN结加上反向电压，在光的照射下反向导通，光敏二极管所用材料一般有硅、锗等。光敏二极管一般有ZDU型和ZCU型两种。一般常用的是ZCU型,它是全密封、金属外壳、顶部有玻璃窗口。光敏二极管具有体积小、重量轻、使用寿命长、灵敏度高等特点。光敏电阻,当光照着时,阻值会变小.光电二极管和光电三极管,是配对使用的,一般是制作在一起,当光电二极管发光时,光源直接照在光电三极管的基极上,这时,它的"集电极和发射极"就导通了,光的强弱直接关系到两极导通角的大小.固态继电器就是根据这原理,用小电流去控制大电流,用低电压去控制高电压的.

光敏二极管工作时加有反向电压，没有光照时，其反向电阻很大，只有很微弱的反向饱和电流（暗电池）。当有光照时，就会产生很大的反向电流（亮电流），光照越强，该亮电流就越大。光敏二极管是一种光电转换二极管，所以又叫光电二极管。 测量光敏二极管时，先用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表的R×1k档其正、反向电阻。正常时，正向电阻值在10~20kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。 再去掉黑纸或黑布，使其光信号接收窗口对准光源，正常时正、反向电阻值均会变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。

当发光二极管的光照射在粗糙的鼠标垫上时，发生漫反射；感应器连续拍摄鼠标垫表面所成的像是利用二倍焦距以外的物体成像的原理，因此光学感应器上所成的是倒立、缩小的实像；故答案为 漫反射；实像．

（1）漫反射；（2）实像；（3）前；（4）像没有刚好成在光学感应器上（或像成在光学感应器的下方． 试题分析：（1）当发光二极管的光照射在粗糙的鼠标垫上时，发生漫反射；（2）感应器连续拍摄鼠标垫表面所成的像是利用二倍焦距以外的物体成像的原理，因此光学感应器上所成的是倒立、缩小的实像；（3）感应器成的是倒立、缩小的实像，鼠标向前推移时，物向前推移，感光器件上的像相对于光学感应器也向前移动；（4）鼠标悬空相当于增大了物距这时候像距会变小，因为成像透镜和光学感应器距离是不变的，导致像成在光学感应器的下方，即像没有刚好成在光学感应器上．

（1）当发光二极管的光照射在粗糙的鼠标垫上时，发生漫反射；故答案为；漫反射．（2）由成像透镜到鼠标垫距离7mm和光学感应器距成像透镜3mm，可知，物距大于像距，则感应器连续拍摄鼠标垫表面所成的像是利用二倍焦距以外的物体成像的原理，因此光学感应器上所成的是倒立、缩小的实像；故答案为； 倒立；缩小；实；照相机．（3）鼠标悬空相当于增大了物距这时候像距会变小，因为成像透镜和光学感应器距离是不变的，导致像成在光学感应器下方．故答案为：下

考点：专题：应用题．分析：解答此题要明确以下知识点：①表面粗糙的反射面，光线射到反射面上时，反射光线射向不同的方向，这就是漫反射现象；②凸透镜成像规律中，当物距大于2倍焦距时，成的是倒立、缩小的实像．当发光二极管的光照射在粗糙的鼠标垫上时，发生漫反射；感应器连续拍摄鼠标垫表面所成的像是利用二倍焦距以外的物体成像的原理，因此光学感应器上所成的是倒立、缩小的实像；故答案为 漫反射；实像．点评：此题考查了本题考查了漫反射现象和照相机成像原理的了解和掌握，要会结合知识点进行分析解答，是一道基础题．

后，距离超过聚光焦距太多，散光

我觉得最佳答案说反了。LED灯应该是接在OUT端和GND之间。当有光照时（白天），光敏电阻电阻减少，INA+电压低于INA-电压，393输出低电平，此时相当于将LED灯两端接地短路，不发光。当没光照时（晚上），R-LIGHT阻值变大，INA+电压高于INA-电压。393输出高电平。LED灯发光。

整流器原理 在以大功率二极管或晶闸管为基础的两种基本类型的整流器中，电网的高压交流功率通过变压器变换为直流功率。提到未来（不久的或遥远的）的其它类型整流器: 以不可控二极管前沿产品为基础的斩波器、斩波直流/直流变换器或电流源逆变型有源整流器。显然，这种最新型的整流器在技术上包含较多要开发的内容，但是它能显示出优点，例如它以非常小的谐波干扰和1的功率因数加载于电网。 二极管整流器 所有整流器类别中最简单的是二极管整流器。在最简单的型式中，二极管整流器不提供任何一种控制输出电流和电压数值的手段。为了适用于工业过程，输出值必须在一定范围内可以控制。通过应用机械的所谓有载抽头变换器可以完成这种控制。整流器，就是由四个整流二极管，或两个整流二极管组成的（这要看变压器的输出是几个头）。主要作用是把交流电变成直流电。 一般的家用电器的电源部分都有整流器，或整流电路（就是四个二极管串接）。 镇流器，说简单点内部就是一组铜线圈，起限流的作用。怕电流过大烧坏灯管。

双向二极管有触发作用，也就是电压高到一定阀值时就导通，低了就快速关断。双向二极管的正反两个方向都有稳压作用。就如同两个稳压二极管反向串连，它的两端不论正反那个反向达到了稳定电压（既其中一个稳压极管）的反向击穿电压都可以使得其两端的电压基本保持不变（在其允许的电流范围内）。判断双向二极管的好坏方法：用万用表简单的估测一下，以双向不导通为正常的。二极管二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。

原理：当电路接通交流市电后，交流市电便通过负载电阻R1、电位器RP 、电阻R2 向电容器C充电只要电容器C上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压.电容器C 便通过限流电阻R1以及双向触发二假管VD1向双向可控硅VS的控制极放电.触发可控硅VS 导通。改变电位器RP的阻值便可改变向C充电的速度.也就改变了 双向可控硅的导通角。由于双向触发二极管在正、反电压下均能工作，所以整个电路可以工作于交流电的正 、负两个半周。触发二极管用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。

应该是指双向二极管吧？在双向可控硅应用电路中，其控制端电路加有双向二极管的，其作用是将驱动电压设了一道门槛，驱动电压必须高于双向二极管的导通电压的才可使双向可控硅导通。这种情况适用于类似于照明灯的调光、发热体加热等电路，因为低到如10V、20V这样的电压对额定电压为220V照明灯及加热器等电器负载来说没有多大意义，灯光亮度如萤火则干脆不让它亮。拙见仅供参考！

流明是光通量的单位,Cd 是光强单位,尼特是亮度单位,Lx 是照度单位 光强是单位立体角的光通量 照度是单位面积的光通量 亮度是单位立体角,单位面积的光通量 尼特是亮度的单位,1 尼特=1CD/平方米 1 烛光＝10.76 勒克斯,1 勒克斯＝1 流明每平方米,1 辐脱＝10^4 勒克斯 这些是照度,砍的拉是发光强度 光通量（total flux)－流明lumen -> W(功率) 光照度（受照面）OR光出射度（光源）（area intensity）－lux(lum/m^2) －＞W/m^2 光强度（angular intensity）－Cd(lum/Sr) ->W/Sr 光亮度(Brightness) -nit(Cd/m^2) ->W/Sr-m^2 1Cd=1/683(W/Sr) 面发光度=光照度x 纸面的反射系数 流明是光通量的单位,Cd 是光强单位,尼特是亮度单位,Lx 是照度单位 光强是单位立体角的光通量 照度是单位面积的光通量 亮度是单位立体角,单位面积的光通量 尼特是亮度的单位,1 尼特=1CD/平方米 1 烛光＝10.76 勒克斯,1 勒克斯＝1 流明每平方米,1 辐脱＝10^4 勒克斯 这些是照度,砍的拉是发光强度 光通量（total flux)－流明lumen -> W(功率) 光照度（受照面）OR光出射度（光源）（area intensity）－lux(lum/m^2) －＞W/m^2 光强度（angular intensity）－Cd(lum/Sr) ->W/Sr 光亮度(Brightness) -nit(Cd/m^2) ->W/Sr-m^2 1Cd=1/683(W/Sr) 面发光度=光照度x 纸面的反射系数

流明是光通量的单位，Cd 是光强单位，尼特是亮度单位，Lx 是照度单位 光强是单位立体角的光通量 照度是单位面积的光通量 亮度是单位立体角，单位面积的光通量 尼特是亮度的单位,1 尼特=1CD/平方米 1 烛光＝10.76 勒克斯，1 勒克斯＝1 流明每平方米，1 辐脱＝10^4 勒克斯 这些是照度，砍的拉是发光强度 光通量（total flux)－流明lumen -> W(功率) 光照度（受照面）OR光出射度（光源）（area intensity）－lux(lum/m^2) －＞W/m^2 光强度（angular intensity）－Cd(lum/Sr) ->W/Sr 光亮度(Brightness) -nit(Cd/m^2) ->W/Sr-m^2 1Cd=1/683(W/Sr) 面发光度=光照度x 纸面的反射系数 流明是光通量的单位，Cd 是光强单位，尼特是亮度单位，Lx 是照度单位 光强是单位立体角的光通量 照度是单位面积的光通量 亮度是单位立体角，单位面积的光通量 尼特是亮度的单位,1 尼特=1CD/平方米 1 烛光＝10.76 勒克斯，1 勒克斯＝1 流明每平方米，1 辐脱＝10^4 勒克斯 这些是照度，砍的拉是发光强度 光通量（total flux)－流明lumen -> W(功率) 光照度（受照面）OR光出射度（光源）（area intensity）－lux(lum/m^2) －＞W/m^2 光强度（angular intensity）－Cd(lum/Sr) ->W/Sr 光亮度(Brightness) -nit(Cd/m^2) ->W/Sr-m^2 1Cd=1/683(W/Sr) 面发光度=光照度x 纸面的反射系数

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G,S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。扩展资料NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。

这个电容和二极管，后面都带了一个BST，全称是Boost-trap，自举电路，这是一个典型的BUCK电路，开关管是NMOS管，因此它的GATE驱动电压必须高于VIN才能够导通，但是在输入端，没有电压能够高于VIN，因此需要一个自举电路产生一个高于VIN的电压，来驱动NMOS管。具体的原理就是在SW为低时，由DRV脚为CBST充电3.3V，当需要将NMOS管导通时，将CBST的负端短路到VIN，这样CBST的正端电压，也就是BST脚的电压就会比VIN高3.3V。DBST的作用是保证在CBST抬高到VIN以上时，不会有反向的电流从CBST再流回DRV脚。

1 固定电感器 :一般采用带引线的软磁工字磁芯，电感可做在10-22000uh之间，Q值控制在40左右。2 阻流圈：他是具有一定电感得线圈，其用途是为了防止某些频率的高频电流通过，如整流电路的滤波阻流圈，电视上的行阻流圈等。 3 行线性线圈：用于和偏转线圈串联，调节行线性。由工字磁芯线圈和恒磁块组成，一般彩电用直流电流1.5A电感116-194uh频率：2.52MHZ 4 行振荡线圈： 由骨架，线圈，调节杆，螺纹磁芯组成。一般电感为5mh调节量大于+-10mh.电感线圈的品质因数和固有电容(1)电感量及精度 线圈电感量的大小，主要决定于线圈的直径、匝数及有无铁芯等。电感线圈的用途不同，所需的电感量也不同。例如，在高频电路中，线圈的电感量一般为0.1uH—100Ho 电感量的精度，即实际电感量与要求电感量间的误差，对它的要求视用途而定。对振荡线圈要求较高，为o．2-o．5％。对耦合线圈和高频扼流圈要求较低，允许10—15％。对于某些要求电感量精度很高的场合，一般只能在绕制后用仪器测试，通过调节靠近边沿的线匝间距离或线圈中的磁芯位置来实现o (2)线圈的品质因数 品质因数Q用来表示线圈损耗的大小，高频线圈通常为50—300。对调谐回路线圈的Q值要求较高，用高Q值的线圈与电容组成的谐振电路有更好的谐振特性；用低Q值线圈与电容组成的谐振电路，其谐振特性不明显。对耦合线圈，要求可低一些，对高频扼流圈和低频扼流圈，则无要求。Q值的大小，影响回路的选择性、效率、滤波特性以及频率的稳定性。一般均希望Q值大，但提高线圈的Q值并不是一件容易的事，因此应根据实际使用场合、对线圈Q值提出适当的要求。 线圈的品质因数为： Q=ωL/R 式中： ω——工作角频； L——线圈的电感量； R——线圈的总损耗电阻线圈的总损耗电阻，它是由直流电阻、高频电阻(由集肤效应和邻近效应引起)介质损 耗等所组成。" 为了提高线圈的品质因数Q，可以采用镀银铜线，以减小高频电阻；用多股的绝缘线代替具有同样总裁面的单股线，以减少集肤效应；采用介质损耗小的高频瓷为骨架，以减小介质损耗。采用磁芯虽增加了磁芯损耗，但可以大大减小线圈匝数，从而减小导线直流电阻，对提高线圈Q值有利。 (3)固有电容 线圈绕组的匝与匝之间存在着分布电容，多层绕组层与层之间，也都存在着分布电容。这些分布电容可以等效成一个与线圈并联的电容Co，如图示。此主题相关图片如下：这个电容的存在，使线圈的工作频率受到限制，Q值也下降。图示的等效电路，实际为一由L、R、和Co组成的并联谐振电路，其谐振频率称为线圈的固有频率。为了保证线圈有效电感量的稳定，使用电感线圈时，都使其工作频率远低于线圈的固有频率。为了减小线圈的固有电容，可以减少线圈骨架的直径，用细导线绕制线圈，或采用间绕法、蜂房式绕法。 此主题相关图片如下：(4)线圈的稳定性 电感量相对于温度的稳定性，用电感的温度系数αL表示 式中：L2和L1分别是温度为t2和t1时的电感量。 对于经过温度循环变化后，电感量不再能恢复到原来值的这种不可逆变化，用电感的不稳定系数表示 式中：L和L1，分别为原来和温度循环变化后的电感量。 温度对电感量的影响，主要是因为导线受热膨胀，使线圈产生几何变形而引起的。减小这一影响的方法．可采用热法(绕制时将导线加热，冷却后导线收缩，以保证导线紧紧贴合在骨架上)温度增大时，线圈的固有电容和漏电损耗增加，也会降低线圈的稳定性。改进的方法是，将线圈用防潮物质浸渍或用环氧树脂密封，浸渍后由于浸渍材料的介电常数比空气大，其线匝间的分布电容增大。同时，还引入介质损耗，影响Q值。 (5)额定电流 主要是对高频扼流团和大功率的谐振线圈电感器、变压器检测方法与经验 1、?色码电感器的的检测　　将万用表置于R×1挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种情况进行鉴别：A、?被测色码电感器电阻值为零，其内部有短路性故障。B、?被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，则可认为被测色码电感器是正常的。　　2、?中周变压器的检测A、?将万用表拨至R×1挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐一检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。B、?检测绝缘性能　　将万用表置于R×10k挡，做如下几种状态测试：　　(1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值；　　(2)初级绕组与外壳之间的电阻值；　　(3)次级绕组与外壳之间的电阻值。　　上述测试结果分出现三种情况：　　(1)阻值为无穷大：正常；　　(2)阻值为零：有短路性故障；　　(3)阻值小于无穷大，但大于零：有漏电性故障。　　3、?电源变压器的检测　　A、?通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象。如线圈引线是否断裂，脱焊，绝缘材料是否有烧焦痕迹，铁心紧固螺杆是否有松动，硅钢片有无锈蚀，绕组线圈是否有外露等。B、?绝缘性测试。用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，说明变压器绝缘性能不良。C、?线圈通断的检测。将万用表置于R×1挡，测试中，若某个绕组的电阻值为无穷大，则说明此绕组有断路性故障。D、?判别初、次级线圈。电源变压器初级引脚和次级引脚一般都是分别从两侧引出的，并且初级绕组多标有220V字样，次级绕组则标出额定电压值，如15V、24V、35V等。再根据这些标记进行识别。E、?空载电流的检测。(a)、?直接测量法。将次级所有绕组全部开路，把万用表置于交流电流挡(500mA，串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V交流市电时，万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的10％～20％。一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超出太多，则说明变压器有短路性故障。(b)、?间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个10?/5W的电阻，次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后，用两表笔测出电阻R两端的电压降U，然后用欧姆定律算出空载电流I空，即I空=U/R。F、?空载电压的检测。将电源变压器的初级接220V市电，用万用表交流电压接依次测出各绕组的空载电压值(U21、U22、U23、U24)应符合要求值，允许误差范围一般为：高压绕组≤±10％，低压绕组≤±5％，带中心抽头的两组对称绕组的电压差应≤±2％。G、?一般小功率电源变压器允许温升为40℃～50℃，如果所用绝缘材料质量较好，允许温升还可提高。H、?检测判别各绕组的同名端。在使用电源变压器时，有时为了得到所需的次级电压，可将两个或多个次级绕组串联起来使用。采用串联法使用电源变压器时，参加串联的各绕组的同名端必须正确连接，不能搞错。否则，变压器不能正常工作。I、电源变压器短路性故障的综合检测判别。电源变压器发生短路性故障后的主要症状是发热严重和次级绕组输出电压失常。通常，线圈内部匝间短路点越多，短路电流就越大，而变压器发热就越严重。检测判断电源变压器是否有短路性故障的简单方法是测量空载电流(测试方法前面已经介绍)。存在短路故障的变压器，其空载电流值将远大于满载电流的10％。当短路严重时，变压器在空载加电后几十秒钟之内便会迅速发热，用手触摸铁心会有烫手的感觉。此时不用测量空载电流便可断定变压器有短路点存在。大功率片状绕线型电感 大功率片状绕线型电感器主要用于DC/DC变换器中，用作储能元件或大电流LC滤波元件(降低噪声电压输出)。它以方形或圆形工字型铁氧体为骨架，采用不同直径的漆包线绕制而成，如图所示：老式DC／DC变换器的工作频率仅几十kHz(如30—50kHz)，如今新型DC/DC变换器的频率高于200kHz，老式低频电感不适用了。在铁氧体底部沉积导电材料，经烧结后形成焊接的电极。此主题相关图片如下：大功率片状绕线型电感器型号不统一，尺寸也不相同，这里仅介绍一种圆形工字形铁氧体骨架构成的电感器，其尺寸、电感量范围及直流电阻范围如表所示：由表可以看出，同一尺寸的骨架可以采用不向直径漆包线来绕制、绕的匝数不同，故其电感量及直流电阻值是一个范围 电阻越小，线径越大尺寸也越大，这是个矛盾。此主题相关图片如下：标准的大功率电感量基数为1 2.2 3.3 4.7 5.6 6.8 8.2。常用的电感量范围为1——330uH。有时需要在试验中调整电感量，以获得最佳数值。作为大功率片状电感器还有下列两个主要参数：最大电流及工作频率。电感线圈的使用 (1)磁场辐射的影响电感线圈装在线路板上有立式与卧式两种方式，要注意其磁场的辐射对邻近器件工作的影响。如卧式电感器的引线是从两端引出，装在线路板上多是横卧着，它的线圈都绕在棒形的磁芯上，它工作时，磁力线在周围散发，见图(a)。不仅有效导磁系数低，而且其磁场辐射会影响邻近部件的工作，特别在高频工作时影响更大。所图(b)示。此主题相关图片如下：电感线圈的磁场辐射立式电感器无此缺点，其线圈都绕在“工”形或“王”形磁芯上，甚至绕在很薄的“工”形的磁芯上，工作时磁力线很少散发．有效导磁系数较高，磁场辐射小，对邻近部件影响小。同时占空系数小，分布电容也小。如图(b)(2)工作频率与磁芯材料的关系由于电感器的基体是铁氧体磁芯，其工作频率自然要受磁芯材料工作频率的限制，必须慎重选择。有关术语及定义1.初始磁导率μi 初始磁导率是磁性材料的磁导率(B/H)在磁化曲线事始端的极限值，即 μi=1/μ0 lim:H→0 B/H式中为μ0真空磁导率(4π×10^-7H/m) H为磁场强度(A/m) B磁通密度(T) 2.有效磁导率μe：在闭合磁路中，如果漏磁可忽略，可以用有效磁导率来表征磁芯的性能。 μe=L/μ0N2*Le/Ae式中L为装有磁芯的线圈的电感量(H) N为线圈匝数 Le为有效磁路长度(m) Ae为有效截面积(m^2)3.饱和磁通密度Bs(T)：磁化到饱和状态的磁通密度。见图1。4.剩余磁通密度Br(T)从饱和状态去除磁场后，剩余的磁通密度。见图1。 5.矫顽力He(A/m)从饱和状态去除磁场后，磁芯继续被反向磁场磁化，直至磁通密度减为零，此时的磁场强称为矫顽力。见图1。6.损耗因素tanδ根据因数是磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗三者之和 tanδ=tanδh+tanδe+tanδr式中tanδh为磁滞损耗因数 tanδe为涡流损耗因数 tanδr为剩余损耗因数7.相对损耗因数tanδ/u相对损耗因数是损耗因数与磁导率之比：tanδ/ui（适用于材料）tanδ/ue（适用于磁路中含有气隙的磁芯）8.品质因数Q品质因数为损耗因数的倒数：Q=1/tanδ9.温度因数αu(1/K)温度系数为温度在T1和T2范围内变化时，每变化1K相应的磁导率的相对变化量：αu=U2-U1/U1*1/T2-T1(T2>T1)式中U1为温度为T1时的磁导率 U2为温度为T2时的磁导率10.相对温度系数αur(1/K)温度系数和磁导率之比，即αur=U2-U1/(U2)^2*1/T2-T1(T2>T1)11.居里温度Tc(℃)在该温度下材料由铁磁性（或亚铁磁性）转变顺磁性。见图2。12.减落因数DF：在恒温下，完全退磁的磁芯的磁导率随时间的衰减变化，即DF=U1-U2/logT2-T1*1/(U1)^2(T2>T1)式中U1为退磁后T1分钟的磁导率 U2为退磁后T2分钟的磁导率 13.电阻率ρ(Ω/m)具有单位截面积和单位长度的磁性材料的电阻。14.密度d(kg/m3)单位体积材料的重量，即d=W/V式中W为磁芯的重量 (kg)V为磁芯的体积(m3)15.功率损耗Pc(KW/m3、W/KG)磁芯在高磁场密度下的单位体积损耗或单位重量损耗。该磁通密度可表示为Bm=E/4.44fNAe式中E为施加在线圈上的电压有效值(V)Bm为磁通密度的峰值 （T）f为频率(Hz)N为线圈匝数Ae为有效截面积(m2)目前。功率损耗的常用测量方法包括乘积电压表法和波形记忆法。16.电感因数AL(nH/N2)电感因数定义为具有一定形状和尺寸的磁芯上每一匝线圈产生的电感量，即AL=L/N^2式中L为装有磁芯的线圈的电感量(H) N为线圈匝数。电感的检验普通电感的检验（如：工字电感、色环电感）只需检验其电感量和电流量即可，如果公司对电感的检验有更高的要求，请参阅以下几个国标（别找我要，我也没有），如果那位朋友有这方面的资料，请跟贴，或发到我的信箱：lyh_leo@163.comGB/T 8554-1998 电子和通信设备用变压器和电感器 测量方法及试验程序 GB/T 9623-1988 通信用电感器和变压器磁芯 第一部分: 总规范 (可供认证用) GB/T 16512-1996 抑制射频干扰固定电感器 第1部分 总规范 GB/T 16513-1996 抑制射频干扰固定电感器 第2部分 分规范 试验方法和一般要求的选择

二极管是单向导通。如果用于直流电路中，接返了是不导电的。如果用于交流电路，会过滤掉一半波形。电阻是起限流作用。当然，热敏电阻、压敏电阻等还有特殊用途。

D1是防止蓄电池向光电池放电的（只允许光电池向蓄电池充电）。当蓄电池或光电池电压低时，LED1发光。当蓄电池或光电池电压高时（由于未标出电池电压，无从计算具体值），LED1熄灭。

设计思路很好！不过，见过两节串联输出（7.4V）但是其充电电压就是普通的手机充电器电压，但电池正负极之间是直接连接的！

串一只IN5408二极管就行

万用表检测二极管：测量时，选用万用表的“欧姆”挡。一般用Rx100或Rxlk挡，而不用Rx1或Rx10k挡。因为Rxl挡的电流太大，容易烧坏二极管，Rxlok挡的内电源电压太大，易击穿二极管。将两表棒分别接在二极管的两个电极上，读出测量的阻值；然后将表棒对换再测量一次，记下第二次阻值。若两次阻值相差很大，说明该二极管性能良好；并根据测量电阻小的那次的表棒接法(称之为正向连接)，判断出与黑表棒连接的是二极管的正极，与红表棒连接的是二极管的负极。因为万用表的内电源的正极与万用表的“—”插孔连通，内电源的负极与万用表的“＋”插孔连通。如果两次测量的阻值都很小，说明二极管已经击穿；如果两次测量的阻值都很大，说明二极管内部已经断路：两次测量的阻值相差不大，说明二极管性能欠佳。在这些情况下，二极管就不能使用了。检测原理：根据二极管的单向导电性这一特点性能良好的二极管，其正向电阻小，反向电阻大；这两个数值相差越大越好。若相差不多说明二极管的性能不好或已经损坏。须指出：由于二极管的伏安特性是非线性的，用万用表的不同电阻挡测量二极管的电阻时，会得出不同的电阻值；实际使用时，流过二极管的电流会较大，因而二极管呈现的电阻值会更小些。扩展资料：特殊类型二极管的检测：1、稳压二极管。稳压二极管是一种工作在反向击穿区、具有稳定电压作用的二极管。其极性与性能好坏的测量与普通二极管的测量方法相似，不同之处在于：当使用万用表的Rxlk挡测量二极管时，测得其反向电阻是很大的；此时，将万用表转换到Rx10k档，如果出现万用表指针向右偏转较大角度，即反向电阻值减小很多的情况，则该二极管为稳压二极管；如果反向电阻基本不变，说明该二极管是普通二极管，而不是稳压二极管。稳压二极管的测量原理是：万用表Rxlk挡的内电池电压较小，通常不会使普通二极管和稳压二极管击穿，所以测出的反向电阻都很大。当万用表转换到Rx10k挡时，万用表内电池电压变得很大，使稳压二极管出现反向击穿现象，所以其反向电阻下降很多，由于普通二极管的反向击穿电压比稳压二极管高得多，因而普通二极管不击穿，其反向电阻仍然很大。2、发光二极管LED。发光二极管是一种将电能转换成光能的特殊二极管，是一种新型的冷光源，常用于电子设备的电平指示、模拟显示等场合。它常采用砷化嫁、磷化嫁等化合物半导体制成。发光二极管的发光颜色主要取决于所用半导体的材料，可以发出红、橙、黄、绿等四种可见光。发光二极管的外壳是透明的，外壳的颜色表示了它的发光颜色。发光二极管工作在正向区域，其正向导通(开启)工作电压高于普通二极管。外加正向电压越大，LED发光越亮，但使用中应注意，外加正向电压不能使发光二极管超过其最大工作电流，以免烧坏管子。对发光二极管的检测方法主要采用万用表的Rx10k挡，其测量方法及对其性能的好坏判断与普通二极管相同。但发光二极管的正向、反向电阻均比普通二极管大得多。在测量发光二极管的正向电阻时，可以看到该二极管有微微的发光现象。参考资料：百度百科-二极管检测参考资料：百度百科-万用表

芯片和半导体的区别：又称微电路、微芯片、集成电路，是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。工作原理：晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

不知道你想问什么.二极管分正负极的,接对才能亮,灯泡不分.

LED就是light emitting diode ，发光二极管的英文缩写，简称LED。它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。一般是用在显示屏和灯上面。它的优点：亮度高、工作电压低、功耗小、微型化、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长、耐冲击、性能稳定。LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。1.LED芯片的正向工作电流If：　　它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。　　2.LED芯片的正向工作电压VF：　　参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。　　3.V-I特性：　　发光二极体的电压与电流的关系，在正向电压正小于某一值(叫阈值)时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。　　4.发光强度IV：　　发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时，则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用烛光(坎德拉, mcd)作单位。　　5.LED的发光角度：　　-90°- +90°　　6.光谱半宽度Δλ:　　它表示发光管的光谱纯度。　　7.半值角θ1/2和视角：　　θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。　　8.全形：　　根据LED发光立体角换算出的角度，也叫平面角。　　9.视角：　　指LED发光的最大角度，根据视角不同，应用也不同，也叫光强角。　　10.半形：　　法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说，是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED芯片的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值，引入偏差角，指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。　　11.最大正向直流电流IFm：　　允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。　　12.最大反向电压VRm：　　所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极体可能被击穿损坏。　　13.工作环境topm:　　发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极体将不能正常工作，效率大大降低。　　14.允许功耗Pm:　　允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。普通二极管、整流二极管、开关二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管，等等。主要参数有正向电流、正向导通压降、反向击穿电压、工作温度范围、一些高速二极管还有结电容和恢复时间等参数二极管的参数：电流，电压，反向电流，极间电容，漏电流

楼主，附件是一些常用元件库。其中Miscellaneous Devices就是最常用的元件库。

贴片金属薄片晶振:SMD metal flake crystal 贴片铝电解电容:SMD aluminum electrolytic capacitor贴片排阻:Patch exclusion整流二极管:Rectifier diode贴片发光二极管:SMD LED大概就这样了。

　　它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。　　发光二极管简称为LED。由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。　　稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。

LED是英文light emitting diode的缩写，也就是我们所说的"发光二极管"。LED指示灯是发光二极管所有种类中的一种，只是功能为指示作用。

LED即半导体发光二级管。作背光源可以说是LED的应用之一。目前看单色LED的应用主要集中在指示；白光LED,尤其是大功率白光应用在照明领域，是新一代节能电光源的标志。

它们的结构简单说就是三明治的夹心结构，中间的夹心是有源区。二者的结构上是相似的，但是LED没有谐振腔，LD有谐振腔。LD工作原理是基于受激辐射、LED是基于自发辐射。LD发射功率较高、光谱较窄、直接调制带宽较宽，而LED发射功率较小、光谱较宽、直接调制带宽较窄。

Optoelectronics——LED

一、称英文简称：LED（Light Emitting Diode）二、在proteus中关键词搜索中输入其简称，即刻自动罗列出与之相关的元器件的详细参数三、LED位于DEVICE库中，类别属于Optoelectronics在PROTEUS绘制好原理图后，调入已编译好的目标代码文件：*.HEX，可以在PROTEUS的原理图中看到模拟的实物运行状态和过程。PROTEUS 是单片机课堂教学的先进助手。PROTEUS不仅可将许多单片机实例功能形象化，也可将许多单片机实例运行过程形象化。前者可在相当程度上得到实物演示实验的效果，后者则是实物演示实验难以达到的效果。扩展资料：其他设置：F8：全部显示 当前工作区全部显示F6：放大以鼠标为中心放大F7：缩小以鼠标为中心缩小G：栅格开关栅格网格Ctrl+F1：栅格宽度0.1mm 显示栅格为0.1mm，在pcb的时候很有用F2：显示栅格为0.5mm，在pcb的时候很有用F3：显示栅格为1mm，在pcb的时候很有用F4： 显示栅格为2.5mm，在pcb的时候很有用Ctrl+s：打开关闭磁吸 磁吸用于对准一些点的，如引脚等等x：打开关闭定位坐标 显示一个大十字射线m：显示单位切换 mm和th之间的单位切换，在右下角显示o：重新设置原点 将鼠标指向的点设为原点u：撤销键Pgdn：改变图层Pgup：改变图层Ctrl+Pgdn：最底层Ctrl+pgup：最顶层Ctrl+画线：可以划曲线R：刷新+ -：旋转F5：重定位中心参考资料来源：百度百科—proteus

没区别，发光二极管简称为LED

LEDLightEmittingDiode，即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光。LED可以直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。

二极管英文：diode。一、二极管二极管（英语：Diode）是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，是世界上第一种半导体器件，具有单向导电性能、整流功能。二极管的种类繁多，主要应用于电子电路和工业产品。经过多年来科学家们不懈努力，半导体二极管发光的应用已逐步得到推广，发光二极管的应用范围也渐渐扩大，它是一种符合绿色照明要求的光源，是普通发光器件所无法比拟的。二、结构组成二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。三、应用1、发光二极管在汽车以及大型机械中得到广泛应用。汽车以及大型机械设备中的方向灯、车内照明、机械设备仪表照明、大前灯、转向灯、刹车灯、尾灯等都运用了发光二极管。主要是因为发光二极管的响应快、使用寿命长(一般发光二极管的寿命比汽车以及大型机械寿命长)。2、在当今繁华的商业时代，霓虹灯是城市繁华的重要标志，但霓虹灯存在很多缺点，比如寿命不够长等。因此，用发光二极管替代霓虹灯有着很多优势，因为发光二极管与霓虹灯相比除了寿命长，还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点。

LPF Light-Emitting Diode LED light emitting diode 发光二极管

发光二极管英文缩写:LED发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛地应用于显示器和照明。LED最初用于仪器仪表的指示性照明，随后扩展到交通信号灯。再到景观照明、车用照明和手机键盘及背光源。后来发展出微型发光二极管(micro-LED)的新技术，其将原本发光二极管的尺寸大幅缩小，用可独立发光的红、蓝、绿微型发光二极管成阵列排列形成显示阵列用于显示技术领域。微型发光二极管具有自发光显示特性，比自发光显示的有机发光二极管(Organic Light Emitting DiodeOLED)效率高、寿命较长、材料不易受到环境影响而相对稳定。

发光二极管就是LED，英文是 Light Emitting Diode，翻译成汉语就是发光二极管。

方法/步骤1首先打开proteus系统软件，网上找到最小系统的原理图，按原理绘制。请点击输入图片描述请点击输入图片描述2在proteus中的【p】中选择所需要的零件有电阻RES、电容CAP、电解电容CAP-ELEC、复位开关BUTTON、晶振CRYSTAL、最后是单片机AT89C51请点击输入图片描述请点击输入图片描述END方法/步骤2接下来就开始在窗口把所需要的元件都放在绘图窗口中。首先绘制复位电路。请点击输入图片描述请点击输入图片描述请点击输入图片描述复位电路绘制完成绘制晶振电路，晶振是与两个并联的电容串联在电容中间接地。请点击输入图片描述最后在EA出画出+5v电源。在晶振与复位电路中画出电源和接地符号。请点击输入图片描述把各个元器件的属性改下，改成自己需要的大小，比如电阻的10K。请点击输入图片描述proteus中单片机的电源是默认就被接好的不需要我们绘制。最后单片机最小系统就绘制完成。请点击输入图片描述

二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

这个比较复杂，是基于不同区域掺杂不同杂质浓度不同制作的，具体要去看《半导体物理学》

整流，检波，稳压等