芯片

台积电表示，7nm于2018年4月正式投入量产。目前已服务全球数十家客户，打造了100多款芯片产品。1.比特大陆矿机芯片:比特大陆是全球最大的比特币矿机芯片制造商。由于采矿对能源效率的要求更高，推出新技术的优势显而易见。比特大陆是2017年TSMC的VIP客户，当时比特币很热。一度比苹果和海思重要，重金买了16nm和后来的7nm。河可以点餐。2.XilinxFPGA芯片:Xilinx是全球领先的完整可编程逻辑解决方案供应商。Xilinx开发、制造和销售广泛的高级集成电路、软件设计工具和作为预定义系统级功能的IP(intellectualProperty)内核。3.苹果A9-A14芯片:苹果的芯片早期不仅是三星生产的，也是三星设计的。最新的iPhone12系列从苹果A9开始更新到了TSMC的16nm。4.麒麟980芯片:麒麟980是华为设计的4*A76+4*A55八核芯片。采用TSMC7nm工艺制造，最高频率可达2.6GHz

分类: 理工学科 >> 工程技术科学 问题描述: 各个芯片制造公司都有很多工厂。称为Fab，如TSMC的Fab7。 请问Fab是什么意思？ 这种厂的功能是什么？是完成全套从Wafer到CHIP的流程还是，只是其中某一部分功能。 谢谢解析: ue5e5ue5e5最近有不少的弟兄谈到半导体行业，以及SMIC、Grace等企业的相关信息。 在许多弟兄迈进或者想要迈进这个行业之前，我想有许多知识和信息还是需要了解的。 正在半导体制造业刚刚全面兴起的时候，我加入了SMIC，在它的Fab里做了四年多。历经SMIC生产线建立的全部过程，认识了许许多多的朋友，也和许许多多不同类型的客户打过交道。也算有一些小小的经验。就着工作的间隙，把这些东西慢慢的写出来和大家共享。 从什么地方开始讲呢？就从产业链开始吧。 有需求就有生产就有市场。 市场需求（或者潜在的市场需求）的变化是非常快的，尤其是消费类电子产品。这类产品不同于DRAM，在市场上总是会有大量的需求。也正是这种变化多端的市场需求，催生了两个种特别的半导体行业——Fab和Fab Less Design House。 我这一系列的帖子主要会讲Fab，但是在一开头会让大家对Fab周围的东西有个基本的了解。 像Intel、Toshiba这样的公司，它既有Design的部分，也有生产的部分。这样的庞然大物在半导体界拥有极强的实力。同样，像英飞凌这样专注于DRAM的公司，活得也很滋润。至于韩国三星那是个什么都搞的怪物。这些公司，他们通常都有自己的设计部门，自己生产自己的产品。有些业界人士把这一类的企业称之为IDM。 但是随着技术的发展，要把更多的晶体管集成到更小的Chip上去，Silicon Process的前期投资变得非常的大。一条8英寸的生产线，需要投资7~8亿美金；而一条12英寸的生产线，需要的投资达12~15亿美金。能够负担这样投资的全世界来看也没有几家企业，这样一来就限制了芯片行业的发展。准入的高门槛，使许多试图进入设计行业的人望洋兴叹。 这个时候台湾半导体教父张忠谋开创了一个新的行业——foundry。他离开TI，在台湾创立了TSMC，TSMC不做Design，它只为做Design的人生产Wafer。这样，门槛一下子就降低了。随便几个小朋友，只要融到少量资本，就能够把自己的设计变成产品，如果市场还认可这些产品，那么他们就发达了。同一时代，台湾的联华电子也加入了这个行当，这就是我们所称的UMC，他们的老大是曹兴诚。——题外话，老曹对七下西洋的郑和非常钦佩，所以在苏州的UMC友好厂（明眼人一看就知道是UMC在大陆偷跑）就起名字为“和舰科技”，而且把厂区的建筑造的非常有个性，就像一群将要启航的战船。 ----想到哪里就说到哪里，大家不要见怪。 在TSMC和UMC的扶植下，Fab Less Design House的成长是非常可观的。从UMC中分离出去的一个小小的Design Group成为了著名的“股神”联发科。当年它的VCD/DVD相关芯片红透全世界，股票 也涨得令人难以置信。我认识一个台湾人的老婆，在联发科做Support工作，靠它的股票在短短的四年内赚了2亿台币，从此就再也不上班了。 Fab Less Design House的成功让很多的人大跌眼镜。确实，单独维持Fab的成本太高了，所以很多公司就把自己的Fab剥离出去，单独来做Design。 Foundry专注于Wafer的生产，而Fab Less Design House专注于Chip的设计，这就是分工。大家都不能坏了行规。如果Fab Less Design House觉得自己太牛了，想要自建Fab来生产自己的Chip，那会遭到Foundry的 *** ，像UMC就利用专利等方法强行收购了一家Fab Less Design House辛辛苦苦建立起来的Fab。而如果Foundry自己去做Design，那么Fab Less Design House就会心存疑惑——究竟自己的Pattern Design会不会被对方盗取使用？结果导致Foundry的吸引力降低，在产业低潮的时候就会被Fab Less Design House抛弃。 总体来讲，Fab Less Design House站在这个产业链的最高端，它们拥有利润的最大头，它们投入小，风险高，收益大。其次是Foundry(Fab)，它们总能拥有可观的利润，它们投入大，风险小，受益中等。再次是封装测试（Package&Testing），它们投入中等，风险小，收益较少。 当然，这里面没有记入流通领域的分销商。事实上分销商的收益和投入是无法想象和计量的。我认识一个分销商，他曾经把MP3卖到了50%的利润，但也有血本无归的时候。 所以Design House是“三年不开张，开张吃三年。”而Fab和封装测试则是赚个苦力钱。对于Fab来讲，同样是0.18um的8英寸Wafer，价格差不多，顶多根据不同的Metal层数来算钱，到了封装测试那里会按照封装所用的模式和脚数来算钱。这样Fab卖1200美元的Wafer被Designer拿去之后，实际上卖多少钱就与Fab它们没有关系了，也许是10000美元，甚至更高。但如果市场不买账，那么Design House可能就直接完蛋了，因为它的钱可能只够到Fab去流几个Lot的。 我的前老板曾经在台湾TSMC不小心MO，结果跑死掉一批货，结果导致一家Design House倒闭。题外话——Fab的小弟小妹看到动感地带的广告都气坏了，什么“没事MO一下”，这不找抽吗？没事MO（Miss Operation）一下，一批货25片损失两万多美元，奖金扣光光，然后被fire。 在SMIC，我带的一个工程师MO，结果导致一家海龟的Design House直接关门放狗。这个小子很不爽的跳槽去了一家封装厂，现在混得也还好。 所以现在大家对Fab的定位应该是比较清楚的了。 Fab有过一段黄金时期，那是在上个世纪九十年代末。TSMC干四年的普通工程师一年的股票收益相当于100个月的工资（本薪），而且时不时的公司就广播，“总经理感谢大家的努力工作，这个月加发一个月的薪水。” 但是过了2001年，也就是SMIC等在大陆开始量产以来，受到压价竞争以及市场不景气的影响，Fab的好时光就一去不复返了。高昂的建厂费用，高昂的成本折旧，导致连SMIC这样产能利用率高达90%的Fab还是赔钱。这样一来，股票的价格也就一落千丈，其实不光是SMIC，像TSMC、UMC的股票价格也大幅下滑。 但是已经折旧折完的Fab就过得很滋润，比如先进（ASMC），它是一个5英寸、6英寸的Fab，折旧早完了，造多少赚多少，只要不去盖新厂，大家分分利润，曰子过的好快活。 所以按照目前中国大陆这边的状况，基本所有的Fab都在盖新厂，这样的结论就是：很长的一段时间内，Fab不会赚钱，Fab的股票不会大涨，Fab的工程师不会有过高的收入。 虽然一直在亏本，但是由于亏本的原因主要是折旧，所以Fab总能保持正的现金流。而且正很多。所以结论是：Fab赔钱，但绝对不会倒闭。如果你去Fab工作，就不必担心因为工厂倒闭而失业。 下面讲讲Fab对人才的需求状况。 Fab是一种对各类人才都有需求的东西。无论文理工，基本上都可以再Fab里找到职位。甚至学医的MM都在SMIC找到了厂医的位置。很久以前有一个TSMC工程师的帖子，他说Fab对 人才的吸纳是全方位的。（当然坏处也就是很多人才的埋没。）有兴趣的网友可以去找来看看。 一般来讲，文科的毕业生可以申请Fab厂的HR，法务，文秘，财会，进出口，采购，公关之类的职位。但是由于是Support部门这些位置的薪水一般不太好。那也有些厉害的MM选择 做客户工程师（CE）的，某些MM居然还能做成制程工程师，真是佩服啊佩服。 理工科的毕业生选择范围比较广： 计算机、信息类的毕业生可以选择作IT，在Fab厂能够学到一流的CIM技术，但是由于不受重视，很多人学了本事就走人先了。 工程类的毕业生做设备(EE)的居多，一般而言，做设备不是长久之计。可以选择做几年设备之后转制程，或者去做厂商（vendor），钱会比较多。当然，也有少数人一直做设备也 发展得不错。比较不建议去做厂务。 材料、物理类的毕业生做制程(PE)的比较多，如果遇到老板不错的话，制程倒是可以常做的，挺两年，下面有了小弟小妹就不用常常进Fab了。如果做的不爽，可以转PIE或者TD， 或者厂商也可以，这个钱也比较多。 电子类的毕业生选择做制程整合，也就是Integration（PIE）得比较多，这个是在Fab里主导的部门，但如果一开始没有经验的话，容易被PE忽悠。所以如果没有经验就去做PIE的 话，一定要跟着一个有经验的PIE，不要管他是不是学历比你低。 所有硕士或者以上的毕业生，尽量申请TD的职位，TD的职位比较少做杂七杂八的事情。但是在工作中需要发挥主动性，不然会学不到东西，也容易被PIE之类的人骂。 将来有兴趣去做封装、测试的人可以选择去做产品工程师（PDE）。 有兴趣向Design转型的人可以选择去做PIE或者PDE。 喜欢和客户打交道的人可以选择去做客户工程师CE，这个位置要和PIE搞好关系，他们的Support是关键。 有虐待别人倾向，喜欢看着他人无助神情的人可以考虑去做QE。QE的弟兄把PIE/PE/EE/TD/PDE之类的放挺简直太容易了。：） 基本Fab的机构是这样的： 厂长 --〉Integration --〉LPIE MPIE YE WAT BR Module --〉CVD PVD CMP PHOTO ETCH Diffusion WET IMP MFG --〉MPC TF DIFF PHOTO ETCH 此外相关的直接支持部门还有： Facility IE&PC Fab中PIE要略微比PE和EE好一些，相对进fab的机会要少。 PIE主要的工作有很多，但总而言之是和产品密切相关的。SMIC上海厂有DRAM和Logic两种截然不同的产品，相应的PIE职责也有区别。 Memory PIE（基本都在一厂）通常是分段管理，一般是有人负责Isolation(FOX/STI)，有人负责Capacitance，有人负责Transistor，有人负责后段Interconnect。总体分工比较明确，少数资深的工程师会负责全段的制程。Memory的产品通常种类较少，总量较大，比较少有新的产品。SMIC的Memory有堆栈型和沟槽型两大类，都在一厂有量产。 Logic PIE（两个厂都有）才是真正意义上的Fab PIE，一般来讲Fab要赚钱，Logic的产品一定要起来。Logic PIE通常会分不同的Technology来管理产品，比如0.35um LG/MM/HS；0.18um LG/MM/HS/SR；0.13um LG/SR等等。Logic的产品种类非常多，但每颗的总量一般不会太大，如果能够有1000pcs/月的量，那已经是比较大的客户了。——如果遇到这样的新客户，大家可以去买他的股票，一定可以赚钱。 Logic PIE的主要工作通常有Maintain和NTO两大类，前者针对量产的大量产品的良率提高，缺陷分析等。后者主要是新产品的开发和量产。具体的工作么，拿NTO来讲，有Setup process flow, pirun, fab out report, defect reduction, yield *** ysis, customer meeting, ... ...等等。 相比较而言，进fab倒不是最主要的，分析数据和写报告的工作为主。 通常讲Fab的工作环境比较恶劣，那就是指Module和MFG。因为PIE可以比较少进Fab，所以PIE虽然也会比较忙，但是接触到辐射、化学药品的机会要少很多。 一般本科毕业生如果去MFG的话会做线上的Super，带领Leader和一群小妹干活。除非你从此不想和技术打交道，否则不要去MFG。只有想将来做管理的人或者还会有些兴趣，因为各个不同区域的MFG都是可以互换的，甚至不同产业的制造管理都是一样的。Fab的MFG Supper在封装、测试厂，在TFT/LCD厂，在所有的生产制造型企业都可以找到相关合适的位置。和人打交道，这是管理的核心，而在MFG，最重要的就是和人打交道。你会和EE吵架，和PE吵架，和PIE吵架，被Q的人闻讯，可以修理TD的弟兄，不过比较会惹不起PC（Production Control）。喜欢吵架的弟兄可能会乐此不疲，因为MFG和别人吵架基本不会吃亏。 在Fab里有三个“第一”：安全第一，客户第一，MFG第一。所以只要和安全以及客户没有关系，MFG就是最大的，基本可以横着走。PIE能够和MFG抗争的唯一优势，也就是他们可以拿客户来压MFG。MFG在奖金等方面说话的声音比较大，一般而言，奖金优先发放给MFG，因为他们最辛苦。MFG的Super需要倒班，做二休二，12小时12小时的轮，在休息的时候还会被拖过来学习、写报告什么的，所以平均下来一周工作的时间至少在50小时以上。上白班的还好，但是上晚班的生物钟会被弄的比较乱。MFG做常曰的Super会好一些。 不建议硕士以及以上学历的弟兄去MFG。

可以说它的极限是肉眼不可见的。只是因为受到现在的技术的限制，所以现在还无法做到。

名校一般都有的，看他们有没有信息/科学/计算机/软硬件方向的专业 由于成本提高和产品周期缩短，芯片开发者正致力于芯片设计的一次性成功。在芯片的设计过程中，制造商正在使用一些方法帮助设计者理解和实现面向制造(DFM)的设计技术。他们具备芯片效果、工艺细节、制造成本方面的知识，能够给设计者提供指导，帮助设计者提高产量并降低芯片成本。 【芯片设计一次性成功的重要性】 随着工艺技术的进步，芯片的制造成本提高了。每一次工艺结点的换代升级会带来更高密度和更高性能IC的产生，同时导致掩膜成本的增加。 延长光学平版印刷寿命需要使用光学模式校正、光学近似检查(OPC)，以及深亚微米工艺的移相掩膜(PSM)装置。这导致产生了针对180nm以下工艺(特别是对于定义最小特征尺寸的掩膜层)的非常复杂的光掩膜技术。随着工艺结点变小，晶圆加工和EDA工具的成本、设计复杂IC所需的时间也随之增加。 掩膜和设计成本的提高，使得对于复杂的芯片设计，其SoC的NRE费用达到数百万美元。逐步增加的NRE成本使得“盈亏平衡点”芯片量(芯片开发者能够补偿NRE支出的芯片量)达到更高的层次。这也给芯片制造商(同样包括集成设备制造商)带来了降低设计成本和减少设计重复的巨大压力。由于消费产品领域(比如数字照相机、MP3播放器和蜂窝电话)严峻的竞争形势，缩短产品上市时间也迫使设计者努力保证芯片设计首次成功。这种成功对于很多产品的尽快上市是非常重要的，否则，可能意味着芯片制造商将失去该类产品的芯片市场份额。 【致力于芯片设计一次性成功】 说明芯片设计一次性成功的必要性是容易的，难的是怎样达到这个目标。有很多因素影响芯片设计一次性成功，包括设计工具、设计方法学、单元库、硅IP或内核、芯片的测试。你需要考虑所有这些因素，确定如何用最少设计时间和费用获得成功芯片设计的最佳方法。 在基于IP的设计中，获得芯片设计一次性成功的关键因素是建立芯片制造商和IP提供商之间的全面合作，特别是当芯片设计者接近关键的、面向生产的设计阶段时。ARM代工计划是一种创新的商业模式，它允许半导体设计公司获得ARM处理器技术用于先进的SoC解决方案的设计和制造。它也有利于半导体设计公司和芯片制造商的第三方合作伙伴，使他们加速基于ARM内核设计的上市时间，也使得OEM厂商在不接触制作设备的情况下，直接使用被认可的ARM半导体工艺。 另一方面，越来越多的工程师在使用经认可的硅验证分类、经产品证明的特定代工IP，这正是TSMC设计服务IP联盟的支柱产品。TSMC的设计支持包含了由经验丰富的IC设计中心组成的全球性网络，保证了设计者能够正确使用TSMC的IP产品。它由TSMC的验证程序支持，保证了用户在拿到IP之前，期望的所有IP已经在实际的硅片上被证明正确。在TSMC硅片上的内核验证保证了用户把最好的设计经验、最容易的设计复用和最快速的IP整合到全部设计中。特定市场的、硅片验证的IP包括来自于领先的IP库和SIP提供商的处理器内核、DSP引擎、专用I/O和混合信号功能，它们适用于计算机、消费电子和通信领域。 TSMC在现行的产品中为用户提供5种ARM内核，这5种内核包括ARM7TDMI内核、ARM926EJ内核、ARM922T内核、ARM946E内核和ARM1022E内核。这种广泛的选择给用户提供了一个通过ARM代工计划直接升级ARM内核到最新微处理器技术的途径。 【设计工具】 一套好的EDA工具对芯片设计是非常重要的。从顶层来看，这些工具包含了芯片开发的三个领域：前端设计、后端设计和设计验证。 前端设计工具将完成从芯片逻辑部分的概念化设计到芯片逻辑门级表示的工作，其中概念化设计由下列任务组成，系统级设计和分析、寄存器传输级(RTL)设计和分析、逻辑综合和优化。前端设计可能也包含一些平面布局的设计，它对芯片的物理实现之前的设计验证有所帮助。 后端设计描述了如何使设计结构在芯片上物理实现，关键是芯片的硅内核和库单元的布局和布线。在物理设计期间，布局和布线工具比影响芯片时序的互连寄生效应的前端工具有更加精确的功能。这种能力使得布局布线工具在完成设计优化的同时，也能定义芯片的物理布局。布局布线工具能够帮助设计者应付各种设计约束，比如速度、功耗、硅片面积。后端设计必须使用能够精确反映硅片特性的器件和连线模型，这就需要与正在对那种特定芯片进行工艺处理的制造商保持密切的联系。再次强调，在这个领域，EDA设计者和硅片制造商之间的合作努力是非常重要的。 在芯片设计期间，涉及到设计验证的工作是最耗费时间的，验证将保证芯片满足功能、时序、功率和其他指标的要求。验证占用了整个设计时间的大约70%，因为它必须在所有的设计层面上进行，包括系统级、RTL级、逻辑门级和物理级，后面的验证还会涉及到选择器件和互连寄生效应的问题。

台积电（TSMC），中国台湾省的一家芯片代工企业，1987年成立于新竹科学园区。目前是世界第一大芯片代工厂。

1.TSMC生产什么芯片？1.比特大陆矿机芯片:比特大陆是全球最大的比特币矿机芯片制造商。由于采矿对能源效率的要求更高，推出新技术的优势显而易见。比特大陆是2017年TSMC的VIP客户，当时比特币很火，一度比苹果和海思还重要，花了大价钱购买了16nm和后来的7nm产能订单。2.XilinxFPGA芯片:Xilinx是全球领先的完整可编程逻辑解决方案供应商。Xilinx开发、制造和销售广泛的高级集成电路、软件设计工具和IP(知识产权)内核，作为预定义的系统级功能。3.苹果A9-A14芯片:苹果的芯片不仅是三星生产的，早期也是三星设计的；苹果A9已经采用了TSMC的16nm，最新的iPhone12系列已经更新到TSMC的5nm。4.麒麟980芯片:麒麟980是华为设计的4*A76+4*A55八核芯片。采用TSMC7nm工艺制造，最高频率可达2.6GHz此外，高通、联发科、英特尔、英伟达、AMD等。都是TSMC的大客户。

预计2022年下半年发售。据ctee报道，苹果供应链中已经有消息称，M2系列芯片的开发已经接近完成，将采用TSMC的4nm工艺制造。未来，苹果自研芯片将在18个月内升级。2022年后，苹果的Mac产品线将调整为六大系列，笔记本电脑将分为搭载M2芯片的MacBook和MacBookPro搭载M2Pro和M2Max芯片；一体机将分为搭载M2芯片的iMac和iMacPro搭载M2Pro和M2Max芯片；台式机也将有M2芯片的Macmini，M2Pro和M2Max芯片的MacPro。随着M2系列芯片的推出，苹果对其产品线的划分将更加清晰，这也将有助于加快产品线的更新换代。在M2系列中，代号为“Staten”的M2预计将于2022年下半年推出，代号为“Rhodes”的M2Pro和M2Max芯片预计将于2023年上半年推出。预计再过18个月，苹果将推出M3系列芯片，采用TSMC的3纳米工艺制造。此外，iPhone14系列使用的A16Bionic将采用6核CPU架构，并采用TSMC4nm工艺制造。

中国的，麒麟芯片是华为自主研发的一款手机芯片。

苹果公司一直以来都是技术创新的先锋，其研发的芯片也一直备受瞩目，为什么苹果的芯片那么强呢？自主设计的架构苹果的芯片采用的是自主设计的ARM架构，这种架构可以提供更快的速度和更高的效率。相比于传统的x86架构，ARM架构更加轻便，可以在更小的空间内运行更多的指令。同时，自主设计的架构也意味着苹果可以更好地掌控芯片的性能和功耗，从而提供更好的用户体验。先进的制造工艺苹果在芯片的制造工艺上也十分先进，采用了TSMC的7nm和5nm工艺，这种工艺可以让芯片更加紧凑，同时也可以提高芯片的效率和性能。采用先进的制造工艺也意味着苹果可以在更小的芯片上实现更多的功能，比如在A14芯片上实现了5nm工艺下的16亿个晶体管，这是之前的A13芯片所不具备的。整合的优化苹果的芯片不仅仅是一个简单的CPU，而是整合了CPU、GPU、神经网络和其他模块。这种整合可以让芯片更加高效地运行，同时也可以减少芯片的功耗。例如，在A14芯片中，苹果将神经网络处理器和CPU整合在一起，可以让芯片更好地处理AI相关的任务，同时也可以提高芯片的效率。苹果的芯片之所以那么强，是因为其采用了自主设计的ARM架构、先进的制造工艺和整合的优化。这些技术的结合可以让芯片更加高效地运行，同时也可以提供更好的用户体验。

你的超了没啊我也想学习一下

AMD双核 5600+

好。1、材质方面。美信97220芯片采用进口低噪声LDO电源滤波，退耦电容采用AVX低阻钽电容，LPF电路采用日本村田无温漂C0G贴片电容，整体上背景静谧漆黑，频响平坦。2、音色方面。美信97220芯片采用欧胜WolfsonWM8740DAC解码芯片，信噪比达117db，THD+N达-104db，音色鲜明靓丽而暖耳。

解码芯片cs4398和cs43198的不同就是相差cs38800，cs43198一cs4398=cs38800。从参数上来看CS4398这块芯片性能确实有点low，但是作为一块在芯片沙场中摸爬滚打十多年的老将，手上肯定还是有两把刷子的。43198是水晶收购Wolfson后，是wm8741和cs4398的结合产物，可以站在4399旁边，评价还是不错的。

随着飞利浦芯片部门被拆分，其业务的发展也受到了严重的制约。就连自家的产品也很少用飞芯了。成本高、可开发难度大等一系列的问题使其在市场中逐渐失去地位。现在中高端的mp3大多采用Telechip + wolfson的方案或者三星 + wolfson的方案；低端的大多采用sigmetal单芯片方案，无非为了控制成本。

日本AKM，英国wolfson。ADC编码芯片厂家不多，日本AKM独居一档，wolfson也有，不过没有AKM的产品系列齐全，尤其是多通道，高指标的，AKM更强一些。音频芯片大家族除了ADC编码芯片，还包括有Codec编解码芯片，DSP数字处理芯片，运放芯片，功放芯片，音量调节芯片，音频接口芯片。

魅族以前是做MP3起家的，应该不会丢掉自家的长项。魅族MX4采用第二代 NXP Smart PA 芯片应该至少不会降低音效。相信魅族就行了，他家的用料和工艺还是让人放心的。

爱欧迪你芯片都能听出来着感觉？那你听D50和XK或者A845是什么芯片的？兄弟，听音乐不是听芯片，芯片好，也得好的外围电路来调教，要不也很垃圾，你看国内的MP3，很多的芯片都很牛，为毛不出好声？调音不行，外围设计不行~

Cirrus logic和wolfson 都是非常出名的codec 芯片厂商，Cirrus logic已经收购wolfson了

你说呢...

Apollo的解码芯片。Apollo的解码芯片使用的是名厂Wolfson的最新改良型WM8740，这枚芯片，单片即能完成24Bit/192kHz精度的立体声解码，而且信噪比高达117dB。整机机身采用由瑞士加工的高强度铝合金铸造式结构，不但具有优异坚固性，还能起到很好的屏蔽抗干扰作用，为器材的稳定表现打下良好基础。

首先DSP（DigitalSignalProcessing的缩写，表示数字信号处理器）DSP芯片是一种新型的、结构特殊的高速高位处理芯片，已成为现代信息处理技术的重要器件，它能够快速实现各种数字信号的处理算法，并把数字信号和数字音乐经过优化处理后转变为人们能够接受的模拟信号输出，在音频信号处理上功能强大、表现优异。一些Hi-Fi才具备的功能，通过DSP芯片就能在诺基亚5610上实现，如“响度增益”就是其中的一种，它补偿了人耳在小音量情况下听到极端频段声音时通常会产生的听力盲区现象。有了这样强大的DSP芯片，诺基亚的音质表现自然十分出众，它的高、低频细节丰富，整机的音色十分清澈，能最大限度的还原天籁之音，无论是乐器的还原还是人声的演绎都很有感染力，低频质感鲜明，高频亮丽而不刺耳，各方面的表现都很均衡.Wolfson是全球公认的音频芯片厂家，市场占有绝对是第一。SonyPSP/MicrosoftXbox360/SamsungWolfson都在使用。IPod目前也在使用。Wolfson相对成本低，音质好，中高音清晰明亮，解析度高，细节丰富；低音自然不混浊，长时间收听音乐不会感觉疲劳。可以说各有所长。不过要看个人爱好。可以说步步高目前的水平可以与诺基亚等国际大厂齐肩媲美，所以购买国产的我相信你也会得到满意的音质享受。

日本AKM，英国wolfson。ADC编码芯片厂家不多，日本AKM独居一档，wolfson也有，不过没有AKM的产品系列齐全，尤其是多通道，高指标的，AKM更强一些。音频芯片大家族除了ADC编码芯片，还包括有Codec编解码芯片，DSP数字处理芯片，运放芯片，功放芯片，音量调节芯片，音频接口芯片。

除DIP双列直插式封装外，尚有：DIP-tab带散热片的双列直插式封装PDIP塑料双列直插封装SDIP收缩型双列直插式封装JDIP丁引脚双列直插QUIP四方直插式封装QUIP-tab带散热片的四方直插式封装SIP单列直插式封装SIP-tab带散热片的单列直插式封装ZIPZ型引线单列直插式封装ZIP-tab带散热片Z型引线单列直插式封装SRK小双列直插式封装QIP四方直插式封装

你好，TMP86FH46ANG这款芯片有货，是包含16384的单芯片8位高速和高性能微计算机闪存的字节数，原装正品，全新现货，可保证质量。产品属性产品种类:8位微控制器 -MCU安装风格:Through Hole封装 / 箱体:SDIP-42系列:TMP86FH46ANG核心:870/C数据总线宽度:8 bit最大时钟频率:16 MHz程序存储器大小:16 kB数据 RAM 大小:512 B输入/输出端数量:33 I/O最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C高度:3.5 mm 长度:38.5 mm 程序存储器类型:Flash 宽度:14 mm 接口类型:SIO, UART 计时器/计数器数量:3 Timer 产品类型:8-bit Microcontrollers - MCU 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V

socketsloteLGA是接触式

帮你一回！不过你要有耐心看啊！ CPU： 从CPU诞生的那一天起，其封装技术就经历了多种变化。直到Pentium时代，封装形式才基本上稳定下来。80X86系列的CPU从8088开始经历了DIP、PQFP、PFP、PGA、BGA等多种在集成电路芯片中使用过的封装技术，其技术性能越来越强，适应的工作频率越来越高，而且耐热性能也越来越好，芯片面积与封装面积之比越来越接近于1∶1。了解CPU的封装形式，可以增加对CPU的进一步认识。 #1 一、封装形式的概念 所谓封装形式就是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。一般来说，出现一代新的CPU，就伴随着一种新的封装形式。 #1 二、封装类型 1.DIP（Dual.In－line Package）双列直插式封装 DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。 DIP封装具有以下特点： ⑴适合PCB（印刷电路板）上穿孔焊接，操作方便。 ⑵芯片面积与封装面积比值较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，许多Cache和早期的内存芯片也是这种封装形式。 2.PQFP（Plastic Quad Flat Package）塑料方型扁平式封装和PFP（Plastic Flat Package）塑料扁平组件式封装 PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊盘。将芯片各脚对准相应的焊盘，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP方式封装的芯片与PQFP方式基本相同。唯一的区别是PQFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 PQFP封装具有以下特点： ⑴适用于SMD表面安装技术在PCB上安装布线。 ⑵适合高频使用。 ⑶操作方便，可靠性高。 ⑷芯片面积与封装面积比值较小。 Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。3.PGA（Pin Grid Array Package）插针网格阵列封装 PGA芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列，根据管脚数目的多少，可以围成2～5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为了使得CPU能够更方便的安装和拆卸，从486芯片开始，出现了一种ZIF CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。 ZIF（Zero Insertion Force Socket）是指零插拔力的插座。把这种插座上的搬手轻轻抬起，CPU可以很容易、轻松地插入插座中，然后将搬手压回原处，利用插座本身的特殊结构产生的挤压力，将CPU的管脚与插座牢牢的接触，绝对不会存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的搬手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。 PGA封装具有以下特点： ⑴插拔操作更方便，可靠性高。 ⑵可适应更高的频率。 Intel系列CPU中80486和Pentium、Pentium Pro采用这种封装形式。 4.BGA（Ball Grid Array Package）球栅阵列封装 随着集成电路技术的进步，对集成电路的封装要求更加严格，出现了BGA封装技术。BGA一出现便成为CPU、主板南、北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。但BGA封装占用基板的面积比较大。 BGA封装具有以下特点： ⑴I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP，从而提高了组装成品率。 ⑵虽然它的功耗增加，但其采用了可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能。 ⑶信号传输延迟小，适应频率大大提高。 ⑷组装可用共面焊接，可靠性大大提高。 Intel系列CPU中Pentium Pro、PentiumⅡ、PentiumⅢ采用了陶瓷球栅阵列封装。 5.CSP（Chip Size Package）芯片尺寸封装 为了减少芯片封装外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封装尺寸就有多大，从而出现了CSP新的封装形式。 CSP封装具有以下特点： ⑴满足了芯片I/O引脚不断增加的需要。 ⑵芯片面积与封装面积比值很小。 ⑶极大地缩短了延迟时间。 6.MCM（Multi Chip Model）多芯片组件 为了解决单一的芯片集成度和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样电子组件系统，从而出现了MCM多芯片组件系统。MCM具有以下特点： ⑴封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化。 ⑵缩小整机/组件封装尺寸和重量。 ⑶系统可靠性大大提高。 总之，随着CPU和其他超大规模集成电路的进步，集成电路的封装形式也将得到相应的变化，而且封装形式的进步又将反过来促进芯片技术向前发展。 内存条： 从DIP封装到BGA封装 芯片的封装技术已经历经好几代的变迁，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等，都是看得见的变化。20世纪70年代时，芯片封装流行的还是双列直插封装，简称DIP(Dual ln-line Package)。DIP封装在当时具有适合PCB（印刷电路板）的穿孔安装。比TO型封装易于对PCB布线以及操作较为方便等一些特点。 采用TSOP封装技术的芯片 到了80年代出现的内存第二代封装技术以TSOP为代表，它很快为业界所普遍采用，到目前为止还保持着内存封装的主流地位。TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，意即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM内存的集成电路两侧都有引脚，SGRAM内存的集成电路四面都有引脚。TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印刷电路板）上安装布线。TSOP封装时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。 20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，芯片集成度不断提高，I / O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为满足发展的需要，在原有封装方式的基础上，又增添了新的方式——球栅阵列封装，简称BGA（Ball Grid Array Package）。BGA 封装技术有这样一些特点：I / O引脚数虽然增多，但引脚间距并不小，从而提高了组装成品率。虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能。厚度和重量都较以前的封装技术有所减少。寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高。组装可用共面焊接，可靠性高。采用BGA新技术封装的内存，可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一。另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。不过BGA封装仍然存在着占用基板面积较大的问题。 CSP新一代的内存封装技术 在BGA技术开始推广的同时，另外一种从BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它生力军本色。 CSP，全称为Chip Scale Package，即芯片级封装的意思。作为新一代的芯片封装技术，在BGA、TSOP的基础上，CSP的性能又有了很大的提升。 CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了内存芯片在长时间运行时的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。 不少国际DRAM大厂商都表示，虽然目前DDR266或DDR200很多还采用TSOP封装技术，但自DDR333开始，如再使用传统SDRAM的TSOP封装的话，在量产良品率上势必会出现极大问题，因此如需将规格向上提高到DDR333，则需将封装方式改用为CSP封装才有机会。据了解，目前DRAM颗粒厂如采用0.175微米工艺来制造DDR333颗粒，良品率上最多仅能达到20%(原因在于0.175微米工艺是用来制造DDR266)，但如将工艺提升至0.15微米甚至0.13微米，用来制造DDR333颗粒，其良品率将可高达70%～80%。对于DRAM颗粒厂商而言，在制造一颗DDR266与DDR333时所耗费成本几乎是相差不大，因此使用CSP封装的高性能内存是大势所趋。 CSP的SDRAM模块，应用了倒装焊技术，与相同的模块空间TSOP封装比，它可以很容易地将内存容量增加为四倍以上。CSP的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当的提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显地要比TSOP、BGA引脚数多得多（TSOP最多304根，BGA以600根为限，CSP原则上制造1000根都不难），这样它可支持I/O端口的数就增加了很多。 此外， CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。而传统的TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。测试结果显示，运用Micro-CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达88.4%，而TSOP内存中传导到PCB板上的热量为71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的电功率消耗，致使芯片耗电量和工作温度相对降低。 随着以CPU为主的计算机系统性能的总体大幅度提升趋势，人们对于内存的品质和性能要求也日趋苛刻。为此，人们要求内存封装更加精致，以适应大容量的内存芯片，同时也要求内存封装的散热性能更好，以适应越来越快的核心频率。毫无疑问的是，进展不太大的TSOP等内存封装技术也越来越不适用于高频、高速的新一代内存的封装需求，新的CSP内存封装技术让我们看到了未来的方向。

芯片封装，简单点来讲就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放到一块起承载作用的基板上，再把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。它可以起到保护芯片的作用，相当于是芯片的外壳，不仅能固定、密封芯片，还能增强其电热性能。所以，封装对CPU和其他大规模集成电路起着非常重要的作用。今天，与非网小编来介绍一下几种常见的芯片封装类型。DIP双列直插式DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。DIP封装结构形式有多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存储器和微机电路等。DIP封装特点：适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装，通过其上的两排引脚可插到主板上的插槽或焊接在主板上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高六倍。现状：但是由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差。同时这种封装方式由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个。随着CPU内部的高度集成化，DIP封装很快退出了历史舞台。只有在老的VGA/SVGA显卡或BIOS芯片上可以看到它们的“足迹”。PQFP/PFP封装PQFP封装的芯片四周均有引脚，引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMT（表面组装技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMT安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。PFP方式封装的芯片与PQFP方式基本相同。唯一的区别是PQFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。PQFP封装特点：PQFP封装适用于SMT表面安装技术在PCB上安装布线，适合高频使用，它具有操作方便、可靠性高、工艺成熟、价格低廉等优点。现状：PQFP封装的缺点也很明显，由于芯片边长有限，使得PQFP封装方式的引脚数量无法增加，从而限制了图形加速芯片的发展。平行针脚也是阻碍PQFP封装继续发展的绊脚石，由于平行针脚在传输高频信号时会产生一定的电容，进而产生高频的噪声信号，再加上长长的针脚很容易吸收这种干扰噪音，就如同收音机的天线一样，几百根“天线”之间互相干扰，使得PQFP封装的芯片很难工作在较高频率下。此外，PQFP封装的芯片面积/封装面积比过小，也限制了PQFP封装的发展。90年代后期，随着BGA技术的不断成熟，PQFP终于被市场淘汰。PGA（插针网格阵列）封装PGA封装的芯片内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列，根据管脚数目的多少，可以围成2～5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为了使得CPU能够更方便的安装和拆卸，从486芯片开始，出现了一种ZIF CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。该技术一般用于插拔操作比较频繁的场合之下。PGA封装特点：⒈插拔操作更方便，可靠性高。⒉可适应更高的频率。BGA（球栅阵列）封装随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，当IC的频率超过100MHZ时，传统封装方式可能会产生所谓的“CrossTalk”现象，而且当IC的管脚数大于208 Pin时，传统的封装方式有其困难度。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种——球栅阵列封装，简称BGA。BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面。BGA封装特点：1.I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率。2.虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能。3.厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上。4.寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高。5.组装可用共面焊接，可靠性高。6.BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大。QFP（方型扁平式）封装该技术实现的CPU芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。QFP封装特点：1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。2.适合高频使用。3.操作方便，可靠性高。4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。QFN封装类型QFN是一种无引线四方扁平封装，是具有外设终端垫以及一个用于机械和热量完整性暴露的芯片垫的无铅封装。该封装可为正方形或长方形。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度 比QFP 低。QFN封装特点：1.表面贴装封装，无引脚设计。2.无引脚焊盘设计占有更小的PCB面积。3.组件非常薄(<1mm)，可满足对空间有严格要求的应用。4.非常低的阻抗、自感，可满足高速或者微波的应用。5.具有优异的热性能，主要是因为底部有大面积散热焊盘。6.重量轻，适合便携式应用。QFN封装的小外形特点，可用于笔记本电脑、数码相机、个人数字助理(PDA)、移动电话和MP3等便携式消费电子产品。从市场的角度而言，QFN封装越来越多地受到用户的关注，考虑到成本、体积各方面的因素，QFN封装将会是未来几年的一个增长点，发展前景极为乐观。LCC封装LCC封装的形式是为了针对无针脚芯片封装设计的，这种封装采用贴片式封装，它的引脚在芯片边缘地步向内弯曲，紧贴芯片，减小了安装体积。但是这种芯片的缺点是使用时调试和焊接都非常麻烦，一般设计时都不直接焊接到印制线路板上，而是使用PGA封装的结构的引脚转换座焊接到印制线路板上，再将LCC封装的芯片安装到引脚转换座的LCC结构形式的安装槽中，这样的芯片就可随时拆卸，便于调试。LCC封装COB封装COB封装全称板上芯片封装，是为了解决LED散热问题的一种技术。相比直插式和SMT其特点是节约空间、简化封装作业，具有高效的热管理方式。COB封装是将裸芯片用导电或非导电胶粘附在互连基板上，然后进行引线键合实现其电气连接。如果裸芯片直接暴露在空气中，易受污染或人为损坏，影响或破坏芯片功能，于是就用胶把芯片和键合引线包封起来。SO类型封装SO类型封装包含有:SOP(小外形封装)、TOSP（薄小外形封装）、SSOP (缩小型SOP)、VSOP（甚小外形封装）、SOIC（小外形集成电路封装）等类似于QFP形式的封装，只是只有两边有管脚的芯片封装形式，该类型的封装是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈“ L” 字形。该类型的封装的典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚，封装操作方便,可靠性比较高,是目前的主流封装方式之一，目前比较常见的是应用于一些存储器类型的IC。SOP封装SIP封装SIP封装是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。与SOC相对应。不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，而SOC则是高度集成的芯片产品。从封装发展的角度来看，SIP是SOC封装实现的基础。SiP的应用非常广泛，主要包括：无线通讯、汽车电子、医疗电子、计算机、军用电子等。SIP封装3D封装3D晶圆级封装，包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。3D封装主要特点包括：多功能、高效能；大容量高密度，单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。3D封装分类：一：封装趋势是叠层封(PoP)；低产率芯片似乎倾向于PoP。二：多芯片封装(MCP)方法，而高密度和高性能的芯片则倾向于MCP。三：以系统级封装(SiP)技术为主，其中逻辑器件和存储器件都以各自的工艺制造，然后在一个SiP封装内结合在一起。目前的大多数闪存都采用多芯片封装（MCP，Multichip Package），这种封装，通常把ROM和RAM封装在一块儿。多芯封装（MCP）技术是在高密度多层互连基板上，采用微焊接、封装工艺将构成电子电路的各种微型元器件(裸芯片及片式元器件)组装起来，形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品(包括组件、部件、子系统、系统)。

主芯片驱动芯片放大器滤波==

功能不同用途不同，其实它们都有共通性，都是一大堆传感器和各自的运行系统。功能不同用途不同，其实它们都有共通性，都是一大堆传感器和各自的运行系统。

芯片的发展突飞猛进，芯片的进步日新月异，转眼之间，在正常的芯片先进制程赛道上，即将就要迎来摩尔定律极限的终点。眼看着在先进制程方面没有多大空间了。全球为了能打破这个极限，另辟赛道，这条赛道就是量子芯片。 在量子芯片赛道上，阿里巴巴达摩院成功摘得头筹，成功研发出全球最先进的量子芯片。那么，阿里巴巴达摩院取得的这项成就对我国而言，究竟有多重要呢？在未来的日子里，我国真能高枕无忧吗？ 3月24日，根据《科创板日报》报道，在全球物理学盛会2022APS年会上，阿里巴巴达摩院量子实验室公布了一系列在高端 科技 领域的最新进展，其中最引人瞩目的一项就是两比特量子芯片终于研制成功。 这次的量子芯片采用新型的量子比特fiuxonium，用这种新型的量子比特，可以使量子芯片的操作精准度达到99.72%。是不是觉得精准度特别高。还有更大的成就呢！至少在阿里巴巴这枚量子芯片出现之前。 全球量子芯片实力最强的是美国的马里兰大学，这所大学研究的量子芯片精准度达到了99.2%。就这样的数据可知，阿里巴巴的达摩院成功打破马里兰大学的纪录，成功斩获全球第一。 那么，阿里巴巴达摩院的这枚量子芯片，对于我国而言究竟有多重要呢？ 要想知道阿里巴巴达摩院这枚量子芯片对我国而言究竟有多重要，那么就需要知道，这枚量子芯片的亮点在哪里？没错，就是新型量子比特fiuxonium。要知道，在这枚量子芯片之前，基本上所有量子芯片的量子比特都是transmon，这两者有什么区别呢？ 如果用传统量子比特transmon的话，本身也是会存在很多的局限性。举个最简单的例子，这个传统的量子比特在对抗电荷噪音干扰方面就不如新型的fiuxonium。 当下，全球仅仅只有阿里巴巴用了这个新型量子比特，依靠着fiuxonium强大的实力，阿里巴巴达摩院的量子芯片还是很有可能会呈现出鹤立鸡群的状态，无疑能大大增强我国在量子芯片这样高端领域的市场地位。 另外，在算力方面，为何如今量子计算已经成为了全球的主流呢？就是因为当下的算力已经达到了极限，如今，阿里巴巴达摩院成功研制出量子芯片，等于打破了这个局限，等于实现了破局，为我国在先进算力领域得到更大的发展空间。 不得不说，阿里巴巴达摩院的这项成就，对我国的重要性可以说是不言而喻，那么，当下阿里巴巴取得这样巨大破局，我国真就可以高枕无忧吗？ 其实，我国在量子芯片方面远远还没有到高枕无忧的地步，在量子芯片领域也并非就只有阿里巴巴一家企业在努力，去年11月15日，IBM公开宣布，目前已经成功设计出了一种新型的127比特的超导量子芯片，并且还表示，将会在两年内实现“量子优越”。 2018年3月5日，在美国物理学会的一次会议上，相关科学家透露，谷歌正在测试一台72位的量子计算芯片。 从中我们可以看出，在量子芯片领域，实力强劲的竞争对手那是大有人在，我国在量子芯片领域的竞争压力也会是非常巨大的。仅仅依靠阿里巴巴达摩院这枚量子芯片恐怕是双拳难敌四手。 另外，华为的麒麟芯片，华为的5G基站，美国都对此进行了规则的修改，对于阿里巴巴达摩院这枚实力更强劲的量子芯片，恐怕很难相信美国会熟视无睹。 最后，IBM的量子芯片实力这么强劲，都没有想着高枕无忧，还计划要在2022年生产433个量子位的Osprey芯片和112个量子位的Condor。想想看，在量子芯片上，整体实力比我国阿里巴巴强劲的企业都在不断进步中，我国又怎么可以吃着老本，高枕无忧呢？ 经过多年努力，阿里巴巴终于成功破局全球最先进的量子芯片，击败马兰达大学登上全智能球第一的宝座。阿里巴巴达摩院的这项成就，要是未来真的能实现量产的话，对于我国在高端 科技 领域的地位和影响力，对于中国制造之光在高端 科技 领域中的熠熠生辉也是大有帮助的。 但是，我国也依旧不能就此沉湎于这样的成绩， 科技 的发展日新月异，如同学海一般，是无边无涯的，当前全球在量子芯片发展上面，也都在热火朝天地你追我赶，都在拼尽全力在全新的赛道上冲破当下芯片摩尔定律的极限，这样的多事之秋，我国实在还没有到高枕无忧的地步。 希望未来我国能有越来越多的企业，复制甚至超越阿里巴巴如今在量子芯片上的成就，推动我国量子芯片的发展和进步。让我国在量子芯片领域，成功实现弯道超车！

有些老的机子BIOS以经没有在更新了，刷BIOS存在风险。多多考虑。

芯片工艺中overlay的意思：套刻精度(OverlayAccuracy)的基本含义是指前后两道光刻工序之间彼此图形的对准精度(3σ),如果对准的偏差过大,就会直接影响产品的良率。电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。从1949年到1957年，维尔纳·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·达林顿（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都开发了原型，但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖，但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯，却早于1990年就过世。

一、DIP封装　　70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点:　　1.适合PCB的穿孔安装;　　2.比TO型封装易于对PCB布线;　　3.操作方便。　　DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)。　　衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/15.24×50=1：86,离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。　　Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。二、芯片载体封装　　80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)。　　以0.5mm焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：7.8，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。　　QFP的特点是:　　1.适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线;　　2.封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用;　　3.操作方便;　　4.可靠性高。　　在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。三、BGA封装　　90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。　　为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种——球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。　　其特点有:　　1.I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率;　　2.虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能:　　3.厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上;　　4.寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高;　　5.组装可用共面焊接，可靠性高;　　6.BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大;　　Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。四、面向未来的新的封装技术　　BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。　　Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按0.5mm焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。　　1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1.1的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。　　CSP封装具有以下特点:　　1.满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要;　　2.解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题;　　3.封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。　　曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。　　由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。　　MCM的特点有:　　1.封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化;　　2.缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3;　　3.可靠性大大提高。　　随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。　　进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。芯片封装形式的含义TQFP hin Quad Flat PacksPPGA Plastic Pin Grid ArraysMini-BGA Mini Ball Grid ArrayBGA Ball Grid ArrayCerDIP Ceramic Dual-In-Line PackagesCQFP Ceramic FlatpacksCerSOJ Ceramic Small Outline J-BendCPGA Ceramic Pin Grid ArraysWLCC Ceramic Windowed J-Leaded Chip CarriersPLCC Plastic Leaded Chip CarriersCerPACK CerpacksLCC Ceramic Leadless Chip CarriersPQFP Plastic Quad FlatpacksSSOP Shrunk Small Outline PackagesPDIP Plastic Dual-In-Line PackagesQSOP Quarter Size Outline PackagesW-LCC Ceramic Windowed Leadless Chip CarriersWPGA Ceramic Windowed Pin Grid ArraysSOIC Plastic Small Outline ICsW-CerPACK Windowed CerpacksCQFP Ceramic Quad FlatpacksSOJ Plastic Small Outline J-BendW-CerDIP Ceramic Windowed Dual-In-Line PackagesCLCC Ceramic J-Leaded Chip CarriersTSOP Thin Small Outline PackagesSTSOP Small Thin Small Outline PackagesRTSOP Reverse Thin Small Outline PackagesTSOP II Thin Small Outline Packages, Type II

台积电制造有限公司。小米平板6Pro的骁龙8+芯片是由台积电制造有限公司代工生产的，小米平板6pro系列采用Unibody全金属一体化机身，隐藏式天线设计；搭载11英寸2.8k超清高刷屏。支持小米生态多屏同色，严苛色彩校准，接近人眼视觉体验；搭载四扬声器环绕立体声沉浸式音效体验。

装个驱动精灵检测一下，看他能不能帮你找到，如果他没辙，你就打电话到厂家或售后服务或销售地点，找他们商量，这种事情，其实也没什么大不了，我经常找供应商，我公司的设备出现什么状况了的话。一般他们都会有的，要他们到网上发给你，或其他途径给你。都可以。

AC-DC开关电源芯片作用：1. 调节输出电压和该电压一致，保持输出电压稳定。2. 简化电路设计、提高可靠性AC-DC开关电源就是利用电子开关器件如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等，通过控制电路，使电子开关器件不停地“接通”和“关断”，让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，从而实现AC-DC之间电压变换，以及输出电压可调和自动稳压.

中国 科技 能否超越美国，未来10年是关键。因为到2035年前后，会明显看出将会由谁主导这场“人工智能产业革命”。从目前的形势来看，中美在这场技术争夺战中的优势是1：1——美国在半导体技术方面占据绝对的优势，中国在5G技术方面占据绝对优势，而双方在人工智能领域的水平基本持平。未来10年，中美技术竞争的主要看点在于：美国能否在6G技术方面翻身，并重新夺回全球半导体的主导权；而中国能否在半导体领域实现弯道超车，并继续保持6G技术的领先优势。 从最近清华大学研究团队在6G“涡旋波"技术的取得突破并领先世界，以及中国在6G技术申请专利位居全球第一的消息来看，中国未来的6G技术继续走在世界前列已经是大概率事件。5G或6G算是颠覆性的信息技术，如果能够连续保持两代领先，就彻底撼动全球通信技术的基本构架，也就掌握了这项技术标准的世界话语权。但以目前的情况来看，中国先进的5G技术，是建立在西方半导体生态体系之中的，这就造成了两条腿长短不一的畸形现象——5G技术的传输带宽很大，但半导体运算速度跟不上来。所以到现在为止，5G手机终端的带宽根本用不完，也体验不到5G场景的快感。这可能是由于“落后”的芯片技术，导致软件应用开发商做不出炫酷 AR/VR场景体验——就像没有人能够在为冒烟火车设计铁路上跑高铁一样。现在最好性能的芯片看视频或打 游戏 都发热得不行，如何能够完成一个虚拟实境商城体验使命呢？所以一个简单的结论：即使硅芯片突破1纳米的制程，也无法扛起“无宇宙”天马行空浩瀚的梦想。 近10年，芯片制程迭代的速度非常快，但从来没有听说芯片性能提升10倍的。但是5G的传输速度是4G的10-100倍，而6G的传输速度又是5G的10-100倍。以简单的逻辑分析判断，就可以看出：芯片性能提升的速度远远落后于5G或6G，所以在硅芯片面临制程物理极限的情况下，必须呼唤新型芯片才能满足人工智能时代的要求。因此，在美国将主要精力放在想要重新夺回半导体主导权的时候，也许是中国在半导体领域另辟蹊径的伟大机遇。中国应该结合6G超大宽带的特征，与碳基芯片形成一体化的项目捆绑进行研发。就目前所知道的知识来看，碳基芯片对于传统芯片而言，在材料上有绝对的优势：导电更好、功耗更小、成本更低、性能更强、硬度更高、韧性更好。而且可以摆脱光刻机，原材料、制造技术等一系列被西方主导的专利权。6G需要10年才能用得上，也许用10年时间同步研究碳基芯片，也许会会取得协同效应，达到想象不到的效果。如果6G和碳基芯片同步取得突破，那么10年后西方的半导体技术专利将被碾成渣渣。

一样的吧，编号不同而已

PT16750汽车大灯LED驱动芯片uf06c宽输入电压范围：4.5V 至 65Vuf06c宽输出电压范围：3V 至 65Vuf06cRail-to-Rail电流误差放大器放大器 u2022LED电流精度 ±3% 以内 u2022高压侧平均电流检测模式uf06c支持Buck，BOOST,BUCK-BOOST和SEPIC多种电源拓扑uf06c支持Analog调光,对比度15:1 uf06c支持PWM调光，调光比1000:1uf06c具备 LED 电流持续监视输出，用于系统故障检测和诊断 uf06c具备完善的电路保护功能，包括电源电压欠压锁定 (UVLO)、输出过压保护 (OVP)、逐周期开关电流限制和过热保护uf06cPIN TO PIN兼容TPS92691，可以直接替换希望可以帮到你

一般我们叫它IO脚,和外封装上的管脚不同概念,它是内部的一个组织

近 pins后， 在view 在下面的groups list和 all pin list 前边点上黑点

一般来说，工厂研发货量产需求的样品你可以和FREESCALE的代理商联系，他们可以帮你申请样片。 我公司威健事业国际有限公司，有代理FREESCALE。我是业务，0512-68180898-317 Luke.

日亚化学，Cree公司，晶电，光磊，斯威士兰，三安

骁龙是Snapdragon的音译。

S5520CU5 是一款由 STMicroelectronics 发布的微控制器芯片，属于 STMicroelectronics 的 STM32 系列。S5520CU5 是一款低功耗、高性能的 32 位微控制器，具有多种外设接口和丰富的开发资源。具体来说，S5520CU5 具有以下特性：32 位 ARM Cortex-M 内核，最高可达 100MHz512KB 的高速 SRAM 存储器4KB 的片内闪存两个 16 位定时器一个 PWM 计时器一个中断控制器多个 I2C、SPI 和 UART 接口低功耗模式和休眠模式S5520CU5 还可以与其他 STMicroelectronics 的 STM32 系列芯片进行组合，例如 S55PV210、S55PV208 等，可以提供更广泛的应用选择和开发资源。

男口服务器（也称串口服务器）是将串口设备与网络连接起来的设备。在使用STM32进行男口服务器设计时，应根据具体的应用场景和需求选择合适的STM32芯片。目前，STMicroelectronics推出的STM32F4系列芯片因其高性能和丰富的外设资源而被广泛应用于男口服务器设计。首先，STM32F4系列芯片集成了高性能的ARM Cortex-M4内核，能够提供更高的计算能力和更快的运行速度。其次，该系列芯片具有丰富的外设资源，包括多个USART和UART接口，可满足多种串口设备的连接需求。此外，STM32F4系列芯片还具有更多的存储容量和更丰富的通信接口，如USB、以太网等，可实现更多功能。需要注意的是，在选择芯片时，还需要考虑功耗、价格、开发工具支持等因素。总之，STM32F4系列芯片是男口服务器设计的一个不错的选择。

从2018年开始，多款基于氮化镓技术开发的快充充电器相继量产，氮化镓也正式开启了在消费类电源领域商用。 近日，氮化镓半导体材料被正式写入“十四五规划”中，这就意味着氮化镓产业将在未来的发展中获得国家层面的大力扶持，前景十分值得期待。 氮化镓（gallium nitride，GaN）属于第三代半导体材料，其运行速度比传统硅（Si）技术加快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。 氮化镓新技术应用领域广阔，覆盖5G通信、人工智能、自动驾驶、数据中心、快充等等，这其中快充市场发展最为迅猛，成为先进技术普惠大众的一个标杆应用，可谓是人人都能享受到新技术从实验室走向市场的便利；而快充出货量、需求量庞大，也反哺了氮化镓技术的不断迭代。快充与氮化镓，堪称天生一对。 凭借优秀的性能，两年来氮化镓技术在快充电源方面的发展一路突飞猛进，普及速度十分快，获得越来越来越多品牌客户和消费者的认可。而作为氮化镓快充的核心器件，GaN功率芯片也一直都是大家关注的焦点。 充电头网通过长期跟踪调研了解到，近两年时间里，业内GaN功率芯片供应商也从起初的一两家迅速增长至十余家。今天这篇文章就是带大家详细的了解一下当前快充领域的氮化镓功率芯片领域的主要玩家。 众多厂商入局氮化镓功率器件 面对日益增长的快充市场，全球范围内已有纳微、PI、英诺赛科、英飞凌、意法半导体、Texas Instruments、GaNsystems、艾科微、聚能创芯、东科半导体、氮矽 科技 、镓未来、量芯微、Transphorm、能华、芯冠 科技 等16家氮化镓功率芯片供应商。 值得一提的是，英诺赛科苏州第三代半导体基地在去年9月举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也预示中国功率半导体步入一个崭新时代。 充电头网通过整理了解到，目前市面上合封氮化镓芯片可分为以下四种类型： 控制器+驱动器+GaN：这种方式以老牌电源芯片品牌PI为代表，其基于InSOP-24D封装，推出了十余款合封主控、氮化镓功率器件、同步整流控制器等的高集成氮化镓芯片，PowiGaN芯片获众多品牌青睐，成为了合封氮化镓快充芯片领域的领导者。 此外在本土供应商中，东科半导体率先推出两款合封氮化镓功率器件的主控芯片DKG045Q和DKG065Q， 对应的最大输出功率分别为45W和65W。这两款芯片在节约系统成本，加速产品上市方面均有着巨大的优势，并有望在2021年量产。 驱动器+GaN：这种合封的氮化镓功率芯片以纳微半导体为主要代表，其为业界首家推出内置驱动氮化镓功率芯片的厂商，凭借精简的外围设计，获得广大工程师及电源厂商青睐，在2020年底，达成芯片出货量突破1300万颗的好成绩。 驱动器+2*GaN：合封两颗氮化镓功率器件以及驱动器的双管半桥产品，其集成度较传统的氮化镓功率器件更高。这类产品应用于ACF架构，以及LLC架构的氮化镓快充产品中，可以实现更加精简的外围设计。目前纳微半导体、英飞凌、意法半导体等厂商在这类合封氮化镓芯片方面均有布局。 驱动器+保护+GaN：纳微半导体近期推出了新一代氮化镓功率芯片NV6128，集成GaN FET、驱动器和逻辑保护器件。将保护电路也加入氮化镓器件中，通过整合开关管和逻辑电路，可得到更低的寄生参数以及更短的响应时间。该芯片可以实现数字输入，功率输出高性能，电源工程师可基于此设计出更快更小更高速的电源。 氮化镓芯片品牌盘点 以下排名不分先后，仅按照品牌首字母排序，方便读者查阅。 ARK艾科微 艾科微电子专注于高功率密度整体方案开发, 并以解决高功率密度电源系统带来的痛点与瓶颈为使命, 核心团队具备超过 20 年专业经验于功率半导体产业, 我们透过不断的创新及前瞻的系统架构并深入结合功率器件及高效能封装, 来实现高品质、高效能与纯净的电源系统，以满足市场对未来的需求。 艾科微在AC/DC 快充方案上不仅推出原副边芯片, 另有自主的开发MOSFET功率器件。伴随各种应用上电子产品针对高功率密度之强烈需求，我们承诺持续投资、创新、研发并一同与我们的合作伙伴引领市场、开创未来。 Cohenius聚能创芯 青岛聚能创芯微电子有限公司成立于2018年7月，公司坐落于青岛国际创新园区，主要从事第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售，专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。 聚能创芯掌握业界领先的GaN功率器件与应用设计技术，致力于整合业界优势资源，打造GaN器件开发与应用生态系统，为PD快充、智能家电、云计算、5G通讯等提供国产化核心元器件支持。 背靠上市公司赛微电子（300456）与知名投资基金支持，聚能创芯建立了业界领先的管理和技术团队。在产品研发与量产过程中，始终坚持高品质与高可靠性的要求。在得到合作伙伴广泛认同的同时，逐步成为第三代半导体领域的国际知名企业。 在消费类电源领域，聚能创芯面向快充应用国产化GaN材料和器件技术解决方案，并基于现有的氮化镓功率器件推出全新65W、100W、120W氮化镓快充参考设计。 Corenergy能华 江苏能华微电子 科技 发展有限公司是由留美归国博士于2010年创建。团队汇集了众多海内外的专业人才，是一家专业设计、研发、生产、制造和销售高性能氮化镓外延、晶圆、器件及模块的高 科技 公司。 氮化镓（GaN）是新一代复合半导体的代表，江苏能华已建立了GaN功率器件生产线。项目计划总投资50个亿，分期投资。预计第一期投资超10个亿。公司于2017年搬入张家港国家再制造产业园，新厂房占地3万平方，拥有万级、千级以及百级的无尘车间，并配备有先进的生产设备以及专业的技术人员。 DANXI氮矽 科技 成都氮矽 科技 有限公司是一家专注于第三代半导体氮化镓功率器件与IC研发的 科技 型公司，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，公司两位创始人均拥有超过5年的氮化镓领域相关研发经验。 氮矽 科技 于2020年3月发布国内首款氮化镓超高速驱动器DX1001，同年4月推出国内多款量产级别的650V氮化镓功率芯片DX6515/6510/6508，搭配该公司的驱动芯片，进军PD快充行业。 值得一提的是，氮矽 科技 还推出了业内最小尺寸、最强散热能力的650V/160mΩ氮化镓晶体管，引领氮化镓产业革命。基于现有的氮化镓功率器件，氮矽 科技 推出4套国产GaN快充参考设计，丰富快充电源工程师的产品选型需求。 DONGKE东科 安徽省东科半导体有限公司于2009年成立，总部位于安徽省马鞍山市，主要从事开关电源芯片、同步整流芯片、BUCK电路电源芯片等产品研发、生产和销售；并成立深圳及无锡全资子公司和印度公司，负责全球市场销售及技术支持。 东科半导体在北京、青岛、无锡、深圳多地成立研发中心，多名海归博士主持研发 探索 ，在安徽马鞍山拥有2万平方米的封装车间和品质实验室，拥有DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/TO-220等多种产品封装能力；在东科半导体总部成立的马鞍山集成电路国家实验室，具备对芯片进行开封、失效分析、中测、划片、高低温测试等多种分析能力，为公司产品品质和供货提供可靠保障。 针对快充领域的应用，东科半导体推出了业界首颗合封氮化镓功率器件的电源芯片，成为了国产氮化镓快充发展史上的里程碑。 GaN system氮化镓系统公司 GaN Systems于2008年成立于加拿大首都渥太华，创始人是前北电的资深功率半导体专家。公司专注于增强型氮化镓功率器件的开发，提供高性能、高可靠性的增强型硅基GaN HEMT功率器件。 GaN Systems拥有专利的GaN芯片设计，GaNPx 芯片级封装技术和市场上最全的650V和 100V产品系列，涵盖了从小功率消费电子到几十kW以上工业级电源应用。 GaN Systems采用无晶圆厂模式，与世界级代工厂和供应链合作。产品自2014年开始量产以来，在全球范围服务超过2000家客户。在中日韩和北美及欧洲设有销售分公司和应用支持。据了解，目前GaN Systems的氮化镓功率芯片已经进入飞利浦快充供应链。 GaNext镓未来 珠海镓未来 科技 有限公司成立于2020年10月，公司致力于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新和领先。通过高起点、强队伍等，实现GaN技术的国产化，推动GaN器件的技术的*，并且通过电源系统的创新设计，实现能源的绿色、高效利用。 公司创始团队由3位资深GaN-on-Si技术/产业专家构成，以深港微电子学院于洪宇教授和美国知名氮化镓公司研发VP领衔，前华为GaN产业共同创始人加盟，构建了完整的技术、制造、市场的铁三角，厚积薄发。通过成熟领先的产品，推动GaN技术国产化，依托中国巨大电源应用市场和国家第三代半导体产业政策的支持，向氮化镓产业顶峰进军，助力国家第三代半导体产业目标的突破。 GaNPower量芯微 苏州量芯微半导体有限公司是加拿大GaNPower International Inc.在中国注册成立的公司。GaNPower于2015年在加拿大成立，总部位于加拿大温哥华市。GaNPower是全球氮化镓功率器件行业的知名公司，目前产品主要为涵盖不同电流等级及封装形式的增强型氮化镓功率器件及氮化镓基电力电子先进应用解决方案。 苏州量芯微半导体公于2019年荣获苏州工业园区第十三届金鸡湖 科技 领军人才称号；《氮化镓功率器件及相关产业化应用》被列为政府重点扶持项目。公司的氮化镓功率器件产品荣获行业权威大奖：2020年ASPENCORE中国IC设计成就奖之年度功率器件奖。公司目前拥有40项美国和中国的专利及申请。 据悉，量芯微半导体已经推出650V氮化镓功率器件，适用于45W-300W快充。 Innoscience英诺赛科 英诺赛科 科技 有限公司成立于2015年12月，国家级高新技术企业，致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件与射频器件；英诺赛科是全球最大的氮化镓功率器件IDM 企业之一， 拥有氮化镓领域经验最丰富的团队、先进的8英寸机台设备、加上系统的研发品控分析能力，造就英诺赛科氮化镓产品一流品质和性能的市场竞争优势。 自从2017年建立全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线以来， 目前英诺赛科已经发布和销售多款650V以下的氮化镓功率器件，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，能广泛应用于多个新兴领域， 如快充、5G 通信、人工智能、自动驾驶、数据中心等等。 目前，英诺赛科已经建成了全球最大的氮化镓工厂，在USB PD氮化镓快充市场，英诺赛科650V高压氮化镓功率器件已经在努比亚、魅族、MOMAX、ROCK等众多知名品牌产品中得到应用，并在近期推出第二代InnoGaN产品，性能较上一代有显著提升。 此外，英诺赛科还推出了多款低压GaN功率器件，适用于同步整流、DC-DC电压转换以及激光雷达等领域。在全球市场中，英诺赛科是少有具备氮化镓高压、低压全品类产品线的IDM芯片原厂。 infineon英飞凌 英飞凌 科技 股份公司是全球领先的半导体 科技 公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。 英飞凌电源与传感系统事业部提供应用广泛的电源、连接、射频（RF）及传感技术，让充电设备、电动工具、照明系统在变得更小、更轻便的同时，还能提升能效。新一代的硅基/宽禁带半导体解决方案（碳化硅/氮化镓）将为5G、大数据及可再生能源应用，带来前所未有的突出性能和可靠性。 高精度XENSIV 传感器解决方案为物联网设备赋予了人类的感官功能，让这些设备能够感知周遭的环境，并做出“本能”反应。音频放大器产品扩充了电源与传感系统事业部的产品线，让智能音箱及其它音频应用设备能够提供卓越的音质体验。 Navitas纳微 纳微半导体是全球领先氮化镓功率IC公司，成立于2014年，总部位于爱尔兰，拥有一支强大且不断壮大的功率半导体行业专家团队，在材料、器件、应用、系统、设计和市场营销方面，拥有行业领先的丰富经验，公司创始者拥有320多项专利。 GaNFast功率IC将GaN功率（FET）与驱动，控制和保护集成在一起，可为移动、消费电子、企业、电动交通和新能源市场提供更快的充电，更高的功率密度和更强大的节能效果。纳微在GaN器件、芯片设计、封装、应用和系统的所有方面已发布和正在申请的专利超过120项，已完成生产并成功交付了超过1300万颗GaNFast氮化镓功率IC，产品质量和出货量全球领先。 近期，纳微半导体也推出了最新一代氮化镓功率芯片NV6128，内置驱动和保护功能，适用于大功率快充产品。凭借优异的产品性能，纳微半导体已经成为小米、OPPO、联想、戴尔、LG等众多知名品牌的氮化镓芯片供应商，基于GaNFast芯片开发的产品多达百余款。 PI Power Integrations 是一家专注于高压电源管理及控制领域的高性能电子元器件及电源方案的供应商，总部位于美国硅谷。 PI所推出的集成电路和二极管为包括移动设备、家电、智能电表、LED灯以及工业应用的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。SCALE 门极驱动器可提高大功率应用的效率、可靠性和成本效益，其应用领域包括工业电机、太阳能和风能系统、电动 汽车 和高压直流输电等。 自1998年问世以来，Power Integrations的EcoSmart 节能技术已节省了数十亿美元的能耗，避免了数以百万吨的碳排放。由于产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge赞助的环保技术股票指数下。 充电头网拆解了解到，PI的氮化镓芯片已被小米、OPPO、ANKER、绿联、belkin等多个品牌的快充产品采用。此外，PI还推出了全新的MinE-CAP IC，用于快充充电器时，体积可缩小40％。 ST意法半导体 意法半导体（STMicroelectronics; ST）是全球领先的半导体公司，提供与日常生活息息相关的智能的、高能效的产品及解决方案。意法半导体的产品无处不在，致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智慧城市和智能家居，以及下一代移动和物联网产品。享受 科技 、享受生活，意法半导体主张 科技 引领智能生活（life.augmented）的理念。意法半导体2018年净收入96.6亿美元，在全球拥有10万余客户。 目前，ST意法半导体推出了一款GaN半桥器件，内置驱动器和两颗氮化镓，并基于该芯片推出了一套推出65W氮化镓快充参考设计。 Texas Instruments德州仪器 德州仪器 （Texas Instruments）是全球领先的半导体公司，致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片。数十年来，TI一直在不断取得进展，推出的80000多种产品可帮助约100000名客户高效地管理电源、准确地感应和传输数据并在其设计中提供核心控制或处理，从而打入工业、 汽车 、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。 2020年11月10日，德州仪器推出了650V和600V两款氮化镓功率器件，进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99％的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59％。 Transphorm Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合，在全球已获准和等待审批的专利超过1000多项 ，是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。 得益于垂直整合的业务模式，Transphorm公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新——包括设计、制造、器件和应用支持。充电头网拆解了解到，此前ROMOSS推出的一款65W氮化镓充电器内置的正式Transphorm公司的GaN器件。 XINGUAN芯冠 科技 大连芯冠 科技 有限公司是全球领先的第三代半导体氮化镓外延及器件制造商，致力于硅基氮化镓外延与功率器件的研发、设计、生产和推广，拥有先进的外延材料与功率器件生产线，提供650V全规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖几十瓦到几千瓦范围。广泛应用于消费类电子（快充、大功率适配器等）、工业电子与 汽车 电子等领域。 芯冠氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。 充电头网总结 从三年前GaN技术开始在消费类电源领域商用，到如今市售GaN快充已经多达数百款，市场发展速度可谓是突飞猛进。这一方面是借助各大手机、笔电厂商陆续入局的产生的品牌影效应，另一方面也离不开氮化镓快充生态的日趋完善。 就充电头网本次不完全统计，已经布局快充市场的氮化镓芯片供应商已经多达16家，方案多达数百款；并且涵盖了多样化的封装方式，完全可以满足当前快充电源市场对核心器件的选型需求。 相信随着国家十四五规划对氮化镓产业的大力扶持，入局氮化镓功率芯片的厂商数量将越来越多。不仅产品类型将会的得到进一步完善，更重要的是当氮化镓产业呈现规模化发展后，电源厂商开发氮化镓快充的成本将会得到优化；而氮化镓功率芯片也将成为越来越多高性能快充电源产品的首选。

意法半导体（中国）投资有限公司 STMicroelectronics 公司总部设在瑞士日内瓦，同时也是欧洲及中东和非洲区（EMEA）的总部。 参考：[http://baike.baidu.com/view/2405033.htm]

明白

STC系列单片机是由STMicroelectronics 公司生产，并有宏晶公司做大陆代理的。STMicroelectronics即意法半导体公司是1987年6月在意大利的SGS微电子公司和法国的汤姆逊微电子公司合并后产生的。1998年5月，公司由原来的SGS汤姆逊(SGSTHOMSON)微电子公司改名为意法半导体公司(STMicroelectronics)，简称ST公司。

ST是意法半导体，因为STMicroelectronics简称ST，是世界上最大的半导体公司之一。

ST芯片是意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成的一个半导体品牌，并非属于某一具体国家。ST是“意法半导体集团”的英文缩写，该集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一，总部位于瑞士。扩展资料：“ST”集团的产品阵容：1、多媒体及电源专业产品。以多媒体应用一体化和电源解决方案的市场领导者为目标，意法半导体拥有世界上最强大的产品阵容，既有知识产权含量较高的专用产品，也有多领域的创新产品，例如分立器件、高性能微控制器、安全型智能卡芯片、微机电系统（MEMS）器件。2、微电子产品。在移动多媒体、机顶盒和计算机外设等要求严格的应用领域，意法半导体是利用平台式设计方法开发复杂IC的开拓者，并不断对这种设计方法进行改进。意法半导体拥有比例均衡的产品组合，能够满足所有微电子用户的需求。3、电子和工业设备。意法半导体已经公布了与英特尔和Francisco Partners合资成立一个独立的半导体公司的合作意向，名为Numonyx的新公司将主要提供消费电子和工业设备用非易失存储器解决方案。参考资料来源：百度百科-意法半导体

AZ324M芯片各脚电压值上表是AZ7500的参数表。供电电压在7-36V之间，典型值是36V。能把输入讯号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。用在通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种装置中。以满足发送功率的要求，然后经过天线将其辐射到空间，保证在一定区域内的接收机可以接收到满意的信号电平，并且不干扰相邻信道的通信。 高频功率放大器是通信系统中发送装置的重要组件。封装类型：A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP （300mil）。S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型(300mil)﹔ X—SC-60(3P，5P，6P)﹔ Y―窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封﹔/W-晶圆。

市场上销售的任何一款ARM芯片都由两大部分组成：一部分是ARM内核，一部分是外设。ARM内核包括了寄存器组、指令集、总线、存储器映射规则、中断逻辑和调试组件等。内核是由ARM公司设计并以销售方式授权给个芯片厂商使用的（ARM公司本身不做芯片）。外设部分（包括计时器、A/D转换器、存储器...等等）则完全由各芯片厂商自己设计并与ARM内核衔接配套。不同的芯片厂商就有不同的外设，因此构成了数量和规格庞大的ARM芯片产业。

互联网技术更迭和智能终端普及，让半导体市场规模变得越来越大。而 半导体技术发展主导权却被少数几个国家掌握， 若是不作出改变， 未来半导体产业或将被部分国家实现垄断。 为避免这一情况发生，我国一直在提升对半导体企业的帮扶力度。 目前，虽然中国半导体产业整体水准落后国际，但在几个细分领域已经成功突围。当然，总体来看，我国半导体产业发展现状并不容乐观。 中国拥有全球最大的半导体市场，但绝大多数芯片都需要进口 。国内集成电路企业，无论是产能还是技术深度，都不如海外公司。 在笔者看来，造成这种情况的 核心原因在于国内缺少半导体人才。 根据《中国集成电路产业白皮书》显示，到2022年，芯片专业人才缺口预计超过20万。 而且，未来我国半导体人才缺口将随着市场增长而扩大。预计到2025年，缺口会达到30万。 人才荒，才是阻碍我国半导体产业发展的最大难题。 不过，国内相关部门和机构已经开始解决这一问题。 2020年10月，南京建成了全国第一座集成电路大学；2021年4月，清华大学成立了全国第一座集成电路学院。 而在今年6月，深圳大学和中芯国际联合打造的集成电路学院正式揭牌。此外，还有复旦、浙大等八所高校都开设了相关专业。可以看出，国内正在积极培养高素质半导体人才。 另外，不少企业都在今年进行扩产，海外企业也通过合作的方式入驻中国。根据国际半导体产业协会给出的数据， 今明两年，全球共会建立29座芯片厂，其中16座都是在中国 。这些芯片工厂将为诸多半导体人才提供工作场所，避免人才外流的事情发生。 虽说半导体产业的追赶并非一朝一夕，但按此趋势发展下去，可以预见我国半导体产业必然可以追上国际水准。事实上，不少 科技 领域大佬，也曾表达了相似的观点。 2020年9月，微软联合创始人比尔盖茨在接受采访时就直言， 不卖芯片给中国，意味着美国将失去一批高薪工作，这种行为只会促使中国加快芯片自给自足速度 。 如今来看，比尔盖茨的预言正在逐步实现。 芯片工厂落户中国，的确让美国半导体人才失去了工作，而中国半导体技术迅速突破，正是芯片加速自给自足的表现。 之前相关部门曾制定目标，到2025年，我国将实现70%芯片自给自足。若是目标达成，那么再过十年，中国很有希望彻底实现芯片自由。 中国半导体产业落后于国际，并不是近几年才发生， 早在上世纪八九十年代，国内半导体企业放弃自主研发，转型为买办企业时，这一结果就已经注定。 但也要知道，我国半导体产业追赶国际领先企业，同样是很早就开始。龙芯科研小组在2000年就成立，尹志尧2002年就回国制造用于生产芯片的刻蚀机， 在技术全面封锁的背景下，很多企业都和中微半导体一样，通过自研由落后变为领先。 由此可见，在国内企业决定走自研道路，追赶海外企业时，打破垄断的结果就已经注定。 目前，我国拥有巨大的市场优势，大批半导体人才即将走出校门。在笔者看来，中国半导体产业未来可期。 文/JING 审核/子扬 校正/知秋

on semiconductor 安森美半导体

飞机上打红飞碟，抽卡要费很多芯片去换。一般红飞碟会和其他病毒一起出现，可以用一张布鲁斯轻松搞定。

Mac中可以装Windows虚拟机

你好！不能，这个需要主板芯片的支持

数字？模拟—PF？很多分类的

国产自主可控PLM系统国产自主可控PLM系统1、大家在挑选时，与其举全力选择国外PLM产品，不如选择更适合企业当前阶段需求，而且是原厂实施的国产PLM系统。我们公司用的就是华天软件的PLM系统，原厂开发和实施，整体来说还不错。2、我给你介绍下，我们公司一直用的数码大方的这个软，我对这个还是比较了解的，国内PLM厂商目前可以分为三种：以CAD为主体的PLM供应商，以产品数据为中心，提供覆盖产品研发至生产一体化解决方案。3、同时在价格方面国外软件远远高于国产PLM系统，让很多中小企业难以承受我们公司就是选择的华天软件自主研发的PLM系统，根据需求先上了产品数据管理和工艺设计管理相关功能，上线2年来实现了高效的协同管理，整体还不错。4、鼎捷软件PLM，为任意规模企业提供快速实施的、柔性的、易客户化和高性价比的最佳PLM解决方案，通过改进产品开发、制造的相关活动。3DCAD集成需要进行三维实体模型与零部件属性信息的梳理及定义。给华为做芯片的是哪个公司这次为华为投资做芯片的是哪几家公司这次为...给华为做芯片的是哪个公司这次为华为投资做芯片的是哪几家公司这次为...1、华为芯片是由中国台湾台积电公司生产制造。中国和外来手机电子市场争夺战争就要开始。其实在经济危机开始，苹果就一直字遭受抵制，只因为它的原研发公司在美国。中国每年的电子市场为其他国家带来的利润太卡怕，国内的产业滞销。2、海思半导体是一家专注于芯片设计研发的公司，其产品覆盖无线网络、数字媒体、固定网络等领域芯片，而让普通用户所熟知的则是搭载在华为手机中的麒麟系列SOC芯片了。3、华为芯片的上市公司是HiSilicon（海思半导体）。HiSilicon是华为旗下的芯片设计公司，其主要产品包括手机芯片、网络芯片、安防芯片、监控芯片等。华为自主研发芯片叫腾什么?华为自主研发芯片叫腾什么?华为自主研发的芯片叫麒麟芯片。华为技术有限公司总部位于中国广东省深圳市龙岗区坂田华为基地。华为于1987年在中国深圳正式注册成立。华为芯片海思麒麟是自己生产，属于国产。有一部分的手机使用的就是海思麒麟。华为芯片_腾：华为的晟腾芯片主张是在人工智能的领域。华为的鲲鹏芯片主要是应用在服务器领域，虽然在服务器领域国内起步比较晚，但是对于未知探究的精神是华为刻在骨子里的，所以说鲲鹏也代表了华为对服务器领域的一种追求和精神。升腾Ascend，华为升腾芯片是华为公司发布的两款人工智能处理器，包括升腾910和升腾310处理器，采用自家的达芬奇架构，2019年8月23日，下午3点华为副董事长、轮值董事长徐直军在发布会上宣布，“升腾910”正式推出。华为_腾芯片是华为公司发布的两款人工智能处理器，包括_腾910和_腾310处理器，采用自家的达芬奇架构。2018年10月10日，华为在上海举办新一年的全联接大会，这届大会主题是人工智能（AI）。华为芯片的上市公司华为芯片的上市公司是中芯国际（SMIC）。这是因为华为为了确保供应链的安全和稳定性，在美国政府限制的情况下，逐渐将芯片的订购量转移到了国内厂商，中芯国际便成为华为最主要的芯片供应商之一。是。华为海思华为成立于2004年的半导体公司，承载着华为芯片的研发和销售，在2005年时就进行了相关的上市声明，是属于上市公司的。北方华创(002371)：北方华创是国产设备龙头，公司业务涵盖了集成电器、LED、光伏等多个领域。高德红外(002414)：高德红外是红外芯片龙头，它是国内唯一掌握二类超晶格焦平面探测器技术的厂商。华为手机芯片是哪个国家生产的?华为手机芯片是哪个国家生产的?不是，华为手机用的处理器芯片是华为公司自主研发的华为麒麟芯片。一部分自己生产，一部分用美国的。华为手机的部分芯片是自己制造的，该芯片名为海思麒麟华为芯片，另一部分购买美国品牌。华为的海思麒麟芯片是由其自主研发并由台湾的台积电代工生产的。不全是国产芯片。华为为了受供应链和产能的限制小一点，也为了消费者体验多样化，采取的是多芯片的战略。也就是说，除了自家研发的麒麟芯片，同时也会用国外的高通和联发科芯片。华为手机除了与其它品牌一样有采用第三方厂商的芯片机型外，很大一部分搭载的都是华为自研的麒麟系列芯片，而该系列芯片基本都由台湾的台积电来代工生产。华为手机用的大多是麒麟芯片，是中国的。麒麟芯片是华为公司开发高性能芯片系列，是华为旗下产品的主要芯片。华为技术有限公司是一家生产销售通信设备的民营通信科技公司，主要创始人任正非，成立于1987年，总部位于深圳。中国“华为芯片来自中国，又称华为海思芯片。2019年9月，发布首款海思麒麟芯片。华为芯片有涉及移动终端的麒麟芯片，涉及服务器的鲲鹏芯片，人工智能领域的Ascension芯片，基带使用的巴龙芯片，路由器使用的凌霄芯片。

有芯片。颖展电子元器件上详细说明了利亚纳钥匙有芯片。利亚纳（liana）是昌河铃木在日本铃木公司利亚纳原型车基础上打造的一款现代化城市生活小车。作为一款实用型家轿，利亚纳a+最大的变化在于搭载了铃木旗下技术成熟的K14B-G VVT发动机，排量更低，油耗更少，但是动力却依然强劲。

车规级是适用于汽车电子元件的规格标准等级之一。MCU芯片等级标准分为消费级、工业级、车规级、QJ、GJ五个等级。

在AMD平台上， 芯片却出现了独居一格的局面。首先，AMD自身只有一个AMD8000系列芯片组，扮演一个开路先锋的角色。反而VIA却占有AMD平台芯片组最大的市场份额，但现在却收到后起之秀nVidia的强劲挑战，后者凭借其nForce2芯片组的强大性能，成为AMD平台最优秀的芯片组产品， 进而再推出nForce3、nForce4系列产品从VIA手里夺得了许多市场份额，而SIS与ALi依旧是扮演配角，主要也是在中低端和整合领域。ServerWorks觊觎Opteron的魅力，原本一直效忠Intel的，如今也进来插上一脚。第一款推出的芯片组产品将支持4路64位Opteron系统，将来也还会同时推出支持双路和8路AMD Opteron平台，同别的服务器平台一样，芯片组也支持HyperTransport技术。

撰文 | 机器之能 “ 吉姆 · 凯勒（Jim Keller）是一个摇滚明星，英特尔失去了一位伟大的建筑师，” Moor Insights and Strategy的总裁和首席分析师帕特里克·穆尔黑德向媒体说道。 机器之心6月12日消息，英特尔宣布负责硅工程部门(Silicon Engineering Group)的高级副总裁吉姆 · 凯勒因为个人原因辞职，辞呈立即生效。不过，吉姆 · 凯勒将继续出任公司顾问六个月时间，以协助工作交接。 吉姆 · 凯勒是英特尔新架构的策划者之一，在宣布辞职之前，他已在英特尔工作了两年，提出了 3D 堆叠芯片等创新方法。英特尔表示，此后他还将留任顾问六个月以进行工作交接。随着凯勒的离开，英特尔也进行了一系列组织架构调整： 尽管吉姆 · 凯勒在计算机行业之外鲜为人知，但他无疑是芯片领域的超级明星。 他的设计帮助AMD从一个失败者变成了一个受人尊敬的竞争者；特斯拉 汽车 能识别红灯和停车标志，那也归功于他的设计。从iPhone到谷歌云服务器，再到Xbox 游戏 机，所有芯片里都潜藏着他的核心工作。 一 所到之处皆留下「大作」 作为半导体业界的传奇人物，在吉姆 · 凯勒近40年的职业生涯里，从业经历颇为丰富，虽然跳槽频繁，但所到之处均留下了痕迹——在英特尔、特斯拉、AMD、苹果和Alpha等公司就职期间留下了不少经典之作，是的，你所知道的「翻身」故事有不少都是出自他之手。 第一款以500 MHz运行的芯片，其内存缓存达到1 GHz，这是当时闻所未闻的速度。Alpha还率先推出乱序运行软件指令，以提高性能。 吉姆 · 凯勒与AMD的渊源最为深厚，在两次为 AMD 效力的经历中，他曾先后主导了 AMD Opteron(K7和K8 X86-64架构)和 Zen 架构，无论是主流的Ryzen还是发烧的Ryzen ThreadRipper都让人惊喜万分。 而在服务器、数据中心领域，AMD曾经凭借Opteron在服务器领域拿到过27％的市场份额，风光一时无两。 Opteron是最早的64位处理器之一，可安装在服务器中，并开创了一种称为HyperTransport的数据通信标准，该标准至今仍在云计算中广泛使用. 凯勒致力于提高图形能力。为最初的iPad和iPhone 4供电的芯片启用了Apple的第一个高分辨率“视网膜”显示器。 特斯拉表示其首个内部人工智能 该芯片旨在实现自动驾驶，其性能是其替换的Nvidia芯片的20倍。 低功耗芯片是Intel 最早受到凯勒影响的设计之一，旨在运行小型便携式设备，但可以扩展到PC。 二 加入英特尔：「被他深深的挣扎所吸引」 三 每一次转身，都卡在节点 在加入英特尔之前，吉姆 · 凯勒已经活成了一个传奇。AMD二十多年来几次挑战英特尔，还有苹果A系列的一炮而红，都与其有密切的关系。 吉姆 · 凯勒在上世纪九十年代就曾在DEC工作， 并涉足了Alpha处理器项目的设计。这段经历让他对Alpha处理器获得了深入了了解，并为后面的经历埋下了伏笔。 在DEC被收购之后，公司大批人才出走，当时求贤若渴的AMD CEO Jerry Sanders 立即招募了大量 Alpha 项目的资深工程师，其中包括吉姆 · 凯勒。进入AMD后，凯勒参与了K7处理器的设计，并成为后来K8的主架构师，由于这开启了AMD对Intel的大反击，因此这对吉姆 · 凯勒的职业生涯是一个重要加成。 K7综合性能超越同频的奔腾III（代号Katamai），让所有的用户为之震惊。吉姆 · 凯勒 还主导了将战火推向最高潮的K8架构核心研发，但在第二年，他离开AMD。在不少人看来，凯勒的突然离开似乎有些“虎头蛇尾”，但是，AMD首席技术官Fred Weber有不同看法。 “我不认为，他没有完成任务（就走了），他肯定完成了。”“他更像是一个项目的前沿人物。好消息是，他的前线做了这么多工作，设定了这么好的方向。” 对于一名这位工程师中的工程师来说，解决清楚有趣的问题永远排在第一，“工程师喜欢工作，不想再胡扯了。”他说。在他旅程的下一站，很重要的一个节点换做了苹果。 苹果A系列处理器之所有能够获得今天的市场地位和表现，一个很重要的原因在于2008年收购了PA-Semi。这家公司是由Daniel W. Dobberpuhl在2003年创立，专注于高端个人电脑和服务器的芯片，而且他们都曾效力于DEC。 Daniel W. Dobberpuhl在半导体领域的地位是吉姆·凯勒目前难以企及的。不过，在加入PA-Semi工作的几年里，吉姆·凯勒在老板的领导下，继续积累了低功耗RISC处理器的设计经验。直到2008年，苹果将PA-Semi收归囊中。 对于凯勒来说，苹果的吸引力主要有两方面。一个是向世界上最坚韧、最成功的CEO史蒂夫·乔布斯学习；二是新兴智能手机带来的挑战和乐趣。 在此之前，iPhone的前三个版本都使用了三星芯片，凯勒加入后，成立了苹果自己的芯片团队。从iPhone 4开始，苹果采用了凯勒设计的芯片。他对苹果A6和A7影响最大（这两款芯片用在了iPhone 5和5s上）。设计速度不仅比竞争对手快，还对芯片进行了优化，图形处理更加流畅，让竞争对手相形见绌。另外，芯片还加速了iPhone的语音处理，为Siri提供了支持。 凯勒还吸收了乔布斯的一句格言，这句话也在其后续辉煌中，产生共振：“一旦你知道什么是正确的事情，这就是你应该做的所有事情。” 随后，看到新问题和机会的凯勒再度回到正处水深火热的AMD。凯勒给AMD带来的市场优势此时已经黯然褪去，英特尔又再度居上。他知道原因在哪里： AMD芯片设计错综复杂，难以改进，而优秀的工程师又会花很长时间优化旧芯片的设计。这个时候需要的不是优化，而是借助新技术，从零开始。 芯片本质上就像在搭乐高：用更小，单独制造的硅块组装成更大，更复杂的芯片。凯勒意识到，他可以通过将几个小芯片组合在一起，为高计算强度的活动制造出新的芯片，比如深度学习。这样的设计比单个集成芯片更便宜，但仍然很强大，而且，模块化设置能够实现在不产生太多热量的情况下，增加计算能力。这些小芯片还可以在更大配置中工作，满足云计算数据中心的需求。 “他有那种疯狂的专注力。”　这是同事对他的评价。他设计的首批芯片被称为Ryzen系列，直到2017年才上市。价格低于英特尔，但在某些情况下，性能却超过英特尔，引发市场轰动。到2019年，仍然采用凯勒设计的第三代Ryzen芯片几乎在所有方面都击败了曾经的对手。 写到这里，典型的故事结尾又发生了：在Ryzen上市之前，大神早已转身离开。 四 遇上马斯克，迷上制造 “他是我们行业的阿甘，”AMD前首席技术官Fred Weber曾评价道，“他总是置身于有趣的事物之中，并做出改变。” 回到老东家创造奇迹后，大神又转会到特斯拉。还记得马斯克在2016年股东大会上大谈工厂自动化吗？当时，他也谈到了片上系统（Soc），主要原因就是2016年1月，凯勒加入了特斯拉。 马斯克想要制造自动驾驶 汽车 ，但是，英特尔和英伟达的产品都不足以让这位天才工程师满意。而在加入特斯拉之前，凯勒已经真正将 汽车 视为计算机领域的挑战。在工作面试过程中，凯勒说服马斯克，自己可以设计一种专利芯片，运行速度比对手快10倍。 一旦了解特斯拉软件的运行方式，凯勒发现，可以忽略或者最小化英伟达芯片中那些与特斯拉软件不太相关的组件。2019年，凯勒设计的芯片开始被纳入Model 3系列和其他车型，公司业绩也增长了20倍。 不过，让人印象最深刻的是凯勒还在芯片设计上增加了一项功能：Model 3在遇到红灯和停车标志时，会自动停车。 凯勒被特斯拉的制造业务迷住了。通过观看 汽车 组装过程，他发现，虽然许多部件需要使用5年或10年，但是，芯片需要频繁更新，每两三年更新一次。于是，他说服特斯拉重新设计计算机组件与 汽车 其余部分连接方式，方便公司更容易更换芯片板。 五 转身之后 就在凯勒从英特尔离职的前一天，英特尔发布了新的 Lakefield 混合处理器，其中包括他参与设计的低功耗Tremont处理器，对于凯勒来说，他已经完成了现阶段在英特尔的任务。 或许，和过去每次转身一样，等不及看着自己的工作结出市场硕果，在完成最为开创性新的工作之后，又去寻求下一个激动人心的问题和解决之道。 鉴于吉姆 · 凯勒和前雇主 AMD 的「深情厚谊」以及后者近几年突飞猛进的发展，很多人猜测他「可能重回 AMD」，可谓「Once an AMD forever an AMD」。 也有人猜测，他可能重回苹果。因为前段时间彭博社报道称，苹果可能会在今年 WWDC 2020 上宣布自家 Mac 产品将会从英特尔处理器转向 ARM 处理器。真是一个巧合的时间点。 对于当下风云变化莫测的芯片市场来说，这位重量级人物的“恢复单身”势必会引发新的人才争夺，不知道这一次是否会出现中国大厂的身影？

555是八个针脚的吧？芯片上一端有个半圆形的小缺口，插槽上也有类似设计。如果插槽上没有，就记着半圆形小缺口朝左插入就可以了。

TTSFWTK，AXENTRaptor，SECUreZone。防火墙也被称为防护墙，它是一种位于内部网络与外部网络之间的网络安全系统，可以将内部网络和外部网络隔离。常见的防火墙芯片类型三种有TTSFWTK，AXENTRaptor，SECUreZone。通常，防火墙可以保护内部/私有局域网免受外部攻击，并防止重要数据泄露。在没有防火墙的情况下，路由器会在内部网络和外部网络之间盲目传递流量且没有过滤机制，而防火墙不仅能够监控流量，还能够阻止未经授权的流量。

这是8位的不能用于路由硬改。16位的颗粒有以下型号可用于路由硬改：x0dx0asd颗粒脚数 ： 27 54x0dx0addr颗粒脚数： 33 64x0dx0a内存条单面有4颗粒和8颗粒区分:x0dx0a4颗粒的绝对是单颗16bitx0dx0a8颗粒的有可能是单颗16bit 也可能是单颗8bitx0dx0a双面16颗粒的:x0dx0a绝对不会是16bit,有可能是8bit,也可能是4bitx0dx0ax0dx0aDDR(16位)：x0dx0aHY5DU561622DT-J 32m (333MHz)x0dx0aNT5DS16M16CT-6K 32m (333MHz)x0dx0aHY5DU561622AT-H 32m (266MHz)x0dx0aNT5DS16M16BT-6K 32Mx0dx0aHY5DU561622ETP-D43 32Mx0dx0aWINBOND W9425G6D(E)H-5 32Mx0dx0aNANYA NT5SV16M16AT-75B 32Mx0dx0aHY（现代） HY5DU121622C(D) TP-D43 64Mx0dx0aVDATA VDD9616A8A-6B H0513 64Mx0dx0aMT（镁光）46V64M16 P-6TA 128Mx0dx0amt46v64m16tg-6t 128Mx0dx0aMT（镁光）46V32M16 64Mx0dx0aELPIDA尔必达 D5116AFTA-5B-E 64Mx0dx0a金邦 GL3LC32G16TG-5A 64Mx0dx0aPC400 / DDR 400 64MB (32MB x 16bit)x0dx0aHynix HY5DU121622DTP-D43-C x0dx0aHynix HY5DU121622DTP-D43 x0dx0aHynix H5DU5162ETR-E3C x0dx0aSamsung K4H511638G-LCCC x0dx0aSamsung K4H511638J-LCCC x0dx0aZentel A3S12D40ETP-G5 x0dx0aNanya NT5DS32M16BS-5T x0dx0aMira P3S12D40ETP-GUTT x0dx0aInfineon HYB25D512160BE x0dx0aInfineon HYB25D512160BE-5 x0dx0aPC333 / DDR 333 64MB (32MB x 16bit)x0dx0aMicron MT46V32M16TG-6T:F x0dx0aMicron MT46V32M16P-6T:F x0dx0aElpida EDD5116ADTA-6B-E x0dx0aQimonda HYB25D512160CE-6 x0dx0aQimonda HYB25D512160CEL-6 x0dx0aQimonda HYB25D512160DE-6 x0dx0aHynix HY5DU121622CTP-J x0dx0aSamsung K4H511638D-UCCC x0dx0aSamsung K4H511638B-TCB3 x0dx0aSamsung K4H511638D-UCB3 x0dx0aHynix HY5DU121622CTP-J x0dx0aHynix HY5DU121622CTP-D43 x0dx0aHynix HY5DU121622CLTPx0dx0aHynix HY5DU121622DTPx0dx0aHynix HY5DU121622DLTPx0dx0aKingston K4H511638C-UCB3x0dx0aElpida D5116AFTA-5B-Ex0dx0aNCP NP25D3216512K-5x0dx0aNanya NT5DS32M16BSx0dx0ainfineon HYB25D512160BEx0dx0aMicron MT46V32M16TGx0dx0aMicron MT46V32M16TG?x0dx0aElixir N2DS51216BT-5Tx0dx0aElixir N2DS51216CS-5Tx0dx0aZentel A3S12D40ETPx0dx0ax0dx0aSD(16位)：x0dx0aK4S561632D-TC75 32M x0dx0aK4S281632F-TC75 16M x0dx0ahy57v281620hct 16M x0dx0aP2V28S40ATP 16M x0dx0aMT48LC8M16A2-75 16M x0dx0aMT48LC16M16A2 32M x0dx0aHY57V561620A/B/C/L/T-75 32MB x0dx0aIC42S16800-6TG 16MB x0dx0aIC42S16160-6TG 32MB x0dx0aGP6LC16G168TG-7 32MB x0dx0aW981216AH-75 16MB x0dx0aM2V28S40ATP-6L 16MB x0dx0aEM639165TS-6 16MB x0dx0ak4s511632d-uc60 64MB x0dx0aMT48LC32M16A2-UC60 64MBx0dx0a英飞凌 HYB39S128160CT-7.5 16Mx0dx0aHYB39S256160CT-7.5 32mx0dx0aRC56S161TA0-13AC 32M

思加图鞋垫下有个银色芯片是品牌的专利技术“Goodyear Performance Outsole”技术的一部分。Goodyear Performance Outsole技术采用了各种创新的材料和设计，包括一层由Goodyear生产的橡胶，以提高鞋底的耐用性和抓地力。这个银色芯片可以是嵌入鞋底中的一块特殊的材料，该材料有助于提高鞋子的灵活性和响应性，并提供额外的垫付和支撑。这项技术是由思加图和著名轮胎制造商Goodyear Technologies合作开发的，旨在为跑步及户外活动提供更好的灵活性、耐久性和抓地力。

这两年来，国产芯片产业的发展牵动着无数国人的心。原因很简单，在当前的信息时代，芯片是所有电子设备的基础。 有数据统计， 我国最近三年的芯片进口金额均超过3000亿美元，是我国第一大宗进口商品。我们对进口芯片的依赖，远超第二大宗商品石油。 为了保障我国 科技 行业的供应链安全，发展国产芯片产业刻不容缓。此前我国制定了芯片自主化的目标： 到2025年实现70%的芯片自给自足。 就当前我国芯片产业的现状来看，在芯片设计领域我国处于世界一流水平，拥有华为海思、紫光展锐等一批世界级的芯片设计企业。 在芯片制造和芯片制造装备领域，我国距离世界先进水平还差一大段。其实这两个领域的劣势可以混为一谈，因为阻碍国产芯片发展的主要障碍就是芯片制造设备。 然而如今的芯片制造设备市场基本被国外企业所把持，比如荷兰的ASML、日本的尼康和佳能、美国的应用材料、科林和泛林集团等。 正所谓“工欲善其事，必先利其器”。 如果要壮大国产芯片制造产业，那么国产芯片制造设备必须要率先突破。 如今从清华大学传来好消息，我国在关键芯片制造设备方面实现新突破。 据了解，清华大学宣布路新春教授团队的新成果： 由华海清科研发的首台12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300量产出货，已经向国内某芯片制造龙头企业供货。 一条完整的芯片生产线需要100多种设备的同时协作，光刻机只是前道工序中的关键设备。而12英寸超精密晶圆减薄机同样是芯片制造和封装领域的关键设备。 由于这种设备复杂程度高、技术攻关难度大，而且市场准入门槛高，长期被国外厂商把持，国内市场严重依赖进口。 在清华大学路新春团队的努力下，华海清科研发出的12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300拥有3大特点。 首先，Versatile-GP300能够提供精密磨削、抛光、后清洗等多种功能配置，能够满足芯片制造和封装制造领域的超精密晶圆减薄工艺的需求。 其次，Versatile-GP300首创的工艺既能实现晶圆的超平整减薄与表面损伤控制，又能兼顾高效率与综合性价比，更适合国内晶圆减薄市场的需求。 最后，Versatile-GP300具备高刚性、高精度和工艺开发灵活等优势，主要技术指标达到了国际先进水平。同时填补了国内芯片装备行业在超精密减薄技术领域的空白。 虽然与国外发展了几十年的巨头相比，我国的芯片制造设备行业如同一个蹒跚学步的幼儿。但是在广大有志之士的带领下，我国的芯片制造设备行业正将“拦路虎”一个一个拔除。国产芯片的未来可期，中国 科技 产业的未来可期！

可以去一些芯片生产的企业官网联系，这样可以保证正品

不要错过芯查查APP，他里面的产品质量都是得到很多人的认可的，而且价格也很合理▪⋅

在网上买东西要小心一点啊，你应该先让他寄几个样品的，确保无误后再批量购买，像是采购芯片，最好去专门的芯片采购平台，像ickey、科通、realchip啊。都可以先了解了解，祝您工作顺利！

最近科大讯飞发布了新的耳机产品——iFLYBUDS Pro录音降噪会议耳机，科大讯飞将自家的智能语音以及人工智能技术与TWS耳机相结合，为用户带来全新的使用体验。 科大讯飞iFLYBUDS Pro录音降噪会议耳机人机交互采用了触控模块，支持例如音乐的暂停与播放、切换音乐、降噪模式开关、录音开关等，使用起来更加便捷快速。我爱音频网对其进行了拆解后，在其内部发现了来自汇顶 科技 GH610电容式入耳检测及触控2合1芯片，下面就让我们来看看详细信息吧。 iFLYBUDS Pro录音降噪会议耳机的体积比较小巧，采用了方形圆角设计，握在手里的触感舒适平滑，不易吸附指纹；耳机采用柄状的入耳式设计，背部材质与外壳一致，背部的触控区域还采用了平面化设计，能够更好的进行盲操作。 将耳机进行拆解以后，可以发现其内部主要采用了10mm动圈单元，单耳机都搭载了三颗MEMS麦克风用来进行拾音降噪，主控芯片为恒玄BES2500YP超低功耗蓝牙音频SoC，还采用了来自汇顶 科技 的GH610电容式入耳检测及触控2合1芯片用于入耳检测和耳机的各项功能控制；在电源电路模块，搭载了微宙电子60mAh钢壳扣式电池，由赛微CW6305B充电芯片负责为内置电池充电。 GOODiX汇顶 科技 GH610电容式入耳检测及触控2合1芯片，内部集成了高性能、低功耗的 MCU 及自容感应前端电路，可根据电容变化进行入耳检测以及触控操作，从而实现对相应的人机交互界面系统的控制。该系列芯片采用汇顶 科技 自主开发的感应算法，可实现超高信噪比，能准确识别耳机状态（佩戴/摘下）、单双击、长按，以及滑动等操作。 GOODiX汇顶 科技 GH610系统框图。 据我爱音频网拆解了解到，目前已有小米、JBL、一加、OPPO、realme、vivo、百度、万魔、黑鲨等品牌的多款TWS耳机采用了汇顶的这项入耳检测和触控2合1方案。 关于汇顶 科技 汇顶 科技 是一家基于芯片设计和软件开发的整体应用解决方案提供商，目前主要面向智能终端、物联网及 汽车 电子领域提供领先的半导体软硬件解决方案。产品和解决方案已经广泛应用于华为、OPPO、vivo、小米、Samsung、Google、Amazon、Dell、HP、LG、一加、Nokia、ASUS等国际国内知名品牌，服务全球数亿人群，是驱动万物智联的IC设计与解决方案领先提供商。

直接联系本人邮箱xmxlky@163.com

芯查查可以查到相应的信息，提供了不同品牌的的电子芯片，可以在芯查查商城上进行搜索。

国产芯片股票有：（1）芯片设计环节：兆易创新、汇顶科技。（2）芯片制造环节：晶圆代工龙头：中芯国际；溅射靶材：江丰电子；晶圆切割龙头：大族激光。（3）芯片封测环节：封测龙头：长电科技、华天科技、通富微电；丹邦科技；检测设备：长川科技。更多关于国产芯片有哪些股票，进入：https://www.abcgonglue.com/ask/1b67e61615824043.html?zd查看更多内容

芯查查阿，我一直用它的商城，那里可以查价格比价，还可以直接采购，质量大大的有保证。

福州瑞芯微、珠海全志、珠海炬力、上海晶晨、上海盈方微。目前来说，中国的IC芯片设计的公司，还不像因特尔、高通、苹果、三星这样有很大的名气。就拿平板/盒子芯片来说，国内的芯片设计公司中福州瑞芯微、珠海全志、珠海炬力、上海晶晨、上海盈方微在技术上和销售量上国内算是都还不错，在IC芯片业都算是第三梯队的。芯片设计：国内的十大芯片设计公司如下，按营收规模排序：华为海思/紫光展锐/中兴微电子/华大半导体/智芯微电子/汇顶科技/士兰微电子/大唐半导体/敦泰科技/中星微电子。国内厂商仅有四家，北方华创、中微半导体、盛美半导体和Mattson。扩展资料：芯片设计公司排名中国前十强依次为华为海思、清华紫光展锐、中兴微电子、华大半导体、智芯微电子、汇顶科技、士兰微、大唐半导体、敦泰科技和中星微电子。第一名：海思海思在长时间内将是中国最大的芯片设计公司，大家用的华为手机里面就有大量的海思处理器和海思基带芯片，另外买的智能电视，安防系统也有海思的芯片，未来将随着华为集团的增长而上升。世界第一名高通，2016年营收154亿美元，是海思的3.5倍。第二名：紫光展锐展讯，锐迪科合并之后成立，目前是三星手机处理器和基带芯片除自家产品之外的最大供应商，你买的三星手机，主要是中低端系列，里面的芯片是紫光展锐的。第三名：中兴微电子主要是自家的通信设备用的部分芯片，手机芯片也还是外购。第四名：华大半导体是中国电子信息产业集团有限公司(CEC)整合旗下集成电路企业而组建的集团公司。在智能卡及安全芯片、智能卡应用、模拟电路、新型显示等领域占有较大的份额。目前华大半导体旗下已经有三个上市企业，包括A股上海贝岭和港股公司中电控股、晶门科技。第五名：智芯微电子智芯微电子是国网信息产业集团全资子公司，涉及芯片传感、通信控制、用电节能三大业务方向，致力于成为以智能芯片为核心的高端产品、技术、服务和整体解决方案提供商。第六名：汇顶科技汇顶科技是一家上市公司，该公司在指纹识别芯片设计领域已经做到了世界第二，在全球范围内仅次于给苹果提供指纹识别芯片的AuthenTec。第七名：士兰微电子LED照明驱动IC是其主要业务收入之一，还给家电企业提供变频电机控制芯片。第八名：大唐半导体以智能终端芯片、智能安全芯片、汽车电子芯片为核心的产业布局。第九名：敦泰科技于2005年在美国成立，致力于人机界面解决方案的研发，为移动电子设备提供最具竞争力的电容屏触控芯片、TFT LCD显示驱动芯片、触控显示整合单芯片(支持内嵌式面板的IDC)、指纹识别芯片及压力触控芯片等。第十名：中星微电子占领全球计算机图像输入芯片60%以上的市场份额。2005年，中星微电子在美国纳斯达克证券市场成功上市， 2016年初，中星微推出了全球首款集成了神经网络处理器(NPU)的SVAC视频编解码SoC，使得智能分析结果可以与视频数据同时编码，形成结构化的视频码流。该技术被广泛应用于视频监控摄像头，开启了安防监控智能化的新时代。从事芯片设计业务的重点上市公司有：紫光国芯、汇顶科技、士兰微(IDM)、大唐电信、兆易创新(存储器)、全志科技、中颖电子(家电MCU、锂电等)、北京君正、艾派克、富瀚微等。以上芯片设计公司中，目前势头最好是的展讯跟RDA，华为海思的布局和前景最好，这三家算是国内技术、前景最好的。中星微和炬力虽然也是第一批上市的，有些名气，但下滑得比较厉害，前景一般。nufront算是新生势力吧，离一线的技术和知名度还有很大一段距离。国民技术/君正之类布局太窄了。参考资料：百度百科-中国芯

根据数据统计，2018年之智能手机出货总量大约14.56亿部，除了三星、苹果和华为是智能手机的最大受益者之外，智能手机的配件供应链也孵化了一大批企业，比如LCD、AMOLED中京东方、华星光电；而屏下指纹是一个不起眼的地方，需要一颗指纹芯片，这个行业内的全球老大是一个名副其实的中国企业。目前全球的指纹芯片出货量在8.79亿颗，指纹芯片已经普遍应用到手机、 汽车 、智能锁等各种智能家居上面。根据《全球指纹识别芯片市场跟踪与预测报告》显示，汇顶 科技 2018年的指纹芯片出货量，超越瑞典FPC达到2.85亿颗，位居全球第一。但是汇顶 科技 的发展并不是一帆风顺的，曾经与"死神"两次擦身。2002年，张帆创办了汇顶 科技 ，当时通信行业还是固定电话当家。张帆将主营业务定位到固定电话IC芯片卡上，在2002年至2005年期间，固定电话的用户持续增长，汇顶迎来第一次发展，但是很快市场被移动电话压缩，汇顶 科技 的营收开始断崖式下降，这是汇顶 科技 第一次与“死神”擦身。 “我不想40岁人生就结束了”，张帆开始尝试其他的方向，从无线电话芯，到固网短消息电话，最后将矛头瞄向了小家电的触控面板芯片。但是这个市场潜力有限，很多员工看不到希望纷纷离职，人才的流失，营收的不断缩水，这是汇顶 科技 离“死神”最近的一次。2007年苹果发布第一代产品后，张帆开始研究苹果产品的多点电容触控技术，随着国产手机的爆发， 汇顶 科技 积迎来了第二次爆发。做到了几年后，汇顶 科技 已经成为行业内的黑马，但是随着市场竞争激烈， 电容触控芯片的平均售价连续下滑，汇顶 科技 再次遇到危机。 2013年，苹果发布Phone 5s，指纹识别功能引起了张帆的注意，他意识到这将是未来的一个趋势。于是他带着汇顶 科技 进入到指纹芯片中，投入了400多个研发，成为首个推出应用到安卓手机的指纹识别芯片的公司。一步领先，步步领先，汇顶 科技 随后又推出全球第一个指纹与触控一体化技术的指纹芯片，并凭借光学指纹方案打入华为、小米的供应链。2016年，汇顶 科技 上市后迎来了爆发，年营收达在30亿~40亿之间，目前市值已经达到485亿元。 张帆在一次采访中透漏，目前已经在第四转型中。这个与“死神”擦肩3次的 科技 企业，最终靠一个小的“指纹芯片”逆袭，成为了市值近500亿的巨头。