mos

mostly 和mainly是ost和ain不一样,也就是说,三个字母一样,三个字母不一样,这就是它们的区别

★首先先列出两词各有的意思：mostly————几乎全部地，多半；主要地；一般地，通常mainly————主要地；大部分地而mostly的词根是most，更多偏向于多半和通常；而mainly的词根是main，更多偏向于主要，就这样灵活区分就理解就可以了，并不是所有的词都是如此的泾渭分明！！！

mostly通常表数量，大多数，例如Theymostlyaregirls.表示他们大多数是女孩。mainly通常表示主要地，不表数量，例如Thearticleismainlyaboutfriendship.这个文章主要是讲友谊的。

分类: 教育/科学 >> 外语学习 问题描述: 单词mostly和mainly的区别？？怎么在做题中区分它们？？？ 解析: mostly有大部分;主要地,多半地, 大部分, 通常 的意思; The audience consisted mostly of women. 观众主要是妇女。 Our weather has been mostly warm. 我们这里的天气多半是暖和的。 The earth here is mostly clay. 这儿的土大部分是黏土。 Most of the Americans use their cars mostly for their job. 大多数美国人的汽车主要是用来上班的。 mainly则有大体上, 主要地 的意思; This school is mainly for boys; there are only a few girls in it. 这所学校主要招收男孩，女孩极少。

mostly和mainly的区别为：指代不同、用法不同、侧重点不同一、指代不同1、mostly：主要地。2、mainly：首要地。二、用法不同1、mostly：mostly强调数量占多半，近乎全部，用来修饰动词时，前者不能放在动宾之间，而后者则可以。2、mainly：mainly指主要部分，突出在一系列事物中的相对重要性。侧重某人或某物在众多的人或物中占主要和显著地位。三、侧重点不同1、mostly：通常表数量，大多数。2、mainly：通常表示主要地，不表数量。

mostly 通常表数量,大多数,例如They mostly are girls.表示他们大多数是女孩. mainly 通常表示主要地,不表数量,例如 The article is mainly about friendship.这个文章主要是讲友谊的.

mostly和mainly的意思相近，都是指“主要地”，“大多数地”，但稍有不同：1. mostly用于描述大多数情况下的情况，通常用于一般概括。例如：- She mostly eats vegetables for her meals.（她大多数时候吃蔬菜。）- I mostly work from home these days.（我这些天大多数时间在家工作。）2. mainly用于指出某一件事是更为重要或突出的。例如：- The conference mainly addressed issues related to climate change.（这次会议主要涉及气候变化相关的问题。）- I like sports mainly for the social aspect.（我主要喜欢运动是因为它能提高社交能力。）

mostly有大部分;主要地,多半地, 大部分, 通常 的意思; The audience consisted mostly of women. 观众主要是妇女。 Our weather has been mostly warm. 我们这里的天气多半是暖和的。 The earth here is mostly clay. 这儿的土大部分是黏土。 Most of the Americans use their cars mostly for their job. 大多数美国人的汽车主要是用来上班的。 mainly则有大体上, 主要地 的意思; This school is mainly for boys; there are only a few girls in it. 这所学校主要招收男孩，女孩极少。

mostly和mainly的区别为：指代不同、用法不同、侧重点不同一、指代不同1、mostly：主要地。2、mainly：首要地。二、用法不同1、mostly：mostly强调数量占多半，近乎全部，用来修饰动词时，前者不能放在动宾之间，而后者则可以。2、mainly：mainly指主要部分，突出在一系列事物中的相对重要性。侧重某人或某物在众多的人或物中占主要和显著地位。三、侧重点不同1、mostly：通常表数量，大多数。2、mainly：通常表示主要地，不表数量。

mostly和mainly的区别为：指代不同、用法不同、侧重点不同一、指代不同1、mostly：主要地。2、mainly：首要地。二、用法不同1、mostly：mostly强调数量占多半，近乎全部，用来修饰动词时，前者不能放在动宾之间，而后者则可以。2、mainly：mainly指主要部分，突出在一系列事物中的相对重要性。侧重某人或某物在众多的人或物中占主要和显著地位。三、侧重点不同1、mostly：通常表数量，大多数。2、mainly：通常表示主要地，不表数量。

这两个是不一样的，mainly是说主要的，一般说mainly because 主要因为或主要原因，而mostly是指大部分的

mostly强调数量上的“大部分,主要地”eg.The sudents in our class are mostly from Jiangsu.mainly强调程度上的“大部分,主要地”eg.This article is mainly about his travels to foreign countries.

选D。通过分析句子结构可知，Lionel Messi is considered the most talented football player in Europe.为主句，________the record for the most goals in a calendar year 在句中作状语，逻辑主语Lionel Messi与set构成主动关系，故先排除A；再根据句意“莱昂内儿·梅西，在一个日历年度创下了最多的进球纪录，被认为是欧洲最有才华的足球运动员。”可知，“创纪录”在先，“被认为是最有才华的球员”在后，故用动词现在分词的完成式having set最为贴切。

大哥，这是BIOS的设置，属于正常情况拉。不会对电脑有影响在BIOS里通过CMOS设置来输入网卡MAC地址:1、首先获取主板板载网卡的MACAddress值，

Alleine Zu Zweit 　　孤身的一对 　　Am Ende der Wahrheit 　　在事实的尽头 　　Am Ende des Lichts 　　在光线的尽头 　　Am Ende der Liebe 　　在爱的尽头 　　Am Ende - da stehst Du 　　在尽头-你站在那儿 　　(Im Herzen wird es leerer - ein Teil geht nun von mir) 　　心中变得更空- 我的一部分离开离开了我 　　Nichts hat überlebt 　　没有残存下什么 　　Wir haben schweigend uns schon lange getrennt 　　我们早就默默无语地分了手 　　Und mit jedem Tag "Wir" 　　每天“我们”这两个字 　　Wuchs die Lüge unserer Liebe 　　只是增加着我们爱的谎言 　　Und je weiter wir den Weg zusammen gingen 　　我们一起走得越远 　　Desto weiter haben wir uns voneinander entfernt 　　我们彼此却分得越开 　　 　　Einsam - Gemeinsam 　　寂寞-在一起 　　 　　Wir haben verlernt uns neu zu suchen 　　我们忘了如何重新找到自己 　　Die Gewohnheit vernebelt 　　习惯遮住了视线 　　Die Traegheit erstickt 　　惰性使人窒息 　　Der Hochmut macht trunken 　　自大使人陶醉 　　Und die Naehe treibt zur Flucht 　　亲密导致了逃离 　　 　　Tanz - mein Leben - tanz 　　舞- 我的生命- 舞 　　Tanz mit mir 　　与我同舞 　　Tanz mit mir noch einmal 　　与我再次同舞 　　In den puren Rausch der nackten Liebe 　　在爱的纯粹的疯狂中 　　 　　Und wenn ich sie/ihn so sehe 　　当我这样看到他/她 　　Wenn ich sie/ihn erlebe 　　当我这样经历他/她 　　Wenn ich uns betrachte 　　当我端详我们自己 　　Etwas hat überlebt 　　有些东西幸存了下来 　　Und wenn ich Kraft und Hoffnung faende 　　当我还能找到力量和希望 　　Wenn ich selbst noch den Glauben an uns haette 　　当我对我们还有信心 　　Wenn ich sie/ihn erreichen koennte 　　当我还能触及他/她 　　Sie/Ihn noch einmal für mich haette 　　还能拥有他/她 　　Wenn die Basis - unser Fundament 　　当基础-我们的基础 　　Wenn wir uns noch einmal neu entdecken würden 　　当我们又一次发现对方 　　Wenn sie/er nur wollte 　　当她/他只想要 　　Ich will! 　　我要！

cosmos n. (被视作和谐体系的）宇宙 名词复数 cosmos, cosmoses universe n. 宇宙，万物，世界 (1)n.宇宙 the whole system of suns,planets.etc.existing in their places Do you know Einstein"s theory about the universe? 你知道爱因斯坦关于宇宙的理论吗？ No one knows for universe extension. 谁也不知道宇宙的范围有多大。 (2)n.宇宙万物 the whole system of created things viewed as a whole (3)n.全世界 the world在西方，宇宙这个词在英语中叫cosmos，在俄语中叫кocMoc ，在德语中叫kosmos ，在法语中叫cosmos。它们都源自希腊语的κoσμoζ，古希腊人认为宇宙的创生乃是从浑沌中产生出秩序来，κoσμoζ其原意就是秩序。但在英语中更经常用来表示“宇宙”的词是universe。此词与universitas有关。在中世纪，人们把沿着同一方向朝同一目标共同行动的一群人称为universitas。在最广泛的意义上，universitas 又指一切现成的东西所构成的统一整体，那就是universe，即宇宙。universe和cosmos常常表示相同的意义，所不同的是，前者强调的是物质现象的总和，而后者则强调整体宇宙的结构或构造。

C语言调试中syntax error错误的意思“语法错误，也就是大家在输入代码过程中输入错误的语句，是你的程序发生了语法上的错误。在C/C++中指语句的格式不对，比如少写了分号、少写或多写了括号、写错了关键字等。如果你是java语言在myeclipse下做开发，这个错误的原因还有可能是该脚本语言所用的语言编码不对，可换成UTF-8或者GBK。

两者意义不同。most有最多、大多数两个含义。massive指巨大的。vast辽阔的，一般指自然界的事物，例如草原、大海等。Mass，英语单词，名词、形容词、及物动词、不及物动词，作名词时意为块，团。群众，民众。大量，众多。

nemo：1,玩具总动员中的小鱼的名字.2现场转播节目 Shrek ：史莱克 the Monkey King：是西游记（美猴王）的英文名 Tintin:世界上最出名的比利时人――丁丁 Snoop:1.到处窥视 2.爱管闲事的 人 3.私家侦探 4.史奴比(snoopy) (希望以上能解决你的问题

我是我们是

utmost做形容词是：最大的;最远的;极度的；名词是：极限;极度;最大可能maximum:adj.最高的; 最大的; 最大限度的; 最高(点)的; 最大(量)的n.最多; 最大量; 最高(监禁)刑罚;adv.最多;

Themostbeautifulperson Tome,thwmostbeautifulpersonisLeiFeng.There"ssomereasonsforthis.Forexample,healwayshelpedotherpeople.Ontheotherhand,heevenlosthistwolegstosavealittlegirl.Inaddition,healsohelpedtheoldpeoplewhowasintrouble.Inmyopinion,heisthemostbeautifulpersonlhaveeverknown.Asaresult,lhavelearntthatweshouldhelpeachotherfromhim 325给你一编范文看看，希望对你有帮助

to waitIt means to wait.

C. artificial。 artificial flower是人造花、仿真花的意思。

The person I admire most is Lee Lai Shan who is the first windsurfer from Hong Kong winning an Olympic gold medal. I admire her because she has proved that Hong Kong could also produce outstanding athletes like other countries. When she was young she lived on the island of Cheung Chau where she entered the world of windsurfing under the guidance of her uncle. She practised windsurfing everyday very hard even on the days with bad weather. The main thing I admire about is her persistence. It is very difficult to keep practising daily because there are so many distractions that tempt you to give up your practice. However she had a strong determination and great enthusia *** in windsurfing that had allowed her overe the distractions which eventually earned her the gold medal. I would like to have such persistence as her which would surely be helpful to my studies. Another thing I like about her is that she was still very nice and humble to the others after she won the gold medal in 1996. She continued to practise hard as before and did many things to encourage the development of local sports. It appealed to me a lot. I am also very impressed that she was still as determined as before after winning the medal. Winning many other races thereafter she is absolutely an outstanding athlete! Finally I must take my hat off to Li Lai Shan whom I have much to learn from. 希望帮到你。 2013-08-20 22:22:25 补充： 我们名字的第二个字都是「月」呢 2013-08-21 00:34:06 补充： 最尾是 Lee Lai Shan 参考: 自己

oneofthemostclassic。oneofthemost加形容词最高级。oneofthemost意为其中最著名的之一，oneof+最高级形容词+名词复数+单数谓语动词之一。

你好！You are the most stinging rose你是最带刺的玫瑰

mos管的作用如下：1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。

电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。特点——用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。电力MOSFET的结构小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS）截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。电力MOSFET的基本特性(1)静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。(2)MOSFET的漏极伏安特性（即输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）饱和区（对应于GTR的放大区）非饱和区（对应GTR的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时导通。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。(3)动态特性开通过程开通延迟时间td(on) 上升时间tr开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和关断过程关断延迟时间td(off)下降时间tf关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。电力MOSFET的主要参数 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额(3)栅源电压UGS—— UGSuf0bd>20V将导致绝缘层击穿 。(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS另一种介绍说明：场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。一、结构与分类图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区（用P 表示），形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。在形成PN结过程中，由于P 区是重掺杂区，所以N一区侧的空间电荷层宽度远大二、工作原理N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。1．栅源电压UGS对导电沟道的影响（设UDS＝0）在图Z0123所示电路中，UGS ＜0，两个PN结处于反向偏置，耗尽层有一定宽度，ID=0。若|UGS| 增大，耗尽层变宽，沟道被压缩，截面积减小，沟道电阻增大；若|UGS| 减小，耗尽层变窄，沟道变宽，电阻减小。这表明UGS控制着漏源之间的导电沟道。当UGS负值增加到某一数值VP时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（VP称为夹断电压）此时，漏源之间的电阻趋于无穷大。管子处于截止状态，ID＝0。2．漏源电压UGS对漏极电流ID的影响（设UGS＝0）当UGS＝0时，显然ID＝0；当UDS＞0且尚小对，P N结因加反向电压，使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位，使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在UDS较小时，沟道呈现一定电阻，ID随UDS成线性规律变化（如图Z0124曲线OA段）；若UGS再继续增大，耗尽层也随之增宽，导电沟道相应变窄，尤其是近漏端更加明显。由于沟道电阻的增大，ID增长变慢了（如图曲线AB段），当UDS增大到等于|VP|时，沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为漏源两极间的场强已足够大，完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS （这种情况如曲线B点）：当UDS＞|VP|再增加时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分，形成夹断区 。由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多，所以比|VP|大的那部分电压基本上降在夹断区上，使夹断区形成很强的电场，它完全可以把沟道中向漏极漂移的电子拉向漏极，形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的电子也基本保持不变，管子呈恒流特性（如曲线BC段）。但是，如果再增加UDS达到BUDS时（BUDS称为击穿电压）进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能，这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使ID急剧增加而出现击穿现象（如曲线CD段）。由此可见，结型场效应管的漏极电流ID受UGS和UDS的双重控制。这种电压的控制作用，是场效应管具有放大作用的基础。 三、特性曲线1．输出特性曲线输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时，漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线，如图Z0124所示。由图可知，各条曲线有共同的变化规律。UGS越负，曲线越向下移动）这是因为对于相同的UDS，UGS越负，耗尽层越宽，导电沟道越窄，ID越小。由图还可看出，输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。◆可变电阻区：预夹断以前的区域。其特点是，当0＜UDS＜|VP|时，ID几乎与UDS呈线性关系增长，UGS愈负，曲线上升斜率愈小。在此区域内，场效应管等效为一个受UGS控制的可变电阻。◆恒流区：图中两条虚线之间的部分。其特点是，当UDS＞|VP|时，ID几乎不随UDS变化，保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制，两者变量之间近乎成线性关系，所以该区域又称线性放大区。◆击穿区：右侧虚线以右之区域。此区域内UDS＞BUDS，管子被击穿，ID随UDS的增加而急剧增加。2．转移特性曲线当UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。实验表明，当UDS＞|VP|后，即恒流区内，ID 受UDS影响甚小，所以转移特性通常只画一条。在工程计算中，与恒流区相对应的转移特性可以近似地用下式表示：Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp)式GS0127中VP≤UGS≤0，IDSS是UGS＝0时的漏极饱和电流。图为输出特性曲线

以NMOS场效应管为例，开始没有导电沟道，Vgs增大，就出现反型层，出现导电沟道，当Vds=0时，没有电流。当Vds慢慢增大，会使得靠近漏极的电势差减小。Vgs-Vds<VT,也就是Vgd<VT, 既然这个电压小于导通电压，当然要夹断了哦。不足以生成反型层啊。

目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。它们是电流控制装置和电压控制装置。FET的增益等于其跨导)gm，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

K是工艺常数，是电子迁移率和单位面积电容乘积；L是沟道长度，W是沟道宽度，Vgs是栅极电压，Vt是开启电压。可以找个模拟cmos的书看，里面都有的。

可以，做过同步整流的都知道，不懂的人千万别乱说，误导人啊。

D或S极串有负载呀!要不MOSFET就没有用了!

答：第一点：电力 MOSFET 大多采用了垂直导电结构，增大了通过电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。第二点：电力通常需要高压大电流的mosfet，信息电子电路相比电力，电压和电流都小很多，mosfet的耐压和电流自然小些。第三点：电力MOSFET多了个低掺杂N区，该区由于掺杂浓度低，使得其接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，因此能承受高电压。第四点：mosfet工艺是一样的，是可以通用的，不是说信息电子电路mosfet就不能用在电力上，电力的一些设备也有只需要低压小电流的。【电力场效应晶体管】1，电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型，简称电力MOSFET。2，P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高。但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装置，其工作原理与普通MOSFET一样。3，用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。4，利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。5，N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。

MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)是一种三极场效应晶体管，是电子学中常用的晶体管器件之一。它具有高电流增益、高电压驱动能力和低功耗等优点，广泛应用于电路设计中。MOSFET由三个极层组成，包括：源极(source)：连接到N沟道区域，电流进入晶体管的端点。汇极(drain)：连接到P沟道区域，电流流出晶体管的端点。连接极(gate)：与N沟道区域相隔离，通过一层氧化膜与N沟道区域相连。工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。当连接极的电压为负时，N沟道区域的电流会减少，这种情况下称为开关关闭。此时电流流量很少，几乎为零。MOSFET分为两种：nMOS,pMOS分别由N型沟道区域和P型沟道区域组成。

一、指代不同1、耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件。2、增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。二、特点不同1、耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。2、增强型：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 (必须小于0.5V) 时才产生沟道而导电；输出伏安特性仍然为饱和特性。三、原理不同1、耗尽型：当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。2、增强型：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。参考资料来源：百度百科-增强型场效应晶体管参考资料来源：百度百科-fet参考资料来源：百度百科-MOSFET

从应用结构上看，由于MOSFET在可携式产品、LCD TV等消费性电子产品中的广泛应用，使得消费性电子成为MOSFET最大的应用市场；而凭借着在主机板中的大量应用，计算机领域居次，工业控制则是第三大应用领域。赛迪顾问预测，未来受到Netbook与山寨笔记型计算机的带动，主机板仍将成为中国MOSFET市场快速发展的主要推动力。 而受到金融危机的影响，中国手机产量成长率在2008年出现大幅下降，2009年甚至将出现负成长，由于MOSFET在手机中主要用在手机充电保护，手机产量成长速度趋缓将在一定程度上影响该领域对于MOSFET的需求。从市场需求量上看，主机板、Light ballast、笔记型计算机是排名前三大的MOSFET终端应用产品。 从电压结构上看，由于小于200V的低压MOSFET主要用在主机板、笔记型计算机以及大量可携式产品中，使用范围最为广泛，市场需求量最大，这其中小于50V的MOSFET市场需求量位于各电压等级之首，2008年市场需求量为110.4亿颗。 而在大于200V的高压MOSFET市场中，用于AC/DC的600~800V MOSFET产品需求量最大，2008年市场需求量达到34.9亿颗。未来，在主机板、笔记型计算机、液晶电视以及可携式产品的带动下，低压MOSFET将具有更大的发展空间，也成为厂商竞争的重点。 从封装结构上看，TO-220、SOT-23/TO-92/SC-70/SC-75、SO-8、DPAK是销售量前四名的MOSFET封装形式。其中TO-220主要应用在AC/DC中，而SOT-23/TO-92/SC-70/SC-75、SO-8由于其封装尺寸比较小，主要应用在消费性电子领域以及笔记型计算机计算机整机产品中。在主机板产品中则主要采用了DPAK、LFPAK封装形式的MOSFET产品。 赛迪顾问预测，未来随着终端产品对于体积、能效等要求的不断提升，MOSFET封装将向着小型化、良好的散热性以及更高的功率密度方向发展，更多的新型封装产品将会陆续出现。 从电流结构上看，电流小于10A的产品占据市场主流位置，这其中又以电流小于5A的产品占据最大比例，2008年电流小于5A的MOSFET需求量为100.6亿个。而笔记型计算机产量的持续快速增加则带动了电流在20~100A MOSFET的市场需求。 未来随着CPU供电等级的逐步降低，将会对MOSFET输出电流提出更高的要求，如何最大程度地降低导通电阻、提升输出电流能力，将成为MOSFET供货商的努力目标。中国本土MOSFET业者快速崛起 目前在中国MOSFET市场竞争中依旧以欧美厂商占据优势地位；根据赛迪顾问统计，2008年排名前10大的MOSFET供货商中，欧美厂商占据八席。凭借着在低压和高压MOSFET领域的良好表现，2008年，Fairchild以26.8亿元人民币占据市场首位元，ST以0.8亿元之差名列第二。 Vishay则凭借着传统低压MOSFET的优势地位和高压产品的陆续导入，市场占有率有所提升，2008年名列市场第三，销售额达到17.7亿元。IR则由于缺少了高压MOSFET部份，市场占有率有所下滑，名列第五。 除欧美企业外，台湾和韩国业者也在中国市场占据一定的比例；在台湾业者中，茂达、富鼎都具有一定的竞争实力，与欧美企业从事产品制造生产不同，台湾业者多以设计业的形式出现。从市场定位上看，台湾业者也更专注于消费性领域和主机板用MOSFET，良好的产品性价比是台湾企业取胜的关键。 而在韩国企业中，AUK、KEC、semiHOW、pdsemi是代表企业，在中国占有一定的市场比例；其中AUK最具产品性价比，也是在中国出货量比较大的韩国企业；semiHOW技术实力则最强。但近年来，在台湾业者的竞争下，韩国厂商在中国市场发展趋缓。 相对于台湾业者的快速发展和韩国业者在中国市场的发展趋缓，近年来中国本土业者在MOSFET产品上正逐步发力，并且由代工服务向自主设计、自主研发转变。早期，我国从事MOSFET产品代工服务的主要企业包括华虹NEC、无锡华润上华以及吉林华微，其中华虹NEC为AOS代工、华润上华、吉林华微则主要为Fairchild代工。 赛迪顾问表示，考虑到技术流失的问题，国外大厂在中国国内进行代工服务十分谨慎，其产品主要以低阶MOSFET为主，如Fairchild在中国代工的产品全部为低阶平面式MOSFET，产品技术保密性要求已经非常低。 而随着市场的逐步发展，在原有代工服务的基础上，近年来中国陆续涌现一批MOSFET设计企业，而一些有实力的中国本土离散组件制造商，为了摆脱现有低阶产品价格竞争激烈、利润率低的现状，正逐步提升自身产品结构导入利润率更高的MOSFET产品。 2008年11月，吉林华微投资兴建的6代线建成投产，该生产线将主要从事MOSFET自主产品的生产。除吉林华微外，比亚迪也已成功开发并量产了多款MOSFET产品。 从现在的发展情况上看，虽然中国企业还处于起步阶段，但发展态势迅猛；赛迪顾问表示，由于本土企业在价格上的突出优势，在一些领域中，中国MOSFET产品可望快速切入。而中国本土企业的产品放量必定会带动此类产品市场价格的快速下滑，届时现有MOSFET大厂必定将面临极大的竞争压力，在中国业者的冲击下，市场竞争格局极有可能将重新洗牌。

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT；多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾，关断速度会减低；MOS就是MOSFET的简称了；IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅的电流减小，或可控硅AK两端加反压，才能关断；IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以内。

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。扩展资料：对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

功率mosfet做为主功率器件传递能量的；而普通的mosfet一般用作驱动回路。

三极管是电流控制型器件mosfet是电压控制型器件两者都可应用在模拟电路和数字电路中mosfet可以做到高耐压，高反压和大电流三极管一般比较困难

gto是可关断晶闸管,gtr是大功充晶体管,mosfet是场效应晶体管,igbt是gtr与mosfet是合成器件.现在一般都用igbt,因为它是用电压来控制,被控电流大,频率可以做的较高,开关功率小.具体的区别请电力电子方面的书籍,一两句话讲不清楚.

分类: 教育/科学 >> 科学技术 >> 工程技术科学 解析: 你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。

mos管的作用如下：1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。

mos管的作用如下：1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。

场效应管和mos管区别主要体现在：主体不同、特性不同和规则不同。主体不同场效应管：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。特性不同场效应管：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。MOS管：主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。规则不同场效应管：将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。MOS管：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。

MOSFET全称是“金属氧化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。　　MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为n-channel与p-channel的MOSFET，通常又称为NMOSFET 与PMOSFET。

　　mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。　　 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。　　首先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。　　当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。　　MOS电容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反转（VBG＝3V），（C）积累（VBG＝-3V）。　　中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。　　MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。　　MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对soure和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。　　Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。　　晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”， 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。

MOS是场效应管，全称是MOSFET金属氧化物场效应晶体管，属于电压控制电流器件，双载流子器件，特点是输入阻抗超级高，一般的是1TΩ左右，如果要和别的管子比嘛，在完全导通的时候相比和BJT双结型晶体管比的话，工作的时候没有像双结型晶体管一样完全打开有1.1~0.7V的压差，场管打开完全导通，电阻是毫欧姆级别，截止和放大的话我觉得差不多，在频率高和低应用各有各的特点这个就不好说。但是现在在大功率大电流高电压的情况下MOS管有很大的优势，两者和混合的情况嘛，在大功率高电压的叫做绝缘栅型晶体管IGBT，集合两种各有各的优点的管子。MOS管具体什么特性还是烦请您看百度百科词条，解释的非常清楚。

电子行业，是一种晶体管！

这里你是没有说明两个条件，一是电源是交流还是直流的220V，这个电压很容易让人想到是交流市电，交流是不能直接接到MOSFET上的;二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开;PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。

开关管

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

9A650V通用型号就叫9N65很常用的料随便哪个做MOS的供应商都有的。

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。扩展资料：对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

　　输入电容Ciss，输出电容Coss，反馈电容Crss，其中：Ciss=Crss+Cgs，Coss=Cds+Crss。　　（Cgs为门极电容）

一个是P沟道,一个是N沟道.NMOS要在GS为正向电压是导通..PMOS在GS为负电压时导通.

1、工作性质：三极管属于电流控制，MOS管属于电压控制。 2、成本方面：三极管价格比MOS低。 3、功耗方面：三极管损耗比MOS大。 4、驱动能力：三极管用于数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

　　因为MOSFET自带体二极管，因此反向加电压的话，二极管就会导通；因此MOSFET只有正向击穿电压，而没有反向击穿电压。所以只有很小的反向击穿电压。　　金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

与问题的难度相比，你的悬赏太少了。

这样才能产生沟道

关闭电压就是它开启的阀值

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT；多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾，关断速度会减低；MOS就是MOSFET的简称了；IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅的电流减小，或可控硅AK两端加反压，才能关断；IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以内。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。 场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

　　MOSFET-P和MOSFET-N的区别：　　1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；　　2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。　　而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。　　N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。

fet场效应管mos是金属—氧化物—半导体mosfet是金属—氧化物—半导体场效应管mos结构就是采用金属—氧化物—半导体场效应管构成的mos电容是通过一定接法把mos管用作电容。主要是在集成电路设计中使用。

mos管的作用如下：1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。

MOSFET DS极不分，它允许电流流动方向的正面和负面的。因此，只要用合适的控制电压G极，一个开放的实际应用电路的控制开关，考虑的控制电路和保护电路。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件特性）。当栅源电压差为0时，漏源之间不会形成电流前段（工作在截止区）。结构特点：MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

mosfet开关原理MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)开关原理是基于在MOSFET的晶体管中控制门电流来控制通过源极和汇极之间的电流。当门电流增加时，源极和汇极之间的电流也会增加，这样MOSFET就会被“打开”。当门电流减少时，源极和汇极之间的电流也会减少，这样MOSFET就会被“关闭”。这种方式的控制使得MOSFET具有高电阻和高电流能力，是现在广泛使用的开关元器件。

功率放大，放大倍数比三极管大很多，具体要看什么型号和封装。

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。扩展资料：主要参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。对比Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。参考资料：百度百科-MOSFET

MOSFET全称是“金属氧化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。　　MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为n-channel与p-channel的MOSFET，通常又称为NMOSFET 与PMOSFET。

什么是MOSFET，MOSFET介绍 MOSFET： 金属-氧化物半导体场效应电晶体，简称金氧半场效电晶体（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效电晶体（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种型别，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。 什么是MOSFET MOSFET 全称是“金氧半导体场效电晶体”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 为减少续流电流在寄生二极体上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极体 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为n-channel与p-channel的MOSFET，通常又称为NMOSFET 与PMOSFET。 金属 - 氧化物 - 半导体场效应电晶体金属 - 氧化物半导体场效应电晶体，金氧半导体场效应effecttransistor [E]金氧半导体场效应电晶体 场效电晶体，一般用作开关元件。质量都差不多，似乎英飞凌的好一点。 什么是MOSFET继电器 MOSFET： 全称Metal-Oxide Field-Effect Transistor金氧半导体场效电晶体 M: Metal 金属 O: Oxide 氧化物 S: Semiconductor 半导体 F: Field 场 E: Effect 效应 T: Transistor 电晶体 它是LED+MOSFET晶片=继电器功能 实现继电器功能的。 什么是mosfet的sr和scs模型 S-R 即开关--电阻 模型； S-CS 即 开关--电流源 模型； Switch 开关 Resistance 电阻 Current Source 电流源 什么是功率mosfet的雪崩耐量 MOSFET的雪崩特性是在外加电压大于V(BR)DSS时MOSFET也不会遭到破坏的最大漏源间的能量，用漏极电流的值来表示。当负载为电感时．在管子截止时加在漏源间的冲击电压常常会大+V(BR)DSS。 mosfet是什么管 金属－氧化物场效电晶体。 MOSFET管是什么? 高压金属氧化物矽场效应电晶体(MOSFET) 它的热阻低，针对马达驱动器、负载开关及液晶显示器（lcd）背光反向照明器应用，它能够帮助设计师减少损耗，提高电路效率 MOSFET器件是什么 金属-氧化层-半导体-场效电晶体，简称金氧半场效电晶体（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效电晶体（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 详细见百科:baike.baidu./view/509184.?wtp=tt

用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。首先你要确认是否是MOSFET短路，去下mosfet，看看线路的GS和DS是否短路，如果PCB不短路说明MOSFET短路，这就可能是你的电流过大导致MOSFET短路，这有可能是你后端电路短路引起的，如果PCB都短路了,那就一定是后端电路引起的，你就要好好检查电路了

mesfet是由PN结场效应管改进得到的，原理基本相同，PN结场效应管是利用两边为P型高掺杂半导体、中间为N型掺杂半导体作为导电沟道得到的，当所加栅源电压不同时，两个相对的PN结的空间电荷区宽度不一样，所以以此控制中间的导电沟道区宽度，导电沟道区宽度改变相当于电阻改变，从而电流改变（以N型jeft为例）。mesfet原理基本一样，只不过它不是通过PN的空间电荷区来改变导电沟道的，而是上层为金属，中间同样为N型半导体作为导电沟道，下层一般为GaAs（衬底），这时候要求金属（一般用Al）的费米能级比N型半导体的要低，所以N型半导体的电子流向金属，这样N型半导体就形成了空间电荷区（耗尽层，没有电离电子），同样的可以通过栅源电压改变这个空间电荷区的宽度，以此来控制导电沟道的宽度。而mosfet就不一样了，它的上层为金属，接着为氧化层（SiO2），接着为P型半导体（衬底），两侧为N型高掺杂半导体分别作为源极和漏极，通过改变栅源电压，可以改变P型衬底表面的载流子类型，例如所加电压为负时，表面积累空穴，没有形成N型导电沟道，应为两侧为N型高掺杂半导体，所以要积累电子才能导电；当栅源电压为正时（要大于开启电压），表面将会积累电子，我们知道P型半导体的多子为空穴，当积累的电子多与空穴时，便会形成N型导电沟道，从而导通，所加的栅源电压、漏源电压不同，则电流也不同。最后说说两者的电流电压特性，当栅源电压一定时，漏源电压达到一定时，导电沟道会发生夹断，此后电流饱和，不随漏源电压而变化；当漏源电压大于击穿电压时，会发生击穿，电流剧增；当漏源电压比较小时，电流与电压呈线性关系。当栅源电压小于开启电压时，处于截止，没有导电沟道，电流只有很小的反向扩散电流。至于高频特型，这涉及到电容的问题，比较复杂，我只大略说说mosfet的，在高频时，P型衬底的表面电荷（反型层）跟不上变化，所以存在，耗尽层电容与氧化层电容，所以高频特性不是很好。更详细的内容我觉得你可以参考《微电子器件与IC设计基础》 刘刚等著，里面内容非常好，解析的很清楚。

一、主体不同1、场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。2、MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。二、特性不同1、场效应：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。2、MOS管：主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。三、规则不同1、场效应：将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。2、MOS管：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。参考资料来源：百度百科-场效应管参考资料来源：百度百科-MOSFET